TW201509577A - 光裝置及光裝置之加工方法 - Google Patents

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Abstract

本發明之課題在於提供一種可提高光取出效率的光裝置及其加工方法。解決手段為本發明之光裝置，其具備，基台與形成於基台表面之發光層。基台具有四角形的表面、與表面平行且形狀相同之四角形背面，以及連結表面與背面的4個側面。側面的截面形狀是形成為將凹部與凸部交互地形成的波浪狀。

Description

光裝置及光裝置之加工方法 發明領域
本發明是有關於一種在基台表面形成有發光層的光裝置及光裝置之加工方法。
發明背景
在雷射二極管(LD)與發光二極管(LED)等光裝置的製程中，是藉由在由藍寶石與SiC等所構成之結晶成長用基板的上表面，以例如，磊晶(epitacial)成長積層發光層(磊晶層)的作法，以製造出用於形成複數個光裝置的光裝置晶圓。LD、LED等之光裝置，是在光裝置晶圓的表面以形成格子狀的分割預定線所劃分出之各區域中形成，並藉由沿著該分割預定線分割光裝置晶圓而進行單片化的作法，而被製造成一個個的光裝置。
以往，作為沿分割預定線分割光裝置晶圓的方法，已知有專利文獻1及2中所記載的方法。在專利文獻1的分割方法中，首先，是沿分割預定線照射對晶圓具有吸收性之波長的脈衝雷射光束，以透過燒蝕形成雷射加工溝。之後，藉由對晶圓賦予外力，而以雷射加工溝為分割起點將光裝置晶圓割斷。
而專利文獻2之分割方法，則是為了提高光裝置之亮度，而將對光裝置晶圓具有穿透性之波長的脈衝雷射光束在晶圓內部匯聚成聚光點而進行照射以沿著分割預定線在內部形成改質層。並且，可藉由對在改質層上而強度降低之分割預定線賦予外力，以分割光裝置晶圓。
先前技術文獻 專利文獻
專利文獻1：日本專利特開平10-305420號公報
專利文獻2：日本專利特開2008-006492號公報
發明概要
在專利文獻1、2之光裝置晶圓的分割方法中，是將雷射光束相對於光裝置晶圓大致垂直地入射，以形成雷射加工溝或改質層，並以雷射加工溝或改質層為分割起點將光裝置晶圓分割成一個個光裝置。該光裝置之側面，是形成為相對於形成在表面的發光層大致垂直，且光裝置是形成長方體形。因此，從光裝置的發光層射出的光中，朝向側面之入射角變得比臨界角還大的光的比例會變高。所以，在側面進行全反射之光的比例會變高，並且在反覆進行全反射當中，最後在光裝置內部削光的比例也會變高。其結果為，有導致光裝置中的光取出效率(light extracting efficiency)降低，亮度也降低之問題。
本發明即有鑒於上述問題點而作成者，其目的在 於提供可以提升光取出效率的光裝置及光裝置之加工方法。
本發明之光裝置，為包含由透光性構件所形成之基台，以及形成在基台表面之發光層的光裝置，其特徵在於，基台具有四角形的表面、與表面平行且形狀相同之四角形背面，及連結表面及背面的4個側面，各側面之截面形狀是形成為，將凹部與凸部交互地形成的波浪狀。
根據這個構成，由於將在基台側面之截面形狀形成為波浪狀，所以可以讓入射到側面的光當中，以臨界角以下入射到側面之光的比例增加。藉此，可以壓低因全反射而返回發光層之光的比例，並可以增加從側面射出之光的比例，而可以達到提升光取出效率之目的。再者，在此所謂的波浪狀，並不僅限於將凹部及凸部形成圓弧狀與彎曲形狀之情形，也包含以2條直線將凹部及凸部形成角狀的情形。
又，本發明的上述光裝置之加工方法，其特徵為是由以下步驟所構成，黏貼步驟，是在表面具有發光層，並形成有複數條交叉之分割預定線，且在被分割預定線所劃分出的發光層的各區域中各自具有光裝置之光裝置晶圓的表面側貼上保護膠帶；改質層形成步驟，是在實施過黏貼步驟後，將對於光裝置晶圓具有穿透性之波長的雷射光從光裝置晶圓的背面 側沿著分割預定線，在從光裝置晶圓表面往背面方向預定量的位置處定位聚光點進行照射而形成最初的改質層，接著將聚光點分階段逐步往背面方向移動，並重複進行複數次，以從表面側移動到背面側而形成複數個改質層；分割步驟，在實施過改質層形成步驟後，對光裝置晶圓賦予外力以將光裝置晶圓分割成一個個光裝置。
在改質層形成步驟中，複數個改質層是在光裝置晶圓的厚度方向上使相鄰接的改質層彼此在分割預定線的寬度方向上以預定量隔開而交錯地被形成，在分割步驟中，光裝置晶圓是於在分割預定線的寬度方向上交錯地形成而在光裝置晶圓的厚度方向上相鄰接的改質層之間形成龜裂，並以在截面形狀上為將凹部與凸部交互地形成的波浪狀形式從表面穿越到背面而被分割。根據這個方法，不會有將各步驟變複雜、形成長時間化的情形，並且可以製造出側面為波浪狀的光裝置。
依據本發明，可以提高光取出效率。
1、3‧‧‧光裝置
11、33‧‧‧底座
100‧‧‧雷射加工裝置
101‧‧‧基台
102‧‧‧雷射加工單元
103‧‧‧夾頭台
104‧‧‧夾頭台移動機構
111‧‧‧立壁部
112‧‧‧臂部
115、117‧‧‧導軌
116‧‧‧X軸台座
118‧‧‧Y軸台座
121、122‧‧‧滾珠螺桿
123、124‧‧‧驅動馬達
125‧‧‧θ台座
126、37‧‧‧夾具部
127‧‧‧加工頭
21、31、W1‧‧‧基台
21a、22a、31a‧‧‧表面
21b、22b、31b‧‧‧背面
21c、31c‧‧‧側面
22、32、W2‧‧‧發光層
25‧‧‧凹部
26‧‧‧凸部
35‧‧‧支撐台
36‧‧‧環狀台
38‧‧‧攝像機構
39‧‧‧推壓刀
F‧‧‧框架
P‧‧‧脈衝間距
R1、R2、R3、R4、R5‧‧‧改質層
A1、A2、A3、A4、B1、B2、B3、B4‧‧‧光路
θ 1、θ 2‧‧‧入射角
W‧‧‧光裝置晶圓
S‧‧‧黏接片
ST‧‧‧分割預定線
圖1為將有關本實施形態的光裝置之構成例模式地表示的立體圖。
圖2為表示將本實施形態的光裝置中的光射出之情形的截面模式圖。
圖3為表示將比較構造之光裝置中的光射出之情形的截面模式圖。
圖4為有關本實施形態之雷射加工裝置的立體圖。
圖5A為黏貼步驟之說明圖，圖5B為改質層形成步驟之說明圖，圖5C為分割步驟之說明圖。
圖6A為光裝置晶圓之概略立體圖，圖6B及圖6C為圖6A之A-A線之切斷面的模式圖。
圖7A為改質層形成步驟之說明用放大平面圖，圖7B為將圖7A之B-B線截面模式地表示出之圖。
用以實施發明之形態
以下，參照附加圖式，來說明有關本發明實施形態的光裝置及其加工方法。首先，參照圖1及圖2，就有關實施形態之發光裝置進行說明。圖1為表示發光裝置之一例的立體圖。圖2為發光裝置之光射出狀態的說明用截面圖。
如圖1及圖2所示，光裝置1是在底座11(圖1中未圖示)上進行打線(wire bonding)裝配，或者倒裝晶片(flip chip)裝配。光裝置1是包括基台21，與形成於基台21表面21a之發光層22而構成。基台21是使用可作為結晶成長用基板之藍寶石基板(Al2O3基板)、氮化鎵基板(GaN基板)、碳化矽基板(SiC基板)、氧化鎵基板(Ga2O3基板)而形成。亦即，基台21是由透光性構件所形成。較理想的是，由透明構件所形成。
發光層22是在基台21的表面21a上，以將電子變成多數載體之n型半導體層(例如，n型GaN層)、半導體層(例如，InGaN層)、將電洞變成多數載體之p型半導體層(例如， p型GaN層)為順序使其進行磊晶成長而形成。並且，各自在n型半導體層與p型半導體層上形成外部取出用的2個電極(未圖示)，藉由對2個電極施加外部電源的電壓可從發光層22放射出光。
基台21的表面21a及背面21b，從平面視之是構成大致相同的四角形，且形成為相互平行。基台21具備連結表面21a及背面21b之各個四邊的4個側面21c。將基台21沿厚度方向切斷而觀看時，各個側面21c之截面形狀，是形成為沿基台21的厚度方向將凹部25與凸部26交互地形成複數個的波浪狀。在本實施型態中，凹部25以及凸部26是各自形成和緩地彎曲之形狀。再者，側面21c之波浪狀，並不限於圖2之形狀，也可以做成將凹部25以及凸部26變成形成有頂端尖而細之頂點的鋸齒形狀。
接下來，一邊參照圖3之比較構造的光裝置，一邊說明本實施形態之光裝置1的亮度改善效果。圖3為表示從用於和實施形態作比較的比較構造之光裝置將光放射出來的情形的截面模式圖。比較構造之光裝置3，相對於實施形態之光裝置1，除了將基台側面之形狀改變之點外，具有共通的構成。亦即，比較構造之光裝置3，是由將表面31a及表面31b形成大致相同之四角形的基台31，與形成於基台31之表面31a上的發光層32所構成，並安裝在底座33上。並且，基台31的4個側面31c是形成為垂直於表面31a及背面31b的平面狀。
如圖2所示，在本實施形態之光裝置1中，發光層 22所產生之光，主要是從表面22a及背面22b放射出來。從發光層22表面22a放射出來的光(例如，光路A1)，是通過透鏡構件(未圖示)等而被取出到外部。另一方面，從例如，發光層22之背面22b射出而傳播光路A2之光，是以入射角θ 1相對於基台21之側面21c與空氣層的界面入射。在此，由於側面21c是形成波浪狀，所以凹部25與凸部26之間的光路A2入射之面會比垂直面更朝向發光層22側傾斜。藉此，可以將傳播光路A2之光的入射角θ 1變小而變成在基台21之臨界角以下。因此，傳播光路A2之光，會將一部分往空氣層側穿透而射出(光路A3)，並將其餘的反射(光路A4)。
將傳播光路A3之光往空氣層側穿透之後，可在底座11的表面被反射，並被取出到外部。傳播光路A4之光，因其入射角θ 1如上所述地變小，所以穿透基台21之行進方向會變成接近圖2中的橫向，並入射到相反側(圖2中的右側)的側面21c而被往空氣層側射出。
相對於此，如圖3所示，比較構造之光裝置3的光路B1、B2，是形成為與實施形態之光裝置1的光路A1、A2相同。然而，因為基台31之側面31c是垂直於表面31a及背面31b的平面，所以相對於側面31c與空氣層之界面的光路B2的入射角θ 2，會變得比實施形態之入射角θ 1還大。因此，傳播光路B2之光的入射角θ 2會變得比基台21之臨界角還大，並在側面31c與空氣層的界面被全反射(光路B3)。傳播光路B3之光，則在底座33的表面被反射(光路B4)。傳播光路B4之光的行進方向，相較於傳播光路A4之光，會變成 接近圖3中的縱向，並於穿透基台31之後入射到發光層32而被吸收，變成無法取出到外部。
如上所述，根據本實施形態之光裝置1，由於將基台21之側面21c做成波浪狀，所以可以將從發光層22射出而與光路A2以相同方式傳播之光，形成和光路A3、A4相同而取出到外部。因此，與光路A2以相同方式傳播之光，相較於與比較構造之光路B2以同樣方式傳播之光，可以將在側面21c進行全反射之光的比例降低。藉此，可以將在基台21內部重複反射而返回到發光層22之光的比例變少，並將從基台21射出之光的比例變多，而可以提高光的取出效率，達到提升亮度之目的。
接下來，說明有關本發明之實施形態的光裝置之加工方法。有關本實施形態的光裝置之加工方法是經由，黏貼步驟、以雷射加工裝置進行之改質層形成步驟、以分割裝置進行之分割步驟而被實施。在黏貼步驟中，是在形成有發光層之光裝置晶圓表面貼上黏接片。在改質層形成步驟中，是在光裝置晶圓的內部形成沿著分割預定線做出的改質層。在分割步驟中，是將改質層變成分割起點而被分割成一個個光裝置。以下，將就有關本實施形態之加工方法的詳細內容進行說明。
參照圖4，說明在光裝置晶圓之內部形成改質層的雷射加工裝置。圖4為有關本實施形態之雷射加工裝置的立體圖。再者，有關本實施形態之雷射加工裝置，並不限於圖4所示之構成。雷射加工裝置只要能對光裝置晶圓形成 改質層，任何構成皆可。
如圖4所示，雷射加工裝置100是構成為使照射雷射光之雷射加工單元102與保持光裝置晶圓W之夾頭台(保持機構)103相對移動，以加工光裝置晶圓W。
雷射加工裝置100具有長方體形的基台101。在基台101的上表面設有，可將夾頭台103沿X軸方向作加工傳送，同時沿Y軸方向作分度傳送之夾頭台移動機構104。在夾頭台移動機構104的後方，直立設置有立壁部111。從立壁部111的前表面突出有臂部112，並在臂部112上將雷射加工單元102支撐成與夾頭台103相面對。
夾頭台移動機構104具有，配置於基台101的上表面而在X軸方向上平行的一對導軌115，和設置成可在一對導軌115上滑動之馬達驅動的X軸台座116。又，夾頭台移動機構104具有，配置於X軸台座116的上表面而在Y軸方向上平行之一對導軌117，和設置成可在一對導軌117上滑動之馬達驅動的Y軸台座118。
在Y軸台座118的上方設有夾頭台103。再者，在X軸台座116、Y軸台座118的背面側各自形成未以圖示出之螺帽部，在這些螺帽部中螺合有滾珠螺桿121、122。並且，藉由將被連結在滾珠螺桿121、122之一端部的驅動馬達123、124旋轉驅動，可以使夾頭台103沿著導軌115、117在X軸方向以及Y軸方向上移動。
夾頭台103是形成為圓板狀，並透過θ台座125而設置成可在Y軸台座118的上表面旋轉。在夾頭台103的上 表面形成有以多孔陶瓷材料製成的吸附面。在夾頭台103的周圍，透過一對支撐臂而設有4個夾具部126。4個夾具部126是藉由氣動致動器(air actuator)(圖未示)而被驅動，以從四周將光裝置晶圓W周圍的環狀框架F挾持固定住。
雷射加工單元102具有設於臂部112前端之加工頭127。在臂部112以及加工頭127內，則設有雷射加工單元102的光學系統。加工頭127是以聚光透鏡將從圖未示之發射器所發射出來之雷射光聚光，並對保持於夾頭台103上之光裝置晶圓W進行雷射加工。此時，雷射光是以相對於光裝置晶圓W具穿透性之波長，在光學系統中被調整成聚光於光裝置晶圓W內部。
透過這個雷射光之照射以在光裝置晶圓W內部形成可成為分割起點的改質層R(參照圖5B、圖6B)。改質層R是指，透過雷射光之照射，而將光裝置晶圓W內部的密度、折射率、機械強度以及其他物理特性變成與周圍不同的狀態，並使強度也比周圍降低的區域。改質層R可以是例如，熔融處理區域、裂化區域、絕緣破壞區域、折射率變化區域，也可以是混雜了這些的區域。
光裝置晶圓W大致形成為圓板狀。如圖5A以及圖6A所示，是將光裝置晶圓W構成為包含基台W1，以及形成在基台W1表面的發光層W2。光裝置晶圓W是以複數條交叉之分割預定線ST劃分成複數個區域，並在此劃分出的各區域中各自形成光裝置1。又，在圖4中，光裝置晶圓W是設成將形成有發光層W2的表面朝下，而被貼在已貼設於環 狀框架F的黏接片S上。
參照圖5到圖7，就有關本實施形態的晶圓之加工方法的流程作說明。圖5為光裝置晶圓W之加工方法的各步驟的說明圖。圖6A為光裝置晶圓W之概略立體圖，圖6B及圖6C為圖6A之A-A線之切斷面的模式圖。圖7A為改質層形成步驟之說明用放大平面圖，圖7B為將圖7A之B-B線截面模式地表示之圖。再者，圖5A到圖5C中所示之各步驟，都只是其中一例，並非受限於這個構成者。
首先，實施圖5A所示之黏貼步驟。在黏貼步驟中，首先，是在框架F內側，將光裝置晶圓W以將形成發光層W2側之表面做成朝上之狀態而配置。之後，將光裝置晶圓W的表面(上表面)與框架F的上表面透過黏接片S黏貼成一體，以透過黏接片S將光裝置晶圓W安裝在框架F上。
實施黏貼步驟之後，如圖5B所示，實施改質層形成步驟。在改質層形成步驟中，是以夾頭台103將光裝置晶圓W的黏接片S側保持住，並將框架F保持在夾具部126。又，將加工頭127的雷射光射出口定位在光裝置晶圓W的分割預定線ST上，並以加工頭127從光裝置晶圓W的背面側(基台W1側)照射雷射光。雷射光為相對於光裝置晶圓W具有穿透性之波長，並被調整成聚光於光裝置晶圓W的內部。並且，藉由一邊調整雷射光的聚光點，一邊將保持光裝置晶圓W之夾頭台103沿在圖4中之X軸方向以及Y軸方向移動，就可以在光裝置晶圓W的內部形成沿分割預定線ST做出的改質層R。如圖7A所示，在改質層R中，是隔著依 據雷射光之波長的各脈衝間距P進行改質，且以如圖7B之截面觀看時，是形成為縱長的橢圓沿橫向連續形成而排列。
如圖6B所示，以上述雷射光所進行之改質層R的形成，是在基台W1的厚度方向上改變聚光點的位置而重複進行複數次。在最初之改質層R1的形成上，是將聚光點於圖6B中的上下位置，定位在從光裝置晶圓W的表面(下表面)往背面方向(朝上方向)預定量的位置處，並照射雷射光。在該聚光點之上下位置沿著所有的分割預定線ST形成改質層R1後，分階段地將聚光點往上方移動。並且，進行第2次之改質層R2的形成，其形成位置為鄰接於最初之改質層R1的背面側(上側)之位置，並設定成使其在分割預定線ST的寬度方向上以分度In(參照圖7A)量隔開的位置上。第3次以後的改質層R3的形成，是相對於其前一次改質層R的形成，將聚光點在圖6B逐步往上方移動，並使其在分割預定線ST的寬度方向上以分度In量隔開。藉此，就可以從光裝置晶圓W的表面側(下表面側)移動到背面側(上表面側)而形成複數個改質層R(本實施型態中為R1~R5的5層)，並將以上下方向相鄰接之改質層R彼此在分割預定線ST的寬度方向上交錯地形成。如此進行，以在光裝置晶圓的W內部形成沿分割預定線ST做出的分割起點。
改質層形成步驟之後，如圖5C所示，實施分割步驟。在分割步驟中，是以將光裝置晶圓W的基台W1側朝下的狀態載置於斷開裝置(圖未示)的一對支撐台35上，並將光裝置晶圓W周圍的框架F載置於環狀台36上。載置於環狀 台36上之框架F，是藉由設置於環狀台36四周之夾具部37而受到保持。一對支撐台35是沿其中一個方向(與紙面垂直之方向)延伸，且在一對支撐台35之間，配置有攝像機構38。可透過這個攝像機構38，從一對支撐台35之間對光裝置晶圓W的背面(下表面)進行拍攝。
挾持著光裝置晶圓W之一對支撐台35的上方設有從上方推壓光裝置晶圓W的推壓刀39。推壓刀39是沿其中一個方向(與紙面垂直之方向)延伸，並藉由圖未示之推壓機構而上下作動。以攝像機構38對晶圓W的背面進行拍攝時，是根據拍攝的影像而將分割預定線ST定位於一對支撐台35之間且在推壓刀39的正下方處。並且，藉由將推壓刀39降下，就可將推壓刀39透過黏接片S推抵於光裝置晶圓W上而賦予外力，並以改質層R作為分割起點而分割光裝置晶圓W。此時，在受到推壓刀39推抵的分割預定線ST上，在分割預定線ST的寬度方向上交錯地形成而在光裝置晶圓W厚度方向上相鄰接的改質層R間會形成龜裂K(參照圖6C)。透過這個龜裂K，在分割預定線ST上，會形成圖1及圖2所示之側面21c的形狀，亦即，以在截面形狀上為將凹部25及凸部26交互地形成複數個的波浪狀形式從表面延伸到背面而被分割。此時，改質層R會變成，形成挾持分割預定線ST的其中一邊的光裝置1的凹部25，並形成另一邊的光裝置1的凸部26(參照圖6C、圖7B)。光裝置晶圓W，可藉由將推壓刀39推抵於所有的分割預定線ST之作法，而被分割成一個個的光裝置1。
再者，雖然並非特別限制者，但在改質層形成步驟中的雷射加工條件，可以例示為以下的實施例1及實施例2。在各實施例中的散焦量(defocus amount)，是表示聚光點之從光裝置晶圓W的背面(上表面)起算的厚度方向的距離。
(實施例1)
輸出：0.1[W]
加工傳送速度：1000[mm/s]
分度In：6μm
改質層R的形成次數：4次
最初的改質層R1形成的散焦量：40μm
第2次的改質層R2形成的散焦量：32.5μm
第3次的改質層R3形成的散焦量：25μm
第4次的改質層R4形成的散焦量：17.5μm
(實施例2)
輸出：0.1[W]
加工傳送速度：1000[mm/s]
分度In：6μm
改質層R的形成次數：2次
最初的改質層R1形成的散焦量：30μm
第2次的改質層R2形成的散焦量：20μm
如上所述，根據本實施形態之加工方法，不論光裝置晶圓W的厚度變厚變薄，都可以在其厚度方向上交互地形成複數個凹部25及凸部26。且在改質層形成步驟中，因為可以將在光裝置晶圓W的厚度方向上相鄰接之改質層 R交錯地形成，所以在分割步驟中只要對光裝置晶圓W賦予外力就可以分割成波浪狀。藉此，可以抑制將上述各步驟變複雜、並將步驟時間拉長之情形，而可以有效率地製造出光裝置1。
再者，本發明並不受限於上述實施形態，並可作各種變更而實施。在上述實施形態中，對於在附加的圖式中所圖示之大小與形狀等，並不受其所限，而可在發揮本發明效果之範圍內作適當的變更。其他，只要在不脫離本發明目的之範圍內，皆可作適當的變更而實施。
例如，上述實施形態中，雖然是以斷開裝置來進行分割步驟，但並非受限於此者，只要能將光裝置晶圓W沿分割預定線ST分割成一個個光裝置1即可。
又，在上述之實施形態中，上述各步驟可以在個別的裝置上分別實施，也可以在同一裝置上實施。
產業上之可利用性
本發明用於提高基台表面形成有發光層之光裝置的光取出效率是有用的。
1‧‧‧光裝置
11‧‧‧底座
21‧‧‧基台
21a‧‧‧表面
21b‧‧‧背面
21c‧‧‧側面
22‧‧‧發光層
22a‧‧‧表面
22b‧‧‧背面
25‧‧‧凹部
26‧‧‧凸部
A1、A2、A3、A4‧‧‧光路
θ 1‧‧‧入射角

Claims (2)

  1. 一種光裝置，其特徵在於包含：以透光性構件形成之基台；以及形成於該基台表面的發光層；該基台具有四角形的表面、與該表面平行且與表面形狀相同之四角形背面，以及連結該表面及背面的4個側面，該各側面之截面形狀為將凹部及凸部交互地形成之波浪狀。
  2. 一種光裝置之加工方法，是如請求項1所記載的光裝置之加工方法，其特徵在於是由以下步驟所構成：黏貼步驟，是在表面具有發光層，並形成有複數條交叉之分割預定線，且在被該分割預定線所劃分之該發光層的各區域中各自形成有光裝置之光裝置晶圓的表面側貼上保護膠帶；改質層形成步驟，是在實施過該黏貼步驟後，將對於該光裝置晶圓具有穿透性之波長的雷射光從該光裝置晶圓的背面側沿著該分割預定線，在從該光裝置晶圓的表面往背面方向預定量的位置處定位聚光點進行照射而形成最初的改質層，接著將聚光點分階段逐步往該背面方向移動，並重複進行複數次，以從表面側移動到背面側而形成複數個改質層；分割步驟，是在實施過該改質層形成步驟之後，對 光裝置晶圓賦予外力以將光裝置晶圓分割成一個個光裝置；在該改質層形成步驟中，複數個改質層是在光裝置晶圓的厚度方向上使相鄰接的改質層彼此在分割預定線的寬度方向上以預定量隔開而交錯地被形成，在該分割步驟中，光裝置晶圓是於在該分割預定線的寬度方向上交錯地形成而在光裝置晶圓的厚度方向上相鄰接的改質層之間形成龜裂，並以在截面形狀上為將凹部與凸部交互地形成的波浪狀形式從該表面穿越到該背面而被分割。
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