TW201507016A - 用於抗反射塗層的濕式剝離製程 - Google Patents
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Abstract
在基板上施加一種含矽抗反射塗層(SiARC)材料。SiARC材料包括鹼聚合物，並可包括硼矽酸鹽聚合物，包括半矽氧烷。使用一蝕刻程序，其包括採用鹼性溶液的第一濕式蝕刻、採用酸性溶液的第二濕式蝕刻、及採用另一鹼性溶液的第三濕式蝕刻。第一濕式蝕刻可用於破壞硼矽酸鹽聚合物、及第二濕式蝕刻可移除鹼聚合物材料、及第三濕式蝕刻可移除殘餘的硼矽酸鹽聚合物及其他殘餘材料。可使用蝕刻程序自基板移除SiARC材料，並可重新使用此基板於監測用途。
Description
本發明係有關處理材料層之方法，具體而言係有關自基板剝離抗反射塗層(antireflective coating；ARC)之方法。
光學微影(photolithography)是一種用於微製程的方法，以選擇性移除基板之薄膜或塊體的部件。光學微影使用光，以自光罩轉移幾何圖案至基板上的光敏性光阻或僅是「阻劑」。接著，一系列的化學處理將曝光圖案蝕刻至光阻下方材料。典型而言，針對負型顯影(negative tone development；NTD)，於顯影過程中以有機溶劑移除未曝光之光阻部分，而最常用的有機溶劑為2-庚酮及乙酸正丁酯(n-butyl acetate；NBA)。
擴及ArF浸入式光學微影的應用技術存在強大需求。除了一些有便於微影設計的技術外，雙曝光/圖案化流程、客製化照明、替代性加工流程亦為可行的選擇。最可行之替代性流程之一為以NTD進行影像翻轉。傳統上，以暗場光罩結合正型光阻與正型顯影(PTD)進行接觸及溝槽的壓印。藉由NTD，以明場光罩將相同特徵壓印於正型光阻，從而提供更好的影像對比。
欲達此影像對比，需要集成之製程，在蝕刻最後的圖案之前，將有機平坦層(OPL)施加於基板頂部，接著塗佈針對NTD應用而設計的含矽抗反射塗層(silicon-containing antireflective coating；SiARC)材料以提供抗蝕刻性及反射性控制，及最後施加光阻材料以提供初始影像轉移至基板。然而，新的挑戰在於NTD SiARC的導入，尤其是要使用濕式剝離製程自Si監測晶圓移除NTD SiARC時。以一般製程製造之濕式剝離製程期間，有許多SiARC材料無法完全移除。
在基板上施加含矽抗反射塗層(SiARC)材料。SiARC材料包括鹼聚合物，並可包括硼矽酸鹽聚合物，包括半矽氧烷(silsesquioxane)。使用一蝕刻程序，其包括採用鹼性溶液的第一濕式蝕刻、採用酸性溶液的第二濕式蝕刻、及採用另一鹼性溶液的第三濕式蝕刻。第一濕式蝕刻可用於分離硼矽酸鹽聚合物、及第二濕式蝕刻可移除鹼聚合物材料、及第三濕式蝕刻可移除殘餘的硼矽酸鹽聚合物及其他殘餘材料。可使用蝕刻程序自基板移除SiARC材料，並可就監測目的重新使用基板。
依據本發明之一方面，提供自基板移除含矽抗反射塗層(SiARC)之方法。在基板上形成SiARC層。以採用第一鹼性溶液的第一濕式蝕刻處理SiARC層。接著，以採用酸性溶液的第二濕式蝕刻處理SiARC層。隨後，以採用第二鹼性溶液的第三濕式蝕刻移除SiARC層之殘餘部分。
10‧‧‧基板
90‧‧‧聚合物層
圖1係依據本發明之一具體實施例之基板上聚合物之示例性結構的剖面俯視圖。
圖2係依據本發明之一具體實施例自基板上移除聚合物層後之示例性結構的剖面俯視圖。
圖3係依據本發明之一具體實施例之濕式蝕刻製程順序的流程圖說明。
如前述，本發明係有關自基板剝離抗反射塗層(ARC)之方法，其現將以所附圖示詳盡說明。應注意到，以相同參考編號表示相同及相符之元件。圖示未按一定比例繪製。
參考圖1，於基板10之頂部表面形成聚合物層90。基板10可為半導體基板如矽基板、絕緣體基板、或導體基板。基板10之頂部表面可為半導體表面如矽表面、介電質表面如氧化矽表面或氮化矽表面、或可為導體表面如金屬層或導體金屬氮化物層之表面。在一具體實施例中，基板10可為具矽頂部表面的裸矽基板。
聚合物層90包括含矽抗反射塗層(SiARC)材料。本文所使用的抗反射塗層材料是指減少紫外光反射的材料，該紫外光之波長係選自於紫外光輻射之範圍，亦即波長範圍從10nm至400nm。聚合物層90可為監測基板，以監測欲施加或預先施加於產物基板(即包括圖案化結構之基板，以於其上製造半導體裝置)之抗反射塗層(ARC)的厚度。聚合物層90之厚度可為10nm至100nm，不過亦可採用更小或更大的厚度。
可以聚合物層90之材料組合物作為正型顯影(positive tone development；PTD)含矽抗反射塗層(SiARC)材料。其亦可作為負型
顯影(NTD)SiARC材料。換言之，聚合物層90之組合物可作為ARC層以進行負型顯影(negative tone development；NTD)，亦即作為NTD ARC層。NTD ARC層可施加於產物基板上以作為底部ARC(BARC)層，其上可施加負型顯影光阻層。
SiARC材料主要含有含矽鹼聚合物。含矽鹼聚合物可含有一或多個具選自於下列(I)至(III)之結構的單體單元：
其中x之範圍為約1至約2、R 1 為發色團部分、R 2 為透明部分、及R 3 為用於與交聯組分反應的反應位點。在直鏈有機矽氧烷聚合物方面，x為約1。在半矽氧烷聚合物方面，x可為約1.5。在含有SiO2組分之半矽氧烷聚合物方面，x可為介於約1.5與約2.0之間。在合成含矽聚合物時，可由加入四烷氧基矽烷、四氯矽烷、或四溴矽烷而取得含SiO2單元之聚合物。在一些具體實施例中，聚合物具x大於約1.5為較佳，係因優越之抗蝕刻性。在一些具體實施例中，相同單體上可存在多個功能性部分。
發色團部分R 1 可含有任何適用之發色團，其(i)可接枝於鹼聚合物上、(ii)具適當輻射吸收特性、及(iii)不會不良地影響層或任何疊加之光阻層的性能。發色團之實例包括苯基、苯並菲(chrysenes)、芘、氟菲(fluoroanthrenes)、蒽酮、二苯甲酮、硫雜蒽酮(thioxanthones)、
萘、及蒽。發色團部分較佳為不含氮，除了可能失活的胺基氮以外，如吩噻嗪(Phenol thiazine)。在193nm輻射方面，任何具不飽和碳鍵(如碳-碳雙鍵)的部分，包括含不飽和碳鍵之非芳族化合物亦為適用之發色團。在157nm輻射方面，含飽和碳-碳鍵之化合物可作為發色團。約3至約99莫耳%之鹼聚合物單體可由發色團部分R 1 組成。鹼聚合物可包括一種以上的發色團部分R 1 。
透明部分R 2 可依圖案化輻射之波長或特性而變。舉例而言，
在193nm之成像輻射之情況中，透明部分R 2 可為大型(C1或更高)有機部分，其實質上不具不飽和碳-碳雙鍵，較佳為衍生自環氧官能化之半矽氧烷單體的醇類。在157nm之成像輻射的情況中，透明部分R 2 可為含氟部分如三氟甲基或全氟烷基。透明部分R 2 於鹼聚合物中的量可以發色團部分R 1 的量平衡，以提供所欲之能量吸收及抗反射的結合物。約0.5至約96.5莫耳%的鹼聚合物單體可由透明部分R 2 組成。鹼聚合物可包括一種以上的透明部分R 2 。
反應部分R 3 提供用於與交聯組分反應的位點。在一些具體
實施例中，反應部分R 3 可為醇類，較佳為芳醇(如酚、羥甲基芐基)或脂環醇(如環己醇)。或者，可使用非環醇如氟碳醇、脂醇、胺基、乙烯基醚、或環氧化物。在一具體實施例中，反應部分可為羥基。反應性羥基部分可經由習知之矽醇縮合反應而與自身進行反應。約0.5至約96.5莫耳%的鹼聚合物單體可由反應部分R 3 組成。鹼聚合物可包括一種以上的反應部分R 3 。
針對特別是NTD的應用，SiARC材料可進一步含有能修改鹼
聚合物表面性質之聚合物，包括具下列結構之單體單元：
其中x之範圍為約1至約2、R 4 包括連接至親水性基的酸不穩定官能體。示例性酸不穩定官能體包括三級烷基碳酸鹽類、三級烷基酯類、三級烷基醚類、縮醛類、及縮酮類。示例性親水性基包括酚類、醇類、羧酸類、醯胺類、及磺醯胺類。可將含有單體單元IV之聚合物加至鹼聚合物，以使塗佈SiARC材料之接觸角增加，成為更疏水性表面。接著，在酸不穩定基之酸催化去保護之後，將減少其接觸角，成為更親水性表面。
在一些具體實施例中，聚合物層90包括鹼聚合物材料。鹼
聚合物材料含有一大部分之三維連接的SiO2單元。矽於鹼聚合物層中的重量百分比範圍可為10%至45%。較佳之範圍為大於30%。SiO2單元之莫耳百分比範圍可為0%至97%。SiO2單元之較佳莫耳百分比為大於45%。在一些其他具體實施例中，聚合物層90包括鹼聚合物及含有單體單元IV之聚合物。含有單體IV之聚合物能修改鹼聚合物之表面性質。在聚合物層90中，能修改鹼聚合物材料表面性質之聚合物係與鹼聚合物材料混合，從而能修改鹼聚合物材料表面性質之聚合物與鹼聚合物材料的重量比範圍為0.5：100至20：100。
在一具體實施例中，聚合物層90包括鹼聚合物材料及嵌入
鹼聚合物材料中的硼矽酸鹽聚合物。鹼聚合物材料含有一大部分之三維連接的SiO2單元(Q單元)。鹼聚合物材料為矽系聚合物材料。矽於鹼聚合
物層中的重量百分比範圍可為35%至45%。在一具體實施例中，鹼聚合物材料可包括習知技術之高-Q聚合物材料。高-Q聚合物材料之實施例係揭示於美國專利公開號2013/0005150 A1，其內容在此併入本案以作為參考資料。
鹼聚合物材料包括複數類型之單體單元。在一具體實施例中，複數類型之單體單元可包括第一型單體單元、第二型單體單元、及第三型單體單元。在一具體實施例中，鹼聚合物材料可由第一、第二、及第三型單體單元組成。
用於鹼聚合物材料之第一型單體單元可具化學組成：-SiO2-。
第一型單體單元使聚合物層90易受氫氟酸之濕式蝕刻。
用於鹼聚合物材料之第二型單體單元可具化學組成：
第二型單體單元於193nm提供透明度，以調整聚合物的吸收性質。第二型單體單元亦提供接著至底塗層有機平坦層及/或頂塗層光阻層。
用於鹼聚合物材料之第三型單體單元可具化學組成：
第三型單體單元提供聚合物層90吸收193nm紫外光，因此聚合物層可作為ARC材料。
第一型單體單元可全體具鹼聚合物材料之70%以上的莫耳
百分比。在一具體實施例中，第一型單體單元可全體具鹼聚合物材料之75%至95%範圍的莫耳百分比。在另一具體實施例中，第一型單體單元可具鹼聚合物材料之80%至94%範圍的莫耳百分比。
第二型單體單元可全體具鹼聚合物材料之0.1%至15%範圍
的莫耳百分比。在一具體實施例中，第二型單體單元可具鹼聚合物材料總重量之0.2%至10%範圍的莫耳百分比。
第三型單體單元可全體具鹼聚合物材料之1%至15%範圍的
莫耳百分比。在一具體實施例中，第三型單體單元可具鹼聚合物材料之2%至12%範圍的莫耳百分比。
在光學微影曝光之後，含有酸不穩定基之硼矽酸鹽聚合物
材料致使聚合物層90之SiARC材料改變水接觸角。本文所使用的硼矽酸鹽聚合物材料為包括矽酸鹽及硼的聚合物材料。在硼矽酸鹽聚合物材料中，矽原子與硼原子的數量比範圍可為1：2至2：1，不過亦可使用更低或更高比例。硼矽酸鹽聚合物之實施例係揭示於美國專利申請公開號2013/0005150 A1。
硼矽酸鹽聚合物材料包括複數類型之單體單元。硼矽酸鹽聚合物為聚合物型界面活性劑。在一具體實施例中，複數類型之單體單元可包括第一型單體單元、第二型單體單元、及第三型單體單元。第一型單體單元可包括硼原子。第二型單體單元及第三型單體單元可包括矽原子。在一具體實施例中，硼矽酸鹽聚合物材料可由第一、第二、及第三型單體單元組成。
用於硼矽酸鹽聚合物材料之第一型單體單元可具化學組成：-BO1.5-。
用於硼矽酸鹽聚合物材料之第二型單體單元可具化學組成：
用於硼矽酸鹽聚合物材料之第三型單體單元可具化學組成：
第一型單體單元可全體具硼矽酸鹽聚合物材料之35%以上的莫耳百分比。在一具體實施例中，第一型單體單元可全體具硼矽酸鹽聚合物材料之40%至70%範圍的莫耳百分比。在另一具體實施例中，第一型單體單元可具硼矽酸鹽聚合物材料之45%至60%範圍的莫耳百分比。在一具體實施例中，第一型單體單元可全體具不小於硼矽酸鹽聚合物材料之50%的莫耳百分比。
第二型單體單元可全體具硼矽酸鹽聚合物材料之12.5%至35%範圍的莫耳百分比。在一具體實施例中，第二型單體單元可具硼矽酸鹽
聚合物材料之20%至30%範圍的莫耳百分比。
第三型單體單元可全體具硼矽酸鹽聚合物材料之12.5%至
35%範圍的莫耳百分比。在一具體實施例中，第三型單體單元可具硼矽酸鹽聚合物材料之20%至30%範圍的莫耳百分比。
在聚合物層90中，硼矽酸鹽聚合物材料係與鹼聚合物材料
混合，從而硼矽酸鹽聚合物材料與鹼聚合物材料的重量比範圍為0.5：100至20：100。在一具體實施例中，硼矽酸鹽聚合物材料與鹼聚合物材料的重量比範圍為1：100至10：100。在另一具體實施例中，硼矽酸鹽聚合物材料與鹼聚合物材料的重量比範圍為2：100至5：100。聚合物層90可，如藉由旋塗，施加於基板10的頂部表面。
硼矽酸鹽聚合物材料含有酸不穩定基，其於常規剝離製程中
具形成不溶性材料的傾向。鹼聚合物材料形成矽系聚合物基質，其中係嵌入硼矽酸鹽聚合物材料。由於強的分子交互作用，在習知技術之濕式蝕刻製程中，難以分離硼矽酸鹽聚合物材料。當以常規蝕刻製程嘗試自基板移除NTD SiARC材料時，上述性質導致缺陷留在基板上。
無法於移除NTD SiARC材料時不產生缺陷，將不利於半導
體製造設備的生產力，係因無法重新使用基板以監測工具的性能，該些工具用於監測NTD SiARC材料之應用。
參考圖2，依據本發明之具體實施例，可藉由濕式蝕刻程序自基板10頂部表面上方移除聚合物層90而不會在基板10表面上留下殘餘物或缺陷材料。本發明之濕式蝕刻程序為三步驟濕式蝕刻程序，如圖3之說明。
濕式蝕刻程序包括第一步驟100，係採用鹼性溶液的第一濕
式蝕刻、第二步驟200，係採用酸性溶液的第二濕式蝕刻，及第三步驟300，係採用鹼性溶液的第三濕式蝕刻。第一濕式蝕刻可溶解聚合物之鹼可溶性組分，包括具殘餘羥基之矽聚合物，或以鹼催化水解緩慢分解O-Si-O或Si-R鍵聯。此處的R基團代表有機部分。第一蝕刻亦可溶解任何可溶於鹼的有機組分。第二濕式蝕刻可移除主要-SiOx-組分，係因Si材料於氫氟酸溶液中的習知溶解作用。接著，第三濕式蝕刻可移除任何殘餘的有機及無機組分。
本發明之方法可應用於本領域習知之大多數SiARC材料，包括PTD SiARC材料及NTD SiARC材料。尤其適用於NTD SiARC，其中常規之重新處理製程無法完全移除SiARC材料並於晶圓上留下許多缺陷。
在一具體實施例中，本發明之方法成功地用於移除SiARC
材料，其具含一或多個單體單元的鹼聚合物，該單體單元之結構選自於(I)至(III)。在其他具體實施例中，本發明之方法成功地用於移除NTD SiARC材料，其具鹼聚合物及能修改鹼聚合物表面性質之聚合物，包括具結構IV之單體單元。在另一具體實施例中，本發明之方法成功地用於移除NTD SiARC材料，其具鹼聚合物及硼矽酸鹽聚合物。
可使用第一濕式蝕刻分離硼矽酸鹽聚合物、及可使用第二濕
式蝕刻移除鹼聚合物材料、及可使用第三濕式蝕刻移除殘餘的硼矽酸鹽聚合物及其他殘餘材料。可使用蝕刻程序自基板移除聚合物層90(其含有硼矽酸鹽聚合物)之SiARC材料，並可就監測目的重新使用基板10。
參考第一步驟100，藉由第一濕式蝕刻(其採用第一鹼
性溶液)，選擇性地將嵌入聚合物層90之硼矽酸鹽聚合物材料移至聚合物層90之鹼聚合物材料。在第一濕式蝕刻期間，第一濕式蝕刻之第一鹼性
溶液水解及分解大多數的硼矽酸鹽聚合物材料。在一具體實施例中，藉由第一濕式蝕刻，可選擇性地將嵌入之硼矽酸鹽聚合物材料移至鹼聚合物材料，亦即不移除矽系聚合物基質之鹼聚合物材料。
第一濕式蝕刻之時間取決於聚合物層90的厚度。針對50nm
厚度的聚合物層90，第一濕式蝕刻之時間範圍可為2分鐘至30分鐘，不過亦可使用更短或更長的時間。
用於第一濕式蝕刻的鹼性溶液可包含胺類或四級氫氧化
銨。較佳為水性氫氧化銨。依據本發明之方法使用的四級氫氧化銨的實例包括四甲基氫氧化銨(tetramethylammonium hydroxide；TMAH)、四乙基氫氧化銨、四丙基氫氧化銨、三甲基羥乙基氫氧化銨、二甲基二羥乙基氫氧化銨、甲基三羥乙基氫氧化銨、苯基三甲基氫氧化銨、苯基三乙基氫氧化銨、芐基三甲基氫氧化銨等。在一具體實施例中，以0.263N TMAH水溶液作為第一濕式蝕刻溶液。有機溶劑適合溶解及潤濕SiARC材料的有機組分，因此可與四級氫氧化銨一併加入以形成第一濕式蝕刻溶液。
在一具體實施例中，第一鹼性溶液至少包括N-甲基-2-吡咯啶酮、丙二醇、及四甲基氫氧化銨。N-甲基-2-吡咯啶酮之重量百分比範圍可為50%至90%。在一具體實施例中，N-甲基-2-吡咯啶酮之重量百分比範圍可為67%至77%。丙二醇之重量百分比範圍可為10%至40%。在一具體實施例中，丙二醇之重量百分比範圍可為21%至31%。四甲基氫氧化銨之重量百分比範圍可為1%至5%。在一具體實施例中，四甲基氫氧化銨之重量百分比範圍可為1.2%至2.7%。任意地，第一鹼性溶液可包括水。若第一鹼性溶液存在水，則水之重量百分比範圍可為0.1%至2%。
參考第二步驟200，藉由第二濕式蝕刻(其採用酸性溶液)，
移除聚合物層90之矽系聚合物基質之鹼聚合物材料。可選擇能有效溶解第一型單體單元的酸(亦即SiO(OH)2)以作為酸性溶液。第二濕式蝕刻無法有效移除硼矽酸鹽聚合物材料。在一具體實施例中，第二濕式蝕刻可移除鹼聚合物材料之90%以上的材料。在另一具體實施例中，第二濕式蝕刻可移除鹼聚合物材料之99%以上的材料。
在第二濕式蝕刻期間，酸性溶液可容易滲入SiARC材料之塊體，係因移除硼矽酸鹽聚合物會形成微腔。酸性溶液溶解鹼聚合物材料。第二濕式蝕刻之時間取決於聚合物層90的厚度。針對50nm厚度的聚合物層90，第二濕式蝕刻之時間範圍可為2分鐘至20分鐘，不過亦可使用更短或更長的時間。
在一具體實施例中，酸性溶液包括稀氫氟酸。在一具體實施例中，稀氫氟酸包括重量百分比範圍為0.1%至2.0%之氫氟酸。在另一具體實施例中，稀氫氟酸包括重量百分比範圍為0.2%至1.0%之氫氟酸。在又另一具體實施例中，酸性溶液基本上可由稀氫氟酸組成。
參考第三步驟300，藉由第三濕式蝕刻(其採用第二鹼性溶液)移除硼矽酸鹽聚合物材料及鹼聚合物材料的殘餘部分。
第二鹼性溶液處理可移除任何殘餘的硼矽酸鹽聚合物及殘餘的鹼聚合物。第三濕式蝕刻之時間取決於聚合物層90的厚度。針對50nm厚度的聚合物層90，第三濕式蝕刻之時間範圍可為2分鐘至30分鐘，不過亦可使用更短或更長的時間。
在一具體實施例中，第二鹼性溶液至少包括N-甲基-2-吡咯
啶酮、丙二醇、及四甲基氫氧化銨。N-甲基-2-吡咯啶酮之重量百分比範圍可為50%至90%。在一具體實施例中，N-甲基-2-吡咯啶酮之重量百分比範圍可為67%至77%。丙二醇之重量百分比範圍可為10%至40%。在一具體實施例中，丙二醇之重量百分比範圍可為21%至31%。四甲基氫氧化銨之重量百分比範圍可為1%至5%。在一具體實施例中，四甲基氫氧化銨之重量百分比範圍可為1.2%至2.7%。任意地，第二鹼性溶液可包括水。
若第二鹼性溶液存在水，則水之重量百分比範圍可為0.1%至2%。在一具體實施例中，第二鹼性溶液具任何可用於第一鹼性溶液的組合物。第二鹼性溶液的組合物可相同或可不同於第一鹼性溶液的組合物。
濕式蝕刻製程順序可自基板10完全消除SiARC材料層。已經
證實，相較於其他濕式蝕刻製程順序，本發明之濕式蝕刻製程順序提供優越的結果。一比較性之示例性濕式蝕刻程序，其包括採用硫酸及氫氟酸之結合物的第一濕式蝕刻、採用去離子水、過氧化氫、及氫氧化銨之結合物的第二濕式蝕刻、及採用稀氫氟酸的第三濕式蝕刻，係顯示無法完全移除SiARC材料層而不留下殘餘聚合物。
雖然本發明以特定之具體實施例說明，鑑於前述之說明可以
發現，許多的替代、改良、及變更對於熟習本領域之技術人員將是顯而易見。除非另有明確指示或其他不可能性，熟習本領域一般技術之人員可單獨實施本發明之各具體實施例之每一者，或結合本發明之任何其他具體實施例。據此，本發明係旨在涵蓋所有的此類替代、改良、及變更，其皆落於本發明及下列主張之範疇及精神之內。
Claims (20)
- 一種自基板移除含矽抗反射塗層(SiARC)層之方法，該方法包含：在一基板上形成一SiARC層；以採用一第一鹼性溶液的一第一濕式蝕刻處理該SiARC層；以採用一酸性溶液的一第二濕式蝕刻處理該SiARC層；以及以採用一第二鹼性溶液的一第三濕式蝕刻移除該SiARC層的殘餘部分。
- 如申請專利範圍第1項之方法，其中該第一鹼性溶液包含四級氫氧化銨。
- 如申請專利範圍第2項之方法，其中該第一鹼性溶液包括：重量百分比範圍為50%至90%的N-甲基-2-吡咯啶酮；重量百分比範圍為10%至40%的丙二醇；以及範圍為1%至5%的四甲基氫氧化銨。
- 如申請專利範圍第3項之方法，其中該第一鹼性溶液更包括重量百分比範圍為0.1%至2%的水。
- 如申請專利範圍第1項之方法，其中該酸性溶液包括稀氫氟酸。
- 如申請專利範圍第5項之方法，其中該稀氫氟酸包括重量百分比範圍為0.1%至2.0%的氫氟酸。
- 如申請專利範圍第5項之方法，其中該酸性溶液基本上由該稀氫氟酸 組成。
- 如申請專利範圍第2項之方法，其中該第一鹼性溶液包含水性四甲基氫氧化銨溶液。
- 如申請專利範圍第8項之方法，其中該水性四甲基氫氧化銨溶液為0.263N的四甲基氫氧化銨溶液。
- 如申請專利範圍第1項之方法，其中該SiARC層包含一含矽鹼聚合物，其包含自以下項目所組成之群組之一之一或多個單體單元：
- 如申請專利範圍第10項之方法，其中該發色團部分含有不飽和碳-碳鍵。
- 如申請專利範圍第10項之方法，其中該反應位點係選自於由羥基、胺基、亞胺基、羧酸、乙烯基醚、環氧化物及其混合物組成之群組。
- 如申請專利範圍第10項之方法，其中該含矽鹼聚合物更包含能修改該 鹼聚合物表面性質之一聚合物，其包含至少一單體單元為：
- 如申請專利範圍第13項之方法，其中該酸不穩定官能體係選自於由三級烷基碳酸鹽類、三級烷基酯類、三級烷基醚類、縮醛類、及縮酮類組成之群組。
- 如申請專利範圍第13項之方法，其中該親水性側基係選自於由酚類、醇類、羧酸類、醯胺類、及磺醯胺類組成之群組。
- 如申請專利範圍第13項之方法，其中該能修改該鹼聚合物表面性質之聚合物與該鹼聚合物的重量比範圍為0.5：100至20：100。
- 如申請專利範圍第13項之方法，其中該能修改該鹼聚合物表面性質之聚合物更包含至少一單體單元：-BO1.5-。
- 如申請專利範圍第10項之方法，其中該含矽鹼聚合物包含單體單元，包括：具一-SiO2-之化學組成的一第一型單體單元； 具一之化學組成的一第二型單體單元；以及 具一之化學組成的一第三型單體單元。
- 如申請專利範圍第17項之方法，其中該能修改該鹼聚合物表面性質之聚合物為一硼矽酸鹽聚合物，包括：具一-BO1.5-之化學組成的一第一型單體單元； 具一之化學組成的一第二型單體單元；以及 具一之化學組成的一第三型單體單元。
- 如申請專利範圍第19項之方法，其中該第一型單體單元具該硼矽酸鹽聚合物之40%以上的莫耳百分比。
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