TW201502606A - 偏光板之製造方法 - Google Patents

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Kiyoshi Muto
Nobuyuki Hatanaka
Akio Namba
Narutoshi Hayashi
Hirohiko Yakabe
Atsushi Higo
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Sumitomo Chemical Co
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Abstract

提供具備黏合偏光薄膜及保護薄膜之步驟、使該層合薄膜通過N個(N≧2)乾燥爐進行乾燥之步驟,於該乾燥步驟中,第1階段之乾燥爐溫度未達60℃,第2至第N階段之乾燥爐中至少1個乾燥爐溫度為60℃以上,層合薄膜係滿足Y>-0.3X+16000之條件下進行乾燥之偏光板之製造方法。在此X係各乾燥爐的溫度(℃)與層合薄膜於該乾燥爐之滯留時間(秒)之積的合計值,Y係60℃以上之乾燥爐溫度與於該乾燥爐之滯留時間之積的合計值。 另外,提供於聚乙烯醇系樹脂薄膜二色性色素吸附配向,硼含量為3至3.9重量%,將延伸軸方向作為短邊,以2mm×8mm大小,加熱成80℃時,與延伸軸垂直的方向之收縮力為2.8N以下之偏光薄膜及使用其之偏光板。

Description

偏光板之製造方法
本發明係關於耐久性優異之由聚乙烯醇系樹脂所成之偏光薄膜、其製造方法、及於偏光薄膜之至少一側的面上,層合保護薄膜而成偏光板之製造方法。
偏光板通常係成為於由二色性色素吸附配向於聚乙烯醇系樹脂所成之偏光薄膜之單面或兩面上,使用黏著劑,層合保護薄膜,例如三乙醯基纖維素所代表之醋酸纖維素系透明樹脂薄膜之構成。因應需要,介在其他光學薄膜,將此以黏著劑黏合於液晶槽,作為液晶顯示裝置之構成零件。
作為偏光薄膜之製造方法,例如特開平10-153709號公報(專利文獻1)中記載,浸漬聚乙烯醇系樹脂薄膜於水,使膨潤後,以碘染色,接著延伸,進而,為使碘固定,進行硼酸處理(換言之,藉由交聯之耐水化處理),水洗後,進行乾燥之方法。藉由水之膨潤處理係預先染色,使薄膜均勻地膨潤,縮短染色時間,改善染色不均勻 等為目的而進行。此時,就染色不均勻等之觀點,專利文獻1中係使膨潤處理浴中含有硼酸。另外,此專利文獻1中,染色後,浸漬薄膜於含硼酸之水溶液,進行延伸,之後,進一步浸漬於硼酸水溶液,進行藉由交聯之耐水化處理(此文獻中稱為定著或固定)。
特開平7-198939號公報(專利文獻2)中記載,以製造具有優異的光學特性,而且耐濕熱性亦高之偏光板為目的,具有2個步驟以上,使相對於聚乙烯酸系樹脂薄膜之總重量,含有4.5至7.0重量%之硼原子,於各步驟中,浸漬硼系化合物濃度相異之處理液為特徵之偏光薄膜之製造方法。
另一方面,偏光板係藉由使用黏著劑黏合保護薄膜於偏光薄膜上後,使乾燥而製造。例如特開2006-313205號公報(專利文獻3)中記載,加熱處理偏光薄膜及保護薄膜之層合薄膜,揭示關於該加熱處理之特定條件。然而,此文獻所記載之加熱處理條件,所得之偏光板之垂直色相產生青色。
另一方面,液晶顯示裝置係近年來擴大朝向TV,尤其大螢幕TV用途,關於其所使用之偏光板,亦要求大型化。然而,偏光板大型化時,尤其暴露於熱休克之環境下,亦即冷熱重複之環境下時,偏光薄膜容易發生裂紋。
發明之揭示
作為評估偏光薄膜之耐久性之試驗,以黏合偏光薄膜於玻璃基板或液晶面板之狀態,使高溫的空氣循環於試驗槽,於70℃下放置於試驗槽內約1小時後,使低溫的空氣循環於試驗槽,於-35℃下放置於試驗槽內約1小時,重複操作之熱循環試驗係於該領域上傳統以來所進行。施以如此之暴露於高溫之狀態及暴露於低溫之狀態,分別各1小時,合計重複200次循環之熱循環試驗時,沿著偏光薄膜之延伸方向,發生斷裂。
本發明係為解決上述課題所實施者,該目的係提供於熱循環試驗中不斷裂之耐久性優異之偏光薄膜及其製造方法。
另外,本發明之目的係提供於聚乙烯醇系偏光薄膜之至少一側的面,使用水系黏著劑所層合而成之偏光板,用以製造減低垂直色相之青色,並且即使暴露於冷熱衝擊環下,偏光薄膜不發生裂紋之偏光板之方法。
本發明之偏光薄膜係於聚乙烯醇系樹脂薄膜二色性色素吸附配向之偏光薄膜,硼含量範圍為3至3.9重量%,以該偏光薄膜之延伸軸方向為短邊,以2mm×8mm大小,加熱成80℃時,與延伸軸垂直的方向之收縮力為2.8N以下。
本發明另外又提供關於以膨潤處理步驟、染色處理步 驟、及硼酸處理步驟,依序處理聚乙烯醇系樹脂薄膜,而且於此等處理步驟中之至少一個步驟,進行單軸延伸,製造偏光薄膜之方法, 硼酸處理步驟係包含於相對於100重量份的水,含2至5重量份之硼酸之水溶液中,於50至70℃之溫度所進行之第1硼酸處理,及硼酸含量比第1硼酸處理使用之水溶液低之水溶液中,以溫度比第1硼酸處理低所進行之第2硼酸處理之偏光薄膜之製造方法。
本發明之偏光薄膜之製造方法中,第1硼酸處理所使用之水溶液係相對於100重量份的水,含3至4.5重量份之硼酸為宜。
另外,本發明之偏光薄膜之製造方法中,第2硼酸處理係於比第1硼酸處理使用之水溶液中相對於100重量份的水之硼酸含量低0.5重量份以上之硼酸含量之水溶液中,以比第1硼酸處理之溫度低5℃以上之溫度所進行為宜。
本發明係另外提供
層合保護薄膜於聚乙烯醇系樹脂所成之偏光薄膜之至少一側的面而成之偏光板之製造方法,具備使用水系黏著劑黏合偏光薄膜及保護薄膜,得到層合薄膜之黏合步驟,與藉由使該層合薄膜通過N個(N≧2)乾燥爐進行乾燥之乾燥步驟,於該乾燥步驟,使該層合薄膜最初通過之第1階段之乾燥爐溫度未達60℃,第2至第N階段之乾燥爐 中至少1個乾燥爐溫度為60℃以上,而且,於該乾燥步驟,該層合薄膜係以滿足下述式(1)之關係之條件所乾燥之偏光板之製造方法。
Y>-0.3X+16000 (1)
在此,X(℃.秒)係各乾燥爐的溫度(℃)與該層合薄膜於該乾燥爐之滯留時間(秒)之積之關於所有的乾燥爐之和。另外,Y(℃.秒)係溫度為60℃以上之乾燥爐的溫度(℃)與該層合薄膜於該乾燥爐之滯留時間(秒)之積之關於溫度為60℃以上之乾燥爐之和。
在此,第1階段之乾燥爐之溫度係以30℃以上,未達60℃為宜。另外,前述溫度為60以上之乾燥爐係以60℃以上,100℃以下為宜。另外,於乾燥步驟,前述層合薄膜係於被施加張力之狀態下乾燥為宜。
依據本發明,由聚乙烯醇系樹脂所成之偏光薄膜之至少一側的面上,層合保護薄膜而成偏光板,可提供減低或防止垂直色相之青色,另外,亦防止於冷熱衝擊環境下偏光薄膜發生裂紋之偏光板。相關的偏光板係可適合使用於例如大螢幕液晶顯示裝置。
用以實施發明之最佳型態
以下係詳細地說明本發明。
本發明之偏光薄膜,係於聚乙烯醇系樹脂薄膜二色性色素吸附配向之偏光薄膜,硼含量範圍為3至3.9重量%,以該偏光薄膜之延伸軸方向為短邊,以2mm×8mm大小,加熱成80℃時,與延伸軸垂直的方向之收縮力為2.8N以下為特徵。
另外,本發明之偏光板之製造方法係於由聚乙烯醇系樹脂所成之偏光薄膜之至少一側的面,介在水系黏著劑層層合保護薄膜所製造,基本上,包含下述步驟(1)至(3)。
(1)使用聚乙烯醇系樹脂薄膜,製作偏光薄膜之偏光薄膜製作步驟, (2)使用水系黏著劑黏合偏光薄膜及保護薄膜,得到層合薄膜之黏合步驟,及 (3)藉由使層合薄膜通過N個(N≧2)乾燥爐進行乾燥之乾燥步驟。以下,對各步驟詳細地說明。
(1)偏光薄膜製作步驟
構成偏光薄膜之聚乙烯醇系樹脂,通常係由皂化聚醋酸乙烯系樹脂所得。聚醋酸乙烯系樹脂之皂化率通常約為85莫耳%以上,以約90莫耳%以上為宜,以約99莫耳%至100莫耳%尤佳。作為聚醋酸乙烯系樹脂,除了醋酸乙烯之單獨聚合物之聚醋酸乙烯以外,可列舉醋酸乙烯與可與其共聚合之其他單體之共聚物,例如乙烯-醋酸乙烯共 聚物。作為可與醋酸乙烯共聚合之其他單體,可舉例如不飽和羧酸類、鏈烯烴類、乙烯醚類、不飽和磺酸類等。聚乙烯醇系樹脂之聚合度,通常約為1000至10000程度,以約1500至5000程度。
此等聚乙烯醇系樹脂係可經改性,亦可使用例如以醛類所改性之聚乙烯基甲縮醛、聚乙烯基乙縮醛、聚乙烯基丁縮醛等。通常,作為偏光薄膜製造之開始材料,使用厚度約為200μm~100μm,以約30μm~80μm為宜之聚乙烯醇系樹脂薄膜之未延伸薄膜。工業上,薄膜寬度約為1500mm至4000mm係實用的。將此未延伸薄膜,以膨潤處理、染色處理、硼酸處理、水洗處理之順序,進行處理,施以單軸延伸直至硼酸處理之步驟,最後乾燥所得之聚乙烯醇系偏光薄膜之厚度係例如約5μm~50μm程度。
作為本發明中所使用之偏光薄膜,可舉例如適合之吸附配向二色性色素聚乙烯醇系單軸延伸薄膜。作為該製作方法,大致分為2種製造方法。第1種方法係將聚乙烯醇系薄膜,於空氣或惰性氣體中單軸延伸後,以膨潤處理、染色處理、硼酸處理及水洗處理之順序,進行溶液處理,最後進行乾燥之方法。第2種方法係將未延伸之聚乙烯醇系薄膜,以水溶液膨潤處理、染色處理、硼酸處理及水洗處理之順序,進行溶液處理,硼酸處理步驟及/或之前之步驟,進行濕式單軸延伸,最後進行乾燥之方法。
任一種方法中,單軸延伸係可於1個步驟進行,亦可 於2個以上步驟進行,但以於複數個步驟進行為宜。延伸方法係可採用眾知之方法,例如運送薄膜之2個輾壓滾輪(nip roll)間,給予周速差,進行延伸之滾輪間延伸,例如特許第2731813號公報所記載之熱滾輪延伸法、拉幅器(tenter)延伸法等。另外,基本上步驟的順序雖如前所述,但處理浴之數量或處理條件等並無限制。另外,可依其他目的而附加前述第1及第2方法所未記載之步驟。作為相關步驟例,於硼酸處理後,可舉例如不含硼酸之碘化物水溶液之浸漬處理(碘化物理處)或含有不含硼酸之氯化鋅等之水溶液之浸漬處理(鋅處理)步驟等。
膨潤處理步驟係以除去薄膜表面異物、除去薄膜中之可塑劑、賦予於下個步驟之易染色性、薄膜之可塑化等為目的下進行。處理條件係於可達成此等目的之範圍,而且於不發生基材薄膜之極端溶解、失透等之不適合狀況之範圍下決定。使預先於氣體中延伸之薄膜膨潤時,例如於約20℃至70℃,以約30℃至60℃為宜之水溶液,浸漬薄膜下進行。薄膜之浸漬時間係約30秒至300秒,以約60秒至240秒程度為宜。
使自開始未延伸之原料薄膜膨潤時,例如浸漬薄膜於例如約10℃至50℃,以約20℃至40℃為宜之水溶液下進行。薄膜之浸漬時間係約30秒至300秒,以約60秒至240秒程度為宜。
膨潤處理步驟係容易發生薄膜橫向膨潤,薄膜發生皺紋等之問題,以擴徑滾輪(expander roll)、螺旋滾輪、 冕狀滾輪、導布器(cloth guider)、彎曲桿(Bendbar)、夾式定型機(tenter clip)等之擴徑裝置,去除薄膜皺紋下運送薄膜為宜。為使運送浴中薄膜安定化之目的,以水中噴灑控制膨潤浴中的水流,或併用EPC裝置(Edge Position Control裝置:檢測薄膜端部,防止薄膜蛇行之裝置)等亦有效。本步驟中,因為於薄膜之行走方向,薄膜亦膨潤擴大,所以為消除運送方向薄膜的鬆弛,所以採取例如控制處理槽前後之運送滾輪之速度等之手段為宜。另外,使用膨潤處理浴,除了純水以外,亦可使用添加約0.01質量%至10質量%之範圍之硼酸(特開平10-153709號公報記載)、氯化物(特開平06-281816號公報記載)、無機酸、無機鹽、水溶性有機溶劑、醇類等之水溶液。
由二色性色素染色之染色步驟係以吸附、配向二色性色素於薄膜等之目的下進行。處理條件係於可達成此等目的之範圍,且不發生基材薄膜極端溶解、失透(devitrification)等之不良狀況之範圍所決定。使用碘作為二色性色素時,例如於約10℃至45℃,以約20℃至35℃為宜之溫度條件下,使用質量比,碘/碘化鉀/水=約0.003至0.2/約0.1至10/100之濃度之水溶液,進行約30秒至600秒,以約60秒至300秒為宜之浸漬處理。亦可取代碘化鉀,使用其他碘化物,例如碘化鋅等等。
另外,亦可併用碘化鉀與其他碘化物。另外,亦可共存碘化物以外之化合物,例如硼酸、氯化鋅、氯化鈷等。 添加硼酸時,就含碘上,與下述硼酸處理區別。相對於100質量份的水,只要含約0.003質量份以上之碘者,即可視為染色槽。
使用水溶性二色性染料為二色性色素時,例如於約20℃至80℃,以約30℃至70℃為宜之溫度條件下,使用質量比,二色性染料/水=約0.001至0.1/100之濃度之水溶液,進行約30秒至600秒,較佳為以約60秒至300秒之浸漬處理。使用的二色性染料之水溶液係可含有染色助劑等,亦可含有例如硫酸鈉等之無機鹽、界面活性劑等。二色性染料係可單獨,亦可併用2種以上之二色性染料。
如上所述,亦可於染色槽延伸薄膜。延伸係以使染色槽前後之輾壓滾輪,具有周速差等之方法所進行。另外,亦可與膨潤處理步驟同樣地設置擴徑滾輪(expander roll)、螺旋滾輪、冕狀滾輪、導布器、彎曲桿等於染色浴中及/或浴出入口。
本發明之偏光薄膜係如上所述,硼含量範圍為3至3.9重量%,但為使成為如此硼含量,施以硼酸處理於經前述染色處理步驟之聚乙烯醇系樹脂薄膜。此硼酸處理係藉由浸漬經二色性色素染色之聚乙烯醇系薄膜於收納含硼酸水溶液之處理浴之硼酸槽而進行,但於本發明之偏光薄膜之製造方法中,大致上將此硼酸處理步驟分為使用第1硼酸處理、及硼酸濃度比該第1硼酸處理使用之水溶液低之水溶液中,以溫度比第1硼酸處理低所進行之第2硼酸處理之2階段進行為特徵。
第1硼酸處理係於相對於100重量份的水,含2至5重量份的硼酸之水溶液中進行。第1硼酸處理使用之處理浴中之硼酸含量,相對於100重量份的水,未達2重量份時,不能得到充分的交聯效果,另外,超過5重量份時,因為機械強度差,所以薄膜變脆。為更有效地使發生由硼酸處理之交聯效果,所以第1硼酸處理所使用之水溶液係相對於100重量份的水,含3至4.5重量份之硼酸為宜。
另外,第1硼酸處理通常係於50至70℃,以53至65℃為宜之溫度下進行。若低於50℃,不能進行充分的硼酸交聯反應,另外,高於70℃時,於硼酸處理浴中,容易引起薄膜斷裂,有加工安定性明顯降低之虞。處理時間通常為10至600秒,以20至300秒為宜,以20至1000秒尤佳。
另外,上述染色處理步驟中使用碘作為二色性色素時,此第1硼酸處理用之處理浴係除了硼酸外,使含有相對於100重量份的水之5至20重量份,以8至15重量份為宜之碘化物。此乃因硼酸處理浴中之碘化物相對於100重量份的水,未達5重量份時,有偏光薄膜之垂直色相不能成為中間色之虞,另外,硼酸處理浴中之碘化物相對於100重量份的水,超過20重量份時,阻礙共存硼酸交聯反應,所以不適合。作為碘化物,可舉例如碘化鉀、碘化鋅等。另外,亦可共存碘化物以外之化合物,例如氯化鋅、氯化鈷、氯化鋯、硫代硫酸鈉、亞硫酸鉀、亞硫酸鈉、硫酸鉀、硫酸鈉等。因應需要,可與硼酸一同使用乙 二醛、戊二醛等之交聯劑。
於此第1硼酸處理中,於運送方向,亦可施以延伸。此時,延伸倍率通常為1.0至3倍,另外,於滾輪間亦可施以多階段延伸。
於本發明之偏光薄膜之製造方法中,第1硼酸處理係可以一階段,亦可以多階段進行。以多階段進行第1硼酸處理時,處理浴中硼酸含量及溫度亦可於前述範圍內設定互異。
於本發明之偏光薄膜之製造方法中之第2硼酸處理係使用硼酸含量比前述第1硼酸處理使用之水溶液低之水溶液中,以比第1硼酸處理低之溫度進行。含硼酸含量係與第1硼酸處理使用之水溶液相同或高之水溶液之處理浴中,進行第2硼酸處理時,不能使偏光薄膜中之硼含量與收縮應力於所定之範圍內,另外,於與第1硼酸處理相同或高之溫度下,進行第2硼酸處理時,亦不能使偏光薄膜中之硼含量與收縮應力於規定之範圍內。
第2硼酸處理係於比相對於第1硼酸處理使用之100質量份的水溶液中之硼酸含量低0.5重量份以上(以1重量份以上為宜)之硼酸含量之水溶液中,以比第1硼酸處理之溫度低5℃以上(以10℃以上為宜)之溫度進行為宜。具體上,第2硼酸處理使用之水溶液中之硼酸含量係相對於100重量份,通常為1至4重量份,以1至3重量份之範圍內為宜,而且,選擇比第1硼酸處理所使用之水溶液中之硼酸含量低。另外,第2硼酸處理中之溫度係必 須該下限為完全溶解硼酸之溫度,依硼酸含量而定。具體上,第2硼酸處理係於20至45℃之範圍,而且,以比低於第1硼酸處理溫度之溫度進行。
另外,第2硼酸處理之時間通常係1至300秒程度,以2至100秒為宜。第2硼酸處理亦可與第1硼酸處理同樣地添加碘化物於處理浴,此時,就使偏光薄膜之垂直色相成為中間色之觀點,碘化物含量係相對於100重量份,以5至20重量份之範圍內為宜。另外,第2硼酸處理時亦可與第1硼酸處理時同樣地於運送方向,施加延伸,此時,延伸倍率通常為1.1至1.3倍。
另外,第2硼酸處理亦可與前述第1硼酸處理時同樣地可以一階段,亦可以多階段進行。以多階段進行第2硼酸處理時,處理浴中硼酸含量及溫度係於前述範圍內設定互異。
硼酸處理後,進行水洗處理。水洗處理係例如為耐水化及/或色相調整,將經硼酸處理之聚乙烯醇系薄膜,浸漬於水、以水為淋浴進行噴霧、或併用浸漬及噴霧進行。水洗處理中之水的溫度通常約為2至40℃程度,浸漬時間約為2至120秒程度。水洗處理係可以1階段,亦可以多階段。多階段時,任一槽中,皆可以無機鹽水溶液進行水洗處理。作為無機鹽,例如選自碘化鉀、碘化鈉、碘化鋅、氯化鋅、硫酸鈉、亞硫酸鈉等。此等無機鹽係可為1種,亦可併用多種。另外,此水洗槽中被賦予張力,該張力例如為300至1000N/m。
另外,本發明之偏光薄膜之製造方法中之薄膜運送速度可適當選擇,例如水洗處理後之薄膜行走速度為5至30m/分。若快於30m/分時,於滾輪上薄膜滑動,發生不能安定地延伸等之不良狀況。
在此,延伸處理後之各個步驟中,進行張力控制以使薄膜張力分別成為實質上一定。具體上,於染色處理步驟結束延伸時,係於後續的硼酸處理步驟及水洗處理步驟,進行張力控制。於染色處理步驟之前步驟結束延伸時,係於包含染色處理步驟及硼酸處理步驟之後續步驟,進行張力控制。硼酸處理步驟係由多個硼酸處理步驟所形成時,最初或自最初至第2階段之硼酸處理步驟,延伸前述薄膜,自進行延伸處理之硼酸處理步驟之下個硼酸處理步驟至水洗步驟之各個步驟中進行張力控制,或自最初至第3階段之硼酸處理步驟,延伸前述薄膜,自進行延伸處理之硼酸處理步驟之下個硼酸處理步驟至水洗步驟之各個步驟中進行張力控制為宜,但工業上係最初或自最初至第2階段之硼酸處理步驟,延伸前述薄膜,自進行延伸處理之硼酸處理步驟之下個硼酸處理步驟至水洗步驟之各個步驟中進行張力控制尤佳。另外,硼酸處理後,進行上述碘化物處理或鋅處理時,關於此等步驟,亦可進行張力控制。
自膨潤處理至水洗處理之各步驟之張力係可相同,亦可相異。控制張力時對薄膜之張力並非特別限定者,每單位寬度,適當設定約為150N/m至2000N/m,以約600N/m至1500N/m為宜之範圍內。張力若低於約150N/m時,薄 膜容易形成皺紋等。另一方面,張力若超過約2000N/m時,因薄膜斷裂或軸承(bearing)之磨損而發生低壽命化等之問題。另外,此每單位寬度之張力係由該步驟之入口附近之薄膜寬度與張力檢測器之張力值算出。另外,進行張力控制時,雖不可避免地有若干延伸、收縮,但於本發明中,此係不包含於延伸處理。
最後進行乾燥處理。乾燥處理係一點一點地改變張力,以多數階段數進行者為宜,但就設備上的限制等,通常以2至3階段進行。進行2階段時,以設定前段之張力於600N/m至1500N/m之範圍,後段之張力於300N/m至1200N/m之範圍為宜。張力若過大時,薄膜斷裂變多,若過小時,皺紋發生變多,並不適宜。另外,設定前段之乾燥溫度於30至90℃之範圍,後段之乾燥溫度於70至100℃之範圍為宜。溫度若過高時,薄膜斷裂變多,並且光學特性降低,溫度若過低時,線條變得過多而不適宜。乾燥處理時間係可例如為60至600秒,於各階段時之乾燥時間係可相同,亦可相異。時間若過長時,光學特性降低,時間若過短時,乾燥變得不足,所以不適宜。
作為張力控制用之輾壓滾輪,控制薄膜之運送方向用之導輪,可使用橡皮滾輪、不鏽鋼絨製研磨滾輪及海綿狀橡皮滾輪等。作為橡皮滾輪,由NBR等所形成,該硬度係以JIS K 6301之試驗方法測定之JIS Shore C scale,約為60至90度,以約70至80度為宜,表面粗度係以JIS B 0601(表面粗度)之粗度曲線之局部山頂之平均間隔S 表示,約0.1至5S,以約0.5至1S尤佳。
作為不鏽鋼絨製研磨滾輪係由SUS304、SUS316等所形成,就為達到膜厚度之均勻化,該表面粗度係JIS B 0601(表面粗度)之粗度曲線之局部山頂之平均間隔S表示,約0.2至1.0S者尤佳。
作為海綿狀橡皮滾輪,海綿硬度係以JIS K 6301之試驗方法測定之JIS Shore C scale,約為20至60度,以約25至50度為宜,密度約為0.4至0.6g/cm3,以約0.42至0.57g/cm3為宜,以及表面粗度係以JIS B 0601(表面粗度)之粗度曲線之局部山頂之平均間隔S表示,約為10至30S,以約為15至25S者尤佳。
(2)黏合步驟
使用水系黏著劑,黏合保護薄膜於偏光薄膜之至少一側的面,可得層合薄膜。在此,使用的偏光薄膜係如上所述之二色性色素吸附配向於聚乙烯醇系樹脂薄膜之偏光薄膜,硼含量範圍為3至3.9重量%,以該偏光薄膜之延伸軸方向為短邊,以2mm×8mm之大小,加熱成80℃,與延伸軸成垂直方向之收縮力為2.8N以下之偏光薄膜,就耐久性之觀點,係適宜的。如此之偏光薄膜係可以如上述方法製造。
作為保護薄膜,可舉例如三乙醯基纖維素或二乙醯基纖維素之乙醯基纖維素系樹脂所成之薄膜、聚對二甲酸乙二醇酯或聚萘二甲酸乙二醇酯、聚對二甲酸丁二醇酯之聚 酯系樹脂所成之薄膜、聚碳酸酯系樹脂所成之薄膜、環烯烴系樹脂所成之薄膜等。作為市售之熱可塑性環烯烴系樹脂,例如德國之Ticona公司所銷售之「Topas(註冊商標)」、JSR(股)所銷售之「ARTON(註冊商標)」、日本ZEON(股)所銷售之「ZEONOR(註冊商標)」或「ZEONEX(註冊商標)」、三井化學(股)所銷售之「APEL(註冊商標)」等。將如此環烯烴系樹脂製膜者作為保護薄膜。製膜係適合使用溶劑澆鑄法、熔融擠出法等已知之方法。經製膜之環烯烴系樹脂薄膜亦有市售,例如積水化學工業(股)所銷售之「Escena」或「SCA40」等。
保護薄膜厚度係以薄者為宜,過薄時,成為強度降低,加工性差者。另一方面,若過厚時,發生透明性降低,發生層合後必要的養成時間變長等之問題。因此,保護薄膜之適當厚度係例如約5至200μm程度,以約10至150μm為宜,以約20至100μm尤佳。
為提升水系黏著劑與偏光薄膜及/或保護薄膜之黏著性,可於偏光薄膜及/或保護薄膜,施以電暈處理、火炎處理、電漿處理、紫外線照射、塗佈底漆處理、皂化處理等之表面處理。
另外,對於保護薄膜,亦可施以單獨或組合抗眩光處理、抗反射處理、硬塗佈處理、防靜電處理、防污處理等之表面處理。另外,作為保護薄膜及/或保護薄膜表面保護層係可具有二苯甲酮系化合物、苯幷三唑等之紫外線吸 收劑、或苯基磷酸酯系化合物、苯二甲酸酯化合物等之可塑劑。
保護薄膜係可黏合於偏光薄膜之至少一側的面。黏貼兩面時,此等保護薄膜係可由相同樹脂所成,亦可由相異樹脂所成者。
本發明中,所謂偏光薄膜及保護薄膜,使用水系黏著劑所黏合。作為水系黏著劑,可舉例如聚乙烯醇系樹脂水溶液、水系二液型胺基甲酸乙酯系乳膠黏著劑等。使用將偏光薄膜之黏著面以皂化處理等親水化處理之乙醯基纖維素系薄膜作為保護薄膜時,適合使用聚乙烯醇系樹脂水溶液作為黏著劑。作為黏著劑使用之聚乙烯醇系樹脂係除了將醋酸乙烯之單獨聚合物之聚醋酸乙烯進行皂化處理所得之乙烯醇均聚物之外,有醋酸乙烯與可與其共聚合之其他單體之共聚物進行皂化處理所得之乙烯醇系共聚物,進而,將此等羥基部份改性之改性聚乙烯系共聚物等。於水系黏著劑,可添加多元醛、水溶性環氧化合物、三聚氰胺系化合物、氧化鋯化合物等作為添加劑。
偏光薄膜之兩面上黏合保護薄膜時,兩面使用之黏著劑係可相同,亦可相異。
黏合偏光薄膜及保護薄膜之方法,並非特別限定者,可舉例如於偏光薄膜及/或保護薄膜之表面,均勻地塗佈水系黏著劑,於塗佈面重疊另一個薄膜,藉由滾輪等黏合、乾燥之方法等。
通常,水系黏著劑係於該調製後,於約15至40℃之 溫度下進行塗佈,黏合溫度範圍通常約15至30℃程度。
(3)乾燥步驟
黏合偏光薄膜及保護薄膜後,為除去水系黏著劑中所含的水,使層合薄膜乾燥。本發明中,乾燥係藉由使該層合薄膜連續地通過合計N個(N≧2)之維持適當溫度之乾燥爐而進行。
如此乾燥,並無特別限制,例如可使層合薄膜連續地通過所連續設置之N個乾燥爐內,藉由捲取乾燥後之層合薄膜成筒狀而進行。
使層合薄膜最初通過的第1階段乾燥爐之溫度係未達60℃。若超過60℃時,偏光板的垂直色相之青色變強,將難以得到顯示中性(neutral)之偏光板。另外,第1階段乾燥爐的溫度係以30℃以上為宜。若未達30℃時,偏光薄膜及保護薄膜之間有容易剝離的傾向。以40℃以上為宜。藉由使第1階段乾燥爐之溫度未達60℃,可得到減低垂直色相之青色之具有中性色相之偏光板。第1階段乾燥爐中層合薄膜之滯留時間可例如為1至300秒,尤其就所得偏光板之色相或生產性之觀點,以5至150秒為宜。
另外,關於第2階段乾燥爐及後續之乾燥爐,此等中至少1個乾燥爐之溫度為60℃以上,此溫度為60℃以上之乾燥爐係設定於60℃至100℃之範圍為宜。若超過100℃時,偏光板之平行色相有因劣化而黃變的傾向。第2階 段乾燥爐及後續之乾燥爐,若設定未達60℃時,該乾燥爐溫度並無特別限制,例如可為30℃以上,未達60℃。
另外,本發明中,層合薄膜之多階段乾燥係除了上述條件,以滿足下述式(1)之關係之條件實施。
Y>-0.3X+16000 (1)
在此,X(℃.秒)係各乾燥爐的溫度(℃)與層合薄膜於該乾燥爐之滯留時間(秒)之積之關於所有的乾燥爐之和。另外,Y(℃.秒)係溫度為60℃以上之乾燥爐的溫度(℃)與層合薄膜於該乾燥爐之滯留時間(秒)之積之關於溫度為60℃以上之乾燥爐之和。亦即,若稱乾燥溫度×乾燥爐內之滯留時間為「熱量」,X係可稱乾燥步驟整體中層合薄膜所賦予之總熱量。另外,Y係溫度為60℃以上之乾燥爐所賦予熱量之合計。因此,前述式(1)係指由溫度為60℃以上之乾燥爐所賦予的合計熱量非佔總熱量中之某一定以上不可。另外,如前所述,因為第1階段乾燥爐之溫度未達60℃,所以必然的X>Y。
第1階段乾燥爐之溫度未達60℃,第2至第N階段之乾燥爐中,至少1個乾燥爐之溫度為60℃以上,而且以滿足前述式(1)之條件進行乾燥,減低垂直色相之青色,並且即使曝露於冷熱衝擊環境下,仍可得到偏光薄膜不發生裂紋之偏光板。
以橫軸為X,縱軸為Y,標繪前述式(1)時,成為 向右降的直線。此係指X(層合薄膜所賦予之總熱量)愈小,滿足前述式(1)之Y之最低值變大,X愈大,可減低Y之最低值。就如此傾向,亦即乾燥時層合薄膜所加熱量之觀點來看時,偏光薄膜有無發生裂紋之境界,成為向右降低之直線,有鑑於下述情況,亦可稱為適當。
亦即,聚乙烯醇系樹脂薄膜(偏光薄膜)係於乾熱環境下,以60℃附近為界,因為超過其之溫度領域顯示大的收縮行動,必須藉由使用通過維持60℃以上溫度之乾燥爐,使預先發生收縮。
若不預先以如此乾燥步驟使偏光薄膜發生收縮,黏合保護薄膜於偏光薄膜而成之偏光板係介在黏著劑等,黏合於玻璃等基板之狀態,暴露於冷熱衝擊環境下時,發生此收縮,偏光薄膜將容易發生裂紋。另一方面,偏光板之乾燥不充分時,偏光薄膜中殘留水份時,例如黏合保護薄膜於偏光薄膜之兩面而成之偏光板係介在黏著劑等,黏合於玻璃等基板之狀態,暴露於冷熱衝擊環境下時,該水份蒸發,仍成為發生裂紋之原因。X大時,因為乾燥步驟所賦予之總熱量大,所以由該熱量可充分除去水,於60℃以上之溫度所賦予之熱量Y係只要使如上所述發生收縮所需要者即可,認為Y即使小至某程度,仍可抑制收縮及伴隨其發生的裂紋者。相對於此,認為X小時,因為於乾燥步驟所賦予之總熱量小,所以必須增大60℃以上溫度所賦予之熱量Y,使加速除去水份者。
圖1係如後所述,表示參考例、實施例及比較例中X 與Y之關係、以及冷熱衝擊試驗(熱衝擊試驗)中有無發生裂紋之相關圖,表示式(1)之境界線之Y=-0.3X+16000之直線係以實線A所表示。
另外,如上所述,因為X>Y,所以表示該境界線之Y=X之直線係以虛線B所示。因此,本發明規定之範圍係表示Y=-0.3X+16000之直線A與表示Y=X之直線B所包圍之圖中右側之範圍(但是,並非於Y=X之直線上)。此等2直線之交點,因為係X=Y=16000/1.3≒12308,所以X係取超過約12308℃.秒之值。
層合薄膜所賦予之總熱量X之上限雖無特別限制,但通常為53000℃.秒以下,以50000℃.秒以下為宜,以45000℃.秒以下尤佳。X若超過53000℃.秒時,乾燥步驟將耗費長時間,生產性降低。另外,總熱量X雖取超過如上述之約12308℃.秒之值,但以12500℃.秒以上為宜,以13000℃.秒以上尤佳。X係未達12500℃.秒,於冷熱衝擊環境下,於偏光薄膜發生裂紋。由溫度為60℃以上之乾燥爐所賦予之合計熱量Y,因為X>Y,通常未達53000℃.秒,以未達50000℃.秒為宜,以未達45000℃.秒尤佳。另一方面,關於Y的下限,由X>Y之關係及前述式(1)之關係,因應X之值而自行決定。
第2至第N階段之乾燥爐中之滯留時間之合計,通常為60至750秒程度。
若超過750秒時,於乾燥步驟耗費長時間,生產性將降低。
第n階段乾燥爐(n=1,2,3…n<N)與第n+1階段乾燥爐之溫度差係40℃以下,以30℃以下為宜。若溫度差大時,有層合薄膜容易發生皺紋或凹凸等,外觀上不適宜的傾向。第n+1階段乾燥爐之溫度係可比第n階段乾燥爐之溫度高或低。
乾燥用乾燥爐之數量N係只要2個以上即可,並無特別限制,以3個以上為宜。乾燥爐數為2個時,為滿足前述式(1)之關係,於第2階段乾燥爐之滯留時間非增大不可,但乾燥爐數為3個以上時,因為調節於第2階段以後乾燥爐之溫度及滯留時間,將容易滿足前述式(1)之關係,所以適宜。
於前述乾燥步驟中,層合薄膜係於附加張力之狀態下乾燥為宜。張力係以100至1500N/m為宜,以100至1000N/m尤佳。附加張力於層合薄膜係使層合薄膜連續通過連續設置之乾燥爐內時,可藉由調整該輸入側輾壓滾輪與出口側輾壓滾輪間之拉伸張力而進行。
前述乾燥步驟後,為使黏著劑硬化,以約15至85℃,以約20至50℃為宜,以約35至45℃尤佳之溫度環境下,通常約1至90天程度,使層合薄膜進行追加乾燥(養成)。養成時之濕度通常為70% RH。若超過70% RH時,有發生結露等之問題。另外,養成期間通常約為1至30天程度,若考慮生產性時,以約1至7天為宜。通常,養成多以捲成筒狀之狀態下實施。而且,可得到介在黏著劑層,黏合保護薄膜於偏光薄膜之單面或兩面之偏 光板。
另外,本發明中,亦可賦予保護薄膜作為相位差薄膜之機能、作為提升亮度薄膜之機能、作為反射薄膜之機能、作為半透過反射薄膜之機能、作為擴散薄膜之機能、作為光學補償薄膜之機能等之光學機能。此時,例如藉由層合相位差薄膜、提升亮度薄膜、反射薄膜、半透過反射薄膜、擴散薄膜、光學補償薄膜等之光學機能性薄膜於保護薄膜表面,除了可使具有如此機能之外,亦可賦予如此機能於保護薄膜本身。另外,亦可使保護薄膜本身具有如具有提升亮度薄膜之機能之擴散薄膜等之多數機能。
更具體而言,可藉由施以特許第2841377號公報、特許第3094113號公報等記載之延伸處理、或施以特許第3168850號公報等所記載之處理於前述保護薄膜,賦予保護薄膜作為相位差薄膜之機能。另外,藉由以如特開2002-169025號公報或特開2003-29030號公報所記載之方法形成微細孔,以及藉由重疊選擇反射之中心波長相異之2層以上之膽固醇型(cholesteric)液晶層於前述保護薄膜,可賦予作為提升亮度薄膜之機能。藉由以蒸著或濺鍍等形成金屬薄膜於前述保護薄膜,可賦予作為反射薄膜或半透過反射薄膜之機能。藉由被覆含微粒子之樹脂溶液於前述之保護薄膜,可賦予作為擴散薄膜之機能。另外,藉由被覆碟型(discotic)液晶性化合物等之液晶性化合物於前述之保護薄膜,使進行配向,可賦予作為光學補償薄膜之機能。另外,可使用適當的黏著劑,直接黏合商品 名:DBEF(3M公司製,可取自日本住友3M(股))等之提升亮度薄膜、商品名:WV薄膜(富士薄膜(股)製)等之視野角改良薄膜、商品名:Sumikalight(註冊商標)(住友化學(股)製)等之相位差薄膜等之市售光學機能性薄膜於保護薄膜。
以下係由實施例更詳細地說明本發明,但本發明並非侷限於此等例者。例中,表示含量或使用量之%及份係除非特別記錄,皆為質量基準。
首先,揭示表示本發明規定之第1階段乾燥爐的溫度未達60℃,第2階段以後之乾燥爐中至少1個的溫度為60℃以上之重要性之參考例。
[圖1]表示參考例、實施例及比較例中X及Y之關係,以及有無發生裂紋之相關圖。
<參考例1>
將平均聚合度約為2,400,皂化度為99.9莫耳%以上,厚度為75μm之聚乙烯醇薄膜,以乾式單軸延伸約成5倍,進而於保持緊張狀態下,浸漬於60℃純水1分鐘後,浸漬於28℃之碘/碘化鉀/水的質量比為0.05/5/100之水溶液60秒。接著,浸漬於72℃之碘化鉀/硼酸/水的質量比為8.5/8.5/100之水溶液300秒。接著,以26℃之 純水洗淨20秒後,以65℃乾燥,得到碘吸附配合於聚乙烯醇之偏光薄膜。
另外,使溶解3份之羧基改性聚乙烯醇((股)Kuraray製之「KURARAY POVAL KL318」)、及1.5份之水溶性聚醯胺環氧樹脂(住化Chemtex(股)製之「Sumirez Resin 650」)(固形物濃度為30%之水溶液)於100份的水中,調製聚乙烯醇系黏著劑。
於先前所得偏光薄膜之單面,將作為第1張保護薄膜之由經電暈處理之降冰片烯系樹脂所成之厚度為80μm之薄膜((股)OPTES製之「ZeonorFilm」),以及於另一面,將作為第2張保護薄膜之經皂化處理之三乙醯基纖維素所成之厚度為80μm之薄膜(Konica Minolta Opto(股)製之「KC8UX2M」),分別介在前述黏著劑,由輾壓滾輪黏合,得到層合薄膜。
保持前述層合薄膜於450N/m之張力下,使依序通過55℃之第1階段乾燥爐、65℃之第2階段乾燥爐,得到偏光板。此時,由各乾燥爐之薄膜滯留長度及輸送速度,求出於各乾燥爐之滯留時間,由此及各乾燥爐之前述溫度,求出先前定義之X及Y,此等值如表1所示。所得偏光板之垂直色相係垂直a*=0.05,垂直b*=-0.08,為中性色相。
關於此偏光板,進行冷熱衝擊試驗(熱衝擊試驗)。此試驗中,設置黏著劑層於前述偏光板之第1張保護薄膜表面,切割成277×345mm尺寸,將黏合此於玻璃者作為 試驗用試樣。冷熱衝擊試驗係藉由保持此試樣於-35℃下1小時,接著,升溫成70℃,保持1小時之操作,作為1次循環,重複此循環合計240次而進行。該結果係偏光薄膜發生裂紋。表1係合併表示含前述X及Y之值之層合薄膜之乾燥條件、以及冷熱衝擊試驗(熱衝擊試驗)之結果、以及垂直色相之a*及b*之值。
<參考例2>
除了使依序通過65℃之第1階段乾燥爐、75℃之第2階段乾燥爐,進行乾燥以外,與參考例1同樣地操作,得到偏光板。所得偏光板之垂直色相係垂直a*=0.22,垂直b*=-0.55,垂直b*之值於負側大,即使目視亦帶有深青色。關於此偏光板,進行與參考例1相同的冷熱衝擊試驗。該結果係認為此偏光板之偏光薄膜無裂紋。表1係表示含X及Y之值之層合薄膜之乾燥條件、冷熱衝擊試驗(熱衝擊試驗)之結果、以及垂直色相之a*及b*之值。
接著,揭示以第1階段乾燥爐的溫度未達60℃,以及第2階段以後之乾燥爐之關係,表示滿足前述式(1)之重要性之實施例及比較例。
<實施例1>
將平均聚合度約為2,400,皂化度為99.9莫耳%以上,厚度為75μm之聚乙烯醇薄膜,於保持緊張狀態下,浸漬於30℃純水,使膨潤,同時於其中延伸長邊方 向至延伸倍率為1.3倍。將此聚乙烯醇薄膜,保持前述延伸倍率之狀態,使用30℃之碘/碘化鉀/水的質量比為0.05/2/100之水溶液染色,之後,於54℃之碘化鉀/硼酸/水的質量比為12/5/100之水溶液進行交聯處理下,延伸成總倍率為5.6倍後,以12℃純水洗淨。將洗淨後之聚乙烯醇薄膜,以65℃乾燥,得到碘吸附配向於聚乙烯醇之偏光薄膜。
另外,使溶解1.8份之羧基改性聚乙烯醇((股)Kuraray製之「KURARAY POVAL KL318」)、及0.9份之水溶性聚醯胺環氧樹脂(住化Chemtex(股)製之「Sumirez Resin 650」)(固形物濃度為30%之水溶液)於100份的水中,調製聚乙烯醇系黏著劑。
於先前所得之偏光薄膜之單面,將作為第1張保護薄膜之由三乙醯基纖維素所成之厚度為43μm之薄膜(Konica Minolta Opto(股)製之「KC4FR-1」),以及於另一面,將作為第2張保護薄膜之設置抗眩處理層於三乙醯基纖維素之表面所成之厚度為83μm之表面處理薄膜(大日本印刷(股)製之「mat hard coat TAC薄膜DS-LR2」),分別介在前述黏著劑,由輾壓滾輪黏合,得到層合薄膜。
藉由保持前述層合薄膜於450N/m之張力下,使依序通過保持如表1表示溫度之乾燥爐(計3階段)乾燥爐,使乾燥得到偏光板。關於所得之偏光板,進行與參考例1相同的冷熱衝擊試驗。該結果係認為此偏光板之偏光薄膜 無裂紋。表1係表示含X及Y之值之層合薄膜之乾燥條件、冷熱衝擊試驗(熱衝擊試驗)之結果、以及垂直色相之a*及b*之值。
<實施例2至4,比較例1至3>
改變各乾燥爐之溫度設定、保護薄膜之種類如表1所示,除了改變各乾燥爐中層合薄膜之滯留時間以外,與實施例1同樣地得到偏光板。
表1中表示各實施例及比較例中含X及Y之值之層合薄膜之乾燥條件、冷熱衝擊試驗(熱衝擊試驗)之結果、以及垂直色相之a*及b*之值。但是,比較例1及2中,因為未取得垂直色相之數據,所以未表示此等例中垂直色相的值。
表1中,「熱衝擊試驗結果」欄中「A」係表示試驗後2張保護薄膜所包夾之偏光薄膜未發生裂紋,「B」係表示試驗後認為有裂紋。另外,「保護薄膜」欄中名稱(商品名)係如下所述。
.ZEONOR:與於參考例1中作為第1張保護薄膜使用者相同之(股)OPTES製之降冰片烯系樹脂薄膜「ZeonorFilm」。
.KC8UX2M:與於參考例1中作為第2張保護薄膜使用者相同之Konica Minolta Opto(股)製之三乙醯基纖維素薄膜「KC8UX2M」。
.KC4FR-1:與於實施例1中作為第1張保護薄膜使 用者相同之Konica Minolta Opto(股)製之三乙醯基纖維素薄膜「KC4FR-1」。
.DS-LR2:與於實施例1中作為第2張保護薄膜使用者相同之大日本印刷(股)製之表面處理三乙醯基纖維素薄膜「mat hard coat TAC薄膜DS-LR2」。
圖1係表示參考例、實施例及比較例中X及Y之關係、冷熱衝擊試驗(熱衝擊試驗)中有無發生裂紋之相關圖。圖1中,以「○」所示的點(參考例2及實施例)係指未發生裂紋,以「×」所示的點(參考例1及比較例)係指試驗後認為發生裂紋。如圖1所示,為防止裂紋發生,可知必須滿足前述式(1)之條件不可。
<實施例5>
使用聚合度為2400,皂化度為99.9莫耳%,厚度為75μm,寬度為3000mm之長條之聚乙烯醇薄膜(Kurarayvinylon VF-PS #7500(股)Kuraray製),作為聚乙烯醇之原料薄膜。延伸係給予處理槽前後驅動輾壓滾輪周速差而進行。
首先,使原料薄膜不鬆弛,保持薄膜之緊張狀態下,浸漬於放入32℃純水之膨潤槽80秒,使薄膜充分膨潤。隨著於膨潤槽之膨潤,入口與出口之滾輪速度比為1.2。以輾壓滾輪進行瀝水後,浸漬於放入30℃純水之水浸漬槽160秒。於此槽中之機械方向之延伸倍率為1.04。接著,浸漬於放入碘/碘化鉀/水的重量比為0.02/1.5/100之水溶液之染色槽,以延伸倍率約1.6倍,進行單軸延伸。之後,放入56.5℃之碘化鉀/硼酸/水的重量比為12/4.0/100之水溶液之硼酸槽,浸漬130秒(第1硼酸處理),進行單軸延伸,直至自原料之積算延伸倍率成為5.3倍。之後,浸漬於放入30℃之碘化鉀/硼酸/水的重量 比為12/1.5/100之水溶液之硼酸槽60秒(第2硼酸處理)。接著,於水洗槽,以10℃之純水洗淨約16秒,之後,使依序通過約60℃之乾燥爐,接著約85℃之乾燥爐,此等乾燥爐之滯留時間合計為160秒,進行乾燥。如此操作,得到碘吸附配向之厚度為28μm之偏光薄膜。
關於所得之偏光薄膜,由感應耦合電漿(Inductively Coupled Plasma:ICP)發光分光分析法分析,算出硼相對於偏光薄膜重量之重量分率(%),硼含量為3.5%。
另外,關於所得之偏光薄膜,測定與偏光薄膜之延伸方向(吸收軸)成垂直方向之加熱收縮力。關於測定,以延伸軸方向為短邊,切割成寬度為2mm,長度為8mm之薄膜,作為測定用試樣。安裝該試樣於熱機械分析裝置(Termo-Mechanical Analyzer:TMA)(EXSTAR-6000(SII NanoTechnology(股)製)),保存一定的尺寸下,測定以80℃加熱200分鐘時發生長度8mm方向之收縮力時,為2.5N。
介在由聚乙烯醇系樹脂之水溶液所成之黏著劑,分別黏合由三乙醯基纖維素所成之透明保護薄膜於此偏光薄膜之一側的面上,由降冰片烯系樹脂所成之雙軸延伸相位差薄膜(正面相位差值:55nm,厚度方向相位差值:125nm)於另一面上,作為偏光板。將所得之偏光板,介在黏著劑黏合該相位差薄膜側於玻璃板,進行以保持-35℃下1小時之過程及保持70℃下1小時之過程為1個循環之熱循環試驗。該結果係即使重複200次循環,偏光薄 膜仍未破裂。
<比較例4>
對於原料薄膜,自膨潤槽至染色槽,施以與實施例1相同的處理。之後,放入56.5℃之碘化鉀/硼酸/水的重量比為12/4.7/100之水溶液之硼酸槽,浸漬130秒,進行單軸延伸,直至自原料之積算延伸倍率成為5.3倍。之後,浸漬於放入40℃之碘化鉀/硼酸/水的重量比為12/4.7/100之水溶液之硼酸槽約60秒。進而,於水洗槽,浸漬約9℃之純水約16秒,之後,使依序通過約60℃之乾燥爐,接著約85℃之乾燥爐,此等乾燥爐之滯留時間合計為160秒,進行乾燥。如此操作,得到碘吸附配向之厚度為28μm之偏光薄膜。
關於所得之偏光薄膜,與實施例5同樣地操作,算出硼含量時,為4.2%,另外,與實施例5同樣地操作,測定於TMA裝置之收縮力時,為3.0N。
介在聚乙烯醇系樹脂之水溶液所成之黏著劑,分別黏合由三乙醯基纖維素所成之透明保護薄膜於此偏光薄膜之一側的面上,由降冰片烯系樹脂所成之雙軸延伸相位差薄膜(正面相位差值:55nm,厚度方向相位差值:125nm)於另一面上,作為偏光板。將所得之偏光板,介由黏著劑黏合該相位差薄膜側於玻璃板,進行以保持-35℃下1小時之過程及保持70℃下1小時之過程為1個循環之熱循環試驗。該結果係重複200次循環時,偏光薄膜破裂。
依據本發明,可提供於熱循環試驗不破裂之耐久性優異之偏光薄膜。
另外,依據本發明之製造方法,可提供使用水系黏著劑層合保護薄膜於偏光薄膜之至少一側的面而成之偏光板,可減低垂直色相之青色,並且即使暴露於冷熱衝擊環境下,偏光薄膜仍不發生裂紋之偏光板。

Claims (6)

  1. 一種偏光板之製造方法,係將保護薄膜層合於聚乙烯醇系樹脂所成之偏光薄膜之至少一側的面而成之偏光板之製造方法,其特徵係具備使用水系黏著劑黏合偏光薄膜及保護薄膜,得到層合薄膜之黏合步驟,與藉由使該層合薄膜通過N個(N≧2)乾燥爐進行乾燥之乾燥步驟,於前述乾燥步驟,使前述層合薄膜最初通過之第1階段之乾燥爐溫度未達60℃,第2至第N階段之乾燥爐中至少1個乾燥爐溫度為60℃以上,而且,於前述乾燥步驟,前述層合薄膜係以滿足下述式(1)之關係之條件下所乾燥,Y>-0.3X+16000 (1)在此,X(℃.秒)係各乾燥爐的溫度(℃)與前述層合薄膜於該乾燥爐之滯留時間(秒)之積於所有乾燥爐之和;另外,Y(℃.秒)係溫度為60℃以上之乾燥爐的溫度(℃)與前述層合薄膜於該乾燥爐之滯留時間(秒)之積於溫度為60℃以上之乾燥爐的和。
  2. 如申請專利範圍第1項之偏光板之製造方法,其中前述第1階段之乾燥爐的溫度係30℃以上,未達60℃。
  3. 如申請專利範圍第1項或第2項之偏光板之製造方法,其中前述溫度為60℃以上之乾燥爐的溫度係60℃以上,100℃以下。
  4. 如申請專利範圍第1項之偏光板之製造方法,其中 於前述乾燥步驟,前述層合薄膜係於被施加張力之狀態下乾燥。
  5. 如申請專利範圍第1項之偏光板之製造方法,其中前述偏光薄膜係係於聚乙烯醇系樹脂薄膜二色性色素吸附配向之偏光薄膜,其特徵係硼含量範圍為3至3.9重量%之範圍,將該偏光薄膜之延伸軸方向作為短邊,以2mm×8mm大小,加熱成80℃時,與延伸軸垂直的方向之收縮力為2.8N以下。
  6. 如申請專利範圍第1項之偏光板之製造方法,其中前述偏光薄膜係下述製造方法所製造之偏光薄膜,該製造方法係以膨潤處理步驟、染色處理步驟、及硼酸處理步驟之順序處理聚乙烯醇系樹脂薄膜,而且於此等處理步驟中之至少一個步驟,進行單軸延伸,製造偏光薄膜之方法,其特徵係硼酸處理步驟係包含於相對於100重量份的水,含2至5重量份之硼酸之水溶液中,於50至70℃之溫度所進行之第1硼酸處理、及硼酸含量比第1硼酸處理使用之水溶液低之水溶液中,以溫度比第1硼酸處理低下所進行之第2硼酸處理。
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