TW201501848A - 雷射加工裝置 - Google Patents

雷射加工裝置 Download PDF

Info

Publication number
TW201501848A
TW201501848A TW103111232A TW103111232A TW201501848A TW 201501848 A TW201501848 A TW 201501848A TW 103111232 A TW103111232 A TW 103111232A TW 103111232 A TW103111232 A TW 103111232A TW 201501848 A TW201501848 A TW 201501848A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
chuck table
axis direction
height
height position
coordinate
Prior art date
Application number
TW103111232A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI629131B (zh
Inventor
Satoshi Kobayashi
Original Assignee
Disco Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Disco Corp filed Critical Disco Corp
Publication of TW201501848A publication Critical patent/TW201501848A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI629131B publication Critical patent/TWI629131B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/04—Automatically aligning, aiming or focusing the laser beam, e.g. using the back-scattered light
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/03—Observing, e.g. monitoring, the workpiece
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/36—Removing material
    • B23K26/38—Removing material by boring or cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67259—Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Laser Beam Processing (AREA)
  • Dicing (AREA)

Abstract

本發明的課題是提供一種具有可確認是否追蹤保持在夾頭台上的被加工物的上表面高度位置資訊而將聚光點位置調整機構作動之機能的雷射加工裝置。解決手段為一種雷射加工裝置，並包含，設有聚集雷射光線以照射保持在夾頭台上的被加工物的聚光物鏡的雷射光線照射機構、檢測保持在夾頭台上的被加工物的上表面高度位置的高度位置檢測機構、相對於夾頭台的保持面使該聚光物鏡在垂直的Z軸方向上移動的聚光點位置調整機構、在X軸方向上加工傳送夾頭台的加工傳送機構、用於檢測夾頭台的X軸方向位置的X軸方向位置檢測機構，及控制機構。控制機構具有一邊作動加工傳送機構以在X軸方向上移動保持在夾頭台上的被加工物，一邊作動高度位置檢測機構以將量測被加工物的高度位置而得到的高度量測值和依照該X軸方向位置檢測機構所傳出之檢測信號的X座標儲存起來的記憶機構，並一邊作動加工傳動機構以在X軸方向上移動保持在夾頭上的被加工物一邊依照記憶機構所儲存之對應X座標的高度量測值控制聚光點位置調整機構，同時將高度位置檢測機構檢測到的高度資訊和X座標相對應以顯示在顯示機構上。

Description

雷射加工裝置 發明領域
本發明是有關於具有檢測被保持在保持被加工物之夾頭台上的被加工物的上表面高度位置之機能的雷射加工裝置。
發明背景
在半導體裝置製程中，大致呈圓板狀的半導體晶圓的表面以排列成格子狀的分割預定線劃分成複數個區域，並於該劃分的區域中形成IC、LSI等裝置。並且，藉由沿切割道切斷半導體晶圓以分割形成有裝置的區域而製造出一個個的半導體裝置。又，在大致為圓板狀的藍寶石(sapphire)基板、碳化矽基板、氮化鎵基板等的表面積層由n型半導體層和p型半導體層所形成的發光層，並在以形成格子狀之複數條分割預定線所劃分出的複數個區域中形成發光二極體、雷射二極體等光裝置以構成光裝置晶圓。並且，藉由沿分割預定線分割光裝置晶圓而製造出一個個的光裝置。
沿上述半導體晶圓和光裝置晶圓等的分割預定線進行分割的方法，也有嘗試利用對晶圓具有穿透性的脈 衝雷射光線，並將聚光點定位在應當分割區域的內部以照射脈衝雷射光線之雷射加工方法。使用這種雷射加工方法的分割方法是，藉由從晶圓的其中一面側使聚光點匯聚在內部以照射對晶圓具有穿透性波長的脈衝雷射光線、沿分割預定線在晶圓內部連續地形成改質層、並沿著因形成此改質層而降低強度的分割預定線施加外力，以分割被加工物者。(參照例如，專利文獻1。)像這樣沿著形成於被加工物上的分割預定線在內部形成改質層的情況，從被加工物的上表面將雷射光線的聚光點定位在預定的深度位置處是重要的。
然而，由於半導體晶圓等的板狀被加工物上會有波紋，而導致其厚度厚薄不均，因此難以施行均一的雷射加工。亦即，在藉由將聚光點定位在晶圓內部以沿分割預定線照射雷射光線而形成改質層的技術中，為了提高雷射光線的峰值功率(peak power)密度而使用開口數(NA)高到0.8左右的聚光透鏡，當照射雷射光線的晶圓照射面(上表面)上具有波紋(凹凸)而使上表面的高度位置發生變化時，如果不將雷射光線的聚光點定位在適當的位置則無法均一地在預定的深度位置處形成改質層。
為了解決上述問題，下述專利文獻2、專利文獻3、專利文獻4已揭示，對被保持在保持被加工物的夾頭台上的晶圓上所形成的分割預定線的上表面高度位置進行量測，以製作各分割預定線的上表面高度位置資訊，並形成在藉由將聚光點定位在晶圓內部以沿分割預定線照射雷射 光線而形成改質層時，依照上述上表面高度位置資訊以對應上述上表面高度位置控制以聚光透鏡調整聚光點之聚光點位置調整機構的技術。
先前技術文獻 專利文獻
專利文獻1：日本專利特許第3408805號公報
專利文獻2：日本專利特開2011-122894號公報
專利文獻3：日本專利特開2012-2604號公報
專利文獻4：日本專利特開2009-63446號公報
發明概要
因此，即使是依據保持在夾頭台上的被加工物的上表面高度位置資訊而作動聚光點位置調整機構，只要未追蹤高度位置資訊而有稍微延遲作動的情形，就無法將雷射光線的聚光點定位在正確適當的位置而有導致加工精度惡化之問題。
本發明是有鑒於上述事實而作成者，其主要技術課題是，提供一種具有可確認是否追蹤被保持在夾頭台上的被加工物的上表面高度位置資訊而將聚光點位置調整機構作動之機能的雷射加工裝置。
為了解決上述主要技術課題，依據本發明所提供的一種雷射加工裝置，包含，具有保持被加工物之保持面 的夾頭台、設有聚集雷射光線以照射被保持在該夾頭台上的被加工物的聚光物鏡的雷射光線照射機構、檢測被保持在該夾頭台上的被加工物的上表面高度位置的高度位置檢測機構、相對於該夾頭台的保持面使該聚光物鏡在垂直方向(Z軸方向)上移動的聚光點位置調整機構、使該夾頭台和該雷射光線照射機構在加工傳送方向(X軸方向)上相對地作加工傳送的加工傳送機構、用於檢測該夾頭台的X軸方向位置的X軸方向位置檢測機構，及將控制信號輸出到該聚光點位置調整機構、該加工傳送機構及顯示機構的控制機構。
其特徵在於，在該雷射加工裝置中，該控制機構具有將一邊作動該加工傳送機構以在X軸方向上移動被保持在該夾頭台上的被加工物一邊作動該高度位置檢測機構以量測被加工物的高度位置而得到的高度量測值，和以該X軸方向位置檢測機構所傳出之檢測信號為依據的X座標儲存起來的記憶機構，並一邊作動該加工傳動機構以在X軸方向上移動被保持在該夾頭上的被加工物，一邊依照該記憶機構所儲存的對應於X座標的高度量測值控制該聚光點位置調整機構，同時將該高度位置檢測機構檢測的高度資訊和X座標對應並顯示在顯示機構上。
上述控制機構是設定成，當顯示在顯示機構之和X座標對應的高度資訊的偏差幅度是在容許範圍時，可進行雷射光線照射機構的作動，當和X座標對應的高度資訊的偏差幅度超出容許範圍時，則不可進行雷射光線照射機構的作動。
又，上述控制機構是一邊作動加工傳送機構和高度位置檢測機構以及，一邊在和儲存在記憶機構的X座標對應的高度資訊中的X座標，與在夾頭台的X座標之間使偏差產生以將高度資訊的偏差幅度調整成在容許範圍，並決定以高度資訊之偏差幅度已變成在容許範圍時的X座標的偏差量作為補正值。
依據本發明的雷射加工裝置，由於控制機構具有可將一邊作動加工傳送機構以在X軸方向上移動被保持在夾頭台上的被加工物一邊作動高度位置檢測機構以量測被加工物的高度位置而得到的高度量測值和以從X軸方向位置檢測機構傳出的檢測信號為依據的X座標儲存起來的記憶機構，並可一邊作動加工傳動機構以在X軸方向上移動被保持在夾頭上的被加工物，一邊依照記憶機構所儲存的對應於X座標的高度量測值控制聚光點位置調整機構，同時將高度位置檢測機構檢測的高度資訊和X座標對應並顯示在顯示機構，因此可以確認是否有追蹤被保持在夾頭台上的被加工物的上表面高度位置資訊以作動聚光體位置調整機構，因而可將雷射光線的聚光點定位在正確適當的位置而可以提升加工精度。
1‧‧‧雷射加工裝置
10‧‧‧半導體晶圓
10a‧‧‧表面
10b‧‧‧背面
101‧‧‧分割預定線
102‧‧‧裝置
110‧‧‧改質層
2‧‧‧靜止基台
3‧‧‧夾頭台機構
31、322、41、423‧‧‧導軌
32‧‧‧第1滑塊
33‧‧‧第2滑塊
34‧‧‧圓筒構件
35‧‧‧支撐台
36‧‧‧夾頭台
37‧‧‧加工傳送機構
38‧‧‧第1分度傳送機構
321、331‧‧‧被導引溝
371、381、431‧‧‧公螺桿
362‧‧‧夾具
372、382、432、532‧‧‧脈衝馬達
373、383‧‧‧軸承座
374‧‧‧X軸方向位置檢測機構
374a、384a、54a‧‧‧直尺
374b、384b、54b‧‧‧讀取頭
384‧‧‧Y軸方向位置檢測機構
4‧‧‧雷射光線照射單元支撐機構
42‧‧‧可動支撐基台
421‧‧‧移動支撐部
422‧‧‧裝設部
43‧‧‧第2分度傳送機構
5‧‧‧位置檢測兼雷射照射單元
51‧‧‧單元支架
52‧‧‧單元殼體
53‧‧‧聚光點定位機構
54‧‧‧Z軸方向位置檢測機構
6‧‧‧高度位置檢測機構
6a‧‧‧第1路徑
6b‧‧‧第2路徑
6c‧‧‧第3路徑
6d‧‧‧第4路徑
61‧‧‧發光源
62‧‧‧第1光分路機構
63、68‧‧‧視準鏡
64‧‧‧第2分路機構
641‧‧‧光分束器
642‧‧‧方向變換鏡
65‧‧‧聚光物鏡
650‧‧‧聚光點位置調整機構
651‧‧‧鏡頭罩殼
66、70‧‧‧聚光透鏡
67‧‧‧反射鏡
69‧‧‧繞射光柵
71‧‧‧線性影像感測器
8‧‧‧雷射光線照射機構
81‧‧‧脈衝雷射光線振盪機構
811‧‧‧脈衝雷射光線振盪器
812‧‧‧重複頻率設定機構
82‧‧‧分色鏡
85‧‧‧拍攝機構
9‧‧‧控制機構
90‧‧‧輸入機構
91‧‧‧中央處理裝置
92‧‧‧唯讀記憶體
93‧‧‧隨機存取記憶體
94‧‧‧計數器
95‧‧‧輸入介面
96‧‧‧輸出介面
900‧‧‧顯示機構
F‧‧‧環狀框架
T‧‧‧保護膠帶
W‧‧‧被加工物
LB‧‧‧脈衝雷射光線
P‧‧‧聚光點
X、X1、Y、Z‧‧‧箭形符號
圖1為按照本發明所構成的雷射加工裝置的立體圖；圖2為裝設在圖1所示的雷射加工裝置中之構成位置檢 測兼雷射照射單元的位置檢測裝置及雷射光線照射機構的方塊構成圖；圖3為裝設在圖1所示的雷射加工裝置中的控制機構的方塊構成圖；圖4為作為被加工物的半導體晶圓的立體圖；圖5是顯示將圖4所示之半導體晶圓黏貼在裝設於環狀框架的保護膠帶表面之狀態的立體圖；圖6(a)-(b)是顯示將圖4所示之半導體晶圓保持在圖1所示之雷射加工裝置的夾頭台的預定位置之狀態中和座標位置之關係的說明圖；圖7是以裝設在圖1所示的雷射加工裝置的高度位置檢測機構所實施的高度位置檢測步驟的說明圖；圖8是以裝設在圖1所示的雷射加工裝置的高度位置檢測機構所實施的高度位置檢測步驟所製作的高度位置位移圖；圖9是以圖1所示的雷射加工裝置所實施的聚光點位置調整機構的作動確認步驟的說明圖；圖10(a)-(b)是顯示在圖9所示的聚光點位置調整機構的作動確認步驟中接收來自被加工物的反射光的受光元件輸出之對應X座標的電壓值的說明圖；及圖11(a)-(b)是以圖1所示的雷射加工裝置實施之改質層形成步驟的說明圖。
用以實施發明之形態
以下，參照附加圖式，針對按照本發明所構成之雷射加工裝置的較理想的實施形態，作詳細的說明。
圖1中所示為按照本發明所構成的雷射加工裝置的立體圖。圖1所示之雷射加工裝置1包含，靜止基台2、配置成可在該靜止基台2上並在以箭形符號X所示的加工傳送方向(X軸方向)上移動並保持被加工物之夾頭台機構3、配置成可在靜止基台2上並在和上述X軸方向直交之以箭形符號Y所示的分度傳送方向(Y軸方向)上移動的雷射光線照射單元支撐機構4，及配置成可在該雷射光線照射單元支撐機構4上在以箭形符號Z所示的聚光點位置調整方向(Z軸方向)上移動的位置檢測兼雷射照射單元5。
上述夾頭台機構3設有，在靜止基台2上沿著X軸方向平行配置的一對導軋31、31、配置成可在該導軋31、31上沿X軸方向移動的第1滑塊32、配置成可在該第1滑塊32上沿Y軸方向移動的第2滑塊33、在該第2滑塊33上以圓筒構件34支撐的支撐台35，及作為被加工物保持機構的夾頭台36。該夾頭台36具有由多孔性材料所製成的吸著夾頭361，並變成以圖未示之吸引機構將被加工物之例如圓形形狀的半導體晶圓保持在吸著夾頭361的上表面，即保持面上。像這樣被構成的夾頭台36，是以配置在圓筒構件34內的圖未示之脈衝馬達使其旋轉。再者，在夾頭台36上，還配置有用於將透過保護膠帶支撐半導體晶圓等的被加工物的環狀框架固定的夾具362。
上述第1滑塊32設有位於其下表面並和上述一對 導軌31、31嵌合的一對被導引溝321、321，同時在其上表面設有沿著Y軸方向平行地形成的一對導軌322、322。像這樣被構成的第1滑塊32，是藉由將被導引溝321、321嵌合於一對導軌31、31，而構成為可沿者一對導軌31、31在X軸方向上移動。圖所示之實施形態中的夾頭台機構3設有用於使第1滑塊32沿著一對導軌31、31在X軸方向上移動的加工傳送機構37。加工傳送機構37含有，在上述一對導軌31和31之間平行地配置的公螺桿371，與用於旋轉驅動該公螺桿371的脈衝馬達372等驅動源。公螺桿371其一端受到固定在上述靜止基台2的軸承座373支撐成可自由旋轉，其另一端則被上述脈衝馬達372的輸出軸傳動連結。再者，還將公螺桿371螺合於從第1滑塊32的中央部下表面突出設置之圖未示的螺塊所形成的貫通螺孔中。因此，藉由以脈衝馬達372正轉及逆轉驅動公螺桿371，就可以使第1滑塊32沿導軌31、31在X軸方向上移動。
圖所示之實施形態中的雷射加工裝置1設有，用於檢測上述夾頭台36的X軸方向位置的X軸方向位置檢測機構374。X軸方向位置檢測機構374是由，沿導軌31配置的直尺374a，及配置在第1滑塊32上並與第1滑塊32一起沿著直尺374a移動的讀取頭374b所構成。在圖示的實施形態中，該X軸方向位置檢測機構374的讀取頭374b會將每1μm發出1個脈衝的脈衝信號傳送到後述的控制機構。於是，後述的控制機構，可藉由計算所輸入的脈衝信號，以檢測夾頭台36的加工進給量，而求出夾頭台36的X軸方向位置。再 者，使用脈衝馬達372作為上述加工傳送機構37的驅動源時，藉由計算輸出驅動信號到脈衝馬達372之後述控制機構的驅動脈衝，也可以檢測出夾頭台36的加工進給量。又，使用伺服馬達作為上述加工傳送機構37的驅動源時，藉由將檢測伺服馬達的旋轉數的旋轉編碼器(rotary encoder)輸出的脈衝信號傳送到後述控制機構，並以控制機構計算所輸入的脈衝信號，也可以檢測出夾頭台36的加工進給量。
上述第2滑塊33設有在其下表面與設置在上述第1滑塊32的上表面的一對導軌322、322嵌合的一對被導引溝331、331，並藉由將該被導引溝331、331嵌合於一對導軌322、322，而構成可在Y軸方向上移動。圖所示之實施形態中的夾頭台機構3設有，用於使第2滑塊33沿著設置在第1滑塊32上的一對導軌322、322在Y軸方向上移動的第1分度傳送機構38。第1分度傳送機構38含有，在上述一對導軌322和322之間平行地配置的公螺桿381，與用於旋轉驅動該公螺桿381的脈衝馬達382等驅動源。公螺桿381其一端受到固定在上述第1滑塊32上面的軸承座383支撐成可自由旋轉，其另一端則被上述脈衝馬達382的輸出軸傳動連結。再者，還將公螺桿381螺合於從第2滑塊33的中央部下表面突出設置之圖未示的螺塊所形成的貫通螺孔中。因此，藉由以脈衝馬達382正轉及逆轉驅動公螺桿381，就可以使第2滑塊33沿導軌322、322在Y軸方向上移動。
圖所示之實施形態中的雷射加工裝置1設有，用於檢測夾頭台36的Y軸方向位置的Y軸方向位置檢測機構 384。該Y軸方向位置檢測機構384是用於檢測配置有夾頭台36的第2滑塊33的Y軸方向位置。圖所示之實施形態中的Y軸方向位置檢測機構384是由沿導軌322配置的直尺384a，及配置在第2滑塊33上並與第2滑塊33一起沿著直尺384a移動的讀取頭384b所構成。在圖示的實施形態中，該Y軸方向位置檢測機構384的讀取頭384b會將每1μm發出1個脈衝的脈衝信號傳送到後述的控制機構。於是，後述的控制機構，可藉由計算所輸入的脈衝信號，以檢測夾頭台36的分度進給量，而求出夾頭台36的Y軸方向位置。再者，使用脈衝馬達382作為上述Y軸方向位置檢測機構384的驅動源時，藉由計算輸出驅動信號到脈衝馬達382之後述控制機構的驅動脈衝，也可以檢測出夾頭台36的分度進給量。又，使用伺服馬達作為上述加工傳送機構37的驅動源時，藉由將檢測伺服馬達的旋轉數的旋轉編碼器輸出的脈衝信號傳送到後述控制機構，並以控制機構計算所輸入的脈衝信號，也可以檢測出夾頭台36的分度進給量。
上述雷射光線照射單元支撐機構4具備，在靜止機台2上沿Y軸方向平行地配置的一對導軌41、41，及配置成可在該導軌41、41上沿以箭形符號Y所示的方向移動的可動支撐基台42。該可動支撐基台42是由配置成可在導軌41、41上移動的移動支撐部421，和安裝在該移動支撐部421的裝設部422所構成。裝設部422於一側面上平行地設置有沿Z軸方向延伸的一對導軌423、423。圖所示之實施形態中的雷射光線照射單元支撐機構4具備，用於使可動支撐基台 42沿著一對導軌41、41在Y軸方向上移動的第2分度傳送機構43。第2分度傳送機構43含有，在上述一對導軌41、41之間平行地配置的公螺桿431，與用於旋轉驅動該公螺桿431的脈衝馬達432等驅動源。公螺桿431其一端受到固定在上述靜止基台2之圖未示的軸承座支撐成可自由旋轉，其另一端則被上述脈衝馬達432的輸出軸傳動連結。並且，還將公螺桿431螺合於從構成可動支撐基台42的移動支撐部421的中央部下表面突出設置之圖未示的螺塊所形成的螺孔中。因此，藉由以脈衝馬達432正轉及逆轉驅動公螺桿431，就可以使可動支撐基台42沿導軌41、41在Y軸方向上移動。
圖所示之實施形態中的位置檢測兼雷射照射單元5具備，單元支架51，及安裝在該單元支架51上之圓筒形狀的單元殼體52。並將單元支架51配置成可在上述可動支撐基台42的裝設部422沿著一對導軌423、423移動。安裝在單元支架51上的單元殼體52中，配置有檢測保持在上述夾頭台36上的被加工物的高度位置的高度位置檢測機構以及對被保持在夾頭台36上的被加工物照射雷射光線的雷射光線照射機構。關於該高度位置檢測機構以及雷射光線照射機構，將參照圖2進行說明。
圖2中所示為干涉式高度位置檢測機構之一例。圖所示的實施形態中的高度位置檢測機構6具備，發出具有預定波長域之光的發光源61、將從該發光源61發出的光引導至第1路徑6a同時將經由該第1路徑6a逆向前進的反射光引導至第2路徑6b的第1光分路機構62、將被引導到第1路徑 6a的光形成平行光的視準鏡(collimation lens)63，及將以該視準鏡63形成平行光之光分成第3路徑6c和第4路徑6d的第2光分路機構64。
發光源61可以採用例如，可發出波長為820~870nm領域的光的LED、SLD、LD、鹵素電源、ASE電源、超連續光譜(supercontinuum)電源。上述第1光分路機構62可採用，偏振保持光纖耦合器(polarization-maintaining fiber coupler)、偏振保持光纖光循環器(polarization-maintaining fiber circulator)、單模光纖耦合器(single-mode fiber coupler)、單模光纖耦合光循環器(single-mode fiber coupler circulator)等。在圖所示的實施形態中，上述第2光分路機構64是由光分束器(beam splitter)641及方向變換鏡642所構成。再者，從上述發光源61到第1光分路機構62為止的路徑以及第1路徑6a，都是由光纖所構成。
上述第3路徑6c中配置有，將被引導到第3路徑6c的光引導到被保持在夾頭台36上的被加工物W的聚光物鏡65，與位於該聚光物鏡65與上述第2光分路機構64之間的聚光透鏡66。該聚光透鏡66是將從第2光分路機構64被引導到第3路徑6c的平行光聚集並將聚光點定位在聚光物鏡65內以將來自聚光物鏡65的光形成近似平行光。像這樣藉由在聚光物鏡65和第2光分路機構64之間配置聚光透鏡66以將來自聚光物鏡65的光形成近似平行光的作法，以讓在被保持在夾頭台36上的被加工物W上反射的反射光在透過聚光 物鏡65和聚光透鏡66和第2光分路機構64以及視準鏡63逆向行進時，可以會聚在構成第1路徑6a的光纖中。再者，聚光物鏡65是裝設在鏡頭罩殼651中，該鏡頭罩殼651藉由音圈馬達和線性馬達等所構成的聚光點位置調整機構650變成可使其在圖2的上下方向上，亦即相對於夾頭台36的保持面垂直的聚光點位置調整方向(Z軸方向)上，移動。該聚光點位置調整機構650是受到後述的控制機構控制。
在上述第4路徑6d中配置有，將被引導至第4路徑6d的平行光反射以使反射光沿第4路徑6d逆向行進的反射鏡67。該反射鏡67在圖所示之實施形態中是被裝設在上述聚光物鏡65的鏡頭罩殼651上。
在上述第2路徑6b中配設有視準鏡68和繞射光柵69和聚光透鏡70以及線性影像感測器(linear image sensor)71。視準鏡68會將，由反射鏡67反射且經由第4路徑6d和第2光分路機構64和視準鏡63以及第1路徑6a逆向行進而從第1光分路機構62被引導到第2路徑6b的反射光，與在被保持在夾頭台36的被加物W上反射並經由聚光物鏡65和聚光透鏡66和第2光分路機構64和視準鏡63以及第1路徑6a逆向行進而從第1光分路機構62被引導到第2路徑6b的反射光形成平行光。上述繞射光柵69會對以視準鏡68形成平行光的上述兩種反射光的干涉進行繞射，並透過聚光透鏡70將對應各波長的繞射信號傳送到線性影像感測器71。上述線性影像感測器71會對經繞射光柵69繞射之反射光的各波長的光強度進行檢測，並將檢測信號傳送到後述的控制機 構。
後述的控制機構可從線性影像感測器71的檢測信號求出光譜干涉波形，並依據該光譜干涉波形和理論上的波形函數實行波形分析，並求出在第3路徑6c中到被保持在夾頭台36上的被加工物W為止的光路長和第4路徑6d中到反射鏡67為止的光路長的光路長差，以依據該光路長差求出從夾頭台36表面到保持在夾頭台36上的被加工物W的上表面為止的距離，即被加工物W的上表面高度位置。再者，關於以基於光譜干涉波形和理論上的波形函數而實行的傳立葉轉換理論為依據的波形分析，已記載於例如，日本專利特開2011-122894號公報中，故省略詳細的說明。
依照圖2繼續說明，則配置在位置檢測兼雷射照射單元5之單元殼體52(參照圖1)中的雷射光線照射機構8具有脈衝雷射光線振盪機構81，及將從該脈衝雷射光線振盪機構81振盪產生的雷射光線轉向上述聚光物鏡65而進行方向變換的分色鏡(dichroic mirror)82。脈衝雷射光線振盪機構81是由YAG雷射振盪器或YVO4雷射振盪器所形成的脈衝雷射光線振盪器811，和附設於此的重複頻率設定機構812所構成，並可振盪產生例如，波長1064nm的脈衝雷射光線。分色鏡82雖然是配置在上述聚光透鏡66和聚光物鏡65之間，並可使來自聚光透鏡66的光通過，但只要使從脈衝雷射光線振盪機構81振盪產生的例如，波長1064nm的脈衝雷射光線轉向聚光物鏡65進行方向變換即可。因此，從脈衝雷射光線振盪機構81振盪產生的脈衝雷射光線(LB)，是 藉由分色鏡82進行90度方向變換而入射到聚光物鏡65、受到聚光物鏡65聚光而被照射到被保持在夾頭台36上的被加工物W上。因而，聚光物鏡65具有作為構成雷射光線照射機構8之聚光物鏡的機能。
回到圖1繼續說明，在圖所示之實施形態中的雷射加工裝置1具有，用於使單元支架51沿著裝設在可動支撐基台42的裝設部422上的一對導軌423、423，在以箭形符號Z所示的聚光點位置調整方向(Z軸方向)上，即相對於夾頭台36的保持面的垂直方向上，移動的聚光點定位機構53。聚光點定位機構53含有，配置在一對導軌423、423之間的公螺桿(圖未示)，與用於旋轉驅動該公螺桿的脈衝馬達532等驅動源，並藉由以脈衝馬達532正轉及逆轉驅動圖未示之公螺桿，使上述位置檢測兼雷射照射單元5沿導軌423、423在Z軸方向上移動。再者，在圖所示的實施形態中，是形成為藉由正轉驅動脈衝馬達532使位置檢測兼雷射照射單元5朝上方移動，藉由逆轉驅動脈衝馬達532使位置檢測兼雷射照射單元5朝下方移動。
在圖所示之實施形態中的位置檢測兼雷射照射單元5具有，用於檢測構成位置檢測兼雷射照射單元5的單元殼體52的聚光點位置調整方向(Z軸方向)位置的Z軸方向位置檢測機構54。Z軸方向位置檢測機構54是由，和上述導軌423、423平行地配置的直尺54a，及安裝在上述單元支架51上並與單元支架51一起沿著直尺54a移動的讀取頭54b所構成。在圖示的實施形態中，該Z軸方向位置檢測機構54 的讀取頭54b會將每0.1μm發出1個脈衝的脈衝信號傳送到後述的控制機構。
在構成上述位置檢測兼雷射照射單元5的單元殼體52的前端部，配置有拍攝機構85。該拍攝機構85，除了透過可見光進行拍攝之通常的拍攝元件(CCD)外，還可由用於對被加工物照射紅外線之紅外線照明機構、捕捉由該紅外線照明機構所照射的紅外線的光學系統，以及可輸出與該光學系統所捕捉之紅外線對應的電訊信號的拍攝元件(紅外線CCD)等所構成，並將所拍攝的影像信號傳送到後述之控制機構。
圖所示之實施形態中的雷射加工裝置1具有圖3所示的控制機構9。控制機構9是由電腦所構成，並設有按照控制程式進行演算處理的中央處理裝置(CPU)91、儲存控制程式等的唯讀記憶體(ROM)92、儲存後述的控制線路圖或被加工物的設計值資料或演算結果等的隨機存取記憶體(RAM)93、計數器94、輸入介面95以及輸出介面96。在像這樣被構成的控制機構9的輸入介面95中，可將來自上述X軸方向位置檢測機構374、Y軸方向位置檢測機構384、Z軸方向位置檢測機構54、高度位置檢測機構6之線性影像感測器71、拍攝機構85、輸入機構90等的檢測信號輸入。並且，可從控制機構9之輸出介面96，將控制信號輸出到上述脈衝馬達372、脈衝馬達382、脈衝馬達432、脈衝馬達532、聚光點位置調整機構650、雷射光線照射機構8之脈衝雷射光線振盪器811以及重複頻率設定機構812、顯示機構900等。
在圖所示的實施形態中的雷射加工裝置1是如以上所構成，以下就其作用進行說明。
圖4中所示為作為被加工物的半導體晶圓的立體圖。圖4所示之半導體晶圓10是由例如，厚度為200μm的矽晶圓所構成，且在表面10a被形成格子狀的複數條分割預定線101劃分而成的複數個區域中形成有IC、LSI等裝置102。像這樣被形成的半導體晶圓10，是如圖5所示地，將表面10a側黏貼在被裝設在環狀框架F之由聚烯烴等合成樹脂片所製成的例如，厚度為100μm的保護膠帶T上(保護膠帶黏貼步驟)。因此，半導體晶圓10變成背面10b在上側。
就使用上述雷射加工裝置，沿上述半導體晶圓10的分割預定線101照射雷射光線，以在半導體晶圓10內部沿者分割預定線101形成改質層的雷射加工的實施形態進行說明。再者，在半導體晶圓10內部形成改質層時，如果半導體晶圓的厚度厚薄不均，則無法均一地在預定的深度形成改質層。因此，實施雷射加工前，會以上述的高度位置檢測機構6量測被保持在夾頭台36上的半導體晶圓10的上表面高度位置。
要量測保持在夾頭台36上的半導體晶圓10的上表面高度位置時，首先是將半導體晶圓10的保護膠帶T側載置於上述圖1所示的雷射加工裝置1的夾頭台36上。並且，藉由使圖未示之吸引機構作動，以透過保護膠帶T將半導體晶圓10吸引保持於夾頭台36上(晶圓保持步驟)。因此，透過夾頭台36上的保護膠帶T被保持的半導體晶圓10，會變成背 面10b在上側。像這樣進行，當實施過晶圓保持步驟後，就可以作動加工傳送機構37以將吸引保持半導體晶圓10的夾頭台36定位到拍攝機構85的正下方。
當使夾頭台36定位至拍攝機構85的正下方時，則可實行利用拍攝機構85以及控制機構9檢測半導體晶圓10之應當雷射加工之加工區域的校準作業。亦即，拍攝機構85及控制機構9會實行用於使在半導體晶圓10之預定方向上形成的分割預定線101，和沿該分割預定線101構成半導體晶圓10之位置檢測兼雷射照射單元5的高度位置檢測機構6的聚光物鏡65的位置進行對齊之型樣匹配(pattern matching)等的影像處理，以完成檢測位置的校準。又，對於與形成在半導體晶圓10上之預定方向為直交的方向上所形成的分割預定線101，也是同樣地進行檢測位置的校準作業。此時，雖然半導體晶圓10形成有分割預定線101的表面10a位於下側，但是由於拍攝機構85如上所述地具有由紅外線照明機構和捕捉紅外線的光學系統以及可輸出對應紅外線之電訊信號的拍攝元件(紅外線CCD)等所構成的拍攝機構，故可從背面10b透過以拍攝分割預定線101。
如上述地進行校準作業，使夾頭台36上的半導體晶圓10變成定位在圖6(a)所示的座標位置的狀態。再者，圖6(b)所示是將夾頭台36，亦即分割預定線，從圖6(a)所示的狀態旋轉了90度的狀態。
再者，定位於圖6(a)及圖6(b)所示的座標位置之狀態中的形成於光裝置晶圓10上之各分割預定線101的傳 送開始位置座標值(A1、A2、A3…An)和結束位置座標值(B1、B2、B3…Bn)以及傳送開始位置座標值(C1、C2、C3…Cn)和結束位置座標值(D1、D2、D3…Dn)，是將其設計值之資料儲存於控制機構9的隨機存取記憶體(RAM)93中。
當如上述地檢測保持在夾頭台36上之形成於半導體晶圓10上的切割道101，並進行檢測位置的校準時，是移動夾頭台36以將在圖6(a)最上面的切割道101定位到構成位置檢測兼雷射照射單元5的高度位置檢測機構6的物鏡65的正下方。並且，進一步如圖7所示地將半導體晶圓10之切割道101一端(圖7中的左端)的傳送開始位置座標值(A1)(參照圖6(a))定位到物鏡65的正下方。然後，作動高度位置檢測機構6，同時使夾頭台36朝圖7中箭形符號X1所示的方向以預定的傳送速度(例如，200mm/秒)移動，並依據X軸方向位置檢測機構374所傳出的檢測信號移動到傳送結束位置座標值(B1)為止(高度位置檢測步驟)。其結果為，可透過高度位置檢測機構6如上所述地沿著半導體晶圓10在圖6(a)最上面的切割道101量測上表面的高度位置。並將該量測到的高度位置儲存在上述控制機構9的隨機存取記憶體(RAM)93中。並且，控制機構9可求出儲存在隨機存取記憶體(RAM)93中的圖6(a)最上面的切割道101從開始位置座標值(A1)到結束位置座標值(B1)為止的高度位置相對於基準高度位置的位移量，並製作成圖8所示之高度位置位移圖且儲存在隨機存取記憶體(RAM)93中。沿著形成於半導體晶圓10上的所有切割道101都實施這個高度位置檢測步驟，並 製作成上述高度位置位移圖以儲存在隨機存取記憶體(RAM)93中。
當實施過上述高度位置檢測步驟後，實施聚光點位置調整機構的作動確認步驟，確認是否依據所量測的半導體晶圓10的高度位置相對於基準高度位置所求出的位移量的高度位置位移圖，讓上述聚光點位置調整機構650進行追蹤而作動。這個聚光點位置調整機構的作動確認步驟是在製作出上述高度位置位移圖時，被輸入到控制機構9的從X軸方向位置檢測機構374傳出的檢測信號和從高度位置檢測機構6傳出的高度位置信號因信號傳達路徑等關係而有不一定是同時刻被檢測到之信號的情況時，為了要確認該信號的偏差，同時確認聚光點位置調整機構650之應答延遲而實施。
聚光點位置調整機構650的作動確認步驟，首先，將高度位置檢測步驟所實施之將保持有半導體晶圓10的夾頭台36移動以將例如，圖6(a)最上面的切割道101定位到構成位置檢測兼雷射照射單元5的高度位置檢測機構6的物鏡65的正下方。並且，進一步如圖9所示地將半導體晶圓10之切割道101一端(圖9中的左端)的傳送開始位置座標值(A1)(參照圖6(a))定位到物鏡65的正下方。並且，控制機構9作動聚光點定位機構53以將物鏡65的聚光點位置定位在基準高度位置處。接著，控制機構9作動加工傳送機構37以一邊將夾頭台36在圖9中朝箭形符號X1所示的方向以預定的傳送速度(例如，200mm/秒)移動，一邊對應儲存在隨機存 取記憶體(RAM)93中的高度位置位移圖之X座標之相對於基準高度位置的位移量控制聚光點位置調整機構650，同時作動高度位置檢測機構6以將高度位置檢測機構6檢測的高度資訊和依據X軸方向位置檢測機構374所傳出的檢測信號的X座標對應而求出。並且，控制機構9可求出對應X座標之高度位置相對於基準高度位置的位移量，並如圖10(a)或(b)所示地顯示在顯示機構900上。
在上述的聚光點位置調整機構的作動確認步驟中，當高度位置位移圖是以讓輸入到控制機構9之從X軸方向位置檢測機構374傳出的檢測信號和從高度位置檢測機構6傳出的高度位置信號同時間被檢測到的信號為依據而製作出來，並且，在聚光點位置調整機構650未出現作動延遲的情況下，則聚光點位置調整機構650之作動會正確適當地追蹤半導體晶圓10的高度位置而如圖10(a)所示地，使顯示在顯示機構900之對應X座標的高度位置相對於基準高度位置的位移量沿X軸大致變成直線。另一方面，當高度位置位移圖是以讓輸入到控制機構9之從X軸方向位置檢測機構374傳出的檢測信號和從高度位置檢測機構6傳出的高度位置信號於時間上產生偏差的信號為依據而被製作出來者，或者，在聚光點位置調整機構650有作動延遲的情況下，則聚光點位置調整機構650之作動無法正確適當地追蹤半導體晶圓10的高度位置，並如圖10(b)所示地，對應X座標之高度位置相對於基準高度位置的位移量會明顯變混亂。當對應於該X座標之高度位置相對於基準高度位置的位移量 的偏差幅度在容許範圍時，控制機構9會將以高度位置位移圖為依據的控制判斷成恰當並在顯示機構900上形成恰當顯示。另一方面，當對應於X座標之高度位置相對於基準高度位置的位移量的偏差幅度在容許範圍外時，控制機構9會將高度位置位移圖及/或聚光點位置調整機構650的應答性判斷成不恰當並在顯示機構900作不可顯示。
如上所述地在顯示機構900上作出不可顯示時，操作人員會實施補正值檢測步驟，將對應上述X座標的高度位置相對於基準高度位置的位移量的偏差幅度之補正值求出。亦即，操作人員從輸入機構90將補正值檢測指示信號輸入時，控制機構9會與上述作動確認步驟同樣地，一邊作動加工傳送機構37、高度位置檢測機構6、聚光點位置調整機構650，一邊在儲存於隨機存取記憶體(RAM)93中的高度位置位移圖中的X座標，和夾頭台的X座標之間使偏差產生以將高度位置相對於基準高度位置的位移量的偏差幅度調整成在容許範圍內。並且，控制機構9會決定將高度位置相對於基準高度位置的位移量的偏差幅度已變成在容許範圍內時的X座標的偏差量(x μm)作為補正值，並儲存至隨機存取記憶體(RAM)93，同時顯示在顯示機構900。
如上所述，實施過聚光點位置調整機構的作動確認步驟以及補正值檢測步驟後，可實施在半導體晶圓10內部沿分割預定線101形成改質層的改質層形成步驟。
為了實施該改質層形成步驟，首先會移動夾頭台36以將位於圖6(a)中最上面的分割預定線101定位到聚光物鏡65 的正下方。並且，進一步如圖11(a)所示地將分割預定線101的一端(圖11(a)中的左端)的傳送開始位置座標值(A1)(參照圖6(a))定位到聚光物鏡65的正下方。並且，將從構成雷射光線照射機構8的聚光物鏡65照射出來的脈衝雷射光線的聚光點P從分割預定線101的背面10b(上表面)定位到預定的深度位置處。接著，作動雷射光線照射機構8，一邊從物鏡65照射對半導體晶圓10具有穿透性波長的脈衝雷射光線，一邊使夾頭台36在箭形符號X1所示的方向上以預定的加工傳送速度(例如，200mm/秒)移動(改質層形成步驟)。又，如圖11(b)所示，當聚光物鏡65的照射位置抵達分割預定線101的另一端(圖11(b)之右端)時，則停止脈衝雷射光線之照射，同時停止夾頭台36的移動。在該改質層形成步驟中，控制機構9是依據儲存在隨機存取記憶體(RAM)93中的半導體晶圓10的分割預定線101之高度位置位移圖，來控制聚光點位置調整機構650，並將聚光物鏡65沿Z軸方向(聚光點位置調整方向)移動以如圖11(b)所示地使其對應半導體晶圓10的分割預定線101之背面10b(上表面)的高度位置於上下方向移動。此時，在上述補正值檢測步驟有設定求出的偏差量(x μm)(補正值)的情況中，是將從X軸方向位置檢測機構374傳出的檢測信號經偏差量(x μm)(補正值)補正過之值作為夾頭台的X座標。其結果為，在光裝置晶圓10的內部，如圖11(b)所示地從背面10b(上表面)到預定的深度位置處會與背面10b(上表面)平行地形成改質層110。
上述改質層形成步驟之加工條件，可舉例設定如 下。
光源：LD激發Q切換Nd：YVO4脈衝雷射
波長：1064nm
重複頻率：100kHz
平均輸出：0.5W
脈波寬度：120ns
聚光點點徑：φ 1μm
加工傳送速度：200mm/秒
如上所述，以此對沿半導體晶圓10的預定方延伸之所有分割預定線101都實施過上述改質層形成步驟後，使夾頭36旋轉90度，沿在相對於上述預定方向直交的方向上延伸的各分割預定線101實行上述改質層形成步驟。如此進行，沿著形成於半導體晶圓10上的所有分割預定線101都實行上述改質層形成步驟後，讓保持半導體晶圓10的夾頭台36返回最初吸引保持半導體晶圓10的位置，並在此解除半導體晶圓10的吸引保持。並且，將半導體晶圓10，以圖未示之搬送機構搬送到分割步驟。
如以上所述，在圖所示之實施形態中的雷射加工裝置1中，由於控制機構9具備可將一邊作動加工傳送機構37以在X軸方向上移動保持在夾頭台36上的半導體晶圓10一邊作動高度位置檢測機構6以量測半導體晶圓10的高度位置而得到的高度量測值，和以從X軸方向位置檢測機構374傳出的檢測信號為依據的X座標儲存起來之作為記憶機構的隨機存取記憶體(RAM)93，並可依據儲存在隨機存取 記憶體(RAM)93中的高度位置位移圖一邊作動加工傳送機構37以沿X座標移動保持在夾頭36上的半導體晶圓10一邊依據對應X座標的高度量測值控制聚光點位置調整機構650以將X座標之高度位置檢測機構6所檢測的高度資訊顯示在顯示機構900上，藉此，可以確認是否有追蹤保持在夾頭台36上的半導體晶圓10的上表面高度位置資訊以作動聚光點位置調整機構650，因而可將雷射光線的聚光點定位在正確適當的位置而可以提升加工精度。
以上，是根據圖所示之實施形態說明本發明，但是本發明並非僅受限於實施形態者，且可以在本發明主旨之範圍內進行各種變形。例如，在上述實施形態中，雖然是以干涉式的高度位置檢測機構作為高度位置檢測機構例示說明，但是高度位置檢測機構也可以採用共焦光學系統檢測機構、像散像差檢測機構、雷射位移系統(三角法)檢測機構等。
36‧‧‧夾頭台
6‧‧‧高度位置檢測機構
6a‧‧‧第1路徑
6b‧‧‧第2路徑
6c‧‧‧第3路徑
6d‧‧‧第4路徑
61‧‧‧發光源
62‧‧‧第1光分路機構
63、68‧‧‧視準鏡
64‧‧‧第2分路機構
641‧‧‧光分束器
642‧‧‧方向變換鏡
65‧‧‧聚光物鏡
650‧‧‧聚光點位置調整機構
651‧‧‧鏡頭罩殼
66、70‧‧‧聚光透鏡
67‧‧‧反射鏡
69‧‧‧繞射光柵
71‧‧‧線性影像感測器
8‧‧‧雷射光線照射機構
81‧‧‧脈衝雷射光線振盪機構
811‧‧‧脈衝雷射光線振盪器
812‧‧‧重複頻率設定機構
82‧‧‧分色鏡
W‧‧‧被加工物
LB‧‧‧脈衝雷射光線

Claims (3)

  1. 一種雷射加工裝置，包含，具有保持被加工物之保持面的夾頭台、設有聚集雷射光線以照射被保持在該夾頭台上的被加工物的聚光物鏡的雷射光線照射機構、檢測被保持在該夾頭台上的被加工物的上表面高度位置的高度位置檢測機構、相對於該夾頭台的保持面使該聚光物鏡在垂直方向(Z軸方向)上移動的聚光點位置調整機構、使該夾頭台和該雷射光線照射機構在加工傳送方向(X軸方向)上相對地作加工傳送的加工傳送機構、用於檢測該夾頭台的X軸方向位置的X軸方向位置檢測機構，及將控制信號輸出到該聚光點位置調整機構、該加工傳送機構及顯示機構的控制機構；其特徵在於，在該雷射加工裝置中，該控制機構具有將一邊作動該加工傳送機構以在X軸方向上移動被保持在該夾頭台上的被加工物一邊作動該高度位置檢測機構以量測被加工物的高度位置而得到的高度量測值，和以該X軸方向位置檢測機構所傳出之檢測信號為依據的X座標儲存起來的記憶機構，並一邊作動該加工傳動機構以在X軸方向上移動被保持在該夾頭上的被加工物，一邊依照該記憶機構所儲存的對應於X座標的高度量測值控制該聚光點位置調整機構，同時將該高度位置檢測機構檢測的高度資訊和X座標對應並顯示在顯示機構上。
  2. 如請求項1所述的雷射加工裝置，其中，該控制機構是 設定成，當顯示在該顯示機構之和X座標對應的高度資訊的偏差幅度是在容許範圍時，可進行雷射光線照射機構的作動，當和X座標對應的高度資訊的偏差幅度超出容許範圍時，則不可進行雷射光線照射機構的作動。
  3. 如請求項2所述的雷射加工裝置，其中，該控制機構是一邊作動加工傳送機構和高度位置檢測機構以及第1聚光點位置調整機構，一邊在和儲存在該記憶機構的X座標對應的高度資訊中的X座標、與該夾頭台的X座標之間使偏差產生以將高度資訊的偏差幅度調整成在容許範圍，並決定以高度資訊之偏差幅度已變成在容許範圍時的X座標的偏差量作為補正值。
TW103111232A 2013-05-31 2014-03-26 Laser processing device TWI629131B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013115554A JP6148075B2 (ja) 2013-05-31 2013-05-31 レーザー加工装置
JP2013-115554 2013-05-31

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201501848A true TW201501848A (zh) 2015-01-16
TWI629131B TWI629131B (zh) 2018-07-11

Family

ID=52091774

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW103111232A TWI629131B (zh) 2013-05-31 2014-03-26 Laser processing device

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP6148075B2 (zh)
KR (1) KR102114504B1 (zh)
CN (1) CN104209650B (zh)
TW (1) TWI629131B (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI685886B (zh) * 2015-11-05 2020-02-21 日商迪思科股份有限公司 晶圓的加工方法
TWI750367B (zh) * 2017-06-14 2021-12-21 日商迪思科股份有限公司 晶圓的加工方法

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107251422B (zh) * 2015-03-30 2020-12-29 京瓷株式会社 元件制造方法
JP6643837B2 (ja) * 2015-09-07 2020-02-12 株式会社ディスコ レーザー加工装置
JP6696842B2 (ja) * 2016-06-22 2020-05-20 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
KR102566170B1 (ko) * 2016-09-12 2023-08-10 삼성전자주식회사 웨이퍼 타공 장치
KR102070726B1 (ko) * 2017-04-04 2020-01-29 주식회사 이오테크닉스 레이저 가공 시스템 및 레이저 가공 방법
JP6907011B2 (ja) * 2017-04-24 2021-07-21 株式会社ディスコ レーザー加工装置、及びレーザー加工方法
JP6953242B2 (ja) * 2017-09-06 2021-10-27 株式会社ディスコ 高さ検出装置、及びレーザー加工装置
JP7034803B2 (ja) * 2018-03-30 2022-03-14 浜松ホトニクス株式会社 測距ユニット及び光照射装置
WO2019198512A1 (ja) * 2018-04-09 2019-10-17 東京エレクトロン株式会社 レーザー加工装置、レーザー加工システム、およびレーザー加工方法
CN109300823B (zh) * 2018-11-28 2021-02-09 德淮半导体有限公司 超声波扫描系统以及用于对晶圆进行超声波扫描的方法
JP7189026B2 (ja) * 2019-01-07 2022-12-13 株式会社ディスコ 被加工物の加工方法
JP7416069B2 (ja) * 2019-08-08 2024-01-17 株式会社ニコン 加工装置
WO2021038821A1 (ja) * 2019-08-30 2021-03-04 株式会社ニコン 処理システム及びロボットシステム
CN111958562A (zh) * 2020-07-20 2020-11-20 苏州紫光伟业激光科技有限公司 一种新型的紫外激光微加工平台
KR102543759B1 (ko) * 2021-04-27 2023-06-14 주식회사 대곤코퍼레이션 고정맵 기반 얼라이먼트 보상제어방식을 이용한 레이저 가공장치 및 그 방법

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3408805B2 (ja) 2000-09-13 2003-05-19 浜松ホトニクス株式会社 切断起点領域形成方法及び加工対象物切断方法
ITPD20030039A1 (it) * 2003-02-28 2004-09-01 Maus Spa Metodo di lavorazione per asportazione di truciolo di
JP2008119714A (ja) * 2006-11-10 2008-05-29 Marubun Corp レーザ加工装置
JP2008170366A (ja) * 2007-01-15 2008-07-24 Disco Abrasive Syst Ltd チャックテーブルに保持された被加工物の計測装置およびレーザー加工機
JP5010978B2 (ja) * 2007-05-22 2012-08-29 株式会社ディスコ レーザー加工装置
JP5248825B2 (ja) * 2007-09-06 2013-07-31 株式会社ディスコ チャックテーブルに保持された被加工物の高さ位置検出装置
JP2011122894A (ja) * 2009-12-09 2011-06-23 Disco Abrasive Syst Ltd チャックテーブルに保持された被加工物の計測装置およびレーザー加工機
JP5513272B2 (ja) 2010-06-15 2014-06-04 株式会社ディスコ チャックテーブルに保持された被加工物の高さ位置計測装置およびレーザー加工機
JP5752930B2 (ja) * 2010-12-06 2015-07-22 株式会社ディスコ レーザー加工装置
DE102011079083A1 (de) * 2011-07-13 2013-01-17 Trumpf Werkzeugmaschinen Gmbh + Co. Kg Verfahren zum Bearbeiten eines Werkstücks und Bearbeitungsvorrichtung
JP2013022614A (ja) * 2011-07-20 2013-02-04 Disco Corp レーザー加工装置
JP5797963B2 (ja) * 2011-07-25 2015-10-21 株式会社ディスコ レーザー光線のスポット形状検出方法
JP2013078785A (ja) * 2011-10-04 2013-05-02 Disco Corp レーザー加工装置の集光スポット位置検出方法
JP2013096853A (ja) * 2011-11-01 2013-05-20 Omron Corp 変位センサ

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI685886B (zh) * 2015-11-05 2020-02-21 日商迪思科股份有限公司 晶圓的加工方法
TWI750367B (zh) * 2017-06-14 2021-12-21 日商迪思科股份有限公司 晶圓的加工方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR20140141455A (ko) 2014-12-10
TWI629131B (zh) 2018-07-11
JP6148075B2 (ja) 2017-06-14
CN104209650B (zh) 2018-09-11
KR102114504B1 (ko) 2020-05-22
CN104209650A (zh) 2014-12-17
JP2014233731A (ja) 2014-12-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW201501848A (zh) 雷射加工裝置
KR102113353B1 (ko) 레이저 가공 장치
TWI768091B (zh) 高度檢測裝置及雷射加工裝置
TWI417509B (zh) A measuring device and a laser processing machine which are held at the chuck table
KR102148915B1 (ko) 가공 장치
JP5248825B2 (ja) チャックテーブルに保持された被加工物の高さ位置検出装置
US7564570B2 (en) Height position detector for work held on chuck table
JP5583981B2 (ja) レーザー加工方法
JP2011122894A (ja) チャックテーブルに保持された被加工物の計測装置およびレーザー加工機
TWI642095B (zh) Center detection method for wafer in processing device
JP2011237348A (ja) チャックテーブルに保持された被加工物の高さ位置計測装置およびレーザー加工機
KR102008532B1 (ko) 가공 장치
JP2013078785A (ja) レーザー加工装置の集光スポット位置検出方法
KR20180119124A (ko) 레이저 가공 방법
JP2009283566A (ja) ウエーハのレーザー加工方法およびレーザー加工装置
KR20210037535A (ko) 레이저 가공 장치
JP2011196785A (ja) チャックテーブルに保持された被加工物の計測装置およびレーザー加工機
JP2015099026A (ja) 検出装置