TW201447216A - 放熱構造體及其製造方法以及電子裝置 - Google Patents

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Abstract

本發明是一種放熱構造體及其製造方法以及電子裝置，而該放熱構造體具有：至少其中一方端部為彎曲之複數個碳元素的線狀構造體、與形成於線狀構造體表面且包覆線狀構造體另一方端部之部分的厚度是線狀構造體為可塑性變形之厚度的被覆層。

Description

放熱構造體及其製造方法以及電子裝置 發明領域
本發明是一種有關於放熱構造體及其製造方法以及電子裝置。
發明背景
對於用於伺服器或個人電腦之CPU(Central Processing Unit：中央處理器)等的電子元件，謀求可有效率地放熱從半導體元件散發之熱能。故，這些電子元件會具有設於半導體元件正上方之配置有具備銅等高熱傳導度材料之散熱片的構造。
此時，由於在發熱源與散熱片表面有微細之凹凸存在，因此即使使彼此直接接觸亦無法有足夠接觸面積作用，接觸界面變成有很大之熱阻，無法有效率地進行放熱。故，以減低接觸熱阻為目的，進行將發熱源與散熱片透過導熱介面材料(TIM)來連接。
該目的在於：在導熱介面材料除了其本身為具有高熱傳導率之材料以外，並謀求對於發熱源與散熱片表面之微細的凹凸可廣面積地接觸的特性。
習知，作為導熱介面材料，會使用吸熱膏或相變 材料(PCM)、銦等。這些材料作為放熱材料來使用之很大特徵之一在於：為電子機器之耐熱溫度以下並具有流動性，故，對於微細之凹凸可獲得很大接觸面積之點。
然而，吸熱膏或相變材料中，熱傳導率為1W/m．K~5W/m．K而相對地較低。又，除了銦為稀有金屬之外，因銦錫氧化物(ITO)相關之需要大幅增加，而價格昂貴，期待可有更平價之替代材料。
從上述背景來看，奈米碳管所代表之碳元素的線狀構造體為人所注目。奈米碳管不只在長邊方向具有非常高之熱傳導度(1500W/m．K~3000W/m．K)，並為柔軟性或耐熱性優異之材料，作為放熱材料具有相當高之潛力。
作為使用了奈米碳管之放熱構造體，提案有在樹脂中已將奈米碳管分散之放熱構造體、或在基板上將已定向成長之奈米碳管束利用樹脂等來埋入的放熱構造體。
而，作為本申請發明之背景技術為如下所述者。
[先行技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2006-295120號公報
[專利文獻2]日本特開2007-9213號公報
[專利文獻3]日本特開2012-199335號公報
發明概要
然而，習知之熱傳導片中，會有無法將奈米碳管 所具有之高熱傳導性充分地發揮之情形。
本發明之目的在於提供一種熱傳導性良好之放熱構造體及其之製造方法以及使用其放熱構造體之電子裝置。
根據本發明之一觀點，可提供一種放熱構造體，其特徵在於具有：複數個碳元素之線狀構造體，至少其中一方端部為彎曲；被覆層，形成於前述線狀構造體表面，且包覆前述線狀構造體之另一方端部之部分的厚度是前述線狀構造體為可塑性變形的厚度。
根據本發明之其他觀點，可提供一種放熱構造體之製造方法，其特徵在於包含有以下步驟：將複數個碳元素之線狀構造體形成於基板上；使前述複數個線狀構造體之前端部彎曲；利用原子層沉積法，在前述線狀構造體表面，形成包覆前述線狀構造體另一方端部之部分的厚度是前述線狀構造體為可塑性變形之厚度的被覆層。
進而根據本發明之其他觀點，可提供一種電子裝置，其特徵在於具有：發熱體；放熱體；及放熱構造體，具有其中一方端部為彎曲之複數個碳元素之線狀構造體、與形成於前述線狀構造體表面且包覆前述線狀構造體另一方端部之部分的厚度是前述線狀構造體為可塑性變形之厚度的被覆層，且前述線狀構造體之前述另一方端部為彎曲；又，前述複數個線狀構造體之彎曲之前述其中一方端部側面的一部分與前述發熱體及前述放熱體其中一方相 接，前述複數個線狀構造體之彎曲之前述另一方端部側面的一部分與前述發熱體及前述放熱體另一方相接。
根據揭示之放熱構造體，碳元素之線狀構造體其中一方之端部為彎曲，且形成於線狀構造體表面之被覆層當中包覆線狀構造體另一方端部之部分的厚度會設定成線狀構造體可塑性變形之厚度。故，可使線狀構造體另一方之端部彎曲。故，可將線狀構造體其中一方之端部或另一方端部之側面與發熱體或放熱體以線接觸來接觸。且，線狀構造體所彎曲之其中一方之端部或另一方端部便容易追隨變形。故，便可抑制產生不與發熱體或放熱體相接之線狀構造體。因此，便可提供可實現良好熱傳導性的放熱構造體。
10‧‧‧放熱構造體
12‧‧‧奈米碳管
14‧‧‧前端部
16‧‧‧根部
18‧‧‧被覆層
20‧‧‧充填層、熱可塑性樹脂薄膜
22‧‧‧電路基板
24‧‧‧半導體元件
26‧‧‧銲點凸塊
28‧‧‧散熱片
30‧‧‧有機密封層
32‧‧‧電子裝置
34‧‧‧基板
35‧‧‧構造物
36‧‧‧台座
38‧‧‧構造物
t1~t4‧‧‧時間
P1~P5‧‧‧測定處
[圖1]圖1是顯示一實施形態之放熱構造體例的截面圖。
[圖2]圖2是顯示一實施形態之放熱構造體之其他例的截面圖。
[圖3]圖3是顯示一實施形態之電子裝置的截面圖。
[圖4]圖4(a)、(b)是顯示一實施形態之放熱構造體製造方法之例的步驟截面圖(其1)。
[圖5]圖5(a)、(b)是顯示一實施形態之放熱構造體製造方法之例的步驟截面圖(其2)。
[圖6]圖6(a)、(b)是顯示一實施形態之放熱構造體製造 方法之例的步驟截面圖(其3)。
[圖7]圖7(a)、(b)是顯示一實施形態之放熱構造體製造方法之例的步驟截面圖(其4)。
[圖8]圖8(a)、(b)是顯示一實施形態之放熱構造體製造方法之其他例的截面圖(其1)。
[圖9]圖9(a)、(b)是顯示一實施形態之放熱構造體製造方法之其他例的截面圖(其2)。
[圖10]圖10是顯示使奈米碳管前端部彎曲之狀態的掃瞄型電子顯微鏡照片的圖。
[圖11]圖11是顯示在奈米碳管表面已形成被覆層之狀態之掃瞄型電子顯微鏡照片的圖。
[圖12]圖12(a)、(b)是顯示與圖11之測定處P1、P2對應且擴大之掃瞄型電子顯微鏡照片的圖。
[圖13]圖13(a)、(b)是顯示與圖11之測定處P3、P4對應且擴大之掃瞄型電子顯微鏡照片的圖。
[圖14]圖14是顯示與圖11之測定處P5對應且擴大之掃瞄型電子顯微鏡照片的圖。
[圖15]圖15是顯示使奈米碳管之根部彎曲之狀態之掃瞄型電子顯微鏡照片的圖。
[圖16]圖16是顯示待機時間之長度與屈曲位置之關係的圖表。
[圖17]圖17(a)、(b)是顯示一實施形態之電子裝置製造方法之例的步驟截面圖(其1。
[圖18]圖18(a)、(b)是顯示一實施形態之電子裝置製造 方法之例的步驟截面圖(其2)。
[圖19]圖19(a)、(b)是顯示一實施形態之電子裝置製造方法之其他例的步驟截面圖。
習知之熱傳導片中，構造成使奈米碳管之端面與發熱體或放熱體以點接觸來接觸的構造。
故，不易使奈米碳管之端面與發熱體或放熱體確實地接觸，會有產生端面不與發熱體或放熱體接觸之奈米碳管的情形。
當發熱體或放熱體與奈米碳管有不接觸處產生時，熱傳導性就會降低，無法將從發熱體散發之熱有效地放熱。
[一實施形態]
將一實施形態之放熱構造體及其製造方法以及使用了其放熱構造體之電子裝置及其製造方法，使用圖1至圖15來說明。
(放熱構造體)
首先，針對本實施形態之放熱構造體，使用圖1來說明。圖1是顯示本實施形態之放熱構造體之例的截面圖。
如圖1所示，本實施形態之放熱構造體(放熱構件、放熱材料、放熱片、熱傳導片)10具有複數個碳元素之線狀構造體(奈米碳管)12。複數個奈米碳管12彼此空出間隔來形成。
奈米碳管12可為單層奈米碳管，亦可為多層奈米 碳管。在此，例如形成多層奈米碳管12。
一根多層奈米碳管12所包含之奈米碳管的層數並非特別限定者，但例如為3~6左右。一根多層奈米碳管12所包含之奈米碳管層數的平均例如為4左右。奈米碳管12之直徑並非特別限定者，但例如為10~20nm左右。奈米碳管12之直徑的平均例如為15nm左右。奈米碳管12之長度並非特別限定者，但例如為50~200μm左右。奈米碳管12之面密度並非特別限定者，但從獲得足夠熱傳導性之觀點來看，宜為1×1010根/cm2以上。在此，使奈米碳管12之面密度例如為1×1011根/cm2左右。
複數個奈米碳管12之前端部14為彎曲。
而，所謂的奈米碳管之前端部是指將奈米碳管在基板上成長時，與位於基板側之部分相反側部分者。將奈米碳管在基板上成長時，位於基板側之部分稱為根部。
複數個奈米碳管12之表面形成有被覆層(被膜、塗膜)16。這種被覆層16形成為使其包覆複數個奈米碳管12之表面。藉由在奈米碳管12之表面形成被覆層16，便可使奈米碳管12之彈性(機械性強度)提升。被覆層16之材料並非特別限定者，但例如可使用氧化物等。作為被覆層16之材料所使用之氧化物，可舉例有例如鋁氧化物(Al2O3)、鈦氧化物(TiOX)、鉿氧化物(RuOX)、鐵氧化物(FeOX)、銦氧化物(InOX)、鑭氧化物(LaOX)等。又，亦可將鉬氧化物(MoOX)、鈮氧化物(NbOX)、鎳氧化物(NiO)、釕氧化物(RuOX)、矽氧化物(SiO2)、釩氧化物(VOX)、鎢氧化物(WOX)等作為被覆 層16之材料來使用。又，亦可將釔氧化物(YOX)、鋯氧化物(ZrOX)等作為被覆層16之材料來使用。在此，鋁氧化物(氧化鋁、礬土)可作為被覆層16之材料來使用。被覆層16可利用例如ALD(Atomic Layer Deposition、原子層沉積)法來形成。
被覆層16之厚度會從奈米碳管12之前端部14側朝向奈米碳管12之根部18側而緩緩地變薄。換言之，被覆層16之粒徑會從奈米碳管12之前端部14側朝向根部18側緩緩地變小。包覆奈米碳管12之被覆層16較薄時，奈米碳管12會塑性變形，但當使包覆奈米碳管12之被覆層16的厚度變厚時，奈米碳管12就會變成彈性變形。在奈米碳管12之根部18側，將被覆層16之厚度設定成較薄而使奈米碳管12可塑性變形。另一方面，在除去奈米碳管12之根部18附近的部分，將被覆層16之厚度設定成較厚而使其充分地確保奈米碳管12之機械性強度。在除去奈米碳管12之根部18附近的部分，奈米碳管12可彈性變形。
在使包覆奈米碳管12之被覆層16的厚度(粒徑)緩緩地變大時，將奈米碳管12不會塑性變形時之被覆層16的厚度(粒徑)在此稱為臨界厚度(臨界粒徑)。在包覆奈米碳管12之被覆層16的厚度比臨界厚度更厚的部分，奈米碳管12會彈性變形。包覆奈米碳管12之被覆層16的厚度比臨界厚度更薄的部分，奈米碳管12會塑性變形。這種臨界厚度由於也會依據被覆層16之膜質等，因此不一定為固定，但如被覆層16之厚度(粒徑)為20nm以下，便會有很多奈米碳 管12塑性變形之情形。因此，將奈米碳管12之根部18之被覆層16的厚度(粒徑)設定成例如20nm以下。在此，使奈米碳管12之根部18之被覆層16的厚度(粒徑)例如為19.6nm左右。另一方面，使奈米碳管12之前端部14之被覆層16的厚度(粒徑)例如為37nm左右。
奈米碳管12之前端部14與根部18之間的中間部分會定向為使其並行。更具體而言，奈米碳管12之前端部14與根部18之間的中間部分會定向成垂直方向。
複數個奈米碳管12之根部18如上所述地可塑性變形。故，如後所述，奈米碳管12之根部側在裝配時等可彎曲。
本實施形態中，使奈米碳管12之前端部14側彎曲，並使奈米碳管12之根部18側可塑性變形者是根據以下的理由。
即，以往，使奈米碳管兩端與發熱體或放熱體以點接觸來接觸。由於發熱體或放熱體表面有粗糙度存在，因此不易使奈米碳管之前端部或根部與發熱體或放熱體確實地接觸。又，點接觸之連接無法追隨因溫度變化等之發熱體或放熱體的變形。
為了使放熱構造體可追隨發熱體或放熱體表面之粗糙度，在發熱體與放熱體之間包夾放熱構造體之後，一面加熱一面亦進行押壓。此時，放熱構造體變形，在奈米碳管端部之高度位置會有不均產生之情形。當奈米碳管端部之高度位置有不均產生時，複數個奈米碳管當中只有 一部分之奈米碳管無法與發熱體或放熱體相接。在發熱體或放熱體與奈米碳管不相接之處，熱則不易傳達。
如上所述，在習知之放熱構造體，會有不一定能充分地獲得良好熱傳導性之情形。
相對於此，如使奈米碳管12之前端部14或根部18彎曲，奈米碳管12之前端部14或根部18之側面便可與發熱體或放熱體以線接觸來接觸。且，奈米碳管12為彎曲之前端部14或根部18可容易追隨變形。故，本實施形態中，可抑制產生不與發熱體或放熱體相接之奈米碳管12。因此，根據本實施形態，可獲得熱傳導性良好之放熱構造體。
根據上述理由，本實施形態中，使奈米碳管12之前端部14側彎曲，並且使奈米碳管12之根部18側可彎曲。
形成有充填層(樹脂層)20而使其充填複數個奈米碳管12間。奈米碳管12之前端部14側會成為埋入於充填層20之狀態。另一方面，奈米碳管12之根部18側會成為從充填層20露出之狀態。作為充填層20之材料，例如可使用熱可塑性樹脂。充填層20是根據溫度在液體與固體之間可逆地狀態變化者，室溫下為固體，一加熱就變化成液狀，一冷卻就會出現接著性並回到固體。作為充填層20之材料，可舉例有例如以下所示之熱熔樹脂。作為聚醯胺系熱熔樹脂，可舉例有例如Henkel Japan株式會社製之「Micromelt6239」(軟化點溫度：140℃)。又，作為聚酯系熱熔樹脂，可舉例有例如Nogawa Chemical株式會社之「DH598B」(軟化點溫度：133℃)。又，作為聚氨酯系熱熔 樹脂。可舉例有例如Nogawa Chemical株式會社製之「DH722B」。又，作為聚烯系熱熔樹脂，可舉例有例如松村石油株式會社製之「EP-90」(軟化點溫度：148℃)。又，作為乙烯共聚物熱熔樹脂，可舉例有例如Nogawa Chemical株式會社製之「DA574B」(軟化點溫度：105℃)。又，作為SBR系熱熔樹脂，可舉例有例如橫浜橡膠株式會社製之「M-6250」(軟化點溫度：125℃)。又，作為EVA系熱熔樹脂，可舉例有例如住友3M株式會社製之「3747」(軟化點溫度：104℃)。又，作為丁基橡膠系熱熔樹脂，可舉例有例如橫浜橡膠株式會社製之「M-6158」。在此，作為充填層20之材料，可使用例如Henkel Japan株式會社製之「Micromelt6239」。
充填層20之融解溫度宜比安裝放熱構造體10之發熱體24(圖3參照)作用時之發熱溫度上限值更高。又，充填層20之融解溫度宜比在將放熱構造體10、發熱體24及放熱體28(參照圖3)安裝於電路基板22(參照圖3)上之後，即，裝配後所進行之熱處理溫度更高。這是因為當裝配後充填層20融解時，放熱構造體10就會變形，奈米碳管12之定向性會受損，進而，會有招致熱傳導性降低之虞的緣故。
如此一來，便可形成本實施形態之放熱構造體10。
如上所述，根據本實施形態，奈米碳管12之前端部14為彎曲。且，形成於奈米碳管12表面之被覆層16當中包覆奈米碳管12之根部18之部分的厚度會設定成奈米碳管 12可塑性變形之厚度。故，可使奈米碳管12之根部18彎曲。故，便可將奈米碳管12之前端部14或根部18之側面與發熱體或放熱體以線接觸來接觸。且，奈米碳管12之彎曲的前端部14或根部18會容易追隨變形。故，根據本實施形態，便可抑制產生不與發熱體或放熱體相接之奈米碳管12。因此，根據本實施形態，便可提供可實現良好熱傳導性之放熱構造體。
而，以上所述，是以奈米碳管12之根部18側從充填層20露出之狀態時為例來說明，但不限定於此。
例如，如圖2所示，奈米碳管12之根部18側亦可用彎曲之狀態來埋入於充填層20中。
圖2是顯示本實施形態之放熱構造體之其他例的截面圖。
如圖2所示，複數個奈米碳管12之根部側18在彎曲之狀態下埋入於充填層20。奈米碳管12之根部側18是在奈米碳管12表面形成被覆層16後而彎曲者。
如上所述，奈米碳管12之前端部14與根部18兩方可在彎曲之狀態下朝充填層20中將奈米碳管12埋入。
(電子裝置)
接著，針對使用了本實施形態之放熱構造體之電子裝置，使用圖3來說明。圖3是顯示本實施形態之電子裝置的截面圖。
如圖3所示，多層配線基板等之電路基板22例如實際安裝有CPU等之半導體元件(半導體晶片)24。半導體元 件24透過銲點凸塊26等來與電路基板22電性地連接。
用以擴散來自半導體元件24之熱的散熱片28會形成為使其包覆半導體元件24。在半導體元件24與散熱片28之間，配置有上述之本實施形態之放熱構造體10。散熱片28利用例如有機密封層30等與電路基板22黏貼。
如上所述，本實施形態之電子裝置中，半導體元件24與散熱片28之間，即發熱體(發熱部)124與放熱體(放熱部)28之間設有本實施形態之放熱構造體10。
奈米碳管12之彎曲之前端部14側面的一部分例如與放熱體28相接。
奈米碳管12之彎曲之根部18側面的一部分例如與發熱體24相接。
而，奈米碳管12之彎曲之前端部14側面的一部分可與發熱體24相接。又，奈米碳管12之彎曲之根部18側面的一部分可與放熱體28相接。
如此一來，便可形成本實施形態之電子裝置32。
(放熱構造體之製造方法)
接著，針對本實施形態之放熱構造體的製造方法，使用圖4至圖7來說明。圖4至圖7是顯示本實施形態之放熱構造體製造方法之例的步驟截面圖。
首先，如圖4(a)所示，準備用以使奈米碳管12成長之基座的基板(基材、基體)34。作為基板34，可使用例如矽基板。
而，基板34並非限定於矽基板者。作為基板34， 可使用例如礬土基板、藍寶石基板、MgO基板、玻璃基板等。
接著，利用例如CVD(Chemical Vapor Deposition、化學氣相沉積)法或是熱氧化法，在矽基板34之表面形成膜厚300nm左右之矽氧化膜(未圖示)。
接著，在矽氧化膜上形成底層膜(未圖示)。底層膜是成為後述觸媒金屬膜(未圖示)之底層者。作為底層膜之材料，可使用鉬(Mo)、鈦(Ti)、鉿(Hf)、釔(Zr)、鈮(Nb)、釩(V)、氮化組(TaN)、矽化鈦(TiSiX)、鋁(Al)等。又，可將氧化鋁(Al2O3)、氧化鈦(TiOX)、鉭(Ta)、鎢(W)、銅(Cu)、金(Au)、白金(Pt)、鈀(Pd)、氮化鈦(TiN)等作為底層膜之材料來使用。又，可將包含這些材料當中之任一者的合金作為底層膜之材料來使用。在此，作為底層膜之材料例如使用鋁。
接著，例如利用濺鍍法，來形成觸媒金屬膜(未圖示)。觸媒金屬膜是成為在基板34上使奈米碳管12成長時之觸媒者。作為觸媒金屬膜之材料，例如可使用鐵(Fe)、鈷(Co)、鎳(Ni)、金、銀、白金，或是包含這些當中之任一者的合金。在此，作為觸媒金屬膜之材料。例如使用鐵。
作為底層膜(未圖示)之材料而使用鋁，作為觸媒金屬膜之材料而使用鐵時，便在基板34上形成鋁膜與鐵膜之積層構造。此時，鋁之底層膜的膜厚例如為10nm左右，鐵之觸媒金屬膜的膜厚例如為2.5nm左右。
作為底層膜之材料而使用氮化鈦，作為觸媒金屬 膜之材料而使用鈷時，便可在基板34上形成氮化鈦膜與鈷膜之積層構造。此時，氮化鈦之底層膜的膜厚例如為5nm左右，鈷之觸媒金屬膜的膜厚例如為2.5nm左右。
又，使奈米碳管成長時所使用之觸媒並不限定於金屬膜，亦可為金屬微粒子。作為觸媒而使用金屬微粒子時，例如宜使用微分型靜電分級器(DMA：differential mobility analyzer)等，來控制金屬微粒子之尺寸。作為金屬微粒子之材料，可適宜地使用與上述之觸媒金屬膜之材料相同的材料。
作為底層膜之材料而使用氮化鈦，作為金屬微粒子之觸媒的材料而使用鈷時，便可在基板34上形成氮化鈦之底層膜上有鈷之金屬微粒子存在的構造。此時，氮化鈦之膜厚例如為5nm左右，鈷之金屬微粒子的平均粒徑例如為3.8nm左右。
接著，例如利用熱絲CVD(Hot Filament Chemical Vapor Deposition熱絲化學氣相沉積)法，在形成有觸媒之基板34上使奈米碳管12成長。奈米碳管12之成長條件例如為以下。作為原料氣體，例如使用乙炔氣體與氬氣之混合氣體。乙炔氣體與氬氣之分壓比例如為1：9左右。成長室內之總氣體壓例如為1kPa左右。熱絲之溫度例如為1000℃左右。當用上述條件使奈米碳管12成長時，奈米碳管12之成長率就會成為例如4μm/min左右。奈米碳管12之長度例如為80μm左右。奈米碳管12之長度例如藉由適宜調整成長時間而可獲得控制。一根多層奈米碳管12所包含之奈米碳管的 層數例如為3~6左右。一根多層奈米碳管12所包含之奈米碳管層數的平均例如為4左右。奈米碳管12之直徑例如為4~8nm左右。奈米碳管12之直徑的平均例如為6nm左右。奈米碳管12之面密度並非特別限定者，但從獲得充分放熱性之觀點來看，宜為1×1010根/cm2以上。當用如上述之條件成長時，奈米碳管12之面密度會成為例如1×1011根/cm2左右。
而，奈米碳管12之成長方法並不限定於熱絲CVD法。例如，亦可利用熱CVD法或遠程電漿CVD法等來使奈米碳管12成長。
又，成長之奈米碳管12亦可為單層奈米碳管。
又，使奈米碳管12成長時所使用之原料並不限定於乙炔。例如，亦可將乙烷氣體、乙烯氣體等之碳氫化合物類作為原料而使用，來使奈米碳管12成長。又，亦可將乙醇、甲醇等之酒精類作為原料而使用，來使奈米碳管12成長。
接著，如圖4(b)所示，藉由將複數個奈米碳管12加壓，即，施加負重，來使奈米碳管12之前端部14彎曲。具體而言，將平坦之構造物35與奈米碳管12之前端部14接觸，使用構造物35來對奈米碳管12施加負重。作為構造物35之材料，例如使用矽基板等。負重宜例如為0.125MPa~0.25MPa左右。如此一來，奈米碳管12之前端部14會塑性變形，便可獲得前端部14彎曲之奈米碳管12。
接著，如圖5(a)所示，例如利用ALD法，來形成被覆層16。ALD法是使成為應沉積之層的原料的複數種反 應氣體在基板上交互地供給，以1原子層單位或是1分子層單位在基板上吸附，並利用在基板表面之化學反應來進行沉積者。利用ALD法來形成被覆層16時，例如可使用原子層沉積裝置(ALD裝置)。作為原子層沉積裝置，例如可使用Cambridge NanoTech社製之Savannah 100、Savannah 200等。
被覆層16形成為使其包覆複數個奈米碳管12之表面。被覆層16之材料並非特別限定者，但例如可使用氧化物等。作為被覆層16之材料而使用之氧化物可舉例有例如鋁氧化物(Al2O3)、鈦氧化物(TiOX)、鉿氧化物(RuOX)、鐵氧化物(FeOX)、銦氧化物(InOX)、鑭氧化物(LaOX)等。又，可將鉬氧化物(MoOX)、鈮氧化物(NbOX)、鎳氧化物(NiO)、釕氧化物(RuOX)、矽氧化物(SiO2)、釩氧化物(VOX)、鎢氧化物(WOX)等作為被覆層16之材料來使用。又，可將釔氧化物(YOX)、鋯氧化物(ZrOX)等作為被覆層16之材料來使用。在此，例如形成鋁氧化物之被覆層16。
本實施形態中，形成被覆層16而使其從奈米碳管12之前端部14側朝向根部18側緩緩地厚度變薄。換言之，形成被覆層16而使其從奈米碳管12之前端部14側朝向根部18側，粒徑或緩緩地變小。圖5(b)是將被覆層16之粒徑緩緩地變小之情形概念地顯示者。
如上所述，包覆奈米碳管12之被覆層16的厚度比臨界厚度更薄時，奈米碳管會塑性變形，但當包覆奈米碳管12之被覆層16比臨界厚度更厚時，奈米碳管12就會彈性變形。在奈米碳管12之表面形成被覆層16後，奈米碳管12 之根部18之被覆層16的厚度會設定成比臨界厚度更薄而可使奈米碳管12之根部18側彎曲。如上所述，臨界厚度由於亦會被被覆層16之膜質等所影響，因此不一定為固定，但如被覆層16之厚度(粒徑)為20nm以下，便有許多奈米碳管12塑性變形之情形。在此，使奈米碳管12之根部18側之被覆層16的厚度(粒徑)為例如19.6nm左右。另一方面，使奈米碳管12之前端部14之被覆層16的厚度(粒徑)為例如37nm左右。
ALD法之被覆層16之沉積條件會如以下所述。反應室(氣室)內之溫度例如為200℃。作為原料氣體(前驅物)，會使用TMA(Trimethylaluminium，三甲基鋁)氣體與H2O氣體。作為沖洗氣體，例如使用惰性氣體。作為這種惰性氣體，例如使用N2氣體。N2氣體之流量例如為20sccm左右。沖洗氣體從被覆層16之沉積開始之前到被覆層16之沉積結束為止之間，都會持續流動。沉積被覆層16時，會將TMA氣體與H2O氣體交互地朝氣室內供給。更具體而言，將TMA氣體只供給時間t1，之後，只待機時間t2，之後，將H2O氣體只供給時間t3，之後，只待機時間t4，以上為1循環。TMA氣體每1秒間之供給量例如為20sccm，且供給時間t1例如為0.01~1秒左右。待機時間t2例如為1~30秒左右。在此，使待機時間t2例如為8秒左右。H2O氣體之每1秒之供給量例如為20sccm，且供給時間t3例如為0.01~1秒左右。待機時間t4例如為1~30秒左右。在此，待機時間4例如為8秒左右。藉由將該循環進行例如200循環左右，來形成被覆層16。
本實施形態中，進行被覆層16之沉積時，不會進行停止閥(未圖示)之開關。停止閥是用以使從氣室內朝外部之氣體的排氣停止之閥。
本實施形態中，進行被覆層16之沉積時，不進行停止閥之開關是由於如以下之理由。
即，作為進行被覆層之沉積時進行停止閥之開關的手法，可考慮有例如以下之手法。即，首先，在供給TMA氣體之前關閉停止閥，之後，朝氣室內供給TMA氣體，之後只待機預定時間。接著，開啟停止閥，只待機預定時間，藉此沖洗TMA氣體。接著，在供給H2O氣體之前關閉停止閥，之後，朝氣室內供給H2O氣體，之後，只待機預定時間。接著，開啟停止閥，只待機預定時間，藉此沖洗H2O氣體。藉由重覆進行該循環，來沉積被覆層。
如上所述，在進行原料氣體之供給前，關閉停止閥，並在進行原料氣體之供給後，待機一定程度的時間時，原料氣體不單是奈米碳管12之前端部14，亦可充分到達根部18。此時，不單是奈米碳管12之前端部14，在根部18，被覆層16之厚度(粒徑)亦可充分變大。在奈米碳管12之根部18，被覆層16之厚度變得比臨界厚度更大時，奈米碳管12之根部18便無法塑性變形，變得不易使其彎曲。
相對於此，如本實施形態，進行被覆層16之沉積時，且不進行停止閥之開關的情況下，原料氣體就不易到達奈米碳管12之根部18。故，便可形成從奈米碳管12之前端部14朝向根部18，厚度(粒徑)會變薄之被覆層16。
根據上述理由，本實施形態中，沉積被覆層16時，不會進行停止閥之開關。
被覆層16之厚度的分布可藉由適宜調整待機時間t2、t4而可調整。
即，當使待機時間t2變短時，在TMA氣體就朝向奈米碳管之根部以不太進行之狀態來供給H2O氣體。又，當使待機時間t4變短時，在H2O氣體朝向奈米碳管之根部以不太進行之狀態來供給TMA氣體。此時，由於在奈米碳管12之根部18不易形成被覆層16，因此奈米碳管12之根部18之被覆層16的厚度會變薄。
另一方面，當使待機時間t2變長時，TMA氣體在奈米碳管之根部以進行一定程度之狀態來供給H2O氣體。又，當使待機時間t4變長時，H2O氣體朝向奈米碳管之根部以進行一定程度之狀態來供給TMA氣體。此時，由於亦容易在奈米碳管12之根部18形成被覆層16，因此奈米碳管12之根部18之被覆層16的厚度會變厚。
因此，藉由適宜地控制待機時間t2、t4，便可控制被覆層16之厚度的分布。換言之，藉由適宜地控制待機時間t2、t4，便可控制被覆層16之厚度成為臨界厚度的位置。
接著，如圖6(a)所示，前端部14為彎曲，在形成有被覆層16之複數個奈米碳管12所形成之基板28上方，將薄膜狀之熱可塑性樹脂(熱可塑性樹脂薄膜)20載置。熱可塑性樹脂薄膜20是成為充填層者。熱可塑性樹脂薄膜20之厚度例如為100μm左右。
作為熱可塑性樹脂薄膜20之材料，例如，可使用如上述之熱熔樹脂。在此，作為熱可塑性樹脂薄膜20之材料，例如使用Henkel Japan株式會社製之「Micromelt6239」。「Micromelt6239」之融解溫度為135~145℃左右。又，「Micromelt6239」之融解時之黏度在225℃時為5.5~8.5Pa．s左右。
接著，將載置有熱可塑性樹脂薄膜20之基板34加熱到熱可塑性樹脂薄膜20之融解溫度以上的溫度。根據需要，亦可從熱可塑性樹脂薄膜20上押壓。藉此，熱可塑性樹脂薄膜20會融解，朝奈米碳管12之管束內緩緩地浸透(參照圖6(b))。熱可塑性樹脂薄膜20之浸透會在到達奈米碳管12之根部18之前停止。熱可塑性樹脂薄膜20下面與奈米碳管12之根部18下面之間的距離例如為50μm左右。使熱可塑性樹脂薄膜20朝奈米碳管12之管束浸透的深度可利用熱處理溫度或熱處理時間來控制。在此，例如，使熱處理溫度例如為195℃左右，使熱處理時間例如為5分鐘。如此一來，奈米碳管12之管束當中除去根部18的部分會利用熱可塑性樹脂之充填層(樹脂層)20而成為充填之狀態。而，將奈米碳管12之一部分利用充填層20來充填是因為將奈米碳管12從基板34可容易地剝離的緣故。
接著，藉由例如冷卻到室溫，來固化熱可塑性樹脂薄膜20。
接著，如圖7(a)所示，將奈米碳管12與充填層20一起從基板34剝離。
如此一來，彎曲之前端部14側會朝充填層20埋入，便可獲得包含複數個奈米碳管12的放熱構造體10(參照圖7(b))，而該奈米碳管12中，可塑性變形之根部18側會從充填層20露出。
如此一來，便可製造本實施形態之放熱構造體10。
而，以上所述，已顯示奈米碳管12之根部18側從充填層20露出之狀態的放熱構造體10，但不限於此。
例如，使用圖2，如上所述，可在將奈米碳管12之根部18側彎曲之狀態下，將奈米碳管12朝充填層20埋入。
圖8與圖9是顯示本實施形態之放熱構造體製造方法之其他例的截面圖。
首先，使用圖4至圖7，利用上述之放熱構造體製造方法，來獲得奈米碳管12之根部18側從充填層20露出之狀態的放熱構造體10(參照圖7(b))。
接著，如圖8(a)所示，在台座(基體、支持基板)36上將放熱構造體10載置。此時，在台座36上將放熱構造體10載置而使從充填層20露出之奈米碳管12的根部18與台座36相接。作為構造物36之材料，例如可使用鐵氟龍(登錄商標)等。
接著，如圖8(b)所示，對放熱構造體10施加負重，藉此使奈米碳管12之根部18彎曲。具體而言，將平坦之構造物38與放熱構造體10上面接觸，並利用構造物38對奈米碳管12施加負重。作為構造物38之材料，例如可使用 鐵氟龍(登錄商標)等。負重例如宜為0.5MPa~1.5MPa左右。如此一來，奈米碳管12之根部18側會塑性變形，成為奈米碳管12之根部18側彎曲之狀態。
接著，將載置於台座36上之放熱構造體10加熱至充填層20之融解溫度以上。根據需要，可利用構造物38對充填層20施加負重。藉此，充填層20融解，並朝奈米碳管12之管束內緩緩地浸透(參照圖9(a))。在充填層20之浸透到達奈米碳管12之根部18之底面的階段，就結束加熱。熱處理溫度例如為225℃左右。熱處理時間例如為30分鐘。如此一來，會成為不單是奈米碳管12之前端部14，連根部18亦可利用充填層20埋入之狀態。
接著，例如藉由冷卻到室溫，來固化充填層20。
接著，將構造物38從放熱構造體10上取下，並且將放熱構造體10從台座36上取下。
如此一來，便可獲得不單是奈米碳管12之前端部14，連根部18亦可彎曲之狀態下朝充填層20埋入的放熱構造體10(參照圖9(b))。
如上所述，可不單是將奈米碳管12之前端部14，連根部18也彎曲之狀態夏朝充填層20埋入。
(評價結果)
接著，針對本實施形態之放熱構造體之評價結果來說明。
圖10是顯示使奈米碳管之前端部彎曲之狀態的掃瞄型電子顯微鏡(Scanning Electron Microscope：SEM)照 片的圖。圖10是對應於圖4(b)所示之使奈米碳管之前端部彎曲的步驟結束，並將構造物35取下之狀態。
從圖10可明瞭到，奈米碳管12之前端部14為充分地彎曲。
圖11是顯示在奈米碳管表面形成被覆層之狀態之SEM照片的圖。圖12(a)顯示與圖11測定處P1對應之擴大之SEM照片的圖。圖12(b)顯示與圖11測定處P2對應之擴大之SEM照片的圖。圖13(a)是顯示與圖11測定處P3對應之擴大之SEM照片的圖。圖13(b)是顯示與圖11測定處P4對應之擴大之SEM照片的圖。圖14是顯示與圖11測定處P5對應之擴大之SEM照片的圖。而，進行圖11至圖14之測定時，並不使奈米碳管12之前端部14彎曲。
測定處P1之被覆層16的粒徑(參照圖12(a))為36.6nm。
測定處P2之被覆層16的粒徑(參照圖12(b))為37.0nm。
測定處P3之被覆層16的粒徑(參照圖13(a))為32.6nm。
測定處P4之被覆層16的粒徑(參照圖13(b))為27.6nm。
測定處P5之被覆層16的粒徑(參照圖14)為19.6nm。
圖15是顯示使奈米碳管的根部彎曲之狀態之SEM照片的圖。
從圖15可明瞭到，在奈米碳管12之根部18會有彎曲產生。
圖16是顯示待機時間t2、t4之長度與屈曲位置之關係的圖表。圖16之橫軸是顯示待機時間t2、t4。圖16之縱軸是從奈米碳管12前端到奈米碳管12之屈曲位置(彎曲位置)為止之距離。用於評價之奈米碳管12的長度為83μm。
從圖16可明瞭到，愈使待機時間t2、t4變短，在靠近奈米碳管12之前端部14處，就愈會有奈米碳管12之屈曲(彎曲)產生之傾向。
因此，可明瞭到藉由適宜地設定待機時間t2、t4，便可適宜地控制屈曲位置。
(電子裝置之製造方法)
接著，針對本實施形態之電子裝置之製造方法，使用圖17與圖18來說明。圖17與圖18是顯示本實施形態之電子裝置製造方法之例的步驟截面圖。
首先，如圖17(a)所示，在電路基板22上實際安裝半導體元件24。半導體元件24使用例如銲點凸塊26等來與電路基板22連接。
接著，如圖17(b)所示，在實際安裝於電路基板22上之半導體元件24上，使用圖1來配置上述之本實施形態之放熱構造體10，進而，使散熱片28被覆。此時，例如使奈米碳管12之根部18側位於半導體元件24側，並使奈米碳管12之前端部14側位於散熱片28側。在電路基板22上，將用以固定散熱片28之有機密封層30等加以塗布妥當。
接著，如圖18(a)所示，對散熱片28施加負重。藉此，奈米碳管12之根部18側會塑性變形並彎曲。負重例如為0.5MPa~1.5MPa左右。
接著，用比充填層20之融解溫度更高的溫度來進行熱處理。伴隨著溫度之上昇，因充填層20之奈米碳管12的束縛會緩解，放熱構造體10內之奈米碳管12兩端部14、18側面的一部分會與半導體元件24或散熱片28個別成為充分地線接觸之狀態(參照圖18(b))。熱處理溫度例如為225℃。熱處理時間例如為30分鐘左右。
接著，藉由冷卻到室溫，固化充填層20，並且將散熱片28利用有機密封層30固定於電路基板22上。此時，充填層20之接著性會出現，半導體元件24與散熱片28利用放熱構造體10來接著固定。冷卻到室溫之後，亦在半導體元件24或散熱片28與放熱構造體10之間維持較低的熱阻。
如此一來，便可製造本實施形態之電子裝置32。
而，在此，以使用奈米碳管12之根部18從充填層20露出之狀態的放熱構造體10時為例來說明，但並不限於此。例如，亦可使用奈米碳管12之兩端部14、18朝充填層20埋入之如圖2所示的放熱構造體10。
圖19是顯示本實施形態之電子裝置製造方法之其他例的步驟截面圖。
首先，如圖19(a)所示，在實際安裝於電路基板22上之半導體元件24上，使用圖2來配置上述之本實施形態之放熱構造體10，進而，使散熱片28被覆。此時，例如使 奈米碳管12之根部18側位於半導體元件24側，並使奈米碳管12之前端部14側位於散熱片28側。在電路基板22上，將用以固定散熱片28之有機密封層30等加以塗布妥當。
接著，如圖19(b)所示，對散熱片28施加負重，並用比充填層20之融解溫度更高的溫度來進行熱處理。伴隨著溫度之上昇，充填層20之奈米碳管12之束縛會緩解，放熱構造體10內之奈米碳管12兩端部14、18側面的一部分會成為與半導體元件24或散熱片28個別充分地線接觸之狀態。熱處理溫度例如為225℃左右。熱處理時間為例如30分鐘左右。
接著，藉由冷卻到室溫，固化充填層20，並且將散熱片28利用有機密封層30固定於電路基板22上。此時，充填層20之接著性會出現，利用放熱構造體10將半導體元件24與散熱片28接著固定。冷卻到室溫之後，亦在半導體元件24或散熱片28與放熱構造體10之間維持較低之熱阻。
如上所述，亦可使用奈米碳管12之兩端部14、18朝充填層20埋入之如圖2所示的放熱構造體10。
如上所述，根據本實施形態，便可在使奈米碳管12之前端部14或根部18彎曲之狀態下，與發熱體24或放熱體28接觸。故，可製造熱傳導性良好之電子裝置。
[變形實施形態]
不限於上述實施形態，可有各種之變形。
例如，上述實施形態之電子裝置製造方法中，以奈米碳管12之根部18側與半導體元件24相接，奈米碳管12 之前端部14側與散熱片28相接時為例來說明，但並非限定於此者。亦可為奈米碳管12之前端部14側與半導體元件24相接，奈米碳管12之根部18側與散熱片28相接。
10‧‧‧放熱構造體
12‧‧‧奈米碳管
14‧‧‧前端部
16‧‧‧根部
18‧‧‧被覆層
20‧‧‧充填層、熱可塑性樹脂薄膜

Claims (12)

  1. 一種放熱構造體，其特徵在於具有：複數個碳元素之線狀構造體，至少其中一方端部為彎曲；被覆層，形成於前述線狀構造體表面，且包覆前述線狀構造體之另一方端部之部分的厚度是前述線狀構造體為可塑性變形的厚度。
  2. 如請求項1之放熱構造體，其中前述複數個線狀構造體之前述另一方端部為彎曲。
  3. 如請求項1或2之放熱構造體，其中前述被覆層當中包覆前述線狀構造體之前述另一方端部之部分的厚度為20nm以下。
  4. 如請求項1至3之任1項之放熱構造體，其中前述被覆層包含有：鋁氧化物、鈦氧化物、鉿氧化物、鐵氧化物、銦氧化物、鑭氧化物、鉬氧化物、鈮氧化物、鎳氧化物、釕氧化物、矽氧化物、釩氧化物、鎢氧化物、釔氧化物、或是，鋯氧化物。
  5. 如請求項1至4之任1項之放熱構造體，其更具有充填於前述線狀構造體間的樹脂層。
  6. 一種放熱構造體之製造方法，其特徵在於包含有以下步驟：將複數個碳元素之線狀構造體形成於基板上；使前述複數個線狀構造體之前端部彎曲； 利用原子層沉積法，在前述線狀構造體表面，形成包覆前述線狀構造體另一方端部之部分的厚度是前述線狀構造體為可塑性變形之厚度的被覆層。
  7. 如請求項6之放熱構造體之製造方法，其中在形成前述被覆層的步驟，藉由控制從供給一種原料氣體到供給其他原料氣體為止之時間，來控制前述被覆層之厚度的分布。
  8. 如請求項6或7之放熱構造體之製造方法，其更具有：在形成前述被覆層之步驟之後，施加負重，藉此使前述複數個線狀構造體之前述根部彎曲的步驟。
  9. 如請求項6至8之任1項之放熱構造體之製造方法，其中前述被覆層當中包覆前述線狀構造體之前述根部之部分的厚度為20nm以下。
  10. 如請求項6至9之任1項之放熱構造體之製造方法，其中前述被覆層包含有：鋁氧化物、鈦氧化物、鉿氧化物、鐵氧化物、銦氧化物、鑭氧化物、鉬氧化物、鈮氧化物、鎳氧化物、釕氧化物、矽氧化物、釩氧化物、鎢氧化物、釔氧化物，或是鋯氧化物。
  11. 如請求項6至10之任1項之放熱構造體之製造方法，其更具有：形成前述被覆層之步驟之後，填充樹脂於前述線狀構造體間的步驟。
  12. 一種電子裝置，其特徵在於具有：發熱體；放熱體；及 放熱構造體，具有其中一方端部為彎曲之複數個碳元素之線狀構造體、與形成於前述線狀構造體表面且包覆前述線狀構造體另一方端部之部分的厚度是前述線狀構造體為可塑性變形之厚度的被覆層，且前述線狀構造體之前述另一方端部為彎曲；又，前述複數個線狀構造體之彎曲之前述其中一方端部側面的一部分與前述發熱體及前述放熱體其中一方相接，前述複數個線狀構造體之彎曲之前述另一方端部側面的一部分與前述發熱體及前述放熱體另一方相接。
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Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2017023394A2 (en) * 2015-05-13 2017-02-09 Stu.Unm NANOWIRE BENDING FOR PLANAR DEVICE PROCESS ON (001) Si SUBSTRATES
WO2017154885A1 (ja) * 2016-03-09 2017-09-14 日立造船株式会社 カーボンナノチューブ構造体の起毛方法、カーボンナノチューブ構造体の製造方法およびカーボンナノチューブ構造体
WO2017159351A1 (ja) * 2016-03-16 2017-09-21 日本電気株式会社 繊維状カーボンナノホーン集合体を含んだ平面構造体
JP6879119B2 (ja) * 2017-08-21 2021-06-02 富士通株式会社 放熱シート及びその製造方法、電子装置
KR102584991B1 (ko) * 2019-06-14 2023-10-05 삼성전기주식회사 반도체 패키지
CN112399773A (zh) * 2019-08-16 2021-02-23 上海诺基亚贝尔股份有限公司 散热装置以及散热装置的制造方法
JP7154428B2 (ja) * 2019-09-09 2022-10-17 三菱電機株式会社 電力変換装置および電力変換装置の製造方法
DE102019130937A1 (de) * 2019-11-15 2021-05-20 Valeo Schalter Und Sensoren Gmbh Steuergerät mit Kühlung durch Abstrahlung von Wärme
DE102021202654A1 (de) 2021-03-18 2022-09-22 Robert Bosch Gesellschaft mit beschränkter Haftung Wärmeableitvorrichtung und Steuergeräteanordnung
US20220352055A1 (en) * 2021-04-30 2022-11-03 Texas Instruments Incorporated Heat-dissipating wirebonded members on package surfaces

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100404242C (zh) * 2005-04-14 2008-07-23 清华大学 热界面材料及其制造方法
CN100358132C (zh) 2005-04-14 2007-12-26 清华大学 热界面材料制备方法
CN1891780B (zh) 2005-07-01 2013-04-24 清华大学 热界面材料及其制备方法
US8919428B2 (en) * 2007-10-17 2014-12-30 Purdue Research Foundation Methods for attaching carbon nanotubes to a carbon substrate
JP5013116B2 (ja) * 2007-12-11 2012-08-29 富士通株式会社 シート状構造体及びその製造方法並びに電子機器
US8262835B2 (en) * 2007-12-19 2012-09-11 Purdue Research Foundation Method of bonding carbon nanotubes
JP5146256B2 (ja) * 2008-03-18 2013-02-20 富士通株式会社 シート状構造体及びその製造方法、並びに電子機器及びその製造方法
JP5239768B2 (ja) * 2008-11-14 2013-07-17 富士通株式会社 放熱材料並びに電子機器及びその製造方法
JP5431793B2 (ja) 2009-05-29 2014-03-05 新光電気工業株式会社 放熱部品、電子部品装置及び電子部品装置の製造方法
JP5293561B2 (ja) * 2009-10-29 2013-09-18 富士通株式会社 熱伝導性シート及び電子機器
WO2011111112A1 (ja) * 2010-03-12 2011-09-15 富士通株式会社 放熱構造体およびその製造方法
JP5447069B2 (ja) * 2010-03-24 2014-03-19 富士通株式会社 シート状構造体、電子機器及び電子機器の製造方法
DE102011000395A1 (de) * 2011-01-28 2012-08-02 Hydro Aluminium Rolled Products Gmbh Thermisch und elektrisch hochleitfähiges Aluminiumband
JP5790023B2 (ja) * 2011-02-25 2015-10-07 富士通株式会社 電子部品の製造方法
JP5842349B2 (ja) 2011-03-18 2016-01-13 富士通株式会社 シート状構造体、シート状構造体の製造方法、電子機器及び電子機器の製造方法
WO2013044094A2 (en) * 2011-09-21 2013-03-28 Georgia Tech Research Corporation Methods for reducing thermal resistance of carbon nanotube arrays or sheets
WO2013046291A1 (ja) 2011-09-26 2013-04-04 富士通株式会社 放熱材料及びその製造方法並びに電子機器及びその製造方法
JP6015009B2 (ja) * 2012-01-25 2016-10-26 富士通株式会社 電子装置及びその製造方法
JP6065410B2 (ja) * 2012-05-16 2017-01-25 富士通株式会社 シート状構造体、シート状構造体の製造方法、電子機器及び電子機器の製造方法
JP6186933B2 (ja) * 2013-06-21 2017-08-30 富士通株式会社 接合シート及びその製造方法、並びに放熱機構及びその製造方法
JP6202104B2 (ja) * 2013-12-27 2017-09-27 富士通株式会社 シート状構造体、これを用いた電子機器、シート状構造体の製造方法、及び電子機器の製造方法

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