TW201441027A - 導電性材料前驅物及導電性材料之製造方法 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種導電性材料前驅物、及可以較高之生產性製造導電性材料之導電性材料之製造方法，該導電性材料前驅物可形成即便為微細之導電性圖案亦具有充分之全光線穿透率並且具有良好之導電性的導電性圖案，進而可形成密合性優異之導電性圖案。本發明係關於一種導電性材料前驅物及導電性材料之製造方法；該導電性材料前驅物依序積層並具有支持體、含有水溶性高分子化合物、交聯劑及金屬硫化物之基底層、以及感光性光阻劑層；該導電性材料之製造方法包括如下步驟：將依序積層並具有支持體、含有水溶性高分子化合物、交聯劑及金屬硫化物之基底層、以及感光性光阻劑層之導電性材料前驅物之感光性光阻劑層面曝光成任意圖案狀後，進行顯影而形成經曝光之圖案之光阻劑圖像；對形成有光阻劑圖像之面進行無電鍍敷而於未被光阻劑圖像被覆之基底層上形成導電性圖案；及其後去除光阻劑圖像。

Description

導電性材料前驅物及導電性材料之製造方法
本發明係關於一種用以獲得電子機器之導電性電路、觸控面板等使用之透光性電極、電磁波遮罩材料等所利用之導電性材料的導電性材料前驅物、及導電性材料之製造方法。
近年來，伴隨電子機器之小型化、高功能化，而強烈要求導電性圖案之微間距化。具體而言，於COF(Chip on Film，覆晶薄膜)封裝用途等中，於目前之量產線中最小為40~50μm之圖案間距，但業界以數年後將圖案間距縮小至25μm、未來將圖案間距縮小至15μm等級為目標。
目前，作為導電性材料之製造方法，主要使用如下減成法：使用設置於金屬箔上之光阻劑層並藉由所謂的光微影法形成光阻劑圖案，藉由蝕刻將金屬箔加工成圖案狀；但根據如上所述之微間距之要求，當務之急是蝕刻之金屬箔(主要是銅箔)或光阻劑層之薄層化。
作為導電性圖案形成用之材料，使用如下者等：將壓延銅箔或電解銅箔經由接著層貼合於絕緣性支持體而成者(通常被稱為「3層CCL(覆銅積層板)」)；將銅箔不經由接著劑層而直接藉由加熱加壓等貼合於絕緣性支持體而成者(通常被稱作「2層CCL」)；於絕緣性支持體上藉由真空蒸鍍法、離子電鍍法、濺鍍法等乾式鍍敷法或無電鍍敷法形成基底金屬並進行電鍍銅而成者(通常被稱為「銅金屬化材料」)。於貼合銅箔之CCL之 情形時，就確保密合強度之觀點而言，通常進行預先將絕緣性支持體之銅箔貼合面化學粗面化，而形成凹凸，但結果存在失去蝕刻後之絕緣性支持體之透明性或高頻傳送時之損耗增大等問題，就可使金屬箔更薄層化之方面而言，與CCL相比銅金屬化材料更優異。然而，業界指出於銅金屬化材料之製造中乾式鍍敷或無電鍍敷等步驟之生產性較低且變昂貴等問題。
關於光阻劑層之薄層化，逐漸使用液狀光阻劑、電鍍光阻劑等可薄層化之光阻劑代替通常所使用之DFR(感光性乾膜光阻劑)，與DFR相比，該等於進行圖案形成之製造場所需要設置薄層之光阻劑層之設備、技術，成為阻礙應用的一原因。關於該問題，揭示有如日利特開2007-210157號公報(專利文獻1)般以預先於金屬箔上塗佈光阻劑層形態供給之技術等。
另一方面，作為微間距化之另一手段，提出所謂的半加成法代替減成法，該半加成法係於絕緣性支持體上形成薄層之基底金屬層，並於其上形成光阻劑圖案，其後，藉由電解鍍敷法於光阻劑開口部積層金屬層，最後去除光阻劑層及由光阻劑層保護之基底金屬，藉此進行電路形成。例如於日本特開2007-287953號公報(專利文獻2)中揭示有於支持體表面形成作為第1金屬層之濺鍍金屬層，使用上述半加成法形成電路之方法。然而，需進行數次去除作為基底金屬層之濺鍍金屬層之蝕刻步驟，又，亦必須進行支持體表面之蝕刻，從而步驟變多，因此生產性較低。為了改善此種生產性，於日本特開2010-45227號公報(專利文獻3)中揭示有使用藉由照相製法所得之銀薄膜層作為基底金屬層，並於其上設置光阻劑層而成之導電性材料前驅物。然而，導電性材料之製造仍然需要蝕刻步驟。
另一方面，作為無需蝕刻步驟者，於日本特開平8-239773號公報(專利文獻4)、日本特開平9-205270號公報(專利文獻5)、日本特開平10-18044號公報(專利文獻6)等中揭示有如下之感光性片材：於塑膠膜上設置含有膨潤性之水性樹脂、金屬化合物之微粒子及交聯劑之無 電鍍敷用基底層，並對其實施無電鍍敷，藉此設置基底金屬層，並於其上設置光阻劑層；作為該金屬化合物之微粒子，可例示硫化鈀或硫化錫等金屬硫化物。該等感光性片材於形成光阻劑圖像後，對露出之基底金屬層實施電解鍍敷，其後於設置有接著劑層之絕緣性支持體之接著層上轉印鍍敷層(或鍍敷層與光阻劑圖像)，藉此形成導電性圖案，但此期間需經過鍍敷層於絕緣性支持體上之轉印及其後剝離塑膠膜等繁雜之步驟，而未達到生產性之改善。
作為無需如上所述之蝕刻及剝離、轉印等步驟而生產步驟數較少者，已知有形成光阻劑圖像後再實施濺鍍或觸媒處理及無電鍍敷而形成導電性圖案之剝離方式者。然而，於該方式中，有沿光阻劑圖像析出金屬，鍍敷圖像懸伸於光阻劑圖像，因此難以去除光阻劑圖像之問題。又，於日本特開2002-134879號公報(專利文獻7)中，揭示有可藉由在支持體上設置吸收使鍍敷阻劑硬化之特定波長之光線之觸媒層而將金屬圖案形成為準確之形狀，於日本特開2007-191731號公報(專利文獻8)中，揭示有藉由利用錫化合物、銅化合物及鈀化合物等處理支持體而於所形成之觸媒層上形成光阻劑圖像，其後藉由無電鍍敷形成金屬圖案，藉此可獲得鍍敷膜對支持體之密合性或光學特性優異之鍍敷配線基板。
另一方面，於日本特開2003-249790號公報(專利文獻9)中，於支持體上塗佈金屬錯合物還原層，於其上形成正型光阻劑圖像後，使用噴霧等使金屬錯合物與金屬錯合物還原層接觸而形成金屬圖案，作為該金屬錯合物還原層所含有之黏合劑樹脂之一例，記載有聚胺酯(polyurethane)。又，於日本特開2011-35220號公報(專利文獻10)中揭示有如下技術：藉由使支持體上印刷成圖案狀之易鍍敷性樹脂層與鍍敷觸媒化合物溶液接觸，而於易鍍敷性樹脂層上設置圖案狀之鍍敷觸媒層，其後實施無電鍍敷及/或電解鍍敷，藉此形成金屬圖案；作為該易鍍敷性樹脂 層所含有之樹脂，記載有聚胺酯樹脂。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2007-210157號公報
[專利文獻2]日本特開2007-287953號公報
[專利文獻3]日本特開2010-45227號公報
[專利文獻4]日本特開平8-239773號公報
[專利文獻5]日本特開平9-205270號公報
[專利文獻6]日本特開平10-18044號公報
[專利文獻7]日本特開2002-134879號公報
[專利文獻8]日本特開2007-191731號公報
[專利文獻9]日本特開2003-249790號公報
[專利文獻10]日本特開2011-35220號公報
於專利文獻7及8中記載之方法由於在形成觸媒層之步驟中需複數次支持體之浸漬處理，故而製造步驟繁雜，又，於形成線寬為25μm以下之微細金屬圖案時，無法於支持體與金屬圖案之間獲得充分之密合性，而要求改善。進而，亦有產生觸媒層之附著不均之情況，無法獲得均勻之金屬厚度，而要求改善。於無法在微細之金屬圖案中獲得均勻之金屬厚度之情形時，產生電阻值部分不均之問題。
專利文獻9所記載之方法為步驟數較少而生產性優異之方法，但於對此處所使用之金屬錯合物還原層(基底層)縮短鍍敷時間之情 形時，有無法形成充分導電性之金屬圖案之問題。又，為了表現出導電性，而需要150℃以上之加熱焙燒步驟，因此有難以使用具有軟性之透明樹脂膜之問題。專利文獻10所記載之方法有難以獲得微細且導電性高之金屬圖案之問題。
本發明之課題在於提供一種導電性材料前驅物、及可以較高之生產性製造導電性材料之導電性材料之製造方法，該導電性材料前驅物係可形成即便為線寬25μm以下之微細導電性圖案亦具有充分之全光線穿透率並且具有良好之導電性的導電性圖案。
本發明之上述目的可藉由依序積層並具有支持體、含有水溶性高分子化合物、交聯劑及金屬硫化物之基底層、以及感光性光阻劑層之導電性材料前驅物而基本達成。此處，水溶性高分子化合物較佳為聚乙烯醇。交聯劑較佳為多元醛化合物。基底層較佳為進而含有胺酯聚合物乳膠。感光性光阻劑層較佳為正型感光性光阻劑層。
又，本發明之上述目的可藉由如下導電性材料之製造方法而基本達成，該導電性材料之製造方法包括如下步驟：將依序積層並具有支持體、含有水溶性高分子化合物、交聯劑及金屬硫化物之基底層、以及感光性光阻劑層之導電性材料前驅物之感光性光阻劑層面曝光成任意圖案狀後，進行顯影，而形成經曝光之圖案之光阻劑圖像；對形成有光阻劑圖像之面進行無電鍍敷而於未被光阻劑圖像被覆之基底層上形成導電性圖案；及其後去除光阻劑圖像。此處，水溶性高分子化合物較佳為聚乙烯醇。交聯劑較佳為多元醛化合物。基底層較佳為進而含有胺酯聚合物乳膠。感光性光阻劑層較佳為正型感光性光阻劑層。
根據本發明之導電性材料前驅物及導電性材料之製造方 法，可提供如下導電性材料前驅物、及可以較高之生產性製造導電性材料之導電性材料之製造方法，該導電性材料前驅物可形成即便為線寬25μm以下之微細導電性圖案亦具有充分之全光線穿透率並且具有良好之導電性的導電性圖案，進而可形成密合性優異之導電性圖案。
以下對本發明進行詳細說明。本發明之導電性材料前驅物依序積層並具有支持體、含有水溶性高分子化合物、交聯劑及金屬硫化物之基底層、以及感光性光阻劑層。
(支持體)
作為上述支持體，例如可列舉玻璃及樹脂膜。就使用性優異之方面而言，可較佳地使用樹脂膜、更佳為具有軟性之樹脂膜。作為樹脂膜之具體例，可列舉：PET(聚對苯二甲酸乙二酯)、PEN(聚萘二甲酸乙二酯)等聚酯樹脂、丙烯酸樹脂、環氧樹脂、氟樹脂、聚矽氧樹脂、聚碳酸酯樹脂、二乙酸酯樹脂、三乙酸酯樹脂、聚芳酯樹脂、聚氯乙烯、聚碸樹脂、聚醚碸樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚醯胺樹脂、聚烯烴樹脂、環狀聚烯烴系樹脂等。支持體之厚度較佳為20~300μm。再者，於對具有導電性圖案之導電性材料要求透光性之情形時，支持體較佳為透明支持體。透明支持體之全光線穿透率較佳為80%以上，更佳為90%以上。
本發明之導電性材料前驅物所使用之支持體較佳為具有易接著層。易接著層係為了提昇塗佈於支持體上之層之塗佈性(面質)、及支持體與塗膜之密合性而設置。易接著層較佳為含有合成樹脂或水溶性高分 子化合物之層。作為該合成樹脂之例，可列舉：丙烯酸樹脂、聚酯、聚偏二氯乙烯、氯乙烯樹脂、乙酸乙烯酯樹脂、聚苯乙烯、聚醯胺、聚胺酯等。該等之中，尤佳為丙烯酸樹脂、聚酯、聚偏二氯乙烯、聚胺酯。又，合成樹脂較佳為水分散性聚合物(乳液或乳膠)。作為水溶性高分子化合物之例，例如可列舉：明膠、聚乙烯醇等。易接著層亦可進而含有二氧化矽等消光劑、異氰酸酯、環氧樹脂等交聯劑、潤滑劑、顏料、染料、界面活性劑、紫外線吸收劑等。又，亦可於支持體上設置以耐劃傷性為目的之HC(硬塗)層、以降低反射率為目的之AR(抗反射)層等公知之層。
(基底層)
本發明中之基底層含有水溶性高分子化合物、交聯劑及金屬硫化物。作為本發明中之基底層所含有之水溶性高分子化合物之例，可列舉：水溶性陰離子性高分子化合物、非離子性高分子化合物及兩性高分子化合物等。作為陰離子性高分子化合物，可使用源自天然之高分子化合物或經合成之高分子化合物中之任一者，例如可列舉具有-COO-基、-SO3 -基等陰離子性官能基者。作為陰離子性天然高分子化合物之具體例，有阿拉伯膠、海藻酸、果膠等。作為陰離子性半合成品之高分子化合物之例，有羧甲基纖維素、鄰苯二甲醯化明膠等明膠衍生物、硫酸化澱粉、硫酸化纖維素、木質素磺酸等。又，作為陰離子性合成品之高分子化合物之例，有順丁烯二酸酐系(亦包含水解而成者)共聚物、丙烯酸系(亦包含甲基丙烯酸系)聚合物及共聚物、乙烯基苯磺酸系聚合物及共聚物、羧基改質聚乙烯醇等。作為非離子性高分子化合物之例，有聚乙烯醇、羥乙基纖維素、甲基纖維素等。作為兩性高分子化合物之例，有明膠等。
於上述水溶性高分子化合物中，較佳為明膠、明膠衍生物、聚乙烯醇。尤其是於使用聚乙烯醇之情形時，可獲得具有優異之密合性以及尤其優異之導電性的導電性材料。就基底層之皮膜形成性及皮膜強韌性 之觀點而言，聚乙烯醇較佳為經完全或部分皂化之聚乙烯醇，其中尤佳為皂化度為80%以上之聚乙烯醇。又，聚乙烯醇之平均聚合度較佳為500~6000，更佳為1000~5000。本發明所使用之聚乙烯醇除包含通常之聚乙烯醇以外，亦包含陽離子改質聚乙烯醇、陰離子改質聚乙烯醇、矽烷醇改質聚乙烯醇及其他聚乙烯醇之衍生物。聚乙烯醇可為單獨一種，亦可併用兩種以上。
再者，於本發明中，所謂水溶性高分子化合物之水溶性，意指25℃之水中之溶解量至少為0.5質量%以上，較佳為5質量%以上。本發明之基底層中之水溶性高分子化合物之含量以固形份計較佳為每1m2導電性材料前驅物為1~1000mg，更佳為5~200mg。
本發明之基底層較佳為除含水溶性高分子化合物以外進而含有胺酯聚合物乳膠。亦將胺酯聚合物乳膠記述為胺酯聚合物乳液、聚胺酯乳膠、聚胺酯乳液、水性胺酯樹脂等。本發明之基底層所使用之胺酯聚合物乳膠含有由多元醇與聚異氰酸酯合成之胺酯聚合物之微粒子。作為所使用之多元醇之例，可列舉：聚醚多元醇、聚酯多元醇、聚碳酸酯多元醇、丙烯酸多元醇等。
於本發明中較佳之胺酯聚合物乳膠為聚碳酸酯系胺酯聚合物或聚醚系胺酯聚合物之乳膠。此處，所謂聚醚系胺酯聚合物，意指使用聚醚多元醇作為多元醇者，所謂聚碳酸酯系胺酯聚合物，意指使用聚碳酸酯多元醇作為多元醇者。以下對本發明中可較佳地使用之胺酯聚合物乳膠進行說明。
聚碳酸酯多元醇例如可藉由使碳酸酯與二醇反應而獲得。作為碳酸酯之例，可列舉：碳酸乙二酯、碳酸二甲酯、碳酸二乙酯、碳酸二苯酯、碳酸二環己酯等。作為二醇之例，可列舉：1,6-己二醇、1,4-環己二醇、1,4-環己烷二甲醇、3-甲基-1,5-戊二醇、聚乙二醇、聚丙二醇、 聚己內酯二醇、1,4-丁二醇、雙酚A等。又，聚碳酸酯多元醇亦可為利用聚碳酸酯二醇與二羧酸或聚酯之反應所得之聚酯聚碳酸酯。
作為聚醚多元醇，可列舉：脂肪族聚醚多元醇及含芳香族環之聚醚多元醇。作為脂肪族聚醚多元醇，可使用脂肪族低分子量含活性氫原子之化合物(羥基當量為30以上且未達150之二元~八元或其以上之脂肪族多元醇、及含有一級或二級胺基作為含活性氫原子之基之化合物)之環氧烷(以下簡稱為AO)加成物。經AO加成之脂肪族多元醇可列舉：直鏈或分支之脂肪族二元醇[(二)乙二醇、(二)丙二醇、1,2-丁二醇、1,3-丁二醇、2,3-丁二醇及1,4-丁二醇、新戊二醇、3-甲基-1,5-戊二醇、1,6-己二醇、2-甲基-1,8-辛二醇、1,9-壬二醇及1,12-十二烷二醇等]、脂環式二元醇[具有環狀基之低分子二醇，例如日本特公昭45-1474號公報所記載者]、脂肪族三元醇[甘油、三羥甲基丙烷、三烷醇胺等]、及脂肪族且四元以上之醇[新戊四醇、二甘油、三甘油、二新戊四醇、山梨糖醇、山梨醇酐、山梨酯等]。作為經AO加成之含有一級或二級胺基之化合物，可列舉：烷基(碳數1~12)胺及(聚)伸烷基聚胺(伸烷基之碳數為2~6、伸烷基之個數為1~4、聚胺之個數為2~5)等。
作為含芳香族環之聚醚多元醇，可使用芳香族低分子量含活性氫原子之化合物(羥基當量為30以上且未達150之二元~八元或其以上之酚類及芳香族胺)之AO加成物。作為經AO加成之酚類，可列舉：對苯二酚、鄰苯二酚、間苯二酚、雙酚A、雙酚S、雙酚F等，作為芳香族胺，可列舉：苯胺及苯二胺等。
作為用於製造AO加成物之AO，可列舉：碳數2~12或其以上之AO，例如環氧乙烷(以下簡稱為EO)、環氧丙烷(以下簡稱為PO)、1,2-環氧丁烷、2,3-環氧丁烷及1,3-環氧丁烷、THF(四氫呋喃)、氧化α-烯烴、氧化苯乙烯、表鹵醇(表氯醇等)、及該等之兩種以上之併用(無 規及/或嵌段)。
作為脂肪族聚醚多元醇之例，例如可列舉：聚氧乙烯多元醇[聚乙二醇(以下簡稱為PEG)等]、聚氧丙烯多元醇[聚丙二醇(以下簡稱為PPG)等]、聚氧乙烯/丙烯多元醇、聚四亞甲基醚二醇(以下簡稱為PTMG)等。
作為含芳香族環之聚醚多元醇之例，可列舉具有雙酚骨架之多元醇，例如雙酚A之EO加成物[雙酚A之EO二莫耳加成物、雙酚A之EO四莫耳加成物、雙酚A之EO六莫耳加成物、雙酚A之EO八莫耳加成物、雙酚A之EO十莫耳加成物、雙酚A之EO二十莫耳加成物等]、及雙酚A之PO加成物[雙酚A之PO二莫耳加成物、雙酚A之PO三莫耳加成物、雙酚A之PO五莫耳加成物等]及間苯二酚之EO或PO加成物等。
作為本發明之基底層所使用之胺酯聚合物乳膠含有之胺酯聚合物之原材料的聚異氰酸酯，可列舉：芳香族系聚異氰酸酯類、脂肪族/脂環族系聚異氰酸酯類。於本發明中較佳為使用六亞甲基二異氰酸酯或異佛爾酮二異氰酸酯等脂肪族/脂環族系聚異氰酸酯類。
本發明之基底層所使用之胺酯聚合物乳膠係於水系介質中分散有胺酯聚合物微粒子之水分散物。胺酯聚合物乳膠中之胺酯聚合物微粒子之平均粒徑較佳為0.01~0.3μm，更佳為0.01~0.1μm。再者，於本發明中，基底層所使用之胺酯聚合物乳膠於用於基底層之塗液之階段為胺酯聚合物微粒子之水分散物，但基底層於塗佈後經乾燥而成為固體之塗膜，因此於基底層中胺酯聚合物乳膠無需保持水分散物之狀態或胺酯聚合物微粒子之粒子形狀。
上述胺酯聚合物乳膠亦可單獨使用或併用。本發明之基底層中之胺酯聚合物乳膠之含量相對於水溶性高分子化合物之含量以固形份量計較佳為10~100質量%，更佳為20~70質量%。
作為本發明中之基底層所使用之交聯劑，較佳為25℃之水 中之溶解量為0.5質量%以上之交聯劑，例如可使用：鉻明礬等無機化合物；甲醛、乙二醛、丙二醛、戊二醛等醛類；脲、伸乙脲等N-羥甲基化合物；黏氯酸、2,3-二羥基-1,4-二烷等醛等價物；2,4-二氯-6-羥基-對稱三鹽、2,4-二羥基-6-氯-對稱三鹽等具有活性鹵素之化合物；山梨醇聚縮水甘油醚、聚甘油聚縮水甘油醚、二甘油聚縮水甘油醚、甘油聚縮水甘油醚、聚乙二醇二縮水甘油醚、聚丙二醇二縮水甘油醚等分子中具有兩個以上環氧基之化合物類；二乙烯基碸、二乙烯基酮、N,N,N-三丙烯醯基六氫三、具有兩個以上作為活性三員環之伸乙基亞胺基之化合物；「高分子之化學反應」(大河原信著，1972，化學同人公司)之2-6-7章、5-2章、9-3章等中記載之交聯劑等公知之高分子用交聯劑。較佳之交聯劑為多元醛類、及2,4-二氯-6-羥基-對稱三鹽、2,4-二羥基-6-氯-對稱三鹽等具有活性鹵素之化合物，其中，較佳為多元醛化合物。於使用多元醛化合物作為交聯劑之情形時，可獲得具有尤其優異之導電性之導電性圖案。
所謂多元醛化合物，係指分子中具有至少兩個醛基之化合物，作為多元醛化合物之代表例，例如可列舉：乙二醛、丙二醛、戊二醛、丁二醛、庚二醛、辛二醛、壬二醛、癸二醛、十二烷二醛、2，4-二甲基庚二醛、4-甲基己二醛等脂肪族二醛；對苯二甲醛、苯基丙二醛等芳香族二醛；進而可列舉該等與甲醇、乙醇、丙醇、乙二醇、丙二醇等醇類反應所得之縮醛化合物、及異氰尿酸N,N',N"-(3,3',3"-三磺醯胺基乙基)酯等三醛化合物。尤佳之多元醛化合物為二醛化合物，尤佳為戊二醛及乙二醛。多元醛化合物可單獨使用一種，亦可將兩種以上併用。基底層中之交聯劑之含量相對於水溶性高分子化合物之含量較佳為1~200質量%。
再者，於本發明中，基底層所使用之交聯劑係與水溶性高分子化合物或胺酯聚合物乳膠之殘留羥基發生交聯反應者，因此只要本發明 之基底層含有高分子化合物等與交聯劑之反應產物即可，交聯劑未必需要以未反應之狀態存在於基底層中。
本發明之基底層含有之金屬硫化物主要為重金屬之硫化物之微粒子(粒子大小為1~數十nm左右)。作為金屬硫化物之代表例，例如可列舉使金、銀等之膠體粒子、或鈀、鋅、錫等之水溶性鹽與硫化物反應所得之金屬硫化物等。基底層所使用之金屬硫化物之含量以固形份計較佳為每1m2導電性材料前驅物為0.1~10mg。
本發明之基底層較佳為將以水作為主要介質且含有上述構成成分之塗液塗佈於支持體上並進行乾燥而設置。作為塗佈方法，例如可使用浸漬塗佈、斜板式塗佈、簾式塗佈、棒式塗佈、氣刀塗佈、輥式塗佈、凹版塗佈、噴塗等定量塗佈方式。亦可根據所使用之塗佈方式將界面活性劑等各種塗佈助劑用於基底層。為了促進塗膜之交聯，本發明之基底層較理想的是於塗膜形成後在30~50℃之溫度下加熱3~7天。
(感光性光阻劑層)
本發明之導電性材料前驅物係於設置於支持體上之上述基底層上具有感光性光阻劑層者，於支持體與基底層之間或於基底層與感光性光阻劑層之間未預先具有金屬層。該感光性光阻劑層亦可藉由層壓乾膜光阻劑而設置。就圖案之微細化之觀點而言，較佳為塗佈感光性液狀光阻劑並進行乾燥而設置之感光性光阻劑層。又，為了防止因與基底層之接觸所致之感光性能等之經時變化，更佳為正型感光性光阻劑層。
作為正型感光性光阻劑層，可較佳地使用可利用以鹼性水溶液作為主成分之水系顯影液將感光並可溶解之部分溶解去除者。尤佳為醌二疊氮系正型光阻劑層。正型光阻劑層含有鹼可溶性樹脂與作為光分解成分之光敏劑(photosensitizer)。作為鹼可溶性樹脂，較佳為甲酚酚醛清漆樹脂。作為光敏劑，較佳為二疊氮萘醌磺酸酯。於本發明中，例如為了提昇 塗膜強度等，正型感光性光阻劑層亦可含有與鹼可溶性樹脂具有相溶性之環氧樹脂或丙烯酸樹脂、作為塑化劑之聚乙烯醚類、其他穩定劑、調平劑、染料、顏料等。
作為感光性光阻劑層之膜厚，較佳為10μm以下，更佳為5μm以下，進而更佳為3μm以下。為了確保必要之光阻劑性能並均勻且完美地進行塗佈，膜厚之下限值較佳為0.5μm以上。
於本發明中，於塗佈感光性液狀光阻劑而設置感光性光阻劑層之情形時，作為塗佈方法，例如可使用浸漬塗佈、斜板式塗佈、簾式塗佈、棒式塗佈、氣刀塗佈、輥式塗佈、凹版塗佈、噴塗等定量塗佈方式。又，亦可根據所使用之塗佈方式使用界面活性劑或增黏劑等各種塗佈助劑。
(導電性材料之製造方法)
其次，對本發明之導電性材料之製造方法進行說明。本發明之導電性材料之製造方法包括如下步驟：將上述導電性材料前驅物之感光性光阻劑層面以任意之圖案曝光後，進行顯影，而形成經曝光之圖案之光阻劑圖像；藉由對形成光阻劑圖像之面實施無電鍍敷而於未被光阻劑圖像被覆之基底層上優先形成導電性圖案(金屬層)；及其後去除光阻劑圖像。作為圖案曝光之方法，可列舉將感光性光阻劑層面與具有任意圖案之光罩密合進行曝光之方法。此處所謂任意之圖案，若以具有金屬網格圖案與周邊軌跡配線圖案之觸控面板用透光性電極為例，係指根據目的或要求性能進行設計的重複單位由正方形或菱形、正六邊形等構成之網格圖案或周邊軌跡配線圖案。關於金屬網格圖案之線寬，考慮到導電性或透光性等，可使用線寬為1~50μm左右之金屬細線。關於間距(重複單位之長度)，同樣設定為100~1000μm左右。又，作為該周邊軌跡配線，以線&間隙(排列複數條而成之軌跡配線之線寬與線間隔)而言設定為10~200μm。於任意之圖案中，較佳為尤其是於進行線寬為10μm以下之微細圖案之曝光時密合光罩，進 行使用平行光源之平行光曝光。本發明之導電性材料之製造方法尤其適合於製作此種線寬為10μm以下之微細之藉由金屬細線構成之圖案之情形。又，作為圖案曝光之方法，亦有使用感光性光阻劑層之感光區域之雷射光並以任意圖案對感光性光阻劑層面進行掃描曝光之方法等。關於曝光後光阻劑之顯影，就降低環境負荷之觀點而言，較佳為使用鹼性水溶液。藉由對曝光成任意圖案之感光性光阻劑層進行顯影處理，而於溶解去除感光性光阻劑層後之區域顯現基底層，形成具有任意圖案之光阻劑圖像。
於本發明之導電性材料之製造方法中，藉由對以上述方式獲得之形成光阻劑圖像之面實施無電鍍敷，而於未被光阻劑圖像被覆之區域之基底層上優先積層金屬，形成導電性之金屬圖案。作為無電鍍敷法，可使用鍍銅、鍍鎳、鍍鋅、鍍錫、鍍銀等公知之鍍敷方法。該等之中，就導電性之觀點而言，較佳為無電解鍍銀法。
作為無電解鍍銀法，可列舉如下方法：藉由以混合於形成有具有任意圖案之光阻劑圖像之導電性材料前驅物之表面上之方式賦予含有硝酸銀及氨之氨性硝酸銀溶液、及含有還原劑及強鹼成分之還原劑溶液的2液，發生氧化還原反應而析出金屬銀。
作為還原劑溶液，可列舉：葡萄糖、乙二醛等醛化合物；硫酸肼、碳酸肼或肼水合物等肼化合物等還原劑；及含有氫氧化鈉所代表之強鹼成分之還原劑溶液。該還原劑溶液亦可含有亞硫酸鈉或硫代硫酸鈉等。
為了生成良好之導電性之金屬銀，亦可於氨性硝酸銀溶液中添加若干種添加劑。例如可列舉：單乙醇胺、三(羥基甲基)胺基甲烷、2-胺基-2-羥基甲基-1,3-丙二醇、1-胺基-2-丙醇、2-胺基-1-丙醇、二乙醇胺、二異丙醇胺、三乙醇胺、三異丙醇胺等胺基醇化合物；甘胺酸、丙胺酸、甘胺酸鈉等胺基酸或其鹽等，但並無特別限定。
作為以混合於形成有具有任意圖案之光阻劑圖像之導電性 材料前驅物之表面上之方式賦予氨性硝酸銀溶液與還原劑溶液之2液的方法，有將兩種水溶液預先混合並使用噴槍等將該混合液噴送至形成有光阻劑圖像之導電性材料前驅物之表面的方法、使用於噴槍之噴頭內具有將兩種水溶液混合並立即噴出之構造之同芯噴槍噴送之方法、使兩種水溶液自具有兩個噴嘴之雙頭噴槍分別噴出而噴送之方法、使用兩個分別之噴槍同時噴送兩種水溶液之方法等。該等可根據狀況而任意選擇。
為了鍍敷成可確保實用上所要求之導電性之厚度，本發明之導電性材料之製造方法中之無電鍍敷之處理時間較佳為5~300秒。較佳之鍍敷層之厚度為0.1~1μm。於使用本發明之導電性材料前驅物之情形時，可迅速進行鍍敷而獲得於短時間內穩定之金屬層，進而亦無需藉由熱處理之焙燒，僅利用通常之自然乾燥即可獲得充分之導電性。
於本發明之導電性材料之製造方法中，無電鍍敷後殘留之光阻劑圖像係使用適合於所使用之感光性光阻劑層之剝離液而去除。通常可藉由利用噴霧器噴送使光阻劑圖像膨潤之有機溶劑或鹼性水溶液，使光阻劑圖像膨潤而去除。就降低環境負荷之觀點而言，較佳為使用鹼性水溶液。作為該鹼性水溶液，例如可使用：碳酸鈉、氫氧化鈉、氫氧化鉀、矽酸鈉、偏矽酸鈉、氨水等無機鹼類；乙基胺、正丙基胺等一級胺類；二乙基胺、二正丁基胺等二級胺類；三乙基胺、甲基二乙基胺等三級胺類；二甲基乙醇胺、三乙醇胺等胺基醇類；四甲基氫氧化銨、四乙基氫氧化銨等四級銨鹽；吡咯、哌啶等含有環狀胺類等之pH值為11~14之鹼性水溶液。進而亦可於上述鹼性水溶液中添加適量之醇類、界面活性劑等而使用。再者，該等鹼性水溶液亦可利用於上述感光性光阻劑層之顯影。如以上詳述般，本發明之導電性材料之製造方法不包括蝕刻步驟。
以下藉由實施例對本發明進一步詳細地進行說明，但本發明並不限定於該實施例。
[實施例]
《導電性材料前驅物1之製作》
使用厚度100μm之聚對苯二甲酸乙二酯膜(Toray股份有限公司製造之Lumirror U34(兩面易接著型))作為支持體。使用雙光束方式霧度計(須賀試驗機股份有限公司製造)測定該支持體之全光線穿透率，結果為92.4%。使用以如下所述之方式製備之硫化鈀溶膠製作下述組成之基底層1之塗液。使用直徑為60mm、斜線角度為45度、線數90線/英吋、溝槽深度110μm之斜線凹版輥，以反向旋轉且點接觸之方式於上述支持體上塗佈基底層1之塗液並乾燥，形成皮膜後利用40℃之加熱箱加熱一週。
<硫化鈀溶膠之製備>
一面攪拌一面將A液與B液進行混合，30分鐘後通至填充有離子交換樹脂之管柱中而獲得硫化鈀溶膠。
<基底層1之塗液之組成/每1m2導電性材料前驅物之量>
使用上述斜線凹版輥以反向旋轉且點接觸之方式將含有甲酚酚醛清漆樹脂及二疊氮萘醌磺酸酯之感光性液狀光阻劑塗佈於以此種方 式獲得之基底層1上，於90℃下乾燥兩分鐘，設置乾燥膜厚為1.5μm之正型感光性光阻劑層，藉此獲得導電性材料前驅物1。
《導電性材料前驅物2之製作》
於基底層1之塗液之製作中，使用PVA 117(Kuraray股份有限公司製造，皂化度99%，聚合度1700)代替PVA 217作為聚乙烯醇，除此以外，以與導電性材料前驅物1之製作相同之方式獲得導電性材料前驅物2。
《導電性材料前驅物3之製作》
於基底層1之塗液之製作中，使用陽離子改質聚乙烯醇(Kuraray股份有限公司製造之CM-318，皂化度88%，聚合度1800)代替PVA 217作為聚乙烯醇，除此以外，以與導電性材料前驅物1之製作相同之方式獲得導電性材料前驅物3。
《導電性材料前驅物4之製作》
於基底層1之塗液之製作中，使用乙二醛代替戊二醛，除此以外，以與導電性材料前驅物1之製作相同之方式獲得導電性材料前驅物4。
《導電性材料前驅物5之製作》
使用以如下所述之方式製備之硫化錫溶膠代替基底層1之塗液之製作中所使用的硫化鈀溶膠，除此以外，以與導電性材料前驅物1之製作相同之方式獲得導電性材料前驅物5。
<硫化錫溶膠之製備>
一面攪拌一面將A液與B液進行混合，30分鐘後通至填充有離子交換 樹脂之管柱中而獲得硫化錫溶膠。
《導電性材料前驅物6之製作》
於基底層1之塗液之製作中，使用丁醛代替戊二醛，除此以外，以與導電性材料前驅物1之製作相同之方式獲得導電性材料前驅物6。
《導電性材料前驅物7之製作》
使用以如下所述之方式製備之鈀溶膠製作下述組成之基底層2之塗液，並使用該基底層2之塗液代替基底層1之塗液，除此以外，以與導電性材料前驅物1之製作相同之方式獲得導電性材料前驅物7。
<鈀溶膠之製備>
用攪拌棒攪拌B液，並同時緩慢地添加A液與C液，30分鐘後通至填充有離子交換樹脂之管柱中而獲得鈀溶膠。
<基底層2之塗液/每1m2導電性材料前驅物之量>
《導電性材料前驅物8之製作》
使用製作上述基底層2之塗液時所使用之鈀溶膠代替於基底層1之塗液之製作中所使用之硫化鈀溶膠，除此以外，以與導電性材料前驅物1之製作相同之方式獲得導電性材料前驅物8。
《導電性材料前驅物9之製作》
使用以如下所述之方式製備之錫溶膠代替於基底層1之塗液之製作中所使用之硫化鈀溶膠，除此以外，以與導電性材料前驅物1之製作相同之方式獲得導電性材料前驅物9。
<錫溶膠之製備>
用攪拌棒攪拌B液，並同時緩慢地添加A液與C液，30分鐘後通至填充有離子交換樹脂之管柱中而獲得錫溶膠。
《導電性材料前驅物10之製作》
於基底層1之塗液之製作中除去硫化鈀溶膠，除此以外，以與導電性材料前驅物1之製作相同之方式獲得導電性材料前驅物10。
《導電性材料前驅物11之製作》
將於導電性材料前驅物1之製作中用作支持體之聚對苯二甲酸乙二酯膜於1質量%之氯化鈀溶液中浸漬兩分鐘並暫時乾燥而作為支持體，不設置基底層，將正型感光性光阻劑層以與導電性材料前驅物1之製作相同之方式設置於支持體上，而獲得導電性材料前驅物11。
《導電性材料前驅物12之製作》
將於導電性材料前驅物1之製作中用作支持體之聚對苯二甲酸乙二酯膜於1質量%之氯化錫溶液中浸漬兩分鐘並暫時乾燥而作為支持體，不設置基底層，將正型感光性光阻劑層以與導電性材料前驅物1之製作相同之方式設置於支持體上，而獲得導電性材料前驅物12。
《導電性材料前驅物13之製作》
未於導電性材料前驅物1之製作中用作支持體之聚對苯二甲酸乙二酯膜上設置基底層，而直接以與導電性材料前驅物1之製作相同之方式設置正型感光性光阻劑層，而獲得導電性材料前驅物13。
<導電性材料之製作>
關於以上述方式獲得之導電性材料前驅物1~13之各者，使如下玻璃光罩與感光性光阻劑層表面真空密合，並使具有感光性光阻劑層之感光區域之波長之光(超高壓水銀燈)聚光，通過準直透鏡進行平行光曝光；該玻璃光罩具有線寬為3μm(透光部)、線間隔為300μm(遮光部)且整體為正方形之晶格圖案圖像之光罩圖像、及由線寬為10μm(透光部)、線間隔為10μm(遮光部)且細線平行地排列而成之線/間隙圖像構成之光罩圖像。曝光後之導電性材料前驅物1~13分別使用液溫30℃之1質量%碳酸鈉水溶液作為顯影液，將顯影液以淋浴方式對感光性光阻劑層噴附30秒而顯影，從而獲得光阻劑圖像。再者，曝光量係以使未被線/間隙圖像部之光阻劑圖像被覆之區域(露出基底層之區域)之線寬成為10μm之方式設 定。光阻劑圖像部之線寬係利用共焦點顯微鏡(Lasertec公司製造之OPTELICS C130)進行確認。
繼而，將各導電性材料前驅物之具有上述光阻劑圖像之側之面利用去離子水洗淨，藉由壓縮空氣吹除去離子水後，將以如下所述之方式製備之氨性硝酸銀溶液與還原劑溶液利用雙頭噴槍同時對具有光阻劑圖像之側之面噴附30秒，進行無電解鍍銀，於未被光阻劑圖像被覆之基底層上形成鍍銀層。其後，利用去離子水洗淨，使其自然乾燥。雙頭噴槍之噴附量各自為240ml/分鐘。
<氨性硝酸銀溶液之製備>
將D液與E液以1：1之質量比混合而獲得氨性硝酸銀溶液。
<還原劑溶液之製備>
將該等溶解於去離子水1000g中而獲得還原劑溶液。
繼而，將5質量%氫氧化鈉溶液以淋浴方式對各導電性材料前驅物之具有光阻劑圖像之側之面噴附60秒而將光阻劑圖像溶解去除，水洗後進行自然乾燥，藉此獲得具有由晶格圖案之銀圖像與線/間隙之銀圖像構成之導電性圖案之導電性材料1~10。再者，於使用導電性材料前驅物11~13之情形時，無法獲得藉由無電解鍍銀所得之銀圖像。
<導電性圖案之薄片電阻值測定>
使用Loresta GP/ESP探針(Dia Instruments股份有限公司製造)並依照JIS K7194對所得之導電性材料1~10之晶格圖案部之薄片電阻值進行測定。將結果示於表1。再者，導電性材料7~10雖然未於晶格圖案部見到銀圖像，但到處可見斷線或銀圖像不均且薄片電阻值過高，而無法獲得具體之值，因此於表中記載為「無法測定」。再者，實際使用上薄片電阻值較佳為50Ω/□以下。
<導電性圖案之全光線穿透率測定>
使用雙光束方式霧度計(須賀試驗機股份有限公司製造)對所得之導電性材料1~10之晶格圖案部之全光線穿透率進行測定。將結果示於表1。再者，實際使用上全光線穿透率較佳為80%以上。
<性圖案之鍍金屬積層部之線寬與厚度測定>
自所得之導電性材料1~10之線/間隙部中選擇任意5條線，利用共焦點顯微鏡(Lasertec公司製造之OPTELICS C130)測定該等之線寬與厚度。將所得之5條線寬之平均值與所得之各條線(N1~N5)之細線之厚度示於表1。再者，線寬之平均值較佳為接近光罩圖像之線寬即10μm，細線之厚度較佳為足以表現導電性並且不均較少。
《導電性材料前驅物14之製作》
於導電性材料前驅物1之製作中，製作下述組成之基底層3之塗液並使用該基底層3之塗液代替基底層1之塗液，除此以外，以與導電性材料前驅物1之製作相同之方式獲得導電性材料前驅物14。
<基底層3之塗液之組成/每1m2導電性材料前驅物之量>
上述硫化鈀溶膠 0.4mg
《導電性材料前驅物15之製作》
於基底層3之塗液之製作中，使用聚醚系胺酯聚合物乳膠(荒川化學工業股份有限公司製造之UREARNO W600，平均粒徑0.05μm)以固形份計6mg代替聚碳酸酯系胺酯聚合物乳膠，除此以外，以與導電性材料前驅物14之製作相同之方式獲得導電性材料前驅物15。
《導電性材料前驅物16之製作》
於基底層3之塗液之製作中，使用聚酯系胺酯聚合物乳膠(第一工業製藥公司製造之Superflex 500，平均粒徑0.14μm)以固形份計6mg代替聚碳酸酯系胺酯聚合物乳膠，除此以外，以與導電性材料前驅物14之製作相同之方式獲得導電性材料前驅物16。
《導電性材料前驅物17之製作》
於基底層3之塗液之製作中，使用乙二醛代替戊二醛，除此以外，以與導電性材料前驅物14之製作相同之方式獲得導電性材料前驅物17。
《導電性材料前驅物18之製作》
於基底層3之塗液之製作中，使用PVA 117(Kuraray股份有限公司製造，皂化度99%，聚合度1700)代替PVA 217作為聚乙烯醇，除此以外，以與導電性材料前驅物14之製作相同之方式獲得導電性材料前驅物18。
《導電性材料前驅物19之製作》
使用上述硫化錫溶膠代替於基底層3之塗液之製作中所使用之硫化鈀溶膠，除此以外，以與導電性材料前驅物14之製作相同之方式獲得導電性材料前驅物19。
《導電性材料前驅物20之製作》
製作下述組成之基底層4之塗液並使用該基底層4之塗液代替基底層3之塗液，除此以外，以與導電性材料前驅物14之製作相同之方式獲得導電 性材料前驅物20。
<基底層4之塗液之組成/每1m2導電性材料前驅物之量>
《導電性材料前驅物21之製作》
於基底層4之塗液之製作中使用丙烯酸系乳膠(大同化成工業股份有限公司製造之VINYSOL 1082，平均粒徑0.10μm)以固形份計6mg代替聚碳酸酯系胺酯聚合物乳膠，除此以外，以與導電性材料前驅物20之製作相同之方式獲得導電性材料前驅物21。
《導電性材料前驅物22之製作》
於基底層4之塗液之製作中使用聚酯乳膠(高松油脂股份有限公司製造之PESRESIN A115GE，平均粒徑0.05μm)以固形份計6mg代替聚碳酸酯系胺酯聚合物乳膠，除此以外，以與導電性材料前驅物20之製作相同之方式獲得導電性材料前驅物22。
《導電性材料前驅物23之製作》
於基底層4之塗液之製作中使用聚乙酸乙烯酯乳膠(大同化成工業股份有限公司製造之VINYSOL 290，平均粒徑0.5μm)以固形份計6mg代替聚碳酸酯系胺酯聚合物乳膠，除此以外，以與導電性材料前驅物20之製作相同之方式獲得導電性材料前驅物23。
《導電性材料前驅物24之製作》
於基底層4之塗液之製作中除去聚碳酸酯系胺酯聚合物乳膠，除此以外，以與導電性材料前驅物20之製作相同之方式獲得導電性材料前驅物24。
《導電性材料前驅物25之製作》
使用上述鈀溶膠代替於基底層4之塗液之製作中所使用之硫化鈀溶膠，除此以外，以與導電性材料前驅物20之製作相同之方式獲得導電性材料前驅物25。
《導電性材料前驅物26之製作》
於基底層3之塗液之製作中除去硫化鈀溶膠，除此以外，以與導電性材料前驅物14之製作相同之方式獲得導電性材料前驅物26。
<導電性材料之製作>
關於以上述方式獲得之導電性材料前驅物14~26之各者，使如下玻璃光罩與感光性光阻劑層表面真空密合，並使具有感光性光阻劑層之感光區域之波長之光(超高壓水銀燈)聚光，通過準直透鏡進行平行光曝光；該玻璃光罩具有由線寬為10μm(透光部)、線間隔為300μm(遮光部)之晶格圖案圖像構成之光罩圖像。曝光後之導電性材料前驅物14~26分別使用液溫30℃之1質量%碳酸鈉水溶液作為顯影液，將顯影液以淋浴方式對感光性光阻劑層噴附30秒而顯影，從而獲得晶格圖案之光阻劑圖像。再者，曝光量係以使未被晶格圖案圖像部之光阻劑圖像被覆之區域(露出基底層之區域)之線寬成為10μm之方式設定。光阻劑圖像部之線寬係利用共焦點顯微鏡(Lasertec公司製造之OPTELICS C130)進行確認。
再者，關於導電性材料前驅物26，於以與上述導電性材料前驅物14~25相同之方式形成光阻劑圖像後，於1質量%之氯化鈀溶液中浸漬兩分鐘並暫時乾燥。
繼而，將各導電性材料前驅物之具有上述光阻劑圖像之側之 面利用去離子水洗淨，藉由壓縮空氣吹除去離子水後，將上述氨性硝酸銀溶液與上述還原劑溶液利用雙頭噴槍同時對具有光阻劑圖像之側之面噴附30秒，進行無電解鍍銀，於未被光阻劑圖像被覆之基底層上形成厚度0.25μm之鍍銀層。其後，利用去離子水洗淨，使其自然乾燥。雙頭噴槍之噴附量各自為240ml/分鐘。
繼而，將5質量%氫氧化鈉溶液以淋浴方式對各導電性材料前驅物之具有光阻劑圖像之側之面噴附60秒而將光阻劑圖像溶解去除，水洗後進行自然乾燥，藉此獲得導電性材料14~26。所得之導電性材料各者獲得由線寬為10μm、線間隔為300μm之晶格圖案之銀圖像構成之導電性圖案。
<導電性圖案之薄片電阻值測定>
使用Loresta GP/ESP探針(Dia Instruments股份有限公司製造)並依照JIS K7194對所得之導電性材料14~26之晶格圖案部之薄片電阻值進行測定。將結果示於表2。再者，實際使用上薄片電阻值較佳為50Ω/□以下。
<導電性圖案之全光線穿透率測定>
使用雙光束方式霧度計(須賀試驗機股份有限公司製造)對所得之導電性材料14~26之晶格圖案部之全光線穿透率進行測定。將結果示於表2。再者，於導電性材料26中，於銀圖像之邊緣部分存在可視為光阻劑圖像之去除不良之污垢。再者，實際使用上全光線穿透率較佳為80%以上。
<導電性圖案之密合性之評價>
於所得之導電性材料14~26之晶格圖案部貼合寬12mm×5cm之黏著膠帶(積水化學工業股份有限公司製造之Sekisui cellophane tape(膠帶規格JIS Z 1522))，用竹皮刷自上方擦拭黏著膠帶後，以剝離角度60℃緩慢地剝離膠帶，利用共焦點顯微鏡(Lasertec公司製造之OPTELICS C130)觀察晶格圖案部之銀圖像。將銀圖像上無剝離之部分者評價為○，將有剝離之部 分者評價為△。將結果示於表2。再者，於將評價結果為△者與其他構件貼合時等，使用上需注意，但可實際使用。
根據以上之結果判明，根據本發明，可獲得如下導電性材料前驅物，該導電性材料前驅物可形成即便導電性圖案為線寬25μm以下之微細圖案亦具有充分之全光線穿透率並且具有良好之導電性的導電性圖案，進而，可形成密合性優異之導電性圖案。進而判明，根據本發明，可形成即便無電鍍敷時間為短時間亦具有良好之導電性的導電性圖案，可以較高之生產性製造導電性材料。

Claims (10)

  1. 一種導電性材料前驅物，其依序積層並具有支持體、含有水溶性高分子化合物、交聯劑及金屬硫化物的基底層、以及感光性光阻劑層。
  2. 如申請專利範圍第1項之導電性材料前驅物，其中，水溶性高分子化合物為聚乙烯醇。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之導電性材料前驅物，其中，交聯劑為多元醛化合物。
  4. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之導電性材料前驅物，其中，基底層進一步含有胺酯聚合物乳膠(urethane polymer latex)。
  5. 如申請專利範圍第1至4項中任一項之導電性材料前驅物，其中，感光性光阻劑層為正型感光性光阻劑層。
  6. 一種導電性材料之製造方法，其包括如下步驟：將下述導電性材料前驅物之感光性光阻劑層面曝光成任意圖案狀後，進行顯影，而形成經曝光之圖案之光阻劑圖像；對形成有光阻劑圖像之面進行無電鍍敷而於未被光阻劑圖像被覆之基底層上形成導電性圖案；及其後去除光阻劑圖像；其中，該導電性材料前驅物依序積層並具有支持體、含有水溶性高分子化合物、交聯劑及金屬硫化物之基底層、以及感光性光阻劑層。
  7. 如申請專利範圍第6項之導電性材料之製造方法，其中，水溶性高分子化合物為聚乙烯醇。
  8. 如申請專利範圍第6或7項之導電性材料之製造方法，其中，交聯劑為多元醛化合物。
  9. 如申請專利範圍第6至8項中任一項之導電性材料之製造方法，其中，基底層進一步含有胺酯聚合物乳膠。
  10. 如申請專利範圍第6至9項中任一項之導電性材料之製造方法，其中，感光性光阻劑層為正型感光性光阻劑層。
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