TW201439347A

TW201439347A - 金屬薄膜及金屬薄膜形成用鉬合金濺鍍靶材

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Publication number: TW201439347A
Application number: TW103105379A
Authority: TW
Inventors: Hideo Murata
Original assignee: Hitachi Metals Ltd
Priority date: 2013-02-20
Filing date: 2014-02-19
Publication date: 2014-10-16
Also published as: KR20140104358A; JP2014185393A; CN103993262B; TWI547575B; KR101597018B1; CN103993262A; JP6292466B2

Abstract

本發明提供一種包含鉬合金的電子零件用金屬薄膜及用以形成該金屬薄膜的鉬合金濺鍍靶材，該金屬薄膜可改善耐濕性或抗氧化性，並且在低電阻的Al或Cu的主配線膜上形成金屬薄膜作為基底膜或覆蓋膜時，即便經過加熱步驟亦可維持低電阻值。本發明是關於一種金屬薄膜及金屬薄膜形成用鉬合金濺鍍靶材。該金屬薄膜合計含有3原子%以上的選自Cr、Zr及Ta的元素族群A中的一種以上，含有10原子%~45原子%的Ni，且合計含有50原子%以下的選自上述元素族群A中的元素與上述Ni，剩餘部分包含Mo及不可避免的雜質。該金屬薄膜形成用鉬合金濺鍍靶材合計含有3原子%以上的選自Cr、Zr及Ta的元素族群A中的一種以上，含有10原子%~45原子%的Ni，且合計含有50原子%以下的選自上述元素族群A中的元素與上述Ni，剩餘部分包含Mo及不可避免的雜質。

Description

金屬薄膜及金屬薄膜形成用鉬合金濺鍍靶材

本發明是有關於一種要求耐濕性、抗氧化性的電子零件所使用的金屬薄膜及用以形成該金屬薄膜的鉬合金濺鍍靶材。

除了在玻璃基板上形成薄膜器件的液晶顯示器(Liquid Crystal Display)(以下稱為LCD)、電漿顯示面板(Plasma Display Panel)(以下稱為PDP)、用於電子紙(Electronic paper)等的電泳型顯示器等平面顯示裝置(平板顯示器(Flat Panel Display)，以下稱為FPD)以外，在各種半導體器件、薄膜感測器、磁頭等薄膜電子零件中亦需要低電阻的配線膜。例如隨著LCD、PDP、有機電致發光(Electro-Luminescence，EL)顯示器等FPD的大畫面、高清晰、高速響應化，而對其配線膜要求低電阻化。並且，近年來開發出對FPD附加操作性的觸控面板及使用樹脂基板的軟性FPD等新穎製品。

近年來，用作FPD的驅動元件的薄膜電晶體(TFT)的配線膜是使用Si半導體膜。作為主配線膜的Al若與Si直接接觸，則有因製造TFT過程中的加熱步驟而熱擴散，導致TFT的特性變差的情況。因此，使用在Al與Si之間形成耐熱性優異的純鉬或鉬合金等的金屬薄膜作為阻障膜的積層配線膜。

另外，連接於TFT的畫素電極、或攜帶型終端或平板電腦(Personal Computer，PC)等所使用的觸控面板的位置檢測電極一般使用作為透明導電膜的氧化銦錫(以下稱為ITO)。在該情況下，作為主配線膜的Al若與ITO接觸，則有在其界面處生成氧化物，導致電接觸性變差的情況。因此，必須在配線膜的Al與ITO之間形成純鉬或鉬合金等的金屬薄膜而確保與ITO的接觸性。

此外，業界基於迄今為止的非晶質Si半導體，正進行可實現更高速驅動的使用氧化物的透明半導體膜的應用研究，對於該等氧化物半導體的積層膜亦研究使用Al與純鉬或鉬合金等的積層配線膜。

因此，作為改善純鉬的特性的方法，本申請人提出了在Mo中添加有3原子%~50原子%的V或Nb等的鉬合金膜，該鉬合金膜在耐蝕性、耐熱性及與基板的密接性方面優異，且為低電阻(例如參照專利文獻1)。

另外，近年來，用作FPD的驅動元件的薄膜電晶體(TFT)的配線膜需要低電阻化，業界正研究對主配線膜使用電阻低於Al的Cu。另外，一面觀看FPD的畫面一面賦予直接操作性的觸控面板基板畫面也向大型化方向發展，業界正推進為了低電阻化而將Cu用於主配線材料的研究。

如上所述，TFT是使用Si半導體，作為主配線膜的Cu若與Al同樣地直接接觸Si，則會因製造TFT過程中的加熱步驟而熱擴散，導致TFT的特性變差。因此，使用在Cu與Si之間形成耐熱性優異的純鉬或鉬合金等的金屬薄膜作為阻障膜的積層配線膜。

另外，連接於TFT的畫素電極、或攜帶型終端或平板PC等所使用的觸控面板的位置檢測電極一般使用作為透明導電膜的ITO(氧化銦錫)。Cu雖然可獲得與ITO的接觸性，但因與基板的密接性低，而需要採用為了確保密接性而利用純鉬或鉬合金等的金屬薄膜覆蓋Cu而成的積層配線膜。

此外，業界基於迄今為止的非晶質Si半導體，進行可實現更高速響應的使用氧化物的透明半導體膜的應用研究，對於該等氧化物半導體的配線膜亦研究積層有Cu與純鉬或鉬合金的金屬薄膜的積層配線膜。

本申請人提出了藉由將與玻璃等的密接性低的Cu或Ag與以Mo為主體且含有V及/或Nb的鉬合金加以積層，可維持Cu或Ag所具有的低電阻值，並且改善耐蝕性、耐熱性及與基板的密接性(例如參照專利文獻2)。

[先前技術文獻]

[專利文獻]

[專利文獻1]日本專利特開2002-190212號公報

[專利文獻2]日本專利特開2004-140319號公報

上述專利文獻1中所提出的Mo-V、Mo-Nb合金等因耐蝕性、耐熱性及與基板的密接性優於純鉬，故而被廣泛用於形成在玻璃基板上的FPD用途。

但是，在製造FPD的情況下，有時在基板上形成積層配線膜後移至下一步驟時會長時間放置在大氣中。另外，對於為了提高便捷性而使用樹脂膜的輕量且軟性的FPD等，由於樹脂膜與迄今為止的玻璃基板等相比具有透濕性，故而對金屬薄膜要求更高的耐濕性。

此外，由於有時在FPD的端子部等安裝信號線纜時會在大氣中進行加熱，故而對於金屬薄膜亦要求提高抗氧化性。此外，對於使用氧化物的半導體膜，有時為了提高特性或實現穩定化，而在含有氧的環境、或在形成了包含氧的保護膜後進行350℃以上的高溫下的加熱處理。因此，對於提高抗氧化性的要求正提高，以使在主配線膜上使用金屬薄膜作為覆蓋膜的積層配線膜在經過該等加熱處理後亦可維持穩定的特性。

根據本發明者的研究，確認上述Mo-V、Mo-Nb合金等或純鉬的金屬薄膜在上述環境中的耐濕性或抗氧化性並不充分，有時會產生在FPD的製造步驟中發生變色的問題。

另外，根據本發明者的研究，由於Cu的密接性、耐濕性及抗氧化性遠遜於Al，故而有形成用以確保與基板的密接性的基底膜、或成為保護Cu表面的覆蓋膜的金屬薄膜的情況。在採用上述Mo-V、Mo-Nb合金等或純鉬的情況下，耐濕性或抗氧化性不充分，有時會產生如下問題：在FPD的製造步驟中製成Cu的覆蓋膜時發生變色並且氧透過，導致Cu電阻值大為增加。覆蓋膜的變色會使電接觸性變差，而導致電子零件的可靠性降低。

另外，確認到如下情況：為了實現FPD的大畫面化或高速驅動，TFT製造步驟中的加熱溫度有上升的傾向，若經過更高溫度的加熱步驟，則作為覆蓋膜的金屬薄膜中所含的合金元素會熱擴散至Al或Cu的主配線膜中，而導致電阻值增加。

本發明的目的在於提供一種包含鉬合金的電子零件用金屬薄膜及用以形成該金屬薄膜的鉬合金濺鍍靶材，該金屬薄膜可改善耐濕性或抗氧化性，並且在低電阻的Al或Cu的主配線膜上形成金屬薄膜作為基底膜或覆蓋膜時，即便經過加熱步驟亦可維持低電阻值。

本發明者鑒於上述課題，努力研究新添加至Mo中的元素的最佳化。結果發現：藉由在Mo中複合添加特定量的Ni與特定量的選自Cr、Zr、Ta的元素族群A中的元素的一種以上，耐濕性與抗氧化性會提高。另外發現：於使用金屬薄膜作為低電阻的Al或Cu的主配線膜的基底膜或覆蓋膜時，即便經過溫度高的加熱步驟，亦可維持低電阻值，從而完成本發明。

即，本發明是一種金屬薄膜，其合計含有3原子%以上的選自Cr、Zr及Ta的元素族群A中的一種以上，含有10原子%~45原子%的Ni，且合計含有50原子%以下的選自上述元素族群A中的元素與上述Ni，剩餘部分包含Mo及不可避免的雜質。

在選自上述元素族群A中的元素為Cr及/或Zr的情況下，較佳為其添加量合計為3原子%~20原子%。

在選自上述元素族群A中的元素為Ta的情況下，較佳為其添加量為3原子%~15原子%。

另外，本發明是一種金屬薄膜形成用鉬合金濺鍍靶材，其合計含有3原子%以上的選自Cr、Zr及Ta的元素族群A中的一種以上，含有10原子%~45原子%的Ni，且合計含有50原子 %以下的選自上述元素族群A中的元素與上述Ni，剩餘部分包含Mo及不可避免的雜質。

與先前的金屬薄膜相比，本發明的金屬薄膜在耐濕性、抗氧化性方面優異。另外，即便在與主配線膜的Al或Cu進行積層時的加熱步驟中，亦可抑制電阻值的增加，而維持低電阻值。藉此，藉由用於各種電子零件、例如形成在樹脂基板上的基底膜或覆蓋膜等，而具有可大有助於電子零件的穩定製造或可靠性提高的優點，成為對電子零件的製造有用的技術。尤其是成為對觸控面板或使用樹脂基板的軟性FPD有用的金屬薄膜。其原因在於：對於該等製品而言，尤其是耐濕性、抗氧化性非常重要。

1‧‧‧基板

2‧‧‧金屬薄膜(基底膜)

3‧‧‧主導電膜

4‧‧‧金屬薄膜(覆蓋膜)

圖1是表示本發明的電子零件用金屬薄膜的應用例的剖面模式圖。

將本發明的金屬薄膜的應用例示於圖1。本發明的金屬薄膜例如形成在基板1上，可用於主導電膜3的基底膜2或覆蓋膜 4。圖1中在主導電膜3的兩面形成有金屬薄膜2、金屬薄膜4，亦可僅覆蓋基底膜2或覆蓋膜4中的任一面，可適當選擇。此外，在利用本發明的金屬薄膜僅覆蓋主導電膜的其中一面的情況下，可根據電子零件的用途，利用組成與本發明不同的金屬薄膜覆蓋主導電膜3的另一面。

本發明可提供一種新穎金屬薄膜，其可提高耐濕性、抗氧化性，例如在與形成主導電膜的Cu或Al等的積層時的加熱步驟中，可維持低電阻值。該金屬薄膜的特徵在於：相對於Mo合計添加3原子%以上的選自Cr、Zr及Ta的元素族群A中的一種以上，添加10原子%~45原子%的Ni，且在合計50原子%以下的範圍內添加選自上述元素族群A中的元素與上述Ni。以下，對本發明的金屬薄膜進行詳細說明。此外，在以下的說明中，所謂「耐濕性」是指高溫高濕環境下的配線膜的電阻值的難變化性。另外，所謂「抗氧化性」是指高溫環境下的電接觸性的難劣化性，可根據配線膜的變色而確認，例如可藉由反射率而定量地評價。

關於本發明的金屬薄膜，在鉬合金中添加Ni的原因是為了提高抗氧化性。若對純鉬在大氣中進行加熱，則其容易氧化，導致金屬薄膜表面變色，使電接觸性變差。本發明的金屬薄膜藉由在Mo中添加特定量的Ni，可提高抗氧化性。Ni的添加量為10原子%以上時其效果顯著。

用作主導電膜的Cu是若在大氣中進行加熱則非常容易氧化的元素。在使用本發明的金屬薄膜作為包含Cu的主導電膜的覆蓋膜的情況下，較佳為將Ni的添加量設為20原子%以上。藉此，本發明的金屬薄膜可確保直至300℃以上高溫下的充分的抗氧化性與低電阻值。

另一方面，用作主導電膜的Al是如下元素：若暴露在大氣中，則會在其表面產生薄的鈍態膜而保護內部，因此與Cu相比抗氧化性、耐濕性優異。但是，如上所述，為了改善與ITO等的接觸性，而需要Mo系合金的覆蓋膜。另外，Ni是相對於Al容易熱擴散的元素，因此鉬合金中所含有的Ni的添加量需設為可改善抗氧化性的最小限度。

在使用本發明的金屬薄膜作為包含Al的主導電膜的覆蓋膜的情況下，若Ni的添加量超過25原子%，則在製造FPD等電子零件時的350℃左右的加熱步驟中，覆蓋膜中所含的Ni會擴散至主導電膜的Al中，而難以維持低電阻值。因此，在使用本發明的金屬薄膜作為包含Al的主導電膜的覆蓋膜的情況下，較佳為將Ni的添加量設為25原子%以下。

根據本發明者的研究，確認純鉬的耐濕性較低，有在高溫高濕環境下電阻值增加的情況。關於本發明的金屬薄膜，為了維持Mo的優異的障壁性並改善耐濕性，將選自Cr、Zr、Ta的元素族群A中的一種以上元素的合計設為3原子%以上，並將與Ni的合計設為50原子%以下。其原因在於：若Ni與Cr、Zr、Ta的添加量的合計超過50原子%，則加熱至350℃以上的高溫時，電阻值會增加。認為其原因為：Ni、Cr等是與Mo相比容易熱擴散至Cu中的元素。

Cr、Zr、Ta的元素族群A是耐蝕性高於Mo的元素，是具有容易與氧或氮鍵結的性質的金屬，且具有在高溫高濕環境下在表面形成鈍態膜而保護金屬薄膜內部的效果。因此，關於本發明的金屬薄膜，藉由在Mo中添加特定量的Cr、Zr、Ta，可大幅提高耐濕性。於合計3原子%以上時該效果明確，於5原子%以上時該效果更顯著。

另一方面，若元素族群A的添加量增加，則在金屬薄膜上形成鈍態膜，而導致耐蝕性過度提高。藉此，將金屬薄膜加工為FPD等的電極或配線時的蝕刻速度降低，而在基板上產生殘渣，或無法進行蝕刻。其添加量視元素而異，在添加Cr、Zr的情況下較佳為合計20原子%以下，在添加Ta的情況下較佳為15原子%以下。

在將本發明的金屬薄膜用於主導電膜的覆蓋膜的情況下，為了穩定地獲得低電阻值與耐濕性或抗氧化性，較佳為將其膜厚設為20nm~100nm。若金屬薄膜的膜厚小於20nm，則有金屬薄膜的連續性降低，而無法充分地獲得上述特性的情況。另一方面，若金屬薄膜的膜厚超過100nm，則金屬薄膜本身的電阻值變高。

尤其在主導電膜為Cu的情況下，為了抑制氧化，更佳為將金屬薄膜的膜厚設為30nm以上。另外，在主導電膜為Al的情況下，為了抑制加熱時的原子的擴散，金屬薄膜的膜厚較佳為較薄，更佳為設為20nm~70nm。

在形成本發明的金屬薄膜時，最適合為使用濺鍍靶材的濺鍍法。可應用以下方法：使用與金屬薄膜的組成相同的鉬合金濺鍍靶材進行成膜的方法，或使用Mo-Ni合金濺鍍靶材與Mo-Cr、Mo-Zr、Mo-Ta合金的濺鍍靶材藉由共濺鍍(Co-Sputtering)進行成膜的方法等。就濺鍍的條件設定的簡易性或容易獲得所需組成的金屬薄膜的方面而言，最佳為使用與金屬薄膜的組成相同的鉬合金濺鍍靶材進行濺鍍成膜。

本發明的金屬薄膜形成用鉬合金濺鍍靶材含有10原子%~45原子%的Ni，含有3原子%以上的選自Cr、Zr及Ta的元素族群A中的一種以上，且合計含有50原子%以下的選自上述元素族群A中的元素與上述Ni，剩餘部分包含Mo及不可避免的雜質。

另外，在選擇Cr及/或Zr作為元素族群A的情況下，較佳為將其添加量設為合計3原子%~20原子%。另外，在選擇Ta作為元素族群A的情況下，較佳為將其添加量設為3原子%~15原子%。

關於本發明的金屬薄膜形成用鉬合金濺鍍靶材，為了確保形成金屬薄膜時的抗氧化性、耐濕性，較佳為除Mo以外的不可避免的雜質在除作為必需元素的Mo、Ni、Cr、Zr、Ta以外的剩餘部分中所占的含量較少。亦可在不損害本發明的作用的範圍內含有作為氣體成分的氧氣、氮氣、或碳、作為過渡金屬的Fe、Cu、作為半金屬的Al、Si等不可避免的雜質。例如作為氣體成分的氧氣、氮氣分別為1000質量ppm以下，碳為200質量ppm以下，Fe、Cu為200質量ppm以下，Al、Si為100質量ppm以下等，以除氣體成分以外的純度計較佳為99.9質量%以上。

作為本發明的電子零件用金屬薄膜形成用濺鍍靶材的製造方法，例如可應用粉末燒結法。在粉末燒結法中，例如可將以成為本發明的最終組成的方式混合多種合金粉末或純金屬粉末而成的混合粉末作為原料粉末。作為原料粉末的燒結方法，可使用熱均壓壓製、熱壓、放電電漿燒結、擠壓燒結等加壓燒結。

[實施例1]

首先，準備平均粒徑為6μm的Mo粉末、平均粒徑為100μm的Ni粉末、平均粒徑為150μm的Cr粉末、平均粒徑為120μm的Ta粉末、及平均粒徑為85μm的Nb粉末，並以成為表1所示的規定組成的方式進行混合，將其填充至軟鋼製的罐中之後，一面加熱一面進行真空脫氣，並在去除罐內的氣體後進行密封。其次，將密封後的罐放入熱均壓壓製裝置中，在800℃、120MPa、5小時的條件下進行燒結後，藉由機械加工而製作直徑100mm、厚度5mm的濺鍍靶材。

另外，用以製作下述比較例的Mo-Ni-Zr合金的金屬薄膜的Ni-Zr合金濺鍍靶材是藉由真空熔解-鑄造法而製作錠，並藉由機械加工而製作直徑100mm、厚度5mm的濺鍍靶材。

將上述所獲得的各濺鍍靶材焊接在銅製的背襯板(backing plate)上並安裝在濺鍍裝置中。濺鍍裝置是使用佳能安內華(Canon Anelva)股份有限公司製造的SPF-440H。

在25mm×50mm的玻璃基板上形成200nm的表1所示的各組成的金屬薄膜，而獲得試樣。此外，Mo-Ni-Zr合金的金屬薄膜是藉由對上述所製作的Mo-Ni合金與Ni-Zr合金的靶材同時進行濺鍍的共濺鍍法而形成。所獲得的金屬薄膜的組成分析是利用島津製作所股份有限公司製造的型號：ICPV-1017的ICP(電感耦合電漿發光分析裝置)進行分析。

抗氧化性的評價是測定將上述所獲得的各試樣在大氣中以250℃、300℃、350℃加熱1小時後的反射率的變化。在測定反射率時，使用柯尼卡美能達(Konica Minolta)股份有限公司製造的分光測色計CM-2500d而測定可見光區域的反射特性。蝕刻性的評價是將上述所獲得的各試樣在關東化學股份有限公司製造的Al用蝕刻劑中浸漬10分鐘，並對基板上是否殘留有金屬薄膜進行評價。將基板上無膜殘留或殘渣等而被蝕刻者設為○，將膜殘留而未被蝕刻者設為×。此外，在被蝕刻但存在膜殘留或殘渣的情況下，表述其狀況。將其結果示於表1。

如表1所示，確認若將包含純鉬或鉬合金的金屬薄膜在大氣中加熱或放置在高溫高濕環境中，則有反射率降低的傾向，且根據添加元素在反射率的降低方面有大的差異。

關於包含Mo-10原子%Nb、Mo-17原子%Ta合金的金屬薄膜的反射率，確認若在大氣中進行加熱，則在300℃下反射率大為降低，在350℃下變成氧化物而透射，抗氧化性低。另外，關於包含Mo-Ni合金的金屬薄膜放置在高溫高濕環境時的反射率，確認若放置100小時，則反射率大為降低，耐濕性低。

對此，可確認本發明的包含在Mo中添加有特定範圍的Ni與Cr、Zr、Ta的鉬合金的金屬薄膜即便在大氣中加熱、放置在高溫高濕環境中，反射率的降低亦少，可兼具抗氧化性與耐濕性兩者。

[實施例2]

假定圖1所示的膜構成，在25mm×50mm的玻璃基板上形成表2所示的組成的基底膜，並使用與實施例1相同的濺鍍裝置，分別以表2所示的膜厚構成在基底膜的上表面形成作為主導電膜的Cu膜，進而在Cu膜的上表面形成覆蓋膜，而獲得積層配線膜的試樣。此外，Cu靶材是自日立電線股份有限公司的無氧銅的板材切出而製作。

抗氧化性的評價是測定將上述所獲得的各試樣在大氣中以250℃、300℃、350℃加熱1小時後的反射率的變化。在測定反射率時，使用柯尼卡美能達(Konica Minolta)股份有限公司製造的分光測色計CM-2500d測定可見光區域的反射特性。另外，耐濕性的評價是測定將上述所獲得的各試樣在85℃×85%的高溫高濕環境中放置100小時、200小時、300小時的情況下的電阻值的變化。在測定電阻值時，使用戴亞儀器(Dia Instruments)股份有限公司製造的四端子薄膜電阻率測定器MCP-T400進行測定。蝕刻性的評價是將上述所獲得的各試樣在關東化學製造的Cu用蝕刻劑Cu02中浸漬10分鐘，並對基板上是否殘留有金屬薄膜進行評價。將基板上無膜殘留或殘渣等而被蝕刻者表記為○，將未被蝕刻而殘留者表記為×。將其結果示於表2。

如表2所示，關於主導電膜的Cu膜單體，若在大氣中以250℃以上進行加熱則會發生氧化，反射率大為降低，而無法進行電阻值的測定。另外，關於比較例的作為金屬薄膜的鉬合金與Cu的積層配線膜，若在大氣中進行加熱，則反射率降低，而有電阻值增加的傾向。尤其是關於純鉬或Mo-10原子%Nb、Mo-17原子%Ta，若在大氣中以350℃進行加熱，則反射率大為降低。另外，雖然電阻值可直至250℃為止維持較低值，但在350℃下大為增加，認為原因是氧透過覆蓋膜，而主導電膜的Cu膜發生氧化，而確認抗氧化性低。另外，關於比較例的使用Mo-Ni合金的金屬薄膜的積層配線膜，得知若Ni的添加量增加，則反射率的降低得到抑制，可維持低電阻值直至更高溫度，可改善抗氧化性。

另外，在高溫高濕環境中，Cu層單體隨著放置時間的增加而反射率降低，電阻值增加。若放置200小時以上，則變得無法測定電阻值。比較例的Mo-10Nb、Mo-17Ta與Mo相比反射率的降低得到抑制，電阻值的增加得到抑制，而耐濕性提高。另外，得知純鉬同樣在100小時的放置時間時反射率大為降低，電阻值增加，若Ni的添加量增加則該傾向變得明顯而耐濕性低。

對此，可確認若將本發明的包含在Mo中添加有特定範圍的Ni與Cr、Zr、Ta的鉬合金的金屬薄膜用於基底膜及覆蓋膜，則即便在350℃的大氣中進行加熱，即便長時間放置在高溫高濕的環境中，反射率的降低、電阻值的增加亦少，可同時大為改善抗氧化性、耐濕性。另外，得知雖然添加Cr、Zr、Ta對耐濕性有效果，但若Cr超過20原子%、Ta超過15原子%，則變得無法進行蝕刻。

如上所述，可確認本發明的金屬薄膜藉由設為包含Cu的主導電膜的基底膜或覆蓋膜，可大幅度改善抗氧化性、耐濕性，而維持低電阻值。

[實施例3]

假定圖1所示的膜構成，在25mm×50mm的玻璃基板上形成表3所示的組成的基底膜，並使用與實施例1相同的濺鍍裝置，分別以表3所示的膜厚構成在基底膜的上表面形成作為主導電膜的Al膜，進而在Al膜的上表面形成覆蓋膜，而獲得積層配線膜的試樣。此外，Al靶材是使用自住友化學股份有限公司購買者。

抗氧化性及耐濕性的評價是利用與實施例2相同的方法而進行。蝕刻性的評價是僅對上述所獲得的試樣的一半面積塗佈光阻劑並進行乾燥，將其浸漬在關東化學股份有限公司製造的Al用混酸蝕刻液中，對未塗佈部分進行蝕刻。其後，利用純水清洗基板並使之乾燥，利用光學顯微鏡觀察溶解部分與塗佈有光阻劑的未溶解部分的邊界附近。將基板上無膜殘留或殘渣等而被蝕刻者設為○，將膜殘留而未被蝕刻者設為×。此外，在被蝕刻但存在膜殘留或殘渣的情況下，表述其狀況。將其結果示於表3。

如表3所示，與實施例1、實施例2的結果同樣地得知Mo在抗氧化性、耐濕性方面差，Mo-Nb合金在抗氧化性方面低，Mo-Ni合金在耐濕性方面差。

對此，得知若將本發明的包含在Mo中添加有特定範圍的Ni與Cr、Zr、Ta的鉬合金的金屬薄膜用於基底膜及覆蓋膜，則可大為改善抗氧化性、耐濕性。

如上所述，可確認本發明的金屬薄膜藉由設為包含Al的主導電膜的基底膜或覆蓋膜，可大幅度改善抗氧化性、耐濕性，而維持低電阻值。

1‧‧‧基板

2‧‧‧金屬薄膜(基底膜)

3‧‧‧主導電膜

4‧‧‧金屬薄膜(覆蓋膜)

Claims

一種金屬薄膜，其特徵在於：合計含有3原子%以上的選自Cr、Zr及Ta的元素族群A中的一種以上，含有10原子%~45原子%的Ni，且合計含有50原子%以下的選自上述元素族群A中的元素與上述Ni，剩餘部分包含Mo及不可避免的雜質。
如申請專利範圍第1項所述之金屬薄膜，其中選自上述元素族群A中的元素為Cr及/或Zr，其添加量合計為3原子%~20原子%。
如申請專利範圍第1項所述之金屬薄膜，其中選自上述元素族群A中的元素為Ta，其添加量為3原子%~15原子%。
一種金屬薄膜形成用鉬合金濺鍍靶材，其特徵在於：合計含有3原子%以上的選自Cr、Zr及Ta的元素族群A中的一種以上，含有10原子%~45原子%的Ni，且合計含有50原子%以下的選自上述元素族群A中的元素與上述Ni，剩餘部分包含Mo及不可避免的雜質。
如申請專利範圍第4項所述之金屬薄膜形成用鉬合金濺鍍靶材，其中選自上述元素族群A中的元素為Cr及/或Zr，其添加量合計為3原子%~20原子%。
如申請專利範圍第4項所述之金屬薄膜形成用鉬合金濺鍍靶材，其中選自上述元素族群A中的元素為Ta，其添加量為3原子%~15原子%。