JP4419036B2 - ブラックマトリックス用遮光膜を形成するためのスパッタリングターゲット - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
この発明は、液晶ディスプレーなどのカラーパネルを作製する工程で積層させるブラックマトリックス用遮光膜を形成するためのスパッタリングターゲットに関するものである。
【0002】
【従来の技術】
一般に、液晶ディスプレーに使用するカラーパネルには、ガラス板や透明樹脂板などからなる透明板の上に赤、青、緑の3原色カラーフィルターと、この3原色の色画素間を仕切るための格子状にパターニングされたブラックマトリックスが形成されており、このブラックマトリックスはカラーフィルターの3原色の色画素を区切り、3原色の混合を防止して画像の高コントラスト化および高品位画質化を図る役目を担っている。
前記ブラックマトリックスは、蒸着またはスパッタリングにより形成された遮光膜の上にフォトリゾグラフィによりレジストパターンを形成し、次いでこれをマスクとしてエッチングすることにより微小開口部分を有する格子状パターン膜とすることにより作製する。
前述のように、ブラックマトリックスは遮光膜をパターンエッチングすることにより形成されるが、遮光膜の特性として最も重要な特性は、パターンエッチングが可能であるとともに耐食性を有すること、および光源からの必要のない光を十分に遮蔽することができる遮光性を有することである。
【0003】
このブラックマトリックスの格子状パターン膜により区切られた微小開口部分にオフセット印刷などにより赤、青、緑の3原色カラーフィルター層を形成し、さらにこのカラーフィルター層およびブラックマトリックスの上にトップコート層を形成し、さらにこのトップコート層の上にITO(インジウム錫酸化物)などの透明電極膜を形成してカラーパネルが作製される。
【0004】
前記ブラックマトリックスを形成するための遮光膜の反射率が高いと外部からの反射光が表示画像のコントラストを低下させるので、画像を一層見やすくするために透明板と遮光膜の間にCrO,CrNなどの化合物薄膜からなる低反射膜を形成することがある。ブラックマトリックスを形成するための遮光膜として、従来は金属CrまたはCr基合金の蒸着膜またはスパッタリング膜が使用されており、この金属CrまたはCr基合金からなる遮光膜は、優れた耐食性および遮光性を有している。
【0005】
ところが、金属CrまたはCr基合金からなる遮光膜は、エッチングして格子状パター膜を形成する際に有害な6価クロムが発生し、この6価クロムは処理がなされずに外部に流出すると、環境問題に発展する。そのため、近年、ブラックマトリックスを形成するための遮光膜としてNiまたはCrを含まないNi基合金からなる薄膜が使用されている。前記Crを含まないNi基合金からなる薄膜として、NiにTa:0.5〜35wt%を含有する組成のNi基合金からなる薄膜(特開平11−80936号公報参照)およびNiにMo:22wt%を含有する組成のNi基合金からなる薄膜(特開平11−52126号公報参照)などが提案されており、これら薄膜はスパッタリングターゲットを用いて形成されることが知られている。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、従来のスパッタリングターゲットを用いて形成されるTa:0.5〜35wt%を含有し、残部がNiおよび不可避不純物からなるNi基合金で構成された遮光膜並びにMo:22wt%を含有し、残部がNiおよび不可避不純物からなる組成のNi基合金からなる遮光膜は、遮光性が十分でなく、またITO洗浄液に対する耐食性も十分なものではなかった。
【0007】
【課題を解決するための手段】
そこで、本発明者らは、一層エッチング性および耐食性に優れ、さらに一層遮光性に優れたブラックマトリックスを形成するための遮光膜を得るべく研究を行った結果、
(a)質量%で(以下%は質量%を示す)、Mo:10〜30%およびTa:1〜10%を複合して含有し、残りがNiおよび不可避不純物からなる組成を有するNi基合金にTi:1〜5%を添加し、さらにNb:0.5〜6%、Fe:1〜5%の内の1種または2種以上を添加した組成を有するNi基合金からなるスパッタリングターゲットを作製し、このスパッタリングターゲットを用いて得られた遮光膜は、従来の遮光膜よりも膜特性が一層向上する、
(b)前記(a)に記載のNi基合金に、さらにCuおよびVの内の1種または2種を合計で1〜10%を複合添加した組成を有するNi基合金からなるスパッタリングターゲットを作製し、このスパッタリングターゲットを用いて得られた遮光膜は、エッチング性が一層向上する、
などという研究結果が得られたのである。
【0008】
この発明は、かかる研究結果に基づいて成されたものであって、
(1)Mo:10〜30%、Ta:1〜10%を含有し、さらにNb:0.5〜6%、Ti:1〜5%を含有し、残りがNiおよび不可避不純物からなる組成を有するブラックマトリックス用遮光膜を形成するためのスパッタリングターゲット、
(2)Mo:10〜30%、Ta:1〜10%を含有し、さらにTi:1〜5%、Fe:1〜5%を含有し、残りがNiおよび不可避不純物からなる組成を有するブラックマトリックス用遮光膜を形成するためのスパッタリングターゲット、
(3)Mo:10〜30%、Ta:1〜10%を含有し、さらにNb:0.5〜6%、Ti:1〜5%、Fe:1〜5%を含有し、残りがNiおよび不可避不純物からなる組成を有するブラックマトリックス用遮光膜を形成するためのスパッタリングターゲット、
(4)前記(1)、(2)、(3)のいずれかに記載のスパッタリングターゲットに、さらにCuおよびVの内の1種または2種を合計で1〜10%を含有させたブラックマトリックス用遮光膜を形成するためのスパッタリングターゲット、
に特徴を有するものである。
【0009】
前記スパッタリングターゲットを製造するには、まず、前記(1)〜(4)記載の成分組成を有するNi基合金インゴットを作製し、このインゴットを1000〜1230℃で熱間一次塑性加工してスラブを作製し、さらにこのスラブを900〜1200℃で熱間二次塑性加工して板を作製し、この板を機械加工することにより製造する。
【0010】
この発明のブラックマトリックス用遮光膜を形成するためのスパッタリングターゲットの成分組成を前記のごとく限定した理由を説明する。
Mo:
Ni基合金からなるスパッタリングターゲットに含まれるMoは、Niの磁性を低下させてマグネトロンスパッタリング速度を増す作用があり、さらに得られた遮光膜の耐食性を向上させるとともに遮光性を一段と向上させる作用を有するが、Moの含有量が10%未満では所定の効果が得られないので好ましくなく、一方、Moが30%を越えて含有しても格別な耐食性向上および磁性減少効果が得られない。したがってこの発明のブラックマトリックス用遮光膜を形成するためのスパッタリングターゲットおよびそのスパッタリングターゲットを用いて形成した遮光膜に含まれるMoは10〜30%に定めた。Moの含有量の一層好ましい範囲は14〜25%であり、さらに一層好ましい範囲は15〜24%である。
【0011】
Ta:
TaはMoとともにNi基合金に含有させることによりスパッタリングして得られた遮光膜の耐食性を向上させる作用を有するが、Taの含有量が1%未満では十分な耐食性が得られないので好ましくなく、一方、Taが10%を越えて含有すると耐食性が良くなりすぎてエッチングによる格子状パターンを形成できなくなるので好ましくない。したがってTaの含有量を1〜10%に定めた。Taの含有量の一層好ましい範囲は2〜8%であり、さらに一層好ましい範囲は3〜7%である。
【0012】
Nb:
Nbは遮光膜の遮光性を向上させるので必要に応じて添加するが、その含有量が0.5%未満では所定の効果が得られないので好ましくなく、一方、6%を越えて含有してもそれ以上の効果が得られない。したがってNbの含有量は0.5〜6%に定めた。Nbの一層好ましい範囲は1〜3%である。
【0013】
Ti:
Tiはターゲットの組織を微細化し、この微細化した組織を有するターゲットを用いて成膜すると均質な遮光膜が得られるところから、必要に応じて添加される。しかし、Tiの含有量が1%未満では所望の効果が得られず、一方、5%を越えて添加するとターゲット作製時の加工性が低下するので好ましくない。したがって、Tiの含有量を1〜5%に定めた。Ti含有量の一層好ましい範囲は2〜4%である。
【0014】
Fe:
Feはスパッタリングにより得られた遮光膜のパターンエッチング性を良くするために必要に応じて添加される。しかし、Feの含有量が1%未満では所望の効果が得られず、一方、5%を越えて添加すると遮光膜の耐食性が低下するので好ましくない。したがって、Feの含有量を1〜5%に定めた。Fe含有量の一層好ましい範囲は2〜4%である。
【0015】
Cu,V:
これら成分は、遮光膜のパターンエッチングにおけるエッチング性を向上させるために必要に応じて添加するが、その添加量はCuおよびVの内の1種または2種を合計で1%未満では所望の作用が得られないので好ましくなく、一方、10%を越えて含有すると耐食性が低下するので好ましくない。したがって、CuおよびVの内の1種または2種を合計で1〜10%(好ましくは、2〜5%)に定めた。
【0016】
【発明の実施の形態】
表1に示される成分組成を有し、直径:180mmの寸法を有するNi基合金インゴットを作製し、これらNi基合金インゴットを1250℃、4時間保持することにより均質化処理し、この均質化処理したインゴットを1200℃で熱間鍛造することにより厚さ:25mmのスラブを作製し、次いでこれらスラブを1150℃で熱間圧延することにより厚さ:7mmの板を作製し、この板を機械加工することにより直径:150mm、厚さ:5mmの寸法を有する本発明ターゲット1〜10、比較ターゲット1〜2および従来ターゲット1〜2を作製した。
【0017】
これらターゲットをDCマグネトロンスパッタリング装置に設置し、コーニング社製の#7059ガラス基板表面にいずれも膜厚:約110nmを有し、本発明ターゲット1〜10、比較ターゲット1〜2および従来ターゲット1〜2の成分組成と同じ成分組成を有する遮光膜を形成した。
このようにして得られた遮光膜について、下記の透過試験および腐食試験を行った。
【0018】
(イ)透過試験
入射光の強度Iおよび透過光の強度I0を測定して透過率I/I0を求め、−log(I/I0)で定義する値(オプティカルデンシティ値、以下これをOD値という)を求め、その結果を表1に示した。
【0019】
(ロ)腐食試験
試験液として、ITO洗浄液に相当する12質量%KOHの水酸化カリウム水溶液および酸性溶液として12質量%HClの塩酸水溶液を用意し、これら水酸化カリウム水溶液および塩酸水溶液それぞれに15分間浸漬し、浸漬前後における遮光膜の膜厚変化量を測定し、その結果を表1に示して耐食性を評価した。膜厚の変化量が多いほど腐食により膜厚が減少し、耐食性が劣るという評価が得られることになる。
【0020】
【表1】
【0021】
【発明の効果】
表1に示された結果から、本発明ターゲット1〜10を用いてスパッタリングすることにより形成した遮光膜は、従来ターゲット1〜2を用いてスパッタリングすることにより形成した遮光膜に比べてOD値が高いところから遮光性が優れており、さらに膜厚変化量がほぼ同等であるから耐食性にも優れていることが分かる。しかし、この発明の範囲から外れた含有量を有する比較ターゲット1〜2は膜厚変化量が大きいところから耐食性が極端に劣るので好ましくないことが分かる。したがって、この発明は液晶パネルの品質の向上を計ることができ、ディスプレー産業の発展に大いに貢献し得るものである。
Claims (4)
- Mo:10〜30%、Ta:1〜10%を含有し、さらにNb:0.5〜6%、Ti:1〜5%を含有し、残りがNiおよび不可避不純物からなる組成を有することを特徴とするブラックマトリックス用遮光膜を形成するためのスパッタリングターゲット。
- Mo:10〜30%、Ta:1〜10%を含有し、さらにTi:1〜5%、Fe:1〜5%を含有し、残りがNiおよび不可避不純物からなる組成を有することを特徴とするブラックマトリックス用遮光膜を形成するためのスパッタリングターゲット。
- Mo:10〜30%、Ta:1〜10%を含有し、さらにNb:0.5〜6%、Ti:1〜5%、Fe:1〜5%を含有し、残りがNiおよび不可避不純物からなる組成を有することを特徴とするブラックマトリックス用遮光膜を形成するためのスパッタリングターゲット。
- さらに、CuおよびVの内の1種または2種を合計で1〜10%を含有することを特徴とする請求項1、2、3の何れか一項に記載のブラックマトリックス用遮光膜を形成するためのスパッタリングターゲット。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000359190A JP4419036B2 (ja) | 2000-11-27 | 2000-11-27 | ブラックマトリックス用遮光膜を形成するためのスパッタリングターゲット |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000359190A JP4419036B2 (ja) | 2000-11-27 | 2000-11-27 | ブラックマトリックス用遮光膜を形成するためのスパッタリングターゲット |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002167666A JP2002167666A (ja) | 2002-06-11 |
JP4419036B2 true JP4419036B2 (ja) | 2010-02-24 |
Family
ID=18830987
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000359190A Expired - Fee Related JP4419036B2 (ja) | 2000-11-27 | 2000-11-27 | ブラックマトリックス用遮光膜を形成するためのスパッタリングターゲット |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4419036B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006162942A (ja) * | 2004-12-07 | 2006-06-22 | Ulvac Seimaku Kk | ブランクス及びその形成方法、並びに該ブランクスを用いたブラックマトリックス及びその形成方法、 |
JP4828196B2 (ja) * | 2005-10-04 | 2011-11-30 | 富士フイルム株式会社 | 濃色隔画壁の形成方法、カラーフィルタ及びその製造方法、並びに表示装置 |
JP6292466B2 (ja) * | 2013-02-20 | 2018-03-14 | 日立金属株式会社 | 金属薄膜および金属薄膜形成用Mo合金スパッタリングターゲット材 |
JP6340621B2 (ja) * | 2013-07-26 | 2018-06-13 | 三菱マテリアル株式会社 | Niスパッタリングターゲット及びその製造方法 |
-
2000
- 2000-11-27 JP JP2000359190A patent/JP4419036B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP2002167666A (ja) | 2002-06-11 |
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Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
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A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20081008 |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20081203 |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20091118 |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
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R350 | Written notification of registration of transfer |
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