TW201437681A - 光掃瞄器之製造方法、光掃瞄器、圖像顯示裝置及頭戴顯示器 - Google Patents

光掃瞄器之製造方法、光掃瞄器、圖像顯示裝置及頭戴顯示器 Download PDF

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Yasushi Mizoguchi
Hisako Kojima
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Seiko Epson Corp
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Abstract

一種光掃瞄器之製造方法，其特徵在於包括：接合步驟，其係將第1基板與第2基板重疊，該第1基板包含成為基部之基部區域、成為軸部之軸部區域、及成為支持部之支持部區域，該第2基板於一面形成有框狀之凹部、位於上述凹部之內側之第1部分、及位於上述凹部之外側且具有降低光反射率之功能之框狀之第2部分；且該接合步驟係分別接合上述基部區域與上述第1部分、及上述支持部區域與上述第2部分；圖案化步驟，其係將上述第1基板圖案化而形成上述基部、上述軸部及上述支持部；及薄壁化步驟，其係自另一面側切削上述第2基板，而分離上述第1部分與上述第2部分。

Description

光掃瞄器之製造方法、光掃瞄器、圖像顯示裝置及頭戴顯示器
本發明係關於一種光掃瞄器之製造方法、光掃瞄器、圖像顯示裝置及頭戴顯示器。
例如，作為於屏幕顯示圖像之圖像顯示裝置，已知有包括光源及掃瞄來自光源之光之光掃瞄器之構成(例如參照專利文獻1)。專利文獻1所記載之圖像顯示裝置包括：3個雷射光源；合成部，其合成來自3個雷射光源之雷射光；及光掃瞄器，其掃瞄藉由合成部合成之雷射光。
又，光掃瞄器包括：基體，其包含呈框狀之支持部、設置於支持部之內側且具有光反射部之可動板及連結支持部與可動板之1對連結部；及遮光構件，其以覆蓋基板之方式設置。又，於遮光構件設置有用以向光反射部入射雷射光之入射用窗部、及用以出射由光反射部反射之雷射光之出射用窗部。於專利文獻1中，藉由設置此種遮光構件，可進行利用光掃瞄器之雷射光之掃瞄，並且減少雜散光之產生。
然而，於專利文獻1所記載之光掃瞄器中，由於基體(尤其是可動板)與遮光構件係由不同之構件構成，故而有基體與遮光構件之對準產生偏移之虞。若對準產生偏移，則雷射光之一部分無法通過入射用 窗部或出射用窗部、或雜散光防止效果會降低。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開平2009-216938號公報
本發明之目的在於提供一種可精度良好地形成能夠減少雜散光之光掃瞄器的光掃瞄器之製造方法、藉由該製造方法而形成且能夠減少雜散光之光掃瞄器、圖像顯示裝置及頭戴顯示器。
上述目的係藉由下述應用例而達成。
本發明之光掃瞄器之製造方法之特徵在於包括：接合步驟，其係將第1基板與第2基板重疊，該第1基板包含成為基部之基部區域、成為可搖動地支持上述基部之軸部的軸部區域、及成為經由上述軸部而支持上述基部之支持部的支持部區域，該第2基板於一面形成有框狀之凹部、位於上述凹部之內側之第1部分、及位於上述凹部之外側且具有降低光反射率之功能之框狀之第2部分；且該接合步驟係分別接合上述基部區域與上述第1部分、及上述支持部區域與上述第2部分；圖案化步驟，其係將上述第1基板圖案化而形成上述基部、上述軸部及上述支持部；及薄壁化步驟，其係自另一面側切削上述第2基板，使上述凹部向上述另一面側貫通，藉此分離上述第1部分與上述第2部分。
藉此，可精度良好地形成能夠減少雜散光之光掃瞄器。
本發明之光掃瞄器之製造方法較佳為於上述薄壁化步驟之後，進而包括於上述第1部分之與上述第1基板為相反側之面形成具有反射 性之光反射部的光反射部形成步驟。
藉此，可藉由光反射部有效率地反射所接收之光。
本發明之光掃瞄器之製造方法較佳為於上述薄壁化步驟之前，包括於上述第1基板與上述第2基板之間隙填充密封材之填充步驟，且於上述薄壁化步驟中，藉由濕式蝕刻而切削上述第2基板。
藉此，可保護第1基板免受蝕刻液之影響。
本發明之光掃瞄器之製造方法較佳為於上述第2部分之表面設置有降低光反射率之光反射降低部。
藉此，可簡單地對第2部分賦予光反射降低功能。
本發明之光掃瞄器之製造方法較佳為上述凹部之內面呈包含彎曲面之凹狀。
藉此，由於在分離狀態之第1部分及第2部分未形成與主面正交之側面，故而可更有效地減少雜散光之產生。
本發明之光掃瞄器之製造方法較佳為上述接合步驟係將上述第1基板與上述第2基板藉由陽極接合而接合。
藉此，可相對簡單地且以較高之強度接合第1基板與第2基板。
本發明之光掃瞄器之特徵在於包括：基板，其包含基部、可搖動地支持上述基部之軸部、及經由上述軸部而支持上述基部之支持部；間隔件，其受支持於上述基部；固定部，其固定於上述支持部，以包圍上述間隔件之外周之至少一部分之方式設置，且含與上述間隔件相同之材料構成；及光反射降低部，其設置於上述固定部之上述基板側之面，降低光反射率。
藉此，獲得能夠減少雜散光之光掃瞄器。
本發明之光掃瞄器較佳為於上述間隔件之與上述基板相反之面 側，設置有具有光反射性之光反射部。
藉此，可藉由光反射部有效率地反射所接收之光。
本發明之光掃瞄器較佳為上述間隔件與上述固定部之與上述基板為相反側之面彼此位於同一平面上。
藉此，可不阻礙利用光反射部之光之掃瞄，且更有效地減少雜散光之產生。
本發明之光掃瞄器較佳為上述固定部係於俯視上述基板時與上述軸部之至少一部分重疊，且於上述軸部之與上述固定部重疊之區域，設置有檢測上述軸部之扭轉的扭轉檢測元件。
藉此，可防止或減少光向檢測元件之入射，而精度更好地進行利用檢測元件之扭轉檢測。
本發明之圖像顯示裝置之特徵在於包括：基板，其包含基部、可搖動地支持上述基部之軸部、及經由上述軸部而支持上述基部之支持部；間隔件，其受支持於上述基部，具有反射光之光反射部；固定部，其固定於上述支持部，以包圍上述間隔件之外周之至少一部分之方式設置，且含與上述間隔件相同之材料構成；及光反射降低部，其設置於上述固定部之上述基板側之面，降低光反射率。
藉此，獲得能夠減少雜散光且能夠發揮優異之顯示特性之圖像顯示裝置。
本發明之頭戴顯示器包括：框架，其裝設於觀察者之頭部；及光掃瞄器，其設置於上述框架；其特徵在於：上述光掃瞄器包括：基板，其包含基部、可搖動地支持上述基部之軸部、及經由上述軸部而支持上述基部之支持部； 間隔件，其受支持於上述基部，具有反射光之光反射部；固定部，其固定於上述支持部，以包圍上述間隔件之外周之至少一部分之方式設置，且含與上述間隔件相同之材料構成；及光反射降低部，其設置於上述固定部之上述基板側之面，降低光反射率。
藉此，獲得能夠減少雜散光且能夠發揮優異之顯示特性之頭戴顯示器。
1‧‧‧圖像顯示裝置
2‧‧‧描繪用光源單元
3‧‧‧玻璃基板
4、4A‧‧‧光掃瞄器
6‧‧‧控制部
8‧‧‧積層基板
10‧‧‧對象物
11‧‧‧反射鏡
21B‧‧‧雷射光源
21G‧‧‧雷射光源
21R‧‧‧雷射光源
22B‧‧‧準直透鏡
22G‧‧‧準直透鏡
22R‧‧‧準直透鏡
23B‧‧‧分色鏡
23G‧‧‧分色鏡
23R‧‧‧分色鏡
31‧‧‧凹部
32‧‧‧第1凸部
33‧‧‧第2凸部
40‧‧‧構造體
42‧‧‧第1基板
43‧‧‧第2基板
46‧‧‧永久磁鐵
47‧‧‧線圈
48‧‧‧磁心
49‧‧‧電壓施加部
51、52‧‧‧檢測元件
81‧‧‧第1SiO2層
82‧‧‧第1Si層
83‧‧‧第2SiO2層
84‧‧‧第2Si層
85‧‧‧第3SiO2層
100‧‧‧密封材
110‧‧‧支持基板
200‧‧‧抬頭顯示器系統
210‧‧‧抬頭顯示器
220‧‧‧擋風玻璃
300‧‧‧頭戴顯示器
310‧‧‧框架
320‧‧‧顯示部
411‧‧‧可動部
411a‧‧‧基部
411a'‧‧‧基部區域
411b‧‧‧間隔件
411b'‧‧‧側面
411c‧‧‧光反射部
412a、412b‧‧‧第1軸部
412a'、412b'‧‧‧第1軸部區域
413‧‧‧框體部
413'‧‧‧框體部區域
414a、414b‧‧‧第2軸部
414a'、414b'‧‧‧第2軸部區域
415‧‧‧支持部
415'‧‧‧支持部區域
416‧‧‧固定部
416'‧‧‧內周面
416a‧‧‧突出部
417‧‧‧遮光部
491‧‧‧第1電壓產生部
492‧‧‧第2電壓產生部
493‧‧‧電壓重疊部
493a‧‧‧加法器
511、512‧‧‧輸入端子
513、514‧‧‧輸出端子
J1‧‧‧第1軸
J2‧‧‧第2軸
LL‧‧‧描繪用雷射光
M1、M2‧‧‧SiO2掩膜
M3‧‧‧抗蝕掩膜
RR、GG、BB‧‧‧雷射光
T1、T2‧‧‧週期
V1‧‧‧第1電壓
V2‧‧‧第2電壓
θ、θ1、θ2‧‧‧角度
圖1係表示本發明之圖像顯示裝置之第1實施形態之構成圖。
圖2係圖1所示之圖像顯示裝置所包括之光掃瞄器之俯視圖。
圖3係自圖2所示之光掃瞄器省略固定部之圖示之俯視圖。
圖4係自圖3所示之光掃瞄器省略間隔件之圖示之俯視圖。
圖5係圖2中之A-A線剖面圖。
圖6係表示圖4所示之光掃瞄器所包含之檢測元件之平面圖。
圖7係圖5所示之光掃瞄器所包含之電壓施加機構之方塊圖。
圖8(a)、(b)係表示圖7所示之第1電壓產生部及第2電壓產生部之產生電壓之一例之圖。
圖9係本發明之第2實施形態之圖像顯示裝置所包括之光掃瞄器之俯視圖。
圖10係圖9中之B-B線剖面圖。
圖11(a)、(b)、(c)係用以說明圖2所示之光掃瞄器之製造方法之圖。
圖12(a)、(b)、(c)係用以說明圖2所示之光掃瞄器之製造方法之圖。
圖13(a)、(b)係用以說明圖2所示之光掃瞄器之製造方法之圖。
圖14(a)、(b)係用以說明圖2所示之光掃瞄器之製造方法之圖。
圖15(a)、(b)係用以說明圖2所示之光掃瞄器之製造方法之圖。
圖16係表示應用本發明之圖像顯示裝置之抬頭顯示器之立體圖。
圖17係表示本發明之頭戴顯示器之立體圖。
以下，一面參照隨附圖式一面對光掃瞄器之製造方法、光掃瞄器、圖像顯示裝置及頭戴顯示器之較佳實施形態進行說明。
1.圖像顯示裝置 <第1實施形態>
首先，對本發明之圖像顯示裝置之第1實施形態進行說明。
圖1係表示本發明之圖像顯示裝置之第1實施形態之構成圖。圖2係圖1所示之圖像顯示裝置所包括之光掃瞄器之俯視圖。圖3係自圖2所示之光掃瞄器省略固定部之圖示之俯視圖。圖4係自圖3所示之光掃瞄器省略間隔件之圖示之俯視圖。圖5係圖2中之A-A線剖面圖。圖6係表示圖4所示之光掃瞄器所包含之檢測元件之平面圖。圖7係圖5所示之光掃瞄器所包含之電壓施加機構之方塊圖。圖8係表示圖7所示之第1電壓產生部及第2電壓產生部之產生電壓之一例之圖。再者，以下，為便於說明而將圖2至圖4之紙面近前側及圖5中之上側稱為「上」，將圖2至圖4之紙面裏側及圖5中之下側稱為「下」。
圖1所示之圖像顯示裝置1係藉由對屏幕、壁面等對象物10二維地掃瞄描繪用雷射光LL而顯示圖像之裝置。
如圖1、圖4及圖7所示，圖像顯示裝置1包括：描繪用光源單元2，其出射描繪用雷射光LL；光掃瞄器4，其掃瞄描繪用雷射光LL；反射鏡11，其使由光掃瞄器4掃瞄之描繪用雷射光LL反射；及控制部6，其控制描繪用光源單元2及光掃瞄器4之作動。再者，反射鏡11視需要設置即可，亦可省略。
≪描繪用光源單元≫
如圖1所示，描繪用光源單元2包括紅色、綠色、藍色之各色之雷射光源(光源部)21R、21G、21B、以及與雷射光源21R、21G、21B對應地設置之準直透鏡22R、22G、22B及分色鏡23R、23G、23B。
雷射光源21R、21G、21B分別具有未圖示之光源及驅動電路。而且，雷射光源21R射出紅色之雷射光RR，雷射光源21G出射綠色之雷射光GG，雷射光源21B出射藍色之雷射光BB。雷射光RR、GG、BB係分別對應於自控制部6發送之驅動信號而出射，且藉由準直透鏡22R、22G、22B而成為平行光或大致平行光。作為雷射光源21R、21G、21B，例如可使用端面發光半導體雷射、面發光半導體雷射等半導體雷射。藉由使用半導體雷射，可謀求雷射光源21R、21G、21B之小型化。
仿照此種雷射光源21R、21G、21B之配置，而配置有分色鏡23R、分色鏡23B、分色鏡23G。分色鏡23R具有反射雷射光RR之特性。分色鏡23B具有反射雷射光BB並且使雷射光RR透過之特性。分色鏡23G具有反射雷射光GG並且使雷射光RR、BB透過之特性。藉由該等分色鏡23R、23G、23B，將各色之雷射光RR、GG、BB合成而成為描繪用雷射光LL。
≪光掃瞄器≫
光掃瞄器4具有自描繪用光源單元2二維掃瞄描繪用雷射光LL之功能。如圖2至圖6所示，光掃瞄器4包括構造體40、永久磁鐵46、線圈47、磁心48及電壓施加部49。又，構造體40包括可動部411、1對第1軸部412a、412b、框體部413、1對第2軸部414a、414b、支持部415、及固定部416。
該等中，可動部411、第1軸部412a、412b構成以第1軸部412a、412b為軸而繞第1軸J1搖動(往返旋動)之第1振動系統。又，可動部 411、第1軸部412a、412b、框體部413、第2軸部414a、414b及永久磁鐵46構成繞第2軸J2搖動(往返旋動)之第2振動系統。又，永久磁鐵46、線圈47、磁心48及電壓施加部49構成驅動上述第1振動系統及第2振動系統之驅動機構。
可動部411包含：基部411a；間隔件411b，其設置於基部411a之上表面；及光反射部411c，其設置於間隔件411b之上表面之大致整個區域，具有光反射性。對此種可動部411入射描繪用雷射光LL，所入射之描繪用雷射光LL由光反射部411c之表面反射，而向與光反射部411c之姿勢對應之方向掃瞄。光反射部411c例如可藉由將鋁等金屬材料成膜於間隔件411b之上表面而形成。
間隔件411b係相對於第1軸部412a、412b於板厚方向進行隔開，並且如圖2及圖3所示，於俯視構造體40時與第1軸部412a、412b之整個區域重疊而設置。因此，可縮短第1軸部412a、412b之間之距離，並且增大間隔件411b之上表面之面積(光反射部411c之面積)。又，由於可縮短第1軸部412a、412b之間之距離，故而可謀求框體部413之小型化。進而，由於可謀求框體部413之小型化，故而可縮短第2軸部414a、414b之間之距離。由此，即便增大光反射部411c之板面之面積，亦可謀求光掃瞄器4之小型化。
如圖4所示，於第1軸部412a之基端部設置有檢測第1軸部412a之扭轉量(可動部411之搖動角)之檢測元件51，詳細情況於之後敍述。因此，亦可謂間隔件411b係以利用光反射部411c遮蔽描繪用雷射光LL向檢測元件51之入射之方式設置。如下所述，檢測元件51之輸出信號會受到光之影響，因此藉由利用光反射部411c遮蔽描繪用雷射光LL，可自檢測元件51獲得準確之輸出信號。
又，如圖5所示，間隔件411b呈大致圓錐梯形狀，相當於其上底之面與基部411a接合。藉由將間隔件411b設為此種構成，可較大地確 保間隔件411b之上表面(光反射部411c之形成區域)，並且將支持間隔件411b之基部411a減小。因此，可維持優異之光掃瞄特性並且謀求光掃瞄器4之小型化。
又，如圖5所示，間隔件411b之側面411b'係由較圓錐台向內側凹陷之彎曲凹面構成。藉由設為此種構成，可將間隔件411b之上表面與側面所成之角θ1變得更小。藉此，自上方照射之描繪用雷射光LL不易照射至間隔件411b之側面(上表面附近)，可減少成為雜散光之原因的光之多餘反射。作為θ1，並無特別限定，較佳為5°以上且40°以下之程度，更佳為20°以上且30°以下之程度。藉此，可充分確保間隔件411b之上表面緣部之強度並且更有效地發揮上述效果。
框體部413呈框狀，且包圍可動部411之基部411a而設置。換言之，可動部411之基部411a設置於呈框狀之框體部413之內側。可動部411之基部411a經由1對第1軸部412a、412b而受支持於框體部413。
如圖4所示，框體部413之沿第1軸J1之方向上之長度長於沿第2軸J2之方向上之長度。即，於將沿第1軸J1之方向上之框體部413之長度設為a，將沿第2軸J2之方向上之框體部413之長度設為b時，滿足a>b之關係。藉此，可確保第1軸部412a、412b為所需之長度，並且抑制沿第2軸J2之方向上之光掃瞄器4之長度。
又，支持部415呈框狀，且包圍框體部413而設置。換言之，框體部413設置於呈框狀之支持部415之內側。框體部413經由1對第2軸部414a、414b而支持於支持部415。
又，第1軸部412a、412b及第2軸部414a、414b分別構成為可彈性變形。而且，第1軸部412a、412b係以使可動部411可繞第1軸J1搖動之方式連結可動部411與框體部413。又，第2軸部414a、414b係以使框體部413可繞與第1軸J1正交之第2軸J2搖動之方式連結框體部413與支持部415。
第1軸部412a、412b係以隔著可動部411之基部411a而相互對向之方式配置。又，第1軸部412a、412b分別呈於沿第1軸J1之方向延伸之長條形狀。而且，第1軸部412a、412b分別為一端部連接於基部411a，另一端部連接於框體部413。又，第1軸部412a、412b分別以中心軸與第1軸J1一致之方式配置。此種第1軸部412a、412b分別伴隨可動部411繞第1軸J1之搖動而扭轉變形。
另一方面，第2軸部414a、414b係以隔著框體部413而相互對向之方式配置。又，第2軸部414a、414b分別呈於沿第2軸J2之方向延伸之長條形狀。而且，第2軸部414a、414b分別為一端部連接於框體部413，另一端部連接於支持部415。又，第2軸部414a、414b分別以中心軸與第2軸J2一致之方式配置。此種第2軸部414a、414b伴隨框體部413繞第2軸J2之搖動而扭轉變形。再者，第1軸部412a、412b及第2軸部414a、414b之形狀分別不限定於上述者，例如亦可於中途之至少1個部位具有彎折或彎曲之部分或者分支之部分。又，第1軸部412a、412b及第2軸部414a、414b亦可分割為2根軸部。
於此種構造體40中，藉由使可動部411能夠繞第1軸J1搖動並且使框體部413能夠繞第2軸J2搖動，而能夠使可動部411(光反射部411c)繞相互正交之第1、第2軸J1、J2之2軸搖動。
又，於支持部415之上表面設置有固定部416。固定部416配置於與可動部411之間隔件411b相同之高度，且於俯視時包圍間隔件411b而設置。換言之，間隔件411b設置於呈框狀之固定部416之內側。
又，固定部416具有自下表面突出之突出部416a，且以該突出部416a與支持部415接合。因此，固定部416之下表面與支持部415或第2軸部414a、414b於板厚方向隔開。此處，根據突出部416a與支持部415之接合方法，存在無法於突出部416a設置下述之遮光部417之情況。因此，突出部416a較佳為於可確保與支持部415之接合強度之範 圍內儘可能小地設計，又，較佳為配置於儘可能與光反射部411c隔開之位置。又，根據接合方法，亦存在於接合部產生應力之情況，因此較佳為使接合面積儘可能地小。再者，突出部416a之形狀、配置並無特別限定，例如亦可呈沿固定部416之外周之框狀，或亦可設置於固定部416之各角部。
於固定部416之表面(突出部416a以外之區域)設置有具有遮光功能及光反射率降低功能之遮光部(光反射降低部)417。藉此，固定部416可發揮遮光功能及光反射率降低功能。因此，可抑制描繪用雷射光LL經由固定部416侵入至構造體40內，而可有效地減少構造體40內之雜散光之產生。此外，亦可減少因於固定部416之表面之反射而產生之雜散光。又，例如可有效地吸收自間隔件411b與固定部416之間隙侵入至構造體40內，並由第1軸部412a、412b、框體部413及第2軸部414a、414b等反射而成為雜散光之光。因此，可減少雜散光向構造體40外之洩漏，並且可減少雜散光向下述之檢測元件51、52之入射。
遮光部417之不透過率越高越佳，具體而言，較佳為70%以上，更佳為90%以上。又，遮光部417之反射率越低越佳，具體而言，較佳為5%以下，更佳為2%以下。
作為遮光部417之構成材料，只要具有遮光功能及光反射率降低功能，則並無特別限定，例如可使用Cr(鉻)。藉由使用Cr，可獲得遮光功能及光反射率降低功能均優異之遮光部417。於此情形時，亦可對遮光部417之表面進行粗面化處理。又，亦可設為於由Cr構成之層進而積層有抗反射膜(AR塗層)之構成。
再者，遮光部417較佳為如本實施形態般遍及固定部416之大致整個區域而設置，但並不限定於此。例如，遮光部417亦可僅設置於固定部416之上表面，或亦可僅設置於下表面。又，遮光部417只要至少具有光反射率降低功能，則亦可不具有遮光功能。
固定部416係於俯視構造體40時與第2軸部414a、414b之基端部重疊而設置。於第2軸部414a之基端部(與固定部416重疊之區域)設置有檢測第2軸部414a之扭轉量(框體部413之搖動角)之檢測元件52，詳細情況於之後敍述。即，固定部416係以遮蔽描繪用雷射光LL向檢測元件52之入射之方式設置。如下所述，檢測元件52之輸出信號會受到光之影響，因此藉由利用固定部416遮蔽描繪用雷射光LL，可自檢測元件52獲得準確之輸出信號。
又，如圖2所示，固定部416之上表面之內周呈與間隔件411b之上表面為同心之圓形(相似形狀)。藉此，可將固定部416之內周與間隔件411b之外周更接近地配置，因此固定部416與間隔件411b之間之間隙變小。其結果，經由上述間隙侵入至構造體40內之描繪用雷射光LL減少，而可減少雜散光之產生，並且雜散光不易向構造體40外洩漏。
又，如圖5所示，固定部416之內周面(內側面)416'係以與固定部416所成之角θ2未達90°之方式傾斜地設置。藉此，可防止可動部411之接觸並且使固定部416更接近於間隔件411b而配置。因此，固定部416與間隔件411b之間之間隙變小。其結果，經由上述間隙侵入至構造體40內之描繪用雷射光LL減少，而可減少雜散光之產生，並且雜散光不易向構造體40外洩漏。尤其於本實施形態中，由向固定部416之內側凹陷之彎曲凹面構成固定部416之內周面416'，因此可使θ2變得更小。再者，作為θ2，並無特別限定，較佳為5°以上且40°以下之程度，更佳為20°以上且30°以下之程度。藉此，可充分確保固定部416之內側緣部之強度並且有效地發揮上述效果。
又，固定部416之上表面位於與間隔件411b之上表面同一平面上。藉此，可不阻礙利用光反射部411c之描繪用雷射光LL之掃瞄，且減少雜散光之產生。
若具體地說明，則於固定部416之上表面較間隔件411b之上表面位於更上側之情形時，固定部416會與描繪用雷射光LL之光路重疊，有阻礙描繪用雷射光LL之掃瞄之虞。又，固定部416與間隔件411b之間隙與本實施形態相比變大相當於固定部416與間隔件411b之上表面彼此上下錯開的量。因此，有自上述間隙侵入至構造體40內之描繪用雷射光LL增加，而雜散光之產生量增加之虞。
反之，於固定部416之上表面較間隔件411b之上表面位於更下側之情形時，為避免與搖動時之間隔件411b之接觸，與本實施形態相比，必須將固定部416之內周遠離間隔件411b而配置，相應地固定部416與間隔件411b之間隙變大。又，固定部416與間隔件411b之間隙與本實施形態相比變大相當於固定部416與間隔件411b之上表面彼此上下錯開的量。因此，有自上述間隙侵入至構造體40內之描繪用雷射光LL增加，而雜散光之產生量增加之虞。
如此，藉由如本實施形態般將固定部416之上表面配置於與間隔件411b之上表面同一平面上，與除此以外之情形相比，可不阻礙利用光反射部411c之描繪用雷射光LL之掃瞄，且減少雜散光之產生。
如上之構造體40構成為第1基板42與第2基板43積層而成之積層體。
第1基板42包括基部411a、第1軸部412a、412b、框體部413、第2軸部414a、414b及支持部415，且將該等一體地形成。於本實施形態中，第1基板42係依序積層第1Si層(器件層)、SiO2層(BOX(Buried Oxide，內埋氧化物)層)、第2Si層(處理層)而成之SOI(Silicon On Insulator，絕緣層上矽)基板，藉由對該基板進行蝕刻，而形成有基部411a、第1軸部412a、412b、框體部413、第2軸部414a、414b及支持部415。藉此，可使第1振動系統及第2振動系統之振動特性優異。又，SOI基板可藉由蝕刻進行微細之加工，因此藉由使用SOI基板形 成基部411a、第1軸部412a、412b、框體部413、第2軸部414a、414b及支持部415，可使其等之尺寸精度優異，又，可謀求光掃瞄器4之小型化。
基部411a、第1軸部412a、412a及第2軸部414a、414b分別包含SOI基板之第1Si層。藉此，可使第1軸部412a、412b及第2軸部414a、414b之彈性優異。又，可防止基部411a於繞第1軸J1旋動時與框體部413接觸。又，框體部413及支持部415分別由包含SOI基板之第1Si層、SiO2層及第2Si層之積層體構成。藉此，可使框體部413及支持部415之剛性優異。又，框體部413之SiO2層及第2Si層不僅具有作為提高框體部413之剛性之肋部之功能，亦具有防止基部411a與永久磁鐵46接觸之功能。
另一方面，第2基板43包括間隔件411b及固定部416。於本實施形態中，第2基板43係由以石英玻璃、Tempax玻璃、Pyrex玻璃(「Pyrex」為註冊商標)等玻璃材料所構成之玻璃基板構成，藉由對該玻璃基板進行蝕刻，而形成有間隔件411b及固定部416。玻璃基板可藉由蝕刻進行微細之加工(尤其是曲面加工)，因此藉由使用玻璃基板形成間隔件411b及固定部416，可簡單地形成具有由如本實施形態之彎曲凹面構成之側面的間隔件411b及固定部416。
作為第1基板42與第2基板43之接合方法，即，基部411a與間隔件411b、及支持部415與固定部416之接合方法，並無特別限定，較佳為使用陽極接合。藉此，可簡單且高強度地接合第1、第2基板42、43。就該方面而言，亦較佳為如上所述般將第1基板42設為SOI基板，將第2基板43設為玻璃基板。
如上所述，於第1軸部412a之基端部設置有檢測第1軸部412a之扭轉之檢測元件51，於第2軸部414a之基端部設置有檢測第2軸部414a之扭轉量之檢測元件52。以下，對該等檢測元件51、52進行說明。再 者，由於檢測元件51、52之構成相同，故而以下代表性地對檢測元件51之構成進行說明，而對檢測元件52之構成省略其說明。
如圖6所示，檢測元件51為形成於Si基板表面之壓電電阻元件，且包括於第1軸部412a之寬度方向上對向地設置之1對輸入端子511、512、及於第1軸部412a之長度方向上對向地設置之1對輸出端子513、514。雖未圖示，但該等端子511~514分別藉由配線經由框體部413及第2軸部414b而引出至支持部415。
若於對1對輸入端子511、512施加電壓之狀態下，第1軸部412a產生扭轉變形，則自1對輸出端子513、514輸出基於上述扭轉之方向與大小之電壓。因此，若基於所輸出之電壓，則可自第1軸部412a之扭轉之狀態檢測出可動部411繞第1軸J1之搖動角。檢測元件52亦可同樣地自第2軸部414a之扭轉之狀態檢測出可動部411繞第2軸J2之搖動角。
再者，檢測元件51之構成並不限定於本實施形態，例如亦可使輸入端子511、512之位置與輸出端子513、514之位置相反。即，亦可將輸入端子511、512於第1軸部412a之長度方向上隔開而設置，將輸出端子513、514於第1軸部412a之寬度方向上隔開而設置。又，檢測元件51之配置位置只要為第1軸部412a之基端部附近即可，可為第1軸部412a上，亦可為框體部413上，且亦可為兩者之邊界上。
如上所述，此種檢測元件51、52若接收到光，則有雜訊(多餘信號)載於輸出信號上，而無法精度良好地檢測第1、第2軸部412a、414a之扭轉之狀態的問題。因此，於本實施形態中，藉由於檢測元件51之上方配置光反射部411c，於檢測元件52之上方配置固定部416，而減少描繪用雷射光LL向檢測元件51、52之入射，使來自檢測元件51、52之輸出信號更準確。其結果，可更準確地檢測可動部411之姿勢。
如圖5所示，於框體部413之下表面接合有永久磁鐵46。作為永久磁鐵46與框體部413之接合方法，並無特別限定，例如可採用使用接著劑之接合方法。永久磁鐵46係於俯視時相對於第1、第2軸J1、J2傾斜之方向上被磁化。
於本實施形態中，永久磁鐵46呈於相對於第1、第2軸J1、J2之兩軸傾斜之方向上延伸之長條形狀(棒狀)。而且，永久磁鐵46於其長度方向上被磁化。即，永久磁鐵46係以使一端部為S極、使另一端部為N極之方式被磁化。又，永久磁鐵46設置為於俯視時以第1軸J1與第2軸J2之交點為中心而對稱。
永久磁鐵46之磁化方向(延伸方向)相對於第2軸J2之傾斜角θ並無特別限定，較佳為30°以上且60°以下，更佳為45°以上且60°以下，進而較佳為45°。藉由以此方式設置永久磁鐵46，可順利且確實地使可動部411(光反射部411c)繞第2軸J2搖動。
作為此種永久磁鐵46，例如可較佳地使用釹磁鐵、鐵氧體磁鐵、釤鈷磁鐵、鋁鎳鈷磁鐵、黏接磁鐵等。此種永久磁鐵46係將硬磁性體磁化而成者，例如藉由將磁化前之硬磁性體設置於框體部413之後進行磁化而形成。其原因在於，若欲將已進行磁化之永久磁鐵46設置於框體部413，則存在因外部或其他零件之磁場之影響，而無法將永久磁鐵46設置於所期望之位置之情況。
於永久磁鐵46之正下方設置有線圈47。藉此，可有效率地使自線圈47產生之磁場作用於永久磁鐵46。藉此，可謀求光掃瞄器4之省電化及小型化。線圈47係捲繞於磁心48而設置。藉此，可有效率地使由線圈47產生之磁場作用於永久磁鐵46。再者，磁心48亦可省略。
此種線圈47與電壓施加部49電性連接。而且，藉由利用電壓施加部49對線圈47施加電壓，而自線圈47產生具有與第1、第2軸J1、J2正交之磁通之磁場。
如圖7所示，電壓施加部49包括：第1電壓產生部491，其產生用以使可動部411繞第1軸J1旋動之第1電壓V1；第2電壓產生部492，其產生用以使可動部411繞第2軸J2旋動之第2電壓V2；及電壓重疊部493，其將第1電壓V1與第2電壓V2重疊；且對線圈47施加由電壓重疊部493重疊之電壓。
如圖8(a)所示，第1電壓產生部491產生以週期T1週期性地變化之第1電壓V1(主掃瞄用電壓)。第1電壓V1呈如正弦波之波形。第1電壓V1之頻率(1/T1)例如較佳為10~40kHz。於本實施形態中，第1電壓V1之頻率係設定為與包括可動部411、1對第1軸部412a、412b之第1振動系統之扭轉共振頻率相等。藉此，可使可動部411繞第1軸J1之旋動角變大。
另一方面，如圖8(b)所示，第2電壓產生部492產生以與週期T1不同之週期T2週期性地變化之第2電壓V2(副掃瞄用電壓)。第2電壓V2呈如鋸齒波之波形。第2電壓V2之頻率(1/T2)只要與第1電壓V1之頻率(1/T1)不同即可，例如較佳為30~120Hz(60Hz左右)。於本實施形態中，第2電壓V2之頻率係經調整為與包括可動部411、第1軸部412a、412b、框體部413、第2軸部414a、414b及永久磁鐵46之第2振動系統之扭轉共振頻率不同之頻率。
此種第2電壓V2之頻率較佳為小於第1電壓V1之頻率。藉此，可更確實且更順利地使可動部411繞第1軸J1以第1電壓V1之頻率搖動，並且繞第2軸J2以第2電壓V2之頻率搖動。
又，於將第1振動系統之扭轉共振頻率設為f1[Hz]，將第2振動系統之扭轉共振頻率設為f2[Hz]時，f1與f2較佳為滿足f2<f1之關係，更佳為滿足10f2≦f1之關係。藉此，可更順利地使可動部411繞第1軸J1以第1電壓V1之頻率旋動，並且繞第2軸J2以第2電壓V2之頻率旋動。相對於此，於設為f1≦f2之情形時，有產生第1振動系統以第2電 壓V2之頻率進行振動之可能性。
此種第1電壓產生部491及第2電壓產生部492分別連接於控制部6，基於來自該控制部6之信號進行驅動。於此種第1電壓產生部491及第2電壓產生部492上連接有電壓重疊部493。
電壓重疊部493具備用以對線圈47施加電壓之加法器493a。加法器493a係自第1電壓產生部491接收第1電壓V1並且自第2電壓產生部492接收第2電壓V2，將該等電壓重疊並施加於線圈47。
其次，對光掃瞄器4之驅動方法進行說明。再者，第1電壓V1之頻率係設定為與第1振動系統之扭轉共振頻率相等，第2電壓V2之頻率係設定為與第2振動系統之扭轉共振頻率不同之值且小於第1電壓V1之頻率(例如，第1電壓V1之頻率設定為18kHz，第2電壓V2之頻率設定為60Hz)。
例如，藉由電壓重疊部493將圖8(a)所示之第1電壓V1與圖8(b)所示之第2電壓V2重疊，並將所重疊之電壓施加於線圈47。如此，藉由第1電壓V1而於如下兩磁場之間交替地切換，其中一磁場為欲將永久磁鐵46之一端部(N極)拉近線圈47並且欲使永久磁鐵46之另一端部(S極)遠離線圈47之磁場(將該磁場稱為「磁場A1」)，另一磁場為欲使永久磁鐵46之一端部(N極)遠離線圈47並且欲將永久磁鐵46之另一端部(S極)拉近線圈47之磁場(將該磁場稱為「磁場A2」)。
藉由交替地切換磁場A1、A2，於框體部413激振具有繞第1軸J1之扭轉振動成分之振動，伴隨該振動，使第1軸部412a、412b扭轉變形，並且可動部411以第1電壓V1之頻率繞第1軸J1搖動。再者，第1電壓V1之頻率與第1振動系統之扭轉共振頻率相等，因此可藉由共振振動而使可動部411大幅搖動。
另一方面，藉由第2電壓V2而於如下兩磁場之間交替地切換，其中一磁場為欲將永久磁鐵46之一端部(N極)拉近線圈47並且欲使永久 磁鐵46之另一端部(S極)遠離線圈47之磁場(將該磁場稱為「磁場B1」)，另一磁場為欲使永久磁鐵46之一端部(N極)遠離線圈47並且欲將永久磁鐵46之另一端部(S極)拉近線圈47之磁場(將該磁場稱為「磁場B2」)。
藉由交替地切換磁場B1、B2，而使第2軸部414a、414b扭轉變形，並且框體部413與可動部411一起以第2電壓V2之頻率繞第2軸J2搖動。再者，如上所述般第2電壓V2之頻率與第1電壓V1之頻率相比設定為極低，且第2振動系統之扭轉共振頻率設計為低於第1振動系統之扭轉共振頻率，因此可防止可動部411以第2電壓V2之頻率繞第1軸J1旋動。
如此，於光掃瞄器4中，藉由對線圈47施加將第1電壓V1與第2電壓V2重疊而成之電壓，可使可動部411繞第1軸J1以第1電壓V1之頻率旋動，並且繞第2軸J2以第2電壓V2之頻率旋動。藉此，可謀求裝置之低成本化及小型化。又，藉由採用電磁驅動方式(動磁方式)，可確實地使可動部411繞第1、第2軸J1、J2之各軸搖動，並二維掃瞄由光反射部411c反射之描繪用雷射光LL。又，由於可減少構成驅動源之零件(永久磁鐵及線圈)之數，故而可成為簡單且小型之構成。又，由於線圈47與光掃瞄器4之振動系統隔開，故而可防止因線圈47發熱而對該振動系統產生不良影響。
以上，對光掃瞄器4進行了詳細說明。根據如本實施形態之呈萬向節型之二維掃瞄型之光掃瞄器4，可利用1個裝置二維掃瞄描繪用雷射光LL，因此與例如組合兩個一維掃瞄型之光掃瞄器而使描繪用雷射光LL二維掃瞄之構成相比，可謀求裝置之小型化，並且亦容易進行對準之調整。
≪控制部≫
控制部6具有控制描繪用光源單元2及光掃瞄器4之作動之功能。 具體而言，控制部6驅動光掃瞄器4而使可動部411繞第1、第2軸J1、J2搖動，並且與自檢測元件51、52檢測出之可動部411之搖動同步地使描繪用雷射光LL自描繪用光源單元2出射。控制部6基於例如自外部電腦發送之圖像資料，使特定強度之雷射光RR、GG、BB於特定之時序自各雷射光源21R、21G、21B出射，而使特定色及強度之描繪用雷射光LL於特定時序出射。藉此，於對象物10顯示對應於圖像資料之圖像。
<第2實施形態>
其次，對本發明之圖像顯示裝置之第2實施形態進行說明。
圖9係本發明之第2實施形態之圖像顯示裝置所包括之光掃瞄器之俯視圖，圖10係圖9中之B-B線剖面圖。
以下，關於第2實施形態之圖像顯示裝置，以與上述實施形態之不同點為中心進行說明，關於相同之事項省略其說明。
本發明之第2實施形態之圖像顯示裝置除光掃瞄器之固定部之構成不同以外，與上述第1實施形態相同。再者，對與上述第1實施形態相同之構成標附相同之符號。
≪光掃瞄器≫
如圖9及圖10所示，本實施形態之光掃瞄器4A之固定部416係以與第2軸部414a、414b之基端部重疊之方式設置。於固定部416之下表面設置有遮光部417，藉此，減少描繪用雷射光LL向檢測元件52之入射。
根據此種第2實施形態，亦可發揮與上述第1實施形態相同之效果。
2.光掃瞄器之製造方法
其次，基於圖11至圖15，對上述光掃瞄器4之製造方法進行說明。再者，圖11至圖15分別為相當於圖5所示之剖面之剖面圖。又， 於圖11至圖15中，因剖面之關係而省略第1軸部412a、412b及第1軸部區域412a'、412b'之圖示。
光掃瞄器4之製造方法包括：接合步驟，其係準備第1基板42與第2基板43，並將其等接合；圖案化步驟，其係將第1基板42圖案化；薄壁化步驟，其係切削第2基板43而使其薄壁化；及光反射部形成步驟，其係形成光反射部411c。以下，對該製造方法進行詳細說明。
[1]接合步驟 [1-1]第1基板準備步驟
首先，如圖11(a)所示，準備自上側積層第1SiO2層81、第1Si層82、第2SiO2層83、第2Si層84及第3SiO2層85而成之積層基板8。作為各層之厚度，並無特別限定，例如可設為第1SiO2層81：0.5μm左右、第1Si層82：40μm左右、第2SiO2層83：0.5μm左右、第2Si層84：250μm左右、第3SiO2層85：1.6μm左右。
此種積層基板8藉由其後之圖案化步驟，而具有成為基部411a之基部區域411a'、成為第1軸部412a、412b之第1軸部區域412a'、412b'、成為框體部413之框體部區域413'、成為第2軸部414a、414b之第2軸部區域414a'、414b'及成為支持部415之支持部區域415'。
其次，藉由各種蝕刻(乾式蝕刻或濕式蝕刻)將第1Si層82圖案化，於第1Si層82一體形成基部411a、第1軸部412a、412b、框體部413之一部分、第2軸部414a、414b及支持部415之一部分。
具體而言，首先，如圖11(b)所示，將第1、第3SiO2層81、85圖案化，形成與基部區域411a'、第1軸部區域412a'、412b'、框體部區域413'、第2軸部區域414a'、414b'及支持部區域415'對應之SiO2掩膜M1、M2。此時，於基部411a之與間隔件411b接合之區域、及支持部415之與固定部416接合之區域未形成SiO2掩膜M1，取而代之形成抗蝕掩膜M3，防止第1Si層82之露出。其次，藉由隔著SiO2掩膜M1對第 1Si層82進行蝕刻，而於第1Si層82一體形成基部411a、第1軸部412a、412b、框體部413之一部分、第2軸部414a、414b及支持部415之一部分。繼而，去除SiO2掩膜M1及自第1Si層82露出之第2SiO2層83。且最後去除抗蝕掩膜M3，並形成檢測元件51、52(未圖示)，藉此如圖11(c)所示般獲得第1基板42。再者，檢測元件51、52之形成步驟亦可於圖11(a)之階段先形成。
[1-2]第2基板準備步驟
首先，如圖12(a)所示，準備實質上無色透明之玻璃基板(例如Tempax玻璃基板)3。作為玻璃基板3之厚度，並無特別限定，例如可設為400μm左右。其次，如圖12(b)所示，例如藉由濕式蝕刻，將玻璃基板3之下表面圖案化，藉此形成圓環狀之凹部31、設置於凹部31之內側且構成間隔件411b之第1凸部(第1部分)32、及設置於凹部31之外側且構成固定部416之第2凸部(第2部分)33。此時，凹部31之內面設為包含彎曲面之凹面。玻璃基板3就可容易地進行將凹部31之內面製成包含彎曲面之凹面之加工之方面而言亦較佳。
其次，例如藉由蒸鍍、濺鍍等而於玻璃基板3之下表面(突出部416a除外)及凹部31之內面之外周側之區域成膜Cr，形成遮光部417之一部分。藉此，獲得具備遮光功能及光反射率降低功能之第2凸部33。藉由以上，獲得第2基板43。
[1-3]接合步驟
首先，如圖13(a)所示，使上述步驟[1-1]中獲得之第1基板42與上述步驟[1-2]中獲得之第2基板43重疊，並分別接合基部411a與第1凸部32、支持部415與第2凸部33。作為接合方法，並無特別限定，較佳為使用陽極接合。藉此，可更牢固地接合第1、第2基板42、43。如上所述，於基部411a與第1凸部32接合之區域、支持部415之與第2凸部33接合之區域未形成第1SiO2層81，而露出第1Si層82，因此可確實地進 行上述陽極接合。
[2]圖案化步驟
其次，例如藉由乾式蝕刻，隔著SiO2掩膜M2將第2Si層84圖案化，而形成框體部413之一部分(肋部)與支持部415之一部分。其次，去除SiO2掩膜M2及自第2Si層84露出之第2SiO2層83。藉此，如圖13(b)所示，自第1基板42一體地形成基部411a、第1軸部412a、412b、框體部413、第2軸部414a、414b及支持部415。
[3]填充步驟
其次，如圖14(a)所示，自形成於第1基板42之間隙供給蠟等密封材100，以密封材100填埋第1、第2基板42、43之間之間隙(空間)。密封材100具有提高第1、第2基板42、43之強度之功能及防止第1基板42於下述薄壁化步驟中受到蝕刻損傷之功能。
[4]薄壁化步驟
其次，如圖14(b)所示，以第1基板42為下側而將第1、第2基板42、43之積層體固定於支持基板110。該固定係使用密封材100。其次，如圖15(a)所示，例如藉由濕式蝕刻自上表面側切削第2基板43而使其薄壁化。藉此，第1、第2凸部32、33以外之部分被去除，並且凹部31貫通上表面，第1凸部32與第2凸部33分離。由此，獲得間隔件411b與固定部416。此處，由於第1基板42由密封材100保護，故而於本步驟中，蝕刻液不與第1基板42接觸，可防止第1基板42之損傷。再者，作為第2基板43之薄壁化方法，並不限定於濕式蝕刻，例如亦可為研磨加工。於研磨加工之情形時，亦由密封材100進行保護，藉此可消除研磨時之構造體之破損。
[5]光反射層形成步驟
其次，使用丙酮等溶劑去除密封材100，其後，例如藉由蒸鍍、濺鍍等而於間隔件411b之上表面成膜鋁，藉此形成光反射部411c。 又，藉由蒸鍍、濺鍍等而於固定部416之上表面成膜Cr，形成遮光部417。藉此，如圖15(b)所示，獲得光掃瞄器4。
根據此種光掃瞄器之製造方法，自第2基板43一起形成固定部416與間隔件411b，因此不會產生製造中之固定部416與間隔件411b之位置偏移，由此可高精度地控制固定部416與間隔件411b之對準。
3.抬頭顯示器
其次，對作為本發明之圖像顯示裝置之一例之抬頭顯示器進行說明。
圖16係表示應用本發明之圖像顯示裝置之抬頭顯示器之立體圖。
如圖16所示，於抬頭顯示器系統200中，圖像顯示裝置1係以構成抬頭顯示器210之方式搭載於汽車之儀錶板。藉由該抬頭顯示器210，可於擋風玻璃220顯示例如到目的地為止之導引顯示等特定之圖像。再者，抬頭顯示器系統200並不限定於汽車，例如亦可應用於飛機、船舶等。
4.頭戴顯示器
其次，對本發明之頭戴顯示器進行說明。
圖17係表示本發明之頭戴顯示器之立體圖。
如圖17所示，頭戴顯示器300包括裝設於觀察者之頭部之框架310及搭載於框架310之圖像顯示裝置1。而且，藉由圖像顯示裝置1，於設置於框架310之原本作為透鏡之部位的顯示部(光反射層材)320顯示由一隻眼睛視認之特定之圖像。
顯示部320既可為透明，又，亦可為不透明。於顯示部320透明之情形時，可於來自現實世界之資訊重疊來自圖像顯示裝置1之資訊而使用。又，顯示部320只要反射所入射之光之至少一部分即可，例如可使用半反射鏡等。
再者，亦可於頭戴顯示器300設置2個圖像顯示裝置1，將由兩隻眼睛視認之圖像顯示於2個顯示部。
以上，基於圖示之實施形態說明了本發明之光掃瞄器之製造方法、光掃瞄器、圖像顯示裝置及頭戴顯示器，但本發明並不限定於此，各部之構成可替換為具有相同功能之任意構成者。又，亦可於本發明附加其他任意之構成物。
又，於上述實施形態中，使用1個能二維掃瞄描繪用雷射光者作為光掃瞄器，但亦可準備2個能一維掃瞄之光掃瞄器(本發明之光掃瞄器)，並將其等以搖動軸正交之方式配置。根據此種構成，亦可二維掃瞄描繪用雷射光。
又，於上述實施形態中，光掃瞄器之驅動方式為使用線圈與永久磁鐵之電磁驅動方式，但驅動方式並不限定於此，例如亦可為將壓電元件(piezoelectric element)設置於各第1、第2軸部並藉由利用壓電元件之壓縮、伸長而驅動光掃瞄器之壓電驅動方式，又，亦可為利用靜電力之靜電驅動方式。又，於使用電磁驅動方式之情形時，線圈與永久磁鐵之配置亦可相反。即，亦可將線圈設置於框體部，與線圈對向地配置永久磁鐵。
31‧‧‧凹部
32‧‧‧第1凸部
33‧‧‧第2凸部
42‧‧‧第1基板
43‧‧‧第2基板
84‧‧‧第2Si層
411a‧‧‧基部
413‧‧‧框體部
414a、414b‧‧‧第2軸部
415‧‧‧支持部
416a‧‧‧突出部
417‧‧‧遮光部
M2‧‧‧SiO2掩膜

Claims (12)

  1. 一種光掃瞄器之製造方法，其特徵在於包括：接合步驟，其係將第1基板與第2基板重疊，該第1基板包含成為基部之基部區域、成為可搖動地支持上述基部之軸部的軸部區域、及成為經由上述軸部而支持上述基部之支持部的支持部區域，該第2基板於一面形成有框狀之凹部、位於上述凹部之內側之第1部分、及位於上述凹部之外側且具有降低光反射率之功能之框狀之第2部分；且該接合步驟係分別接合上述基部區域與上述第1部分、及上述支持部區域與上述第2部分；圖案化步驟，其係將上述第1基板圖案化而形成上述基部、上述軸部及上述支持部；及薄壁化步驟，其係自另一面側切削上述第2基板，使上述凹部向上述另一面側貫通，藉此分離上述第1部分與上述第2部分。
  2. 如請求項1之光掃瞄器之製造方法，其中於上述薄壁化步驟之後，進而包括於上述第1部分之與上述第1基板為相反側之面形成具有反射性之光反射部之光反射部形成步驟。
  3. 如請求項1或2之光掃瞄器之製造方法，其中於上述薄壁化步驟之前，包括於上述第1基板與上述第2基板之間隙填充密封材之填充步驟，於上述薄壁化步驟中，藉由濕式蝕刻而切削上述第2基板。
  4. 如請求項1至3中任一項之光掃瞄器之製造方法，其中於上述第2部分之表面設置有降低光反射率之光反射降低部。
  5. 如請求項1至4中任一項之光掃瞄器之製造方法，其中上述凹部之內面呈包含彎曲面之凹狀。
  6. 如請求項1至5中任一項之光掃瞄器之製造方法，其中上述接合 步驟係將上述第1基板與上述第2基板藉由陽極接合而接合。
  7. 一種光掃瞄器，其特徵在於包括：基板，其包含基部、可搖動地支持上述基部之軸部、及經由上述軸部而支持上述基部之支持部；間隔件，其係支持於上述基部；固定部，其固定於上述支持部，以包圍上述間隔件之外周之至少一部分之方式設置，且包含與上述間隔件相同之材料；及光反射降低部，其設置於上述固定部之上述基板側之面，降低光反射率。
  8. 如請求項7之光掃瞄器，其中於上述間隔件之與上述基板相反之面側，設置有具有光反射性之光反射部。
  9. 如請求項7或8之光掃瞄器，其中上述間隔件與上述固定部之與上述基板為相反側之面彼此位於同一平面上。
  10. 如請求項7至9中任一項之光掃瞄器，其中上述固定部於俯視上述基板時與上述軸部之至少一部分重疊，於上述軸部之與上述固定部重疊之區域，設置有檢測上述軸部之扭轉的扭轉檢測元件。
  11. 一種圖像顯示裝置，其特徵在於包括：基板，其包含基部、可搖動地支持上述基部之軸部、及經由上述軸部而支持上述基部之支持部；間隔件，其係支持於上述基部，具有反射光之光反射部；固定部，其固定於上述支持部，以包圍上述間隔件之外周之至少一部分之方式設置，且包含與上述間隔件相同之材料；及光反射降低部，其設置於上述固定部之上述基板側之面，降低光反射率。
  12. 一種頭戴顯示器，其包括：框架，其裝設於觀察者之頭部；及 光掃瞄器，其設置於上述框架；其特徵在於：上述光掃瞄器包括：基板，其包含基部、可搖動地支持上述基部之軸部、及經由上述軸部而支持上述基部之支持部；間隔件，其係支持於上述基部，具有反射光之光反射部；固定部，其固定於上述支持部，以包圍上述間隔件之外周之至少一部分之方式設置，且包含與上述間隔件相同之材料；及光反射降低部，其設置於上述固定部之上述基板側之面，降低光反射率。
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