TW201436655A - 基於徑向傳輸線的電漿源 - Google Patents

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Abstract

敘述基於徑向傳輸線的電漿源，用於蝕刻腔室。在一範例中，一種基於徑向傳輸線的電漿源包括一氣體傳送通道，該氣體傳送通道具有耦接於一氣體入口的一第一端，且該氣體傳送通道具有耦接於一電漿噴頭的一第二端。一折曲或同軸塊圍繞該氣體傳送通道的至少一部分。一RF輸入係耦接於該折曲或同軸塊。

Description

基於徑向傳輸線的電漿源 【相關申請案之交互參照】
本申請案主張美國先行申請案序號第61/755,864號的利益，其申請於2013年1月23日，其內容在此以引用之方式將其全部併入。
本發明的實施例係關於半導體處理的領域，且更具體地，係關於基於徑向傳輸線的電漿源，用於蝕刻腔室與其他處理腔室。
過去數十年，積體電路的部件縮小化是不斷成長的半導體工業的背後驅動力。縮小至更小且更小的部件可以促成半導體晶片的受限實體上有增加的功能單元密度。例如，縮小電晶體尺寸允許微處理器上有增加數量的邏輯與記憶體裝置的整併，導致製造有更高複雜度的產品。但是，縮小並非沒有後果。隨著微電子電路的基本建構區塊的尺寸減小，且隨著給定區域中製造的基本建構區塊的轉折數量增加，用於製造這些建構區塊的設備的性能要求已經是迫切需求。
用於處理工件(例如，半導體晶圓)的電容式耦合 電漿源具有固定的阻抗匹配元件，固定的阻抗匹配元件是以同軸共振器或微調塊的形式，其中透過該阻抗匹配元件將VHF電力施加至平圓形的或圓柱形對稱的高處電極。VHF電力產生器在沿著微調塊的軸之一點處連接至微調塊，在該點處RF阻抗匹配於VHF電力產生器的阻抗。此種結構的一限制係同軸微調塊會超長，是VHF產生器的半波長的級數，對於162MHz的VHF頻率會是0.93公尺。另一限制係此種源所產生的電漿分佈往往會歪曲，或在方位角方向中不均勻。
因此，演進中的電漿源(例如，用於處理設備(例如，用於半導體處理的蝕刻腔室)的電漿源)仍需要改良。
本文敘述的實施例係關於基於徑向傳輸線的電漿源，用於蝕刻腔室與其他處理腔室。
在一實施例中，一種基於徑向傳輸線的電漿源包括一氣體傳送通道，該氣體傳送通道具有耦接於一氣體入口的一第一端，且該氣體傳送通道具有耦接於一電漿噴頭的一第二端。一折曲塊圍繞該氣體傳送通道的至少一部分。一RF輸入係耦接於該折曲塊。
在另一實施例中，一種基於徑向傳輸線的電漿源包括一氣體傳送通道，該氣體傳送通道具有耦接於一氣體入口的一第一端，且該氣體傳送通道具有耦接於一電漿噴頭的一第二端。一同軸塊圍繞該氣體傳送通道的至少一部分。一RF輸入係耦接於該同軸塊。
在另一實施例中，用於實行一電漿處理操作的一種 系統包括一處理腔室。一樣本固持器設置於該處理腔室的一下部區域中。一基於徑向傳輸線的電漿源設置於該處理腔室的一上部區域中、直接在該樣本固持器上方。
100‧‧‧同軸傳輸線
102‧‧‧外部圓柱形部
104‧‧‧內部開孔
106‧‧‧軸
200A‧‧‧同軸共振器
200B‧‧‧同軸共振器
200C‧‧‧同軸共振器
202‧‧‧折曲
204‧‧‧折曲
300‧‧‧徑向傳輸線
302‧‧‧結構元件
400‧‧‧電漿產生器(撞擊器)
402‧‧‧RF輸入
404‧‧‧氣體輸入
406‧‧‧傳送通道
408‧‧‧折曲塊
410‧‧‧區域
412‧‧‧電介質窗
414‧‧‧電漿終端器與基本噴頭
415‧‧‧電漿終端網格
416‧‧‧電漿(電漿產生的種)
504‧‧‧等效電路
506‧‧‧等效電容
508‧‧‧等效電感
600‧‧‧電漿產生器(撞擊器)
604‧‧‧氣體輸入
606‧‧‧傳送通道
608‧‧‧同軸塊
612‧‧‧電介質窗
614‧‧‧電漿終端器與基本噴頭
615‧‧‧電漿終端網格
704‧‧‧等效電路
706‧‧‧等效電容
708‧‧‧等效電感
800‧‧‧電漿的照片
900A、900B‧‧‧系統
902A、902B‧‧‧腔室
904A、904B‧‧‧樣本固持器
906A、906B‧‧‧排空裝置
908A、908B‧‧‧氣體入口裝置
912A、912B‧‧‧運算裝置
914A、914B‧‧‧電壓源
916A、916B‧‧‧偵測器
1000‧‧‧電腦系統
1002‧‧‧處理器
1004‧‧‧主要記憶體
1006‧‧‧靜態記憶體
1008‧‧‧網路介面裝置
1010‧‧‧視訊顯示單元
1012‧‧‧文字數位的輸入裝置
1014‧‧‧游標控制裝置
1016‧‧‧信號產生裝置
1018‧‧‧次要記憶體
1020‧‧‧網路
1022‧‧‧軟體
1026‧‧‧處理邏輯
1030‧‧‧匯流排
1031‧‧‧機器可存取儲存媒介
第1圖為傳統型同軸傳輸線的橫剖面視圖。
第2圖例示傳統型折曲的同軸結構的範例。
第3圖根據本發明的實施例，例示徑向傳輸線。
第4圖根據本發明的實施例，例示一種設備，該設備包括使用徑向傳輸線與折曲結構來達成共振。
第5圖根據本發明的實施例，例示未折曲電漿產生設備的折曲結構，與等效電路。
第6圖根據本發明的實施例，例示一種設備，其中除了徑向結構之外也使用同軸結構的元件。
第7圖例示：(A)第6圖的同軸塊結構在未折曲狀態中，其中顯示區域I、II與III的相對位置，以及(B)第6圖的未折曲同軸塊結構的等效電路，等效電路包括等效電容與等效電感。
第8圖根據本發明的一實施例，為徑向共振器中形成的電漿的照片。
第9A圖根據本發明的一實施例，例示一種系統，其中可包括基於傳輸線的電漿源。
第9B圖根據本發明的另一實施例，例示了另一種系統，其中可包括基於傳輸線的電漿源。
第10圖根據本發明的一實施例，例示了範例電腦系 統的方塊圖。
敘述基於徑向傳輸線的電漿源，用於蝕刻腔室。在 下面的敘述中，提出各種具體細節，例如具體的電漿源配置，以提供本發明的實施例的徹底瞭解。本領域中熟習技藝者將明顯知道，本發明的實施例可在沒有這些具體細節時實施。 在其他實例中，熟知的態樣(例如，電漿處理方案)並未詳細敘述，以避免不必要地混淆本發明的實施例。另外，可瞭解到，圖式中所示的各種實施例係例示的圖示，且不必要依尺寸繪製。
本文敘述的一或更多個實施例係關於基於徑向傳輸 線的電漿源。實施例可包括徑向共振器及/或超高頻(VHF,very high frequency)遠端電漿源的實施使用。實施例可應用至非共振的遠端電漿源、電漿消除與減弱腔室、或遠端電漿源。
更通常的，本文敘述的實施例包括了製造外形實體 上為小但是電性為大的電漿源，解決頻率考量。例如，較低的頻率意味了較大的波長，且通常需要大的電性長度。作為參考，微波頻率(例如，大於1GHz)具有1公分級數的波長，而在VHF頻率(例如，40-300MHz)，波長為7.5-1公尺的級數。另外，設計上會需要，功能性與成本有利地，在無電磁場區域中傳送氣體至電漿區域。
為了提供背景，過去的方法涉及了使用超大結構來 調節頻率，例如上述的那些。另外，過去的方法涉及了使用 直流電(DC,direct current)阻斷來引入或傳送在氣體與其他事項中，產生複雜的設計。目標在於此種頻率調節的先前技術設計包括了併入了適於在給定空間中增加電性長度的折曲同軸結構，例如，如同在美國專利公開號2012/0043023中所述的，其標題為「Symmetric VHF Source for a Plasma Reactor」，其內容在此以引用之方式併入。但是，此方法的一潛在缺點為缺少很實質的電性長度增加。
導致電性長度增加的兩個因子包括特性阻抗與折曲 的長度。但是，當開發任一這些因子時，會產生問題。例如，任何兩相鄰同軸結構之間的特性阻抗為固定的。另外，當折曲的數量在給定的幾何外形中增加時，特性阻抗會落在相鄰同軸管之間，且因此，只有當整體全部長度持續增加時才達成阻抗的實質改變。另外，因為間隙減小，可能有電壓駐波的反射。
當在此使用時，用語「方位角的」與「徑向的」係 用以表示圓柱形結構中相互正交的方向：用語「徑向的」表示沿著徑向線的方向，徑向線的原點是對稱的圓柱形軸。用語「方位角的」表示沿著圓柱形結構的圓周之行進方向。方位角方向中的不均勻電漿分佈可稱為歪曲的。電漿分佈會歪曲是因為電漿反應器的不對稱部件，例如同軸微調塊的彎曲、微調塊從一側的RF饋入、腔室壁部一側中的狹縫開口的存在、以及電漿反應器的腔室底層中的泵送埠的存在。
作為例示的範例，第1圖為傳統型同軸傳輸線的橫 剖面視圖。參見第1圖，同軸傳輸線100具有外部圓柱形部 102，外部圓柱形部102具有內部開孔104。相對於中心同軸的軸106，同軸傳輸線100分別針對圓柱形部102與開孔104具有外部半徑(Router)與內部半徑(Rinner)。通常，對於同軸傳輸線(例如100)，特性阻抗為固定的，因為每單位長度的電感值與每單位長度的電容值為固定的。例如，傳輸線100的阻抗(Z0)可決定為60Ln(Router/Rinner)。
如同上述，為了以低頻撞擊電漿或建立共振，當受 限於幾何形狀時，可使用折曲的同軸結構。第2圖例示傳統型折曲的同軸結構的範例。例如，參見第2圖，範例(A)同軸共振器200A不具有折曲並且係為了比較的目的而例示。範例(B)的同軸共振器200B具有一個折曲202。範例(C)的同軸共振器200C具有複數個折曲204。
在同軸傳輸線的僅有自由度是折曲的數量(亦即， 長度)之實例中，對於許多幾何形狀會有限制。取代的，根據本發明的實施例，使用徑向傳輸線。第3圖顯示徑向傳輸線的範例。參見第3圖，徑向傳輸線300包括複數個結構元件302(第3圖繪示兩個)。結構元件302沿著中心軸302彼此對準，且因此，彼此同軸。徑向傳輸線300的每一結構元件302具有外部半徑(Router)與內部半徑(Rinner)，外部半徑(Router)與內部半徑(Rinner)對於每一結構元件302係實質上相同，如同第3圖繪示的。內部半徑是每一結構元件302的中心開孔的半徑。
根據本發明的實施例，徑向傳輸線(例如，徑向傳 輸線300)的區分特徵係傳輸線的特性阻抗為不固定的。該效 果係增加多一個尺寸，而非折曲長度，以在給定空間中增加電性長度。作為一範例，在一實施例中，使用徑向傳輸的橫向電磁(TEM,transverse electromagnetic)波，使得在軸向與圓周方向沒有改變或改變很少。特性阻抗為半徑的函數。在一具體實施例中，Zo(r)等於377*(mag(Ho(r))/magH1(r))。在此，Ho與H1為第一與第二階的hankel函數。當徑向傳輸線的一端係端接且另一端係驅動時(例如，分別為內部半徑與外部半徑，或分別為外部半徑與內部半徑)，特定半徑的輸入阻抗由方程式(1)給定：Z(r)=Zo(r)[ZLCos(θ(r)-Ψ(rL)+jZoLSin(θ(r)-θ(rL))]/[ZoLCos(Ψ(rL)-θ((rL))+jZLSin(Ψ(r)-Ψ(L))]，其中θ(r)=角度(Ho(r))加Ψ(r)=角度H1(r).(1)
本發明的範例實施例係繪示在第4圖中。參見第4圖，電漿產生器或撞擊器400包括RF輸入402與氣體輸入404。氣體輸入404耦接於傳送通道406，傳送通道406由折曲塊408圍繞，折曲塊408可或可不為共振的。RF輸入402耦接於折曲塊408內的一區域410。電介質窗412將折曲塊408從傳送通道406分開。傳送通道406饋入電漿終端器與基本噴頭414。電漿或電漿產生的種416可從電漿終端器與基本噴頭414傳送，例如用於處理基板或晶圓。在一實施例中，電漿終端器與基本噴頭414包括電漿終端網格415。可瞭解到，傳送通道406的直徑D可根據應用而改變。
在一實施例中，折曲塊408包括金屬，例如(但不 限於)銅或鋁合成物合金。在另一實施例中，折曲塊408包括印刷電路板(PCB,printed circuit board)，其中印刷電路板上的繞線金屬層提供所需的導電性。在一實施例中，電介質窗412包括材料，例如(但不限於)石英、氧化釔、氧化鋁或聚苯乙烯。
在一實施例中，第4圖的電漿產生器400的操作包 括使用徑向傳輸線與折曲結構來達成共振。沿著任何半徑，一選擇點的左邊阻抗係右邊阻抗的共軛，這是共振的要求。 在一實施例中，使用利用電漿產生器(例如，電漿產生器400)達成的共振，製造電漿源，其中共振器中儲存的能量分散在產生的電漿中。雖然第4圖圖示了電漿終端網格415，在其他實施例中，此種網格會不需要，例如曝露下游表面至電漿是想要的或可接受的時。
如同上述，第4圖圖示的尺寸D可擴張或修改。更 具體地，各個徑向傳輸線之間的間距與直徑係設計參數。如同第5圖繪示的範例，根據本發明的實施例例示了折曲結構如何不折曲，以及等效電路。
參見第5圖，在部分(A)中，繪示電漿產生器400 的相關部分。為了共振，兩短路的徑向傳輸線(例如，區域II與區域III)的輸入阻抗的和會是具有電介質阻斷的徑向傳輸線(區域I)的輸入阻抗的共軛。短路在第5圖的部分(A)中係繪示於502處。雖然未繪示，若該結構未共振，可使用外部匹配電路來驅動該結構。在一實施例中，選擇長度與特 性阻抗，以增加阻抗微調匹配所看到的阻抗。參見第5圖的部分(B)，部分(A)的折曲塊結構408係繪示在它的未折曲狀態中，其中圖示了區域I、II與III的相對位置。參見第5圖的部分(C)，繪示結構408的等效電路504，等效電路504包括等效電容506與等效電感508。
在另一態樣中，除了徑向結構之外，可使用同軸結 構的元件。本發明的此種範例實施例係繪示於第6圖。參見第6圖，電漿產生器或撞擊器600包括氣體輸入604。氣體輸入604耦接於傳送通道606，傳送通道606由同軸塊608圍繞，同軸塊608可或可不為共振的。電介質窗612將同軸塊608從傳送通道606分開。傳送通道606饋入電漿終端器與基本噴頭614，電漿終端器與基本噴頭614可或可不包括電漿終端網格。可瞭解到，傳送通道606的直徑D可根據應用而改變。雖然未繪示，可瞭解到，也可包括RF輸入。
在一實施例中，同軸塊608包括金屬，例如(但不 限於)銅或鋁合成物合金。在另一實施例中，同軸塊608包括印刷電路板(PCB,printed circuit board)，其中印刷電路板上的繞線金屬層提供所需的導電性。在一實施例中，電介質窗612包括材料，例如(但不限於)石英、氧化釔、氧化鋁或聚苯乙烯。
參見第6圖，為了共振，兩短路的徑向傳輸線(例 如，區域II與區域III)的輸入阻抗的和會是具有電介質阻斷的徑向傳輸線(區域I)的輸入阻抗的共軛。短路在第6圖中係繪示於602處。雖然未繪示，若該結構未共振，可使用外 部匹配電路來驅動該結構。在一實施例中，選擇長度與特性阻抗，以增加阻抗微調匹配所看到的阻抗。參見第7圖的部分(A)，第6圖的同軸塊結構608係繪示在它的未折曲狀態中，其中圖示了區域I、II與III的相對位置。參見第7圖的部分(B)，繪示結構608的等效電路704，等效電路704包括等效電容706與等效電感708。
本文敘述的電漿源的益處可包括(但不限於)在小 的實體空間中增加電性長度，以及不使用DC隔離就能引入氣體的能力。敘述的結構僅需要小的DC阻斷，小的DC阻斷在一實施例中可不使用大陶瓷窗就從電漿隱藏。此種電漿源(如同本文敘述的那些)當操作在VHF與更高頻率時，可操作在超低壓(例如，10mT)至超高壓(例如，>2Torr)。共振結構的高效率耦合促成此種多功能性。另外，在一實施例中，因為整體結構為DC接地，可製造非常方便的、完全DC接地的遠端電漿源。作為一範例，第8圖根據本發明的一實施例，為徑向共振器中形成的電漿的照片800。
具體地，在範例實施例中，基於徑向傳輸線的電漿 源可用於去除光阻劑。蝕刻率可相比於傳統式超環面遠端電漿源。更具體地，本發明的實施例可在方便的接地外形中應用至VHF遠端基本與電漿源。另外，可瞭解到，上述的電漿源具有的應用不只是蝕刻式的處理，但是也可用於化學氣相沈積(CVD)、材料修改等等。
基於徑向傳輸線的電漿源可包括於蝕刻腔室或其他處理腔室中。例如，第9A圖根據本發明的一實施例，例示了 一種系統，其中可包括基於傳輸線的電漿源。
參見第9A圖，用於實行電漿蝕刻處理的系統900A 包括腔室902A，腔室902A配備有樣本固持器904A。排空裝置906A與氣體入口裝置908A耦接於腔室902A。運算裝置912A耦接於腔室的各種部件。系統900A可另外包括耦接於樣本固持器904A的電壓源914A與耦接於腔室902A的偵測器916A。運算裝置912A可耦接於排空裝置906A、氣體入口裝置908A、電壓源914A與偵測器916A等等，如同第9A圖所示。也包括電漿產生器或撞擊器400，例如相關於第4圖所述的基於徑向傳輸線的電漿源之一者。在所示的具體實例中，電漿產生器或撞擊器400包括電漿終端器與基本噴頭414以及電漿終端網格415。可瞭解到，替代地可包括其他基於徑向傳輸線的電漿產生器，例如相關於第6圖所述的電漿產生器或撞擊器600。另外，也可包括遠端電漿源，例如電漿激發裝置910A，取決於系統的應用與多用途。
在另一範例中，第9B圖根據本發明的另一實施例，例示了一種系統，其中可包括另一種基於傳輸線的電漿源。
參見第9B圖，用於實行電漿蝕刻處理的系統900B包括腔室902B，腔室902B配備有樣本固持器904B。排空裝置906B與氣體入口裝置908B耦接於腔室902B。運算裝置912B耦接於腔室的各種部件。系統900B可另外包括耦接於樣本固持器904B的電壓源914B與耦接於腔室902B的偵測器916B。運算裝置912B可耦接於排空裝置906B、氣體入口裝置908B、電壓源914B與偵測器916B等等，如同第9B圖 所示。也包括電漿產生器或撞擊器400，例如相關於第4圖所述的基於徑向傳輸線的電漿源之一者。在所示的具體實例中，電漿產生器或撞擊器400包括電漿終端器與基本噴頭414，但是不包括電漿終端網格。可瞭解到，替代地可包括其他基於徑向傳輸線的電漿產生器，例如相關於第6圖所述的電漿產生器或撞擊器600。另外，也可包括遠端電漿源，例如電漿激發裝置910B，取決於系統的應用與多用途。
再次參見第9A圖與第9B圖，腔室902A或902B 與樣本固持器904A或904B可包括適於容納離子化氣體(亦即，電漿)的反應腔室與樣本定位裝置，並且將樣本帶近至離子化氣體或從離子化氣體射出的帶電種。排空裝置906A或906B可為適於排空且將腔室902A或902B減壓的裝置。氣體入口裝置908A或908B可為適於注射反應氣體進入腔室902A或902B的裝置。電漿產生器或撞擊器400可為適於將從反應氣體獲得的電漿激發的裝置，反應氣體藉由氣體入口裝置908A或908B而注射進入腔室902A或902B中。偵測裝置916A或916B可為適於偵測處理操作之終點的裝置。在一實施例中，系統900A或900B包括腔室902A或902B、樣本固持器904A或904B、排空裝置906A或906B、氣體入口裝置908A或908B、與偵測器916A或916B，類似於或相同於那些包括在Applied Centura® Enabler電介質蝕刻系統、Applied MaterialsTM AdvantEdge G3系統、或Applied MaterialsTM C3電介質蝕刻腔室中的。可瞭解到，基於徑向傳輸線的電漿源也可應用於化學氣相沈積(CVD)、原子層沈積(ALD)等 等的處理腔室中。
本發明的實施例可提供作為電腦程式產品或軟體， 電腦程式產品或軟體可包括機器可讀取媒介，具有指令儲存於其上，指令可用於編程電腦系統(或其他電子裝置)，以根據本發明執行處理。機器可讀取媒介包括任何機構，用於以機器(例如，電腦)可讀取的形式儲存或傳送資訊。例如，機器可讀取(例如，電腦可讀取)媒介包括機器(例如，電腦)可讀取儲存媒介(例如，唯讀記憶體(ROM)、隨機存取記憶體(RAM)、磁碟儲存媒介、光學儲存媒介、快閃記憶體裝置等等)、機器(例如，電腦)可讀取傳送媒介(電性、光學的、聲學的或傳輸信號的其他形式(例如，紅外線信號、數位信號等等)等等。
第10圖例示機器的圖示代表，以電腦系統1000的 範例形式，其中可執行指令集，用於導致該機器執行本文所討論之任何一或更多個方法。在替代的實施例中，該機器可在區域網路(LAN,Local Area Network)、內部網路、外部網路、或網際網路中連接(網狀連接)至其他機器。該機器可在客戶端-伺服器網路環境中操作在伺服器或客戶端機器的容量中，或者作為點對點(或分散式)網路環境中的點機器。 該機器可為個人電腦(PC)、平板電腦、機上盒(STB)、個人數位助理(PDA)、手機、網頁應用器、伺服器、網路路由器、切換器或橋接器、或任何可以執行指令集(序列的或其他)的機器，指令集指定了該機器要執行的作動。另外，雖然僅例示單一機器，用語「機器」也應包括任何機器集(例 如，電腦)，機器集個別或聯合地執行一或多個指令集，以執行本文所討論之任何一或更多個方法。在一實施例中，電腦系統1000適於使用作為分別相關於第9A圖或第9B圖所述的運算裝置912A或912B。
範例電腦系統1000包括處理器1002、主要記憶體 1004(例如，唯讀記憶體(ROM)、快閃記憶體、動態隨機存取記憶體(DRAM)(例如，同步動態隨機存取記憶體(SDRAM)或Rambus DRAM(RDRAM)等等)、靜態記憶體1006(例如，快閃記憶體、靜態隨機存取記憶體(SRAM)等等)、與次要記憶體1018(例如，資料儲存裝置)，這些元件透過匯流排1030而彼此通訊。
處理器1002代表一或更多個通用目的處理裝置，例 如微處理器、中央處理單元或類似者。更具體地，處理器1002可為複雜指令集運算(CISC,complex instruction set computing)微處理器、精簡指令集運算(RISC,reduced instruction set computing)微處理器、超長指令字(VLIW,very long instruction word)微處理器、實施其他指令集的處理器、實施指令集組合的處理器。處理器1002也可為一或更多個專用目的處理裝置，例如特殊應用積體電路(ASIC,application specific integrated circuit)、現場可編程閘陣列(FPGA,field programmable gate array)、數位信號處理器(DSP,a digital signal processor)、網路處理器或類似者。處理器1002可配置來執行用於執行本文所討論之操作的處理邏輯1026。
電腦系統1000可另外包括網路介面裝置1008。電 腦系統1000也可包括視訊顯示單元1010(例如，液晶顯示器(LCD)或陰極射線管(CRT))、文字數位的輸入裝置1012(例如，鍵盤)、游標控制裝置1014(例如，滑鼠)與信號產生裝置1016(例如，揚聲器)。
次要記憶體1018可包括機器可存取儲存媒介(或更 具體地，電腦可讀取儲存媒介)1031，其上儲存有一或更多個指令集(例如，軟體1022)，一或更多個指令集執行本文所述之任何一或更多個方法或功能。在電腦系統1000執行軟體1022期間，軟體1022也可完全或至少部分地設置於主要記憶體1004內及/或處理器1002內，主要記憶體1004與處理器1002也構成機器可讀取儲存媒介。軟體1022透過網路介面裝置1008而在網路1020上另外接收或傳送。
雖然機器可存取儲存媒介1031在範例實施例中係 顯示為單一媒介，用語「機器可讀取儲存媒介」應包括儲存一或更多個指令集的單一媒介或多個媒介(例如，中央式或分散式資料庫，及/或相關的快取與伺服器)。用語「機器可讀取儲存媒介」也應包括可以儲存或編碼指令集的任何媒介，指令集由該機器執行並且導致該機器執行本發明之任何一或更多個方法。用語「機器可讀取儲存媒介」應因此包括(但不限於)固態記憶體，以及光學與磁性媒介。
因此，已經揭示基於徑向傳輸線的電漿源，用於蝕刻腔室與其他處理腔室。
400‧‧‧電漿產生器(撞擊器)
402‧‧‧RF輸入
404‧‧‧氣體輸入
406‧‧‧傳送通道
408‧‧‧折曲塊
410‧‧‧區域
412‧‧‧電介質窗
414‧‧‧電漿終端器與基本噴頭
415‧‧‧電漿終端網格
416‧‧‧電漿(電漿產生的種)

Claims (20)

  1. 一種基於徑向傳輸線的電漿源，包括：一氣體傳送通道，該氣體傳送通道具有耦接於一氣體入口的一第一端，且該氣體傳送通道具有耦接於一電漿噴頭的一第二端；一折曲塊，該折曲塊圍繞該氣體傳送通道的至少一部分；及一RF輸入，該RF輸入耦接於該折曲塊。
  2. 如請求項1所述之基於徑向傳輸線的電漿源，進一步包括：一電介質窗，該電介質窗將該折曲塊的一部分從該氣體傳送通道分開。
  3. 如請求項1所述之基於徑向傳輸線的電漿源，其中該電漿噴頭包括一電漿終端網格，以限制一電漿至該基於徑向傳輸線的電漿源。
  4. 如請求項1所述之基於徑向傳輸線的電漿源，其中該電漿噴頭不包括一電漿終端網格，且該基於徑向傳輸線的電漿源係配置來傳送一電漿至該電漿噴頭之外。
  5. 如請求項1所述之基於徑向傳輸線的電漿源，其中該折曲塊係配置為共振的。
  6. 如請求項1所述之基於徑向傳輸線的電漿源，其中該折曲塊係配置為非共振的。
  7. 如請求項1所述之基於徑向傳輸線的電漿源，其中該RF輸入耦接於該折曲塊內的一區域。
  8. 一種基於徑向傳輸線的電漿源，包括：一氣體傳送通道，該氣體傳送通道具有耦接於一氣體入口的一第一端，且該氣體傳送通道具有耦接於一電漿噴頭的一第二端；一同軸塊，該同軸塊圍繞該氣體傳送通道的至少一部分；及一RF輸入，該RF輸入耦接於該同軸塊。
  9. 如請求項8所述之基於徑向傳輸線的電漿源，進一步包括：一電介質窗，該電介質窗將該同軸塊的一部分從該氣體傳送通道分開。
  10. 如請求項8所述之基於徑向傳輸線的電漿源，其中該電漿噴頭包括一電漿終端網格，以限制一電漿至該基於徑向傳輸線的電漿源。
  11. 如請求項8所述之基於徑向傳輸線的電漿源，其中該電漿噴頭不包括一電漿終端網格，且該基於徑向傳輸線的電漿源係配置來傳送一電漿至該電漿噴頭之外。
  12. 如請求項8所述之基於徑向傳輸線的電漿源，其中該同軸塊係配置為共振的。
  13. 如請求項8所述之基於徑向傳輸線的電漿源，其中該同軸塊係配置為非共振的。
  14. 如請求項8所述之基於徑向傳輸線的電漿源，其中該RF輸入耦接於該同軸塊內的一區域。
  15. 一種系統，用於實行一電漿處理操作，該系統包括：一處理腔室；一樣本固持器，該樣本固持器設置於該處理腔室的一下部區域中；及一基於徑向傳輸線的電漿源，該基於徑向傳輸線的電漿源設置於該處理腔室的一上部區域中、直接在該樣本固持器上方。
  16. 如請求項15所述之系統，其中該系統係用於實行一電漿處理操作，該電漿處理操作係選自包含下述的該群組：一電漿蝕刻操作、一電漿式化學氣相沈積(CVD)操作、與一電 漿式原子層沈積(ALD)操作。
  17. 如請求項15所述之系統，其中該基於徑向傳輸線的電漿源包括：一氣體傳送通道，該氣體傳送通道具有耦接於一氣體入口的一第一端，且該氣體傳送通道具有耦接於一電漿噴頭的一第二端；一折曲塊，該折曲塊圍繞該氣體傳送通道的至少一部分；及一RF輸入，該RF輸入耦接於該折曲塊。
  18. 如請求項17所述之系統，其中該基於徑向傳輸線的電漿源的該電漿噴頭包括一電漿終端網格，以限制一電漿至該基於徑向傳輸線的電漿源、遠離該樣本固持器。
  19. 如請求項15所述之系統，其中該基於徑向傳輸線的電漿源包括：一氣體傳送通道，該氣體傳送通道具有耦接於一氣體入口的一第一端，且該氣體傳送通道具有耦接於一電漿噴頭的一第二端；一同軸塊，該同軸塊圍繞該氣體傳送通道的至少一部分；及一RF輸入，該RF輸入耦接於該同軸塊。
  20. 如請求項19所述之系統，其中該基於徑向傳輸線的電漿源的該電漿噴頭包括一電漿終端網格，以限制一電漿至該基於徑向傳輸線的電漿源、遠離該樣本固持器。
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