TW201434978A - 用於光學元件與包封材料的可固化聚矽氧烷組成物、以及光學元件 - Google Patents
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Abstract
本發明揭示一種用於光學元件之可固化聚矽氧烷組成物,包含至少一第一矽氧烷化合物其係以下述化學式1表示、至少一第二矽氧烷化合物其於末端具有與矽鍵結的氫(Si-H)、以及至少一第三矽氧烷化合物,其於末端具有一與矽鍵結的烯基(Si-Vi);一種包封材料,藉由使該用於光學元件之可固化聚矽氧烷組成物固化而得;以及一種光學元件,包含該包封材料。[化學式1] (R1R2R3SiO1/2)M1(R4R5SiO2/2)D1(R6R7SiO2/2)D2(R8SiO2/2-Y1-SiO2/2R9)D3 (R10SiO3/2)T1(R11SiO3/2)T2(R12SiO3/2)T3(SiO3/2-Y2-SiO3/2)T4(SiO4/2)Q1 於上述化學式1、R1至R12、Y1、Y2、M1、D1、D2、D3、T1、T2、T3、T4及Q1係與說明書所定義者相同。
Description
本發明係有關於一種用於光學元件之可固化聚矽氧烷組成物、以及一包封材料和一光學元件。
光學元件如發光二極體(LED)、有機發光元件(OLED)及光致發光(PL)材料等,可應用於各種領域,如用於家用電器、照明裝置、顯示裝置及自動裝置。
該等光學元件可包含一密封包裝,例如包封材料,以保護光學元件。該密封包裝係由一包含光穿透樹脂的組成物所製成,使得自該光學元件發出的光可穿透至外部。另一方面,該密封包裝可用於改善製程產率,而在此,產物應呈現一相似的色座標。
另外,當該產物因該密封包裝所暴露的環境因素而被硫脫色時,該產物的發光強度會急劇劣化。
一具體實施例提供一種用於光學元件之可固化聚矽氧烷組成物,其係藉由增加色彩散射度及耐硫性而能改善可加工性及可靠度。
另一具體實施例提供一種包封材料,其係由固化該用於光學元件之可固化聚矽氧烷組成物而獲得。
另一具體施實例提供一種光學元件,其包含該包封材料。
根據一具體實施例,一種用於光學元件之可固化聚矽氧烷組成物係包含至少一第一矽氧烷化合物,其由以下化學式1所示;至少一第二矽氧烷化合物,其於末端具有與矽鍵結的氫(Si-H);以及至少一第三矽氧烷化合物,其於末端具有與矽鍵結的烯基(Si-Vi)。
[化學式1](R1R2R3SiO1/2)M1(R4R5SiO2/2)D1(R6R7SiO2/2)D2(R8SiO2/2-Y1-SiO2/2R9)D3 (R10SiO3/2)T1(R11SiO3/2)T2(R12SiO3/2)T3(SiO3/2-Y2-SiO3/2)T4(SiO4/2)Q1
於上述化學式1,R1至R12係各自獨立地為氫、一經取代或未經取代之C1至C30烷基、一經取代或未經取代之C3至C30環烷基、一經取代或未經取代之C6至C30芳基、一經取代或未經取代之C7至C30芳烷基、一經取代或未經取代之C1至C30雜烷基、一經取代或未經取代之C2至C30雜環
烷基、一經取代或未經取代之C3至C30雜芳基、一經取代或未經取代之C2至C30烯基、一經取代或未經取代之C2至C30炔基、一經取代或未經取代之C1至C30烷氧基、一經取代或未經取代之C1至C30羰基、一羥基、或其等之組合,或以下述化學式1a表示的基團,R1至R12之至少一個為以述化學式1a表示的基團,Y1及Y2係各自獨立地為一單鍵、一經取代或未經取代之C1至C30伸烷基、一經取代或未經取代之C3至C30伸環烷基、未經取代之C1至C30伸雜烷基、一經取代或未經取代之C6至C30伸芳基、一經取代或未經取代之C3至C30伸雜芳基,或其等之組合,0M1<1、0D1<1、0D2<1、0D3<1、0T1<1、0T2<1、0T3<1、0T4<1且0Q1<1,以及M1+D1+D2+D3+T1+T2+T3+T4+Q1=1。
[化學式1a]*-L1-(O-L2)x-(O-L3)y-Z
於上述化學式1a中,L1係一單鍵、一經取代或未經取代之C1至C30伸烷基、一經取代或未經取代之C3至C30伸環烷基、一經取代或未經取代之C6至C30伸芳基、一經取代或未經取代之C3至C30伸雜芳基、一經取代或未經取代之C1至C30伸雜烷基,或其等之組合,L2及L3係各自獨立地為一經取代或未經取代之C1至C30伸烷基、一經取代或未經取代之C3至C30伸環烷基、一
經取代或未經取代之C6至C30伸芳基、一經取代或未經取代之C3至C30伸雜芳基、一經取代或未經取代之C1至C30伸雜烷基,或其等之組合,Z係氫、一經取代或未經取代之C1至C30烷基、一經取代或未經取代之C3至C30環烷基、一經取代或未經取代之C6至C30芳基、一經取代或未經取代之C7至C30芳烷基、一經取代或未經取代之C1至C30雜烷基、一經取代或未經取代之C2至C30雜環烷基、一經取代或未經取代之C3至C30雜芳基、一經取代或未經取代之C2至C30烯基、一經取代或未經取代之C2至C30炔基、一經取代或未經取代之C1至C30烷氧基、一經取代或未經取代之C1至C30羰基、一羥基,或其等之組合,0x200且0y200,x及y不同時為0,以及*係化學式1之矽所鏈結之處。
該第一矽氧烷化合物可以下述化學式2表示。
於上述化學式2中,R1a、R2a、R3a、R1b、R2b、R3b及R4至R7係各自獨立地為氫、一經取代或未經取代之C1至C30烷基、一經取代或未經取代之C3至C30環烷基、一經取代或未經取代之C6至
C30芳基、一經取代或未經取代之C7至C30芳烷基、一經取代或未經取代之C1至C30雜烷基、一經取代或未經取代之C2至C30雜環烷基、一經取代或未經取代之C3至C30雜芳基、一經取代或未經取代之C2至C30烯基、一經取代或未經取代之C2至C30炔基、一經取代或未經取代之C1至C30烷氧基、一經取代或未經取代之C1至C30羰基、一羥基、或其等之組合、或以上述化學式1a所表示之基團,R1a、R2a、R3a、R1b、R2b及R3b之至少一者係以上述化學式1a所表示之基團,0m1<1000且0m2<1000。
該第一矽氧烷化合物可以下述化學式3表示。
於上述化學式3中,R1a、R3a、R1b、R3b及R4至R7係各自獨立地為氫、一經取代或未經取代之C1至C30烷基、一經取代或未經取代之C3至C30環烷基、一經取代或未經取代之C6至C30芳基、一經取代或未經取代之C7至C30芳烷基、一經取代或未經取代之C1至C30雜烷基、一經取代或未經取代之C2至C30雜環烷基、一經取代或未經取代之C3至C30雜芳基、一經取代或未經取代之C2至C30烯基、一經取代或未經取代之C2至C30炔基、一經取代或未經取代之C1至C30烷氧基、一
經取代或未經取代之C1至C30羰基、一羥基,或其等之組合,L1a及L1b係各自獨立地為一單鍵、一經取代或未經取代之C1至C30伸烷基、一經取代或未經取代之C3至C30伸環烷基、一經取代或未經取代之C6至C30伸芳基、一經取代或未經取代之C3至C30伸雜芳基、一經取代或未經取代之C1至C30伸雜烷基,或其等之組合,L2a、L2b、L3a及L3b係各自獨立地為一經取代或未經取代之C1至C30伸烷基、一經取代或未經取代之C3至C30伸環烷基、一經取代或未經取代之C6至C30伸芳基、一經取代或未經取代之C3至C30伸雜芳基、一經取代或未經取代之C1至C30伸雜烷基,或其等之組合,Z1及Z2係各自獨立地為氫、一經取代或未經取代之C1至C30烷基、一經取代或未經取代之C3至C30環烷基、一經取代或未經取代之C6至C30芳基、一經取代或未經取代之C7至C30芳烷基、一經取代或未經取代之C1至C30雜烷基、一經取代或未經取代之C2至C30雜環烷基、一經取代或未經取代之C3至C30雜芳基、一經取代或未經取代之C2至C30烯基、一經取代或未經取代之C2至C30炔基、一經取代或未經取代之C1至C30烷氧基、一經取代或未經取代之C1至C30羰基、一羥基,或其等之組合,0m1<1000、0m2<1000,0x1200、0x2200、0y1200及0y2200,x1及y1不同時為0,且
x2及y2不同時為0。
該L1a、L1b、L2a、L2b、L3a及L3b可各自獨立地為一經取代或未經取代之C1至C5伸烷基。
該L2a和L3a之一可為一經取代或未經取代之伸乙基、而他者可為一經取代或未經取代之伸丙基,以及該L2b和L3b之一可為一經取代或未經取代之伸乙基而他者可為一經取代或未經取代之伸丙基。
該第一矽氧烷化合物可以下述化學式4-1或4-2表示。
於上述化學式4-1或4-2中,R1a、R1b、R3a、R3b、R4至R7及Ra至Rd係各自獨立地為氫、一經取代或未經取代之C1至C30烷基、一經取代或未經取代之C3至C30環烷基、一經取代或未經取代之C6至C30芳基、一經取代或未經取代之C7至C30芳烷基、一經取代或未經取代之C1至C30雜烷基、一經取代或未經取代之C2至C30雜環烷基、一經取代或未經取代之C3至C30雜芳基、一經取代或未經取代之C2至C30烯基、一經取代或未
經取代之C2至C30炔基、一經取代或未經取代之C1至C30烷氧基、一經取代或未經取代之C1至C30羰基、一羥基,或其等之組合,Ra或Rb係一經取代或未經取代之甲基,Rc或Rd係一經取代或未經取代之甲基,Z1及Z2係各自獨立地為氫、一經取代或未經取代之C1至C30烷基、一經取代或未經取代之C3至C30環烷基、一經取代或未經取代之C6至C30芳基、一經取代或未經取代之C7至C30芳烷基、一經取代或未經取代之C1至C30雜烷基、一經取代或未經取代之C2至C30雜環烷基、一經取代或未經取代之C3至C30雜芳基、一經取代或未經取代之C2至C30烯基、一經取代或未經取代之C2至C30炔基、一經取代或未經取代之C1至C30烷氧基、一經取代或未經取代之C1至C30羰基、一羥基,或其等之組合,0m1<1000、0m2<1000,0x1200、0x2200、0y1200及0y2200,x1及y1不同時為0,且x2及y2不同時為0。
該R1a、R1b、R3a、R3b、R4至R7之至少兩者可為甲基。
以上述化學式1a所示基團可為以下述化學式1aa所示基團。
[化學式1aa]*-L1-(OC2H4)x-(OC3H6)y-Z
於上述化學式1aa中,L1係一單鍵、一經取代或未經取代之C1至C30伸烷基、一經取代或未經取代之C3至C30伸環烷基、一經取代或未經取代之C6至C30伸芳基、一經取代或未經取代之C3至C30伸雜芳基、一經取代或未經取代之C1至C30伸雜烷基,或其等之組合,Z係氫、一經取代或未經取代之C1至C30烷基、一經取代或未經取代之C3至C30環烷基、一經取代或未經取代之C6至C30芳基、一經取代或未經取代之C7至C30芳烷基、一經取代或未經取代之C1至C30雜烷基、一經取代或未經取代之C2至C30雜環烷基、一經取代或未經取代之C3至C30雜芳基、一經取代或未經取代之C2至C30烯基、一經取代或未經取代之C2至C30炔基、一經取代或未經取代之C1至C30烷氧基、一經取代或未經取代之C1至C30羰基、一羥基,或其等之組合,0x200及0y200,x及y不同時為0,且*係化學式1之矽(Si)所鏈結之處。
上述化學式1之R1至R12及Z之至少一者可包括氫或一經取代或未經取代之C2至C30烯基。
該第一矽氧烷化合物可以下述化學式5表示。
[化學式5](R1R2R3SiO1/2)M1(R10SiO3/2)T1(R11SiO3/2)T2(R12SiO3/2)T3(SiO3/2-Y2-SiO3/2)T4
於上述化學式5中,R1至R3、R11及R12係各自獨立地為氫、一經取代或未經取代之C1至C30烷基、一經取代或未經取代之C3至C30環烷基、一經取代或未經取代之C6至C30芳基、一經取代或未經取代之C7至C30芳烷基、一經取代或未經取代之C1至C30雜烷基、一經取代或未經取代之C2至C30雜環烷基、一經取代或未經取代之C3至C30雜芳基、一經取代或未經取代之C2至C30烯基、一經取代或未經取代之C2至C30炔基、一經取代或未經取代之C1至C30烷氧基、一經取代或未經取代之C1至C30羰基、一羥基,或其等之組合,R10係以上述化學式1aa所表示之基團,Y2係一單鍵、一經取代或未經取代之C1至C30伸烷基、一經取代或未經取代之C3至C30伸環烷基、一經取代或未經取代之C6至C30伸芳基、一經取代或未經取代之C3至C30伸雜芳基、一經取代或未經取代之C1至C30伸雜烷基,或其等之組合,0M1<1、0T1<1、0T2<1、0T3<1及0T4<1,以及M1+T1+T2+T3+T4=1。
該第二矽氧烷化合物可以下述化學式6表示。
[化學式6](R13R14R15SiO1/2)M2(R16R17SiO2/2)D4(R18SiO3/2-Y3-SiO3/2R19)D5(R20SiO3/2)T5(SiO3/2-Y4-SiO3/2)T6(SiO4/2)Q2
於上述化學式6中,R13至R20係各自獨立地為氫、一經取代或未經取代之
C1至C30烷基、一經取代或未經取代之C3至C30環烷基、一經取代或未經取代之C6至C30芳基、一經取代或未經取代之C7至C30芳烷基、一經取代或未經取代之C1至C30雜烷基、一經取代或未經取代之C2至C30雜環烷基、一經取代或未經取代之C3至C30雜芳基、一經取代或未經取代之C2至C30炔基、一經取代或未經取代之C1至C30烷氧基、一經取代或未經取代之C1至C30羰基、一羥基,或其等之組合,R13至R20之至少一者包括氫,Y3及Y4係各自獨立地為一單鍵、一經取代或未經取代之C1至C20伸烷基、一經取代或未經取代之C3至C20伸環烷基、一經取代或未經取代之C6至C20伸芳基、一經取代或未經取代之C3至C20伸雜芳基、一經取代或未經取代之C2至C20伸烯基、一經取代或未經取代之C2至C20伸炔基,或其等之組合,0M2<1、0D4<1、0D5<1、0T5<1、0T6<1、0Q2<1,以及M2+D4+D5+T5+T6+Q2=1。
該第三矽氧烷化合物可以下述化學式7表示。
[化學式7](R21R22R23SiO1/2)M3(R24R25SiO2/2)D6(R26SiO3/2-Y5-SiO3/2R27)D7(R28SiO3/2)T7(SiO3/2-Y6-SiO3/2)T8(SiO4/2)Q3
於上述化學式7,R21至R28係各自獨立地為經取代或未經取代之C1至C30烷基、一經取代或未經取代之C3至C30環烷基、一經取
代或未經取代之C6至C30芳基、一經取代或未經取代之C7至C30芳烷基、一經取代或未經取代之C1至C30雜烷基、一經取代或未經取代之C2至C30雜環烷基、一經取代或未經取代之C3至C30雜芳基、一經取代或未經取代之C2至C30烯基、一經取代或未經取代之C2至C30炔基、一經取代或未經取代之C1至C30烷氧基、一經取代或未經取代之C1至C30羰基、一羥基,或其等之組合,R21至R28之至少一者包括一經取代或未經取代之C2至C30烯基,Y5及Y6係各自獨立地為一單鍵、一經取代或未經取代之C1至C20伸烷基、一經取代或未經取代之C3至C20伸環烷基、一經取代或未經取代之C6至C20伸芳基、一經取代或未經取代之C2至C20伸雜芳基、一經取代或未經取代之C2至C20伸烯基、一經取代或未經取代之C2至C20伸炔基,或其等之組合,0M3<1、0D6<1、0D7<1、0T7<1、0T8<1、0Q3<1,以及M3+D6+D7+T7+T8+Q3=1。
該第二矽氧烷化合物可佔低於約50重量份的量,以100重量份之該第二矽氧烷化合物及該第三矽氧烷化合物計;而該第三矽氧烷化合物可佔高於約50重量份的量,以100重量份的該第二矽氧烷化合物及該第三矽氧烷化合物計。
該第一矽氧烷化合物可佔約0.01至20wt%的
量,以該組成物的總量計。
根據另一具體實施例,提供一種包封材料,其係由使該用於光學元件之可固化聚矽氧烷組成物固化而得。
根據另一具體實施例,提供一種光學元件,其包含該包封材料。
在如折射率、硬度、穿透率、耐熱性及其他特性未受影響下色彩散射度及耐硫性受到增進,故可加工性及可靠性受改良。
110‧‧‧模具
120‧‧‧引線框架
140‧‧‧發光二極體晶片
150‧‧‧接線
190‧‧‧磷光體
200‧‧‧包封材料
圖1係根據一具體實施例之發光二極體的截面圖。
以下詳細說明本發明之例示性具體實施例,且該具體實施例可由本發明領域具通常知識者所輕易據以實施。然而,本案所揭發明可具體實施為許多不同形式,並且不應解釋為受限於本文所載之例示性具體實施例。
在使用於本文,當未另行提供定義時,用語「經取代」指被下述所取代者:一鹵素原子(F、Br、Cl或I)、一羥基、一烷氧基、一硝基、一氰基、一胺基、一疊氮基、一甲脒基、一肼基、一亞肼基、一羰基、一胺甲醯基、一巰基、一酯基、一羧基或其鹽類、一磺酸或其鹽類、一磷酸或其鹽類、一C1至C20烷基、一C2至C20烯基、一C2至
C20炔基、一C6至C30芳基、一C7至C30芳烷基、一C1至C30烷氧基、一C1至C20雜烷基、一C3至C20雜芳烷基、一C3至C30環烷基、一C3至C15環烯基、一C6至C15環炔基、一C3至C30雜環烷基、及其等之組合,替代一化合物之氫。
在使用於本文,當未另行提供定義時,用語「雜」係指包含至少一選自於N、O、S及P之雜原子者。
以下,根據一具體實施例說明一種用於光學元件之可固化聚矽氧烷組成物。
根據一具體實施例,一用於光學元件之可固化聚矽氧烷組成物(以下稱為「組成物」)包括至少一以下述化學式1表示之第一矽氧烷化合物、至少一第二矽氧烷化合物其於末端具有與矽鍵結的氫(Si-H)、以及至少一第三矽氧烷化合物其於末端具有與矽鍵結的烯基(Si-Vi)。
[化學式1](R1R2R3SiO1/2)M1(R4R5SiO2/2)D1(R6R7SiO2/2)D2(R8SiO2/2-Y1-SiO2/2R9)D3(R10SiO3/2)T1(R11SiO3/2)T2(R12SiO3/2)T3(SiO3/2-Y2-SiO3/2)T4(SiO4/2)Q1
於上述化學式1,R1至R12係各自獨立地為氫、一經取代或未經取代之C1至C30烷基、一經取代或未經取代之C3至C30環烷基、一經取代或未經取代之C6至C30芳基、一經取代或未經取代之C7至C30芳烷基、一經取代或未經取代之C1至C30雜烷基、一經取代或未經取代之C2至C30雜環烷基、一經取代或未經取代之C3至C30雜芳基、一經取代或未經取代之C2
至C30烯基、一經取代或未經取代之C2至C30炔基、一經取代或未經取代之C1至C30烷氧基、一經取代或未經取代之C1至C30羰基、一羥基、或其等之組合,或以下述化學式1a表示之基團,R1至R12之至少一者為以下述化學式1a表示之基團,Y1及Y2係各自獨立地為一單鍵、一經取代或未經取代之C1至C30伸烷基、一經取代或未經取代之C3至C30伸環烷基、未經取代之C1至C30伸雜烷基、一經取代或未經取代之C6至C30伸芳基、一經取代或未經取代之C3至C30伸雜芳基、經取代者,或其等之組合,0M1<1、0D1<1、0D2<1、0D3<1、0T1<1、0T2<1、0T3<1、0T4<1及0Q1<1,以及M1+D1+D2+D3+T1+T2+T3+T4+Q1=1。
[化學式1a]*-L1-(O-L2)x-(O-L3)y-Z
於上述化學式1a中,L1係一單鍵、一經取代或未經取代之C1至C30伸烷基、一經取代或未經取代之C3至C30伸環烷基、一經取代或未經取代之C6至C30伸芳基、一經取代或未經取代之C3至C30伸雜芳基、一經取代或未經取代之C1至C30伸雜烷基,或其等之組合,L2及L3係各自獨立地為經取代或未經取代之C1至C30伸烷基、一經取代或未經取代之C3至C30伸環烷基、一經取代或未經取代之C6至C30伸芳基、一經取代或未經取代
之C3至C30伸雜芳基、一經取代或未經取代之C1至C30伸雜烷基,或其等之組合,Z係氫、一經取代或未經取代之C1至C30烷基、一經取代或未經取代之C3至C30環烷基、一經取代或未經取代之C6至C30芳基、一經取代或未經取代之C7至C30芳烷基、一經取代或未經取代之C1至C30雜烷基、一經取代或未經取代之C2至C30雜環烷基、一經取代或未經取代之C3至C30雜芳基、一經取代或未經取代之C2至C30烯基、一經取代或未經取代之C2至C30炔基、一經取代或未經取代之C1至C30烷氧基、一經取代或未經取代之C1至C30羰基、一羥基,或其等之組合,0x200及0y200,x及y不同時為0,以及*係化學式1之矽(Si)鏈結之處。
該第一矽氧烷化合物係被包含以作為一種添加劑,故可增加表面張力及表面平坦性並改善該組成物固化期間之表面塗佈效果。另外,該第一矽氧烷化合物具有一以上述化學式1a表示之親水性基團,故可增加組成物中磷光體的分散。據此,由固化該組成物所得之包封材料可有效避免諸如硫等外來污染物的滲透,故使可靠度提升並同時使磷光體均勻分散其中,且因此增加色彩散射度。
另外,該第一矽氧烷化合物具有一矽氧烷結構,其增加對第二矽氧烷化合物(其具有與矽鍵結的氫(Si-H))及第三矽氧烷化合物(其具有與矽鍵結的烯基(Si-Vi))的結
構性親和力,故而可避免該組成物中添加物的相分離。
該第一矽氧烷化合物可例如以下述化學式2表示。
於上述化學式2中,R1a、R2a、R3a、R1b、R2b、R3b及R4至R7係各自獨立地為氫、一經取代或未經取代之C1至C30烷基、一經取代或未經取代之C3至C30環烷基、一經取代或未經取代之C6至C30芳基、一經取代或未經取代之C7至C30芳烷基、一經取代或未經取代之C1至C30雜烷基、一經取代或未經取代之C2至C30雜環烷基、一經取代或未經取代之C3至C30雜芳基、一經取代或未經取代之C2至C30烯基、一經取代或未經取代之C2至C30炔基、一經取代或未經取代之C1至C30烷氧基、一經取代或未經取代之C1至C30羰基、一羥基、或其等之組合,或以上述化學式1a所表示之基團,R1a、R2a、R3a、R1b、R2b及R3b之至少一者係以上述化學式1a所表示之基團,以及0m1<1000,且0m2<1000。
該第一矽氧烷化合物可例如以下述化學式3表示。
[化學式3]
於上述化學式3中,R1a、R3a、R1b、R3b及R4至R7係各自獨立地為氫、一經取代或未經取代之C1至C30烷基、一經取代或未經取代之C3至C30環烷基、一經取代或未經取代之C6至C30芳基、一經取代或未經取代之C7至C30芳烷基、一經取代或未經取代之C1至C30雜烷基、一經取代或未經取代之C2至C30雜環烷基、一經取代或未經取代之C3至C30雜芳基、一經取代或未經取代之C2至C30烯基、一經取代或未經取代之C2至C30炔基、一經取代或未經取代之C1至C30烷氧基、一經取代或未經取代之C1至C30羰基、一羥基,或其等之組合,L1a及L1b係各自獨立地為一單鍵、一經取代或未經取代之C1至C30伸烷基、一經取代或未經取代之C3至C30伸環烷基、一經取代或未經取代之C6至C30伸芳基、一經取代或未經取代之C3至C30伸雜芳基、一經取代或未經取代之C1至C30伸雜烷基,或其等之組合,L2a、L2b、L3a及L3b係各自獨立地為經取代或未經取代之C1至C30伸烷基、一經取代或未經取代之C3至C30伸環烷基、一經取代或未經取代之C6至C30伸芳基、一經取代或未經取代之C3至C30伸雜芳基、一經取代或未經取代之C1至C30伸雜烷基,或其等之組合,Z1及Z2係各自獨立地為氫、一經取代或未經取代之C1
至C30烷基、一經取代或未經取代之C3至C30環烷基、一經取代或未經取代之C6至C30芳基、一經取代或未經取代之C7至C30芳烷基、一經取代或未經取代之C1至C30雜烷基、一經取代或未經取代之C2至C30雜環烷基、一經取代或未經取代之C3至C30雜芳基、一經取代或未經取代之C2至C30烯基、一經取代或未經取代之C2至C30炔基、一經取代或未經取代之C1至C30烷氧基、一經取代或未經取代之C1至C30羰基、一羥基,或其等之組合,0m1<1000、0m2<1000,0x1200、0x2200、0y1200及0y2200,x1及y1不同時為0,以及x2及y2不同時為0。
例如,於上述化學式3,該L1a、L1b、L2a、L2b、L3a及L3b可各自獨立地為一經取代或未經取代之C1至C5伸烷基。例如,該L1a及L1b可各自獨立地為一經取代或未經取代之伸丙基。例如,該L2a及L3a之一可為一經取代或未經取代之伸乙基,而他者可為一經取代或未經取代之伸丙基。例如,該L2b及L3b之一可為一經取代或未經取代之伸乙基而他者可為一經取代或未經取代之伸丙基。
例如,於上述化學式3中,該Z1及Z2可各自獨立地為一經取代或未經取代之C1至C30烷氧基或一羥基。
該第一矽氧烷化合物可例如以下述化學式4-1或化學式4-2表示。
於上述化學式4-1或4-2,R1a、R1b、R3a、R3b、R4至R7、Z1、Z2、m1、m2、x1、x2、y1及y2係與上述相同,Ra至Rd係各自獨立地為氫、一經取代或未經取代之C1至C30烷基、一經取代或未經取代之C3至C30環烷基、一經取代或未經取代之C6至C30芳基、一經取代或未經取代之C7至C30芳烷基、一經取代或未經取代之C1至C30雜烷基、一經取代或未經取代之C2至C30雜環烷基、一經取代或未經取代之C3至C30雜芳基、一經取代或未經取代之C2至C30烯基、一經取代或未經取代之C2至C30炔基、一經取代或未經取代之C1至C30烷氧基、一經取代或未經取代之C1至C30羰基、一羥基,或其等之組合,Ra或Rb係一經取代或未經取代之甲基,以及Rc或Rd係一經取代或未經取代之甲基。
例如,於上述化學式4中,該Z1及Z2可各自獨立為一經取代或未經取代之C1至C30烷氧基或一羥基。
例如,於上述化學式4中,R1a、R1b、R3a、R3b、
R4至R7之可至少兩者為甲基、或可至少四者為甲基。
於上述化學式1中,以上述化學式1a所表示之基團可為例如以下述化學式1a表示之基團。
[化學式1aa]*-L1-(OC2H4)x-(OC3H6)y-Z
於上述化學式1aa,L1、Z、x及y係與前述相同。
以前述化學式1aa表示之基團包括伸乙基氧基及/或伸丙基氧基,而可如前述增加表面張力及表面平坦性,因而增加一包封材料的表面塗佈效果,並有效預防外來污染物的滲透,因而增進可靠度並同時使磷光體因親水性而均勻分散於該包封材料內,以及增加色彩散射度。
例如,於上述化學式1aa中,該L1可為一經取代或未經取代之C1至C5伸烷基,例如一經取代或未經取代之伸丙基。
當該第一矽氧烷化合物包含以上述化學式1aa所表示之基團時,該第一矽氧烷化合物之末端,即該R1至R12及Z的至少一者可包括氫或一經取代或未經取代之C2至C30烯基。該第一矽氧烷化合物於末端包括氫或一經取代或未經取代之C2至C30烯基、且參與和如後述之第二或第三矽氧烷化合物之矽氫化反應,因而可改善一包封材的物理性質。
該第一矽氧烷化合物可例如以下述化學式5表示。
[化學式5]
(R1R2R3SiO1/2)M1(R10SiO3/2)T1(R11SiO3/2)T2(R12SiO3/2)T3(SiO3/2-Y2-SiO3/2)T4
於上述化學式5中,R1至R3、R11及R12係各自獨立地為氫、一經取代或未經取代之C1至C30烷基、一經取代或未經取代之C3至C30環烷基、一經取代或未經取代之C6至C30芳基、一經取代或未經取代之C7至C30芳烷基、一經取代或未經取代之C1至C30雜烷基、一經取代或未經取代之C2至C30雜環烷基、一經取代或未經取代之C3至C30雜芳基、一經取代或未經取代之C2至C30烯基、一經取代或未經取代之C2至C30炔基、一經取代或未經取代之C1至C30烷氧基、一經取代或未經取代之C1至C30羰基、一羥基,或其等之組合,R10係以上述化學式1aa所表示之基團,Y2係一單鍵、一經取代或未經取代之C1至C30伸烷基、一經取代或未經取代之C3至C30伸環烷基、一經取代或未經取代之C6至C30伸芳基、一經取代或未經取代之C3至C30伸雜芳基、一經取代或未經取代之C1至C30伸雜烷基,或其等之組合,0M1<1、0T1<1、0T2<1、0T3<1及0T4<1,以及M1+T1+T2+T3+T4=1。
該第一矽氧烷化合物可由例如透過一矽烷單體之水解及/或縮合聚合而得。
例如,該以上述化學式1表示之第一矽氧烷化合物可由例如透過以下單體之水解及縮合聚合而得:以
R1R2R3SiA1表示之單體、以R4R5SiA2A3表示之單體、以R6R7SiA4A5表示之單體、以A6A7R8Si-Y1-SiR9A8A9表示之單體、以R10SiA10A11A12表示之單體、以R11SiA13A14A15表示之單體、以R12SiA16A17A18表示之單體、以A19A20A21Si-Y2-SiA22A23A24表示之單體,及以SiA25A26A27A28表示之單體。在此,R1至R12、Y1及Y2係與前述定義相同,而A1至A28係各自獨立地為C1至C6烷氧基、一羥基、一鹵素、一羧基、或其等之組合。
該第一矽氧烷化合物可使用一種、或兩種以上之混合物。
該第一矽氧烷化合物可佔約0.01至20wt%的量,以該組成物之總量計。當包含在該範圍內的該第一矽氧烷化合物時,該第一矽氧烷化合物可對包封材料的物理性質如折射率、硬度、穿透率、耐熱性等不具有任何影響,但有效改善色彩散射度及耐硫性。具體上,於該範圍內,該第一矽氧烷化合物可佔約0.1至10wt%的量、更具體為約0.1至5wt%,又更具體為約0.1至1wt%。
該第二矽氧烷化合物可以下述化學式6表示。
[化學式6](R13R14R15SiO1/2)M2(R16R17SiO2/2)D4(R18SiO3/2-Y3-SiO3/2R19)D5(R20SiO3/2)T5(SiO3/2-Y4-SiO3/2)T6(SiO4/2)Q2
於上述化學式6中,R13至R20係各自獨立地為氫、一經取代或未經取代之C1至C30烷基、一經取代或未經取代之C3至C30環烷基、一
經取代或未經取代之C6至C30芳基、一經取代或未經取代之C7至C30芳烷基、一經取代或未經取代之C1至C30雜烷基、一經取代或未經取代之C2至C30雜環烷基、一經取代或未經取代之C3至C30雜芳基、一經取代或未經取代之C2至C30炔基、一經取代或未經取代之C1至C30烷氧基、一經取代或未經取代之C1至C30羰基、一羥基,或其等之組合,R13至R20之至少一者包括氫,Y3及Y4係各自獨立地為一單鍵、一經取代或未經取代之C1至C20伸烷基、一經取代或未經取代之C3至C20伸環烷基、一經取代或未經取代之C6至C20伸芳基、一經取代或未經取代之C3至C20伸雜芳基、一經取代或未經取代之C2至C20伸烯基、一經取代或未經取代之C2至C20伸炔基,或其等之組合,0M2<1、0D4<1、0D5<1、0T5<1、0T6<1、0Q2<1,以及M2+D4+D5+T5+T6+Q2=1。
該第二矽氧烷化合物於末端具有與矽鍵結的氫,且例如平均每分子有至少兩個與矽鍵結的氫(Si-H)。該與矽鍵結的氫(Si-H)可與後述第三矽氧烷化合物末端的烯基反應。此外,在該第一矽氧烷化合物具有末端烯基時,該與矽鍵結的氫(Si-H)可與該第一矽氧烷化合物末端的烯基反應。
上述化學式6之R13至R20之至少一者可包括一經取代或未經取代之C6至C30芳基。據此,可藉由增加折射
率而確保光學性質。
該第二矽氧烷化合物可例如透過使以R13R14R15SiA29表示之單體與至少一個選自下述之單體的水解及縮合聚合而得:以R16R17SiA30A31表示之單體、以A32A33A34R18Si-Y3-SiR19A35A36A37表示之單體、以R20SiA38A39A40表示之單體、以A41A42A43Si-Y4-SiA44A45A46表示之單體,及以SiA47A48A49A50表示之單體。在此,R13至R20係與前述定義相同,而A29 to A50係各自獨立地為一C1至C6烷氧基、一羥基、一鹵素、一羧基,或其等之組合。
該第二矽氧烷化合物可以一種或兩種以上之混合物來使用。
該第三矽氧烷化合物可例如以下述化學式7表示。
[化學式7](R21R22R23SiO1/2)M3(R24R25SiO2/2)D6(R26SiO3/2-Y5-SiO3/2R27)D7(R28SiO3/2)T7(SiO3/2-Y6-SiO3/2)T8(SiO4/2)Q3
於上述化學式7中,R21至R28係各自獨立地為經取代或未經取代之C1至C30烷基、一經取代或未經取代之C3至C30環烷基、一經取代或未經取代之C6至C30芳基、一經取代或未經取代之C7至C30芳烷基、一經取代或未經取代之C1至C30雜烷基、一經取代或未經取代之C2至C30雜環烷基、一經取代或未經取代之C3至C30雜芳基、一經取代或未經取代之C2至C30烯基、一經取代或未經取代之C2至C30炔基、一經取代或
未經取代之C1至C30烷氧基、一經取代或未經取代之C1至C30羰基、一羥基,或其等之組合,R21至R28之至少一者係一經取代或未經取代之C2至C30烯基,Y5及Y6係各自獨立地為一單鍵、一經取代或未經取代之C1至C20伸烷基、一經取代或未經取代之C3至C20伸環烷基、一經取代或未經取代之C6至C20伸芳基、一經取代或未經取代之C2至C20伸雜芳基、一經取代或未經取代之C2至C20伸烯基、一經取代或未經取代之C2至C20伸炔基,或其等之組合,0M3<1、0D6<1、0D7<1、0T7<1、0T8<1、0Q3<1,以及M3+D6+D7+T7+T8+Q3=1。
該第三矽氧烷化合物於末端具有與矽鍵結的烯基(Si-Vi),且可平均每分子具有例如至少兩個與矽鍵結的烯基(Si-Vi)。該與矽鍵結的烯基(Si-Vi)可與該第二矽氧烷化合物末端的氫反應。另外,當該第一矽氧烷化合物包含末端氫時,該與矽鍵結的烯基(Si-Vi)可與該第一矽氧烷化合物末端的氫反應。
上述化學式7之R21至R28之至少一者可包括一經取代或未經取代之C6至C30芳基。據此,可藉由增加折射率來確保光學性質。
該第三矽氧烷化合物可例如透過一以R21R22R23SiA51表示之單體與至少一個選自以下之單體的水
解及縮合聚合而得:以R24R25SiA52A53表示之單體、以A54A55A56R26Si-Y5-SiR27A57A58A59表示之單體、以R28SiA60A61A62表示之單體、以R28SiA60A61A62表示之單體、以A63A64A65Si-Y6-SiA66A67A68表示之單體,及以SiA69A70A71A72表示之單體。在此,R21至R28係與前述定義相同,而A51至A72可各自獨立為一C1至C6烷氧基、一羥基、一鹵素、一羧基、或其等之組合。
該第三矽氧烷化合物可以一種或兩種以上的混合物來使用。
該第二及第三矽氧烷化合物可分別具有一範圍自100至1,000,000的重量平均分子量,具體上約為100至100,000,更具體地約為100至50,000。
該第二矽氧烷化合物可佔低於約50重量份之量,例如約1至35重量份,以100重量份的該第二矽氧烷化合物及該第三矽氧烷化合物計。
該第三矽氧烷化合物可佔高於約50重量份的量,例如約65至99重量份,以100重量份之該第二矽氧烷化合物及該第三矽氧烷化合物計。
該組成物可進一步包含一填料。
該填料可由例如無機氧化物所製,更具體的實例為氧化鋯、氧化矽、氧化鋁、氧化鈦、氧化鋅,或其等之組合。
該組成物可進一步包括一矽氫化觸媒。該矽氫化觸媒可促進該第二矽氧烷化合物與該第三矽氧烷化合物的
矽氫化反應,並且可包括例如鉑、銠、鈀、釕、銥或其等之組合。該矽氫化觸媒可佔約0.1ppm至1000ppm的量,以該包封材料組成物的總量計。
該組成物係在一預定溫度下經熱處理及固化,因而可使用作為一包封材。該包封材料可應用於例如一光學元件,諸如發光二極體及有機發光二極體元件。
以下,參照圖1,例示藉由施加一具體實施例之包封材料而製得之發光二極體,作為光學元件的例子。
圖1係一示意性截面圖,顯示一具體實施例之發光二極體。
參照圖1,該發光二極體包含一模具110;一置於該模具110內的引線框架120;一安裝在該引線框架120上的該發光二極體晶片140;一接線150,其將該引線框架120連接至該發光二極體晶片140;及一包封材料200,覆蓋該發光二極體晶片140。
該包封材料200係由固化上述組成物而得。該包封材料200係由上述組成物所形成,故可改善該模具110對該引線框架120及該發光二極體晶片140的黏著性,因而降低刺激或剝離。
磷光體190可分散於該包封材料200中。該磷光體190包含一材料其由光來激發並發射其固有波長範圍的光、以及大量包含一量子點,例如一半導體奈米晶體。該磷光體190可包含例如兩或多個選自藍色磷光體、綠色磷光體、或紅色磷光體的混合物。
藉由作為發光部件之發光二極體晶片140所提供的光,該磷光體190可顯示於一預定波長區段的顏色,而在此,相較於該磷光體190所顯示的顏色,該發光二極體晶片140可顯示較短波長區段的顏色。例如,當該磷光體190顯示紅色,該發光二極體晶片140可顯示藍色或綠色,其具有較紅色更短的波長區段。
此外,從發光二極體晶片140發出的顏色可與該磷光體190發出的顏色結合,因而顯示白色。例如,當該發光二極體晶片140提供藍光而該磷光體190包含一紅色磷光體及一綠色磷光體時,該電子元件可結合藍、紅及綠而顯示白色。
該磷光體190可被省略。
以下,參照實施例進一步詳細說明本發明。然而,該等實施例係例示性,本發明不受其限制。
合成例1
將100g的DMS-H21(Gelest Inc.)及35g的PKA-5005(NOF Corp.)放入一3頸瓶中,並在50℃下攪拌,以滴加方式添加50ppm的Pt觸媒。當添加完成後,該混合物經加熱6小時並冷卻至室溫,而該Pt觸媒及低分子係藉由管柱而自其移除,獲得具有以下述化學式8表示之平均組成式的化合物。以膠體滲透層析儀(GPC)量測並以聚苯乙烯標準試樣轉換的該第一矽氧烷化合物之分子量為6,000,而其
化學式之結構係藉由使用H-NMR、Si-NMR及元素分析儀來分析。
[化學式8][(HO(CH2CH2O)34CH2CH2CH2)(CH3)2SiO1/2]0.03[(CH3)2SiO2/2]0.97
合成例2
除了使用47g的PKA-5013(NOF Corp.)替代35g的PKA-5005(NOF Inc.)外,按照與合成例1相同的方法,製造具有如下述化學式9表示之平均組成的化合物。該化合物之分子量以苯乙烯轉換為6,500,而其化學式結構係使用H-NMR、Si-NMR,及元素分析儀鑑定。
[化學式9][(HO(CH3CHCH2O)26(CH2CH2O)26CH2CH2CH2)(CH3)2SiO1/2]0.03[(CH3)2SiO2/2]0.97
合成例3
第一步驟:
於3頸瓶中投入以5:5重量比混合水及甲苯而得的1kg溶劑並維持在23℃,添加莫耳比1:2之三甲氧基矽烷與以下述化學式A表示之含伸乙氧/伸丙氧單體、以及Pt觸媒的混合物。
[化學式A]CH2=CHCH2(CH2CH2O)x(CH3CHCH2O)yCH3(x及y的
比為2:8)
當添加完成,該混合物係經加熱而在60℃進行矽氫化反應一小時。接著,該反應物經冷卻至室溫,自其移除水層,獲得一溶於甲苯之單分子溶液。然後,通過管柱去除在該單分子溶液中的觸媒。然後,該單分子溶液係在減壓下經蒸餾以移除甲苯,獲得以下述化學式10表示的化合物。
[化學式10]CH3(CH3CHCH2O)y(CH2CH2O)xCH2CH2CH2SiO3/2(x及y的比為2:8)
第二步驟:
於3頸瓶中投入以5:5重量比混合水及甲苯而得的1kg混合溶劑並維持在65℃,添加莫耳比30:30:40之以上述化學式10表示之化合物、苯基三氯矽烷及乙烯三氯矽烷的1kg混合物,伴隨KOH觸媒。當添加完成時,該混合物係經加熱而在75℃歷5小時,以進行縮合聚合反應。接著,該反應物經冷卻至室溫,自其移除水層,製得一溶於甲苯之聚合物溶液。隨後,水洗該聚合物溶液以去除觸媒。然後,該聚合物溶液係在減壓下經蒸餾以移除甲苯,獲得以下述化學式11表示的化合物。
[化學式11]CH3(CH3CHCH2O)y(CH2CH2O)xCH2CH2CH2SiO3/2)0.3(PhSiO3/2)0.3(ViSiO3/2)0.4
(x及y的比為2:8;Ph:苯基,而Vi:乙烯基))
合成例4
除了使用莫耳比40:20:40之以上述化學式10表示之化合物、苯基三氯基矽烷與乙基三氯矽烷外,按照與合成例3相同的方法,合成出以下述化學式12表示之化合物。
[化學式12](CH3(CH3CHCH2O)y(CH2CH2O)xCH2CH2CH2SiO3/2)0.4(PhSiO3/2)0.2(ViSiO3/2)0.4
(x及y的比為2:8;Ph:苯基,及Vi:乙烯基)
合成例5
除了以8:2之比率(即x與y的比)來使用伸乙氧/伸丙氧單體外,按照和合成例3相同的方法,合成出以下述化學式13表示之化合物。
[化學式13](CH3(CH3CHCH2O)y(CH2CH2O)xCH2CH2CH2SiO3/2)0.3(PhSiO3/2)0.3(ViSiO3/2)0.4
(x及y的比為8:2,Ph:苯基,而Vi:乙烯基)
合成例6
除了以8:2之比率(即x與y之間的比)使用伸乙氧/伸丙氧單體,以及使用莫耳比40:20:40之以上述化學式10表示之化合物、苯基三氯矽烷與乙烯三氯矽烷之外,按照
和合成例3相同的方法,合成出以下述化學式14表示之化合物。
[化學式14](CH3(CH3CHCH2O)y(CH2CH2O)xCH2CH2CH2SiO3/2)0.4(PhSiO3/2)0.2(ViSiO3/2)0.4
(x與y的比為8:2;Ph:苯基,及Vi:乙烯基)
合成例7
於3頸瓶中投入以5:5重量比混合水及甲苯而得的1kg溶劑並維持在23℃,以滴加方式費時2小時添加莫耳比10:90之二甲基氯矽烷及二苯基氯矽烷的混合物。當添加完成後,該混合物經加熱而在90℃歷3小時,以進行縮合聚合反應。接著,該反應物經冷卻至室溫,自其移除水層以製備一溶於甲苯之矽氧烷溶液。隨後,該矽氧烷溶液經水洗以移除反應物及鹽酸。然後,該中和的矽氧烷溶液係在減壓下經蒸餾而去除甲苯,獲得H-末端的矽氧烷化合物,以下述化學式6a表示。
[化學式6a](Me2HSiO1/2)0.1(Ph2SiO2/2)0.9
(Me:甲基,H:氫,及Ph:苯基)
合成例8
於3頸瓶中投入以5:5重量比混合水及甲苯而得的1kg混合溶劑並維持在23℃,添加莫耳比10:90之乙烯基二甲基氯矽烷及苯基三氯矽烷的混合物,歷時2小時。當添加完成後,該混合物經加熱而在90℃歷3小時,以進行縮合聚合反應。接著,該反應物經冷卻至室溫,自其移除水層,製備出一溶於甲苯之矽氧烷溶液。隨後,該矽氧烷溶液經水洗以移除副產物和氯。然後,該中和的矽氧烷溶液係在減壓下經蒸餾而去除甲苯,獲得Vi-末端的矽氧烷化合物,以下述化學式7a表示。
[化學式7a](Me2ViSiO1/2)0.1(PhSiO3/2)0.9
(Me:甲基,Vi:乙烯基,及Ph:苯基)
實施例1
0.1wt%之合成例1的該第一矽氧烷化合物、25wt%之合成例7的該第二矽氧烷化合物、74.9wt%之合成例8的該第三矽氧烷化合物以及一矽氫化觸媒Pt-CS 2.0(Umicore)(以Pt含量5ppm的方式添加)係經混合並在真空下脫泡,製造一用於光學元件之可固化聚矽氧烷組成物。
實施例2
藉由混合0.5wt%之合成例1的該第一矽氧烷化合物、25wt%之合成例7的該第二矽氧烷化合物、74.5wt%
之合成例8的該第三矽氧烷化合物,以及一矽氫化觸媒Pt-CS 2.0(Umicore)(Pt含量5ppm)並在真空下自該混合物脫泡,製造用於光學元件之可固化聚矽氧烷組成物。
實施例3
藉由混合1.0wt%之合成例1的該第一矽氧烷化合物、25wt%之合成例7的該第二矽氧烷化合物、74.0wt%之合成例8的該第三矽氧烷化合物,以及一矽氫化觸媒Pt-CS 2.0(Umicore)(Pt含量5ppm)並在真空下自該混合物脫泡,製造用於光學元件之可固化聚矽氧烷組成物。
實施例4
藉由混合0.1wt%之合成例2的該第一矽氧烷化合物、25wt%之合成例7的該第二矽氧烷化合物、74.9wt%之合成例8的該第三矽氧烷化合物,以及一矽氫化觸媒Pt-CS 2.0(Umicore)(Pt含量5ppm)並在真空下自該混合物脫泡,製造用於光學元件之可固化聚矽氧烷組成物。
實施例5
藉由使用0.5wt%之合成例2的該第一矽氧烷化合物、25wt%之合成例7的該第二矽氧烷化合物、74.5wt%之合成例8的該第三矽氧烷化合物,以及一矽氫化觸媒Pt-CS 2.0(Umicore)(Pt含量5ppm)並在真空下自該混合物脫泡,製造用於光學元件之可固化聚矽氧烷組成物。
實施例6
藉由混合1.0wt%之合成例2的該第一矽氧烷化合物、25wt%之合成例7的該第二矽氧烷化合物、74.0wt%之合成例8的該第三矽氧烷化合物,以及一矽氫化觸媒Pt-CS 2.0(Umicore)(Pt含量5ppm)並在真空下自該混合物脫泡,製造用於光學元件之可固化聚矽氧烷組成物。
實施例7
藉由混合1.0wt%之合成例3的該第一矽氧烷化合物、25wt%之合成例7的該第二矽氧烷化合物、74.0wt%之合成例8的該第三矽氧烷化合物,以及一矽氫化觸媒Pt-CS 2.0(Umicore)(Pt含量5ppm)並在真空下自該混合物脫泡,製造用於光學元件之可固化聚矽氧烷組成物。
實施例8
藉由混合1.0wt%之合成例4的該第一矽氧烷化合物、25wt%之合成例7的該第二矽氧烷化合物、74.0wt%之合成例8的該第三矽氧烷化合物,以及一矽氫化觸媒Pt-CS 2.0(Umicore)(Pt含量5ppm)並在真空下自該混合物脫泡,製造用於光學元件之可固化聚矽氧烷組成物。
實施例9
藉由混合1.0wt%之合成例5的該第一矽氧烷化
合物、25wt%之合成例7的該第二矽氧烷化合物、74.0wt%之合成例8的該第三矽氧烷化合物,以及一矽氫化觸媒Pt-CS 2.0(Umicore)(Pt含量5ppm)並在真空下自該混合物脫泡,製造用於光學元件之可固化聚矽氧烷組成物。
實施例10
藉由混合1.0wt%之合成例6的該第一矽氧烷化合物、25wt%之合成例7的該第二矽氧烷化合物、74.0wt%之合成例8的該第三矽氧烷化合物,以及一矽氫化觸媒Pt-CS 2.0(Umicore)(Pt含量5ppm)並在真空下自該混合物脫泡,製造用於光學元件之可固化聚矽氧烷組成物。
實施例11
藉由混合3.0wt%之合成例3的該第一矽氧烷化合物、25wt%之合成例7的該第二矽氧烷化合物、72.0wt%之合成例8的該第三矽氧烷化合物,以及一矽氫化觸媒Pt-CS 2.0(Umicore)(Pt含量5ppm)並在真空下自該混合物脫泡,製造用於光學元件之可固化聚矽氧烷組成物。
實施例12
藉由混合3.0wt%之合成例4的該第一矽氧烷化合物、25wt%之合成例7的該第二矽氧烷化合物、72.0wt%之合成例8的該第三矽氧烷化合物,以及一矽氫化觸媒Pt-CS 2.0(Umicore)(Pt含量5ppm)並在真空下自該混合物
脫泡,製造用於光學元件之可固化聚矽氧烷組成物。
實施例13
藉由混合3.0wt%之合成例5的該第一矽氧烷化合物、25wt%之合成例7的該第二矽氧烷化合物、72.0wt%之合成例8的該第三矽氧烷化合物,以及一矽氫化觸媒Pt-CS 2.0(Umicore)(Pt含量5ppm)並在真空下自該混合物脫泡,製造用於光學元件之可固化聚矽氧烷組成物。
實施例14
藉由混合3.0wt%之合成例6的該第一矽氧烷化合物、25wt%之合成例7的該第二矽氧烷化合物、72.0wt%之合成例8的該第三矽氧烷化合物,以及一矽氫化觸媒Pt-CS 2.0(Umicore)(Pt含量5ppm)並在真空下自該混合物脫泡,製造用於光學元件之可固化聚矽氧烷組成物。
比較例1
藉由混合25wt%之合成例7的該第二矽氧烷化合物、75wt%之合成例8的該第三矽氧烷化合物,以及一矽氫化觸媒Pt-CS 2.0(Umicore)(Pt含量5ppm)並在真空下自該混合物脫泡,製造用於光學元件之可固化聚矽氧烷組成物。
評估實施例1至14及比較例1之用於光學元件之
可固化聚矽氧烷組成物的折射率、硬度、色彩散射度,及耐硫性。
實施例1至14及比較例1之該組成物的折射率,係藉由阿貝式折射率儀在D-line 589nm之波長下量測。
硬度係藉由將實施例1至14及比較例1之該等組成物分別注入一塗覆有TEFLON(四氟乙烯)的模具中(2cm(寬)x 5cm(長)x 0.6cm(厚)),隨後固化該組成物,在80℃下歷1小時、在120℃下1小時、及在160℃下1小時,將其等冷卻至室溫,並使用一蕭氏A(Shore A)硬度計來量測。
色彩散射度係藉由使用一分配裝置(Musashi,ML-808FXcom)將實施例1至14及比較例1之該等組成物分別注入一LED封裝件中,隨後將其固化,在80℃下歷1小時、在120℃下1小時、及在160℃下1小時,以獲得一封裝樣本,然後使用一積分球(CAS 140 CT,Instrument Systems)量測。將比較例1之組成物的色彩散射度參照為100%,評估實施例1至14之組成物的色彩散射度。
耐硫性係藉由使用一分配裝置(Musashi,ML-808FXcom)將實施例1至14及比較例1之該等組成物分別注入一LED封裝件中,隨後將其固化,在80℃下歷1小時、在120℃下1小時、及在160℃下1小時,以獲得一封裝樣本,然後使用一積分球(CAS 140 CT,Instrument Systems)量測初始發光強度。隨後,將該封裝樣本置於一250mL玻璃瓶中(於放置0.2g的硫於該250mL玻璃瓶後),然後讓其置於75℃烘箱8小時。之後,將該封裝樣本自該玻璃瓶取
出,量測該封裝樣本之發光強度,並計算其與初始發光強度的差值。
結果顯示於表1。
參照表1,實施例1至14之組成物展現與比較例1之組成物相似的折射率及硬度,亦展現進改良的色彩散射
度及耐硫性。
儘管已說明有關本發明之咸認係屬可實施之例示性具體實施例,應了解本發明並不受所揭具體實施例之限制,而是相反地,意在涵蓋其精神要旨及隨附申請專利範圍所包含之各種修改及等效的配置。
110‧‧‧模具
120‧‧‧引線框架
140‧‧‧發光二極體晶片
150‧‧‧接線
190‧‧‧磷光體
200‧‧‧包封材料
Claims (16)
- 一種用於光學元件之可固化聚矽氧烷組成物,包含至少一第一矽氧烷化合物,其係以下述化學式1表示者,至少一第二矽氧烷化合物,其於末端具有與矽鍵結的氫(Si-H),以及至少一第三矽氧烷化合物,其於末端具有與矽鍵結的烯基(Si-Vi):[化學式1](R1R2R3SiO1/2)M1(R4R5SiO2/2)D1(R6R7SiO2/2)D2(R8SiO2/2-Y1-SiO2/2R9)D3 (R10SiO3/2)T1(R11SiO3/2)T2(R12SiO3/2)T3(SiO3/2-Y2-SiO3/2)T4(SiO4/2)Q1其中,於上述化學式1中,R1至R12係各自獨立地為氫、一經取代或未經取代之C1至C30烷基、一經取代或未經取代之C3至C30環烷基、一經取代或未經取代之C6至C30芳基、一經取代或未經取代之C7至C30芳烷基、一經取代或未經取代之C1至C30雜烷基、一經取代或未經取代之C2至C30雜環烷基、一經取代或未經取代之C3至C30雜芳基、一經取代或未經取代之C2至C30烯基、一經取代或未經取代之C2至C30炔基、一經取代或未經取代之C1至C30烷氧基、一經取代或未經取代之C1至C30羰基、一羥基、或其等之組合、或以下述化學式1a表示的基團, R1至R12之至少一者為以下述化學式1a表示的基團,Y1及Y2係各自獨立地為一單鍵、一經取代或未經取代之C1至C30伸烷基、一經取代或未經取代之C3至C30伸環烷基、未經取代之C1至C30伸雜烷基、一經取代或未經取代之C6至C30伸芳基、一經取代或未經取代之C3至C30伸雜芳基、經取代者,或其等之組合,0M1<1、0D1<1、0D2<1、0D3<1、0T1<1、0T2<1、0T3<1、0T4<1及0Q1<1,以及M1+D1+D2+D3+T1+T2+T3+T4+Q1=1,[化學式1a]*-L1-(O-L2)x-(O-L3)y-Z其中,於上述化學式1a中,L1係一單鍵、一經取代或未經取代之C1至C30伸烷基、一經取代或未經取代之C3至C30伸環烷基、一經取代或未經取代之C6至C30伸芳基、一經取代或未經取代之C3至C30伸雜芳基、一經取代或未經取代之C1至C30伸雜烷基,或其等之組合,L2及L3係各自獨立地為經取代或未經取代之C1至C30伸烷基、一經取代或未經取代之C3至C30伸環烷基、一經取代或未經取代之C6至C30伸芳基、一經取代或未經取代之C3至C30伸雜芳基、一經取代或未經取代之C1至C30伸雜烷基,或其等之組合,Z係氫、一經取代或未經取代之C1至C30烷基、一經取代或未經取代之C3至C30環烷基、一經取代或未 經取代之C6至C30芳基、一經取代或未經取代之C7至C30芳烷基、一經取代或未經取代之C1至C30雜烷基、一經取代或未經取代之C2至C30雜環烷基、一經取代或未經取代之C3至C30雜芳基、一經取代或未經取代之C2至C30烯基、一經取代或未經取代之C2至C30炔基、一經取代或未經取代之C1至C30烷氧基、一經取代或未經取代之C1至C30羰基、一羥基,或其等之組合,0x200及0y200,x及y不同時為0,以及*係化學式1的矽(Si)鏈結之處。
- 如請求項1之用於光學元件之可固化聚矽氧烷組成物,其中該第一矽氧烷化合物係以下述化學式2表示:
- 如請求項1或請求項2之用於光學元件之可固化聚矽氧烷組成物,其中該第一矽氧烷化合物係以下述化學式3表示:
- 如請求項3之用於光學元件之可固化聚矽氧烷組成物,其中L1a、L1b、L2a、L2b、L3a及L3b係各自獨立地為一經取代或未經取代之C1至C5伸烷基。
- 如請求項4之用於光學元件之可固化聚矽氧烷組成物,其中L2a及L3a之一者為一經取代或未經取代之伸乙基而他者為一經取代或未經取代之伸丙基,以及L2b及L3b之一者為一經取代或未經取代之伸乙基而他者為一經取代或未經取代之伸丙基。
- 如請求項1至5中任一項之用於光學元件之可固化聚矽氧烷組成物,其中該第一矽氧烷化合物係以下述化學式4-1或化學式4-2表示:
- 如請求項6之用於光學元件之可固化聚矽氧烷組成物,其中R1a、R1b、R3a、R3b及R4至R7之至少兩者為甲基。
- 如請求項1之用於光學元件之可固化聚矽氧烷組成物,其中以上述化學式1a所表示之基團係以下述化學式1aa表示之基團:[化學式1aa]*-L1-(OC2H4)x-(OC3H6)y-Z其中,在上述化學式1aa中,L1係一單鍵、一經取代或未經取代之C1至C30伸烷基、一經取代或未經取代之C3至C30伸環烷基、一經取代或未經取代之C6至C30伸芳基、一經取代或未經取代之C3至C30伸雜芳基、一經取代或未經取代之C1至C30伸雜烷基,或其等之組合,Z係氫、一經取代或未經取代之C1至C30烷基、一經取代或未經取代之C3至C30環烷基、一經取代或未經取代之C6至C30芳基、一經取代或未經取代之C7至C30芳烷基、一經取代或未經取代之C1至C30雜烷基、一經取代或未經取代之C2至C30雜環烷基、一經取代或未經取代之C3至C30雜芳基、一經取代或未經取代之C2至C30烯基、一經取代或未經取代之C2至C30炔基、一經取代或未經取代之C1至C30烷氧基、一經取代或未經取代之C1至C30羰基、一羥基,或其等之組合,0x200及0y200,x及y不同時為0,以及*係化學式1之矽(Si)所鏈結之處。
- 如請求項8之用於光學元件之可固化聚矽氧烷組成物, 其中R1至R12及Z之至少一者包含氫或一經取代或未經取代之C2至C30烯基。
- 如請求項8之用於光學元件之可固化聚矽氧烷組成物,其中該第一矽氧烷化合物係以下述化學式5表示:[化學式5](R1R2R3SiO1/2)M1(R10SiO3/2)T1(R11SiO3/2)T2(R12SiO3/2)T3(SiO3/2-Y2-SiO3/2)T4其中,在上述化學式5中,R1至R3、R11及R12係各自獨立地為氫、一經取代或未經取代之C1至C30烷基、一經取代或未經取代之C3至C30環烷基、一經取代或未經取代之C6至C30芳基、一經取代或未經取代之C7至C30芳烷基、一經取代或未經取代之C1至C30雜烷基、一經取代或未經取代之C2至C30雜環烷基、一經取代或未經取代之C3至C30雜芳基、一經取代或未經取代之C2至C30烯基、一經取代或未經取代之C2至C30炔基、一經取代或未經取代之C1至C30烷氧基、一經取代或未經取代之C1至C30羰基、一羥基,或其等之組合,R10係以上述化學式1aa所表示之基團,Y2係一單鍵、一經取代或未經取代之C1至C30伸烷基、一經取代或未經取代之C3至C30伸環烷基、一經取代或未經取代之C6至C30伸芳基、一經取代或未經取代之C3至C30伸雜芳基、一經取代或未經取代之C1至C30伸雜烷基,或其等之組合, 0M1<1、0T1<1、0T2<1、0T3<1及0T4<1,及M1+T1+T2+T3+T4=1。
- 如請求項1至10中任一項之用於光學元件之可固化聚矽氧烷組成物,其中該第二矽氧烷化合物係以下述化學式6表示:[化學式6](R13R14R15SiO1/2)M2(R16R17SiO2/2)D4(R18SiO3/2-Y3-SiO3/2R19)D5(R20SiO3/2)T5(SiO3/2-Y4-SiO3/2)T6(SiO4/2)Q2其中,在上述化學式6中,R13至R20係各自獨立地為氫、一經取代或未經取代之C1至C30烷基、一經取代或未經取代之C3至C30環烷基、一經取代或未經取代之C6至C30芳基、一經取代或未經取代之C7至C30芳烷基、一經取代或未經取代之C1至C30雜烷基、一經取代或未經取代之C2至C30雜環烷基、一經取代或未經取代之C3至C30雜芳基、一經取代或未經取代之C2至C30炔基、一經取代或未經取代之C1至C30烷氧基、一經取代或未經取代之C1至C30羰基、一羥基,或其等之組合,R13至R20之至少一者包含氫,Y3及Y4係各自獨立地為一單鍵、一經取代或未經取代之C1至C20伸烷基、一經取代或未經取代之C3至C20伸環烷基、一經取代或未經取代之C6至C20伸芳基、一經取代或未經取代之C3至C20伸雜芳基、一經取代或未經取代之C2至C20伸烯基、一經取代或未經取代之C2至 C20伸炔基,或其等之組合,0M2<1、0D4<1、0D5<1、0T5<1、0T6<1、0Q2<1,以及M2+D4+D5+T5+T6+Q2=1。
- 如請求項1至11中任一項之用於光學元件之可固化聚矽氧烷組成物,其中該第三矽氧烷化合物係以下述化學式7表示:[化學式7](R21R22R23SiO1/2)M3(R24R25SiO2/2)D6(R26SiO3/2-Y5-SiO3/2R27)D7(R28SiO3/2)T7(SiO3/2-Y6-SiO3/2)T8(SiO4/2)Q3其中,在上述化學式7中,R21至R28係各自獨立地為經取代或未經取代之C1至C30烷基、一經取代或未經取代之C3至C30環烷基、一經取代或未經取代之C6至C30芳基、一經取代或未經取代之C7至C30芳烷基、一經取代或未經取代之C1至C30雜烷基、一經取代或未經取代之C2至C30雜環烷基、一經取代或未經取代之C3至C30雜芳基、一經取代或未經取代之C2至C30烯基、一經取代或未經取代之C2至C30炔基、一經取代或未經取代之C1至C30烷氧基、一經取代或未經取代之C1至C30羰基、一羥基,或其等之組合,R21至R28之至少一者包括一經取代或未經取代之C2至C30烯基,Y5及Y6係各自獨立地為一單鍵、一經取代或未經取 代之C1至C20伸烷基、一經取代或未經取代之C3至C20伸環烷基、一經取代或未經取代之C6至C20伸芳基、一經取代或未經取代之C2至C20伸雜芳基、一經取代或未經取代之C2至C20伸烯基、一經取代或未經取代之C2至C20伸炔基,或其等之組合,0M3<1、0D6<1、0D7<1、0T7<1、0T8<1、0Q3<1,以及M3+D6+D7+T7+T8+Q3=1。
- 如請求項1至12中任一項之用於光學元件之可固化聚矽氧烷組成物,其中該第二矽氧烷化合物係佔小於50重量份的量,以100重量份之該第二矽氧烷化合物及該第三矽氧烷化合物計,以及該第三矽氧烷化合物係佔大於50重量份的量,以100重量份之該第二矽氧烷化合物及該第三矽氧烷化合物計。
- 如請求項1至13中任一項之用於光學元件之可固化聚矽氧烷組成物,其中該第一矽氧烷化合物係佔0.01 to 20wt%的量,以該組成物之總量計。
- 一種包封材料,其使藉由使如請求項1至14中任一項之用於光學元件之可固化聚矽氧烷組成物硬化而得。
- 一種光學元件,包含如請求項15之包封材料。
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