TW201434800A - 化合物的消旋體的製造方法 - Google Patents

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TW201434800A TW102139277A TW102139277A TW201434800A TW 201434800 A TW201434800 A TW 201434800A TW 102139277 A TW102139277 A TW 102139277A TW 102139277 A TW102139277 A TW 102139277A TW 201434800 A TW201434800 A TW 201434800A
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Tomoaki Takahashi
Taro Hirose
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Sumitomo Chemical Co
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Abstract

本發明係一種式(1)所表示之化合物的消旋體的製造方法，其特徵係，使過渡金屬觸媒、與式(1)所表示之化合物之光學活性體接觸。□式(1)中，環X1表示芳香環。R1表示C1-6烷基、C3-8環烷基或C1-6鹵烷基。R2表示屬於與R1相異之基之C1-6烷基、C3-8環烷基或C1-6鹵烷基，或者，R2與環X1互相鍵結而形成環。環X1所具有之氫原子，亦可經C1-6烷基、C1-6鹵烷基、氰基、硝基、C1-6烷氧基或鹵素原子取代。*表示不對稱碳原子。

Description

化合物的消旋體的製造方法
本發明係關於一種由化合物之光學活性體製造消旋體之消旋體的製造方法。
專利文獻1中記載一種作為農藥等之製造所使用之中間體的(3R)-1,1,3-三甲基-4-胺基茚烷。
非專利文獻1中記載一種使2-苯基丁烷之光學活性體與氯化鋁接觸，以使2-苯基丁烷之光學活性體消旋體化的方法。
然而，使(3R)-1,1,3-三甲基-4-胺基茚烷等之光學活性體消旋體化的方法並未知。
專利文獻1：日本特開平1-211568號公報
非專利文獻1：R. L. Burwell, JR; J. Am. Chem. Soc., 77, 2766(1955)、E. L. Eliel; J. Org. Chem., 22, 231(1957)
期盼一種由(3R)-1,1,3-三甲基-4-胺基茚烷等化合物之光學活性體有效率地製造消旋體的製造方法。
本發明，係包含以下之發明
[1]一種式(1)所表示之化合物的消旋體的製造方法，其特徵係，使過渡金屬觸媒、與式(1)所表示之化合物之光學活性體接觸。
式(1)中，環X1表示芳香環。
R1表示C1-6烷基、C3-8環烷基或C1-6鹵烷基。
R2表示屬於與R1相異之基之C1-6烷基、C3-8環烷基或C1-6鹵烷基，或者，R2與環X1互相鍵結而形成環。
環X1所具有之氫原子，亦可經C1-6烷基、C1-6鹵烷基、氰基、硝基、C1-6烷氧基或鹵素原子取代。
*表示不對稱碳原子。
[2]如[1]所記載之製造方法，其中，式(1)所表示之化合物，係式(1a)所表示之化合物。
式(1a)中，A1、A2、A3及A4，係分別獨立地表示-N=或-C(Ra)=，Ra表示氫原子、C1-6烷基、C1-6鹵烷基、氰基、硝基、C1-6烷氧基或鹵素原子。
R3表示C1-6烷基、C3-8環烷基或C1-6鹵烷基。
R4表示與R3相異之基之C1-6烷基、C3-8環烷基或C1-6鹵烷基。當A1表示-C(Ra)=時，R4與Ra亦可互相鍵結而形成2價之烴基，該烴基所具有之氫原子，亦可經鹵素原子取代，該烴基所具有之-CH2-亦可經-O-取代。
於相鄰之-C(Ra)=所含之2個Ra，可互相鍵結、而與分別鍵結之碳原子一同形成苯環，該苯環所具有之氫原子亦可經C1-6烷基或鹵素原子取代。
*表示不對稱碳原子。
[3]如[2]所記載之製造方法，其中，A1、A2、A3及A4係-C(Ra)=。
[4]如[2]或[3]所記載之製造方法，其中，A1係-C(Ra)=，Ra與R2互相鍵結而形成2價之烴基。
[5]如[2]至[4]中任一項所記載之製造方法，其中，式(1a)所表示之化合物，係式(2)所表示之化合物。
式(2)中，A2、A3及A4，係分別獨立地表示-N=或-C(Ra)=，Ra表示氫原子、C1-6烷基、C1-6鹵烷基或鹵素原子。R3表示C1-6烷基。
Rd表示C1-6烷基或C1-6鹵烷基，r表示0至4之整數。當r為2以上之整數時，複數之Rd可為相同或相異。
*表示不對稱碳原子。
[6]如[2]至[5]中任一項所記載之製造方法，其中，R3係C1-6 烷基。
[7]如[1]至[6]中任一項所記載之製造方法，其中，式(1)所表示之化合物，係式(3)所表示之1,1,3-三甲基-4-胺基茚烷。
[8]如[1]至[7]中任一項所記載之製造方法，其中，過渡金屬觸媒，係使氫被吸收之過渡金屬觸媒。
[9]如[1]至[8]中任一項所記載之製造方法，其中，過渡金屬觸媒係鈀觸媒。
[10]如[9]所記載之製造方法，其中，鈀觸媒係鈀-碳觸媒。
[11]一種式(1)所表示之化合物的異構化方法，其特徵係，使過渡金屬觸媒、與式(1)所表示之化合物之光學活性體接觸。
式(1)中，環X1表示芳香環。
R1表示C1-6烷基、C3-8環烷基或C1-6鹵烷基。
R2表示屬於與R1相異之基之C1-6烷基、C3-8環烷基或C1-6鹵烷基，或者，R2與環X1互相鍵結而形成環。
環X1所具有之氫原子，亦可經C1-6烷基、C1-6鹵烷基、氰基、 硝基、C1-6烷氧基或鹵素原子取代。
*表示不對稱碳原子。
藉由本發明，可由式(1)所表示之化合物之光學活性體有效率地製造消旋體。
首先，說明式(1)所表示之化合物。
C1-6烷基，係表示碳原子數1至6之烷基，包含直鏈狀之烷基及分支鏈狀之烷基。C1-6烷基，可舉例如甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基、二級丁基、三級丁基、戊基、二級戊基、異戊基、新戊基等。較佳為，甲基、乙基、丙基及異丙基。
C3-8環烷基，係表示碳原子數3至8之環狀烷基，C3-8環烷基，可舉例如環丙基、2,2-二甲基環丙基、環丁基、環戊基、環己基、環庚基、環辛基等。較佳為，環丙基、環戊基及環己基。
C1-6鹵烷基，係表示至少一個氫原子以鹵素原子取代之碳原子數1至6之烷基，C1-6鹵烷基，可舉例如氟甲基、二氟甲基、三氟甲基、氯甲基、二氯甲基、三氯甲基、溴甲基、二溴甲基、三溴甲基、碘甲基、二碘甲基、三碘甲基、氯氟甲基、二氯氟甲基、氟乙基、氯乙基、1-氯-1-氟乙基、1-氯-2-氟乙基等。較佳為，三氟甲基及二氟甲基。
C1-6烷氧基，係表示碳原子數1至6之烷氧基，C1-6烷氧基，可舉例如甲氧基、乙氧基、丙氧基、異丙氧基、丁氧基、異丁氧基、二級丁氧基、三級丁氧基等。較佳為甲氧基。
鹵素原子，可舉例如氟原子、氯原子、溴原子及碘原子。
芳香環，係包含同素環及雜環，可舉例如下述之環，較佳為5員環及6員環。
R2與X1相互鍵結所形成之環，可舉例如下述之環，較佳為5員環及6員環。
式(1)所表示之化合物之中，較佳為，式(1a)所表示之化合物及式(1b)所表示之化合物。
首先，說明式(1a)。
式(1a)所表示之化合物中之C1-6烷基、C3-8環烷基、C1-6鹵烷基、C1-6烷氧基、鹵素原子，分別可舉例如與式(1)所表示之化合物中之同樣之基。
R4與Ra相互鍵結所形成之2價之烴基，可舉例如伸乙基、丙二基、2-甲基-丙-1,2-二基、丁-1,2-二基、丁二基、己二基、庚二基、辛二基、壬二基等之碳原子數2至9之烷二基。
R4與Ra相互鍵結所形成之2價之烴基，該烴基所具有之-CH2-以-O-取代之基，可舉例如-CH2-O-CH2-、-CH2-CH2-O-等。
式(1a)所表示之化合物之中，當R3為甲基之化合物；A1、A2、A3及A4為-C(Ra)=之化合物；及A1為-C(Ra)=時，較佳 為，R4與Ra相互鍵結而形成2價之烴基之化合物，更佳為式(2)所表示之化合物。
式(2)所表示之化合物中之C1-6烷基、C1-6鹵烷基或鹵素原子，可舉例如與式(1)所表示之化合物及式(1a)所表示之化合物中之同樣之基。
接著，說明式(1b)。
式(1b)所表示之化合物中之C1-6烷基、C3-8環烷基、C1-6鹵烷基、C1-6烷氧基、鹵素原子，分別可舉例如與式(1)所表示之化合物中之同樣之基。
式(1b)所表示之化合物中之R6與Rb或Rc相互鍵結所形成之2價之烴基，可舉例如與式(1a)所表示之化合物中之同樣之基。
以下，具體地揭示式(1)所表示之化合物。
式(1-1)所表示之化合物至式(1-381)所表示之化合物中之R1及R2，可舉例如下述表所記載之基。例如，式(A-1)所表示之化合物，係指式(1-1)所表示之化合物至式(1-381)所表示之化合物中之R1為甲基、R2為乙基之化合物。
接著，於以下具體地揭示R2與環X1相互鍵結所形成之環的化合物(1)。
式(2-1)所表示之化合物至式(2-42)所表示之化合物中之R1、R2、R7、R8、R9、R10、R11及R12，可舉例如下述表中所記載之基。例如，式(B-1)所表示之化合物，係指式(2-1)所表示之化合物至式(2-42)所表示之化合物中之R1為甲基、R7為氫原子、R8為氫原子、R9為甲基、R10為氫原子、R11為氫原子、R12為氫原子 之化合物。
式(3-1)所表示之化合物至式(3-42)所表示之化合物中之R1、R7、R8、R9及R10，可舉例如下述表中所記載之基。例如，式(C-1)所表示之化合物，係式(3-1)所表示之化合物至式(3-42)所表示之化合物中之R1為甲基、R7為氫原子、R8為氫原子、R9為氫原子、R10為氫原子之化合物。
式(4-1)所表示之化合物至式(4-42)所表示之化合物中之R1、R7、R8、R9及R10，可舉例如下述表中所記載之基。例如，式(D-1)所表示之化合物，係式(4-1)所表示之化合物至式(4-42)所表示之化合物中之R1為甲基、R7為氫原子、R8為氫原子、R9為氫原子、R10為氫原子之化合物。
式(5-1)所表示之化合物至式(5-42)所表示之化合物中之R1、R7、R8、R9及R10，可舉例如下述表中所記載之基。例如，式(E-1)所表示之化合物，係式(5-1)所表示之化合物至式(5-42)所表示之化合物中之R1為甲基、R7為氫原子、R8為氫原子、R9為氫原子、R10為氫原子之化合物。
式(6-1)所表示之化合物至式(6-42)所表示之化合物中之R1、R9、R10、R11及R12，可舉例如下述表中所記載之基。例如，式(F-1)所表示之化合物，係式(6-1)所表示之化合物至式(6-42)所表示之化合物中之R1為甲基、R9為氫原子、R10為氫原子、R11為氫原子、R12為氫原子之化合物。
式(7-1)所表示之化合物至式(7-42)所表示之化合物中之R1、R11及R12，可舉例如下述表中所記載之基。例如，式(G-1)所表示之化合物，係式(7-1)所表示之化合物至式(7-42)所表示之化合物中之R1為甲基、R11為氫原子、R12為氫原子之化合物。
式(8-1)所表示之化合物至式(8-42)所表示之化合物中之R1、R9、R10、R11及R12，可舉例如下述表中所記載之基。例如，式(H-1)所表示之化合物，係式(8-1)所表示之化合物至式(8-42)所表示之化合物中之R1為甲基、R9為氫原子、R10為氫原子之化合物。
式(1-1)所表示之化合物至式(1-199)所表示之化合物，以式(A-1)所表示之化合物至式(A-28)所表示之化合物為佳。
式(2-1)所表示之化合物至式(2-23)所表示之化合物，以式(B-1)所表示之化合物至式(A-44)所表示之化合物為佳。
式(6-1)所表示之化合物至式(6-23)所表示之化合物，以式(F-1)所表示之化合物至式(F-24)所表示之化合物為佳。
式(6-1)所表示之化合物至式(6-23)所表示之化合物，以式(F-3)、式(F-9)、式(F-15)、式(F-21)所表示之化合物為更佳。
式(1)所表示之化合物之中，特佳為式(3)所表示之化合物。
式(1)所表示之化合物之光學活性體，可藉已知之合 成法來製造，亦可由市售品取得。該光學活性體之光學純度，通常為20至100%ee、較佳為20至99%ee。
藉由使過渡金屬觸媒與式(1)所表示之化合物之光學活性體接觸所製造之式(1)所表示之化合物之硝旋體，光學純度為0至5%ee。
過渡金屬觸媒，可舉例如鉑黑、膠態鉑、氧化鉑、鉑-硫酸鋇等之鉑觸媒；還原鎳、漆原鎳、甲酸鎳、雷氏鎳、鎳-矽藻土等之鎳觸媒；鈀-碳、鈀-碳酸鈣、鈀-氧化鋁、鈀-鉑-碳等之鈀觸媒；雷氏鈷等之鈷觸媒；雷氏鐵等之鐵觸媒；亞鉻酸銅等之銅觸媒等，過渡金屬觸媒亦可使用2種以上。較佳為鈀觸媒、更佳為鈀-碳、鈀-氧化鋁或鈀-鉑-碳。
過渡金屬觸媒，亦可載持於載體上。載體，可舉例如活性碳、氧化矽、沸石、Celite(註冊商標)等。
過渡金屬觸媒，亦可藉由事先使過渡金屬觸媒與氫共存，使過渡金屬觸媒吸收氫來使用，而以吸收有氫之過渡金屬觸媒較佳。
過渡金屬觸媒之使用量，相對於式(1)所表示之化合物之光學活性體1重量份，通常為0.001至1重量份、更佳為0.005至0.5重量份。
過渡金屬觸媒與式(1)所表示之化合物之接觸，可於溶劑的存在下進行、亦可於溶劑的非存在下進行。
溶劑，可舉例如，苯、氯苯、甲苯、二甲苯、吡啶等芳香族溶劑；氯仿、二氯甲烷等含鹵素之烴溶劑；乙酸乙酯等酯溶劑；丙酮、甲乙酮、甲基異丁基酮等之酮溶劑；1,2-二甲氧乙烷、二乙二醇二甲醚、聚乙二醇、四氫呋喃、二噁烷等之醚溶劑；乙腈、丙腈等 之腈溶劑；二甲亞碸等之亞碸溶劑；二甲基乙醯胺、N-甲基吡咯啶酮等之醯胺溶劑；甲醇、乙醇、2-丙醇等之醇溶劑；水、氫氧化鈉水溶液、氨水等之水溶劑；及該等之混合溶劑等。較佳為醇溶劑、更佳為2-丙醇。
溶劑之使用量，相對於式(1)所表示之化合物之光學活性體1重量份，通常為100重量份以下、更佳為5重量份以下。
過渡金屬觸媒與式(1)所表示之化合物之接觸，亦可於成為氫產生源之添加劑的存在下實施。
添加劑，可舉例如，甲酸；甲酸銨、甲酸鈉等之甲酸鹽；環己烯；3-甲基-1-環己烯、4-甲基-1-環己烯等之環己烯化合物；1,3-環己二烯；1,4-環己二烯；1,2,3,4,4a α,5,8,8,8a β-八氫萘、1,2,3,4,5,6,7,8-八氫萘、1-甲基八氫萘、反-2-甲基八氫萘等之八氫萘化合物；四氫萘；1,6-二甲基四氫萘；6-甲基四氫萘；檸檬烯；蒎烯；3-蒈烯；水芹烯；萜品油烯；1-對薄荷烯；卡達烯；蒲勒酮；芹子烯(selinene)；甲醇、乙醇、2-丙醇、環己醇等之醇化合物；或該等之混合物等，較佳可舉例如環己烯化合物、更佳可舉例如環己烯。
添加劑之使用量，相對於式(1)所表示之化合物之光學活性體1重量份，通常為10重量份以下、較佳為5重量份以下、更佳為2重量份以下。
亦可使用兼具成為氫產生源之添加劑與溶劑之化合物。兼具成為氫產生源之添加劑與溶劑之化合物，以醇化合物為佳、2-丙醇為更佳。
本發明之製造方法，係藉由使過渡金屬觸媒與式(1)所表示之化合物之光學活性體接觸，較佳為，於氫的存在下，混 合過渡金屬觸媒與式(1)所表示之化合物之光學活性體，將所得之混合物加熱。
過渡金屬觸媒與式(1)所表示之化合物之光學活性體之接觸，可於高壓釜等之密封容器中進行、亦可於燒瓶等之開放容器中進行。過渡金屬觸媒與式(1)所表示之化合物之光學活性體之接觸，可於空氣下、氮氣環境下或氫氣環境下進行、較佳為於氮或氫氣環境下進行。
過渡金屬觸媒與式(1)所表示之化合物之光學活性體之接觸溫度，通常為20℃以上、較佳為80℃以上、更佳為100℃以上。又，該接觸溫度通常為250℃以下、較佳為200℃以下、更佳為190℃以下、特佳為170℃以下。
過渡金屬觸媒與式(1)所表示之化合物之光學活性體之接觸，較佳為，於氫氣環境下、在50至80℃混合，並加熱至100至200℃(較佳為150至200℃)來進行，更佳為，於氫氣環境下、在50至80℃混合，並將氫取代成氮後，加熱至100至200℃(較佳為150至200℃)來進行。
過渡金屬觸媒與式(1)所表示之化合物之光學活性體之接觸時間，通常為0.1至100小時、較佳為0.1至24小時。
藉由過渡金屬觸媒與式(1)所表示之化合物之光學活性體之接觸，可得含有式(1)所表示之化合物之消旋體的混合物。例如，可由該混合物以過濾等除去觸媒，藉此可取出式(1)所表示之化合物之消旋體。所得之式(1)所表示之化合物之消旋體，亦可藉由濃縮、萃取、轉溶、再結晶化、層析等周知之方法，進行精製。
藉由過濾等所除去之觸媒，可回收、再度使用於式(1)所表示 之化合物之消旋體的製造。回收方法，可舉例如將觸媒載持於載體之方法等。
回收之觸媒，較佳為以溶劑洗淨。溶劑，可舉例如甲醇等醇化合物；氫氧化鈉水溶液等之鹼水溶液；水或該等之混合熔液等。
以下揭示實施例。實施例中，室溫係表示10至35℃。實施例中之光學純度，係以以下之條件進行高效能液相層析分析所求得。
管柱：Daicel CHIRALCEL OD-H(4.6mm φ×250mm)
溶離液：己烷/2-丙醇=99/1(v/v)
流速：0.5mL/分鐘
溫度：40℃
檢測器：UV254nm
回收率，係以以下之條件進行高效能液相層析分析所求得。
管柱：化學物質評價研究機構L-Column ODS(4.6mm φ×150mm)
溶離液：乙腈/0.1%磷酸水溶液=30/70(v/v)至90/10(v/v)
流速：1.0mL/分鐘
溫度：40℃
檢測器：UV254nm
實施例1
於反應容器，裝填(3R)-1,1,3-三甲基-4-胺基茚烷(光學純度96.5%ee)6.00重量份、5%鈀-碳(N.E.Chemcat公司製STD-type)0.81重量份及2-丙醇12重量份，得混合物。密閉反應容器，將反應容器內之氣體取代成氮。於室溫下攪拌混合物，同時將氫封入反應容器至反應容器中之氫的內壓為0.5MPa為止。15分鐘後，將反 應容器內之氣體以氮取代，以內溫150℃、內壓0.8MPa攪拌混合物7小時而得反應混合物。將所得之反應混合物冷卻、過濾。將所得之固體，以2-丙醇20重量份洗淨。混合洗淨後回收之洗淨液、與藉過濾所得之濾液。將所得之混合物減壓濃縮，製得5.82重量份之1,1,3-三甲基-4-胺基茚烷。所得之1,1,3-三甲基-4-胺基茚烷之光學純度為1.2%ee、回收率為97.0%。
實施例2
於反應容器，裝填(3R)-1,1,3-三甲基-4-胺基茚烷(光學純度96.5%ee)6.00重量份及5%鈀-碳(N.E.Chemcat公司製STD-type)1.60重量份，得混合物。密閉反應容器，將反應容器內之氣體取代成氮後，以150℃攪拌混合物，得反應混合物。將所得之反應混合物於攪拌之下，以5小時滴入環己烯1.40重量份。之後，將所得之反應混合物冷卻、過濾。將所得之固體，以2-丙醇20重量份洗淨。混合洗淨後回收之洗淨液、與藉過濾所得之濾液。將所得之混合物減壓濃縮，製得5.63重量份之1,1,3-三甲基-4-胺基茚烷。所得之1,1,3-三甲基-4-胺基茚烷之光學純度為0.29%ee、回收率為93.8%。
實施例3
於反應容器，裝填(3R)-1,1,3-三甲基-4-胺基茚烷(光學純度96.5%ee)6.00重量份及5%鈀-碳(N.E.Chemcat公司製STD-type)1.62重量份，得混合物。密閉反應容器，將反應容器內之氣體取代成氮後，以200℃攪拌混合物7.5小時，得反應混合物。之後，將所得之反應混合物冷卻、過濾。將所得之固體，以2-丙醇20重量份洗淨。混合洗淨後回收之洗淨液、與藉過濾所得之濾液。將所得 之混合物減壓濃縮，製得5.06重量份之1,1,3-三甲基-4-胺基茚烷。所得之1,1,3-三甲基-4-胺基茚烷之光學純度為3.3%ee、回收率為84.3%。
實施例4
於反應容器，裝填(3R)-1,1,3-三甲基-4-胺基茚烷(光學純度96.5%ee)6.00重量份、5%鈀-碳(N.E.Chemcat公司製STD-type)0.81重量份及2-丙醇12重量份，得混合物。密閉反應容器，將反應容器之氣體取代成氮。於室溫下攪拌混合物，同時將氫封入反應容器至反應容器中之氫的內壓為0.5MPa為止。15分鐘後，將氫排除至常壓，並將反應容器之氫以氮取代，以內溫130℃、內壓0.45MPa攪拌混合物7小時而得反應混合物。將所得之反應混合物冷卻、過濾。將所得之固體，以2-丙醇20重量份洗淨。混合洗淨後回收之洗淨液、與藉過濾所得之濾液。將所得之混合物減壓濃縮，製得5.55重量份之1,1,3-三甲基-4-胺基茚烷。所得之1,1,3-三甲基-4-胺基茚烷之光學純度為1.2%ee、回收率為92.5%。
實施例5
於反應容器，裝填(3R)-1,1,3-三甲基-4-胺基茚烷(光學純度67.0%ee)31.7重量份、5%鈀-氧化鋁0.36重量份，得混合物。密閉反應容器，將反應容器內之氣體取代成氮。攪拌混合物，同時將氫封入反應容器至反應容器中之氫的內壓為0.5MPa為止，在內溫60℃下攪拌。1小時後，將反應容器內之氣體以氮取代，在內溫155℃、內壓0.1MPa攪拌混合物7小時而得反應混合物。將所得之反應混合物冷卻、過濾。將所得之固體，以甲苯45重量份洗淨。混合洗淨後回收之洗淨液、與藉過濾所得之濾液，得73.4重量份 之1,1,3-三甲基-4-胺基茚烷之甲苯溶液。所得之1,1,3-三甲基-4-胺基茚烷之光學純度為4.5%ee、回收率為98.7%。
實施例6
於反應容器，裝填(3R)-1,1,3-三甲基-4-胺基茚烷(光學純度67.0%ee)31.7重量份、5%鈀-碳(N.E.Chemcat公司製E-type)0.76重量份，得混合物。密閉反應容器，將反應容器內之氣體取代成氮。攪拌混合物，同時將氫封入反應容器至反應容器中之氫的內壓為0.5MPa為止，在內溫60℃下攪拌。1小時後，將反應容器之氣體以氮取代，在內溫145℃、內壓0.15MPa下攪拌混合物14小時而得反應混合物。將所得之反應混合物冷卻、過濾。將所得之固體，以甲苯45重量份洗淨。混合洗淨後回收之洗淨液、與藉過濾所得之濾液，得73.0重量份之1,1,3-三甲基-4-胺基茚烷之甲苯溶液。所得之1,1,3-三甲基-4-胺基茚烷之光學純度為0.7%ee、回收率為97.7%。
實施例7
於反應容器，裝填(3R)-1,1,3-三甲基-4-胺基茚烷(光學純度67.0%ee)31.2重量份、4.5%鈀-0.5%鉑-碳(N.E.Chemcat公司製ASCA-2)0.83重量份，得混合物。密閉反應容器，將反應容器內之氣體取代成氮。攪拌混合物，同時將氫封入反應容器至反應容器中之氫的內壓為0.5MPa為止，在內溫60℃下攪拌。1小時後，將反應容器內之氣體以氮取代，在內溫180℃、內壓0.3MPa下攪拌混合物12.5小時而得反應混合物。將所得之反應混合物冷卻、過濾。將所得之固體，以甲苯45重量份洗淨。混合洗淨後回收之洗淨液、與藉過濾所得之濾液，得77.5重量份之1,1,3-三甲基-4-胺 基茚烷之甲苯溶液。所得之1,1,3-三甲基-4-胺基茚烷之光學純度為0.29%ee、回收率為97.7%。
實施例8
於高壓釜反應容器，裝填(3R)-1,1,3-三甲基-4-胺基茚烷(光學純度67.0%ee)104.0重量份、5%鈀-碳(N.E.Chemcat公司製E-type)2.55重量份、甲苯1.5重量份，得混合物。密閉反應容器，將反應容器內之氣體取代成氮。攪拌混合物，同時將氫封入反應容器至反應容器中之氫的內壓為0.5MPa為止，在內溫60℃下攪拌。1小時後，將反應容器內之氣體以氮取代，在內溫150℃、內壓0.1MPa下攪拌混合物14小時而得反應混合物。將所得之反應混合物冷卻、使用Celite過濾。將所得之固體，以甲苯150重量份洗淨。混合洗淨後回收之洗淨液、與藉過濾所得之濾液，得244.6重量份之1,1,3-三甲基-4-胺基茚烷之甲苯溶液。所得之1,1,3-三甲基-4-胺基茚烷之光學純度-0.35%ee、回收率為98.9%。此時，將過濾後之觸媒，以30重量份之甲醇、30重量份之10%苛性鈉水、30重量份之水進行二次洗淨，回收包含Celite之3.84重量份之鈀-碳。
將該回收之鈀-碳2.88重量份與新穎之5%鈀-碳(N.E.Chemcat公司製E-type)0.64重量份裝填至高壓釜反應容器，加入(3R)-1,1,3-三甲基-4-胺基茚烷(光學純度67.0%ee)104.0重量份、甲苯1.5重量份，得混合物。密閉反應容器，將反應容器內之氣體取代成氮。攪拌混合物，同時將氫封入反應容器至反應容器中之氫的內壓為0.5MPa為止，在內溫60℃下攪拌。1小時後，將反應容器內之氣體以氮取代，在內溫150℃、內壓0.1MPa下攪拌混合物14小時而 得反應混合物。將所得之反應混合物冷卻、使用Celite過濾。將所得之固體，以甲苯150重量份洗淨。混合洗淨後回收之洗淨液、與藉過濾所得之濾液，得244.6重量份之1,1,3-三甲基-4-胺基茚烷之甲苯溶液。所得之1,1,3-三甲基-4-胺基茚烷之光學純度為0.11%ee、回收率為98.5%。
藉由本發明，可由式(1)所表示之化合物之光學活性體有效率地製造消旋體。

Claims (11)

  1. 一種式(1)所表示之化合物的消旋體的製造方法，其特徵係，使過渡金屬觸媒、與式(1)所表示之化合物之光學活性體接觸； 式(1)中，環X1表示芳香環；R1表示C1-6烷基、C3-8環烷基或C1-6鹵烷基；R2表示屬於與R1相異之基之C1-6烷基、C3-8環烷基或C1-6鹵烷基，或者，R2與環X1環互相鍵結而形成環；環X1所具有之氫原子，亦可經C1-6烷基、C1-6鹵烷基、氰基、硝基、C1-6烷氧基或鹵素原子取代；*表示不對稱碳原子。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之製造方法，其中，式(1)所表示之化合物，係式(1a)所表示之化合物； 式(1a)中，A1、A2、A3及A4，係分別獨立地表示-N=或-C(Ra)=，Ra表示氫原子、C1-6烷基、C1-6鹵烷基、氰基、硝基、C1-6烷氧基或 鹵素原子；R3表示C1-6烷基、C3-8環烷基或C1-6鹵烷基；R4表示屬於與R3相異之基之C1-6烷基、C3-8環烷基或C1-6鹵烷基；當A1表示-C(Ra)=時，R4與Ra亦可互相鍵結而形成2價之烴基，該烴基所具有之氫原子，亦可經鹵素原子取代，該烴基所具有之-CH2-亦可經-O-取代；於相鄰之-C(Ra)=所含之2個Ra，可互相鍵結而與分別鍵結之碳原子一同形成苯環，該苯環所具有之氫原子亦可經C1-6烷基或鹵素原子取代；*表示不對稱碳原子。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之製造方法，其中，A1、A2、A3及A4係-C(Ra)=。
  4. 如申請專利範圍第2或3項所述之製造方法，其中，A1係-C(Ra)=，Ra與R2互相鍵結而形成2價之烴基。
  5. 如申請專利範圍第2至4項中任一項所述之製造方法，其中，式(1a)所表示之化合物，係式(2)所表示之化合物； 式(2)中，A2、A3及A4，係分別獨立地表示-N=或-C(Ra)=，Ra表示氫原子、C1-6烷基、C1-6鹵烷基或鹵素原子；R3表示C1-6烷基；Rd表示C1-6烷基或C1-6鹵烷基，r表示0至4之整數；當r為2以上之整數時，複數之Rd可為相同或相異； *表示不對稱碳原子。
  6. 如申請專利範圍第2至5項中任一項所述之製造方法，其中，R3係C1-6烷基。
  7. 如申請專利範圍第1至6項中任一項所述之製造方法，其中，式(1)所表示之化合物，係式(3)所表示之1,1,3-三甲基-4-胺基茚烷
  8. 如申請專利範圍第1至7項中任一項所述之製造方法，其中，過渡金屬觸媒，係使氫被吸收之過渡金屬觸媒。
  9. 如申請專利範圍第1至8項中任一項所述之製造方法，其中，過渡金屬觸媒係鈀觸媒。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之製造方法，其中，鈀觸媒係鈀-碳觸媒。
  11. 一種式(1)所表示之化合物的異構化方法，其特徵係，使過渡金屬觸媒、與式(1)所表示之化合物之光學活性體接觸； 式(1)中，環X1表示芳香環； R1表示C1-6烷基、C3-8環烷基或C1-6鹵烷基；R2表示屬於與R1相異之基之C1-6烷基、C3-8環烷基或C1-6鹵烷基，或者，R2與環X1互相鍵結而形成環；環X1所具有之氫原子，亦可經C1-6烷基、C1-6鹵烷基、氰基、硝基、C1-6烷氧基或鹵素原子取代；*表示不對稱碳原子。
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