TW201433414A - 合金材料之研磨方法及合金材料之製造方法 - Google Patents

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Abstract

本發明之合金材料之研磨方法係含有主成分及0.5質量%以上之與前述主成分在維氏硬度(HV)差異5以上之副成分的元素之合金材料之研磨方法,其特徵為:使用含有磨粒及氧酸系氧化劑之研磨用組成物,研磨前述合金材料之表面。前述合金材料之主成分較佳為從鋁、鈦、鐵、鎳及銅中選出的至少1種。前述合金材料之主成分較佳為鋁,副成分之元素較佳為從矽、鎂、鐵、銅及鋅中選出的至少1種。研磨方法較佳為在使用研磨用組成物研磨合金材料之前,包含使用預備研磨用組成物預備研磨合金材料之步驟。

Description

合金材料之研磨方法及合金材料之製造方法
本發明關於使用含有磨粒及氧化劑的研磨用組成物,研磨含有主成分及與主成分在硬度不同之副成分的元素之合金材料之方法、該研磨方法所使用的研磨用組成物、使用該研磨方法的合金材料之製造方法、及由該製造方法所得之合金材料。
一般地所謂合金,係1種的金屬元素與1種以上的其它金屬元素或碳、氮、矽等的非金屬元素之共熔體。一般地,合金係以比純金屬更提高機械強度、耐藥品性、耐蝕性、耐熱性等性質為目的而製造。於如彼等之合金中,鋁合金由於輕量且具有優異的強度,而使用於建材或容器等之構造材料、汽車、船舶、航空機等之輸送機器之外,還有各種電化製品或電子零件等之各式各樣的用途。又,鈦合金由於輕量,還有耐蝕性優異,而廣泛使用於精密機器、裝飾品、工具、運動用品、醫療零件等。另外,鐵系 合金的不銹鋼或鎳合金,由於具有優異的耐蝕性,係使用於構造材料或輸送機器,還有工具、機械器具、調理器具等之各式各樣的用途。尚且,銅合金係除了導電性、導熱性、耐蝕性優異,還有加工性亦優異,且由於完工的漂亮性,廣泛使用於裝飾品、食器、樂器或電氣材料之零件等。
使用此等合金時,取決於用途,必須將合金的表面予以光澤鏡面加工。作為鏡面加工之方法,例如有合金表面的塗裝或塗覆。然而,若藉由合金表面之研磨而實現鏡面加工,則得到超越塗裝或塗覆之優點。例如,研磨係可提供比塗裝面更優異的光澤鏡面,且不需要塗裝或塗覆步驟及彼等之步驟中所使用的材料。又,與塗裝所成的光澤鏡面相比,研磨所成的鏡面由於耐久性高,亦具有光澤鏡面長期持續之優點。
因此,以往對於合金材料,藉由使用研磨用組成物的研磨進行鏡面化或平滑化。例如,專利文獻1中揭示一種用於鋁合金之研磨用途的研磨用組成物,其包含由矽石、氧化鈰及氧化鋯所成之群組中選出的研磨材、過氧化氫等之使鋁氧化的試藥、以及液體載體。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]特表2008-544868號公報
然而,專利文獻1中記載的研磨用組成物係有組成物的安定性降低之情況的問題。組成物的安定性降低係對於研磨特性造成影響,例如對於對合金材料的高研磨速度之維持及研磨後的合金材料表面之平滑性造成影響,有研磨效率降低之虞。
本發明之目的在於提供可以將含有主成分及與主成分在硬度不同之副成分的元素之合金材料的表面予以有效率地加工成優異的鏡面之合金材料之研磨方法、使用於該研磨方法之研磨用組成物、及使用該研磨方法之合金材料之製造方法。又,目的亦在於提供表面的平滑性優異之具有光澤鏡面的合金材料。
本發明者們專心致力地檢討,結果發現藉由使用含有磨粒及氧酸系氧化劑之研磨用組成物,研磨含有主成分及與主成分在硬度不同之副成分的元素之合金,而組成物的安定性升高。又,發現氧酸系氧化劑係將合金表面氧化而在合金表面上形成硬度高且脆的氧化皮膜,藉由磨粒來研磨其,而有效率地得到無表面缺陷的優異鏡面。
為了達成上述目的,於本發明的一態樣中,提供一種合金材料之研磨方法,其係含有主成分及0.5質量%以上之與前述主成分在維氏硬度(HV)差異5以上之副成分的元素之合金材料之研磨方法,其特徵為:使用含有磨粒 及氧酸系氧化劑之研磨用組成物,研磨前述合金材料之表面。
前述合金材料之主成分較佳為從鋁、鈦、鐵、鎳及銅中選出的至少1種。前述合金材料之主成分較佳為鋁,副成分之元素較佳為從矽、鎂、鐵、銅及鋅中選出的至少1種。前述氧酸系氧化劑較佳為從硝酸、亞硝酸、次氯酸、草酸及彼等之鹽中選出的至少1種。前述氧酸系氧化劑較佳為從硝酸及其鹽中選出的至少一種。前述磨粒較佳為膠態矽石。前述研磨方法較佳為在使用前述研磨用組成物研磨前述合金材料之前,包含使用預備研磨用組成物預備研磨前述合金材料之步驟。
又,於本發明之另一樣態中,提供一種合金材料之製造方法,其包含使用前述合金材料之研磨方法研磨合金材料之步驟。
另外,於本發明之又一樣態中,提供一種合金材料,其係使用前述製造方法來製造。
還有,於本發明之再一樣態中,提供一種研磨用組成物,其係使用於前述合金材料之研磨方法中的研磨用組成物,其特徵為含有磨粒及氧酸系氧化劑。
依照本發明,可將含有主成分及與主成分在硬度不同之副成分的元素之合金材料之表面予以有效率地加工成優異的鏡面。
[實施發明的形態]
以下,說明將本發明具體化成合金材料之研磨方法的實施形態。
本實施形態之研磨方法係使用含有磨粒及氧酸系氧化劑之研磨用組成物,研磨含有主成分及與主成分在硬度不同之副成分的元素之合金材料之方法。
合金材料係以成為主成分的金屬物種為基礎而賦予名稱。作為合金材料的主成分之例,例如可舉出鋁、鈦、鐵、鎳、銅等。作為合金材料之例,例如可舉出鋁合金、鈦合金、不銹鋼(以鐵作為主成分)、鎳合金、銅合金等。較佳為含有具有與主成分的金屬物種大不相同的維氏硬度之副成分的元素之合金。特別地,含有硬度低的鋁與硬度高的矽之合金的表面硬度,係容易藉由研磨用組成物中的氧化劑而均勻化。因此,本實施形態之研磨方法係特宜使用於鋁合金之研磨。使用鋁合金時,可達成特別優異的研磨速度,同時有效率地得到伴有光澤的優異鏡面。
一般合金中所含的副成分之元素,亦有與主成分的金屬物種在硬度相似者,亦包含硬度不同者。本發明所使用之合金係可含有0.5質量%以上之與主成分的金屬物種在維氏硬度差異5HV以上的元素。
鋁合金係以鋁為主成分,作為具有與鋁大不相同的維氏硬度之副成分的元素,例如含有矽、鐵、銅、錳、鎂、 鋅、鉻等。前述副成分的元素較佳為矽、鎂、鐵、銅及鋅。鋁合金中之前述副成分的元素之含量較佳為0.5~20質量%。作為如此的鋁合金之例,例如於日本工業規格(JIS)H4000:2006的合金號碼中,已知1050、1050A、1100、1200、1N00、1N30、2014、2014A、2017、2017A、2219、2024、3003、3103、3203、3004、3104、3005、3105、5005、5021、5042、5052、5652、5154、5254、5454、5754、5082、5182、5083、5086、5N01、6101、6061、6082、7010、7075、7475、7178、7N01、8021、8079等。又,於JIS H4040:2006的合金號碼中,已知1050、1050A、1100、1200、2011、2014、2014A、2017、2017A、2117、2024、2030、2219、3003、3103、5N02、5050、5052、5454、5754、5154、5086、5056、5083、6101、6N01、6005A、6060、6061、6262、6063、6082、6181、7020、7N01、7003、7050、7075、7049A等。另外,於JIS H4100:2006的合金號碼中,已知1050 A1050S、1100 A1100S、1200 A1200S、2014 A2014S、2014 A2014AS、2017 A2017S、2017 A2017AS、2024 A2024S、3003 A3003S、3203 A3203S、5052 A5052S、5454 A5454S、5083 A5083S、5086 A5086S、6101 A6101S、6N01 A6N01S、6005A A6005AS、6060 A6060S、6061 A6061S、6063 A6063S、6082 A6082S、7N01 A7N01S、7003 A7003S、7005 A7005S、7020 A7020S、7050 A7050S、7075 A7075S等。
鈦合金係以鈦為主成分,作為具有與鈦大不相同的維氏硬度之副成分的元素,例如含有鋁、鐵、釩等。鈦合金中之前述副成分的元素之含量較佳為3.5~30質量%。作為如此的鈦合金之例,例如於JIS H4600:2012的種類中,已知11~23種、50種、60種、61種、80種等。
不銹鋼係以鐵為主成分,作為具有與鐵大不相同的維氏硬度之副成分的元素,例如含有鉻、鎳、鉬、錳等。不銹鋼中之前述副成分的元素之含量較佳為10~50質量%。作為如此的不銹鋼之例,例如於JIS G4303:2005的種類之符號中,已知SUS201、SUS303、SUS303Se、SUS304、SUS304L、SUS304NI、SUS305、SUS305JI、SUS309S、SUS310S、SUS316、SUS316L、SUS321、SUS347、SUS384、SUSXM7、SUS303F、SUS303C、SUS430、SUS430F、SUS434、SUS410、SUS416、SUS420J1、SUS420J2、SUS420F、SUS420C、SUS631J1等。
鎳合金係以鎳為主成分,作為具有與鎳大不相同的維氏硬度之副成分的元素,例如含有鐵、鉻、鉬、鈷等。鎳合金中之前述副成分的元素之含量較佳為20~75質量%。作為如此的鎳合金之例,例如於JIS H4551:2000的合金號碼中,已知NCF600、NCF601、NCF625、NCF750、NCF800、NCF800H、NCF825、NW0276、NW4400、NW6002、NW6022等。
銅合金係以銅為主成分,作為具有與銅大不相同的維 氏硬度之副成分的元素,例如含有鐵、鉛、鋅、錫等。銅合金中之前述副成分的元素之含量較佳為3~50質量%。 作為銅合金之例,例如於JIS H3100:2006的合金號碼中,已知C2100、C2200、C2300、C2400、C2600、C2680、C2720、C2801、C3560、C3561、C3710、C3713、C4250、C4430、C4621、C4640、C6140、C6161、C6280、C6301、C7060、C7150、C1401、C2051、C6711、C6712等。
其次,記載用於本實施形態的研磨方法之研磨用組成物。
研磨用組成物包含磨粒及氧酸系氧化劑。
氧酸系氧化劑係為了使合金中所含有的主成分氧化,具有充分的氧化力之氧酸的總稱。作為氧酸系氧化劑之具體例,例如可舉出硝酸、亞硝酸、次氯酸、草酸、彼等之鹽等。特別地,從容易得到平滑性優異的研磨面,且不易腐蝕基材者來看,較宜使用硝酸及其鹽。作為硝酸鹽之具體例,例如可舉出硝酸鉀、硝酸鈉、硝酸銨等。
研磨用組成物中的氧酸系氧化劑之含量較佳為0.02質量%以上,更佳為0.03質量%以上,尤佳為0.1質量%以上。氧酸系氧化劑之含量在上述範圍內時,進一步抑制研磨後之的面缺陷之發生。
研磨用組成物中的氧酸系氧化劑之含量較佳為15質量%以下,更佳為10質量%以下。氧酸系氧化劑之含量在上述範圍內時,除了減低研磨用組成物的製造成本,還可 以減輕使用過的研磨用組成物之處理,即廢液處理的環境負荷。
作為磨粒之例,例如可舉出氧化矽、氧化鋁、氧化鈰、氧化鋯、氧化鈦、氧化錳、碳化矽、氮化矽等。其中較佳為氧化矽,更佳為膠態矽石或煙薰矽石。使用此等磨粒時,可得到更平滑的研磨面。
作為膠態矽石,可使用無表面修飾的膠態矽石及經表面修飾的膠態矽石之任一者。無表面修飾的膠態矽石,由於在酸性條件下具有接近零的ζ電位,在酸性條件下中矽石粒子彼此不電性排斥而容易凝聚。相對於此,於酸性條件下具有比較大的負ζ電位之經表面修飾的膠態矽石,係即使在酸性條件下也互相強烈地排斥而良好地分散,結果研磨用組成物的保存安定性係進一步升高。
作為表面修飾膠態矽石,例如可舉出在表面上固定有磺酸或羧酸等的有機酸之膠態矽石,或表面經氧化鋁等的金屬氧化物所取代之膠態矽石。有機酸對於膠態矽石之固定,係藉由使有機酸的官能基化學地鍵結於膠態矽石之表面來進行。磺酸對於膠態矽石之固定,例如可藉由“sulfonic acid-functionalized silica through quantitative oxidation of thiol groups”,Chem.Commun.246-247(2003)中記載之方法進行。具體地,於3-巰基丙基三甲氧基矽烷等之具有硫醇基的矽烷偶合劑偶合膠態矽石後,藉由用過氧化氫來氧化硫醇基,而可得到在表面上固定有磺酸之膠態矽石。羧酸對於膠態矽石之固定,例如可藉由 “Novel Silane Coupling Agents Containing a Photolabile 2-Nitrobenzyl Ester for Introduction of a Carboxy Group on the Surface of Silica Gel”,Chemistry Letters,3,228-229(2000)中記載之方法進行。具體地,於使含有光反應性2-硝基苄酯的矽烷偶合劑偶合於膠態矽石後,藉由光照射,可得到在表面上固定有羧酸之膠態矽石。又,膠態矽石表面之經由氧化鋁的取代,係藉由在膠態矽石中添加鋁化合物,使反應來進行。例如,可藉由日本特開平6-199515號公報中記載之方法進行。具體地,藉由在膠態矽石中添加鋁酸鹼,進行加熱,可得到表面經氧化鋁所取代之膠態矽石。
使用表面修飾膠態矽石時,研磨用組成物之pH較佳在0.5~4.5之範圍內。磺基等的修飾基係存在於表面修飾膠態矽石之表面。因此,研磨用組成物之pH若在0.5~4.5之範圍內,則表面修飾膠態矽石在研磨用組成物中更安定地分散,帶來高的研磨速度。再者,於研磨速度的提高之觀點,在表面修飾膠態矽石之中,特佳為使用經磺酸所表面修飾之膠態矽石。
使用無表面修飾的膠態矽石時,研磨用組成物之pH較佳在8.0~12.0之範圍內。羥基係存在於無表面修飾的膠態矽石之表面。因此,研磨用組成物之pH若在8.0~12.0之範圍內,則膠態矽石在研磨組成物中更安定地分散,帶來高的研磨速度。
研磨用組成物中所含有的磨粒之平均粒徑較佳為5nm 以上,更佳為10nm以上,尤佳為15nm以上。磨粒之平均粒徑在上述範圍內時,合金材料之研磨速度係進一步升高。
研磨用組成物中所含有的磨粒之平均粒徑較佳為400nm以下,更佳為300nm以下,尤佳為200nm以下,最佳為100nm以下。磨粒之平均粒徑在上述範圍內時,更容易得到低缺陷且面粗糙度小之表面。於研磨後的合金材料中大粒徑的磨粒殘留成為問題時,較佳為使用不含大粒徑之小粒徑磨粒。
再者,磨粒之平均粒徑係可由氮吸附法(BET法)所測得的磨粒之比表面積測定值來算出。
研磨用組成物中的磨粒之含量較佳為1質量%以上,更佳為2質量%以上。磨粒之含量在上述範圍內時,研磨用組成物之合金研磨速度係進一步升高。
研磨用組成物中的磨粒之含量較佳為50質量%以下,更佳為40質量%以下。磨粒之含量在上述範圍內時,除了減低研磨用組成物之製造成本,還容易得到刮痕少的研磨面。又,減低研磨後殘存於合金表面上的磨粒之量,而提高合金表面的潔淨度。
本發明所用之研磨用組成物,亦可含有pH調整劑。 藉由使用pH調整劑來調製研磨用組成物之pH,可控制合金材料之研磨速度或磨粒之分散性等。作為pH調整劑,可使用眾所周知的酸、鹼或彼等之鹽。作為pH調整劑可使用酸之具體例,例如可舉出鹽酸、硫酸、硝酸、氫氟 酸、硼酸、碳酸、次磷酸、亞磷酸、磷酸等之無機酸,或甲酸、乙酸、丙酸、丁酸、戊酸、2-甲基丁酸、正己酸、3,3-二甲基丁酸、2-乙基丁酸、4-甲基戊酸、正庚酸、2-甲基己酸、正辛酸、2-乙基己酸、苯甲酸、甘醇酸、水楊酸、甘油酸、草酸、丙二酸、琥珀酸、戊二酸、己二酸、庚二酸、馬來酸、苯二甲酸、蘋果酸、酒石酸、檸檬酸、乳酸、二甘醇酸、2-呋喃羧酸、2,5-呋喃二羧酸、3-呋喃羧酸、2-四氫呋喃羧酸、甲氧基乙酸、甲氧基苯基乙酸、苯氧基乙酸等之有機酸。尤其從研磨速度提高之觀點來看,於無機酸之中,特佳為硫酸、硝酸、磷酸等,於有機酸之中,較佳為甘醇酸、琥珀酸、馬來酸、檸檬酸、酒石酸、蘋果酸、葡糖酸、伊康酸等。
作為pH調整劑可使用的鹼,可舉出脂肪族胺、芳香族胺等之胺、氫氧化四級銨等之有機鹼、氫氧化鉀等之鹼金屬的氫氧化物、鹼土類金屬之氫氧化物、氨等。於此等之中,從取得容易來看,較佳為氫氧化鉀及氨。
又,代替前述酸,或與前述酸組合,亦可使用前述酸之銨鹽或鹼金屬鹽等之鹽作為pH調整劑。特別地,於弱酸與強鹼、強酸與弱鹼、或弱酸與弱鹼之組合時,可期待pH的緩衝作用。pH調整劑係可為單獨或組合2種以上來使用。
pH調整劑之添加量係沒有特別的限制,可藉由研磨用組成物之成分等來適宜調整。本發明所使用之研磨用組成物的pH之下限較佳為0.5以上,更佳為8以上。隨著 研磨用組成物之pH變大,磨粒的分散性係進一步升高。
另外,本發明所使用的研磨用組成物的pH之上限較佳為12以下,更佳為11.5以下。隨著研磨用組成物之pH變小,粒子的分散性或組成物的安全性、組成物之經濟性等係進一步升高。
本發明所使用之研磨用組成物較佳為含有水作為用於分散或溶解各成分之分散介質或溶媒。為了防止其它成分的作用被阻礙,較佳為儘可能不含雜質之水。作為分散介質或溶劑的水之具體例,較佳為藉由用離子交換樹脂去除雜質離子或藉由通過過濾器去除異物而得之純水或超純水、或蒸餾水。
本發明所使用之研磨用組成物,於不妨礙本發明的效果之範圍內,視需要亦可更含有蝕刻劑、使合金材料之表面氧化的氧化劑、作用於合金材料之表面或磨粒表面的水溶性聚合物、水溶性共聚物、彼等之鹽及衍生物、抑制合金材料之表面的腐蝕之防蝕劑或螯合劑、使磨粒的凝聚物之再分散成為容易的分散助劑、具有其它機能的防腐劑、防黴劑等其它成分。
作為蝕刻劑之例,可舉出硝酸、硫酸、磷酸等之無機酸、醋酸、檸檬酸、酒石酸、甲磺酸等之有機酸、氫氧化鉀、氫氧化鈉等之無機鹼、氨、胺、四級銨氫氧化物等之有機鹼等。
作為氧化劑之例,可舉出過氧化氫、過乙酸、過碳酸鹽、過氧化脲、過氯酸鹽、過硫酸鹽等。
作為水溶性聚合物、水溶性共聚物、彼等之鹽及衍生物之例,可舉出聚丙烯酸鹽等之聚羧酸、聚膦酸、聚苯乙烯磺酸等之聚磺酸、黃原膠、海藻酸鈉等之多糖類、羥乙基纖維素、羧甲基纖維素等之纖維素衍生物、聚乙二醇、聚乙烯醇、聚乙烯吡咯啶酮、聚氧乙烯烷基醚、聚氧乙烯烷基苯基醚、山梨糖醇酐單油酸酯、具有單一種或複數種的氧化烯單位之氧化烯系聚合物等。
作為防蝕劑之例,可舉出胺類、吡啶類、四苯基鏻鹽、苯并三唑類、三唑類、四唑類、苯甲酸等。
作為螯合劑之例,可舉出葡糖酸等之羧酸系螯合劑、乙二胺、二伸乙三胺、三甲基四胺等之胺系螯合劑、乙二胺四乙酸、亞硝基三乙酸、羥乙基乙二胺三乙酸、三伸乙四胺六乙酸、二伸乙三胺五乙酸等的多胺基多羧酸系螯合劑、2-胺基乙基膦酸、1-羥基亞乙基-1,1-二膦酸、胺基三(亞甲基膦酸)、乙二胺四(亞甲基膦酸)、二伸乙三胺五(亞甲基膦酸)、乙烷-1,1-二膦酸、乙烷-1,1,2-三膦酸、甲烷羥基膦酸、1-膦醯基丁烷-2,3,4-三羧酸等之有機膦酸系螯合劑、酚衍生物、1,3-二酮等。
作為分散助劑之例,可舉出焦磷酸鹽或六偏磷酸鹽等之縮合磷酸鹽等。
作為防腐劑之例,可舉出次氯酸鈉等。
作為防黴劑之例,可舉出唑啶-2,5-二酮等之唑啉等。
於研磨用組成物,有要求實現高研磨速度,同時具有 高洗淨去除性之情況。此時,較佳為於研磨用組成物中添加無機酸(包含pH調整劑)而成為低pH(例如pH0.5~4.5),同時使用表面修飾膠態矽石作為磨粒。一般地,若增多磨粒之含量則研磨速度升高,但洗淨去除性降低。 因此,難以同時提高研磨速度與洗淨去除性。相對於此,若在研磨用組成物中添加無機酸,則即使研磨用組成物中的磨粒之含量少,亦藉由無機酸的化學作用而提高研磨速度。藉此,可同時提高洗淨去除性與研磨速度。又,表面修飾膠態矽石係即使在因無機酸的添加而成為低pH的研磨用組成物中,亦可安定地發揮作為磨粒之機能。
可將用於合金之研磨後的研磨用組成物予以回收,再度使用於研磨。更具體地,一旦將自研磨裝置所排出的使用過之研磨用組成物在桶槽內回收,可自桶槽內再度供給至研磨裝置。此時,由於減小將使用過的研磨用組成物作為廢液處理之必要,可減輕環境負荷。又,由於研磨用組成物之使用量減少,亦可減低合金材料之研磨所花費的成本。
循環使用研磨用組成物時,研磨用組成物中的磨粒或氧酸系氧化劑等之成分係因研磨而消耗、損失。因此,亦可將此等成分的減少部分補充至循環使用中的研磨用組成物。所補充的成分係可個別地添加至研磨用組成物中,或亦可將二種以上的成分作為以符合桶槽之大小或研磨條件之任意比率所含有的混合物,而添加到研磨用組成物中。藉由如此地補充研磨用組成物中的減少成分,將研磨用組 成物維持在適合再利用之狀態,使所要的研磨性能持續。
其次,說明本發明所使用的研磨用組成物之製造方法。
本發明所使用的研磨用組成物之製造方法係沒有特別的限制,例如可藉由將磨粒、氧酸系氧化劑及視需要的其它成分,在水中攪拌混合而得。混合各成分時的溫度係沒有特別的限制,但較佳為10~40℃,為了提高溶解速度,亦可加熱至前述溫度範圍以上。又,混合時間亦沒有特別的限制。
接著,說明本發明之合金材料之研磨方法、及使用該研磨方法之合金材料之製造方法。
前述研磨用組成物係用於合金材料之研磨。因此,本發明提供使用前述研磨用組成物來研磨合金材料之研磨方法。又,本發明提供一種合金材料之製造方法,其包含用前述研磨方法研磨合金材料之步驟。
使用前述研磨用組成物研磨合金時,可使用與通常金屬材料之研磨中所一般使用者相同之裝置及條件。作為一般的研磨裝置,有單面研磨裝置及雙面研磨裝置。使用單面研磨裝置研磨合金材料的單面時,使用載體來保持合金材料,一邊供給研磨用組成物,一邊將貼有研磨墊的壓盤推壓至合金材料之單面,使壓盤旋轉。使用雙面研磨裝置研磨合金材料的兩面時,使用載體來保持合金材料,一邊自上方供給研磨用組成物,一邊將貼有研磨墊的2個壓盤推壓至合金材料之兩面,使2個壓盤互相以相反方向旋 轉。此時,藉由研磨墊及研磨用組成物中之磨粒與合金材料之間的摩擦所造成的物理作用,與藉由研磨用組成物中的磨粒以外之成分對合金造成的化學作用,而研磨合金材料。
於本發明之研磨方法的研磨條件中,包含研磨荷重。 一般地研磨荷重愈大,則磨粒與合金材料之間的摩擦力愈高。結果,機械的加工特性升高,研磨速度上升。本發明之研磨方法中的適用於合金材料之研磨荷重係沒有特別的限定,但較佳為50~1,000g/cm2,更佳為100~800g/cm2,尤佳為300~600g/cm2。研磨荷重在上述範圍內時,除了發揮充分的研磨速度,還可減低研磨對象物之破損或表面缺陷之發生。
又,於本發明之研磨方法的研磨條件中,包含研磨的線速度。一般地研磨墊之旋轉數、載體之旋轉數、研磨對象物之大小或數目等係影響線速度。線速度大時,由於施加於研磨對象物的摩擦力變大,研磨對象物容易被機械地研磨。另外,摩擦所發生的熱係會提高研磨用組成物的化學研磨作用。線速度係沒有特別的限定,但較佳為10~300m/分鐘,更佳為30~200m/分鐘。線速度若在此範圍,則除了得到充分的研磨速度,還抑制因研磨對象物之間的摩擦所造成的研磨墊之破損。另外,藉由施加充分的摩擦力,研磨墊不在研磨對象物上滑動,可良好地研磨。
前述實施形態之用研磨用組成物的研磨方法中所使用之研磨墊,係不受材質、厚度或硬度等之物性所限定。例 如,可使用具有各種硬度或厚度的聚胺基甲酸酯型、不織布型、麂皮型等研磨墊。或者,亦可使用含磨粒的研磨墊或不含磨粒的研磨墊。其中,較佳為不含磨粒的麂皮型研磨墊。又,於麂皮型研磨墊之中,更佳為因研磨加工中之壓力所造成的變形少者,換句話說墊之硬度高者。具體地,較佳為藉由日本工業規格(JIS)K6253:1997中規定之使用TECLOCK(註冊商標)的方法所測定之硬度為78以上之麂皮型研磨墊。研磨墊的硬度,例如可藉在基材中使用聚對苯二甲酸乙二酯或不織布,而得到硬度高的麂皮型墊。
於本發明之研磨方法的研磨條件中,包含研磨用組成物的供給速度。研磨用組成物的供給速度係依賴於所研磨的合金材料之種類、或研磨裝置之種類、其它研磨條件,但較佳為研磨用組成物能均勻地供給至合金材料及研磨墊之全體的充分速度。
合金材料係在使用本實施形態的研磨方法進行研磨之前,亦可使用預備研磨用組成物進行預備研磨。於合金材料之表面上,有因合金材料之加工或輸送所造成的傷痕存在之情況。以單一的研磨步驟來去除彼等傷痕而得到鏡面時,花費許多的時間而不經濟,有損害研磨面的平滑性之虞。藉由預備研磨步驟來去除合金表面的如其傷痕,可縮短其後使用研磨用組成物的研磨所需要的時間,可期待有效率地得到優異的鏡面。
以下,記載用於預備研磨步驟的預備研磨用組成物。
預備研磨用組成物較佳為具有比研磨用組成物高的研磨能力。具體地,預備研磨用組成物較佳為含有比研磨用組成物中的磨粒更高硬度且粒子尺寸大之磨粒。
作為預備研磨用組成物中所含有的磨粒之例,例如可舉出碳化矽、氧化鋁(礬土)、氧化鋯、鋯石、氧化鈰、二氧化鈦等,但不受此等所限定。於此等磨粒之中,特佳為使用氧化鋁。氧化鋁係不特別限定種類,例如可使用α-氧化鋁、δ-氧化鋁、θ-氧化鋁、κ-氧化鋁及其它結晶形態的氧化鋁。又,氧化鋁亦可含有鋁以外的矽、鈦、鐵、銅、鉻、鈉、鉀、鈣、鎂等之雜質元素。
再者,研磨對象物為硬脆材料,需要以更高速度研磨該研磨對象物時,較佳為使用以α-氧化鋁作為主成分的氧化鋁磨粒。於構成氧化鋁磨粒的氧化鋁之中,α-氧化鋁之比例較佳為20%以上,更佳為40%以上。氧化鋁磨粒中的α-氧化鋁之比例,係由X射線繞射測定的(113)面之X射線繞射的積分強度比求得。
預備研磨組成物中所含有的磨粒之平均粒徑較佳為0.1μm以上,更佳為0.3μm以上。磨粒的平均粒徑在上述範圍內時,預備研磨用組成物對合金材料的研磨速度升高。
預備研磨用組成物中所含有的磨粒之平均粒徑較佳為20μm以下,更佳為5μm以下。磨粒的平均粒徑在上述範圍內時,可容易得到低缺陷且面粗糙度小之研磨面。再者,磨粒的平均粒徑之測定,例如可使用雷射繞射/散射 式粒徑分布測定裝置,例如堀場製作所公司製的「LA-950」進行測定。
預備研磨用組成物中所含有的磨粒之比表面積較佳為20m2/g以下。磨粒之比表面積在上述範圍內時,藉由預備研磨用組成物之研磨對象物的研磨速度會升高。
預備研磨用組成物中所含有的磨粒之比表面積較佳為5m2/g以上。磨粒之比表面積在上述範圍內時,可容易得到低缺陷且面粗糙度小之研磨面。再者,磨粒之比表面積的測定,例如可使用Micromatrix公司製的「Flow SorbII 2300」進行測定。
預備研磨用組成物中的磨粒之含量較佳為0.5質量%以上,更佳為1質量%以上。磨粒之含量在上述範圍內時,藉由預備研磨用組成物之合金材料的研磨速度會升高。
預備研磨用組成物中的磨粒之含量較佳為20質量%以下,更佳為10質量%以下。磨粒之含量在上述範圍內時,除了減低預備研磨用組成物之製造成本,還可減低預備研磨後的合金表面之刮痕。
預備研磨用組成物的較佳pH係與研磨用組成物的pH同樣,隨著所研磨的合金之種類而不同。預備研磨用組成物的pH係可藉由眾所周知的酸、鹼、或彼等之鹽進行調整。
其中作為酸,使用有機酸,尤其甘醇酸、琥珀酸、馬來酸、檸檬酸、酒石酸、蘋果酸、葡糖酸或伊康酸於預備 研磨用組成物之pH調整時,藉由其作用於磨粒表面,而可期待研磨速度之升高。
其次,說明本實施形態的合金材料之研磨方法、及使用該研磨方法的合金材料之製造方法的作用。
於本實施形態中,使用含有磨粒及氧酸系氧化劑之研磨用組成物,來研磨含有主成分及與主成分在硬度不同之副成分的元素之合金。此時,研磨用組成物之安定性係升高,同時氧酸系氧化劑係將合金表面氧化而在合金表面上形成硬度高且脆的氧化皮膜,藉由磨粒來研磨其,可有效率地得到無表面缺陷的優異鏡面。
依照本實施形態的合金材料之研磨方法、及使用該研磨方法的合金材料之製造方法,可得到如以下之效果。
(1)依照本實施形態之研磨方法,可將合金材料之表面予以有效率地加工成優異的鏡面。
(2)藉由使用含有磨粒及氧酸系氧化劑之研磨用組成物,可提高研磨用組成物之安定性。
(3)藉由使用含有磨粒及氧酸系氧化劑之研磨用組成物來研磨合金材料,可得到表面平滑性優異的光澤鏡面之合金材料。
再者,上述實施形態亦可如以下地變更。
.研磨用組成物亦可藉由用水稀釋研磨用組成物的原液而調製。
.研磨用組成物係可為一劑型,亦可為由二種以上之劑所構成的多劑型。又,可使二種以上之劑通過各自的路 徑而供給至研磨裝置,在研磨裝置內混合彼等之劑而調製研磨用組成物。
[實施例]
其次,說明本發明之實施例及比較例。
(試驗1)
藉由用水稀釋平均粒徑為78nm之無表面修飾的膠態矽石,更添加氧化劑而調製組成1~4之研磨用組成物。 組成5之研磨用組成物係不添加氧化劑而調製。關於各研磨用組成物,表2中顯示膠態矽石的濃度與平均粒徑、氧化劑的種類與濃度、以及pH。
作為所研磨的合金,準備鋁合金。所使用的鋁合金之種類係如表3之「合金材料」欄中所示。使用組成1~5所準備之研磨用組成物,在表1記載之條件下進行各鋁合金之研磨。然後,用以下所示之方法,求得研磨速度、及研磨後的合金材料之研磨面的表面粗糙度,同時評價研磨用組成物的保管安定性。
再者,鋁合金係在使用組成1~5的研磨用組成物研磨之前被預備研磨,將以表面粗糙度Ra成為約20nm之方式經預備研磨的鋁合金之面當作研磨對象。又,表3之「合金材料」欄中所示的「5052」表示JIS H4000:2006中記載的合金號碼5052,「6063」表示JIS H4040:2006中記載的合金號碼6063。
<研磨速度>
於使用各研磨用組成物的研磨之前後,測定合金之重量。自研磨前後之重量之差,算出研磨速度。下述表3的「研磨速度」之欄中顯示其結果。
<表面粗糙度>
根據JIS B0601:2001中記載之方法,使用表面形狀測定機(商品名:ZYGO New View 5000 5032,Zygo公司製),將測定範圍設定在1.4mm×1.1mm,測定表示研磨後的合金材料之研磨面的表面粗糙度之「Ra」。「Ra」係表示粗糙度曲線的高度方向之振幅的平均之參數,表示一定視野內的合金材料表面之高度的算術平均。下述表3的「表面粗糙度Ra」之欄中顯示測定結果。
<保管安定性>
將各例所使用的研磨用組成物填充於半透明的塑膠瓶內,於25℃的環境下保存7日。然後,由裝有研磨用組成物的塑膠瓶之外觀,目視確認內容物的有無變化。若無變化則將保管安定性後評價為良好(○),於有沈澱或凝聚等的任何變化時,將保管安定性評價為不良(×)。下述表3的「安定性」之欄中顯示結果。
如表3中所示,於使用硝酸鹽作為氧化劑的實施例1~6中,與不含有氧化劑的比較例1、2之情況相比,可將表面粗糙度Ra壓低,得到優異的鏡面。於使用過氧化氫作為氧化劑的比較例3、4中,與實施例1~6之情況相比,確認安定性差。因此,比較例3、4所使用之研磨用組成物,可知在長期保存後使用時,對研磨後的合金表面之品質或研磨速度等之研磨效率有不良影響之虞。

Claims (10)

  1. 一種合金材料之研磨方法,其係含有主成分及0.5質量%以上之與前述主成分在維氏硬度(HV)差異5以上之副成分的元素之合金材料之研磨方法,其特徵為:使用含有磨粒及氧酸系氧化劑之研磨用組成物,研磨前述合金材料之表面。
  2. 如申請專利範圍第1項之合金材料之研磨方法,其中前述合金材料之主成分係從鋁、鈦、鐵、鎳及銅中選出的至少1種。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之合金材料之研磨方法,其中前述合金材料之主成分係鋁,副成分之元素係從矽、鎂、鐵、銅及鋅中選出的至少1種。
  4. 如申請專利範圍第1或2項之合金材料之研磨方法,其中前述氧酸系氧化劑係從硝酸、亞硝酸、次氯酸、草酸及彼等之鹽中選出的至少1種。
  5. 如申請專利範圍第1或2項之合金材料之研磨方法,其中前述氧酸系氧化劑係從硝酸及其鹽中選出的至少一種。
  6. 如申請專利範圍第1或2項之合金材料之研磨方法,其中前述磨粒係膠態矽石。
  7. 如申請專利範圍第1或2項之合金材料之研磨方法,其包含於使用前述研磨用組成物研磨前述合金材料之前,使用預備研磨用組成物預備研磨前述合金材料之步驟。
  8. 一種合金材料之製造方法,其包含使用如申請專利範圍第1或2項之合金材料之研磨方法研磨合金材料之步驟。
  9. 一種合金材料,其係使用如申請專利範圍第8項之製造方法來製造。
  10. 一種研磨用組成物,其係使用於如申請專利範圍第1或2項之合金材料之研磨方法中的研磨用組成物,其特徵為含有磨粒及氧酸系氧化劑。
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20170216993A1 (en) * 2014-08-07 2017-08-03 Fujimi Incorporated Composition for polishing titanium alloy material
KR102509973B1 (ko) * 2021-05-07 2023-03-14 에스케이엔펄스 주식회사 연마패드, 이의 제조방법 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조방법

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US1246068A (en) * 1913-05-21 1917-11-13 William E Dinwiddie Harmonic attachment for piano or organ keyboards.
JPS62236669A (ja) * 1986-04-07 1987-10-16 Kobe Steel Ltd 研磨剤
JPH01246068A (ja) * 1988-03-29 1989-10-02 Kobe Steel Ltd アルミニウム合金基板の鏡面仕上げ方法
JP2689706B2 (ja) * 1990-08-08 1997-12-10 上村工業株式会社 研磨方法
JP3463328B2 (ja) 1992-09-25 2003-11-05 日産化学工業株式会社 酸性シリカゾルの製造方法
JPH09150363A (ja) * 1995-11-27 1997-06-10 Nisshin Steel Co Ltd ステンレス鋼の高鏡面研磨方法及び高鏡面研磨液
KR19980019046A (ko) * 1996-08-29 1998-06-05 고사이 아키오 연마용 조성물 및 이의 용도(Abrasive composition and use of the same)
JPH10130633A (ja) * 1996-10-28 1998-05-19 Takehara:Kk ステンレス用研磨剤
US8092707B2 (en) * 1997-04-30 2012-01-10 3M Innovative Properties Company Compositions and methods for modifying a surface suited for semiconductor fabrication
JPH1180708A (ja) * 1997-09-09 1999-03-26 Fujimi Inkooporeetetsudo:Kk 研磨用組成物
US6276996B1 (en) * 1998-11-10 2001-08-21 Micron Technology, Inc. Copper chemical-mechanical polishing process using a fixed abrasive polishing pad and a copper layer chemical-mechanical polishing solution specifically adapted for chemical-mechanical polishing with a fixed abrasive pad
DE60014907T2 (de) * 1999-07-13 2006-03-09 Kao Corp. Schleifmittelzusammensetzung
CN1203529C (zh) * 1999-08-17 2005-05-25 日立化成工业株式会社 化学机械研磨用研磨剂及基板的研磨法
JP4841071B2 (ja) * 2001-08-01 2011-12-21 日新製鋼株式会社 ステンレス鋼バフ研磨用固形研磨剤
US8592314B2 (en) * 2005-01-24 2013-11-26 Showa Denko K.K. Polishing composition and polishing method
US8062096B2 (en) * 2005-06-30 2011-11-22 Cabot Microelectronics Corporation Use of CMP for aluminum mirror and solar cell fabrication
US20070117497A1 (en) * 2005-11-22 2007-05-24 Cabot Microelectronics Corporation Friction reducing aid for CMP
JP2007326183A (ja) * 2006-06-08 2007-12-20 Fdk Corp 磁気研磨液
JP4974986B2 (ja) * 2007-09-28 2012-07-11 富士フイルム株式会社 太陽電池用基板および太陽電池
DE102011112317B3 (de) * 2011-09-02 2013-02-28 Mühlbauer Ag Wendevorrichtung für Identifikationsgegenstände

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