TW201424933A - 硏磨方法及合金材料的製造方法 - Google Patents
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Abstract
研磨方法,係使用研磨墊與供給於研磨墊之研磨用組成物來研磨合金材料。研磨用組成物含有二氧化矽或氧化鋁所成之研磨料,在研磨終了時之研磨墊的表面溫度為20℃以下。合金材料之製造方法,係具有使用研磨墊與供給於研磨墊之研磨用組成物,研磨合金材料之研磨步驟。研磨用組成物係含有二氧化矽或氧化鋁所成之研磨料,在研磨終了時之研磨墊的表面溫度為20℃以下。
Description
本發明係關於合金材料之研磨方法及合金材料的製造方法。
合金材料因為具有比純金屬材料,更高之機械強度或耐藥品性、耐腐蝕性、耐熱性等優點,被使用在各種用途。於合金材料,例如實施研磨等加工(參照專利文獻1、2)。
〔專利文獻1〕日本特開平01-246068號公報
〔專利文獻2〕日本特開平03-228564號公報
本發明之目的係提供一種可輕易提高合金材料研磨面之平滑性之研磨方法及合金材料的製造方法。
為了解決上述課題,根據發明之一態樣,其係提供一種使用研磨墊與前述供給於研磨墊之研磨用組成物來研磨合金材料之研磨方法,前述研磨用組成物含有二氧化矽或氧化鋁所成之研磨料,在研磨終了時之前述研磨墊的表面溫度為20℃以下之研磨方法。
前述研磨方法,以將經切削加工之面、或於切削加工後將預備研磨之面作為研磨對象為佳。
前述合金材料以含有將鎂、鋁、鈦、鉻及鐵之任一種作為主成分為佳。
前述合金材料較佳為含有將鋁作為主成分,且含有0.5質量%以上選自矽、鎂、鐵、銅及鋅中至少一種之金屬元素。
於本發明之其他態樣,其係提供一種使用研磨墊與前述供給於研磨墊之研磨用組成物,具有研磨合金材料之研磨步驟之合金材料的製造方法,前述研磨用組成物含有由二氧化矽或氧化鋁所成之研磨料,在研磨終了時之前述研磨墊的表面溫度為20℃以下之製造方法。
根據本發明,使提高合金材料研磨面之平滑性變為容易。
以下,說明研磨方法及合金材料的製造方法之一實施形態。
本實施形態之研磨方法,將使用研磨墊與其供給於研磨墊之研磨用組成物來研磨合金材料。研磨用組成物係含有由二氧化矽或氧化鋁所成之研磨料。在研磨終了時之研磨墊的表面溫度為20℃以下。
研磨墊,例如係包含聚胺基甲酸乙脂型、不織布型、麂皮型、研磨料者,可為不包含研磨料之任一型。
高研磨速度成為必要時,較佳係使用比較硬質之研磨墊,例如聚胺基甲酸乙脂型或不織布型、尤其是包含研磨料者。
欲將合金材料之研磨面所產生之缺陷抑制為最小限時或研磨之合金為軟質容易劃傷時,較佳係使用比較軟質之研磨墊、例如不包含研磨料之麂皮型。
由二氧化矽(氧化矽)或氧化鋁(氧化鋁)所成之研磨料,將合金材料之表面進行物理性研磨之加工。據此,藉由使用含有由二氧化矽或氧化鋁所成之研磨料之研磨用組成物,提高合金材料之研磨速度。又,藉由使用含有由二氧化矽或氧化鋁所成之研磨料之研磨用組成物,更容易得到更平滑之研磨面。
研磨用組成物中所包含之研磨料之平均一次粒徑以5nm以上為佳,較佳為10nm以上,更佳為15nm以上。伴隨研磨料之平均一次粒徑之增大,而提高研磨速度。
研磨用組成物中所包含之研磨料之平均一次粒徑以400nm以下為佳,較佳為300nm以下,更佳為200nm以下。伴隨研磨料之平均一次粒徑之縮小。提高研磨面之平滑性。
研磨料之平均一次粒徑,可從藉由氮吸著法(BET法)之比表面積的測定值算出。
研磨用組成物中研磨料之含量以1質量%以上為佳,較佳為2質量%以上。伴隨研磨料之含量之增大,而提高研磨速度。
研磨用組成物中研磨料之含量以50質量%以下為佳,較佳為40質量%以下。伴隨研磨料含量之減少,除了減低研磨用組成物之製造成本,得到刮傷更少之研磨面。又,伴隨研磨料含量之減少,減少合金材料上所殘存之研磨料的量。其結果,使研磨後之合金材料的洗淨變為容易。
研磨用組成物可含有二氧化矽及氧化鋁以外之研磨料。作為二氧化矽及氧化鋁以外之研磨料,例如可列舉氧化鋯(Zirconia)、氧化鈰(Ceria)、氧化鈦(Titania)、氧化鉻、氧化鐵、碳化矽、及氮化矽。
研磨用組成物之pH以8.0~12.0範圍為佳,較佳為9.5~11.2之範圍。
合金材料係含有主成分之第1金屬種及與第1金屬種不同種類之第2金屬種。合金材料係基於主成分之第1金屬種而附的名稱。作為合金材料,例如可列舉鋁合金、鈦
合金、不銹鋼(將鐵作為主成分)、鎳合金、及銅合金。
鋁合金係含有將鋁作為主成分,例如進一步含有選自矽、鐵、銅、錳、鎂、鋅、及鉻中至少一種。鋁合金中鋁以外之金屬的含量,例如為0.1~10質量%。作為鋁合金,例如在日本工業規格JIS H4000:2006、JIS H4040:2006、及JIS H4100:2006所記載之合金編號中,可列舉2000系列、3000系列、4000系列、5000系列、6000系列、7000系列、及8000系列者。
鈦合金係含有將鈦作為主成分,例如進一步含有選自鋁、鐵、及釩中至少一種。鈦合金中鈦以外之金屬的含量,例如為3.5~30質量%。作為鈦合金,例如在JIS H4600:2012所記載之種類中,可列舉11~23種、50種、60種、61種、及80種。
不銹鋼係含有將鐵作為主成分,例如進一步含有選自鉻、鎳、鉬、及錳中一種。不銹鋼中鐵以外之金屬的含量,例如為10~50質量%。作為不銹鋼,例如在JIS G4303:2005所記載之種類記號中,可列舉SUS201、SUS303、SUS303Se、SUS304、SUS304L、SUS304NI、SUS305、SUS305JI、SUS309S、SUS310S、SUS316、SUS316L、SUS321、SUS347、SUS384、SUSXM7、SUS303F、SUS303C、SUS430、SUS430F、SUS434、SUS410、SUS416、SUS420J1、SUS420J2、SUS420F、SUS420C、SUS631J1。
鎳合金係含有將鎳作為主成分,例如進一步含有選自
鐵、鉻、鉬、及鈷中至少一種。鎳合金中鎳以外之金屬的含量,例如為20~75質量%。作為鎳合金,例如在JIS H4551:2000所記載之合金編號中,可列舉NCF600、NCF601、NCF625、NCF750、NCF800、NCF800H、NCF825、NW0276、NW4400、NW6002、NW6022。
銅合金係含有將銅作為主成分,例如進一步含有選自鐵、鉛、鋅、及錫中至少一種。銅合金中銅以外之金屬的含量,例如為3~50質量%。作為銅合金,例如在JIS H3100:2006所記載之合金編號中,可列舉C2100、C2200、C2300、C2400、C2600、C2680、C2720、C2801、C3560、C3561、C3710、C3713、C4250、C4430、C4621、C4640、C6140、C6161、C6280、C6301、C7060、C7150、C1401、C2051、C6711、C6712。
合金材料之主成分較佳為鎂、鋁、鈦、鉻及鐵之任一種。合金材料之主成分為鋁時,其合金材料較佳為含有0.5質量%以上選自矽、鎂、鐵、銅及鋅中至少一種。
作為成為合金材料研磨對象之面,例如可列舉經切削加工之面、切削加工後預備研磨之面、及研削加工之面。
於研磨方法,供給研磨用組成物於研磨墊,以將該研磨墊壓附在合金材料之狀態,使研磨墊與合金材料相對地移動。此研磨方法係藉由研磨裝置進行。作為研磨裝置,例如可列舉單面研磨裝置及兩面研磨裝置。
研磨裝置係具備保持合金材料之載體、固定研磨墊之
定盤、及使載體與定盤相對移動之驅動部。研磨裝置係具備進一步將研磨用組成物供給於研磨墊之供給部、與以相對於合金材料之特定荷重加壓研磨墊之加壓機構。定盤係具有冷卻固定研磨墊之面之冷卻機構。作為冷卻機構,例如可列舉流通冷卻媒體於定盤之冷卻機構或使用帕爾貼元件之冷卻機構。藉由具有如此之冷卻機構之定盤,可冷卻研磨墊。
研磨裝置係一邊供給研磨用組成物於壓附於合金材料之研磨墊,一邊藉由相對性移動定盤與載體研磨合金材料。一般而言,旋轉驅動保持定盤與複數合金材料之載體之兩者。然而,僅旋轉驅動定盤(研磨墊)及載體(合金材料)之一者即可。研磨係與定盤及載體至少一者之旋轉驅動一起開始。此時,藉由定盤之冷卻機構,控制研磨墊之表面溫度。研磨藉由停止定盤及載體之旋轉而終了。研磨終了時之研磨墊的表面溫度控制為20℃以下。
研磨墊之表面溫度係與合金材料接觸之研磨墊之面的溫度。在研磨終了時之研磨墊的表面溫度測定,於研磨終了後立即使用紅外線放射溫度計測定。終了研磨前之研磨墊的表面溫度可超過20℃。
但是,研磨墊之表面溫度,較佳為從研磨開始時至終了時都維持在20℃以下。研磨墊的表面溫度,從維持研磨用組成物之安定性觀點來看,以超過0℃為佳。
研磨墊的表面溫度較佳為超過0℃、15℃以下之範圍,更佳為5℃以上、12℃以下之範圍。
供給於研磨墊之研磨用組成物之溫度,係將研磨墊之表面溫度設定為維持在上述範圍內。從容易進行研磨墊表面溫度之設定觀點來看,供給於研磨墊之研磨用組成物之溫度較佳為25℃以下。
研磨對象之面的平滑性越低,研磨時間較佳為設定成越長。研磨時間,從提高研磨面之平滑性觀點來看,較佳為2分鐘以上,更佳為3分鐘以上,再更佳為5分鐘以上。例如經切削加工之面、或切削加工後預備研磨之面,一般而言平滑性為低。因此,將如此之面作為研磨對象時,研磨時間設定為5分鐘以上。研磨時間之上限,並未有特別限定,從藉由抑制過剩之研磨維持效率之觀點來看,例如以120分鐘以下為佳,60分鐘以下更佳。
一般而言,合金材料與研磨墊之間的荷重,亦即隨著研磨荷重變大,為了增大作用在合金材料之物理性力,而提高研磨速度。又,一般隨著研磨荷重變小,提高研磨面之平滑性。研磨荷重,例如以20~1,000g/cm2為佳,更佳為50~500g/cm2。
在研磨之線速度,一般係因應研磨墊之旋轉數、載體之旋轉數、合金材料之大小、及合金材料數量等而調整。
在研磨之線速度,例如以10~300m/分鐘為佳,,更佳為30~200m/分鐘。隨著提高線速度,得到高研磨速度。隨著線速度變低,使施加摩擦力於合金材料變為容易。
研磨終了後,亦即上述旋轉驅動停止後,停止定盤及載體之相對移動。又,解放定盤與載體之間的荷重。
其次,對於合金材料的製造方法進行說明。
合金材料的製造方法,係具有使用研磨墊與供給於研磨墊之研磨用組成物,研磨合金材料之研磨步驟。研磨用組成物係含有由二氧化矽或氧化鋁所成之研磨料。在研磨步驟終了時之研磨墊的表面溫度為20℃以下。在合金材料的製造方法之研磨步驟,因為與上述研磨方法相同,故省略詳細說明。
其次,對於研磨方法及合金材料的製造方法之作用進行說明。
開始研磨(研磨步驟)時,研磨墊的表面溫度,主要係藉由與合金材料之摩擦而產生的熱上昇。於本實施形態,在研磨終了時之研磨墊的表面溫度控制在20℃以下。
亦即,研磨墊的表面溫度隨著接近研磨終了而降低,或在研磨當中,維持控制在20℃以下。
合金材料所包含之複數金屬種,在研磨顯示不同之反應性。藉由此反應性的差異,使研磨面容易變為不均勻。
然而,於本實施形態藉由上述之研磨墊的溫度控制,推測因為在合金材料表面之複數金屬種間的反應性差異變小,而提高研磨面之平滑性。
合金材料經切削加工之面多數平滑性低、具有由於加工造成之損傷或毛邊。因此,經切削加工之面的平滑性藉由研磨提高時,需要更長的研磨時間。將經如此切削加工之面,例如即使為預備研磨的情況,提高該面之平滑性,一般需要比拋光研磨更長的研磨時間。亦即研磨經切削加
工之面、或切削加工後預備研磨之面時,研磨時間有設定為更長之傾向。此時,研磨面容易受到由於研磨墊的表面溫度上昇造成影響的結果,即使將研磨時間設定為更長,亦難以得到所期望的平滑性。根據控制研磨墊的表面溫度之本實施形態之方法,可將經切削加工之面、或切削加工後預備研磨之面研磨成更平滑的面。
本實施形態之方法,較佳為適用於表面粗糙度Ra之值為20nm以上之面,以適用於表面粗糙度Ra之值為30nm以上之面為更佳。本實施形態之方法,較佳係適用在用以得到表面粗糙度Ra之值為10nm以下之研磨面,以適用在用以得到表面粗糙度Ra之值為5nm以下之研磨面為更佳。本實施形態之方法,因為可得到具有高平滑性之研磨面,較佳係適用在作為拋光合金材料表面之拋光研磨。
以上述方法所研磨之合金材料的用途,並未特別限定,可使用在產生合金材料特性之各種用途。作為鋁合金之用途,例如可列舉建材或容器等之構造材料、汽車、船舶、航空機等之輸送機械、電化製品、及電子部件。作為鈦合金之用途,例如可列舉精密機器、裝飾品、工具、運動用品、及醫療部件。作為不銹鋼及鎳合金之用途,例如可列舉上述構造材料、輸送機械、工具、機械器具、及調理器具。銅合金之用途,可列舉裝飾品、食器、樂器、及電氣‧電子部件。
根據以上所詳述之本實施形態,發揮如以下之效果。
(1)根據本實施形態之研磨方法,使提高合金材料研磨面之平滑性變為容易。據此,例如可輕易得到具有光澤優異鏡面之合金材料。又,抑制研磨面缺陷的產生變為容易。
(2)本實施形態之研磨方法,於可提高經切削加工之面、或切削加工後預備研磨之面的平滑性者點尤其是有利。
(3)本實施形態之研磨方法,適合於含有作為主成分之鎂、鋁、鈦、鉻及鐵中任一種之合金材料的研磨。本實施形態之研磨方法,尤其是適合於含有鋁作為主成分,含有0.5質量%以上選自矽、鎂、鐵、銅及鋅中至少一種之金屬元素之合金材料的研磨。
(4)根據本實施形態之合金材料的製造方法,可輕易得到提高平滑性之合金材料。據此,例如可輕易得到具有光澤優異鏡面之合金材料。又,使抑制研磨面之缺陷的發生變為容易。
上述實施形態可變更成如以下。
‧研磨用組成物如有必要可進一步含有提高研磨料之分散性之分散劑。作為分散劑,例如可列舉水溶性聚合物或水溶性共聚物、該等之鹽及衍生物。作為水溶性聚合物、水溶性共聚物、該等之鹽及衍生物之例,可列舉聚丙烯酸鹽等之聚羧酸、聚膦酸、聚苯乙烯磺酸等之聚磺酸、黃原膠、海藻酸鈉等之多糖類、羥乙基纖維素、羧甲基纖維素等之纖維素衍生物、聚乙二醇、聚乙烯醇、聚乙烯基
吡咯烷酮、非離子性界面活性劑、陰離子性界面活性劑等。作為非離子性界面活性劑之具體例,例如可列舉聚氧乙烯烷基醚、聚氧乙烯烷基苯基醚、山梨醇酐單油酸酯、具有單一種或複數種氧伸烷單位之氧伸烷系聚合物等。作為陰離子性界面活性劑之具體例,例如可列舉烷基磺酸系化合物、烷基苯磺酸系化合物、烷基萘磺酸系化合物、甲基牛磺酸系化合物、烷基二苯基醚二磺酸系化合物、α-烯烴磺酸系化合物、萘磺酸縮合物、磺基琥珀酸二酯系化合物等。
‧研磨用組成物,如有必要可進一步含有pH調整劑、蝕刻劑、氧化劑、防腐蝕劑、螯合劑、分散助劑、防腐劑、防黴劑等之其他添加劑。
作為pH調整劑,可使用公知之酸、鹽基、及該等之鹽。作為可使用酸作為pH調整劑之具體例,例如可列舉鹽酸、硫酸、硝酸、氟氫酸、硼酸、碳酸、次亞磷酸、亞磷酸、及磷酸等之無機酸或甲酸、乙酸、丙酸、丁酸、吉草酸、2-甲基丁酸、n-己酸、3,3-二甲基丁酸、2-乙基丁酸、4-甲基戊酸、n-庚酸、2-甲基己酸、n-辛酸、2-乙基己酸、安息香酸、乙醇酸、水楊酸、甘油酸、草酸、丙二酸、琥珀酸、戊二酸、己二酸、庚二酸、馬來酸、苯二甲酸、蘋果酸、酒石酸、檸檬酸、乳酸、二乙醇酸、2-呋喃甲酸、2,5-呋喃二甲酸、3-呋喃甲酸、2-四氫呋喃甲酸、甲氧基乙酸、乙氧基苯基乙酸、及苯氧基乙酸等之有機酸。
作為可使用之鹽基作為pH調整劑,可列舉脂肪族胺、芳香族胺等之胺、氫氧化第四銨等之有機鹽基、氫氧化鉀等之鹼金屬之氫氧化物、鹼土類金屬之氫氧化物、及氨等。
又,取代前述之酸,或與前述之酸組合,可將前述酸之銨鹽或鹼金屬鹽等之鹽作為pH調整劑使用。
作為蝕刻劑之例,可列舉硝酸、硫酸、磷酸等之無機酸、乙酸、檸檬酸、酒石酸或甲烷磺酸等之有機酸、氫氧化鉀、氫氧化鈉等之無機鹼、氨、胺、第四級銨氫氧化物等之有機鹼等。
作為氧化劑之具體例,除了過氧化氫、過乙酸、過碳酸鹽、過氧化尿素、過氯酸鹽、過硫酸鹽等之外,可列舉硫酸、硝酸、磷酸等之含氧酸或其鹽等。
作為防腐蝕劑之具體例,例如除了胺類之外,可列舉包含吡啶類、四苯基鏻鹽、苯並三唑類、三唑類、四唑類、安息香酸等之單環式化合物、縮合環化合物之多環式化合物、雜環式化合物等。
作為螯合劑之具體例,可列舉葡糖酸等之羧酸系螯合劑、乙二胺、二乙烯三胺、三甲基四胺等之胺系螯合劑、乙二胺四乙酸、氮基三乙酸、羥乙基乙二胺三乙酸、三乙烯四胺六乙酸、二乙烯三胺五乙酸等之多胺基多羧酸系螯合劑、2-胺基乙基膦酸、1-羥基亞乙基-1,1-二膦酸、胺基三(亞甲基膦酸)、乙二胺肆(亞甲基膦酸)、二乙烯三胺五(亞甲基膦酸)、乙烷-1,1-二膦酸、乙烷-1,1,2-三膦
酸、甲烷羥基膦酸、1-膦丁烷-2,3,4-三羧酸等之有機膦酸系螯合劑、酚衍生物、1,3-二酮、胺基酸等。
作為分散助劑之具體例,可列舉焦磷酸鹽或六偏磷酸鹽等之縮合磷酸鹽等。作為防腐劑之例,可列舉次氯酸鈉等。作為防黴劑之例,可列舉噁唑-2,5-二酮等之噁唑啉等。
‧研磨用組成物可為一劑型,亦可為由二劑以上所構成之多劑型。
‧研磨用組成物所含有之各成分,可為於研磨用組成物製造之前立即藉由過濾器過濾處理者。又,研磨用組成物可為於使用之前立即藉由過濾器過濾。藉由過濾處理,去除研磨用組成物中的粗大異物以提高品質。
上述之過濾處理所使用之過濾器之材質及構造並未特別限定。作為過濾器之材質,例如可列舉纖維素、聚醯胺、聚碸、聚醚碸、聚丙烯、聚四氟乙烯(PTFE)、聚碳酸酯、玻璃等。作為過濾器之構造,例如可列舉深度過濾器、褶式過濾器、膜過濾器等。
‧使用研磨用組成物來研磨合金材料之際,回收一度研磨所使用之研磨用組成物,可再使用於合金材料之研磨。作為再使用研磨用組成物之方法,例如可列舉將從研磨裝置所排出之已使用完之研磨用組成物一次回收於槽內,從槽內再使其於研磨裝置內循環進行使用之方法。藉由再使用研磨用組成物,削減成為廢液之研磨用組成物的排出量,可減低研磨用組成物的使用量。如此,係有用於
從可減低環境負荷這點,及可抑制在合金材料研磨之成本這點。
再使用研磨用組成物時,研磨用組成物中之各成分藉由研磨而被消費或損失。因此,較佳為將各成分之減少分補充於研磨用組成物。補充之成分,可個別添加於研磨用組成物,或可將多數之成分因應循環槽之大小或研磨條件等於任意之比率混合之狀態添加於研磨用組成物。對於再使用之研磨用組成物藉由補充各成分之減少分,維持研磨用組成物之組成,可持續性發揮研磨用組成物的功能。
‧研磨用組成物亦可藉由將研磨用組成物之原液以水稀釋來調製。
‧作為研磨步驟之前步驟,可進行預備研磨步驟,作為研磨步驟之後步驟,可進一步進行研磨步驟。
其次,列舉實施例及比較例更具體說明上述實施形態。
於實施例1~6及比較例1~4,使用膠態二氧化矽(平均一次粒徑:80nm)作為研磨料。將膠態二氧化矽以水稀釋,藉由由氫氧化鉀調整pH為10.2,調製研磨用組成物。各實施例及比較例之研磨用組成物中研磨料之含量為22質量%。研磨料之平均一次粒徑藉由使用Micromeritics Tex公司製之“Flow SorbII 2300”之BET法從測定之研磨料之比表面積與研磨料之密度算出。
在各實施例及比較例,將表1之“合金材料”欄所示之鋁合金使用上述之研磨用組成物進行研磨。表1所示之鋁合金的名稱,係遵循日本工業規格JIS H4040:2006者。
在各實施例及比較例,為3個鋁合金之32mm×32mm的面,將各自表面粗糙度Ra成為約50nm之經預備研磨之面作為研磨對象。在研磨步驟之研磨條件表示於表2。研磨墊的表面溫度,藉由設定於定盤之冷卻機構來控制。
在研磨步驟,求得如以下之研磨墊的表面溫度、研磨速度、及在研磨步驟後之合金材料的研磨面之表面粗糙度。
使用紅外線放射溫度計,測定在研磨終了時之研磨墊的表面溫度。表面溫度之測定,研磨墊當中,係伴隨定盤之旋轉立即從合金材料分離前之位置,且從研磨墊之外周緣至徑方向內側,在研磨墊之以分隔直徑6分之1距離的位置進行。其結果表示在表1之“研磨墊的表面溫度”欄。
各實施例及比較例中,研磨墊的表面溫度係從研磨開始時至終了時,維持在表1所示之溫度以下,且5℃以上。
測定研磨前之合金材料的重量與研磨後之合金材料的重量,從研磨前後的重量之差算出研磨速度。其結果表示於表1之“研磨速度”欄。
表示在研磨步驟後之合金材料的研磨面之表面粗糙度“Ra”,使用表面形狀測定機(商品名:ZYGO New View 5000 5032、Zygo公司製),將測定範圍設定為1.4mm×1.1mm測定。“Ra”係表示粗糙曲線高度方向之振幅平均的參數,表示於一定視野內之合金材料表面的高度算術平均。測定結果表示於表1之“表面粗糙度Ra”欄。
如表1所示,於實施例1~3,研磨後合金材料之表面粗糙度Ra,成為比於比較例1及2更小之值。即使在實施例4~6,研磨後合金材料之表面粗糙度Ra亦成為比比較例3及4更小之值。從此結果,瞭解到於各實施例,容易得到具有比表面粗糙度Ra之值更小之研磨面之合金材料,亦即具有比即平滑性更高之研磨面之合金材料。
Claims (5)
- 一種研磨方法,其係使用研磨墊與供給於前述研磨墊之研磨用組成物來研磨合金材料的研磨方法,其特徵為前述研磨用組成物含有由二氧化矽或氧化鋁所成之研磨料,在研磨終了時之前述研磨墊的表面溫度為20℃以下。
- 如請求項1之研磨方法,其係於經切削加工之面、或於切削加工後所預備研磨之面作為研磨對象。
- 如請求項1或2之研磨方法,其中,前述合金材料為含有將鎂、鋁、鈦、鉻及鐵中任一種作為主成分。
- 如請求項1或2之研磨方法,其中,前述合金材料為含有將鋁作為主成分,且含有0.5質量%以上之選擇自矽、鎂、鐵、銅及鋅中至少一種之金屬元素。
- 一種合金材料的製造方法,其係具有研磨步驟之合金材料的製造方法,該研磨步驟係使用研磨墊與供給於前述研磨墊之研磨用組成物來研磨合金材料,其特徵為前述研磨用組成物含有二氧化矽或氧化鋁所成之研磨料,在研磨終了時之前述研磨墊的表面溫度為20℃以下。
Applications Claiming Priority (1)
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