TW201343887A - 研磨組合物 - Google Patents
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Abstract
本發明之研磨組合物係對形成於絕緣層上之包含鎢之金屬層進行研磨者，且包含：研磨粒；選自由碘酸、亞碘酸及次碘酸所組成之群中之1種以上之氫鹵酸；強酸；氫離子供給劑；及水。
Description
本發明係關於一種對形成於絕緣層上之包含鎢之金屬層進行研磨之研磨組合物。
於半導體元件之製造步驟中，使用化學機械研磨法(CMP法：Chemical Mechanical Polishing)，進行佈線構造之製造。
利用該CMP法之佈線構造之製造方法例如為如下方法：於形成於包含SiO或四乙氧基矽烷(TEOS)等之絕緣層上之凹部內及凹部周邊之絕緣層上表面上，形成障壁層及導體層等金屬層，直至上述絕緣層表面露出為止，對形成於凹部以外之絕緣層表面上之剩餘之金屬層利用包含研磨粒之研磨組合物進行研磨，並藉此除去，而形成埋設於上述凹部內之佈線。
作為上述導體層，使用鎢等金屬，作為上述障壁層，使用鈦、氮化鈦、鉭、氮化鉭等金屬。因此，CMP法使用之研磨組合物要求對包含上述導體層及障壁層等之金屬層之較高之研磨性。
另一方面，於為針對上述金屬層之腐蝕性較高之研磨組合物時，過量地除去上述凹部上之金屬層而發生於佈線上表面產生凹處之凹陷。
進而，於為針對上述金屬層之腐蝕性較高且對絕緣層之研磨速度較高之研磨組合物時，於微細之佈線用之凹部，發生與佈線上表面
一併，直至絕緣層進行腐蝕之侵蝕。
因發生此種凹陷或侵蝕，研磨面之平滑性降低。
因此，於CMP法中使用之研磨組合物，與對金屬層之較高之研磨性一併，要求抑制凹陷或侵蝕之產生。
但是，於對包含鎢等相對較硬之金屬之金屬層進行研磨之研磨組合物之情形時，難以抑制凹陷或侵蝕，並針對金屬層選擇性地使研磨速度提高。
作為用以利用CMP法對該包含鎢之金屬層進行研磨之研磨組合物，例如可列舉專利文獻1至7中所記載者。
於專利文獻1及2中記載有包含作為研磨粒之膠體氧化矽、及作為氧化劑之過氧化氫之研磨組合物。
於專利文獻3及4中記載有包含研磨粒、及過碘酸之研磨組合物。
該等研磨組合物係藉由過氧化氫或過碘酸等氧化劑於鎢上形成脆弱之氧化皮膜，並利用膠體氧化矽機械地對該氧化皮膜進行研磨者。
然而，該等研磨組合物有對鎢等金屬層之研磨速度較慢，研磨效率較差之問題。
於專利文獻5至7中記載有包含作為研磨粒之膠體氧化矽或煙霧狀二氧化矽、過碘酸、及硫酸銨之研磨組合物。
於該情形時，由於與過碘酸一併包含硝酸銨，故而雖然藉由硝酸銨之作用對金屬層之研磨速度稍微提高，但由於過碘酸對鎢等金屬之腐蝕作用較強，故而亦有難以抑制凹陷或侵蝕，又，使裝置腐蝕而產生銹之虞。
[專利文獻1]日本專利特開2008-135453號公報
[專利文獻2]日本專利特開2008-135452號公報
[專利文獻3]日本專利第4083528號公報
[專利文獻4]日本專利特開2003-59877號公報
[專利文獻5]日本專利第4083528號公報
[專利文獻6]日本專利特開2004-123880號公報
[專利文獻7]日本專利特開2004-123879號公報
因此，本發明鑒於如上所述之先前之問題，其課題在於提供一種研磨組合物，該研磨組合物可抑制凹陷或侵蝕等，並選擇性地以較高之研磨速度對形成於絕緣層上之包含鎢之金屬層進行研磨。
本發明之研磨組合物係一種對形成於絕緣層上之包含鎢之金屬層進行研磨者，且包含：研磨粒；選自由碘酸、亞碘酸及次碘酸所組成之群中之1種以上之氫鹵酸；強酸；氫離子供給劑；及水。
於本發明中，上述氫離子供給劑亦可為選自由包括強酸與弱鹼之鹽及弱酸所組成之群中之1種以上。
於本發明中，上述強酸亦可為選自由硝酸、鹽酸及硫酸所組成之群中之1種以上。
於本發明中，上述研磨粒亦可為煙霧狀二氧化矽。
圖1係表示本發明之一實施形態之研磨組合物之研磨速度的圖表。
圖2係表示本發明之一實施形態之研磨組合物之研磨速度與調配比率之關係的圖表。
圖3係表示使用研磨組合物進行研磨之情形之凹陷之狀態的圖表。
圖4係表示使用研磨組合物進行研磨之情形之侵蝕之狀態的圖表。
圖5係表示硝酸銨濃度、與鎢、TEOS膜研磨速度之關係的圖表。
圖6係表示氫離子供給劑之種類、與鎢、TEOS膜研磨速度之關係的圖表。
圖7係表示強酸之種類、與鎢、TEOS膜之研磨速度之關係的圖表。
圖8係表示研磨粒之種類、與鎢、TEOS膜之研磨速度之關係的圖表。
以下對本發明之研磨組合物進行說明。
本實施形態之研磨組合物係對形成於絕緣層上之包含鎢之金屬層進行研磨者，且包含下述A~D成分及水者。
(A)研磨粒
(B)氫鹵酸
(C)強酸
(D)氫離子供給劑
(A)研磨粒
於本實施形態之研磨組合物中包含研磨粒。上述研磨粒只要為
於CMP法用之研磨組合物中用作研磨粒者，則並無特別限定，例如可列舉：膠體氧化矽、煙霧狀二氧化矽、氧化鋁、氧化鈰、氮化矽、氧化鋯等，可單獨、或混合2種以上而使用該等。
其中，較佳為煙霧狀二氧化矽。於使用煙霧狀二氧化矽作為研磨粒之情形時，可抑制對絕緣層之研磨速度，並使對鎢之研磨速度提高，因此較佳。
(B)氫鹵酸
於本實施形態之研磨組合物中，包含選自由碘酸、亞碘酸及次碘酸所組成之群中之1種以上之氫鹵酸。上述各氫鹵酸可單獨，或混合2種以上而使用。
上述氫鹵酸作為對金屬層中所包含之鎢進行氧化之氧化劑而發揮作用。
上述選自由碘酸、亞碘酸及次碘酸所組成之群中之1種以上之氫鹵酸由於不腐蝕鎢且對鎢進行氧化之反應速度較快，故而作為研磨組合物之氧化劑較適合。
其中，尤其是碘酸係以不腐蝕鎢之程度而氧化力較高，且對鎢之氧化反應之速度較快，因此較佳。
(C)強酸
於本實施形態之研磨組合物中，包含強酸。
上述強酸藉由於研磨組合物中進行游離，供給於上述氫鹵酸對鎢進行氧化之氧化反應中成為必需之氫離子。
上述強酸並無特別限定，例如可列舉硝酸、鹽酸、硫酸等，可單獨、或混合2種以上而使用該等。
其中，由於不易產生腐蝕性氣體，且腐蝕研磨裝置等之虞較低，故而較佳為使用硝酸。
再者，所謂於本實施形態中所謂之強酸，係指第一酸解離常數
pKa1未達1之酸，所謂弱酸係指第一酸解離常數pKa1為1以上之酸。
(D)氫離子供給劑
於本實施形態之研磨組合物中，包含氫離子供給劑。
上述氫離子供給劑藉由如後述之反應，與上述強酸一併，供給於上述氫鹵酸對鎢進行氧化之氧化反應中成為必需之氫離子，同時維持氧化反應所需之氫離子濃度。
作為上述氫離子供給劑，較佳為選自由包括強酸與弱鹼之鹽、及弱酸所組成之群中之1種以上。
作為上述包括強酸與弱鹼之鹽，可列舉：硝酸銨、硫酸銨、氯化銨等。
作為上述弱酸，較佳為於酸性區域具有解離區域之弱酸，其中，較佳為磷酸、乳酸、馬來酸、草酸等。
由於包括強酸與弱鹼之鹽及弱酸均可於氫離子減少時穩定並供給氫離子，故而作為本實施形態之氫離子供給劑較適合。
作為上述氫離子供給劑，尤其是上述包括強酸與弱鹼之鹽可藉由其緩衝液效果穩定地供給氫離子，因此較佳。其中，就氫離子之供給效率之觀點而言，特佳地使用硝酸銨。
上述各包括強酸與弱鹼之鹽及弱酸可單獨，或混合2種以上而使用。
本實施形態之研磨組合物之上述A~D成分溶解於水中。
為抑制阻礙上述成分A~D之各種作用，上述水較佳為使用離子交換水等雜質儘量較少者。
於本實施形態之研磨組合物中，除上述A~D成分及水以外，亦可包含防腐蝕劑、抑制細菌(bacteria)或細菌之產生之物質等其他成分。
調配於本實施形態之研磨組合物中之上述氫鹵酸、強酸、氫離
子供給劑之各成分之調配量較佳為以滿足如下所述之關係之方式決定。
即，較佳為於將上述氫鹵酸對上述鎢進行氧化所需之氫離子濃度設為X莫耳/升之情形時，以自上述強酸及上述氫離子供給劑供給之氫離子濃度之合計Y莫耳/升、與上述氫離子濃度X滿足以下關係之方式，調配上述氫鹵酸、強酸及氫離子供給劑。
1.2×Y÷X>1‧‧‧(1)
例如，於利用氫鹵酸對鎢進行氧化之反應中，於使用碘酸作為氫鹵酸之情形時，於酸性溶液中，如下所述進行碘酸之游離及還原反應。
碘酸之游離：HIO3=H++IO3 -
碘酸之還原：IO3 -+6H++5e-=1/2I2+3H2O
即，於碘酸對鎢進行氧化之反應中，碘酸藉由氫離子X莫耳將1/6X莫耳還原。
另一方面，於使碘酸溶解於酸性溶液中之情形時，與上述相同，如下所述進行游離。
HIO3=IO3 -+H+
即，於將利用氫離子X莫耳還原之量之碘酸，即1/6X莫耳之碘酸調配於研磨組合物中之情形時，產生1/6X莫耳之氫離子，但僅該氫離子無法填補對鎢進行氧化所需之氫離子。
因此，調配強酸而供給鎢之氧化所需之氫離子。
於使用硝酸作為強酸之情形時，硝酸於研磨組合物中如下所述進行游離。
硝酸之游離：HNO3=NO3 -+H+
即，於將硝酸a莫耳調配於研磨組合物中之情形時，產生a莫耳之氫離子。若自上述碘酸與硝酸供給鎢之氧化所需之氫離子，則為了利
用上述氫離子X莫耳進行反應，於在一定量之研磨組合物中調配碘酸1/6X莫耳，並暫時調配硝酸a莫耳之情形時，若滿足1/6X+a>X，理論上進行鎢之氧化反應。
但是，於實際之研磨組合物中，僅供給來自強酸之氫離子，鎢之氧化反應速度未充分地提高。
該理由並不明確，但認為其原因大概在於，於僅自強酸供給氫離子之情形時，即便可使研磨組合物整體之氫離子成為必需量，亦難以將於發生氧化反應之時序且發生氧化反應之金屬層表面附近之氫離子調整為充分之量。
於本實施形態中，藉由將上述氫離子供給劑調配於研磨組合物中，於研磨組合物中，將有助於氧化反應之氫離子穩定且充分地供給至研磨組合物，其結果，可使鎢之氧化反應速度提高。
於使用硝酸銨作為上述氫離子供給劑之情形時，硝酸銨於溶液中如下所述進行游離。
硝酸銨之游離：NH4NO3=NH4 ++NO3 -
又，利用上述硝酸銨之游離產生之銨離子於還原反應中產生氫離子。
銨離子之還原反應：NH4 +=NH3+H+
即，於將硝酸銨b莫耳調配於一定量之研磨組合物中之情形時，產生b莫耳之氫離子。
於本實施形態之研磨組合物中，於作為可有效地提高對鎢之研磨速度之碘酸、硝酸及硝酸銨之調配量，為碘酸1/6X莫耳(利用氫離子X莫耳進行反應而成之量)、及硝酸a莫耳(產生氫離子a莫耳之量)、硝酸銨b莫耳(產生氫離子b莫耳之量)之情形時，變為如下述之關係。
1/6X+a+b>X，即，1.2×(a+b)÷X>1
此處，若將a+b設為Y，則獲得上述式(1)。
本實施形態之研磨組合物以滿足該式(1)之方式包含碘酸、硝酸及硝酸銨，藉此獲得對鎢之較高之研磨速度。
又，自上述式(1)，亦獲得下述式(2)。
1.2Y>X‧‧‧(2)
即，藉由使Y相對於鎢之氧化所需之氫離子量X之比率Y/X變為1.2以上，對鎢之研磨速度提高。
其中，為藉由滿足上述式(1)而提高研磨速度，上述氫鹵酸較佳為以鎢之氧化所需之氫離子濃度成為0.01莫耳/升以上，較佳為成為0.1莫耳/升以上且1.0莫耳/升以下之量進行調配。若為上述範圍，則包含作為對鎢進行氧化之氧化劑之必需量之氫鹵酸，無抑制氧化反應之虞。
本實施形態之研磨組合物之上述各成分(A)~(D)之具體之調配量例如為如下所述之範圍。再者，上述各成分(A)~(D)、及視需要而調配之其他成分之剩餘部分為水。
(A)研磨粒之調配量
調配於本實施形態之研磨組合物中之上述研磨粒之量例如為0.1質量%~20質量%，較佳為1質量%~10質量%，特佳為2質量%~5質量%。
若為上述範圍內，則可使對金屬層之研磨速度成為較佳之範圍，同時可抑制侵蝕或凹陷等之產生。
(B)氫鹵酸
調配於本實施形態之研磨組合物中之上述氫鹵酸之量例如為0.01質量%~10質量%，較佳為0.1質量%~3質量%，特佳為0.2質量%~1質量%。
若為上述範圍內，則可使對上述金屬層之研磨速度成為較佳之
速度之範圍。
於使用碘酸作為上述氫鹵酸之情形時，其調配量例如為0.01質量%~5質量%，較佳為0.1質量%~2質量%，特佳為0.2質量%~1質量%。
(C)強酸
調配於本實施形態之研磨組合物中之上述強酸之量例如為0.001質量%~5質量%，較佳為0.005質量%~1質量%，特佳為0.001質量%~0.2質量%。
若為上述範圍內，則可使對上述金屬層之研磨速度成為較佳之速度之範圍。
於使用硝酸作為上述強酸之情形時，其調配量例如為0.001質量%~2質量%，較佳為0.01質量%~0.5質量%，特佳為0.02質量%~0.1質量%。
(D)氫離子供給劑
調配於本實施形態之研磨組合物中之上述氫離子供給劑之量例如為0.01質量%~10質量%，較佳為0.1質量%~6質量%，特佳為0.3質量%~3質量%。
若為上述範圍內，則可使對上述金屬層之研磨速度成為較佳之速度之範圍。
又，上述氫離子供給劑與上述強酸較佳為以如下比率進行調配：以分別游離之氫離子之莫耳濃度比計，成為強酸：氫離子供給劑=1：1~1：50，較佳為1：2~1：12。
藉由以該比率進行調配，可使對上述金屬層之研磨速度成為更佳之速度之範圍。
於使用硝酸銨作為上述氫離子供給劑之情形時，其調配量例如為0.01質量%~10質量%，較佳為0.1質量%~5質量%，特佳為0.3質量
%~2質量%。
於包含上述其他成分之情形時，其調配量例如為2質量%以下，較佳為0.01質量%~2質量%。
再者，本實施形態之研磨組合物如上所述，但應認為此次揭示之實施形態就全部方面而言為例示，並非限制者。本發明之範圍藉由申請專利範圍，而並非上述說明表示，意圖包含與申請專利範圍均等之意義及於範圍內之全部變更。
根據本發明，可抑制凹陷或侵蝕等，並選擇性地以較高之研磨速度對形成於絕緣層上之包含鎢之金屬層進行研磨。
即，由於可對形成於絕緣層上之包含鎢之金屬層以較高之研磨速度進行研磨，同時可抑制對絕緣層之研磨速度，故而可選擇性地對金屬層進行研磨。又，由於對金屬層之腐蝕性較低，故而可抑制凹陷或侵蝕等。
於本發明中，上述氫離子供給劑亦可為選自由包括強酸與弱鹼之鹽及弱酸所組成之群中之1種以上。於該情形時，上述氫離子供給劑為與強酸一併供給於上述氫鹵酸對金屬層進行研磨時成為必需之氫離子者，但藉由使用包括強酸與弱鹼之鹽及/或弱酸作為上述氫離子供給劑，可使鎢之氧化所需之氫離子穩定地含有於研磨組合物中，更提高金屬層之研磨速度。
又，於本發明中，於使用選自由硝酸、鹽酸及硫酸所組成之群中之1種以上作為上述強酸之情形時，可充分地供給於上述氫鹵酸對金屬層進行研磨時成為必需之氫離子，更提高金屬層之研磨速度。
進而，於本發明中，於使用煙霧狀二氧化矽作為研磨粒之情形時，可更抑制對絕緣層之研磨速度，並使對金屬層之研磨速度提高。
以下對本發明之實施例進行說明，但本發明並不限定於該等。
製作下述表1所示之調配量之各研磨組合物。
再者，使用之材料如下所述。
(A)研磨粒：煙霧狀二氧化矽(比表面積85m2/g)
(B)碘酸：50%(表中之質量%為以HIO3計之質量%)
(C)硝酸：61%(表中之質量%為以HNO3計之質量%)
(D)硝酸銨：純度99%(表中之質量%為以HH4NO3計之質量%)
將上述(A)~(D)之各成分及離子交換水放入至容器內並進行混合，調整實施例1至4、及比較例1之研磨組合物。
又，比較例2及3分別以表1所示之量，調配氨代替C成分之強酸，作為D成分變更上述硝酸銨而調配以下者。
磷酸：85%(表中之質量%為以H3PO4計之質量%)
馬來酸：99%(表中之質量%為以C4H4O4計之質量%)
氨：29%(表中之質量%為以NH3計之質量%)
將各研磨組合物中之碘酸進行氧化反應所需之氫離子之莫耳濃度設為X，將自硝酸供給至研磨組合物中之氫離子(a)、與自硝酸銨供給之氫離子(b)之合計(a+b)之莫耳濃度設為Y之情形之1.2×Y、及1.2Y÷X之值分別示於表中。
再者，關於比較例1，設為b=0即Y=c，關於比較例2，將自氨與磷酸供給之氫離子之合計之濃度設為Y，關於比較例3，將自氨與馬來酸供給之氫離子之合計之濃度設為Y，算出各自之值。
於以下條件下，進行晶圓之研磨，並進行各研磨速度之測定。
研磨裝置：EPO222D(荏原製作所公司製造)
研磨墊：IC1000 AT KA1B Pad DN1 29.1" PJP6：BA05 A6(NITTA HAAS公司製造)
壓盤速度：80/83rpm
研磨荷重表面壓力：5.5psi
研磨組合物之流量：150ml/min
被研磨物：
被研磨物1：於矽晶圓(直徑200mm)之表面被覆有厚度0.8μm(=8000Å)之鎢層之晶圓
被研磨物2：於矽晶圓(直徑200mm)之表面被覆有厚度1.0μm(=10000Å)之TEOS層之晶圓
被研磨物3：於矽晶圓之表面形成有由TEOS及鎢所得之TEG(Test Element Group，測試元件組)圖案層之晶圓(TEOS層未露出者)
研磨時間：60s
研磨速度係藉由研磨厚度除以研磨時間，求出每單位時間之研磨速度。
研磨厚度係於研磨前及研磨後對上述被研磨物1之晶圓表面之鎢層之厚度進行測定，並自研磨前之鎢層之厚度減去研磨後之鎢層之厚度，藉此而求出。
再者，研磨厚度之測定係使用薄層電阻測定測試機裝置(裝置名：RT-80，NAPSON公司製造)而進行測定。
將結果示於表1及圖1。
由表1及圖1明確，與不包含D成分之比較例1，及不包含作為C成分之強酸之比較例2、3相比，各實施例之研磨速度較高。
又，圖2中表示取1.2Y÷X之值為橫軸，對各實施例及比較例之研磨速度與1.2Y÷X之關係進行繪製之圖表。
由圖2之圖表可知，若1.2Y÷X之值超過1.0，則研磨速度急遽地提高。
其次，以與上述實施例1至4、比較例1至3相同之方式，以表2所示之調配量製作實施例5至10及比較例4至9之各研磨組合物。
比較例5及6製成不包含D成分之研磨組合物。
比較例7及8變更B成分之碘酸，調配下述過碘酸。
過碘酸：50%(表中之質量%為以HIO4計之質量%)
比較例9及10為下述市售品之研磨組合物。
市售品A：Fujimi Incorporated公司製造，商品名「PLANERLITE-5107」(過碘酸系研磨組合物)
市售品B：Cabot公司製造，商品名「Semi-SperseW2000」(過氧化氫系研磨組合物)
以與上述實施例1至4、比較例1至3相同之方式，使用實施例5至10及比較例4至9之各研磨組合物，對鎢之研磨速度進行測定。
使用實施例5至10及比較例4至9之各研磨組合物，利用以下方法對被研磨物2之TEOS膜之研磨速度進行測定。
研磨速度藉由用研磨厚度除以研磨時間，求出每單位時間之研磨速度。
研磨厚度係於研磨前及研磨後對上述被研磨物2之晶圓表面之TEOS層之厚度進行測定，並自研磨前之TEOS層之厚度減去研磨後之TEOS層之厚度，藉此而求出。
再者，研磨厚度之測定係使用穿透式膜厚測定裝置(裝置名：OP2600，THERMA-WAVE公司製造)而進行測定。
算出用上述鎢之研磨速度除以上述TEOS之研磨速度之比。
對將實施例5至10及比較例4至9之各研磨組合物加熱至50℃，並將附鎢膜之試片浸漬於研磨組合物中1分鐘時之鎢膜之厚度之減少量進行測定。
以目視對將實施例5至10及比較例4至9之各研磨組合物加熱至50℃，並將SUS303試片(20mm×20mm×3mm)浸漬於研磨組合物中1週時之鏽之產生之有無進行確認。將產生銹者判定為不良，將未產生者判定為良。
對凹陷及侵蝕進行測定。
測定方法如下所述。
利用與上述研磨條件相同之研磨，使用實施例5至10及比較例4至9之各研磨組合物，對被研磨物3進行研磨。
研磨時間設為直至自矽晶圓上之鎢TEG圖案中TEOS膜露出為止。
其後，凹陷係對50μm寬度線、50%密度部位，侵蝕係對1μm寬度線、17%密度部位，使用P-12、TENCOR公司製造進行測定。
將結果示於表2。
由表2明確，與不包含D成分之比較例4及5相比，各實施例之研磨速度較高。
又，包含過碘酸代替B成分之碘酸之比較例6及7對SUS之腐蝕性較高，又，鎢之腐蝕性(蝕刻速度)亦較高。
又，作為過氧化氫系之市售之研磨組合物之比較例9對SUS之腐蝕性較低，但對鎢之腐蝕性較高。
進而，如表2、圖3及4所示，於使用實施例5之研磨中，凹陷及侵蝕與比較例9相比極小。
又，圖5利用條形圖分別表示比較例4、及實施例5、6、7、9、10之鎢研磨速度、TEOS研磨速度、鎢/TEOS研磨速度比。
由圖5明確，於使硝酸銨濃度變為0%、0.1%、0.5%、1.0%、2.0%、3.0%之情形時，TEOS研磨速度幾乎不變，但鎢研磨速度為0.5%以上，變大，即，對鎢之選擇性變高。
以如表3所示之調配量，製作代替硝酸使用鹽酸、硫酸作為強酸之實施例11及12之研磨組合物，代替硝酸銨使用硫酸銨、草酸作為氫離子供給劑之實施例13及14之研磨組合物，如上所述對鎢研磨速度、
TEOS研磨速度進行測定。再者，為進行比較，將實施例5記載於表3中。又，使用之材料除上述者以外使用下述者。
鹽酸：36%(表中之質量%為以HCl計之質量%)
硫酸：98%(表中之質量%為以H2SO4計之質量%)
硫酸銨：99%(表中之質量%為以(NH4)2SO4計之質量%)
草酸：98%(表中之質量%為以H2C2O4計之質量%)
將結果示於表3、及圖6、7。
作為實施例15至18，以表4中記載之調配量製作研磨組合物，如上所述對鎢研磨速度、TEOS研磨速度進行測定。
再者，使用之研磨粒如下所述。
煙霧狀二氧化矽A：平均粒徑130nm
煙霧狀二氧化矽B：平均粒徑150nm
膠體氧化矽A：平均粒徑130nm
膠體氧化矽B：平均粒徑50nm
將結果示於表4及圖8。
Claims (5)
- 一種研磨組合物，其係對形成於絕緣層上之包含鎢之金屬層進行研磨者，且包含：研磨粒；選自由碘酸、亞碘酸及次碘酸所組成之群中之1種以上之氫鹵酸；強酸；氫離子供給劑；及水。
- 如請求項1之研磨組合物，其中上述氫離子供給劑為選自由包括強酸與弱鹼之鹽及弱酸所組成之群中之1種以上。
- 如請求項1或2之研磨組合物，其中上述強酸為選自由硝酸、鹽酸及硫酸所組成之群中之1種以上。
- 如請求項1或2之研磨組合物，其中上述研磨粒為煙霧狀二氧化矽。
- 如請求項3之研磨組合物，其中上述研磨粒為煙霧狀二氧化矽。
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