TW201431924A - 被覆氧化鎂粉末及其製造方法 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種導熱性及耐濕性優異，用作對樹脂之填充材時之填充性優異，且填充後之樹脂組成物之流動性較高，結果成形性優異之被覆氧化鎂粉末。本發明之被覆氧化鎂粉末具有：氧化鎂粉末，其於水銀壓入式孔隙分佈中，顯示出粒子內空隙量為0.3~0.8 cm3/g、最頻粒徑為0.2~1.0 μm、及反曲點徑為0.9 μm以上；及被覆層，其位於該粉末之表面之至少一部分，由磷酸鎂系化合物所構成；並且被覆氧化鎂粉末中之磷之含量為0.1~10質量%。

Description

被覆氧化鎂粉末及其製造方法
本發明係關於一種可用作對樹脂之填充材的被覆氧化鎂粉末、及其製造方法。又，本發明係關於一種包含上述被覆氧化鎂粉末之樹脂組成物、及由該樹脂組成物所構成之散熱性構件。
電子器件係由積層體、印刷配線板、多層配線板等電子零件所構成。於電子零件中，通常樹脂組成物被用於預浸料、間隔件、密封劑、接著性片材等，從而對該樹脂組成物要求各種各樣之性能或特性。例如，作為最近之傾向，出現電子器件中之大電容功率元件之搭載、高密度之安裝，伴隨於此，對樹脂組成物及其應用品要求較先前更優異之散熱性、耐濕性。
半導體密封用之樹脂組成物所使用之填充材(填料)先前一直使用二氧化矽(silica)、氧化鋁(alumina)。然而，二氧化矽之導熱性較低，對應於因高積體化、高電力化、高速化等所致之發熱量之增大的散熱並不充分，故而會於半導體之穩定動作等方面產生問題。另一方面，若使用導熱性高於二氧化矽之氧化鋁，則散熱性得到改善，但由於氧化鋁之硬度較高，故而有混練機或成型機及模具之磨耗變激烈之問題。
因此，業界研究了導熱率比二氧化矽高1位數且具有氧化鋁之約2倍之導熱率的氧化鎂作為半導體密封用樹脂填充材之材料。然而，氧化鎂粉末之吸濕性大於二氧化矽粉末。因此，於將氧化鎂粉末用作半導體密封用樹脂填充材之情形時，會發生如下問題：被吸收之水與氧化鎂水合，使填充材之體積膨脹，由此導致產生龜裂(crack)、導熱性降低等。因此，對用作半導體密封用樹脂填充材之氧化鎂粉末賦予耐濕性在保證半導體之長期之穩定動作方面成為較大課題。
作為改善氧化鎂粉末之耐濕性的方法，於專利文獻1及專利文獻2中揭示有如下被覆氧化鎂粉末之製造方法，其特徵在於：將鋁鹽或矽化合物與氧化鎂粉末混合，過濾分離固體成分，使之乾燥並進行煅燒，藉此利用包含鋁或矽與鎂之複合氧化物(multiple oxide)之被覆層被覆該氧化鎂粉末之表面。
先前技術文獻
專利文獻
專利文獻1：日本專利特開2003-34522號公報
專利文獻2：日本專利特開2003-34523號公報
然而，藉由上述方法所獲得之被覆氧化鎂粉末雖然耐濕性得到改善，但粉末粒子呈現有稜角之形狀，故而存在對樹脂之填充性較低，進而所獲得之樹脂組成物之流動性較低的問題。
本發明之目的在於解決上述課題，提供一種導熱性及耐濕性優異，並且於進而用作對樹脂之填充材時，填充後之樹脂組成物之流動性較高，結果成形性優異之被覆氧化鎂粉末及其製造方法。本發明之另一目的在於提供一種包含該被覆氧化鎂粉末之樹脂組成物、及由該樹脂組成物所構成之散熱性構件。
本發明係關於一種被覆氧化鎂粉末，其特徵在於具有：氧化鎂粉末，其於水銀壓入式孔隙分佈中，顯示出粒子內空隙量為0.3~0.8cm3/g、最頻粒徑為0.2~1.0μm、及反曲點徑為0.9μm以上；及被覆層，其位於上述氧化鎂粉末之表面之至少一部分，由磷酸鎂系化合物所構成；並且被覆氧化鎂粉末內之磷之含量為0.1~10質量%。
又，本發明亦關於一種填充材，其係由該被覆氧化鎂粉末所構成。
進而，本發明亦關於一種樹脂組成物，其含有樹脂、及該填充材。該樹脂組成物可用作接著劑或半導體密封劑等之散熱性構件。
進而又，本發明亦關於一種被覆氧化鎂粉末之製造方法，其特徵在於：藉由在1000℃~1200℃下煅燒包含100~1000ppm之B、300ppm以下之Na、300ppm以下之K、0.02~0.5質量%之Cl，且包含換算成SiO2為0.02~0.5質量%之Si、換算成CaO為0.1~0.8質量%之Ca的純度98%以上之氫氧化鎂，而獲得氧化鎂粉末後，將上述氧化鎂粉末與磷化合物混合並於300℃以上進行煅燒，藉此於上述氧化鎂粉末之表面之至少一部分形成由磷酸鎂系化合物所構成之被覆層。
根據本發明，可提供一種導熱性及耐濕性優異，並且於進而用作對樹脂之填充材時之填充性優異，且填充後之樹脂組成物之流動性較高，結果成形性優異之被覆氧化鎂粉末。
圖1係拍攝實施例1中所製造之被覆氧化鎂粉末而獲得之電子顯微鏡照片。
以下，具體說明本發明。
本發明之被覆氧化鎂粉末係具有顯示出特定物性之氧化鎂粉末、及形成於其表面之由磷酸鎂系化合物所構成之被覆層者。由磷酸鎂系化合物所構成之被覆層可形成於氧化鎂粉末之整個表面，或者亦可僅形成於氧化鎂粉末之表面之一部分。未被由磷酸鎂系化合物所構成之被覆層所被覆之氧化鎂粉末表面可露出。
於本發明中，氧化鎂粉末滿足粒子內空隙量為0.3~0.8cm3/g、最頻粒徑為0.2~1.0μm、及反曲點徑為0.9μm以上。藉由於此種氧化鎂粉末之表面形成由磷酸鎂系化合物所構成之被覆層，可將本發明之被覆氧化鎂粉末適宜地用作導熱性之填充材。
再者，各測定值係於水銀壓入式孔隙分佈測定裝置中測得之數值。
反曲點徑、及粒子內空隙量可根據累積孔隙容積曲線而求出，於累積孔隙容積曲線中，縱軸表示每單位重量試樣之自較大之孔隙依序求出之粒子之孔隙容積之累積值即累積孔隙容積，橫軸表示孔隙直徑。
所謂反曲點係累積孔隙容積曲線急遽上升之點。根據測定試樣，反曲點之數量並不限於1個，有存在複數個之情形，但將孔隙直徑最大之反曲點設為本發明之反曲點。反曲點徑係反曲點之孔隙直徑。
若反曲點徑未達0.9μm，則細小之粒子之量增加，故而於填充至樹脂中時會產生急遽之黏度上升。較佳為反曲點徑為0.9~1.5μm。
粒子內空隙量係小於存在於粒子內之凝聚粒徑之空隙的量，粒子內空隙量係以孔隙直徑0.003×10-6~100×10-6m中之累積孔隙容積所表示之總孔隙容積減去上述反曲點中之累積孔隙容積所得之容積所表示。
若氧化鎂粉末之粒子內空隙量未達0.3cm3/g，則粒子中之空隙較少，於粒子中未浸透充分量之樹脂，樹脂組成物之機械強度惡化。又，導熱性亦降低。另一方面，若粒子內空隙量超過0.8cm3/g，則粒子內空隙存在至粒子深處，故而樹脂未充分遍佈至空隙內部，於粒子與樹脂之間產生氣泡而導熱性降低。較佳為粒子內空隙量為0.3~0.7cm3/g。
最頻粒徑可根據水銀壓入式孔隙分佈測定而求出，其係與log微分孔隙容積分佈曲線之最大值對應的孔隙直徑。於利用水銀壓入測定裝置測定本發明之氧化鎂粒子之孔隙分佈之情形時，最頻粒徑對應於氧化鎂粒子彼此之間之空隙之直徑。若氧化鎂粉末之最頻粒徑未達0.2μm，則細小之粒子之量增加，故而於填充至樹脂時會產生急遽之黏度上升。另一方面，若最頻粒徑超過1.0μm，則較大之粒子之量增加，故而樹脂組成物 之機械強度惡化。又，導熱性亦降低。較佳為最頻粒徑為0.3~1.0μm。
於此種氧化鎂粉末上形成由磷酸鎂系化合物所構成之被覆層。藉由該被覆層，可改善氧化鎂粉末之耐濕性。所謂磷酸鎂系化合物係以例如組成式：MgxPyOz(x=1~3、y=2、z=6~8)所表示之化合物。
本發明之被覆氧化鎂粉末由於具有由磷酸鎂系化合物所構成之被覆層，故而含有磷作為構成元素。磷之含量相對於本發明之被覆氧化鎂粉末為0.1~10質量%。藉由於此種範圍內包含磷，可將本發明之被覆氧化鎂粉末設為耐濕性優異者。若磷之含量未達0.1質量%，則無法發揮出充分之耐濕性。相反，若磷之含量超過10質量%，則磷酸鎂系化合物不僅被覆氧化鎂粉末之表面，而且該磷酸鎂系化合物單獨形成粒子或者被覆層過厚，因而有導熱性降低之缺點。
本發明之被覆氧化鎂粉末具有填充至樹脂中時之填充性優異且填充後之樹脂組成物之流動性較高之優點，因此可適宜地調配至樹脂中作為填充材。作為本發明中可使用之樹脂，例如可列舉熱硬化性樹脂、或熱塑性樹脂。作為熱硬化性樹脂並無特別限定，例如可列舉：酚樹脂、脲樹脂、三聚氰胺樹脂、醇酸樹脂、聚酯樹脂、環氧樹脂、鄰苯二甲酸二烯丙酯樹脂、聚胺基甲酸酯樹脂、或聚矽氧樹脂。作為熱塑性樹脂並無特別限定，例如可列舉：聚醯胺樹脂、聚縮醛樹脂、聚碳酸脂樹脂、聚對苯二甲酸丁二酯樹脂、聚碸樹脂、聚醯胺醯亞胺樹脂、聚醚醯亞胺樹脂、聚芳酯樹脂、聚苯硫醚樹脂、聚醚醚酮樹脂、氟樹脂、或液晶聚合物。
本發明之樹脂組成物中之被覆氧化鎂粉末之調配量只要根據對於樹脂組成物所要求之特性而適當決定即可，並無特別限定。但是， 作為一例，相對於樹脂100質量份，於被覆氧化鎂粉末0.1~100質量份之範圍內使用即可。
包含本發明之被覆氧化鎂粉末之樹脂組成物根據其樹脂之特性而可用於各種領域。但是，本發明之被覆氧化鎂粉末之導熱性優異，故而尤其適宜用於要求散熱性之用途。又，本發明之樹脂組成物可用作導熱性及耐濕性優異之半導體密封材料。
其次，對製造本發明之被覆氧化鎂粉末之方法進行說明。
首先，藉由煅燒氫氧化鎂，獲得顯示出特定物性之氧化鎂。藉由將供煅燒之氫氧化鎂中所含之各雜質元素之濃度預先調節為特定濃度，且將煅燒時之溫度設定於1000~1200℃之範圍，可獲得顯示出特定物性之氧化鎂。
氫氧化鎂中之異種元素如下所述。B(硼)：100~1000ppm(較佳為300~800ppm)、Na(鈉)：300ppm以下(較佳為200ppm以下)、K(鉀)：300ppm以下(較佳為200ppm以下)、Cl(氯)：0.02~0.5質量%(較佳為0.15~0.3質量%)、Si(矽)：以SiO2換算為0.02~0.5質量%(0.05~0.15質量%)、Ca：以CaO換算為0.1~0.8質量%(較佳為0.2~0.5質量%)。再者，該等異種元素之濃度調整可利用先前方法進行。例如，於B不足之情形時可添加硼酸、或硼酸鎂進行調整。於Cl不足之情形時可添加鹽酸、或氯化鎂等進行調整。於Si不足之情形時可添加矽酸鈉、矽酸鎂、或矽酸鈣等進行調整。於鈣不足之情形時可添加氫氧化鈣、氧化鈣、或碳酸鈣等進行調整。
若氫氧化鎂中之B超過1000ppm，或者Na或K超過300 ppm，則所獲得之氧化鎂不滿足上述粒子內空隙量及/或反曲點徑之條件。又，於氫氧化鎂中之Ca在以CaO換算為0.1~0.8質量%之範圍外之情形，或者Si在以SiO2換算為0.02~0.5質量%之範圍外之情形時，所獲得之氧化鎂不滿足上述最頻粒徑及/或反曲點徑之條件，形狀亦不會變成帶有圓形之形狀。作為氫氧化鎂，較佳為使用純度為98%以上者。
進而，煅燒氫氧化鎂時之溫度較佳為1000~1200℃之範圍。若煅燒溫度未達1000℃，則所獲得之氧化鎂不滿足上述粒子內空隙量、最頻粒徑及/或反曲點徑之條件。又，若煅燒溫度超過1200℃，則所獲得之氧化鎂不滿足上述最頻粒徑及/或反曲點徑之條件。煅燒爐、及煅燒時間並無特別限定，只要為於上述溫度下氫氧化鎂可轉化為氧化鎂之煅燒爐、及煅燒時間即可。
視需要使用粉碎機，將如上所述煅燒氫氧化鎂而獲得之氧化鎂加以粗粉碎。藉此可獲得氧化鎂粉末。將該氧化鎂粉末與磷化合物混合，視需要於120℃~200℃左右之溫度下進行乾燥處理後，利用球磨機(ball mill)等加以粉碎而獲得粉末。將該粉末於300℃以上進行煅燒，藉此可獲得於表面之至少一部分形成有由磷酸鎂系化合物所構成之被覆層的氧化鎂粉末。
作為上述磷化合物，只要為可與氧化鎂反應而形成磷酸鎂系化合物之化合物，則並無特別限定，例如可列舉：磷酸、磷酸鹽、酸式磷酸酯。該等可單獨使用，或者亦可併用2種以上。較佳為酸式磷酸酯。作為酸式磷酸酯，可列舉：酸式磷酸異丙酯、酸式磷酸2-乙基己酯、酸式磷酸油酯、酸式磷酸甲酯、酸式磷酸乙酯、酸式磷酸丙酯、酸式磷酸丁酯、 酸式磷酸月桂酯、酸式磷酸硬脂酯。
磷化合物之使用量調節為磷相對於最終產物之類的被覆氧化鎂粉末整體之含量成為0.1~10質量%即可。例如磷化合物可使用相對於氧化鎂粉末為5~10質量%左右之量。
煅燒時之溫度為300℃以上，較佳為300~700℃左右。作為一例，可列舉於500℃下煅燒1小時。藉由該煅燒，使磷化合物轉化為磷酸鎂系化合物，藉此可於氧化鎂粉末表面形成由磷酸鎂系化合物所構成之被覆層。
實施例
以下，揭示實施例更詳細地說明本發明，但本發明並不受該等實施例所限定。
(雜質元素之濃度測定法)
關於Ba及P，於將試樣溶解於酸之後，使用ICP發光分析裝置(商品名：SPS-5100，Seiko Instruments製造)測定質量，藉此算出試樣中之濃度。
關於Cl，於將試樣溶解於酸之後，使用分光光度計(商品名：UV-2550，島津製作所製造)測定質量，藉此算出試樣中之濃度。
關於Si及Ca，使用螢光X射線裝置(商品名：SPS-5100，Seiko Instruments製造)測定試樣中之濃度。其中，分別以SiO2換算及CaO換算之濃度表示。
關於Na及K，使用原子吸光光度計(商品名：Z-2300，Hitachi High-Technologies製造)測定試樣中之濃度。
(BET比表面積測定法)
使用比表面積測定裝置(商品名：Macsorb 1210，Mountech公司製造)，利用氣體吸附法測定比表面積。
(孔隙分佈之測定)
孔隙分佈(反曲點徑、粒子內空隙量、及最頻粒徑)之測定
利用水銀壓入式孔隙分佈測定所獲得之反曲點徑、粒子內空隙量、與log微分孔隙容積分佈曲線之最大值對應之孔隙直徑(最頻粒徑)係於以下條件下求出。水銀壓入式孔隙分佈測定裝置係使用MicroMetrics公司製造之AutoPore 9410進行測定。再者，水銀係使用純度99.5mass%以上、密度13.5335×103kg/m3之特級水銀試劑。測定單元係使用單元內容積5×10-6m3、管心柱(stem)容積0.38×10-6m3之粉體試樣用單元。測定試樣係將預先以330目標準篩(JIS-R8801-87)集中粒徑之試樣於質量0.10×10-3~0.13×10-3kg之範圍內精密稱量，並填充至測定單元。將測定單元安裝於裝置後，使單元內部於壓力50μHg(6.67Pa)以下保持為減壓狀態20分鐘。其次，於測定單元內填充水銀直至壓力變成1.5psia(10342Pa)為止。其後，於壓力為2psia(13790Pa)至60000psia(413.7MPa)之範圍內壓入水銀，測定孔隙分佈。
將水銀之壓入壓力換算成孔隙直徑時，係使用下述(I)式(Washburn式)。
D=-(1/P)．4γ．cosΨ (I)
此處，D：孔隙直徑(m)；P：水銀之壓入壓力(Pa)；γ：水銀之表面張力(485 dvne．cm-1(0.485Pa．m))； Ψ：水銀之接觸角(130°=2.26893 rad)。
(耐濕性之測定方法)
稱量試樣10g置於淺底盤中，並設置於恆溫恆濕機(85℃、85Rh%)內。於該狀態下保持1週後，以120℃之乾燥機乾燥一晚。乾燥後稱量重量，算出重量增加率。
(導熱率之測定方法)
製作使添加有本發明品之樹脂完全硬化而成之尺寸為直徑13mm、厚度2mm之高導熱率樹脂組成物之樣品，利用雷射閃光法於30~100℃之範圍內測定熱擴散率。裝置係使用NETZSCH製造之LFA-457。測定比熱且利用阿基米德法測定比重，算出作為熱擴散率、比熱與密度之積的導熱率。
(熔融流動速率(melt flow rate)之測定方法)
依據JIS-K7210，於測定溫度230℃、荷重2.16Kg下對樹脂組成物進行測定。
(樹脂組成物之製造方法)
熔融流動速率之測定中所使用之樹脂組成物係以如下順序製備而成。
於使EEA(乙烯-丙烯酸乙酯共聚物)100g熔融後，一面觀察混練狀態一面以約10分鐘逐次少量地添加填料333g，進而進行10分鐘之最終混練。此時之輥間隔為0.5mm。
混練結束後，剝離複合物，將所回收之複合物裁斷成5mm見方左右，以真空乾燥機於90℃下乾燥1小時，製成熔融流動速率測定用試樣。
(磷酸鎂系化合物之組成之測定方法)
使用X射線繞射裝置(商品名：RINT-Ultima III，Rigaku製造)，利用使用有Cu-K α射線之X射線繞射法測定磷酸鎂系化合物被覆層之組成。
(實施例1)
將以使煅燒而成之氧化鎂中之CaO成為0.23質量%、SiO2成為0.07質量%、Cl成為0.16質量%、B成為402ppm、Na成為11ppm、K成為9ppm之方式調整而成的純度99.2%之氫氧化鎂於電爐中於1100℃下煅燒1小時，藉此製成氧化鎂。
將該氧化鎂以Power Mill壓碎後，對氧化鎂添加5重量%之作為酸式磷酸酯之酸式磷酸異丙酯。其後，於120℃下乾燥2小時後，以球磨機加以粉碎，於500℃下進行1小時之煅燒，獲得目標之被覆氧化鎂粉末。
基於上述方法，對所獲得之被覆氧化鎂粉末測定雜質元素之濃度、BET比表面積、孔隙分佈、耐濕性、導熱率、及熔融流動速率，將結果示於表1。
又，基於上述方法，測定所獲得之被覆氧化鎂粉末表面之被覆層之組成，結果判明為Mg2P2O7。
圖1係所獲得之被覆氧化鎂粉末之電子顯微鏡照片。被覆氧化鎂粉末之粒子形狀為球狀。此處，所謂球狀之粉末係指由無角之帶有圓形之形狀之粒子所構成之粉末，相對於此，所謂不定形之粉末係指由複數個晶粒結合而成之有角之粒子所構成之粉末。
(實施例2)
將氫氧化鎂之煅燒溫度變更為1175℃，除此以外，於與實施例1相同之條件下獲得被覆氧化鎂粉末。與實施例1同樣地進行各物性之測定，將 結果示於表1。
(實施例3)
以氧化鎂之CaO濃度成為0.48質量%之方式進行調整，除此以外，於與實施例1相同之條件下獲得被覆氧化鎂粉末。與實施例1同樣地進行各物性之測定，將結果示於表1。
(實施例4)
以氧化鎂之SiO2濃度成為0.12質量%之方式進行調整，除此以外，於與實施例1相同之條件下獲得被覆氧化鎂粉末。與實施例1同樣地進行各物性之測定，將結果示於表1。
(實施例5)
以氫氧化鎂之B濃度成為700ppm之方式進行調整，除此以外，於與實施例1相同之條件下獲得被覆氧化鎂粉末。與實施例1同樣地進行各物性之測定，將結果示於表1。
(實施例6)
以氫氧化鎂之Na濃度成為200ppm之方式進行調整，除此以外，於與實施例1相同之條件下獲得被覆氧化鎂粉末。與實施例1同樣地進行各物性之測定，將結果示於表1。
(實施例7)
以氫氧化鎂之K濃度成為200ppm之方式進行調整，除此以外，於與實施例1相同之條件下獲得被覆氧化鎂粉末。與實施例1同樣地進行各物性之測定，將結果示於表1。
(實施例8)
以被覆氧化鎂粉末中之磷之含量成為0.18質量%之方式變更酸式磷酸酯之使用量，除此以外，於與實施例1相同之條件下獲得被覆氧化鎂粉末。與實施例1同樣地進行各物性之測定，將結果示於表1。
(實施例9)
以被覆氧化鎂粉末中之磷之含量成為4.6質量%之方式變更酸式磷酸酯之使用量，除此以外，於與實施例1相同之條件下獲得被覆氧化鎂粉末。與實施例1同樣地進行各物性之測定，將結果示於表1。
(比較例1)
將氫氧化鎂之煅燒溫度變更為950℃，除此以外，於與實施例1相同之條件下獲得被覆氧化鎂粉末。與實施例1同樣地進行各物性之測定，將結果示於表2。
(比較例2)
將氫氧化鎂之煅燒溫度變更為1400℃，除此以外，於與實施例1相同之條件下獲得被覆氧化鎂粉末。與實施例1同樣地進行各物性之測定，將結果示於表2。
(比較例3)
將氫氧化鎂之CaO濃度變更為1質量%，除此以外，於與實施例1相同之條件下獲得被覆氧化鎂粉末。與實施例1同樣地進行各物性之測定，將結果示於表2。
(比較例4)
將氫氧化鎂之SiO2濃度變更為4質量%，除此以外，於與實施例1相同之條件下獲得被覆氧化鎂粉末。與實施例1同樣地進行各物性之測定，將 結果示於表2。
(比較例5)
將氫氧化鎂之B濃度變更為1200ppm，除此以外，於與實施例1相同之條件下獲得被覆氧化鎂粉末。與實施例1同樣地進行各物性之測定，將結果示於表2。
(比較例6)
將氫氧化鎂之Na濃度變更為400ppm，除此以外，於與實施例1相同之條件下獲得被覆氧化鎂粉末。與實施例1同樣地進行各物性之測定，將結果示於表2。
(比較例7)
將氫氧化鎂之K濃度變更為400ppm，除此以外，於與實施例1相同之條件下獲得被覆氧化鎂粉末。與實施例1同樣地進行各物性之測定，將結果示於表2。
(比較例8)
以磷相對於被覆氧化鎂粉末整體之含量成為0.058質量%之方式變更酸式磷酸酯之使用量，除此以外，於與實施例1相同之條件下獲得被覆氧化鎂粉末。與實施例1同樣地進行各物性之測定，將結果示於表2。
(比較例9)
以磷相對於被覆氧化鎂粉末整體之含量成為12.1質量%之方式變更酸式磷酸酯之使用量，除此以外，於與實施例1相同之條件下獲得被覆氧化鎂粉末。與實施例1同樣地進行各物性之測定，將結果示於表2。

Claims (13)

  1. 一種被覆氧化鎂粉末，其特徵在於具有：氧化鎂粉末，其於水銀壓入式孔隙分佈中，顯示出粒子內空隙量為0.3~0.8cm3/g、最頻粒徑為0.2~1.0μm、及反曲點徑為0.9μm以上；及被覆層，其位於上述氧化鎂粉末之表面之至少一部分，由磷酸鎂系化合物所構成；並且被覆氧化鎂粉末中之磷之含量為0.1~10質量%。
  2. 如申請專利範圍第1項之被覆氧化鎂粉末，其中上述磷酸鎂系化合物係由組成式：MgxPyOz(x=1~3、y=2、z=6~8)所表示。
  3. 一種填充材，其係由申請專利範圍第1或2項之被覆氧化鎂粉末所構成。
  4. 一種樹脂組成物，其含有樹脂、及申請專利範圍第3項之填充材。
  5. 如申請專利範圍第4項之樹脂組成物，其中上述樹脂為熱硬化性樹脂。
  6. 如申請專利範圍第5項之樹脂組成物，其中上述熱硬化性樹脂為酚樹脂、脲樹脂、三聚氰胺樹脂、醇酸樹脂、聚酯樹脂、環氧樹脂、鄰苯二甲酸二烯丙酯樹脂、聚胺基甲酸酯樹脂、或聚矽氧樹脂。
  7. 如申請專利範圍第4項之樹脂組成物，其中上述樹脂為熱塑性樹脂。
  8. 如申請專利範圍第7項之樹脂組成物，其中上述熱塑性樹脂為聚醯胺樹脂、聚縮醛樹脂、聚碳酸脂樹脂、聚對苯二甲酸丁二酯樹脂、聚碸樹脂、聚醯胺醯亞胺樹脂、聚醚醯亞胺樹脂、聚芳酯樹脂、聚苯硫醚樹脂、聚醚醚酮樹脂、氟樹脂、或液晶聚合物。
  9. 一種散熱性構件，其係由如申請專利範圍第4至8項中任一項之樹脂組成物所構成。
  10. 一種被覆氧化鎂粉末之製造方法，其特徵在於：藉由在1000℃~1200℃下煅燒包含100~1000ppm之B、300ppm以下之Na、300ppm以下之K、0.02~0.5質量%之Cl，且包含換算成SiO2為0.02~0.5質量%之Si、換算成CaO為0.1~0.8質量%之Ca的純度98%以上之氫氧化鎂，而獲得氧化鎂粉末後，將上述氧化鎂粉末與磷化合物混合並於300℃以上進行煅燒，藉此於上述氧化鎂粉末之表面之至少一部分形成由磷酸鎂系化合物所構成之被覆層。
  11. 如申請專利範圍第10項之製造方法，其中上述磷化合物為選自由磷酸、磷酸鹽、及酸式磷酸酯所組成之群中之1種以上之化合物。
  12. 如申請專利範圍第11項之製造方法，其中上述磷化合物為選自由酸式磷酸異丙酯、酸式磷酸2-乙基己酯、酸式磷酸油酯、酸式磷酸甲酯、酸式磷酸乙酯、酸式磷酸丙酯、酸式磷酸丁酯、酸式磷酸月桂酯、及酸式磷酸硬脂酯所組成之群中之1種以上之酸式磷酸酯。
  13. 如申請專利範圍第10至12項中任一項之製造方法，其中以被覆氧化鎂粉末中之磷之含量成為0.1~10質量%之方式使用上述磷化合物。
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