TW201427526A - 核心基板及其製造方法與具有內建電子元件之基板及其製造方法 - Google Patents

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Yee-Na Shin
Yul-Kyo Chung
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Abstract

本發明有關一種核心基板及其製造方法與具有內建電子元件之基板及其製造方法。依據本發明實施例，核心基板包括：一第一隔離層；以及一第二隔離層，堆疊(stack)在該第一隔離層的上及下表面，該第二隔離層係由一種材料所製成，該材料的玻璃轉換溫度(glass transition temperature)低於該第一隔離層的玻璃轉換溫度。

Description

核心基板及其製造方法與具有內建電子元件之基板及其製 造方法
本發明是有關於一種核心基板及其製造方法與具有內建電子元件之基板及其製造方法。
為了在製造傳統封裝基板時縮小曲折(warpage)，具 有低熱擴係數(Coefficient of Thermal Expansion, CTE)的核心材料以及增層(build-up)材料已被使用。在嵌入式基板中的例子中，孔穴(cavity)係被製成在核心基板上；電子元件被併入(incorporate)其中。此時，若基板的整體厚度是均勻的，由於整個基板的曲折因具有低CTE的核心增厚而變小，故厚的核心係被使用。對應地，電子元件所併入其中之核心的孔穴間隙的體積會增加；可能產生無法有效填入孔穴間隙在增層材料中的空洞缺陷(void failure)。而且，為了降低曲折，增層材料採用具有低CTE的材料，由於在具有低CTE之材料的例子中樹脂的量係相對小；產生無法 填補孔穴間隙之缺陷的危險會變大。
[相關技藝文件]
[專利文件]
專利文件1：美國公開專利案號第2011/0225816(公開於2011年9月22日)
因此，本發明之一目的在於提出一種被用於製成具 有內建(built-in)電子元件之基板的核心基板、以及具有內建電子元件之基板，改良了機械(mechanical)特性與可靠度。
本發明之另一目的在於提出用於製造核心基板與具 有內建電子元件之基板的方法，改良在機械特性與可靠度。
為了克服上述問題，依據本發明一第一實施例，提 出一種核心基板包括：一第一隔離層；以及一第二隔離層，堆疊(stack)在該第一隔離層的上及下表面，該第二隔離層係由一種材料所製成，該材料的玻璃轉換溫度(glass transition temperature)低於該第一隔離層的玻璃轉換溫度。
此時，於一例子中，核心基板更包括一金屬層，堆 疊在該第二隔離層的上及下表面。
再者，在另一例子中，第一隔離層包括一熱塑樹脂 (thermoplastic resin)。
而且，在一例子中，第一隔離層係一半硬化 (semi-hardening)隔離層，且該第二隔離層係一硬化隔離層。
再者，為了克服上述問題，依據本發明第二實施例， 提出一種具有內建電子元件之基板，包括：一核心基板，被提供一孔穴(cavity)，該核心基板包含一第一隔離層及一第二隔離層，該第二隔離層堆疊在該第一隔離層的上及下表面，其中該第二隔離層係由一種材料所製成，該材料的玻璃轉換溫度低於該第一隔離層的玻璃轉換溫度；以及一電子元件，被一隔離材料固定，該隔離材料藉由被置入該孔穴流動(flown)自該第一隔離層。
此時，在一例子中，具有內建電子元件之基板更包 括一電路圖案層，形成在核心基板之該第二隔離層的上及下表面。
再者，在一例子中，第一隔離層包括一熱塑樹脂。
再者，在一例子中，具有內建電子元件之基板更包 括一第三隔離層，用於藉由被堆疊在該第二隔離層上而覆蓋該電路圖案層。
此時，一間隙(gap)係形成在該孔穴的側壁(sidewall) 及該電子元件之間，而該間隙係被填入該第三隔離層以及該第一隔離層。
再者，為了克服上述問題，依據第三實施例，提出 一種具有內建電子元件之基板之製造方法，包括：準備一核心基板，該核心基板被提供一孔穴，該核心基板包含一第一隔離層及一第二隔離層，該第二隔離層堆疊在該第一隔離層的上及下表 面，其中該第二隔離層係由一種材料所製成，該材料的玻璃轉換溫度低於該第一隔離層的玻璃轉換溫度；置入該電子元件至該孔穴中；以及藉由熱壓縮(thermal compress)該電子元件所置入之該核心基板，透過流入該第一隔離層的隔離材料至該孔穴與該電子元件間的間隙，固定該電子元件。
此時，在一例子中，該核心基板更包括一金屬層形 成在該第二隔離層，且更包括藉由製成該金屬層形成一電路圖案。
再者，此時，具有內建電子元件之基板之製造方法 更包括形成一第三隔離層以覆蓋該第二隔離層與該電路圖案。
此時，該間隙係被填入該第三隔離層以及該第一隔 離層。
再者，在一例子中，準備該核心基板包括堆疊該第 二隔離層在該第一隔離層的上及下表面；以及壓縮該第二隔離層及該第一隔離層在一溫度，該溫度低於該第一隔離層的該玻璃轉換溫度，且高於該第二隔離層的該玻璃轉換溫度。
再者，在一例子中，熱壓縮該核心基板係在一高於該第一隔離層的該玻璃轉換溫度的溫度下被執行。
為了對本發明之上述及其他方面有更佳的瞭解，下文特舉較佳實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下：
10‧‧‧核心基板
10a‧‧‧孔穴
10b‧‧‧穿孔
11‧‧‧第一隔離層
13‧‧‧第二隔離層
15、35‧‧‧金屬層
15’‧‧‧電路圖案層
17‧‧‧底塗層樹脂
20‧‧‧電子元件
30‧‧‧第三隔離層
第1圖繪示依照本發明實施例之核心基板的示意圖。
第2A圖及第2B圖繪示依照本發明另一實施例之核心基板的示意圖。
第3A圖至第3D圖繪示依照本發明另一實施例之核心基板之製造方法的各步驟的示意圖。
第4A圖及第4B圖繪示依照本發明另一實施例之具有內建電子元件之基板的示意圖。
第5A圖至第5E圖繪示依照本發明另一實施例之具有內建電子元件之基板之方法的各步驟的示意圖。
為達成上述目的之本發明實施例將參照相關圖示說明如下。於說明書中，相同的元件係以相同的標號表示，而重覆或對本發明之意含有限縮性敘述的額外說明，將予以省略
於說明書中，當元件係敘述為「連接或耦接至」或「設置於」另一元件時，其係表示「直接」連接或耦接至或「直接」設置於另一元件，或經由其間的再一元件而連接或耦接或設置於另一元件，除非其係表示為「直接耦接或連接至」或「直接設置於」另一元件。
雖然說明書中使用單數形式，然除非與本發明之概念相違背或明確地敘明，單數形式之使用概念亦可表示為複數形式。需知此處使用的某些術語如「具有」、「包含」以及「包括」 並不排除一個或多個其他元件其及組合的存在或加入。
說明書中所參照的圖式，係用於範例性地說明本發明之實施例，圖式中之形狀、尺寸、厚度可能被誇飾，以助於理解技術特徵。
核心基板
首先，依照本發明第一實施例之核心基板將參照圖式被詳細說明。此時，未提及在參考圖式中的參考數字可以是在另外圖式中代表相同元件的參考數字。
第1圖繪示依照本發明實施例之核心基板的示意圖；第2A圖及第2B圖繪示依照本發明另一實施例之核心基板的示意圖。
請參照第1圖，依照一範例之核心基板包括第一隔離層11及一第二隔離層13。此時，第二隔離層13係被貼附(attach)至第一隔離層11的上及下表面。
第一隔離層11可包含一隔離材料，該隔離材料具有一玻璃轉換溫度(glass transition temperature)Tg，其高於第二隔離層13的玻璃轉換溫度。在核心基板的製造過程中，由於用以形成一中間(intermediate)層的第一隔離層11的玻璃轉換溫度係高於第二隔離層13的玻璃轉換溫度，當第二隔離層13於一恆溫(constant temperature)下被壓縮時，第二隔離層13可被硬化(solidify)，此恆溫例如是低於第一隔離層11的玻璃轉換溫度且高 於第二隔離層13的玻璃轉換溫度。此時，當具有內建(build-in)電子元件的基板在之後被製造時，由於第二隔離層13的硬化已經完成，樹脂流(resin flow)不會於孔穴(參照第4A圖及第5A圖的參考數字10a)中產生。然而，由於沒有在核心基板製造過程中進行固化之作為置入至中間位置之一層的第一隔離層11保持在未固化(uncured)的狀態，在後來之具有內建電子元件的基板的製造過程中，於電子元件被置入至孔穴(參照第4A圖及第5A圖的參考數字10a)之後，假設當堆疊在第一隔離層11上及下方周圍區域的第二隔離層13被熱壓縮，作為中間層的第一隔離層11的材料以一流動狀態流入孔穴10a及電子元件之間的間隙，從而固定電子元件。據此，在孔穴10a與內建電子元件(參照第4A圖及第5B圖中的參考數字20)之間的空間中，可以避免空洞(void)的形成。
在一例子中，第一隔離層11可包含熱塑樹脂 (thermoplastic resin)。例如，藉由形成第一隔離層11作為包含熱塑樹脂之材料，假設當電子元件被併入至核心基板(參照第4A圖及第5A圖中的參考數字10)的孔穴10a中時，藉由熱壓縮第一隔離層材料以一流動狀態流入孔穴10a及內建電子元件之間的空間，從而固定電子元件(參照第4A圖及第5A圖中的參考數字20)。
再者，在一例子中，第一隔離層11可以是一半固化 (semi-cured)隔離層。由於第一隔離層11係半固化隔離層，例如，假設當電子元件20係併入核心基板(參照第4A圖及第5A圖中的 參考數字10)的孔穴10a時，若第二隔離層13被壓縮，作為中間層的第一隔離層材料以一流動狀態流入孔穴10a及內建電子元件之間的空間，從而固定電子元件20。此時，核心基板10的第二隔離層13可以是一固化隔離層。
之後，請參照第1圖，第二隔離層13被堆疊在第一 隔離層11的上及下區域。舉例來說，第二隔離層13可以是一固化隔離層。舉例來說，在核心基板的製造過程中，半固化之第二隔離層係堆疊在第一隔離層11的上及下區域，且係被固化以形成核心基板，即固化之第二隔離層堆疊在第一隔離層之上及下區域者。而且再者，第二隔離層13可為預浸漬體(Prepreg)層。而且再者，在一例子中，第二隔離層13可以是熱同(thermosetting)材料或熱塑材料。
而且，再者，請參照第2A圖及第2B圖，在一例子 中，核心基板10可更包含一金屬層15。此時，金屬層15係被堆疊在第二隔離層13的上及下區域，亦即，分別地，第二隔離層13的上區域堆疊在第一隔離層11的上區域而第二隔離層13的下區域堆疊在第一隔離層11的下區域。舉例來說，如第2A圖所示，金屬層15係直接貼附在第二隔離層13上，或如第2B圖所示，金屬層15可藉由一貼附樹脂(attaching resin)或底塗層樹脂(primer resin)被貼附在第二隔離層13上。舉例來說，金屬層15可以是銅箔(copper foil)，然亦不限於此。
核心基板之製造方法
接著，依據本發明第二實施例之核心基板的製造方法將配合圖式詳細說明。此時，依上述第一實施例及第1圖至第2B圖的核心基板可被參照，而且，對應地，重複的解釋會被省略。
第3A圖至第3D圖繪示依照本發明另一實施例之核心基板之製造方法的各步驟的示意圖。
請參照第3A圖，依照一範例之核心基板的製造方法藉由堆疊一第二隔離層13在第一隔離層11的上及下區域，形成一核心基板。第二隔離層13具有一玻璃轉換溫度，其係高於第一隔離層11的玻璃轉換溫度。亦即，核心基板之製造方法包含步驟：準備第一隔離層；以及堆疊第二隔離層。
首先，在準備第一隔離層的步驟中，第一隔離層11係被準備。此時，第一隔離層11的材料具有一玻璃轉換溫度，其係高於第二隔離層13的玻璃轉換溫度，第二隔離層13會被堆疊在第一隔離層11的上及下區域。據此，在核心基板的製造過程中，藉由將玻璃轉換溫度高於第一隔離層11之玻璃轉換溫度之材料的第二隔離層13堆疊在第一隔離層11的上及下區域，若第二隔離層13係藉由在預定溫度(例如是低於第一隔離層11的玻璃轉換溫度且高於第二隔離層13的玻璃轉換溫度的溫度)被熱壓縮而被固化，具有低玻璃轉換溫度的第二隔離層13係被固化，而作為中間層之第一隔離層11保持未固化。對應地，在未來具有內建電子元件之基板的製造過程中，電子元件(參照第4A圖及第5B 圖的參考數字20)係被置入形成在核心基板(參照第4A圖及第5A圖的參考數字10)的孔穴(參照第4A圖及第5A圖的參考數字10a)，若先前固化之第二隔離層係被熱壓縮，作為中間層的第一隔離層11成為流體狀態而流入至孔穴10a及電子元件之間的空間，藉以固定電子元件20。亦即，在具有內建電子元件之基板的製造過程中，樹脂流動發生在作為中間隔離層的第一隔離層11中。
舉例來說，在核心基板之製造過程中，施壓溫度 (press temperature)係高於第二隔離層13的玻璃轉換溫度，且也可在低於作為中間隔離層之第一隔離層11的玻璃轉換溫度的溫度範圍中被壓縮(compressed)。另一方面，以製造具有內建電子元件之基板為例，為了固定電子元件(參照第4A圖及第5B圖的參考數字20)，藉由在高於作為中間隔離層之第一隔離層11的玻璃轉換溫度的溫度進行壓縮，孔穴10a的間隙可藉由允許作為中間層之第一隔離層11成為流動狀態而被填滿。此時，假設當核心基板的第一隔離層11先前係為半固化狀態，以製造具有內建電子元件之基板為例，雖然其係壓縮在低於第一隔離層11的玻璃轉換溫度的溫度，第一隔離層11可以流入至孔穴10a的間隙中。
在另一例子中，第一隔離層11可包含熱塑樹脂。由 於第一隔離層11係熱塑樹脂，舉例來說，在具有內建電子元件之基板的製造過程中，電子元件20係置入形成在核心基板10的孔穴10a，若核心基板10的第二隔離層13係被熱壓縮，作為熱塑 樹脂的第一隔離層11以一流動狀態輕易地流入至孔穴10a與電子元件之間的空間，從而固定電子元件20。
再者，在一例子中，第一隔離層11可以是半固化隔 離層。第一隔離層11及第二隔離層13係堆疊在半固化狀態，然後，其係被固化在一預定溫度，即低於第一隔離層11的玻璃轉換溫度，為了製造核心基板，具有低玻璃轉換溫度的第二隔離層13係被固化，而作為中間層之第一隔離層11係持續保持半固化狀態。此時，假設當電子元件20係被置入在所製成之核心基板10的孔穴時，若第二隔離層13被壓縮，半固化狀態且作為中間層之第一隔離層11的材料以流動狀態流入孔穴10a與內建電子元件之間的空間，從而固定電子元件20。
然而，在堆疊第二隔離層的步驟中，第二隔離層13 係被堆疊在第一隔離層11的上及下區域。舉例來說，此時，堆疊的第二隔離層13可是以一固化狀態的隔離層，或是一半固化狀態的隔離層。雖然第二隔離層13係半固化狀態，例如，其可被貼附至半固化狀態之第一隔離層11的上及下區域，並貼附一銅膜至一側周圍區域。藉由堆疊半固化狀態的第二隔離層13在半固化狀態的第一隔離層11上，其係被固化在低於第一隔離層11的玻璃轉換溫度的溫度以製造核心基板，第二隔離層13係被固化，第一隔離層11可製造核心基板在半固化狀態。接著，在具有內建電子元件之基板的製造過程中，電子元件20係被置入在形成於核心基板10的孔穴10a，以熱壓縮核心基板10為例，由於保持 在半固化狀態之第一隔離層11成為流動狀態而流入孔穴10a與電子元件之間的空間，電子元件可藉由第一隔離層11而被固定。
再者，此時，第二隔離層13例如是一預浸漬體層。
舉例來說，在一例子中，第二隔離層13可由熱固材料或熱塑材料製成。
參照第3B圖之一例，在堆疊第二隔離層的步驟中，金屬層15係被貼附至第二隔離層13的一側周圍區域，第二隔離層13可被堆疊在第一隔離層11的上及下區域。舉例來說，金屬層15可以是銅層，然並不限於此。
再者，請參照第3B圖、第3C圖、及第3D圖，在另一例子中，核心基板的製造方法可更包括一貼附金屬層的步驟。此時，在貼附金屬層的步驟中，金屬層15係被貼附至第二隔離層13的一周圍區域。舉例來說，金屬層15可以是一銅層。
此時，貼附金屬層的步驟可以在之前、之後、或同時被執行。第3B圖顯示之示意圖中金屬層的貼附步驟在第二隔離層的堆疊步驟之前，第3D圖顯示之示意圖中金屬層的貼附步驟在第二隔離層的堆疊步驟之後。請參照第3C圖，金屬層的貼附步驟可在第二隔離層的堆疊步驟之前、之後、或同時被執行。舉例來說，相仿於第3B圖，若當金屬層的貼附步驟係在第二隔離層的堆疊步驟之前被執行，金屬層15係被貼附至第二隔離層13之一側周圍區域，而金屬層15所貼附之第二隔離層13可被堆疊在第一隔離層11之上及下區域。舉例來說，請參照第3D圖， 若當金屬層的貼附步驟係在第二隔離層的堆疊步驟之後被執行，金屬層15可藉由如鍍(plating)、濺鍍(sputtering)、或類似方式，被貼附至堆疊在第一隔離層11之上及下區域的第二隔離層13的周圍區域。再者，請參照第3C圖，金屬層15可藉由一貼附樹脂或底塗層樹脂之媒介(medium)而被貼附在第二隔離層13上。若當金屬層的貼附步驟係與第二隔離層的堆疊步驟同被執行，第二隔離層13係被放置在第一隔離層11的上及下區域，而金屬層15例如是銅層係被放置在第二隔離層13的周邊區域，或如第3C圖所示，在金屬層15例如是銅層之後，底塗層樹脂17所塗佈並放置於其上，可藉由執行熱壓縮製程使金屬層15例如是銅層可被貼附在第二隔離層13上。
具有內建電子元件之基板
接著，依據本發明一第三實施例之核心基板的製造方法將參照圖式被詳細說明。此時，依上述第一實施例及第1圖至第2B圖的核心基板可被參照，而且，對應地，重複的解釋會被省略。
第4A圖至第4B圖繪示依照本發明另一實施例之具有內建電子元件之基板的示意圖。
請參照第4A圖，依照一範例之具有內建電子元件之基板包含一核心基板10及一電子元件20。而且，在一例子中，如第4A圖所示，其可更包括一電路圖案層15’形成在核心基板 10之第二隔離層13上。
首先，請參照第4A圖，核心基板10包含孔穴10a。 電子元件20係置入孔穴10a。再者，核心基板10包含第一隔離層11及堆疊在第一隔離層11的上及下區域的第二隔離層13。
此時，第一隔離層11的玻璃轉換溫度係高於第二隔 離層13的玻璃轉換溫度。藉由堆疊第二隔離層13在半固化狀態且具有高玻璃轉換溫度之第一隔離層11的上及下區域而製成之核心基板10，在具有內建電子元件之基板的製造過程中，半固化狀態之第一隔離層11流入孔穴10a及內建電子元件20之間的空間，從而填入間隙空間。此時，透過流入間隙空間之第一隔離層11的填入材料，從電子元件20的中間部份固定內建電子元件20。
在一例子中，第一隔離層11可包含熱塑樹脂。由於 第一隔離層11係熱塑樹脂，在具有內建電子元件之基板的製造過程中電子元件20係置入形成在核心基板10的孔穴10a，若核心基板10的第二隔離層13被熱壓縮，作為熱塑樹脂之第一隔離層11係以一流動狀態輕易地流入孔穴10a與電子元件20之間的空間，從而固定電子元件20。
再者，在一例子中，第一隔離層可為半固化隔離層。 由於第一隔離層11係半固化狀態，在併入電子元件至孔穴10a中的過程，若第二隔離層13被壓縮，作為中間層之第一隔離層的材料以流動狀態流入至孔穴10a及內建電子元件20的空間，從而固定電子元件20。
然後，在第4A圖中，第二隔離層13被堆疊在第一 隔離層11的上及下區域。此時，第二隔離層13可以低玻璃轉換溫度之材料而被形成。
再者，請參照第4A圖，並回參第4A圖之一範例， 形成在核心基板之第二隔離層13的上及下區域的電路圖案層15’可更被包含。亦即，電路圖案層15’可被分別形成在形成於第一隔離層11之上區域的第二隔離層13之上區域、及形成於第一隔離層之下區域的第二隔離層之下區域。舉例來說，電路圖案層15’可為藉由製造銅層而取得的圖案層。而且，核心基板10可更包含形成在周邊區域的電路圖案層15’、以及穿孔10b，以連接核心基板10之上及下區域的電路圖案層15’。
然後，電子元件20將參照第4A圖探討如下。電子 元件20係被置入核心基板10的孔穴10a。此時，電子元件20係藉由從第一隔離層11流出的隔離材料而被固定於孔穴10a。舉例來說，電子元件20可以是主動元件(如IC晶片)、或是被動元件(例如是MLCC)。在第4A圖及第4B圖中，雖然電容模組係被顯示以作為電子元件20的例子，然並不限於此。由於電子元件20係被置入核心基板10的孔穴10a，傳統上孔穴10a的寬度係大於電子元件20的尺寸。因此，在電子元件被置入後，孔穴10a與電子元件20之間會產生間隙，而此間隙需被填入隔離材料。傳統上，雖然一累增的(build-up)隔離層係藉由置入單一核心層的電子元件而堆疊，且孔穴與電子元件之間的間隙係從上方及下方被填入 隔離材料，然存在著在孔穴與電子元件之間的間隙中會產生空洞(void)的問題。於本發明中，藉由熱壓縮具有固化之第二隔離層13及半固化之第一隔離層11的核心基板10，半固化狀態之作為中間層的第一隔離層11流入孔穴10a與電子元件20之間的間隙空間，並固定電子元件20，從而解決產生空洞的問題；其中核心基板10係藉由堆疊及熱壓縮在第一隔離層的上區域及下區域上、遍及(across)位於中間之具有高玻璃轉換溫度之第一隔離層11之上的第二隔離層13而得，而不使用單一核心層。
之後，請參照第4B圖，探討另一範例。請參照第 4B圖，依照另一實施例之具有內建電子元件的基板可更包括一第三隔離層30。此時，第三隔離層30透過被堆疊在第二隔離層13上而覆蓋電路圖案層15’。舉例來說，第三隔離層30可以一材料被形成，該材料具有低於第一隔離層11之玻璃轉換溫度的玻璃轉換溫度。
舉例來說，此時，間隙係形成在孔穴10a的側壁及 電子元件20之間，第一隔離層11的隔離材料及第三隔離層的隔離材料滲入(permeate)將被填入的間隙。舉例來說，在堆疊第三隔離層30後，藉由允許第三隔離層30的隔離材料塗(smear)在孔穴10a與待補(supplementary)填之電子元件20之間的空間之中的一未被填入空間，電子元件20可被固定而無空洞；其中孔穴10a係先前地且部分地被填入第一隔離層11之隔離材料。
舉例來說，金屬層35係被形成在第三隔離層30的 上及下區域，例如是堆疊在第二隔離層13之上區域上的第三隔離層30的上區域、及第二隔離層13之下區域上的第三隔離層30的下區域。雖未繪示，第4B圖的金屬層35可藉由被製造而形成電路圖案層。
再者，雖未繪示，舉例來說，第三隔離層30可更包 含一透過製造金屬層35在第三隔離層30上的電路圖案層、位在核心基板10上的電路圖案層15’、及/或與電子元件20之電極相連接的通孔(via)。
具有內建電子元件之基板的製造方法
接著，依據本發明第四實施例之具有內建電子元件之基板的製造方法將配合圖式詳細說明。此時，依上述第三實施例及第3A圖至第3C圖及第4A及第4B圖之具有內建電子元件的基板可被參照，而且，對應地，重複的解釋會被省略。
第5A圖至第5E圖繪示依照本發明另一實施例之具有內建電子元件之基板之製造方法的各步驟的示意圖。
請參照第5A圖至第5C圖，依據一實施例之具有內建電子元件之基板的製造方法可包含準備第一隔離層的步驟(參照第5A圖)、置入電子元件的步驟(參照第5B圖)、以及固定電子元件的步驟(參照第5A圖)。具有內建電子元件之基板的製造方法將配合圖式詳細討論於此。
首先，請參照第5A圖，在準備核心基板的步驟中， 核心基板10其包含孔穴10a、第一隔離層11及第二隔離層13，係被準備。此時，第一隔離層11係由一材料製成，此材料的玻璃轉換溫度係高於第二隔離層13的玻璃轉換溫度。相關於準備核心基板的步驟，於此未解釋的物件以下將參照前述之核心基板的製造方法。
舉例來說，在一例子中，準備核心基板的步驟中， 可包含堆疊第二隔離層的步驟及壓縮的步驟。在堆疊第二隔離層的步驟中，第二隔離層13係堆疊在第一隔離層11的上及下區域。 接著，在壓縮的步驟中，第二隔離層13及第一隔離層11可被壓縮在一溫度，此溫度低於第一隔離層11的玻璃轉換溫度且高於第二隔離層13的玻璃轉換溫度。
此時，舉例來說，第一隔離層11可以是一半固化隔 離層。此時，堆疊在核心基板10之第一隔離層11之上及下區域的第二隔離層13可以是固化狀態的隔離層。舉例來說，在核心基板10的製造過程中，若半固化的第二隔離層係被堆疊，且被固化於第一隔離層11的上區域及下區域，核心基板10可伴隨著固化之第二隔離層13及半固化之第一隔離層11而被取得。舉例來說，核心基板10可藉由使用預浸漬體隔離層堆疊及固化第二隔離層13在第一隔離層11的上及下區域而被形成。舉例來說，在一例子中，第二隔離層13的材料可以是熱固樹脂。
再者，如第5A圖所示，在一例子中，核心基板10 可更包含一金屬層15形成在第二隔離層13上。此時，形成金屬 層15的製程可參照前述之核心基板的製造方法中金屬層的貼附步驟。
之後，請參照第5B圖，在置入電子元件的步驟中， 電子元件20係被置入核心基板10的孔穴。此時，雖未繪示，黏著膠帶(adhesive tape)係貼附至孔穴10a所形成之核心基板10的一側以暫時固定電子元件，電子元件20可被固設(mount)在核心基板10之孔穴10a中的黏著膠帶上。
接著，請參照第5C圖，在固定電子元件的步驟中， 電子元件20所置入之核心基板10係被熱壓縮。舉例來說，雖未繪示，電子元件20係置入核心基板10的孔穴10a，其中黏著膠帶係貼附至核心基板10a的一側，而電子元件20所置入之核心基板10係被上下壓縮。此時，電子元件20的高度係大於核心基板10的厚度。依據核心基板10的熱壓縮，當作為核心基板10之中間層的第一隔離層11被流動時，其係流入孔穴10a及電子元件20之間的間隙，以填入間隙空間。因核心基板10的熱壓縮，藉由流入孔穴10a及電子元件20之間的間隙而填入之第一隔離層的材料固定電子元件20。舉例來說，在固定電子元件的步驟中，舉例來說，在熱壓縮的過程，溫度可高於第一隔離層11的玻璃轉換溫度，或者，若作為中間層之核心基板10的第一隔離層11係為半固化狀態，電子元件20可藉由允許第一隔離層11的材料流入孔穴10a及電子元件20之間的間隙因熱壓縮而被固定，即使是低於第一隔離層11的玻璃轉換溫度。再者，此時，由於電子元件 20係從其中間藉由流從孔穴10a與電子元件20之間的間隙而填入之第一隔離層11的材料而被貼附且固定，如習知之空洞的產生可被抑制。在熱縮壓核心基板10後，貼附至一側的黏著膠帶係被移除。
然後，參照第5D圖探討另一範例。在此例中，準 備核心基板的步驟中，所準備的核心基板10包含第一隔離層11、第二隔離層13、及形成在第二隔離層13的周邊區域的金屬層15。此時，請參照第5D圖，在固定電子元件的步驟(參照第5C圖)後，具有內建電子元件之基板的製造方法可更包含形成電路圖案層15’的步驟。請參照第5D圖，在形成電路圖案層15’的步驟中，電路圖案層15’係藉由生成核心基板10之金屬層15而被製成。圖案生成方法可使用周知的方法。舉例來說，SAP方法、MSAP方法、TENTING方法、或類似方法，然並不限於此。
然後，參照第5E圖探討再一範例。請參照第5E圖， 具有內建電子元件之基板的製造方法可更包含堆疊第三隔離層的步驟。此時，金屬層35係貼附至第三隔離層30的一側周邊區域。金屬層35所貼附之第三隔離層30係堆疊在第二隔離層13的上及下周邊區域及電路圖案層15’。
而且，雖未繪示，具有內建電子元件之基板的製造 方法可更包含形成第二電路圖案層的步驟。再者，雖未繪示，在形成第二電路圖案層之同時或之前，具有內建電子元件之基板的製造方法可更包含形成通孔的步驟，通孔係連接藉由生成金屬層 35而形成的第二圖案層、藉由生成金屬層15而形成的第一電路圖案層15’及/或電子元件的電極。
在實施範例中，在置入電子元件20前，核心基板 10的厚度可厚於電子元件20的厚度。再者，在置入電子元件20及將其熱縮壓後，核心基板10的厚度可實質上等於電子元件20的厚度。
在一實施例中，若當電子元件20為MLCC時，電 子元件20的外部電極及電路圖案層15’具有相同的頂表面。在此例中，由於在具有內建電子元件之基板中，金屬材料的圖案或層的位置係配置在相同的平面上，且具有整體上的對稱結構，故可避免曲折現象並具有結構上的改善穩定性。
依照上述實施例，具有高玻璃轉換溫度之層併入核 心基板係可能的，藉以在具有內建電子元件之基板的製造過程中，使用併入核心基板且流往隔離層之隔離材料填入孔穴間隙，從而同時固定電子元件。
需明白各種效果雖未依照本發明各種實施例被直接提及，仍可在具有通常知識者參閱依據本發明實施例後所思及。
綜上所述，雖然本發明已以較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明。本發明所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾。因此，本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
11‧‧‧第一隔離層
13‧‧‧第二隔離層

Claims (15)

  1. 一種核心基板，包括：一第一隔離層；以及一第二隔離層，堆疊(stack)在該第一隔離層的上及下表面，該第二隔離層係由一種材料所製成，該材料的玻璃轉換溫度(glass transition temperature)低於該第一隔離層的玻璃轉換溫度。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之核心基板，更包括：一金屬層，堆疊在該第二隔離層的上及下表面。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之核心基板，其中該第一隔離層包括一熱塑樹脂(thermoplastic resin)。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之核心基板，其中該第一隔離層係一半硬化(semi-hardening)隔離層，且該第二隔離層係一硬化隔離層。
  5. 一種具有內建(built-in)電子元件之基板，包括：一核心基板，被提供一孔穴(cavity)，該核心基板包含一第一隔離層及一第二隔離層，該第二隔離層堆疊在該第一隔離層的上及下表面，其中該第二隔離層係由一種材料所製成，該材料的玻璃轉換溫度低於該第一隔離層的玻璃轉換溫度；以及一電子元件，被一隔離材料固定，該隔離材料藉由被置入該孔穴流動(flown)自該第一隔離層。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之具有內建電子元件之基板，更包括： 一電路圖案層，形成在該第二隔離層的上及下表面。
  7. 如申請專利範圍第5項所述之具有內建電子元件之基板，其中該第一隔離層包括一熱塑樹脂。
  8. 如申請專利範圍第6項所述之具有內建電子元件之基板，更包括：一第三隔離層，用於藉由被堆疊在該第二隔離層上而覆蓋該電路圖案層。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之具有內建電子元件之基板，其中一間隙(gap)係形成在該孔穴的側壁(sidewall)及該電子元件之間，而該間隙係被填入該第三隔離層以及該第一隔離層。
  10. 一種具有內建電子元件之基板之製造方法，包括：準備一核心基板，該核心基板被提供一孔穴，該核心基板包含一第一隔離層及一第二隔離層，該第二隔離層堆疊在該第一隔離層的上及下表面，其中該第二隔離層係由一種材料所製成，該材料的玻璃轉換溫度低於該第一隔離層的玻璃轉換溫度；置入該電子元件至該孔穴中；以及藉由熱壓縮(thermal compress)該電子元件所置入之該核心基板，透過流入該第一隔離層的隔離材料至該孔穴與該電子元件間的間隙，固定該電子元件。
  11. 如申請專利範圍第10項所述之具有內建電子元件之基板之製造方法，其中該核心基板更包括一金屬層形成在該第二隔離層，更包括： 藉由製成該金屬層形成一電路圖案。
  12. 如申請專利範圍第11項所述之具有內建電子元件之基板之製造方法，更包括：形成一第三隔離層以覆蓋該第二隔離層與該電路圖案。
  13. 如申請專利範圍第12項所述之具有內建電子元件之基板之製造方法，其中該間隙係被填入該第三隔離層以及該第一隔離層。
  14. 如申請專利範圍第10項所述之具有內建電子元件之基板之製造方法，其中準備該核心基板包括：堆疊該第二隔離層在該第一隔離層的上及下表面；以及壓縮該第二隔離層及該第一隔離層在一溫度，該溫度低於該第一隔離層的該玻璃轉換溫度，且高於該第二隔離層的該玻璃轉換溫度。
  15. 如申請專利範圍第10項所述之具有內建電子元件之基板之製造方法，其中熱壓縮該核心基板係在一高於該第一隔離層的該玻璃轉換溫度的溫度下被執行。
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