TW201426983A

TW201426983A - 有機發光二極體顯示器

Info

Publication number: TW201426983A
Application number: TW102143359A
Authority: TW
Inventors: Man-Seob Choi; Jae-Ik Lim
Original assignee: Samsung Display Co Ltd
Priority date: 2012-12-26
Filing date: 2013-11-28
Publication date: 2014-07-01
Also published as: US9184418B2; CN103904102B; KR20140083557A; KR102014885B1; US20140175399A1; CN103904102A; TWI608598B

Abstract

本發明係揭露一種有機發光二極體顯示器。在一態樣中，該顯示器包含具有複數個像素區域的基板、分別設置於像素區域內的彩色濾光片、設置於彩色濾光片上的鈍化層、設置於鈍化層上的第一電極。該顯示器也包含設置於第一電極上的發光層、以及設置於發光層上的第二電極。彩色濾光片的至少一部分配置有凹凸圖案形成於其上表面上。

Description

有機發光二極體顯示器

相關申請案之交互參照

【0001】

本案主張於2012年12月26日申請之韓國專利申請書號10-2012-0153449之優先權，其揭露之全部內容併入於此作為參照。

【0002】

本揭露大致係關於一種有機發光二極體(OLED)顯示器。

【0003】

平面顯示器一般分為發光型及受光型。使用平面陰極射線管、電漿顯示面板及電致發光裝置作為發光型，而使用液晶顯示器作為受光型。其中，因為電致發光裝置具有許多優點，如視角廣、對比度優良、回應速度快等，電致發光裝置已被視為下一代顯示器而備受矚目。電致發光裝置根據形成發光層的材料而分為無機電致發光裝置及有機電致發光裝置。

【0004】

有機電致發光裝置為藉由電激發螢光有機化合物而發光的自發光型顯示器。有機電致發光裝置具有許多優點，例如驅動電壓低、輕薄、視角廣、回應速度快等。

【0005】

有機電致發光裝置包含陽極電極、陰極電極及以有機材料形成並設置於陽極電極與陰極電極之間的發光層。有機電致發光裝置分別施加正和負電壓給陽極和陰極電極，因此從陽極電極注入之電洞經由電洞傳輸層而傳送至發光層，且從陰極電極注入之電子經由電子傳輸層而傳送至發光層。電洞和電子再結合於發光層中而產生激子。當激子之激發態降至基態時，其釋放例如光之能量。

【0006】

一態樣為具有高側向亮度及改良之色彩差異性的有機發光二極體顯示器。

【0007】

另一態樣為有機發光二極體顯示器，其包含含有複數個像素區域的基板、分別設置於像素區域中的彩色濾光片、設置於彩色濾光片上的鈍化層、設置於鈍化層上的第一電極、設置於第一電極上的發光層、以及設置於發光層上的第二電極。彩色濾光片的至少一部分包含凹凸圖案形成於其上。

【0008】

彩色濾光片包含彼此顯示不同的顏色之第一顏色濾光片、第二顏色濾光片及第三顏色濾光片，且其中凹凸圖案設置於至少一第一顏色濾光片、第二顏色濾光片及第三顏色濾光片上。

【0009】

第一顏色濾光片、第二顏色濾光片及第三顏色濾光片分別顯示藍色、綠色及紅色，且其中凹凸圖案係設置為突起或凹陷。

【0010】

凹凸圖案設置於第一顏色濾光片之上表面上，且凹凸圖案進一步設置於至少一第二及第三顏色濾光片之上表面上。突起之高度或凹陷之深度根據紅色、綠色及藍色而不同，且突起之高度或凹陷之深度依照第一顏色濾光片、第二顏色濾光片及第三顏色濾光片之順序而逐漸減少。彩色濾光片之上表面與突起之間的接觸角依照第一顏色濾光片、第二顏色濾光片及第三顏色濾光片之順序而減少。突起或凹陷以複數數量提供，且突起或凹陷根據紅色、綠色及藍色而具有不同之密度。

【0011】

各彩色濾光片具有之折射率不同於鈍化層之折射率。各彩色濾光片之折射率約等於或大於1.4，且鈍化層之折射率約等於或小於1.2。根據實施例，各彩色濾光片之折射率約等於或小於1.6，且鈍化層之折射率約等於或大於1.8。根據實施例，各彩色濾光片之折射率約為1.5，且鈍化層之折射率約為1.8。

B．．．藍光

B_CF．．．藍色濾光片

B_PA．．．藍色像素區域

B_PXL．．．藍色像素

BFL．．．緩衝層

CA．．．通道區域

CCP．．．凹凸圖案

CE1．．．第一電容電極

CE2．．．第二電容電極

CF．．．彩色濾光片

Cst．．．電容

D1．．．第一直徑

D2．．．第二直徑

DA．．．汲極區域

DE1．．．第一汲極電極

DE2．．．第二汲極電極

DL．．．資料線

DVL．．．驅動電壓線

EL．．．有機發光裝置

EL1．．．第一電極

EL2．．．第二電極

EML．．．發光層

G．．．線光

G_CF．．．綠色濾光片

G_PA．．．綠色像素區域

G_PXL．．．綠色像素

GE1．．．第一閘極電極

GE2．．．第二閘極電極

GI．．．閘極絕緣層

GL．．．閘極線

H1．．．第一長度

H2．．．第二長度

IL．．．中間絕緣層

PA．．．像素區域

PDL．．．像素定義層

PSV．．．鈍化層

PXL．．．像素

R．．．紅光

R_CF．．．紅色濾光片

R_PA．．．紅色像素區域

R_PXL．．．紅色像素

SA．．．源極區域

SE1．．．第一源極電極

SE2．．．第二源極電極

SL．．．密封層

SM1．．．第一半導體層

SM2．．．第二半導體層

SUB．．．基板

TR1．．．切換薄膜電晶體

TR2．．．驅動薄膜電晶體

θ1、θ2．．．接觸角

【0012】

第1圖係為顯示根據例示性實施例之有機發光二極體顯示器的電路圖。

【0013】

第2圖係為顯示第1圖所示之像素的平面圖。

【0014】

第3圖係為沿著第2圖之線I-I’所取的剖面圖。

【0015】

第4圖係為顯示根據例示性實施例之有機發光二極體顯示器之三個相鄰像素的剖面圖。

【0016】

第5A圖及第5B圖係為顯示根據例示性實施例之設置於有機發光二極體顯示器之彩色濾光片上的凹凸圖案之剖面圖。

【0017】

第6圖係為顯示依據在有機發光二極體顯示器中側視角的紅光R、綠光G及藍光B之亮度的圖表；

【0018】

第7圖係為顯示依據沒有凹凸圖案之有機發光二極體顯示器、以及根據例示性實施例之具有凹凸圖案之有機發光二極體顯示器中之側視角之藍光之亮度的圖表。

【0019】

第8圖係為顯示根據另一例示性實施例之有機發光二極體顯示器之剖面圖。

【0020】

第9圖係為顯示根據另一例示性實施例之有機發光二極體顯示器的剖面圖。

【0021】

當元件或層被稱作”位於…上(on)”、”連接至(connected to)”或”耦接至(coupled to)”另一元件或層時，應將理解為其可直接位於另一元件或層上、直接連接至或耦接至另一元件或層，或可存在中間元件或層。相反地，當元件被稱作”直接位於…上(directly on)”、”直接地連接至(directly connected to)”或”直接地耦接至(directly coupled to)”另一元件或層時，不存在中間元件或層。在整篇說明書中，相似的符號標示表示相似的元件。如用於本文中，詞彙”及/或”包含一或多個關聯列舉項目之任一及所有組合。

【0022】

雖然第一、第二等詞彙可被使用於本文以描述各種元件、組件、區域、層及/或部分，這些元件、組件、區域、層及/或部分不應受限於這些詞彙。這些詞彙僅用以區分一元件、組件、區域、層及/或部分和另一元件、組件、區域、層及/或部分。因此，以下所討論之第一元件、組件、區域、層及/或部分也可以被稱為第二元件、組件、區域、層及/或部分而不背離本揭露之教示。

【0023】

空間相對詞彙，如”位於…下(beneath)”、”以下(below)”、”低於(lower)”、”以上(above)”、”高於(upper)”等，可使用於本文中以便於描述如圖式中所示之元件或特徵與另一元件或特徵之關係。應將理解的是，空間相對詞彙意圖包含除了圖式中所示之方位外，使用或操作中裝置之不同方位。舉例而言，假設圖式中之裝置被上下翻轉，被描述為其他元件或特徵”以下(below)”或”位於…下(beneath)”之元件，則將被定位為其他元件或特徵”以上(above)”。因此，例示性詞彙”以下”可包含以上及以下二方位。裝置可被另外定位(翻轉90度或其他方位)且於本文中使用之空間相對描述據此解釋。

【0024】

本文中使用之用語僅為描述特定實施例之目的，而不意在使本公開內容受限。如本文中使用之單數形式”一(a)”、 ”一(an)”及”該(the)”係意在同時包含複數形式，除非上下文另有清楚說明。當使用於本說明書中時，詞彙”包含(includes)”及/或” 包含(including)”應將進一步理解為指明所列舉之特徵、整數、步驟、操作、元件及/或組件之存在，但不排除一或多個其他特徵、整數、步驟、操作、元件、組件及/或其群組之存在或附加。

【0025】

除非另有定義，本文中使用之所有詞彙(包含技術性和科學性詞彙)具有相同於本揭露所屬領域之通常知識者所普遍理解之含意。將進一步理解的是，諸如那些定義於普遍常用字典之詞彙，應解釋為其具有之含意係與相關技術之內文中之含意一致，且除非於本文中明確定義，否則將不解釋為理想化或過於正式之意義。

【0026】

在下文中，將參照附圖圖式而詳細描述實施例。

【0027】

第1圖係為顯示根據例示性實施例之有機發光二極體顯示器的電路圖，第2圖係為顯示第1圖之像素的平面圖，而第3圖係為沿著第2圖之線I-I’所取的剖面圖。

【0028】

有機發光二極體顯示器一般包含至少一於其上顯示之圖像之像素PXL。像素PXL提供在像素區域PA中。像素以複數數量提供且像素PXL以陣列結構排列，然而，為了便於解釋，在本實施例中將僅顯示一個像素PXL。各像素PXL具有矩形形狀，但不限於此或不因此受限。亦即，像素PXL可具有各種形狀。另外，像素PXL可具有彼此不同之區域。

【0029】

像素PXL包含具有閘極線GL、資料線DL及驅動電壓線DVL之線路件、連接至線路件之薄膜電晶體、連接至薄膜電晶體之有機發光裝置EL、以及電容Cst。

【0030】

閘極線GL於一方向上延伸。資料線DL於交錯閘極線GL之另一方向上延伸。驅動電壓線DVL於實質上平行於資料線DL之方向上延伸。閘極線GL施加掃描訊號給薄膜電晶體、資料線DL施加資料訊號給薄膜電晶體、以及驅動電壓線DVL施加驅動電壓給薄膜電晶體。

【0031】

薄膜電晶體包含驅動薄膜電晶體TR2以控制有機發光裝置EL以及切換薄膜電晶體TR1以切換驅動薄膜電晶體TR2。在本例示性實施例中，一個像素PXL包含二個薄膜電晶體，其為切換薄膜電晶體TR1及驅動薄膜電晶體TR2，但薄膜電晶體之數量不應受限於二個。亦即，一個像素PXL可包含一個薄膜電晶體及一個電容Cst，或三或更多個薄膜電晶體及二或更多個電容Cst。

【0032】

切換薄膜電晶體TR1包含第一閘極電極GE1、第一源極電極SE1及第一汲極電極DE1。第一閘極電極GE1連接至閘極線GL且第一源極電極SE1連接至資料線DL。第一汲極電極DE1連接至閘極電極，即驅動薄膜電晶體TR2之第二閘極電極GE2。切換薄膜電晶體TR1響應從閘極線GL施加的掃描訊號，將從資料線DL施加的資料訊號傳送給驅動薄膜電晶體TR2。

【0033】

驅動薄膜電晶體TR2包含第二閘極電極GE2、第二源極電極SE2及第二汲極電極DE2。第二閘極電極GE2連接至切換薄膜電晶體TR1、第二源極電極SE2連接至驅動電壓線DVL、以及第二汲極電極DE2連接至有機發光裝置EL之第一電極EL1。

【0034】

有機發光裝置EL包含發光層EML、第一電極EL1及面對第一電極EL1之第二電極EL2，同時插設發光層EML於第一與第二電極EL1與EL2之間。第一電極EL1連接至驅動薄膜電晶體TR2之第二汲極電極DE2。第二電極EL2接收共同電壓，且發光層EML回應從驅動薄膜電晶體TR2輸出之輸出訊號發光，從而顯示圖像。

【0035】

電容Cst連接於驅動薄膜電晶體TR2之第二閘極電極GE2與第二源極電極SE2之間，且以施加至驅動薄膜電晶體TR2之第二閘極電極GE2之資料訊號充電，以維持施加至第二閘極電極GE2之資料訊號。

【0036】

基板SUB包含像素PXL提供於其之像素區域PA。基板SUB可以為，但不限於，以玻璃、塑膠、水晶等形成之絕緣基板。

【0037】

緩衝層BFL設置於基板SUB上。緩衝層BFL避免雜質擴散至切換薄膜電晶體TR1及驅動薄膜電晶體TR2。緩衝層BFL可以氮化矽(SiNx)、氧化矽(SiOx)或氮氧化矽(SiOxNy)形成，且緩衝層BFL可根據基板SUB之材料及製造條件而省略。

【0038】

提供第一半導體層SM1及第二半導體層SM2於緩衝層BFL上。第一半導體層SM1及第二半導體層SM2係以半導體材料而形成並分別作為切換薄膜電晶體TR1及驅動薄膜電晶體TR2之主動層。第一及第二半導體層SM1及SM2各包含源極區域SA、汲極區域DA及提供於源極區域SA與汲極區域DA之間之通道區域CA。第一及第二半導體層SM1及SM2各可以無機半導體材料或有機半導體材料形成。舉例而言，第一及第二半導體層SM1及SM2可包含氧化物半導體、非晶矽半導體、結晶矽半導體或多晶矽半導體。氧化物半導體包含具有至少一銦(In)、鎵(Ga)、鋅(Zn)及錫(Sn)之氧化物材料。舉例而言，第一及第二半導體層SM1及SM2可包含氧化物半導體，如氧化鋅、氧化錫、氧化銦、氧化銦鋅、氧化銦錫、氧化銦鎵鋅、氧化銦鋅錫、氧化銦鎵鋅錫等。源極區域SA及汲極區域DA摻雜有n型雜質或p型雜質。

【0039】

閘極絕緣層GI設置於第一及第二半導體層SM1及SM2上。

【0040】

連接至閘極線GL之第一閘極電極GE1及第二閘極電極GE2設置於閘極絕緣層GI上。形成第一閘極電極GE1及第二閘極電極GE2以與分別對應於第一半導體層SM1及第二半導體層SM2之通道區域CA之區域重疊。

【0041】

中間絕緣層IL設置於第一及第二閘極電極GE1及GE2上以覆蓋第一及第二閘極電極GE1及GE2。

【0042】

第一源極電極SE1、第一汲極電極DE1、第二源極電極SE2及第二汲極電極DE2設置於中間絕緣層IL上。第一源極電極SE1及第一汲極電極DE1分別通過形成穿過閘極絕緣層GI及中間絕緣層IL之接觸孔而接觸第一半導體層SM1之源極區域SA及汲極區域DA。第二源極電極SE2及第二汲極電極DE2分別通過形成穿過閘極絕緣層GI及中間絕緣層IL之接觸孔而接觸第二半導體層SM2之源極區域SA及汲極區域DA。

【0043】

同時，第二閘極電極GE2之部分及驅動電壓線DVL之部分分別對應於第一電容電極CE1及第二電容電極CE2以與設置於第二閘極電極GE2與驅動電壓線DVL之部分之間的中間絕緣層IL合併形成電容Cst。

【0044】

彩色濾光片CF設置於第一源極電極SE1、第一汲極電極DE1、第二源極電極SE2、第二汲極電極DE2及中間絕緣層IL上。

【0045】

在實施例中，提供彩色濾光片CF以一對一對應地對應於像素區域PA。彩色濾光片CF包含顯示彼此不同顏色之彩色濾光片。舉例而言，彩色濾光片CF包含顯示彼此不同顏色之第一彩色濾光片、第二彩色濾光片及第三彩色濾光片。第一、第二及第三彩色濾光片分別對應於分別顯示藍色、綠色及紅色之藍色濾光片B_CF、綠色濾光片G_CF及紅色濾光片R_CF。彩色濾光片CF可進一步包含顯示青色、洋紅色、黃色、白色等之彩色濾光片。

【0046】

第3圖顯示分別排列於之彼此相鄰之二像素區域PA之綠色濾光片G_CF及藍色濾光片B_CF以作為例示性範例。

【0047】

在實施例中，凹凸圖案CCP設置於彩色濾光片CF之上表面之至少一部分上。凹凸圖案CCP將於下文詳細描述。

【0048】

鈍化層PSV設置於彩色濾光片CF上。鈍化層PSV可包含無機材料，如氮化矽、氧化矽等。

【0049】

鈍化層PSV保護切換及驅動薄膜電晶體TR1及TR2，且鈍化層PSV用作為平坦化層以平坦化彩色濾光片CF之上表面。

【0050】

第一電極EL1設置於鈍化層PSV上作為有機發光裝置EL之陽極。第一電極EL1通過形成穿過鈍化層PSV之接觸孔連接至驅動薄膜電晶體TR2之第二汲極電極DE2。第一電極EL1可用作為陰極，然而，在本例示性實施例中，第一電極EL1將被描述為陽極。

【0051】

第一電極EL1可以具有較高功函數之材料形成。在圖像往基板SUB下方顯示的情況中，第一電極EL1可以透明導電層形成，如氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅(ZnO)、氧化銦錫鋅(ITZO)等。

【0052】

像素定義層PDL設置於第一電極EL1形成於其上之基板SUB上，以將像素區域PA劃分成分別對應於像素PXL之複數個區域。像素定義層PDL從基板SUB沿著像素PXL之周圍突出以顯露第一電極EL1之上表面。

【0053】

發光層EML設置於被像素定義層PDL包圍之像素區域PA中，且第二電極EL2設置於發光層EML上。

【0054】

發光層EML發出白光。發光層EML可以包含基質及摻質之多種發光材料而形成。可使用螢光摻質及磷光摻質作為摻質。用Alq3、CBP (4,4'-N,N'-二咔唑-聯苯(4,4'-N,N'-dicarbazole-biphenyl))、9,10-二(萘-2-基)蒽(9,10-di(naphthalen-2-yl)anthracen, ADN)或聯苯乙烯亞芳基(distyrylarylene, DSA)作為基質，然而其不應受限於此或不因此受限。

【0055】

第二電極EL2包含具有低功函數之材料，如金屬、合金、導電性化合物及其混合物。舉例而言，第二電極EL2包含鋰(Li)、鎂(Mg)、鋁(Al)、鋁鋰合金(Al-Li)、鈣(Ca)、鎂銦合金(Mg-In)、鎂銀合金(Mg-Ag)等。

【0056】

並且，電洞注入層(HIL)及電洞傳輸層(HTL)被提供於第一電極EL1與發光層EML之間，且電子注入層(EIL)及電子傳輸層(ETL)被提供於發光層EML與第二電極EL2之間。當第一電極EL1作為陽極時，電洞注入層(HIL)、電洞傳輸層(HTL)、發光層EML、電子傳輸層(ETL)、電子注入層(EIL)及第二電極EL2依序地堆疊於第一電極EL1上。

【0057】

密封層SL設置於第二電極EL2上以覆蓋第二電極EL2。

【0058】

在本實施例中，具有上述結構的有機發光二極體顯示器之製造係透過形成具有凹凸圖案形成於其上表面之至少一部分之彩色濾光片於基板上、形成鈍化層於彩色濾光片上、形成第一電極於鈍化層上、形成發光層於第一電極上、以及形成第二電極於發光層上。

【0059】

彩色濾光片可透過根據其顏色使用遮罩的光刻製程而形成。在實施例中，各彩色濾光片係透過形成光阻劑於其上設置有薄膜電晶體之基板上，並於光阻劑上進行曝光及顯影製程而形成。凹凸圖案可在彩色濾光片形成之後，透過另一光刻製程而形成，但其不應受限於此或不因此而受限。亦即，凹凸圖案可實質上及同步地透過形成彩色濾光片之同一製程而與彩色濾光片一起形成。在此情況中，凹凸圖案係使用半調式光罩或狹縫遮罩而形成於彩色濾光片上。

【0060】

在具有上述結構之有機發光二極體顯示器中，從發光層發出之光在穿過鈍化層、彩色濾光片、中間絕緣層、閘極絕緣層、緩衝層及基板之後，被使用者的眼睛感知。從發光層發出之白光在通過彩色濾光片之時，被轉換成彩色光。

【0061】

第4圖係為顯示根據例示性實施例之有機發光二極體顯示器之三相鄰像素的剖面圖。在第4圖中，為便於解釋，省略在插設於基板SUB與彩色濾光片CF之間的元件，例如薄膜電晶體、絕緣層。

【0062】

請參閱第4圖，彩色濾光片CF被設置於基板SUB上。彩色濾光片CF可顯示各種顏色，例如紅色、綠色及藍色。在下文中，為便於解釋，其中設置有紅色濾光片R_CF之像素區域被稱為紅色像素區域R_PA、其中設置有綠色濾光片G_CF之像素區域被稱為綠色像素區域G_PA、以及其中設置有藍色濾光片B_CF之像素區域被稱為藍色像素區域B_PA。另外，設置於紅色像素區域R_PA、綠色像素區域G_PA及藍色像素區域B_PA之像素分別被稱為紅色像素R_PXL、綠色像素G_PXL及藍色像素B_PXL。紅色、綠色及藍色像素R_PXL、G_PXL及B_PXL構成一主像素，其為顯示一彩色圖像之最小單元。

【0063】

在第4圖中，紅色像素R_PXL、綠色像素G_PXL及藍色像素B_PXL彼此相鄰排列，然而，紅色像素R_PXL、綠色像素G_PXL及藍色像素B_PXL之排列順序並不限於此或不因此受限。

【0064】

請參閱第4圖，紅色濾光片R_CF、綠色濾光片G_CF及藍色濾光片B_CF排列於基板SUB上，且凹凸圖案CCP設置於彩色濾光片CF之部分上，即於藍色濾光片B_CF之上表面上。凹凸圖案CCP從藍色濾光片B_CF之上表面突出，或凹凸圖案CCP設置於自藍色濾光片B_CF之上表面下凹的凹陷中。

【0065】

凹凸圖案CCP用以將通過彩色濾光片CF及設置於彩色濾光片CF上之鈍化層PSV的光分散成各種角度。凹凸圖案CCP具有半球狀、半橢圓狀及其中一部分。凹凸圖案CCP以壓紋方式或凹刻方式而設置於彩色濾光片CF之上表面上。

【0066】

鈍化層PSV設置於彩色濾光片CF上。鈍化層PSV為具有不同於彩色濾光片CF之折射率的絕緣層，使得於彩色濾光片CF與鈍化層PSV之間的界面上發生光折射。在鈍化層PSV具有相同或相似於彩色濾光片CF之折射率的情況中，通過彩色濾光片CF及鈍化層PSV的光之折射角變小，從而減少光之色散角。在此，鈍化層PSV具有之折射率比彩色濾光片CF之折射率大於約0.2或小於約0.2。舉例而言，當彩色濾光片CF包含有機材料時，彩色濾光片CF之折射率等於或大於約1.4且等於或小於約1.6。在這情況中，鈍化層PSV之折射率等於或小於約1.2，或著等於或大於約1.8。

【0067】

第5A圖及第5B圖係為顯示設置於藍色濾光片B_CF之上表面上之凹凸圖案CCP的剖面圖。詳細來說，第5A圖顯示作為凹凸圖案CCP之突起而第5B圖顯示作為凹凸圖案CCP之凹陷。在本實施例中，凹凸圖案CCP為突起或凹陷，然而，其不應受限於此或不以此為限。凹凸圖案CCP可被配置以包含彼此規律或隨機地交替排列之凸起及凹陷。在第5A圖及第5B圖中，凹凸圖案CCP具有對應於球形或橢圓球形之部分的形狀。

【0068】

請參閱第5A圖及第5B圖，凹凸圖案CCP具有剖面對應於球形或橢圓球形之部分的形狀。雖然未示於圖中，當以平面圖顯示時，凹凸圖案CCP可具有圓形或橢圓形。

【0069】

當突起之直徑被稱為第一直徑D1且從彩色濾光片CF之上表面突起之高度被稱為第一長度H1時，突起之形狀可以透過控制第一直徑D1及第一長度H1之比值而以不同的方式改變。在此，突起與彩色濾光片CF之上表面之間的接觸角θ1根據第一直徑D1及第一長度H1之比值而改變。通過彩色濾光片CF與鈍化層PSV之間的界面傳送的光之折射方向藉由調整第一直徑D1、第一長度H1及/或接觸角θ1而控制，且因此，增加提供於基板SUB之側表面的光量。

【0070】

同樣地，當凹陷之直徑被稱為第二直徑D2且從彩色濾光片CF之上表面凹陷之深度被稱為第二長度H2時，凹陷之形狀可以透過控制第二直徑D2及第二長度H2之比值而以不同的方式改變。在此，凹陷與彩色濾光片CF之上表面之間的接觸角θ2根據第二直徑D2及第二長度H2之比值而改變。通過彩色濾光片CF與鈍化層PSV之間的界面傳送的光之折射方向藉由調整第二直徑D2、第二長度H2及/或接觸角θ2而控制，且因此，增加提供於基板SUB之側表面的光量。在本實施例中，接觸角θ1或θ2係在從45度到70度的範圍內。

【0071】

然而，凹凸圖案CCP之形狀不限於上述之形狀。可決定凹凸圖案CCP之形狀以允許穿過凹凸圖案CCP的光以不同的方向而行進於界面，且凹凸圖案CCP可具有不規則界面。

【0072】

在第4圖中，凹凸圖案CCP設置於藍色濾光片B_CF之上表面上，但不限於此或不因此受限。凹凸圖案可形成於在彩色濾光片之中具有相對低側向亮度之彩色濾光片之上表面上。舉例而言，在像素包含顯示第一、第二及第三顏色之第一、第二及第三顏色像素的情況中，凹凸圖案設置於對應在第一到第三顏色像素中具有最低側向亮度之顏色像素的彩色濾光片之上表面上。因此，當紅色像素在紅色、綠色及藍色像素之中具有最低側向亮度時，凹凸圖案設置於紅色濾光片之上表面上而非藍色濾光片之上表面。

【0073】

在本實施例中，凹凸圖案僅包含突起。然而，其不限於此或不因此受限，且凹凸圖案可僅包含凹陷。並且，凹凸圖案可包含突起及凹陷二者，且突起及/或凹陷可設置為複數個。在突起及/或凹陷設置為複數個的情況中，當以平面圖顯示時，突起或凹陷以規則或不規則距離排列。

【0074】

具有上述結構之有機發光二極體顯示器比不包含凹凸圖案之有機發光二極體顯示器具有相對高的側向亮度，而更加詳細之描述將將參照第6圖及第7圖描述於下文中。

【0075】

第6圖係為顯示根據有機發光二極體顯示器中側視角的紅光R、綠光G及藍光B之亮度的圖表。側視角表示以有機發光二極體顯示器中基板之後側之法線為基礎，使用者在基板之法線與表面之間觀察圖像的角度。

【0076】

請參閱第6圖，當側視角變大時，紅光R、綠光G及藍光B之亮度皆降低。詳細而言，當側視角變大時，綠光G之亮度比紅光R之亮度降低得更多，且藍光B之亮度比綠光G之亮度降低得更多。當側視角約為60度時，藍光B之亮度小於紅光R及綠光G之亮度的一半。因此，根據側視角，圖像之顏色而在同一圖像中變得不同，且當側視角變更大時，觀察者所觀察之圖像變得偏黃。

【0077】

第7圖係為顯示根據沒有凹凸圖案之有機發光二極體顯示器以及根據例示性實施例具有凹凸圖案之有機發光二極體顯示器之側視角之藍光亮度的圖表。在第7圖中，標示”Ref”之曲線顯示根據包含其中沒有凹凸圖案形成之藍色濾光片的有機發光二極體之側視角之藍光之亮度，且分別標示為45度、55度及65度之曲線顯示根據本揭露之具有凹凸圖案形成於藍色濾光片上的有機發光二極體中，當凹凸圖案與藍色濾光片之上表面之間的接觸角分別約為45度、55度及65度時，根據側視角之藍光之亮度。

【0078】

請參閱第7圖，於根據例示性實施例之具有凹凸圖案形成於藍色濾光片上之有機發光二極體顯示器中，即使側視角變得更大，具有凹凸圖案形成於藍色濾光片上之有機發光二極體顯示器的藍光之亮度所減少的幅度小於沒有凹凸圖案之有機發光二極體顯示器的藍光之亮度所減少的幅度。舉例而言，當側視角約為60度時，根據實施例之有機發光二極體顯示器中藍光之亮度，比沒有凹凸圖案之有機發光二極體顯示器的藍光之亮度增加了約32%。另外，當側視角等於或大於約65度時，藍光之亮度比沒有凹凸圖案之有機發光二極體顯示器的藍光之亮度增加了約32%。此外，根據實施例之有機發光二極體顯示器中，當接觸角增加時，亮度根據側視角變得更大。

【0079】

如上所述，根據本實施例，即使增加了側視角，藍光之亮度之減少變得較小，從而避免偏黃的現象。

【0080】

【0081】

請參閱第8圖，凹凸圖案CCP設置於對應整體像素區域PA之彩色濾光片CF之上表面上。亦即，在本實施例中，凹凸圖案CCP不僅設置於藍色像素B_PXL上，也設置於紅色像素R_PXL及綠色像素G_PXL上。

【0082】

凹凸圖案CCP包含突起及/或凹陷，其具有高度及/或深度取決於各像素PXL中相對於側視角減少之亮度的不同值。舉例而言，如第6圖所示，減少的亮度依照紅光R、綠光G及藍光B之順序而增加(紅光R<綠光G<藍光B)時，在藍色濾光片B_CF之上表面上的凹凸圖案CCP之高度及/或深度為最大，而在紅色濾光片R_CF之上表面上的凹凸圖案CCP之高度及/或深度為最小。在此，可調整突起之高度及/或凹陷之深度以對應藍光B、綠光G及紅光R減少之亮度。

【0083】

第9圖係為根據另一例示性實施例之有機發光二極體顯示器的剖面圖。

【0084】

請參閱第9圖，凹凸圖案CCP設置於對應整體像素區域PA之彩色濾光片CF之上表面上，且突起及/或凹陷取決於根據側視角減少之亮度而於各像素PXL中具有不同的密度。亦即，設置於預設區域的突起及/或凹陷之數量可有所不同，或設置於預設區域的突起及/或凹陷之區域可有所不同。在第9圖中，設置於各彩色濾光片CF之上表面上的突起之數量不同。

【0085】

凹凸圖案CCP可根據相對於側視角減少之亮度而具有不同的密度。亦即，可控制突起及凹陷之密度以對應藍光B、綠光G及紅光R減少之亮度。

【0086】

雖然已參照附圖圖式描述以上實施例，將理解的是本發明不應受限於這些例示性實施例，且本領域之通常知識者可以在如後附之申請專利範圍知本揭露之精神及範疇內做出各種修改及變更。