TW201413863A - 重疊裝置及重疊方法 - Google Patents
重疊裝置及重疊方法 Download PDFInfo
- Publication number
- TW201413863A TW201413863A TW102117205A TW102117205A TW201413863A TW 201413863 A TW201413863 A TW 201413863A TW 102117205 A TW102117205 A TW 102117205A TW 102117205 A TW102117205 A TW 102117205A TW 201413863 A TW201413863 A TW 201413863A
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- substrate
- support
- center position
- overlapping
- overlapping portion
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
- H01L21/681—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment using optical controlling means
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
- G06T11/00—2D [Two Dimensional] image generation
- G06T11/60—Editing figures and text; Combining figures or text
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
- G06T7/00—Image analysis
- G06T7/0002—Inspection of images, e.g. flaw detection
- G06T7/0004—Industrial image inspection
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68785—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the mechanical construction of the susceptor, stage or support
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
- G06T2207/00—Indexing scheme for image analysis or image enhancement
- G06T2207/30—Subject of image; Context of image processing
- G06T2207/30108—Industrial image inspection
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
- H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L2221/68318—Auxiliary support including means facilitating the separation of a device or wafer from the auxiliary support
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
- H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
- H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
- H01L2221/68331—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding of passive members, e.g. die mounting substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
- H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L2221/6834—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used to protect an active side of a device or wafer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
- H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L2221/68381—Details of chemical or physical process used for separating the auxiliary support from a device or wafer
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Quality & Reliability (AREA)
- Computer Vision & Pattern Recognition (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Automation & Control Theory (AREA)
Abstract
本發明的重疊裝置,是檢出被保持在中心位置檢出部(3)的基板及支撐體的中心位置,將基板及支撐體從中心位置檢出部(3)朝重疊部(6)搬運之後,在重疊部(6),使所檢出的基板及支撐體的中心位置重疊的方式將基板及支撐體重疊。
Description
本發明,是有關於將基板及支撐體重疊的重疊裝置及重疊方法。
伴隨行動電話、數位AV機器及IC卡片等的高功能化,而被搭載的半導體矽晶片(以下稱為晶片)小型化及薄板化,因此在封裝盒內將晶片高集成化的要求漸高。為了實現封裝盒內的晶片的高集成化,有需要將晶片的厚度變薄至25~150μm的範圍。
但是成為晶片的基座的半導體晶圓(以下稱為晶圓),是藉由磨削被薄化,其強度變弱,容易在晶圓產生龜裂或彎曲。且,因為使因薄板化而強度變弱的晶圓自動搬運是困難的,所以必需藉由人手搬運,其處理煩雜。
因此,藉由將被稱為支撐托板的由玻璃或硬質塑膠等所構成的托板貼合在被磨削的晶圓,來保持晶圓的強度,防止龜裂的發生及晶圓的彎曲的晶圓支撐系統被開發。因為可以藉由晶圓支撐系統維持晶圓的強度,所以
可以將薄板化的半導體晶圓的搬運自動化。
晶圓及支撐托板,是使用黏著帶、熱可塑性樹脂及黏著劑等被貼合。將貼附有支撐托板的晶圓薄板化之後,在將晶圓方塊切割之前將支撐托板從基板剝離。
在此,將支撐托板貼合在晶圓時,首先,使用重疊裝置在將晶圓及支撐托板進行了位置對合的狀態下重疊之後,將被重疊的晶圓及支撐托板朝貼附裝置搬運貼合的技術已被揭示於專利文獻1、2。
[專利文獻1]日本公開專利公報「日本特開2008-182127號公報(2008年8月7日公開)」
[專利文獻2]日本公開專利公報「日本特開2012-059758號公報(2012年9月17日公開)」
但是在習知技術中,重疊裝置,是將晶圓及支撐托板的外徑對位。一般,支撐托板多在尺寸具有參差不一情況,若將晶圓及支撐托板的外徑對位,也具有由此參差不一的起因使晶圓及支撐托板的相對位置會發生參差不一的可能性。在晶圓及支撐托板的相對位置參差不一若
發生的話,對於其後的晶圓的處理會造成不良影響。
本發明,是有鑑於上述課題,其主要目的是提供一種提高重疊裝置中的晶圓及支撐托板的位置對合的精度的技術。
為了解決上述的課題,本發明的重疊裝置,其特徵為,具備:重疊部,是使基板及支撐該基板的支撐體重疊;及複數攝像手段,是將被重疊之前的上述基板及上述支撐體的端面攝像;及保持部,是將藉由上述攝像手段被攝像的上述基板及上述支撐體保持;及中心位置檢出部,是從上述攝像手段所攝像的複數畫像,檢出上述基板及上述支撐體的各中心位置;及搬運手段,將已檢出中心位置之後的上述基板及上述支撐體從上述保持部朝上述重疊部搬運,在上述重疊部中,使上述中心位置檢出部所檢出的上述基板及上述支撐體的彼此的中心位置重疊的方式,將上述基板及上述支撐體重疊。
且本發明的重疊方法,其特徵為,包含:藉由複數攝像手段,將被保持在保持部的基板及支撐體的端面攝像的攝像過程;及從在上述攝像過程中所攝像的複數畫像,檢出上述基板及上述支撐體的各中心位置的中心位置檢出過程;及將檢出中心位置的上述基板及上述支撐體從上述保持部朝重疊部搬運的搬運過程;及在上述重疊部中,使所檢出的上述基板及上述支撐體的彼此的中心位置
重疊的方式,將上述基板及上述支撐體重疊的重疊過程。
依據本發明的話,檢出被保持在保持部的基板及支撐體的中心位置,將基板及支撐體從保持部朝重疊部搬運之後,在重疊部,使所檢出的基板及支撐體的中心位置重疊的方式將基板及支撐體重疊。由此,可以提高晶圓及支撐托板的位置對合的精度。
1‧‧‧貼合系統
2‧‧‧貼合單元
3‧‧‧保持部
4‧‧‧第1外部搬運手段(搬運手段)
5‧‧‧第1外部搬運手段行走路
6‧‧‧重疊部(第1處理室)
7‧‧‧貼附部(第2處理室)
8‧‧‧閘門
9‧‧‧交接窗
10‧‧‧內部搬運手段
11‧‧‧內部搬運臂
12‧‧‧臂繞轉軸
17a,17b‧‧‧攝像部(第一攝像手段,第二攝像手段)
18a,18b‧‧‧攝像領域
19‧‧‧中心位置檢出部
21‧‧‧昇降載台(支撐手段)
21a‧‧‧載置面
22‧‧‧位置調整部(位置調整手段)
23‧‧‧卡止構件
24‧‧‧暫時固定部(暫時固定手段)
24a‧‧‧接觸面
25‧‧‧加熱器(加熱手段)
26‧‧‧按壓部
26a~26d‧‧‧按壓部
40‧‧‧層疊體
41‧‧‧支撐托板(支撐體)
42‧‧‧基板
50‧‧‧FOUP(前開口式通用容器)開啟機構
51‧‧‧烤板
52‧‧‧自旋盤
53‧‧‧通道線
54‧‧‧第2外部搬運手段
[第1圖]
示意一實施例中的貼合系統的整體的構成的俯視圖。
[第2圖]
示意一實施例中的保持部的構成的俯視圖。
[第3圖]
(a)是示意一實施例中的重疊部的構成的前視圖,(b)是將(a)簡略化的圖。
[第4圖]
示意一實施例中的位置調整手段的構成的俯視圖。
[第5圖]
示意一實施例中的卡止構件的構成的俯視圖。
[第6圖]
顯示一實施例中的貼合單元的構成的圖。
[第7圖]
說明一實施例中的重疊裝置的動作的圖。
本發明的重疊裝置,是具備:使基板及支撐該基板的支撐體重疊的重疊部、及將被重疊之前的上述基板及上述支撐體的端面攝像的複數攝像手段、及將由上述攝像手段被攝像的上述基板及上述支撐體保持的保持部、及從上述攝像手段所攝像的複數畫像,檢出上述基板及上述支撐體的各中心位置的中心位置檢出部、及將已檢出中心位置之後的上述基板及上述支撐體從上述保持部朝上述重疊部搬運的搬運手段,在上述重疊部中,使上述中心位置檢出部所檢出的上述基板及上述支撐體的彼此的中心位置重疊的方式,將上述基板及上述支撐體重疊。
且本發明的重疊方法,是包含:藉由複數攝像手段,將被保持在保持部的基板及支撐體的端面攝像的攝像過程;及從在上述攝像過程中所攝像的複數畫像,檢出上述基板及上述支撐體的各中心位置的中心位置檢出過程;及將檢出中心位置的上述基板及上述支撐體從上述保持部朝重疊部搬運的搬運過程;及在上述重疊部中,使所檢出的上述基板及上述支撐體的彼此的中心位置重疊的方式,將上述基板及上述支撐體重疊的重疊過程。
上述重疊裝置,是將基板及支撐上述基板的支撐體,藉由透過被層疊在上述基板及上述支撐體的至少其中任一的黏著層而重疊而形成層疊體。即,層疊體,是使:基板、及包含例如熱可塑性樹脂的黏著層、及將上述基板支撐的支撐托板(支撐體),依此順序被層疊而形成。黏著層,是藉由使黏著劑被塗抹在基板及支撐托板的其中任一方,或是藉由將黏著劑被塗抹的黏著帶貼合而形成。且,將所形成的層疊體,例如,藉由機械手臂等的搬運裝置,載置(組裝)在貼附裝置的預定位置,藉由施加按壓力,就可以將基板及支撐托板貼合。
又,形成層疊體的形成方法及形成裝置,即,黏著層的形成方法和黏著層形成裝置等,並無特別限定,可以採用各種的方法和裝置。
且上述基板,是在被支撐於支撐托板(被貼附)的狀態下,朝薄化、搬運、貼裝等的程序被供給。基板,並不限定於晶圓基板,例如,需要由支撐托板的支撐之陶瓷基板、薄的薄膜基板、可撓性基板等的任意的基板也可以。
上述支撐托板,是將基板支撐的支撐體,透過黏著層被貼附在基板。因此,支撐托板,是在基板的薄化、搬運、貼裝等的程序時,具有為了防止基板的破損或變形所需要的強度即可,輕量較佳。從以上的觀點,支撐托板,是由玻璃、矽、丙烯系樹脂等構成更佳。
構成上述黏著層的黏著劑,是例如,包含藉
由加熱使熱流動性提高的熱可塑性樹脂作為黏著材料即可。熱可塑性樹脂,可舉例:丙烯系樹脂、苯乙烯系樹脂、馬來醯亞胺系樹脂、碳化氫系樹脂、彈性體樹脂等。
黏著層的形成方法,即,將黏著劑塗抹在基板或支撐托板的塗抹方法,或是將黏著劑塗抹在基材而形成黏著帶的形成方法,雖無特別限定,但黏著劑的塗抹方法,可舉例:自旋鍍膜法、浸漬法、並排滾子法、刮片法、噴霧法、狹縫噴嘴法等。
黏著層的厚度,雖對應成為貼附的對象的基板及支撐托板的種類、對於貼附後的基板施加的處理等適宜地設定即可,但是10~150μm的範圍內較佳,15~100μm的範圍內更佳。
又,從基板將支撐托板剝離時,朝黏著層供給溶劑將黏著層溶解即可。由此,可以將基板及支撐托板分離。此時,在支撐托板,形成有朝其厚度方向貫通的貫通孔的話,因為可以透過此貫通孔將溶劑容易地朝黏著層供給,所以更佳。
且在基板及支撐托板之間,只要不會妨害兩者的貼附,進一步形成黏著層以外的其他的層也可以。例如,在支撐托板及黏著層之間,形成有藉由照射光而變質的分離層也可以。藉由形成有分離層,在基板的薄化、搬運、貼裝等的程序後藉由將光照射,就可以將基板及支撐托板容易地分離。
本發明的重疊裝置,其一實施例,是可以組入將基板42及支撐托板41貼合的貼合系統。
第1圖,是顯示本實施例中的貼合系統1的構成圖,顯示將貼合系統1從正上所見的概略的構成。如第1圖所示,貼合系統1,是具備貼合單元2、保持部3、第1外部搬運手段4及第1外部搬運手段行走路5的構成。貼合單元2,是包含可減壓的重疊部6及可減壓的貼附部7。其中,藉由保持部3及重疊部6構成本實施例的重疊裝置,且藉由貼附部7構成本實施例的貼附裝置。
在第1圖中,進一步圖示:具備貼合系統1的FOUP(前開口式通用容器)開啟機構50、將黏著層塗抹在基板42的自旋盤52、使被塗抹的黏著層硬化的烤板51、第2外部搬運手段54、及將基板42朝第1外部搬運手段4拉引傳送用的通道線53。
外部搬運手段4,是具有可以將支撐托板41、基板42及層疊體40攜帶的構成,在與貼合單元2之間,可交接支撐托板41、基板42及層疊體40的構成。外部搬運手段4是在外部搬運手段行走路5上移動。擔任這種功能的外部搬運手段4及外部搬運手段行走路5可以藉由習知公知的技術準備。
(保持部)
第2圖,是顯示保持部3的概略的構成的圖。如第2
圖所示,保持部3,是具備攝像部(第一攝像手段,第二攝像手段)17a、17b及中心位置檢出部19,將被重疊之前的基板42或支撐托板41保持(又,在第2圖中顯示將支撐托板41保持的情況)。
攝像部17a、17b,是將包含被保持在保持部3的基板42或支撐托板41的彼此不同的端面(第一端面,第二端面)的領域18a、18b各別攝像。領域18a、18b,是例如,設於被保持在保持部3的基板42或支撐托板41的大約對角線上較佳。攝像部17a、17b,是例如CCD照相機。
中心位置檢出部19,是依據攝像部17a、17b所攝像的複數畫像,檢出被保持在保持部3的基板42或支撐托板41的中心位置。中心位置檢出部19,是可依據圓板的端面的畫像,將假想圓算出,檢出中心位置即可。依據端面的畫像的中心位置的檢出技術,是使用公知的畫像處理即可,無特別限定。
(重疊部)
第3圖(a),是顯示重疊部6的概略的構成的圖,第3圖(b),是將第3圖(a)簡略化的圖。如第3圖(a)所示,重疊部6,是具備昇降載台(支撐手段)21、位置調整部(位置調整手段)22、卡止構件23、暫時固定部(暫時固定手段)24、加熱器25及按壓部26。如第3圖(b)所示,位置調整部22及卡止構件23,是成為朝水平方向移動,昇降載
台21及暫時固定部24,是成為朝垂直方向移動。在重疊部6中,使支撐托板41及基板42各別被搬入。
昇降載台21,是將支撐托板41或基板42、或是將這些重疊的層疊體40從其底面保持的構件,例如,將支撐托板41或基板42、或是將這些重疊的層疊體40吸附保持的挾盤。昇降載台21,是可朝垂直方向上下移動,由此,可以將保持的支撐托板41、基板42及層疊體40朝垂直方向上下移動。
昇降載台21中的支撐托板41等的載置面21a,是使載置物無損傷的方式,例如由聚四氟乙烯、聚醚醚酮(PEEK)等的樹脂形成較佳。且,在載置面21a中形成溝較佳。藉由在載置面21a形成溝,將重疊部6的內部減壓時,可以防止在支撐托板41、基板42以及層疊體40、與載置面21a之間氣體殘留。
位置調整部22,是為了位置對合,將成為位置對合的對象的支撐托板41及基板42的水平方向中的位置調節的構件。位置調整部22,是依據由中心位置檢出部19所檢出的支撐托板41及基板42的中心位置,使支撐托板41及基板42的彼此的中心位置重疊的方式,來調整支撐托板41及基板42的至少一方的面內方向的位置。例如,如第4圖所示,使與將支撐托板41及基板42的中心位置預先被決定的中心軸O重疊的方式進行調整。
如此,位置調整部42,是使中心位置檢出部19所檢出的基板42及支撐托板41的彼此的中心位置重
疊的方式,調整基板42及支撐托板41的至少一方的面內方向的位置。由此,在重疊部6中,可以將中心位置檢出部19所檢出的基板及支撐體的中心位置重疊。
又,只要可以將支撐托板41及基板42的水平方向中的位置適切地調節,即,只要可以將支撐托板41及基板42朝所期的水平位置移動,位置調整部22的具體的機構並無特別限制。在本實施例中位置調整部22,是如第4圖所示,藉由按壓部26a~26d被按壓,而與支撐托板41或基板42抵接,藉此調整支撐托板41及基板42的水平方向中的位置。按壓部26a~26d,是例如可以由步進馬達、氣壓缸等構成。
且如第3圖(a)中A、B所示,位置調整部22與支撐托板41或基板42抵接的位置的一例,是成為2階段。藉此,例如,成為可以處理具有2種類的尺寸的基板42等。
卡止構件23,是不改變其水平位置且直到進行重疊為止將進行了位置對合的支撐托板41(在先進行基板42的位置對合的情況時為基板42)保持的構件。第5圖,是將卡止構件23從上面側所見的圖。卡止構件23,是藉由將支撐托板41的周緣部的一部分從其下側支撐,將支撐托板41穩定地保持。卡止構件23,是可朝水平方向移動。支撐托板41被載在昇降載台21並搬運至卡止構件23的上部時,是先將卡止構件23朝完全不會與支撐托板41重疊的位置移動。在本說明書中,此狀態時,稱為卡
止構件23位於「拔取位置」中。支撐托板41朝隔片插入位置被搬入之後,使可以藉由卡止構件23將支撐托板41支撐的方式,將卡止構件23返回至與支撐托板41重疊的位置。在本說明書中,此狀態時,稱為卡止構件23位於「插入位置」中。第5圖,是顯示卡止構件23位於「插入位置」中的狀態。卡止構件23位於插入位置時,將卡止構件23的支撐托板41支撐的各構件及支撐托板41的重疊的寬度d3,是非限定地,從支撐托板41的周緣橫跨內側可為1~5mm程度。最佳為5mm。且,卡止構件23的大小,例如橫寬度d4可為5mm,但不限定於此。
卡止構件23的材質並無特別限定,例如在不銹鋼(SUS)形成倒角、使用由聚四氟乙烯等樹脂護膜者也可以。
暫時固定部24,是將支撐托板41及基板42重疊時,藉由將重疊在基板42的支撐托板41的一部分的領域朝向基板42按壓並且加熱,將支撐托板41暫時固定在基板42的構件。即,藉由對於一部分的領域進行按壓及加熱,使支撐托板41及基板42挾持的黏著層的一部分軟化。其後,藉由再冷卻,就可以將支撐托板41及基板42暫時固定。
如此,依據本實施例,因為可以將支撐托板41及基板42暫時固定,將重疊的層疊體40,朝貼附部7搬運時,可以有效地防止在基板42及支撐托板41的相對位置發生偏離。
暫時固定部24,是與昇降載台21成對地挾持支撐托板41及基板42,且暫時固定部24的對於支撐托板41的接觸面24a的面積,並無特別限定,參照支撐托板41及基板42的暫時固定的強度、和支撐托板41及基板42之間中的孔隙(氣洞)等的發生等適宜地設定即可。
又,接觸面24a接觸的支撐托板41上的領域,是支撐托板41的中央部較佳。由此,可以平衡佳地將支撐托板41及基板42暫時固定。
且暫時固定部24,是具備將接觸面24a加熱用的加熱器(加熱手段)25。且,暫時固定部24的材料,是雖無特別限定,但由熱傳導性佳的鋁等構成也可以。且,暫時固定部24,是例如,藉由步進馬達被驅動、藉由施加在步進馬達的扭矩,而可控制朝支撐托板41的按壓力。
且暫時固定部24,是設在比卡止構件23更垂直上方,成為可朝上下移動的構成。暫時固定部24不朝下方移動,因此位於不與被保持於卡止構件23的支撐托板41接觸的位置,在本說明書中,稱為暫時固定部24位於「待機位置」中。對於此,暫時固定部24朝下方移動,其結果,位於將被保持於卡止構件23的支撐托板41表面按壓的位置,在本說明書中,稱為暫時固定部24位於「接合位置」中。暫時固定部24,是當暫時固定部24位於接合位置時使其與支撐托板41表面的中心部分接觸的方式被設置。
(貼附部)
貼附部7,是具有將進行位置對合而被重疊的基板42及支撐托板41貼合的貼合手段。貼合手段,是可為透過黏著劑層藉由熱壓合將基板42及支撐托板41貼合之構成。例如,在貼附部7內部的上下設置壓板,在此上下的壓板之間,可將接合前的層疊體40挾入。
(內部搬運手段)
重疊部6及貼附部7,是可以設置有將一個處理室的內部分隔成二個處理室的壁的構造。其他如重疊部6及貼附部7,該重疊部6及貼附部7是與各自的側面無間隙地彼此接觸的構造也可以。在重疊部6及貼附部7的交界中,設有在重疊部6及貼附部7間進行層疊體40的交接用的閘門8。閘門8是藉由擋板控制開閉。且,在重疊部6中,在貼合單元2及外部搬運手段4之間設有供進行支撐托板41、基板42及層疊體40的交接用的可開閉的交接窗9。在重疊部6中及貼附部7中各別設有公知的減壓手段(無圖示),可以將各室的內部壓的狀態獨立控制。
因為貼附部7是可減壓的構成,所以可以在減壓環境下將基板42及支撐托板41透過黏著劑層貼合。在減壓環境下藉由將基板42壓合在黏著劑層,在空氣不存在於基板42表面的凹凸圖型的凹陷中的狀態,因為可以將黏著劑層進入該凹陷,所以更可確實地防止黏著劑層
及基板42之間的氣泡的發生。
閘門8,是在擋板為打開的狀態下,形成為使被位置對合的層疊體40可以從重疊部6朝貼附部7移動,且可以將接合後的層疊體40從貼附部7朝重疊部6移動。重疊部6及貼附部7的其中任一也藉由在減壓的狀態下將擋板打開,成為可以將接合前的層疊體40從重疊部6朝貼附部7在減壓下移動的構造。
在貼合單元2中進一步設有透過閘門8在重疊部6及貼附部7間進行層疊體40的交接的內部搬運手段(第6圖中的10)。
第6圖,是將包含內部搬運手段10的貼合單元2的內部構成從上方所見的構成圖。內部搬運手段10,只要是可以將層疊體40在重疊部6及貼附部7之間移動的構成,對於具體的機構無特別限定。在本實施例中,如第6圖所示,內部搬運手段10,是由內部搬運臂11及臂繞轉軸12所構成。內部搬運手段10,是藉由以能將層疊體40從其下面支撐的內部搬運臂11的臂繞轉軸12為旋轉中心的轉動,將層疊體40移動的機構。雖詳細如後述,但在本實施例中,設有轉動的繞轉軸為共通的2個內部搬運手段10。臂繞轉軸12雖是被設在重疊部6側,但設在貼附部7側的構成也可以。從可以縮短重疊部6及外部搬運手段4之間的交接的行程的觀點,臂繞轉軸12,是形成於接近形成有交接窗9的側面側較佳。第6圖中,由「B」所示的二點鏈線,是顯示內部搬運臂11的待機位
置,由「C」所示的二點鏈線,是顯示內部搬運臂11的貼附部7中的位置(貼附部交接位置)。
內部搬運臂11的轉動速度可以設定成對應狀況的速度。因此,當內部搬運臂11保持層疊體40時,可以將內部搬運臂11由低速轉動,未將層疊體40保持時,可以將內部搬運臂11由高速轉動。且,可以使內部搬運臂11的轉動的起動及停止成為平順的方式控制加減速。
如第6圖所示,閘門8,是在擋板為打開的狀態,成為使轉動的內部搬運臂11可通過閘門8將層疊體40搬運至貼附部交接位置C為止的寬度的開口。閘門8的開閉可以使用習知公知的手段,例如可以適用閘門閥構造。
接著,說明本實施例的重疊裝置(保持部3及重疊部6)的概略動作(本實施例的重疊方法)。
第7圖,是對於本實施例中的重疊裝置的動作,藉由重疊部6的內部的狀態說明的圖。又為了方便說明,與第3圖(b)同樣地,對於將位置調整部22、卡止構件23及暫時固定部24保持或控制用的各構件,是省略其圖示。
(1.朝保持部3的支撐托板41的搬入)
使用外部搬運手段4,將支撐托板41朝保持部3搬
入。且,中心位置檢出部19,是檢出支撐托板41的中心位置。詳細的話,首先,攝像部17a及17b,是將被保持在保持部3的支撐托板41的端面攝像(攝像過程)。且,中心位置檢出部19,是依據攝像部17a及17b所攝像的複數畫像,檢出被保持在保持部3的支撐托板41的中心位置(中心位置檢出過程)。
(2.朝重疊部6的支撐托板41的搬入)
使用外部搬運手段4,將支撐托板41,透過交接窗9朝重疊部6內部搬入,載置在昇降載台21上(搬運過程,第7圖(a)參照)。又,在此時點,使卡止構件23位於拔取位置,使暫時固定部24位於待機位置較佳。
(3.支撐托板41位置對合)
接著,將放置了支撐托板41的昇降載台21,移動至位置調整部22存在的位置為止。且,藉由位置調整部22,使在(1)中被檢出的支撐托板41的中心位置,與被預先決定的中心軸重疊的方式,調整支撐托板41的水平方向中的位置(重疊過程,第7圖(b)參照)。
(4.卡止構件23插入-支撐托板41交接)
支撐托板41的位置對合終了之後,將放置了支撐托板41的昇降載台21,上昇直到將卡止構件23插入的位置為止。且,將卡止構件23朝插入位置移動(第7圖(c)參
照)。由此,可以不改變已結束位置對合的支撐托板41的水平方向的位置地藉由卡止構件23保持,將昇降載台21再度下降。
(5.朝保持部3的支撐托板41的搬入)
使用外部搬運手段4,將基板42朝保持部3搬入。且,中心位置檢出部19,是檢出基板42的中心位置。詳細的話,首先,攝像部17a及17b,是將被保持在保持部3的基板42的端面攝像(攝像過程)。且,中心位置檢出部19,是依據攝像部17a及17b所攝像的複數畫像,檢出被保持在保持部3的基板42的中心位置(中心位置檢出過程)。
(6.基板42搬入)
使用外部搬運手段4,將基板42,透過交接窗9朝重疊部6內部搬入,配置於昇降載台21上(搬運過程,第7圖(d)參照)。將基板42朝重疊部6內搬入結束,將交接窗9關閉之後,開始重疊部6的減壓。重疊部6的減壓,是使暫時固定終了的時點中的重疊部6的減壓狀態及貼附部7的減壓狀態,成為彼此幾乎相同狀態的方式進行即可。最佳為10Pa以下。
(7.基板42位置對合)
接著,將放置了基板42的昇降載台21,移動至位置
調整部22存在的位置為止。且,藉由位置調整部22,使在(5)中被檢出的基板42的中心位置,與被預先決定的中心軸重疊的方式,調整基板42的水平方向中的位置(重疊過程,第7圖(e)參照)。
(8.暫時固定及卡止構件拔取)
將放置了已結束位置對合的基板42之昇降載台21,上昇至與支撐托板41重疊的位置為止。在昇降載台21到達該位置之後,將暫時固定部24朝支撐托板41上移動。由此,使暫時固定部24的接觸面24a與支撐托板41的表面接觸,成為將支撐托板41的表面按壓的狀態(重疊過程,第7圖(f)參照)。同時,藉由加熱器25,先將接觸面24a加熱好。藉此,使基板42及支撐托板41之間的黏著層熱流動,暫時固定。
又,接觸面24a的溫度,是例如,被加熱至成為黏著層的黏著材料也就是熱可塑性樹脂的玻璃轉移點(Tg)以上的溫度為止較佳,加熱至成為玻璃轉移點(Tg)以上的溫度為止更佳。藉由將黏著層加熱至熱可塑性樹脂的玻璃轉移點以上的溫度為止,使黏著層的熱流動性提高,成為容易變形。黏著層,即,雖也依據黏著材料也就是熱可塑性樹脂的材質而有不同,但接觸面24a的溫度是23~300℃較佳,加熱時間,即按壓時間是3~300秒較佳,5~180秒更佳。
且在成為藉由暫時固定部24使支撐托板41
被抵接於基板42的狀態之後,將卡止構件23返回至拔取位置。由此,在支撐托板41及基板42重疊的部分的整體,兩者是成為被重疊的狀態(重疊過程,第7圖(g)參照)。
(9.重疊終了)
將支撐托板41及基板42重疊之後,將暫時固定部24返回至待機位置。接著,使放置了將支撐托板41及基板42重疊的層疊體40之昇降載台21下降。藉由以上,重疊終了(第7圖(h)參照)。
(10.層疊體40搬運)
將閘門8的擋板打開,將內部搬運手段10,朝重疊部6移動,將層疊體40保持(第8圖(b)參照)。接著,內部搬運手段10,是將層疊體40朝貼附部7搬運(第8圖(b)參照)。
如以上,在本實施例的重疊裝置中,可以使中心位置檢出部19所檢出的基板42及支撐托板41的彼此的中心位置重疊的方式,將基板42及支撐托板41重疊。藉此,即使在支撐托板41的尺寸具有參差不一情況,與將基板42及支撐托板41的外徑對位情況相異,而可以防止在基板42及支撐托板41的相對位置發生參差不一。具體而言,在習知的方法中,在100μm程度的偏離發生處,使用本實施例的情況時,可以抑制在50μm程度。
本發明不限定於上述的實施例,在如申請專
利範圍所示的範圍可進行各種變更。即,對於將適宜變更了如申請專利範圍所示的範圍的技術的手段組合的實施例也被包含於本發明的技術的範圍。
本發明,因為可以提高真空中的基板及支撐板的貼合的精度,所以可以廣泛利用在工業製品的製造領域。
1‧‧‧貼合系統
2‧‧‧貼合單元
3‧‧‧保持部
4‧‧‧第1外部搬運手段(搬運手段)
5‧‧‧第1外部搬運手段行走路
6‧‧‧重疊部(第1處理室)
7‧‧‧貼附部(第2處理室)
8‧‧‧閘門
9‧‧‧交接窗
50‧‧‧FOUP(前開口式通用容器)開啟機構
51‧‧‧烤板
52‧‧‧自旋盤
53‧‧‧通道線
54‧‧‧第2外部搬運手段
Claims (6)
- 一種重疊裝置,其特徵為,具備:重疊部,是使基板及支撐該基板的支撐體重疊;及複數攝像手段,是將被重疊之前的上述基板及上述支撐體的端面攝像;及保持部,是將藉由上述攝像手段被攝像的上述基板及上述支撐體保持;及中心位置檢出部,是從上述攝像手段所攝像的複數畫像,檢出上述基板及上述支撐體的各中心位置;及搬運手段,將已檢出中心位置之後的上述基板及上述支撐體從上述保持部朝上述重疊部搬運,在上述重疊部中,使上述中心位置檢出部所檢出的上述基板及上述支撐體的彼此的中心位置重疊的方式,將上述基板及上述支撐體重疊。
- 如申請專利範圍第1項所述之重疊裝置,其中,上述重疊部,是具備位置調整手段,其是使上述基板及上述支撐體的彼此的中心位置重疊的方式,調整上述基板及上述支撐體的至少一方的面內方向的位置。
- 如申請專利範圍第1或2項所述之重疊裝置,其中,上述攝像手段,是具備:將上述基板及上述支撐體中的第一端面攝像的第一攝像手段、及將與上述基板及上述支撐體中的第一端面不同位置的第二端面攝像的第二攝像手段。
- 如申請專利範圍第1或2項所述之重疊裝置,其中,黏著層是被層疊在上述基板及上述支撐體的至少其中任一,上述重疊部,是透過上述黏著層將上述基板及上述支撐體重疊。
- 如申請專利範圍第1或2項所述之重疊裝置,其中,上述重疊部,是具備:將已檢出中心位置之後的上述基板及上述支撐體之中的一方支撐的支撐手段、及將已檢出中心位置之後的上述基板及上述支撐體之中的另一方卡止的卡止構件,使上述基板及上述支撐體的彼此的中心位置重疊的方式,將被卡止在卡止構件的上述基板及上述支撐體之中的另一方,重疊在被支撐於上述支撐體的上述基板及上述支撐體之中的一方。
- 一種重疊方法,其特徵為,包含:藉由複數攝像手段,將被保持在保持部的基板及支撐體的端面攝像的攝像過程;及從在上述攝像過程中所攝像的複數畫像,檢出上述基板及上述支撐體的各中心位置的中心位置檢出過程;及將檢出中心位置的上述基板及上述支撐體從上述保持部朝重疊部搬運的搬運過程;及在上述重疊部中,使所檢出的上述基板及上述支撐體 的彼此的中心位置重疊的方式,將上述基板及上述支撐體重疊的重疊過程。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012142389A JP6001934B2 (ja) | 2012-06-25 | 2012-06-25 | 重ね合わせ装置および重ね合わせ方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW201413863A true TW201413863A (zh) | 2014-04-01 |
TWI524463B TWI524463B (zh) | 2016-03-01 |
Family
ID=49782783
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW102117205A TWI524463B (zh) | 2012-06-25 | 2013-05-15 | 重疊裝置及重疊方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9911637B2 (zh) |
JP (1) | JP6001934B2 (zh) |
KR (1) | KR101677864B1 (zh) |
TW (1) | TWI524463B (zh) |
WO (1) | WO2014002609A1 (zh) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI823650B (zh) * | 2019-08-28 | 2023-11-21 | 日商芝浦機械電子裝置股份有限公司 | 移送裝置及安裝裝置 |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5701465B2 (ja) * | 2012-12-21 | 2015-04-15 | 株式会社新川 | フリップチップボンダ及びボンディングステージの平坦度並びに変形量補正方法 |
JP6412786B2 (ja) * | 2014-12-03 | 2018-10-24 | 東京応化工業株式会社 | 搬送方法 |
US10825705B2 (en) * | 2015-05-15 | 2020-11-03 | Suss Microtec Lithography Gmbh | Apparatus, system, and method for handling aligned wafer pairs |
JP6756600B2 (ja) * | 2016-12-14 | 2020-09-16 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP2023145908A (ja) * | 2022-03-29 | 2023-10-12 | Aiメカテック株式会社 | 基板貼り合わせ装置及び基板貼り合わせ方法 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4535907B2 (ja) * | 2005-03-03 | 2010-09-01 | 日東電工株式会社 | 判別機能付き位置決め装置 |
JP4781802B2 (ja) * | 2005-12-06 | 2011-09-28 | 東京応化工業株式会社 | サポートプレートの貼り合わせ手段及び貼り合わせ装置、並びにサポートプレートの貼り合わせ方法 |
JP4750724B2 (ja) | 2007-01-25 | 2011-08-17 | 東京応化工業株式会社 | 重ね合わせユニット及び貼り合わせ装置 |
JP4744458B2 (ja) * | 2007-01-31 | 2011-08-10 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板位置決め装置および基板位置決め方法 |
TWI471971B (zh) | 2007-10-30 | 2015-02-01 | 尼康股份有限公司 | Substrate holding member, substrate bonding apparatus, laminated substrate manufacturing apparatus, substrate bonding method, laminated substrate manufacturing method, and laminated semiconductor device manufacturing method |
US8060330B2 (en) | 2008-12-12 | 2011-11-15 | Lam Research Corporation | Method and system for centering wafer on chuck |
JP5477053B2 (ja) * | 2010-03-02 | 2014-04-23 | 株式会社ニコン | 重ね合わせ装置、ウェハホルダ、位置検出方法およびデバイスの製造方法 |
JP6014302B2 (ja) * | 2010-09-06 | 2016-10-25 | 東京応化工業株式会社 | 貼り合わせ装置および貼り合わせ方法 |
JP2013033809A (ja) * | 2011-08-01 | 2013-02-14 | Tokyo Electron Ltd | ウエハ搬送装置 |
-
2012
- 2012-06-25 JP JP2012142389A patent/JP6001934B2/ja active Active
-
2013
- 2013-04-30 WO PCT/JP2013/062572 patent/WO2014002609A1/ja active Application Filing
- 2013-04-30 US US14/409,137 patent/US9911637B2/en active Active
- 2013-04-30 KR KR1020157001241A patent/KR101677864B1/ko active IP Right Grant
- 2013-05-15 TW TW102117205A patent/TWI524463B/zh active
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI823650B (zh) * | 2019-08-28 | 2023-11-21 | 日商芝浦機械電子裝置股份有限公司 | 移送裝置及安裝裝置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US9911637B2 (en) | 2018-03-06 |
TWI524463B (zh) | 2016-03-01 |
JP2014007299A (ja) | 2014-01-16 |
KR20150034179A (ko) | 2015-04-02 |
JP6001934B2 (ja) | 2016-10-05 |
WO2014002609A1 (ja) | 2014-01-03 |
US20150194329A1 (en) | 2015-07-09 |
KR101677864B1 (ko) | 2016-11-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI524463B (zh) | 重疊裝置及重疊方法 | |
TWI567782B (zh) | 重疊裝置及重疊方法 | |
CN110416142B (zh) | 接合装置、接合系统以及接合方法 | |
TWI538810B (zh) | 貼合方法 | |
TWI540660B (zh) | 接合方法、電腦記憶媒體及接合系統 | |
JP6014302B2 (ja) | 貼り合わせ装置および貼り合わせ方法 | |
KR102404840B1 (ko) | 반송 방법 및 첩부 장치 | |
TWI618180B (zh) | 接合裝置、接合系統、接合方法及電腦記憶媒體 | |
TWI588931B (zh) | 貼合裝置及貼合方法 | |
TWI540661B (zh) | 接合方法、電腦記憶媒體及接合系統 | |
TWI701755B (zh) | 黏貼系統、及黏貼方法 | |
JP6670185B2 (ja) | 重ね合わせ装置、貼付装置、重ね合わせ方法および貼付方法 | |
JP2015207691A (ja) | 基板処理システム、基板処理方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 | |
WO2014050494A1 (ja) | 搬送方法、貼付方法および貼付装置 |