TW201412521A - 玻璃片積層體及玻璃片積層體之製造方法 - Google Patents

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Abstract

本發明係提供一種薄型輕量、阻氣性、撓曲性及耐久性優良且平坦性優良的積層體，以及具有該積層體的保護板及半導體裝置，和積層體之製造方法。本發明之玻璃片積層體，係具有厚度10~500μm的玻璃片及硬化膜，該硬化膜係包含具交聯性官能基之含氟聚伸芳基預聚物(A)的硬化性組成物所形成者。

Description

玻璃片積層體及玻璃片積層體之製造方法 發明領域
本發明係有關於玻璃片積層體及玻璃片積層體之製造方法。
發明背景
液晶顯示器或行動終端機等顯示構件的表面上，為了保護而使用有覆蓋玻璃。又，太陽電池、LED等光電轉換元件的表面亦同樣為了保護而使用有覆蓋玻璃。此等係利用了玻璃具有的優良耐久性及透明性等之用途。
近年，在顯示構件或光電轉換元件方面一直要求顯著輕量化。為此開發有將玻璃薄化的技術。但是，會有玻璃薄化則變得容易破裂的問題。為此，有人提出以與樹脂材料等之複合體來解決輕量化、耐衝撃性、耐久性、阻氣性、撓曲性等課題的技術(參照專利文獻1~4)。
先行技術文獻 專利文獻
專利文獻1：日本特開2010-42588號公報
專利文獻2：日本特開2011-16708號公報
專利文獻3：日本特開2011-51278號公報
專利文獻4：國際專利公開案第2008/149793號
發明概要
專利文獻1~3記載的技術中，由於使用碳化氫系樹脂作為樹脂，故會有長時間耐久性及耐光性不足、發生樹脂變色或劣化的狀況。又專利文獻4記載的技術中，係使用氟樹脂來抑制上述的樹脂劣化問題。但是，該技術中，係利用熱壓接法積層氟樹脂薄膜。此時，會有積層體無法平坦的問題。具體上，雖可能使積層體的厚度偏差縮小，但難以確保積層體整體的自立平坦性。例如，將積層體放置於平面上時，到處可觀察到類似從平面浮上來之所謂「起伏」的現象。
本發明中，係以解決上述問題作為課題，提供一種薄型輕量的積層體，其阻氣性、撓曲性及耐久性優良且平坦性優良。
本發明提供具有以下[1]~[15]之構成的玻璃片積層體、保護板、半導體裝置及玻璃片積層體之製造方法。
[1]一種玻璃片積層體，其特徵在於具有：厚度10~500μm之玻璃片；及由硬化性組成物所形成之硬化膜，該硬化性組成物含有具交聯性官能基之含氟聚伸芳基預聚物(A)。
[2]如[1]之玻璃片積層體，其中前述含氟聚伸芳基預聚物(A)為含氟聚伸芳基醚預聚物。
[3]如[2]之玻璃片積層體，其中前述含氟聚伸芳基預聚物(A)係在脫鹵化氫劑之存在下，使下述化合物進行反應而製得之預聚物：含氟芳香族化合物，具有鍵結於芳香環之碳原子的氟原子；酚系化合物，具有2個以上酚性羥基；及芳香族化合物，含有反應性基，該反應性基可在脫鹵化氫劑之存在下與交聯性官能基反應者。
[4]如[3]之玻璃片積層體，其中前述含氟芳香族化合物為全氟(1,3,5-三苯基苯)或全氟聯苯，前述酚系化合物為1,3,5-三羥基苯或1,1,1-參(4-羥基苯基)乙烷，前述芳香族化合物為五氟苯乙烯、乙醯氧苯乙烯、氯甲基苯乙烯或五氟苯基乙炔。
[5]如[1]至[4]中任一項之玻璃片積層體，其中前述硬化性組成物含有數目平均分子量為140~3,000之化合物(B)，該化合物(B)具有2個以上交聯性官能基且不具氟原子。
[6]如[5]之玻璃片積層體，其中前述化合物(B)為多元醇之聚丙烯酸酯或多元醇之聚甲基丙烯酸酯。
[7]如[1]至[6]中任一項之玻璃片積層體，其中前述硬化性組成物含有數目平均分子量超過3,000且在50,000以下之化合物(C)，該化合物(C)具有：碳原子間可具有醚性氧原子且碳數20以下之氟烷基、或是碳原子間可具有醚性氧原子且碳數6~24之烷基；及交聯性官能基。
[8]如[7]之玻璃片積層體，其係於前述硬化膜表面形成有親液性區域與撥液性區域之圖案。
[9]如[1]至[8]中任一項之玻璃片積層體，其中前述硬化性組成物含有自由基聚合引發劑(D)。
[10]如[1]至[9]中任一項之玻璃片積層體，其中前述交聯性官能基係選自於由乙烯基(氧)基、烯丙基(氧)基、乙炔基及(甲基)丙烯醯(氧)基所構成之群組。
[11]一種保護板，具有如[1]至[10]中任一項之玻璃片積層體。
[12]一種半導體裝置，具有如[1]至[10]中任一項之玻璃片積層體作為基材。
[13]一種玻璃片積層體之製造方法，其特徵在於：在厚度10~500μm之玻璃片上，形成含有硬化性組成物之液狀塗佈用組成物之塗膜，並使前述塗膜熱硬化或光硬化而形成硬化膜，前述硬化性組成物含有具交聯性官能基之含氟聚伸芳基預聚物(A)。
[14]如[13]之玻璃片積層體之製造方法，其中前述液狀塗佈用組成物係含有溶劑之硬化性組成物，且該製造方法在形成含有溶劑之硬化性組成物之塗膜並去除溶劑後，使硬化性組成物之塗膜硬化。
[15]如[13]或[14]之玻璃片積層體之製造方法，其係在 形成前述塗佈用組成物之膜後，具有1次以上之加熱步驟，且該加熱步驟中之加熱溫度皆為250℃以下。
本發明之玻璃片積層體，係薄型輕量，而且阻氣性、撓曲性及耐久性優良且平坦性優良。
本發明之保護板，係在顯示構件之表面或光電轉換元件之表面的保護性能方面優良、且耐久性優良。
本發明之光電轉換元件，係可有效率地製造且耐久性優良。
10、20‧‧‧半導體裝置
11、21‧‧‧玻璃片
12、22‧‧‧閘極
13、23‧‧‧源極
14、24‧‧‧汲極
15、25‧‧‧塗佈型半導體
16、26‧‧‧閘極絕緣膜
17、27‧‧‧硬化膜
17a‧‧‧親液性區域
17b‧‧‧撥液性區域
17c‧‧‧內部區域
18，28‧‧‧層間絕緣膜
19‧‧‧像素電極
圖1係示意性表示本發明之半導體裝置之一實施形態的薄膜電晶體構造的剖面圖。
圖2係示意性表示本發明之半導體裝置之另一實施形態的薄膜電晶體構造的剖面圖。
圖3係說明圖1之薄膜電晶體之製造方法的剖面圖。
用以實施發明之形態
本說明書中，有時將以式(m1)表示之化合物記載為化合物(m1)。以其他式表示之化合物亦以同樣方式記載。
本說明書中的「撥液性」，係撥水性及撥油性的總稱。
本說明書中的「親液性」，係親水性及親油性的總稱。
本說明書中的「親液化」，係撥液性變化為相對親液性，具體上係對水或有機溶劑之至少一者的接觸角變小。
本說明書中聚合物中的「單元」，係因單體聚合 而形成之源自於該單體1分子的部分。單元，可為因聚合而具有從單體直接形成之結構者，亦可為從單體直接形成之結構經由對聚合物處理而轉換為其他結構而成者。
本說明書中的「單體」，係具有可經自由基聚合之官能基的化合物。
本說明書中的「氟烷基」，係烷基的氫原子一部份或全部取代為氟原子的基；「全氟烷基」，係烷基的氫原子全部取代為氟原子的基。
本說明書中的「甲基丙烯醯(氧)基」，係甲基丙烯醯基及甲基丙烯醯氧基的總稱。「丙烯醯(氧)基」亦同。
本說明書中的「(甲基)丙烯醯基」，係丙烯醯基及甲基丙烯醯基的總稱。「(甲基)丙烯醯氧基」亦同。
本說明書中的「(甲基)丙烯醯(氧)基」，係「丙烯醯基」，「甲基丙烯醯基」，「丙烯醯氧基」及「甲基丙烯醯氧基」的總稱。
本說明書中的「乙烯基(氧)基」，係乙烯基及乙烯氧基的總稱。「烯丙基(氧)基」亦同。
本發明中的交聯性官能基，可列舉為：可經由自由基聚合之碳-碳不飽和雙鍵、可經由自由基聚合之碳-碳不飽和三鍵、經由自由基開環的環、及包含其等之基等。
不飽和雙鍵及不飽和三鍵，可存在於分子鏈內部，亦可存在於末端(以下亦稱為「末端烯烴型」)，但從反應性高來看，宜為存在於末端者。所謂存在於分子鏈內部，亦包含如環烯烴類這種存在於脂肪族環之一部份者。作為末 端烯烴型的交聯性官能基，宜為碳數4以下的烯基及碳數4以下的炔基。
具體上可列舉：乙烯基(氧)基、烯丙基(氧)基、異丙烯基、3-丁烯基、(甲基)丙烯醯(氧)基、三氟乙烯基(氧)基、乙炔基、1-側氧環戊-2,5-二烯-3-基、氰基、二芳基羥基甲基、環丁烯環、環氧乙烷環。
本發明中的交聯性官能基，由反應性高、易獲得高交聯密度之硬化膜的觀點，宜為選自於由乙烯基(氧)基、烯丙基(氧)基、乙炔基及(甲基)丙烯醯(氧)基所構成之群組的交聯性官能基，而後述之含氟聚伸芳基預聚物(A)、化合物(B)及化合物(C)，宜各自獨立，為具有選自於其等之交聯性官能基者。
本說明書中，將硬化性組成物之膜經硬化的膜稱為「硬化膜」。另外，「硬化膜」並非僅指硬化性組成物硬化完成的硬化膜，例如在使硬化性組成物硬化的複數個步驟中，僅一部份步驟結束的硬化膜亦包含其中。
本說明書中的數目平均分子量(Mn)，係藉由使用以分子量已知的標準聚苯乙烯試樣作成的檢量線，以凝膠滲透層析儀測定而獲得的聚苯乙烯換算分子量。
[玻璃片積層體]
本發明之玻璃片積層體(以下亦稱「積層體」)，係具有厚度10~500μm的玻璃片、以及由硬化性組成物所形成的硬化膜，該硬化性組成物係包含具有交聯性官能基的含氟聚伸芳基預聚物(A)。
(玻璃片)
本發明之積層體所用玻璃片(以下亦稱「玻璃片」)，厚度為10~500μm。在該厚度未達10μm時，即使作成積層體，耐衝撃性仍會不足而容易破損，故而不宜。又，該厚度超過500μm時，積層體的撓曲性會不足故而不宜。該厚度，係尤宜為20~300μm。
玻璃片的厚度宜為均一者。具體上厚度的偏差，依PV(Peak to Valley，峰至谷)值宜為15%以下(例如對100μm之厚度，偏差為15μm以下)。厚度若均勻則外觀會良好故為宜。
玻璃片的光線穿透率，在波長400~700nm之範圍內宜為90%以上。
玻璃片的介電常數，於10kHz宜為5~7。
玻璃片的楊氏係數宜為70~95GPa，而75~90GPa尤佳。
玻璃片的線膨張係數，於0~200℃下，宜為3×10-6~5×10-6/℃(3~5ppm/℃)。若具有該等特性，則作為光電轉換元件或顯示構件等的保護板、半導體裝置的基材等係為優良，故而為宜。
本發明使用的玻璃片表面宜為平坦。尤其表面粗度，以JIS B0601規範的算術平均粗度(Ra)計，係30nm以下為宜，1nm以下尤佳。若為平坦則光線穿透率高，而且即使在玻璃表面積層有透明導電膜等電極時，膜阻抵會均勻而不易產生缺陷，故而為宜。
玻璃片的材質及組成並無特別限制。可舉例如鈉 鈣玻璃(soda-lime glass)、鹼-硼矽酸玻璃、無鹼-硼矽酸玻璃、無鹼-鋁矽酸鹽玻璃等。其中，從耐久性高、彈性率高、線膨張係數低的觀點，以無鹼-硼矽酸玻璃或無鹼-鋁矽酸鹽玻璃為宜。另外，無鹼-硼矽酸玻璃及無鹼-鋁矽酸鹽玻璃有時合稱為「無鹼玻璃」。若為無鹼玻璃，在玻璃上形成半導體元件時，不會有因鹼而生的元件不良缺陷，故而為宜。還有，無鹼玻璃係指，在將玻璃組成以氧化物表示時，鹼金屬氧化物的含有比率未達1莫耳%(0莫耳%亦可)的玻璃。
此外，玻璃片為經施予強化處理者亦可。強化處理方面宜為化學強化。若為化學強化，即使是對薄玻璃片亦可施予有效的強化處理。此時會獲得即使薄型輕量，積層體亦不易破損的效果。
(硬化性組成物)
本發明中的硬化性組成物，係形成積層體的硬化膜者，含有具有交聯性官能基之含氟聚伸芳基預聚物(A)。該硬化性組成物亦可包含：數目平均分子量140~3,000的化合物(B)，其具有2個以上交聯性官能基且不具氟原子；數目平均分子量超過3,000且在50,000以下之化合物(C)，其具有：在碳原子間可具有醚性氧原子且碳數20以下之氟烷基或是碳原子間可具有醚性氧原子且碳數6~24之烷基、以及交聯性官能基；及自由基聚合引發劑(D)。
<含氟聚伸芳基預聚物(A)>
本發明中的含氟聚伸芳基預聚物(A)(以下亦稱「預聚物(A)」)，具有複數個芳香環隔著單鍵或連結基而結合的聚伸 芳基結構，同時具有氟原子，並具有交聯性官能基。藉由於硬化性組成物含有預聚物(A)，可賦予硬化膜低介電常數。
預聚物(A)的交聯性官能基，在預聚物(A)製造時實質上不起反應，最好是在後述的自由基聚合引發劑(D)的存在下，藉由施予外部能量使自由基聚合反應發生，引發預聚物(A)分子間的交聯或鏈延長。又，認為其係視需要與硬化性組成物中含有的化合物(B)或化合物(C)中所含交聯性官能基發生反應，與其等一起生成硬化膜。預聚物(A)中的交聯性官能基，以乙烯基及乙炔基尤佳。
聚伸芳基結構中的連結基，可舉例如醚鍵(-O-)、硫醚鍵(-S-)、羰基(-CO-)、磺醯基(-SO2-)等。預聚物(A)中，特別將具有以下結構者稱為含氟聚伸芳基醚預聚物：含氟原子之芳香環彼此、或含氟原子之芳香環與不含氟原子之芳香環，以含醚鍵(-O-)之連結基結合的結構。本發明中的預聚物(A)，宜為含有含氟聚伸芳基醚預聚物者，而僅以含氟聚伸芳基醚預聚物作為預聚物(A)者尤佳。
作為該含醚鍵之連結基的具體例，可例示如僅由醚性氧原子構成的醚鍵(-O-)、碳鏈中含醚性氧原子的伸烷基等。
預聚物(A)之內，含氟聚伸芳基醚預聚物因具有醚性氧原子，故分子結構具柔軟性，硬化膜的可撓性良好，由此點觀之其為尤佳。
預聚物(A)係具有氟原子。若具氟原子，則硬化膜之介電常數及介電損失易變低，故適宜作為形成絕緣膜 的材料。若絕緣膜的介電常數及介電損失低，則可避免信號傳播速度的延遲，而獲得電氣特性優良的元件。
又，若具有氟原子，則硬化膜的吸水率會變低，故在可抑制接合電極及其周邊的配線部分等的接合狀態變化方面、或可抑制金屬變質(鏽等)方面係為優良。在元件可靠度提升方面效果顯著。
作為預聚物(A)的適宜例，可舉例為：將含氟芳香族化合物、酚系化合物、及含交聯性官能基之芳香族化合物，在碳酸鉀等脫鹵化氫劑存在下使其反應而得的含氟聚伸芳基醚預聚物。含氟芳香族化合物、酚系化合物、及含交聯性官能基之芳香族化合物，各自可單獨使用1種，亦可併用2種以上。
該反應可依習知方法來實施。
前述含氟芳香族化合物係具有鍵結於芳香環碳原子上之氟原子的化合物，宜為鍵結於芳香環碳原子上之氫原子全部被氟原子取代者。較佳具體例係可舉例：全氟(1,3,5-三苯基苯)、全氟聯苯等。另外，該含氟芳香族化合物，係不具有交聯性官能基的化合物。
前述酚系化合物係具有2個以上酚性羥基的化合物，宜為具有3個以上酚性羥基的酚系化合物。又，亦宜將具有2個酚性羥基的化合物與具有3個以上酚性羥基的化合物併用作為酚系化合物。酚性羥基亦可為能行脫鹵化氫反應之經受阻化的酚性羥基。較佳具體例，可舉例為1,3,5-三羥基苯、1,1,1-參(4-羥基苯基)乙烷等。另外，該酚系化合物， 係不具有交聯性官能基的化合物。
前述含交聯性官能基之芳香族化合物，係為除交聯性官能基以外還具有可在脫鹵化氫劑存在下進行反應的反應性基的芳香族化合物，該反應性基可舉例為酚性羥基、經受阻化之酚性羥基(例如，乙醯氧基)、鍵結有氟原子之芳香環的碳原子，鍵結有氯原子或溴原子之烷基(例如，氯甲基)的碳原子等。含交聯性官能基之芳香族化合物的較佳具體例，係可舉例如五氟苯乙烯、乙醯氧苯乙烯、氯甲基苯乙烯、五氟苯基乙炔等。
脫氯化氫反應宜為在溶劑中進行。該溶劑方面宜為含有例如N,N-二甲基乙醯胺、N,N-二甲基甲醯胺、N-甲基吡咯啶酮、二甲基亞碸、環丁碸等非質子性極性溶劑的溶劑。極性溶劑中，在不降低所生成預聚物(A)的溶解性，及不對縮合反應帶來不良影響的範圍內，亦可含有甲苯、二甲苯、苯、四氫呋喃、三氟甲苯、六氟二甲苯等。藉由含有該等物質，溶劑的極性(介電常數)會變化，可控制反應速度。溶劑係可單獨使用1種亦可併用2種以上。
預聚物(A)的數目平均分子量(Mn)，係1,000~100,000為宜，5,000~50,000尤佳。數目平均分子量(Mn)若為上述範圍的下限值以上，則硬化膜的可撓性不易低下；若為上述範圍的上限值以下，則硬化性組成物容易純化。
<化合物(B)>
本發明中的化合物(B)，係具有2個以上交聯性官能基且 不具氟原子的數目平均分子量140~3,000的化合物。藉由使硬化性組成物包含化合物(B)，可製造硬度更高的硬化膜。化合物(B)一般在常溫下為液狀，推測此時化合物(B)係擔任反應性稀釋劑，藉此硬化前的硬化性組成物之膜的玻璃轉移溫度會降低而變成在低溫度下亦能夠起自由基反應，故使得在較低溫下硬化成為可能。又，液狀化合物(B)係發揮溶劑的功用，而使硬化性組成物能夠塗佈。化合物(B)越是低黏度的化合物、或化合物(B)的摻混量越多，則硬化性組成物的黏度可較低。
化合物(B)的數目平均分子量(Mn)，係200~3,000為宜，220~2,500較佳，240~2,000尤佳。若為上述範圍的下限值以上，則不易因加熱而揮發。若為上述範圍的上限值以下，則化合物(B)的黏度抑制在低值，與預聚物(A)混合時易獲得均勻的硬化性組成物。
由於化合物(B)具有2個以上交聯性官能基，故可使分子間交聯。化合物(B)宜具有2~20個交聯性官能基，而具有2~8個尤佳。
化合物(B)的交聯性官能基，宜不含氟原子、且在上述預聚物(A)之交聯性官能基發生自由基聚合反應時同時發生反應。
化合物(B)的交聯性官能基，至少與化合物(B)起反應而引發交聯或鏈延長。又，認為其亦與預聚物(A)或視需要之硬化性組成物中所含之化合物(C)的交聯性官能基起反應，與其等一起生成硬化膜。
作為化合物(B)的交聯性官能基，宜為(甲基)丙烯醯(氧)基、乙烯基(氧)基及烯丙基(氧)基，而(甲基)丙烯醯(氧)基較佳。作為(甲基)丙烯醯(氧)基，(甲基)丙烯醯氧基較佳，而丙烯醯氧基尤佳。
作為化合物(B)係宜為多元醇的聚(甲基)丙烯酸酯。作為多元醇，可舉例為烷多元醇、烷多元醇的多量體(multimer)、聚氧伸烷基多元醇等聚醚多元醇，二元醇與二元酸之縮合物的聚酯二元醇、或將環狀酯開環加成於多元醇而獲得的聚酯多元醇等聚酯多元醇。
作為化合物(B)的具體例，可列舉如二新戊四醇三丙烯酸酯三(十一酸酯)、二新戊四醇五丙烯酸酯單十一酸酯、乙氧基化異三聚氰酸三丙烯酸酯、ε-己內酯轉成之乙氧基化異三聚氰酸的三丙烯酸酯、9,9-雙[4-(2-丙烯醯氧基乙氧基)苯基]茀、聚乙二醇二丙烯酸酯、聚乙二醇二甲基丙烯酸酯、聚丙二醇二丙烯酸酯、聚丙二醇二甲基丙烯酸酯、乙氧基化雙酚A二丙烯酸酯、乙氧基化雙酚A二甲基丙烯酸酯、丙氧基化雙酚A二丙烯酸酯、丙氧基化雙酚A二甲基丙烯酸酯、1,10-癸二醇二丙烯酸酯、1,6-己二醇二丙烯酸酯、1,6-己二醇二甲基丙烯酸酯、1,4-丁二醇二甲基丙烯酸酯、1,3-丁二醇二甲基丙烯酸酯、羥基三甲基乙酸新戊二醇二丙烯酸酯、1,9-壬二醇二丙烯酸酯、1,9-壬二醇二甲基丙烯酸酯、新戊二醇二丙烯酸酯、新戊二醇二甲基丙烯酸酯、新戊四醇三丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三丙烯酸酯、乙氧基化三羥甲基丙烷三丙烯酸酯、丙氧基化三羥甲基丙烷三丙烯 酸酯、三烯丙基三異氰酸酯、三聚異氰酸三烯丙酯、三甲基丙烯醯基三聚異氰酸酯、1,4-丁二醇二乙烯醚、1,9-壬二醇二乙烯醚、環己烷二甲醇二乙烯醚、三乙二醇二乙烯醚、三羥甲基丙烷三乙烯醚、新戊四醇四乙烯醚、丙烯酸2-(2-乙烯氧基乙氧基)乙基、甲基丙烯酸2-(2-乙烯氧基乙氧基)乙基、三羥甲基丙烷二烯丙基醚、新戊四醇三烯丙基醚、二新戊四醇六丙烯酸酯、新戊四醇四丙烯酸酯、以下式(1)表示之乙氧基化新戊四醇四丙烯酸酯、以下式(2)表示之丙氧基化新戊四醇四丙烯酸酯、二三羥甲基丙烷四丙烯酸酯、三環癸烷二甲醇二丙烯酸酯、三環癸烷二甲醇甲基丙烯酸酯，以下式(3)表示之化合物等。
又，可使用聚酯丙烯酸酯(二元醇與二元酸之縮合物的兩末端經以丙烯酸修飾而成的化合物：東亞合成公司製，商品名ARONIX(M-6100、M-6200、M-6250、M-6500)；多元醇與多元酸之縮合物之羥基末端經丙烯酸修飾而成的化合物：東亞合成公司製，商品名ARONIX(M-7100、M-7300K、M-8030、M-8060、M-8100、M-8530、M-8560、M-9050))。其等可從市售品取得。化合物(B)可單獨使用1種亦可併用2種以上。
[化1]
作為化合物(B)，從取得容易性及反應性的觀點，宜為乙氧基化異三聚氰酸三丙烯酸酯、ε-己內酯轉成之乙氧基化異三聚氰酸的三丙烯酸酯(新中村化學工業公 司製的「ε-己內酯改質參(2-丙烯醯氧乙基)三聚異氰酸酯」等)、1,10-癸二醇二丙烯酸酯、1,9-壬二醇二丙烯酸酯、1,9-壬二醇二甲基丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三丙烯酸酯、二新戊四醇六丙烯酸酯、新戊四醇四丙烯酸酯、二三羥甲基丙烷四丙烯酸酯及三環癸烷二甲醇二丙烯酸酯。
使硬化性組成物中含有化合物(B)時，其含量，相對於預聚物(A)與化合物(B)之合計量(100質量份)，係10~80質量份為宜，15~70質量份較佳，20~60質量份尤佳。若化合物(B)的含量為上述範圍的下限值以上，則在低溫下亦能充分硬化，且硬化膜的耐溶劑性優良。若化合物(B)的含量為上述範圍之上限值以下，則硬化膜的介電常數會足夠低。
<化合物(C)>
本發明中的化合物(C)，係下述化合物(C-1)或化合物(C-2)的任一者。化合物(C-1)或化合物(C-2)係可單獨使用1種以上，亦可併用2種以上。
化合物(C-1)：具有碳原子間可具有醚性氧原子且碳數20以下之氟烷基(以下亦稱「Cf基」)、及交聯性官能基的數目平均分子量超過3,000且在50,000以下之化合物。另外，Cf基的碳數，係將鍵結有氟原子或三氟甲基的碳原子全部含在內，以碳原子數之合計數最小的方式決定。
化合物(C-2)：具有碳原子間可具有醚性氧原子且碳數6~24之烷基(以下亦稱「Rn基」)、及交聯性官能基的數目平均分子量超過3,000且在50,000以下之化合物。
化合物(C-1)中，有因紫外線照射而發生分子內分解、具Cf基之分解生成基脫離的化合物，以及不因紫外線照射而發生分子內分解的化合物或即便發生分解也沒有具Cf基之分解生成基脫離的化合物。如後所述，化合物(C-1)之中，具有以單體(4a)、單體(4b)及單體(4c)任一者為主體之單元作為單元(c1f)的化合物，係因紫外線照射而在分子內發生分解、而具Cf基之分解生成基脫離的化合物。化合物(C-1)之中，具有以單體(4d)為主體之單元作為單元(c1f)的化合物，則不因紫外線照射而發生分子內分解。
化合物(C)因具有交聯性官能基，當使硬化性組成物含有該化合物(C)時，會與預聚物(A)之交聯性官能基、或視需要包含於硬化性組成物的化合物(B)之交聯性官能基起反應，與其等一起形成硬化膜。化合物(C)為上述範圍之分子量，且具有上述Cf基或Rn基，因此在玻璃片上之硬化性組成物之膜中，化合物(C)係往與玻璃片相反側的表面移動。硬化膜形成時，化合物(C)係接近該表面而硬化，可改質硬化膜的表面。
具體上，藉由使硬化性組成物中含有化合物(C-1)，可對硬化膜的表面賦予撥液性。藉由使硬化性組成物中含有化合物(C-2)，可在硬化膜表面賦予撥水性，同時使該表面親油性化。又，藉由使硬化性組成物中含有化合物(C-1)中會因紫外線照射而發生分子內分解且具Cf基之分解生成基脫離的化合物，得以在硬化膜的表面形成撥液性區域與親液性區域的圖案。亦即，因紫外線照射而具Cf基之分解生 成基脫離了的表面區域，相較於具有Cf基的表面區域，相對地撥液性低下而成為親液性區域。
作為化合物(C)中的交聯性官能基，就與其他化合物之交聯性官能基的反應性高此點，係(甲基)丙烯醯(氧)基尤佳。
化合物(C)的數目平均分子量(Mn)係超過3,000且在50,000以下，而3,500~45,000為佳，4,000~40,000尤佳。若數目平均分子量(Mn)為上述範圍之下限值以上，則在硬化膜形成時，化合物(C)充分移動至硬化性組成物之膜的表面，硬化膜的表面可有效地改質。若為上述範圍之上限值以下，則硬化性組成物中的溶解性良好，可形成無缺陷的硬化性組成物膜。
於硬化性組成物包含有化合物(C)時，其含量，相對於預聚物(A)與化合物(B)的合計(100質量份)，係0.1~20質量份為宜，0.2~15質量份尤佳。若化合物(C)之含量為上述範圍之下限值以上，則可充分改質硬化膜的表面。若為上述範圍的上限值以下，則可獲得均質的硬化膜。
接下來，就化合物(C-1)及化合物(C-2)各別予以說明。
(I)化合物(C-1)
化合物(C-1)具有的Cf基可為直鏈狀、亦可為分支狀。
Cf基，從硬化膜表面之撥液性更呈良好此點，相對於氟原子與氫原子之合計數，氟原子數宜為80%以上，100%尤佳。
作為氟烷基之具體例，可舉例為CF3、CF2CF3、 CF(CF3)2、CH(CF3)2、CF2CHF2、(CF2)2CF3、(CF2)3CF3、(CF2)4CF3、(CF2)5CF3、(CF2)6CF3、(CF2)7CF3、(CF2)8CF3、(CF2)9CF3、(CF2)11CF3、(CF2)15CF3。
又，作為具有醚性氧原子之氟烷基的具體例，可舉例為CF(CF3)O(CF2)5CF3、CF2O(CF2CF2O)pCF3(p為1~8的整數)、CF(CF3)O(CF2CF(CF3)O)qC6F13(q為1~4的整數)、CF(CF3)O(CF2CF(CF3)O)rC3F7(r為0~5的整數)。
Cf基，就硬化膜表面之撥液性更佳此點，宜為全氟烷基。Cf基的碳數係2~20為宜，2~15較佳，4~8尤佳。藉此，撥液性優良，同時與後述之具有Cf基的單體、及使共聚之其他單體間的相溶性會良好。又，Cf基的碳數，從環境負荷變低此點，係6以下為宜，2~6較佳，4~6尤佳。
化合物(C-1)宜為包含具Cf基之單元(c1f)、及具交聯性官能基之單元(c2)的共聚物。單元(c1f)不含交聯性官能基；單元(c2)不具Cf基。該共聚物亦可具有任意的單元(c3)。
「單元(c1f)」
單元(c1f)係宜由藉由使具有Cf基與聚合性基(與交聯性官能基同種之基)的單體(c1fm)聚合而形成者。或者，亦可藉由使具有Cf基之化合物對具有反應性官能基之聚合物起反應的各種改質方法，作成具有Cf基之單元(c1f)。
利用單體(c1fm)之聚合來形成單元(c1f)時，單體(c1fm)之聚合性基由於聚合而失去，故單元(c1f)沒有交聯性官能基。
單體(c1fm)，可舉例如具有Cf基的一元醇、具有 Cf基的單環氧化物、具有Cf基的單羧酸及具有Cf基的單磺酸等之衍生物(具有聚合性基的衍生物)，而具有Cf基之一元醇的衍生物為宜。
作為具有Cf基之一元醇，宜為以HO-R1-Cf表示之一元醇。R1為單鍵或2價之有機基，宜為伸烷基。但作2價之有機基並不限於伸烷基，-R2-NR3-CO-或-R2-NR3-SO2-亦可。R2表示伸烷基，R3表示氫原子或烷基。又，當羥基直接鍵結於氟烷基之碳原子的一元醇(例如，HO-CH(CF3)2)存在時，R1亦可為單鍵。
R1為伸烷基時，其碳數係1~10為宜，2~6較佳，2~4尤佳。R2的碳數亦以相同碳數為宜，R3係宜為氫原子或碳數4以下的烷基。
R1為碳數1~10之伸烷基時，R1的具體例可舉例為-CH2-、-CH2CH2-、-CH(CH3)-、-CH2CH2CH2-、-C(CH3)2-、-CH(CH2CH3)-、-CH2CH2CH2CH2-、-CH(CH2CH2CH3)-、-CH2(CH2)3CH2-、-CH(CH2CH(CH3)2)-等。R1宜為直鏈狀的伸烷基，而-CH2-、-CH2CH2-、-CH2CH2CH2-、-CH2CH2CH2CH2-尤佳。
聚合性基，宜為乙烯基(氧)基、烯丙基(氧)基或(甲基)丙烯醯(氧)基，乙烯基或(甲基)丙烯醯氧基較佳，(甲基)丙烯醯氧基尤佳。
單體(c1fm)，可舉例為以下式(4)表示之化合物(以下有時稱為「單體(4)」)。作為單體(4)，宜為例如具有具Cf基之一元醇的殘基等與上述聚合性基的化合物。
V-Q-R1-Cf‧‧‧(4)
V：聚合性基。
Q：單鍵或2價的有機基。
Cf：Cf基。
R1：單鍵或2價的有機基。
單體(4)中，R1係例如上述一元醇的殘基等，如上所述之單鍵或伸烷基為宜，適宜的伸烷基，係如上所述。
單體(4)中，以V表示之聚合性基的適宜範圍，係與上述之聚合性基相同。
Q為單鍵時，V係於鍵結末端具有氧原子的聚合性基，該氧原子係醚鍵的氧原子或酯鍵之醇殘基側的氧原子等，而以源自於具有Cf基之一元醇的氧原子為宜。Q為單鍵時，V係(甲基)丙烯醯氧基者尤佳。
Q為2價有機基時，Q係於R1側之鍵結末端具有氧原子的2價有機基，該氧原子為醚鍵的氧原子或酯鍵之醇殘基側的氧原子等，而以源自於具有Cf基之一元醇的氧原子為宜。另外，Q為2價有機基時，其碳數係25以下為宜，為具有1個下述芳香環時係宜12以下，具2個時宜18以下，不具有芳香環時宜6以下。
Q為2價有機基時，Q宜為含芳香環者。此時，R1側宜為鍵結於芳香環之-CH2O-或-COO-。V側係宜為芳香環的鍵或鍵結於芳香環的伸烷基，該伸烷基的碳數宜為4以下，1或2尤佳。V宜為直接鍵結於芳香環的：乙烯基(氧)基、烯丙基(氧)基或(甲基)丙烯醯氧基，或是隔著上述伸烷基鍵 結於芳香環的(甲基)丙烯醯氧基。尤其，V宜為直接鍵結於芳香環的乙烯基或(甲基)丙烯醯氧基，或是隔著亞甲基或二亞甲基而鍵結於芳香環的(甲基)丙烯醯氧基。
Q含有芳香環時，芳香環可為單核芳香環、亦可為縮合芳香環、亦可為連結多環芳香環。作為芳香環，可列舉苯環、萘環、苯并呋喃環、苯并咪唑環、苯并唑環、蒽環等，從成本觀點宜為苯環。另外，芳香環上之氫原子的1個以上，亦可以碳數1~15之烷基或鹵素原子取代。作為取代基的烷基的碳數宜為4以下，作為鹵素原子，宜為氟原子或氯原子。
Q中的芳香環宜為2價(亦即有2個供結合之鍵)者，具有複數個芳香環時亦宜各為2價芳香環者。Q中的芳香環係宜為伸苯基或連結了2個或3個伸苯基的聚伸苯基。為聚伸苯基時，可為複數個伸苯基直接鍵結，亦可隔著連結基鍵結。作為連結基，宜為碳數1~4的伸烷基、-O-、-OCH2-、-CO-、-SO2-、-S-等，尤以-OCH2-為宜。芳香環為聚伸苯基時，V與R1宜鍵結於相異的芳香環。
Q為不含芳香環的2價有機基時，Q宜為-R4-O-或-R4-COO-(R4表示碳數10以下的伸烷基、或環伸烷基)。
作為單體(4)的具體例，由所含有Q的種類，列舉以下說明的單體(4a)、單體(4b)、單體(4c)、及單體(4d)。
單體(4a)、單體(4b)及單體(4c)，係Q含有芳香環、且聚合性基與Cf基隔著具有-CH2O-或-COO-之連結基而鍵結的單體。單體(4d)係不符合單體(4a)、單體(4b)及單體(4c)的單 體。
由對由包含化合物(C-1)的硬化性組成物所形成的硬化膜照射紫外線，而該化合物(C-1)具有以單體(4a)、單體(4b)、單體(4c)為主體之單元，藉由照射紫外線，Cf基從硬化膜表面脫離。其結果，硬化膜表面係撥液性降低，變得相對親液性。利用此一特性，藉由隔著具有圖案之光罩照射紫外線，可在硬化膜表面形成因照射紫外線降低撥液性而親液化的親液性區域、及未照射紫外線而維持撥液性的撥液性區域的圖案。由此形成的親液性區域中，如後所述，可使例如電極形成用的導電墨等選擇性地附著。
又，紫外線亦可照射硬化性組成物之膜，此時，在紫外線照射後使硬化性組成物之膜硬化即可。
對硬化膜表面照射紫外線時，該硬化膜宜為藉由熱硬化而硬化的硬化膜。因此，具有以單體(4a)、單體(4b)、單體(4c)為主體之單元的化合物(C-1)，宜摻混於要熱硬化之硬化性組成物來使用。
接著，就各單體予以說明。
(1)單體(4a)
單體(4a)，係以下式(4a)表示，Q為-(CH2)m1-Ar-(Y-Ar)n1-X-的化合物。Q的碳數宜為25以下，具有1個芳香環時宜為12以下，具有2個時宜為18以下。
V-(CH2)m1-Ar-(Y-Ar)n1-X-R5-Cf‧‧‧(4a)
V：聚合性基。
Ar：碳數1~15之可具有烷基或鹵素原子的芳香環。
X：-CH2O-或-COO-。
Y：單鍵、-OCH2-、-CH2O-、碳數1~4之伸烷基、-O-、-OCH2-、-CO-、-SO2-或-S-。
R5：單鍵或碳數1~10之伸烷基。
Cf：Cf基。
m1：0~4的整數。
n1：0或1。
作為Ar，以可具有碳數1~4的烷基或鹵素原子之伸苯基為宜，無取代基的伸苯基尤佳。Y宜為-OCH2-或-CH2O-。
作為單體(4a)，宜為以式(4a-1)、式(4a-2)、式(4a-3)或式(4a-4)表示之化合物。
V2-Ph-X-R5-Cf1‧‧‧(4a-1)
V1-(CH2)k1-Ph-X-R5-Cf1‧‧‧(4a-2)
V2-Ph-Y1-Ph-X-R5-Cf1‧‧‧(4a-3)
V1-(CH2)k1-Ph-Y1-Ph-X-R5-Cf1‧‧‧(4a-4)
Cf1：碳數2~15的全氟烷基。
V1：(甲基)丙烯醯氧基。
V2：乙烯基或(甲基)丙烯醯氧基。
R5：單鍵或碳數1~10的伸烷基。
Ph：伸苯基。
X：-CH2O-或-COO-。
Y1：-OCH2-或-CH2O-
k1：1或2。
具有以單體(4a)為主體之單元的化合物(C-1)之中，於化合物(C-1)之側鏈存在有Cf基，該Cf基以具有X之連結基鏈結於主鏈。這樣的化合物(C-1)，因紫外線照射而發生分子內分解，而具有Cf基之分解生成基容易脫離。在具有X且進一步具有Y1時，連結基亦容易因紫外線照射而起分解反應，其結果，含Cf基之分解生成基會更容易從化合物(C-1)主鏈脫離。
作為式(4a-1)表示之化合物，可舉例為以下式(4a-11)表示之化合物、以下式(4a-12)表示之化合物及以下式(4a-13)表示之化合物等。
[化4]
作為以式(4a-2)表示之化合物，可舉例為以下式(4a-21)表示之化合物等。
作為以式(4a-4)表示之化合物，可舉例為以下式(4a-41)表示之化合物等。
(2)單體(4b)
單體(4b)，係以下式(m1α)表示之化合物。
Cf：Cf基。
R6及R7：各自獨立地為氫原子，碳數1~6之烷基或苯基。
X1：氧原子、硫原子、氮原子或NH。
n2：0~4的整數。
m2：X1為氧原子、硫原子或NH時為1；X1為氮原子時為2。
Z1：R9R10C=CR8-CO-。
R8、R9及R10：各自獨立地為氫原子或甲基。
R6及R7，從經由紫外線照射而含Cf基之分解生成基容易脫離此點，R6及R7至少一者為氫原子以外為宜，R6及R7兩者均為氫原子以外較佳，R6及R7兩者均為甲基尤佳。
X1，從容易經由聚合來製造化合物(C-1)(化合物(C-1)不易膠化)之觀點，宜為氧原子、硫原子、NH；從容易取得原料之觀點，係氧原子尤佳。
m2，從容易經由聚合來製造化合物(C-1)(化合物(C-1)不易膠化)之觀點，宜為1。
n2，從原料取得性與合成簡便性的觀點，宜為0~2的整數，0~1的整數尤佳。
R8、R9及R10，從反應性高的觀點，宜為氫原子。亦即，作為Z1宜為丙烯醯基。
作為單體(4b)，可舉例為以下式(m1α-1)表示之化合物。
作為化合物(m1α)之製造方法，可舉例為進行以下式表示之反應的方法。將化合物(a1α)左側的HO-，在3級胺的存在下使用化合物(b1α)選擇性酯化而獲得化合物(c1α)後，將化合物(c1α)右側的-OH使用化合物(d1α)予以酯化，獲得化合物(m1α)。
[化9]
當化合物(a1α)係R6及R7為甲基、X1為氧原子、n2為1的化合物時，可經由日本特開昭62-81345號公報所記載之「4-(2-羥基乙氧基)苯基2-羥基-2-丙基酮」之製造方法來製造。作為市售品，可舉例IRGACURE 2959(製品名，汽巴精化公司製)等。
單體(4b)，係將日本特開昭62-81345號公報所記載之「共聚性光引發劑」中的R3以Cf基取代的化合物(m1α)，因此和該公報所記載之「共聚性光引發劑」相同，即使在沒有光觸媒等存在下，仍可經由波長350~370nm之紫外線照射，而於分子內發生分解，讓含Cf基的分解生成基脫離。亦即，單體(4b)，係容易經由紫外線照射而讓存在於側鏈的Cf基脫離。
(3)單體(4c)
單體(4c)係以下式(m1β)表示之化合物。
R11：氫原子、碳數1~6之烷基或苯基。
R12：單鍵或不具氟原子的2價有機基。
X2：氧原子、硫原子、氮原子或NH。
m3：X2為氧原子、硫原子或NH時為1；X2為氮原子時為2。
n3：0~4的整數。
k2：0或1。
Z2：R14R15C=CR13-CO-。
R13、R14及R15：各自獨立地為氫原子或甲基。
在化合物(m1β)中，存在有因肟之雙鍵而來的順-反異構物。本發明中的化合物(m1β)，並不限定為上述式所表示者，可僅為順式物，亦可僅為反式物，亦可為兩者的混合物。
R11，從化合物(m1β)之溶解性良好的觀點，宜為碳數1~6的烷基。
R12，為單鍵或不具有氟原子的2價有機基，作為2價有機基，可舉例為-C6H4-、-C6H4O(CH2)w1-(惟w1為0~10的整數)、-C6H4COO(CH2)w2-(惟w2為0~10的整數)、-CH2-、-(CH2)w3COO(CH2)w4-(惟w3為1~10的整數、w4為0~10的整數)、-CH2O(CH2)w5-(惟w5為0~10的整數)、-CH(CH3)O(CH2)w6-(惟w6為0~10的整數)。從容易吸收波長300nm以上紫外線的觀點，宜為-C6H4-、-C6H4O(CH2)w1-、-C6H4COO(CH2)w2。又，從易於去除含Cf基之分解生成基的觀點，宜為單鍵、-CH2-、-(CH2)w3COO(CH2)w4-、-CH2O(CH2)w5-、-CH(CH3)O(CH2)w6-。另外，w1宜為0~4的整數，從容易製造的觀點以0~2的整數尤佳。w2宜為0~4的整數，從容易製造的觀點以0~2的整數尤佳。w3宜為0~6的整數，從容易製造的觀點以1~3的整數尤佳。w4宜為0~4的整數，從容易製造的觀點以0~2的整數尤佳。w5宜為0~4的整數，從容易製造的觀點以0~2的整數尤佳。w6宜為0~4的整數，從容易製造的觀點以0~2的整數尤佳。
X2，從容易經由聚合來製造化合物(C-1)(化合物(C-1)不易膠化)的觀點，宜為氧原子、硫原子、NH，從容易取得原料的觀點，係氧原子、硫原子較佳，從容易經由聚合來製造化合物(C-1)的觀點，係硫原子尤佳。
m3，從容易經由聚合來製造化合物(C-1)(化合物(C-1)不易膠化)的觀點，宜為1。
n3，從原料取得性及合成簡便性之觀點，宜為0~2的整數，而0或1尤佳。
k2，從原料取得性及合成簡便性的觀點，以1尤佳。
-O-Ph-X2-(惟Ph為伸苯基)中的X2與O的位置關係，從原料取得容易性的觀點，宜為對位關係。
R13、R14及R15，從反應性高的觀點，R13為氫原子或甲基、R14及R15為氫原子為宜。亦即，作為Z2係宜為丙烯醯基或甲基丙烯醯基。
作為單體(4c)，可舉例如以下式(m1β-1)~下式(m1β-3)表示之化合物。
[化13]
作為化合物(m1β)之製造方法，可舉例如進行以下式表示之反應的方法。將化合物(a1β)之HO-，在3級胺的存在下使用化合物(b1β)予以酯化，獲得化合物(c1β)。接著，使用亞硝酸酯來肟化，獲得化合物(d1β)。接著，將化合物(d1β)的-OH，在碳二醯亞胺的存在下使用化合物(e1β)予以酯化，獲得化合物(m1β)。
[化14]
化合物(a1β)，係可經由習知之製造方法來製造。例如，X2為硫原子、n3為0、k2為1時，可藉由使HO-C6H4-SH與Br-C6H4-CO-CH2-R11起反應而製造。
單體(4c)，係將日本特開2000-080068號公報所記載之「新穎O-肟光引發劑」中的式(I)之R1取代為R12-Cf基，並將R5取代為[Z-(OCH2CH2)n3-(OC6H4)k2-]m3X2-基的化合物 (m1β)，因此與該公報所記載之「新穎O-肟光引發劑」相同，即使不存在光觸媒等，仍可藉由波長350~370nm紫外線的照射而發生分子內分解，讓含Cf基之分解生成基脫離。亦即，單體(4c)，係容易經由紫外線的照射而讓存在於側鏈的Cf基脫離。
(4)單體(4d)
作為單體(4d)，宜為以下式(4d)表示之化合物。
V1-R5-Cf1‧‧‧(4d)
Cf1：碳數2~15之全氟烷基
V1：(甲基)丙烯醯氧基
R5：單鍵或碳數1~10之伸烷基
作為以式(4d)表示之化合物，可舉例為CH2=CHCOOCH2CF3、CH2=CCH3COOCH2CF3、CH2=CHCOOCH2CF2CF3、CH2=CCH3COOCH2CF2CF3、CH2=CHCOOCH(CF3)2、CH2=CCH3COOCH(CF3)2、CH2=CHCOOCH2(CF2)2CF3、CH2=CCH3COOCH2(CF2)2CF3、CH2=CHCOOCH2CH2(CF2)2CF3、CH2=CCH3COOCH2CH2(CF2)2CF3、CH2=CHCOOCH2CH2(CF2)3CF3、CH2=CCH3COOCH2CH2(CF2)3CF3、CH2=CHCOOCH2CH2(CF2)4CF3、CH2=CCH3COOCH2CH2(CF2)4CF3、CH2=CHCOOCH2CH2(CF2)5CF3、CH2=CCH3COOCH2CH2(CF2)5CF3、CH2=CHCOOCH2CH2(CF2)7CF3、CH2=CCH3COOCH2CH2(CF2)7CF3、CH2=CHCOOCH2CH2(CF2)9CF3、CH2=CCH3COOCH2CH2(CF2)9CF3、CH2=CHCOOCH2CH2(CF2)11CF3、CH2=CCH3COOCH2CH2(CF2)11CF3、CH2=CHCOOCH2CH2(CF 2)15CF3、CH2=CCH3COOCH2CH2(CF2)15CF3、CH2=CHCOOCH2CF(CF3)O(CF2)5CF3、CH2=CCH3COOCH2CH2CF(CF3)O(CF2)5CF3、CH2=CHCOOCH2CF2O(CF2CF2O)pCF3(p為1~8)、CH2=CCH3COOCH2CH2CF2O(CF2CF2O)pCF3(p為1~8)、CH2=CHCOOCH2CF(CF3)O(CF2CF(CF3)O)qC6F13(q為1~4)、CH2=CCH3COOCH2CH2CF(CF3)O(CF2CF(CF3)O)qC6F13(q為1~4)、CH2=CHCOOCH2CF(CF3)O(CF2CF(CF3)O)rC3F7(r為1~5的整數)、CH2=CCH3COOCH2CH2CF(CF3)O(CF2CF(CF3)O)rC3F7(r為1~5的整數)。
其等之中，從取得容易的觀點，宜為CH2=CHCOOCH(CF3)2、CH2=CCH3COOCH(CF3)2、CH2=CHCOOCH2CH2(CF2)3CF3、CH2=CCH3COOCH2CH2(CF2)3CF3、CH2=CHCOOCH2CH2(CF2)5CF3及CH2=CCH3COOCH2CH2(CF2)5CF3。
另外，作為單體(4d)，亦可為具有Cf基之單環氧化物與(甲基)丙烯酸之反應生成物、具有Cf基之單羧酸與羥烷基(甲基)丙烯酸酯之反應生成物、具有Cf基之單磺酸與羥烷基(甲基)丙烯酸酯之反應生成物等。例如，由具有全氟烷基及環氧丙基的化合物與(甲基)丙烯酸之反應，獲得鍵結有全氟烷基之羥基烷基與(甲基)丙烯醯氧基相結合的化合物。
化合物(C-1)中的單元(c1f)的比率，係10~90質量%為宜，15~90質量%較佳，20~90質量%尤佳。若在上述範圍之下限值以上，則硬化膜表面的撥水性優良；若在上述範圍之上限值以下，則硬化性組成物容易溶於溶劑。
另外，化合物(C)之合成所使用的化合物(100質量%) 中，提供單元(c1f)之單體(c1fm)的比率(饋入比)，亦與上述比率相同。
「單元(c2)及單元(c3)」
單元(c2)具有交聯性官能基，而不具氟原子。單元(c2)中的交聯性官能基數宜為1個。單元(c2)中的交聯性官能基，尤以(甲基)丙烯醯(氧)基為宜。硬化性組成物中視需要包含的化合物(B)之交聯性官能基、與化合物(C-1)之交聯性官能基，可為彼此相同亦可為相異。
單元(c2)，通常係藉著與具有聚合性基之單體聚合，並對從而得到的聚合物導入交聯性官能基而製造。單體所具有的聚合性基因聚合而喪失，故單元(c2)的交聯性官能基，係於聚合物形成後導入。
該方法可適當使用習知的方法。具體而言為下述方法：使具有反應性官能基與聚合性基的單體(以下亦稱「單體(c4m)」)進行共聚而製造具有反應性官能基的共聚物，使與所得共聚物之反應性官能基進行反應而鍵結的第2反應性官能基，與具有交聯性官能基的化合物(以下亦稱「化合物(c2c)」)進行反應，製造化合物(C-1)。此時，單元(c2)，係因由單體(c4m)之聚合而形成之單元(c4)與化合物(c2c)的結合所產生的單元。
具體上，可例示例如以下方法。
(i)使用具有羥基及聚合性基的單體作為單體(c4m)將其等共聚製得共聚物，並使作為化合物(c2c)之具有交聯性官能基的酸酐對該共聚物進行反應的方法。
(ii)使用具有羥基及聚合性基的單體作為單體(c4m)將其等共聚製得共聚物，並使作為化合物(c2c)之具有異氰酸酯基與交聯性官能基的化合物對該共聚物進行反應的方法。
(iii)使用具有羥基及聚合性基的單體作為單體(c4m)，將其等共聚製得共聚物，並使作為化合物(c2c)之具有氯化醯基及交聯性官能基的化合物對該共聚物進行反應的方法。
(iv)使用具有聚合性基的酸酐作為單體(c4m)將其等共聚製得共聚物，並使作為化合物(c2c)之具有羥基及交聯性官能基的化合物對該共聚物進行反應的方法。
(v)使用具有羧基及聚合性基的單體作為單體(c4m)將其等共聚製得共聚物，，並使作為化合物(c2c)之具有環氧基及交聯性官能基的化合物對該共聚物進行反應的方法。
(vi)使用具有環氧基及聚合性基的單體作為單體(c4m)將其等共聚製得共聚物，並使作為化合物(c2c)之具有羧基及交聯性官能基的化合物對該共聚物進行反應的方法。
在這樣使化合物(c2c)對具有單元(c4)之共聚物進行反應時，可使共聚物的反應性官能基實質上全部反應，亦可使共聚物之反應性官能基部份反應。後者的狀況，所得化合物(C-1)，具有由單體(c4m)之聚合而形成的單元(c4)。於硬化性組成物所使用的化合物(C-1)，亦可具有此單元(c4)。又，若單元(c4)之反應性官能基恐會對硬化性組成物帶來不良影響時，使具有第2反應性官能基(其與共聚 物之反應性官能基反應鍵結)且不具交聯性官能基的化合物對單元(c4)之反應性官能基進行反應，可將反應性官能基轉化為惰性基。
另外，該殘存於化合物(C-1)之單元(c4)及具有源自其之上述惰性基的單元，視作後述之任意單元(c3)。
前述(i)、(ii)、(iii)之具有羥基與聚合性基的單體及(iv)之具有羥基與交聯性官能基的化合物方面，可舉例為(甲基)丙烯酸2-羥乙酯、(甲基)丙烯酸4-羥丁酯等。
作為前述(i)之具有交聯性官能基的酸酐及(iv)之具有聚合性基的酸酐的具體例，可舉例為馬來酸酐、伊康酸酐、檸康酸酐、苯二甲酸酐等。
作為前述(ii)之具有異氰酸酯基及交聯性官能基之化合物的具體例，可舉例為2-(甲基)丙烯醯氧基乙基異氰酸酯、1,1-雙(丙烯醯氧基甲基)乙基異氰酸酯等。
作為前述(iii)之具有氯化醯基與交聯性官能基之化合物的具體例，可舉例為(甲基)丙烯醯氯、3-丁烯醯氯。
作為前述(v)之具有羧基及聚合性基的單體及(vi)之具有羧基與交聯性官能基之化合物的具體例，可舉例為(甲基)丙烯酸等。
作為前述(vi)之具有環氧基與交聯性官能基之化合物及(vi)之具有環氧基與聚合性基之單體的具體例，可舉例為環氧丙基(甲基)丙烯酸酯、3,4-環氧基環己基甲基丙烯酸酯。
作為單元(c2)，宜為以上述(ii)之方法所形成的單 元及以上述(iii)之方法所形成的單元，由於與預聚物(A)的反應性良好，故以前述(ii)之方法所形成之單元較佳。其中，以使2-(甲基)丙烯醯氧基乙基異氰酸酯對下述共聚物起反應而形成的單元尤佳：使作為具有羥基與聚合性基之單體的(甲基)丙烯酸2-羥乙酯進行共聚而得之共聚物。
化合物(C-1)中的單元(c2)的比率，係1~90質量%為宜，1~80質量%較佳，5~80質量%尤佳。若為上述範圍的下限值以上，則與預聚物(A)或化合物(B)的反應會良好；若為上述範圍之上限值以下，則硬化膜的表面撥液性優良。
另外，於化合物(C-1)之合成所使用的化合物(100質量%)中，提供單元(c2)之單體(c4m)與化合物(c2c)之合計的比率(饋入比)亦與上述比率相同。
化合物(C-1)為共聚物時，在不減損撥水性提升效果的範圍下，視需要亦可包含單元(c1f)及單元(c2)以外的其他單元(c3)。如上所述，當化合物(C-1)具有單元(c4)、或源自於單元(c4)且不具交聯性官能基的單元時，該等單元即為單元(c3)。
單元(c3)，宜藉由使單體(c3m)聚合而導入化合物(C-1)。又，宜經由使適當化合物對具有反應性官能基之化合物(C-1)反應的各種改質方法，來導入於聚合物中。
作為單體(c3m)，除上述單體(c4m)以外，可舉例為碳化氫系烯烴類、乙烯醚類、異丙烯醚類、烯丙基醚類、乙烯酯類、烯丙基酯類、(甲基)丙烯酸酯類、(甲基)丙烯醯胺類、芳香族乙烯基化合物、氯烯烴類、共軛二烯類。該等化合 物中，亦可含有官能基，作為官能基，可舉例如羥基、羰基、烷氧基等。該等可單獨使用1種單獨，亦可併用2種以上。
作為單體(c3m)之具體例，可舉例為丙烯酸、甲基丙烯酸、甲基(甲基)丙烯酸酯、乙基(甲基)丙烯酸酯、正丙基(甲基)丙烯酸酯、異丙基(甲基)丙烯酸酯、正丁基(甲基)丙烯酸酯、異丁基(甲基)丙烯酸酯、二級丁基(甲基)丙烯酸酯、三級丁基(甲基)丙烯酸酯、正戊基(甲基)丙烯酸酯、3-甲基丁基(甲基)丙烯酸酯、正己基(甲基)丙烯酸酯、2-乙基-正己基(甲基)丙烯酸酯、正辛基(甲基)丙烯酸酯、環己基(甲基)丙烯酸酯、異莰基(甲基)丙烯酸酯、(1,1-二甲基-3-側氧丁基)(甲基)丙烯酸酯、2-乙醯基乙醯氧乙基(甲基)丙烯酸酯、2-甲氧基乙基(甲基)丙烯酸酯、2-乙氧基乙基(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯醯胺、N-乙烯基乙醯胺、N-乙烯基甲醯胺、N-(1,1-二甲基-3-側氧丁基)(甲基)丙烯醯胺、N-甲氧基甲基(甲基)丙烯醯胺、N,N-雙(甲氧基甲基)(甲基)丙烯醯胺等。從取得容易之觀點，宜為丙烯酸、甲基丙烯酸、環己基(甲基)丙烯酸酯及異莰基(甲基)丙烯酸酯。
化合物(C-1)中的單元(c3)的比率宜為70質量%以下，50質量%以下較佳，20質量%以下尤佳。下限宜為0質量%。若單元(c3)的比率如上所述，則硬化膜表面的撥液性或硬化性組成物的硬化性良好。
另外，於化合物(C-1)的合成所使用的全單體(100質量%)中，提供單元(c3)之單體(c3)的比率(饋入比)亦與上述比 率相同。
化合物(C-1)中的單元的適當質量比例，係單元(c1f)：單元(c2)：單元(c3)=10~90：1~90：0~70為宜，15~90：1~80：0~50較佳，20~90：5~80：0~20尤佳。
「化合物(C-1)之製造方法」
化合物(C-1)的合成宜在溶劑中進行。作為溶劑，可舉例如乙醇、1-丙醇、2-丙醇、1-丁醇、乙二醇等醇類；丙酮、甲乙酮、甲基異丁基酮、環己酮等酮類；2-甲氧基乙醇、2-乙氧基乙醇、2-丁氧基乙醇等賽路蘇類；2-(2-甲氧基乙氧基)乙醇、2-(2-乙氧基乙氧基)乙醇、2-(2-丁氧基乙氧基)乙醇等卡必醇類；甲基乙酸酯、乙基乙酸酯、正丁基乙酸酯、乳酸乙酯、乳酸正丁酯、乙二醇單甲基醚乙酸酯、丙二醇單甲基醚乙酸酯、乙二醇二乙酸酯、丙三醇三乙酸酯等酯類；二乙二醇二甲基醚、二乙二醇甲基乙基醚等醚類。其等可單獨使用1種，亦可併用2種以上。
又，宜使用聚合引發劑。作為聚合引發劑係可舉例為習知之有機過氧化物、無機過氧化物、偶氮化合物等。有機過氧化物、無機過氧化物，亦可與還原劑組合，而作為氧化還原系觸媒來使用。該等聚合引發劑可單獨使用，亦可併用2種以上。
作為有機過氧化物，可舉例為苯甲醯基過氧化物、月桂醯過氧化物、異丁醯過氧化物、三級丁基氫過氧化物、三級丁基-α-異丙苯基過氧化物等。
作為無機過氧化物，可舉例為過硫酸銨、過硫酸鈉、 過硫酸鉀、過氧化氫、過碳酸鹽等。
作為偶氮化合物，可舉例為2,2’-偶氮雙異丁腈、1,1-偶氮雙(1-氰基環己烷)、2,2’-偶氮雙(2,4-二甲基戊腈)、2,2’-偶氮雙(4-甲氧基-2,4-二甲基戊腈)、2,2’-偶氮雙異酪酸二甲基、2,2’-偶氮雙(2-脒丙烷)二鹽酸鹽等。
視需要，可使用硫醇類、鹵化烷基類等鏈轉移劑。
作為硫醇類，可舉例為正丁基硫醇、正十二基硫醇、三級丁基硫醇、硫乙二醇酸乙基、硫乙二醇酸2-乙基己基、2-巰基乙醇等。作為鹵化烷基類，可舉例為氯仿、四氯化碳、四溴化碳等。其等可單獨使用1種，亦可併用2種以上。
視需要亦可搭配習知的聚合抑制劑。作為聚合抑制劑之例，可舉例為2,6-二-三級丁基-對甲酚。
在改質所得之共聚物時亦可使用與上述相同的溶劑。但是，不能使用與化合物(c2c)起反應的溶劑。可在溶劑中進行上述共聚物的製造，接續添加化合物(c2c)使其反應，得到化合物(C-1)。
又，亦可在觸媒或中和劑的存在下進行改質。例如，在使具有異氰酸酯基及交聯性官能基的化合物對具有羥基的共聚物起反應時，可使用錫化合物等作為觸媒。作為錫化合物，可舉例為二月桂酸二丁錫、二丁基錫二(馬來酸單酯)、二月桂酸二辛基錫、二辛基錫二(馬來酸單酯)、二丁基錫二乙酸酯等。其等可單獨使用1種，亦可併用2種以上。
在使具有氯化醯基及交聯性官能基的化合物對具有羥基之共聚物起反應時，可使用鹼性觸媒。作為鹼性 觸媒，可舉例為三乙基胺、吡啶、二甲基苯胺、四甲基尿素等。其等可單獨使用1種，亦可併用2種以上。
(II)化合物(C-2)
藉由使化合物(C-2)包含於硬化性組成物中，可賦予硬化膜表面撥水性，並且使該表面親油性化。因此，可抑制空氣中的水分等附著於該硬化膜的表面，並且可良好地塗佈例如用於形成有機半導體層之有機溶劑系的塗佈液等。
化合物(C-2)的Rn基可為直鏈狀、分支狀、亦可為環狀，由易賦予硬化膜表面高撥水性來看，宜為直鏈狀。Rn基，在碳原子間亦可含有醚性氧原子。
碳數6~24的烷基中，直鏈狀烷基的具體例方面，可舉例-(CH2)5CH3、-(CH2)6CH3、-(CH2)7CH3、-(CH2)8CH3、-(CH2)9CH3、-(CH2)10CH3、-(CH2)11CH3、-(CH2)12CH3、-(CH2)13CH3、-(CH2)14CH3、-(CH2)15CH3、-(CH2)16CH3、-(CH2)17CH3、-(CH2)18CH3、-(CH2)19CH3、-(CH2)20CH3、-(CH2)21CH3、-(CH2)22CH3、-(CH2)23CH3等。
分支狀烷基的具體例方面，可舉例-CH2CH(CH3)(CH2)2CH3、-CH(CH3)(CH2)3CH3、-C(CH3)2(CH2)3CH3、-C(CH3)2(CH2)4CH3、-C(CH3)(CH2CH3)(CH2)3CH3、-(CH2)2CH(CH3)CH2CH3、-(CH2)3CH(CH3)2、-CH2CH(CH2CH3)(CH2)3CH3、-(CH2)2CH(CH3)(CH2)2CH3、-CH2CH(CH(CH3)2)(CH2)2CH(CH3)2、-(CH2)2CH(CH3)(CH2)3CH(CH3)2、-(CH2)5CH(CH3)CH2CH3、-(CH2)2CH(CH3)CH2C(CH3)3、-(CH2)2CH(CH3)CH2C(CH3)3、-CH(CH3)(CH2)4CH3、-CH(CH2CH3)(CH2)3CH3、 -CH(CH2CH3)(CH2)6CH3、-CH(CH3)(CH2)7CH3、-CH(CH2CH2CH3)(CH2)5CH3、-CH((CH2)3CH3)(CH2)4CH3、-C(CH3)2CH(CH3)(CH2)2CH3、-C(CH3)2CH2CH2CH(CH3)2、-CH(CH2CH3)CH2CH2CH(CH3)2、-CH(CH3)(CH2)3CH(CH3)2、-CH(CH3)CH2CH2CH(CH3)CH2CH3、-CH(CH2CH3)CH2CH(CH3)CH2CH3、-CH(CH3)CH2CH2CH(CH3)2、-CH(CH3)(CH2)7CH3、-CH(CH2CH3)(CH2)5CH3、-CH(CH2CH2CH3)(CH2)4CH3、-CH((CH2)3CH3)2、-CH(CH3)(CH2)5CH3、-CH(CH2CH3)(CH2)4CH3、-CH((CH2)2CH3)(CH2)3CH3、-CH(CH3)(CH2)9CH3、-CH(CH(CH3)2)(CH2)4CH3、-CH(CH3)(CH2)11CH3、-CH(CH3)(CH2)10CH3、-C(CH3)(CH2CH3)(CH2)3CH(CH3)2、-CH((CH3)5CH3)(CH2)6CH3、-CH(CH3)(CH2)8CH3、-CH(CH2CH3)(CH2)7CH3、-CH((CH2)2CH3)(CH2)6CH3、-CH((CH2)3CH3)(CH2)5CH3、-CH((CH2)4CH3)2、-CH(CH2CH(CH3))CH2CH2CH(CH2CH3)(CH2)3CH3、-CH(CH3)(CH2)9CH3、CH(CH3)(CH2)10CH3、-CH(CH3)(CH2)11CH3、-CH(CH3)(CH2)12CH3、-CH(CH3)(CH2)13CH3、-CH(CH3)(CH2)14CH3、-CH(CH3)(CH2)15CH3、-CH(CH3)(CH2)16CH3、-CH(CH3)(CH2)17CH3、-CH(CH3)(CH2)18CH3、-CH(CH3)(CH2)19CH3、-CH(CH3)(CH2)20CH3、-CH(CH3)(CH2)21CH3等。
作為環狀烷基的具體例，可舉例為環己基、2,3-二甲基環己基、2,5-二甲基環己基、2,6-二甲基環己基、3,4-二甲基環己基、3,5-二甲基環己基、2-乙基環己基、4-乙基環己基、4-異丙基環己基、1-甲基環己基、2-甲基環己基、 3-甲基環己基、4-甲基環己基、2-異丙基-5-甲基環己基、2-丙基環己基、4-丙基環己基、3,3,5-三甲基環己基、4-三級丁基環己基、4-丁基環己基、4-戊基環己基、2-環己基環己基、4-環己基環己基、環庚基，環辛基環十二基，環十五基等。
作為具有醚性氧原子之烷基的具體例，可舉例(CH2CH2O)αCH3(α=3~11的整數)、(CH2CH2O)αCH2CH3(α=2~11的整數)、(CH2CH2O)αC(CH3)3(α=1~10的整數)、(CH2CH2O)α(CH2)2CH3(α=1~10的整數)、(CH2CH2O)αCH(CH3)2(α=1~10的整數)、(CH2CH2O)α(CH2)3CH3(α=1~10的整數)、(CH2CH2O)αCH2CH(CH3)2(α=1~10的整數)、(CH2CH2O)α(CH2)4CH3(α=1~9的整數)、(CH2CH2O)α(CH2)5CH3(α=1~9的整數)、(CH2CH2O)α(CH2)6CH3(α=1~8的整數)、(CH2CH2O)α(CH2)7CH3(α=1~8的整數)、(CH2CH2O)α(CH2)8CH3(α=1~7的整數)、(CH2CH2O)α(CH2)9CH3(α=1~7)、(CH2CH2O)α(CH2)10CH3(α=1~6的整數)、(CH2CH2O)α(CH2)11CH3(α=1~6)、(CH2CH2O)α(CH2)12CH3(α=1~5的整數)、(CH2CH2O)α(CH2)13CH3(α=1~5)、(CH2CH2O)α(CH2)14CH3(α=1~4的整數)、(CH2CH2O)α(CH2)15CH3(α=1~4的整數)、(CH2CH2O)α(CH2)16CH3(α=1~3的整數)、(CH2CH2O)α(CH2)17CH3(α=1~3的整數)、(CH2CH2O)α(CH2)18CH3(α=1~2的整數)、(CH2CH2O)α(CH2)19CH3(α=1~2的整數)、CH2CH2O(CH2)20CH3、CH2CH2O(CH2)21CH3等。
Rn基的碳數為6~24，7~20為宜，8~18尤佳。若Rn基的碳數為上述範圍之下限值以上，則可對硬化膜表面 賦予充分的撥水性。若為上述範圍之上限值以下，則在後述使具有Rn基之單體(c1rm)與其他單體共聚以製造化合物(C-2)時，具有Rn基之單體(c1rm)與其他單體的相溶性會良好。
化合物(C-2)，宜為具有單元(c1r)及單元(c2)的共聚物，該單元(c1r)係具Rn基而不具氟原子及交聯性官能基。化合物(C-2)亦可具有任意單元(c3)。
「單元(c1r)」
單元(c1r)，宜為藉由使具有Rn基及聚合性基(與交聯性官能基同種類的基)的單體(c1rm)進行聚合而形成者。或者，藉由使具Rn基之化合物對具有反應性官能基之聚合物起反應的各種改質方法，來作成具有Rn基之單元(c1r)亦可。
在經由單體(c1rm)之聚合來形成單元(c1r)時，單體(c1rm)之聚合性基因聚合而失去之故，單元(c1r)不具有交聯性官能基。
聚合性基，宜為乙烯基(氧)基、烯丙基(氧)基及(甲基)丙烯醯(氧)基，以乙烯基或(甲基)丙烯醯氧基較佳，(甲基)丙烯醯氧基尤佳。
單體(c1rm)，宜為具有Rn基之一元醇、具有Rn基之單環氧化物、具有Rn基之單羧酸及具有Rn基之單磺酸等的衍生物(具有聚合性基之衍生物)，而具有Rn基之一元醇的衍生物尤佳。
作為具有Rn基之一元醇，宜為以HO-Rn表示之一元醇。
作為單體(c1rm)，係Rn基與上述聚合性基經單鍵 或2價有機基連結的化合物尤佳。
Rn基與聚合性基以單鍵連結時，聚合性基係於鍵結末端具有氧原子的聚合性基，該氧原子係醚鍵之氧原子或酯鍵之醇殘基側的氧原子等。該氧原子係源自於具有Rn基之一元醇的氧原子。Rn基與聚合性基以單鍵連結時，聚合性基為(甲基)丙烯醯氧基尤佳。
Rn基與聚合性基以2價有機基連結時，有機基係在Rn基側鍵末端具有氧原子的2價有機基。該氧原子係醚鍵的氧原子或酯鍵之醇殘基側的氧原子等。該氧原子係源自於具有Rn基之一元醇的氧原子。為2價有機基時，其碳數宜為25以下，在具有1個芳香環時為12以下，具有2個時為18以下，不具有芳香環時為6以下為宜。
作為單體(c1rm)，以下式(5)表示之單體(以下亦稱「單體(5)」)尤佳，其係Rn基與屬於聚合性基之(甲基)丙烯醯氧基以單鍵連結者。
CH2=CX3-COO-Rn‧‧‧(5)
X3：氫原子或甲基。
Rn：碳原子間可具有醚性氧原子且碳數6~24之烷基。
作為單體(5)之具體例，可舉例CH2=C(CH3)COO(CH2)17CH3、CH2=CH-COO-(CH2)17CH3、CH2=C(CH3)-COO-(CH2)23CH3、CH2=C(CH3)-COO-(C2H4O)10CH3、CH2=CH-COO-(C2H4O)10CH3等。
上述以外之單體(c1rm)方面，具有Rn基之單環氧化物與(甲基)丙烯酸的反應生成物、具有Rn基之單羧酸與 羥基烷基(甲基)丙烯酸酯的反應生成物、具有Rn基之單磺酸與羥基烷基(甲基)丙烯酸酯的反應生成物等亦可。例如，藉由具有烷基及環氧丙基之化合物、與(甲基)丙烯酸的反應，獲得鍵結有羥基烷基及(甲基)丙烯醯氧基的化合物。
化合物(C-2)中，單元(c1rm)的比率宜為10~90質量%，而15~90質量%較佳，20~90質量%尤佳。若為上述範圍之下限值以上，則硬化膜表面係撥水性優良；若為上述範圍之上限值以下，則硬化性組成物易溶於溶劑。
另外，使用於化合物(C-2)之合成的化合物(100質量%)中，提供單元(c1r)之單體(c1rm)的比率(饋入比)，亦與上述比率相同。
「單元(c2)及單元(c3)」
單元(c2)及單元(c3)的種類、對化合物(C-2)導入該等單元的方法等，可採用與化合物(C-1)相關說明的單元(c2)及單元(c3)的種類、對化合物(C-1)的導入方法等相同的種類及方法。
化合物(C-2)中，單元(c2)的比率宜為1~90質量%，而1~80質量%較佳，5~80質量%尤佳。若為上述範圍之下限值以上，則與預聚物(A)或化合物(B)的反應會良好；若為上述範圍之上限值以下，則硬化膜的表面撥液性優良。
另外，使用於化合物(C-2)之合成的化合物(100質量%)中，提供單元(c2)之單體(c4m)及化合物(c2c)合計的比率(饋入比)亦與上述比率相同。
化合物(C-2)中，單元(c3)的比率宜為70質量%以 下，而50質量%以下較佳，20質量%以下尤佳。下限宜為0質量%。若單元(c3)的比率如上述，則硬化膜表面上的撥液性或硬化性組成物的硬化性係良好。
另外，在化合物(C-2)之合成所使用的全部單體(100質量%)中，提供單元(c3)的單體(c3)的比率(饋入比)亦與上述比例相同。
化合物(C-2)中的單元的適宜質量比率，係單元(c1r)：單元(c2)：單元(c3)=10~90：1~90：0~70為宜，15~90：1~80：0~50較佳，20~90：5~80：0~20尤佳。
「化合物(C-2)之製造方法」
化合物(C-2)的製造，係以與化合物(C-1)相關說明之製造方法相同的方法進行。
<自由基聚合引發劑(D)>
本發明中的硬化性組成物，藉由含有自由基聚合引發劑(D)，可在更低溫下進行硬化。作為自由基聚合引發劑(D)，係宜為熱聚合引發劑(D1)或光聚合引發劑(D2)。
(1)熱聚合引發劑(D1)
熱聚合引發劑(D1)，可使用習知物質。作為具體例，可舉例疊氮雙異丁腈、過氧化苯甲醯、三級丁基氫過氧化物、異丙苯氫過氧化物、過氧化二-三級丁基、過氧化二異丙苯等。就分解溫度此點，宜為疊氮雙異丁腈及過氧化苯甲醯。
熱聚合引發劑(D1)，係可單獨使用1種亦可2種以上併用。
硬化性組成物中的熱聚合引發劑(D1)含量，相對於預聚 物(A)及視需要搭配之化合物(B)的合計量(100質量份)，係1~20質量份為宜，5~15質量份尤佳。若為上述範圍之下限值以上，則即使在低溫下亦能充分硬化，硬化膜的耐溶劑性優良。若為上述範圍之上限值以下，則硬化性組成物的儲存安定性會良好。
(2)光聚合引發劑(D2)
光聚合引發劑(D2)，可使用在光硬化性組成物方面習知的物質。作為具體例，1,2-辛二酮、1-[4-(苯硫基)-2-(o-苯甲醯基肟)](例如，製品名：IRGACURE OXE01)；乙酮，1-[9-乙基-6-(2-甲基苯甲醯基)-9H-咔唑-3-基]-,1-(o-乙醯肟)(例如，製品名：IRGACURE OXE02)等的肟酯衍生物；IRGACURE 369(製品名)、IRGACURE 907(製品名)等之α-胺基烷基酚酮系化合物；DAROCUR TPO(製品名)等(均為汽巴精化公司製)的醯基膦氧化物系化合物等。就所產生之自由基的反應性此點，宜為IRGACURE OXE01及IRGACURE OXE02。
光聚合引發劑(D2)，係可單獨使用1種亦可2種以上併用。
硬化性組成物中的光聚合引發劑(D2)含量，相對於預聚物(A)及視需要搭配的化合物(B)的合計量(100質量份)，係1~20質量份為宜，3~15質量份尤佳。若為上述範圍之下限值以上，則即使在低溫下亦能充分硬化，硬化膜耐溶劑性優良；若為上述範圍之上限值以下，則硬化性組成物的儲存安定性會良好。
<添加劑>
本發明中的硬化性組成物，視需要亦可在不減損本發明效果的範圍下包含添加劑，其選自於紫外線吸收劑、抗氧化劑、熱聚合防止劑等安定劑類；流平劑、消泡劑、抗沈澱劑、分散劑等界面活性劑類；塑化劑；增黏劑等在塗佈領域眾所周知的各種添加劑。
又，當硬化膜係例如層間絕緣膜等，不會在製造步驟途中移除、而是作為最終製品中的功能構件而留下的材料(以下亦稱為「直材」)時，亦可在硬化性組成物添加矽烷偶合劑等接著性增進劑。若使接著性增進劑含於硬化性組成物，則該硬化性組成物的硬化膜和其所鄰接之層的接著性會提升，故而為宜。另外，在該鄰接層事先塗佈接著性增進劑的方法也可使接著性提升。
硬化性組成物中的添加劑含量，相對於預聚物(A)及視需要搭配之化合物(B)的合計量(100質量份)，係0.0001~30質量份為宜，0.0001~20質量份較佳，0.0001~10質量份尤佳。
(塗佈用組成物)
本發明之玻璃片積層體中的硬化膜，係宜為均勻厚度之表面平滑的硬化膜。為能形成均勻厚度之表面平滑的硬化膜，宜將液狀硬化性組成物在玻璃片表面上塗佈澆鑄，形成均勻厚度之表面平滑的液狀硬化性組成物之膜，使該硬化性組成物之膜硬化而作成硬化膜。視情況亦可在具有平滑剝離性表面的支撐片材表面上，以如上述之方法製造 均勻厚度之表面平滑的硬化膜，之後從支撐片材將硬化膜剝離，剝離後的硬化膜與玻璃片積層，製造本發明之玻璃片積層體。
本發明中的硬化性組成物黏度高時、或本發明中的硬化性組成物為非流動性的組成物時，宜使用含溶劑的硬化性組成物。由於組成物的黏度越低，越容易形成均勻厚度之表面平滑的膜，即便本發明之硬化性組成物具有能夠塗佈的黏度時，仍可加入溶劑作成更低黏度的組成物。在使用含溶劑之硬化性樹脂組成物時，係將其塗佈、澆鑄後去除溶劑而作成硬化性組成物之膜。
以下，無論是否含有溶劑，將具有能夠塗佈之黏度的液狀硬化性組成物稱為塗佈用組成物。以下將藉由塗佈塗佈用組成物而形成的膜稱為塗膜。又，亦將由含溶劑之塗佈用組成物的塗膜去除溶劑而得到的膜稱為乾燥塗膜。乾燥塗膜有時係固體狀的硬化性組成物所構成。
本發明之塗佈用組成物，宜為包含上述硬化性組成物及溶劑的組成物。藉由含有溶劑，對玻璃片的塗佈變得更容易，會容易製造均勻厚度之表面平滑的薄硬化膜。
藉由將含有溶劑之塗佈用組成物塗佈於玻璃片上，並去除溶劑，硬化性組成物之塗膜(乾燥塗膜)即形成。通常，溶劑的去除係藉由從塗佈用組成物之塗膜使溶劑蒸發來進行。因此，溶劑的沸點，係較構成硬化性組成物之各成分更低沸點者為宜。當硬化性組成物中包含化合物(B)時，構成硬化性組成物之各成分中，最低沸點的成分通常為化合 物(B)。因此，作為溶劑，宜使用比化合物(B)更低沸點的溶劑。溶劑的沸點宜為50~300℃，而100~250℃尤佳。相反地，作為化合物(B)，宜使用具有較常用溶劑足夠高的沸點的化合物為宜。
溶劑可使用習知物質。作為具體例，可舉例丙二醇單甲基醚乙酸酯(以下亦稱「PGMEA」)、1,3,5-三甲苯、N,N-二甲基乙醯胺、環己酮、四氫呋喃等。其中，係從PGMEA及環己酮所構成之群組中選擇至少1種為宜。
溶劑，係可單獨使用1種亦可2種以上併用。
含溶劑之塗佈用組成物中的溶劑含量，相對於預聚物(A)及視需要搭配之化合物(B)的合計量(100質量份)，係100~5,000質量份為宜，100~3,000質量份尤佳。
又，含溶劑之塗佈用組成物的固態成分，係0.1~70質量%為宜，1~15質量%為佳。惟所謂固態成分，係從塗佈用組成物去除溶劑所得之固態成分佔塗佈用組成物的比率。例如，可將1g的塗佈用組成物放入鋁杯中，在100℃烘箱下乾燥10分鐘來測定。
(積層體)
本發明之積層體係玻璃片與硬化膜的積層體。積層體的構造方面，典型上例舉以下4例。
(1)玻璃片單層與硬化膜單層之組合的構造。亦即，於玻璃片的單面設置有硬化膜的構造。
(2)玻璃片單層與硬化膜二層之組合的構造。亦即，於玻璃片的兩面設置有硬化膜的構造。
(3)玻璃片二層與硬化膜單層之組合的構造。亦即，以2層的玻璃片夾住硬化膜的構造。
(4)玻璃片複層與硬化膜複層之組合的構造。亦即，玻璃片及硬化膜交互地多層設置的構造。
該等構造中，就薄而輕量且活用玻璃片表面之平坦性此點，宜為(1)的構造。
本發明之積層體中，硬化膜的厚度係1~1,000μm為宜，5~500μm尤佳。藉由使厚度作成上述範圍，可抑制在玻璃片的傷痕，可抑制破損，且即使破裂時亦能防止飛濺等，能夠充份發揮經由設置硬化膜而來的各種效果。
上述(1)的構造中，積層體的厚度係11~1,500μm為宜，30~800μm尤佳。
本發明之積層體的厚度宜為均勻者。具體上，厚度的標準偏差係50%以下為宜，35%以下尤佳。若厚度均勻則外觀會呈良好故而為宜。
本發明之積層體中，關於玻璃片與硬化膜之厚度比率，在將玻璃片厚度作為1時的硬化膜厚度係0.1~10者為宜，0.5~5者尤佳。另外，有複數個層時係以其等之合計來考量。
本發明之積層體，係波長400~700nm之穿透率為80%以上者為宜，90%以上者較佳，93%以上者尤佳。上述波長範圍，亦即可見光範圍中為透明者為宜。若為透明，如後所述，適宜使用於配置在顯示構件之前面的保護板。又，在使用作為光電轉換元件之基材時，在光電轉換元件 為發光元件的情況下，不會使發光效率降低，又，為發電元件的情況下，不會使發電效率降低，故而為宜。
本發明之積層體，具有含上述預聚物(A)之硬化性組成物的硬化膜。因此，本發明之積層體，薄而輕量，撓曲性優良，具備基於玻璃片之良好阻氣性，基於硬化膜之良好耐久性。又，在使硬化性組成物之塗膜硬化的硬化膜的狀況下，平坦性優良。
本發明之硬化性組成物，在低溫下亦可以硬化。因此，可在低溫下進行在玻璃片上形成硬化膜的步驟，玻璃片不易受到熱的傷害。因此，本發明之積層體，即便配備極薄的玻璃片，仍能抑制因熱而生的翹曲、歪斜。
又，含預聚物(A)之硬化性組成物的硬化膜，其耐熱性優良。因此，可於該硬化膜上，在高溫下，形成有機半導體、氧化物半導體等塗佈型半導體，低溫多晶矽等。又，該硬化膜，因低介電常數而絕緣性優良。因此，本發明之積層體，係如後所述，適合使用作為半導體裝置之基材。
硬化性組成物，當包含會因紫外線的照射而產生分子內分解、而讓具有Cf基之分解生成基脫離的化合物(C-1)時，可藉由以圖案狀照射紫外線至該硬化膜，而在硬化膜的表面，如上所述，形在撥液性區域與親液性區域的圖案。在親液性區域，如後所述，可使導電墨等選擇地附著，亦選擇性形成閘極等電極、半導體層、導體層、電晶體材料、電性配線等。因此，本發明之積層體，除半導體裝置之基材外，亦適合用於IC卡片、觸控面板之基材、可 撓性印刷基板、RFID之基材等。
[保護板]
本發明之保護板，係由玻璃片積層體所構成。由於本發明之積層體透明性、耐久性優良，適用於配置在液晶顯示器、有機EL顯示器等之顯示構件、光電轉換元件等之前面的保護板。使用作為保護板時，上述(1)~(4)任何構造的積層體均可適用，惟其中，以硬化膜位於至少一表面之構造的積層體為宜。則將該構造之積層體作為保護板而貼合於顯示構件、光電轉換元件等對象物的表面時，可使硬化膜至少位在外面側，由保護板獲致的保護效果高。
保護板，可以接著性樹脂等貼合於對象物，亦可藉由使硬化膜側接觸於顯示構件並熱壓接，直接貼合於對象物。又，亦可在使硬化性組成物硬化的複數個步驟中，將僅部份步驟完成之硬化膜藉由該硬化膜的黏著性貼合於對象物，貼合後進行剩下的步驟，使其完全硬化。
本發明之積層體，因硬化膜為含預聚物(A)之硬化性組成物的硬化膜故耐久性、透明性高。因此，在使用作為配置於顯示構件之前面的保護板時，能夠長時間維持顯示色調。又，即使作為太陽電池等在戶外使用之裝置等的保護板，就輕量而耐久性(耐光性、耐候性)高此點亦為適宜。
[半導體裝置]
本發明的半導體裝置，係具有本發明之玻璃片積層體作為基材。本發明之玻璃片積層體的硬化膜，由於係含預聚物(A)之硬化性組成物的硬化膜，故低介電常數而絕緣性 優良。又，耐熱性高，可於該硬化膜上，在高溫下，形成有機半導體、氧化物半導體等塗佈型半導體、低溫多晶矽等。因此，本發明之積層體，宜作為半導體裝置之基材。
又，本發明之玻璃片積層體之硬化膜，為含有因紫外線之照射產生分子內分解、而讓具有Cf基之分解生成基脫離的化合物(C-1)之硬化性組成物的硬化膜時，可在硬化膜表面形成撥液性區域及親液性區域之圖案。於親液性區域，可使例如形成電極用之導電墨等選擇性附著而形成電極。因此，具備這樣的硬化膜之本發明之玻璃片積層體，適宜作為半導體裝置之基材。
(薄膜電晶體)
圖1係示意性表示本發明之半導體裝置之一實施形態的薄膜電晶體構造的剖面圖。圖示例的薄膜電晶體係例如作為交換元件(switching element)而使用，藉由將該薄膜電晶體、液晶元件及有機EL元件等顯示元件組合，可提供液晶顯示器、有機EL顯示器等顯示構件。
又，藉由在該顯示構件的前面，設置本發明之積層體作為保護板，可作成由基材及保護板為本發明之積層體構成而具有撓曲性之可撓性顯示器。
該半導體裝置10，具有由具玻璃片11及硬化膜17之玻璃片積層體構成的基材、及形成於硬化膜17上之閘極12、源極13、汲極14、及塗佈型半導體15。又，該半導體裝置10，具有形成於閘極12、源極13及汲極14之間的閘極絕緣膜16、以及為了自外部環境保護源極13，汲極14及塗 佈型半導體15、或為了積層其他電晶體構造的層間絕緣膜18。
又，此例的半導體裝置10，係於層間絕緣膜18以雷射剝蝕法等形成孔部，而形成像素電極19以與汲極14連接者，故適宜使用在液晶顯示器等。
閘極12、源極13、汲極14、像素電極19，係由導電體形成。作為導電體，可舉列為矽、經摻雜之矽、鉑、金、銀、銅、鉻、鋁、鈣、鋇、氧化銦錫、氧化銦鋅、氧化鋅、碳黑、富勒烯類、奈米碳管、聚噻吩、聚伸乙基二氧噻吩、聚苯乙烯磺酸、聚苯胺、聚吡咯、聚茀等。導電體係可單獨使用1種亦可併用2種以上。各電極的材料，可彼此相同，亦可相異。
作為塗佈型半導體15，可舉例如習知的塗佈型半導體，例如，氧化物半導體，有機半導體等。
作為氧化物半導體，可使用經熱氧化等轉換處理而轉換為金屬氧化物構成之半導體材料的材料。
可形成氧化物半導體之前驅物組成物所含有的金屬鹽之金屬，係選自於由例如Li、Be、B、Na、Mg、Al、Si、K、Ca、Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Ga、Ge、Rb、Sr、Y、Zr、Nb、Mo、Cd、In、Ir、Sn、Sb、Cs、Ba、La、Hf、Ta、W、Tl、Pb、Bi、Ce、Pr、Nd、Pm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu所構成之群組中之至少1種。
作為可形成氧化物半導體之前驅物組成物所含 有的金屬鹽，宜為金屬之硝酸鹽、金屬之鹵化物、醇化物類。作為具體例，可舉例如硝酸銦、硝酸鋅、硝酸鎵、硝酸錫、硝酸鋁、氯化銦、氯化鋅、氯化錫(2價)、氯化錫(4價)、氯化鎵、氯化鋁、三-異丙氧基銦、二乙氧基鋅、雙(二三甲基乙醯基甲烷)鋅、四乙氧基錫、四-異丙氧基錫、三-異丙氧基鎵、三-異丙氧基鋁等。
作為由可形成氧化物半導體之前驅物組成物所獲得之氧化物半導體，可舉例如氧化銦鎵鋅、氧化銦鎵、氧化銦錫鋅、氧化鎵鋅、氧化銦錫、氧化銦鋅、氧化錫鋅、氧化鋅、氧化錫、例如、InGaZnOx、InGaOx、InSnZnOx、GaZnOx、InSnOx、InZnOx、SnZnOx(均為x>0)、ZnO、SnO2等。
作為有機半導體，例如，聚吡咯及聚吡咯取代物、聚噻吩及聚噻吩取代物、聚苯并噻吩等苯并噻吩類、聚噻吩乙烯等噻吩乙烯類、聚(對伸苯基乙烯)等聚(對伸苯基乙烯)類、聚苯胺及聚苯胺取代物、聚乙炔類、聚二乙炔類、聚薁類、聚芘類、聚咔唑類、聚硒吩類、聚呋喃類、聚(對伸苯基)類、聚吲哚類、聚嗒類、聚乙烯基咔唑、聚伸苯硫醚、聚伸乙基硫醚等聚合物及多環縮合物；具有與上述材料中的聚合物相同重覆單元的寡聚物類、稠四苯、稠五苯、稠六苯、稠七苯、二苯并稠五苯、四苯并稠五苯、芘、二苯并芘、苯并菲、苝、蔻、3,4-(1,8-萘二基)苝(terrylene)、卵苯、3,4-[1,8]萘并三苯并[de,kl,rst]萘并蒽(quaterrylene)、循環蒽等并苯類及并苯類的部份碳被N、S、O等原子、羰基等官能基所取代的衍生物(三苯并二、 三苯并二噻、稠六苯-6,15-醌等)；金屬酞青素類；四硫富瓦烯及四硫富瓦烯衍生物；四硫戊搭烯及四硫戊搭烯衍生物；萘1,4,5,8-四羧酸二醯亞胺、N,N'-雙(4-三氟甲基苄基)萘1,4,5,8-四羧酸二醯亞胺以及N,N'-雙(1H,1H-全氟辛基)、N,N'-雙(1H,1H-全氟丁基)及N,N'-二辛基萘1,4,5,8-四羧酸二醯亞胺衍生物；萘2,3,6,7四羧酸二醯亞胺等萘四羧酸二醯亞胺類；蒽2,3,6,7-四羧酸二醯亞胺等蒽四羧酸二醯亞胺類等之縮合環四羧酸二醯亞胺類；C60、C70、C76、C78、C84等富勒烯類；SWNT等奈米碳管；部花青素色素類、半花青素色素類等色素等。
閘極絕緣膜16及層間絕緣膜18，係例如經由上述硬化性組成物之硬化膜等低介電常數的硬化膜而形成。若以上述硬化性組成物之硬化膜形成閘極絕緣膜16，則漏電流會降低。又，由於閘極絕緣膜16的薄膜化成為可能，故可實現元件的小型化，又可降低電晶體的驅動電壓。
又，當硬化性組成物含有化合物(C)時，閘極絕緣膜16的表面具有良好的撥水性，故設置於該閘極絕緣膜16上的塗佈型半導體15中分子配向容易，成為載體頂部之極性基不易存在於表面，獲得空氣中水分等難以吸附等的效果。因此，薄膜電晶體中的電子移動度變高，安定性及可靠度提高。
圖2係本發明之半導體裝置之另一實施形態的薄膜電晶體示意構造圖。
該半導體裝置20具有由具玻璃片21及硬化膜27之積層 體構成的基材、閘極22、源極23、汲極24、及塗佈型半導體25，在閘極22、源極23及汲極24之間，設置著閘極絕緣膜26。又，具有用於自外部環境保護閘極22、或積層其他電晶體構造的層間絕緣膜28。
圖2的半導體裝置20，與圖1的半導體裝置10，僅有形成於基材上之半導體裝置構造的上下反轉此點不同，其基本構造及製造方法係與圖1的半導體裝置10相同。
(光電轉換元件)
作為本發明之半導體裝置，亦可舉例為光電轉換元件。由於本發明之積層體透明性、耐久性優良、低介電常數而絕緣性優良，故適用於光電轉換元件的基材。另外，作為光電轉換元件，係像有機薄膜太陽電池這種將光能轉換為電能的元件、及像有機LED這種將電能轉換為光能的元件兩者合稱。
使用本發明之積層體作為基材的光電轉換元件，還有因以下數點故為適宜。
由於活用玻璃片特性而阻氣性高，故可抑制使用了有機半導體材料之光電轉換元件中的有機半導體材料的劣化(因氧、水分等)。
活用作為積層體整體的特性，基材本身為可撓性而撓曲性優良。因此可提高光電轉換元件本身的撓曲性。
由於硬化膜為含有預聚物(A)之硬化性組成物的硬化膜，故在高溫下的劣化少。因此，可耐受呈較高溫之光電轉換元件的製程溫度。又，硬化膜的耐光性優良。
又，硬化膜係經由材料的塗佈而形成，故積層體的平坦性高。在將樹脂薄膜貼合於玻璃片時，由於薄膜凹凸、或殘留應力的影響，積層體往往不易平坦。尤其玻璃片薄的狀況下，其影響顯著。與此相對，本發明中，用於經由塗佈用組成物之塗佈此種製程，不僅厚度均勻，硬化膜的形成對玻璃片帶來的影響亦小，積層體的平坦性變高。例如，若在平坦的金屬鏡面上放置積層體來觀察干渉紋，則可看到積層體的起伏所致的光學干渉，惟本發明之積層體幾乎未見到該干渉。
[玻璃片積層體之製造方法]
本發明之玻璃片積層體之製造方法，係在厚度10~500μm之玻璃片上，形成由液狀硬化性組成物構成的塗佈用組成物或包含有硬化性組成物及溶劑的塗佈用組成物之塗膜，有溶劑存在時將溶劑去除作成乾燥塗膜，並將塗膜熱硬化或光硬化形成硬化膜的方法。另外，乾燥塗膜亦可含有少量溶劑，溶劑含量係乾燥塗膜中的10質量%以下為宜，5質量%以下較佳，1質量%以下尤佳。
形成塗佈用組成物的塗膜後，具有1次以上的加熱步驟時，加熱步驟中的加熱溫度係完全在250℃以下者為宜。
塗佈用組成物的塗膜，可在玻璃片直接塗佈塗佈用組成物、亦可將在別的基材上塗佈而形成的塗膜轉印到玻璃片上。因硬化膜的表面容易變得平坦，故直接塗佈為宜。
在將塗佈用組成物塗佈於玻璃片時，可進行玻璃 片表面適性提升處理。具體的表面適性提升處理方面，可舉例為洗淨處理、接著性增進處理等。作為洗淨處理，可舉例為水洗淨、水蒸氣洗淨、溶劑洗淨、UV/臭氧洗淨等。作為接著性增進處理，可舉例為電暈處理、電漿處理等。作為電漿處理所用的電漿，可舉例為胺基矽烷類、環氧基矽烷類。
塗佈用組成物的塗佈方法沒有特別限制。作為具體例，可舉旋塗法、浸塗法、模鑄法、狹縫塗佈法、噴塗法、噴墨塗佈法、膠版印刷塗佈法、凹版塗佈法等。塗佈可僅進行1次，亦可分為複數次進行。
以熱硬化進行硬化時，經由在玻璃片上形成塗膜、進行加熱(固化步驟)而得到硬化膜。亦可於固化步驟前進行加熱(預焙)。
在以光硬化進行硬化時，經由在玻璃片上形成塗膜，視需要進行加熱(預焙)，經照光(曝光)後，視需要進行加熱(固化步驟)，獲得硬化膜。由生產性的觀點，宜為經由在玻璃片上形成塗膜並照光(曝光)而獲得硬化膜的方法。在玻璃片上形成含溶劑之塗佈用組成物的塗膜，接著，藉由加熱(預焙)去除溶劑而形成乾燥塗膜，接著藉由照光(曝光)而獲得硬化膜的方法為宜。另外，該曝光時可使用光罩。
照射的光，只要是硬化性組成物所含光聚合引發劑(D2)具有感度之波長的光即可，沒有特別限制。通常，硬化所使用的光為紫外線，惟並不限於此。
在進行藉由光刻法之精密加工時，藉由選擇性照光(曝 光)，讓照射部分(曝光部)硬化。從而，於曝光後進行顯影(將未曝光部溶於溶劑而分解去除的步驟)，將未曝光部去除，移除硬化部的殘存溶劑，藉此獲得經精密加工的硬化膜。視需要亦可在顯影後進行加熱(固化步驟)。此時以該加熱(固化步驟)移除殘存溶劑亦可。又，曝光後且顯影前亦可視需要進行加熱步驟(曝光後焙)。
在本發明中，可進行以加熱溫度為250℃以下的低溫硬化。此時，例如在進行預焙及/或曝光後焙、及固化步驟等狀況下，進行2次以上加熱時，使各個加熱溫度均在250℃以下。
本發明中，所謂加熱溫度為250℃以下，意指不使供予加熱之物品的溫度超過250℃。實質上，將加熱板或烘箱等加熱裝置的設定溫度設在250℃以下即可。
本發明中，預焙主要係在使用含溶劑之塗佈用組成物時去除溶劑之目的而實施，於較低的加熱溫度進行。預焙中之加熱溫度，宜為例如40~100℃。
固化步驟及曝光後焙，係以進一步使膜硬化的目的實施，在較高的加熱溫度下進行。固化步驟及曝光後焙中之加熱溫度係80℃以上為宜，100℃以上尤佳。若為較其更低溫，則實施固化步驟或曝光後焙所致效果容易變得不足。加熱溫度越低、玻璃片的傷害越少，就更抑制翹曲、歪斜此點係為適宜的。又，加熱溫度越低，亦能縮減之後的冷卻步驟的負擔。
故而，本發明之玻璃片積層體之製造方法中的加熱， 係加熱溫度為200℃以下較佳。在進行2次以上加熱時，使各個加熱溫度均在200℃以下。實質上，將加熱板或烘箱等加熱裝置的設定溫度設在200℃以下即可。
本發明之硬化膜的製造，係將使用塗佈用組成物而形成硬化膜的全部加熱中的溫度設在250℃以下為宜。又，即便在使之光硬化時，有時為了溶劑去除等加熱是必要的，此時加熱溫度係250℃以下為宜。故而，硬化膜之製造方法，係於基材上形成塗佈用組成物之膜後，經由1次以上的加熱使硬化性組成物熱硬化或光硬化而製造硬化膜的方法為宜，加熱溫度皆為250℃以下者為宜。
本發明之玻璃片積層體之製造方法，依照玻璃片的形態，可使用各式各樣的製造方法。在玻璃片為連續長片狀時，連續法係為適宜。連續法，在視需要進行表面適性提升處理後，連續進行塗佈用組成物的塗佈及其後的步驟，將所得玻璃片積層體捲取為卷狀的方法。尤其在上述(1)之構造(於玻璃片單面設有硬化膜的構造)時，該製造方法係適宜的。又，在玻璃片裁切為一定大小、形狀而處理時，每片法係為適宜的。尤其是上述(2)~(4)之構造時，此製造方法係適宜的。
[半導體裝置之製造方法]
接下來就本發明之半導體裝置的製造方法，例示圖1之薄膜電晶體並參照圖式予以說明。
首先，由上述[玻璃片積層體之製造方法]所記載的方法，在玻璃片11上形成硬化膜17，製造玻璃片積層體。 在此，硬化膜17的形成中，宜使用包含經紫外線照射產生分子內分解、而讓具有Cf基之分解生成基脫離之化合物(C-1)的硬化性組成物。
接著，在所得硬化膜17表面之所欲位置局部地照射紫外線，使硬化膜17表面當中僅有經紫外線照射的部分親液化，如圖3所示，形成用於形成閘極之閘極用的親液性區域17a。另一方面，未經照射紫外線的部分係成為保持撥液性的撥液性區域17b。藉此，於包含硬化膜17之表面的表層部分，形成親液性區域17a及撥液性區域17b的圖案。
作為形成由親液性區域17a及撥液性區域17b構成之圖案的方法，除了對硬化膜17局部地照射紫外線的方法外，可舉例如：對硬化膜17局部地照射雷射的方法；對塗膜局部地照射紫外線而於塗膜形成由親液性區域與撥液性區域構成的圖案後，藉由加熱或照光使塗膜硬化，來製造具有由親液性區域及撥液性區域構成之圖案的硬化膜的方法；對塗膜局部地照射雷射而於塗膜形成由親液性區域與撥液性區域構成的圖案後，藉由加熱或照光使塗膜硬化，來製造具有由親液性區域及撥液性區域構成之圖案的硬化膜的方法。另外，作為局部地照射紫外線的方法，可舉例為隔著具有圖案的光罩照射紫外線的方法等。
圖中，符號17c係表示硬化膜17之表層以外的內部區域。硬化膜17之中，親液性區域17a與撥液性區域17b，並非與顯示各自特性之表層下的內部區域17c有明確分層，推測是沿著厚度方向有連續Cf基的濃度變化。
作為紫外線的光源，可使用能照射出高壓水銀燈(i射線365nm)、YAG雷射(3倍波355nm)等波長300nm以上之紫外線的光源。另外，硬化膜17的表面即使用波長未達300nm的紫外線亦能親液化，故使用可照射波長未達300nm之紫外線的光源亦無妨。
紫外線照射後，視需要亦可加熱或減壓，以促進含Cf基之分解生成基的去除。
接下來，在硬化膜17的親液性區域17a上，塗佈導電墨等形成閘極用之液體，加熱而形成閘極12。
作為塗佈液體的方法，可舉例如，模鑄法、旋塗法、蓋塗法(cap coat)、浸塗法、氣刀塗佈法、刮刀塗佈法、輥塗法、刀塗法、擠壓塗佈法、逆輥塗佈法、轉印輥塗佈法、凹版塗佈法、吻合塗佈法、鑄塗法、噴塗法、狹縫孔口塗佈法、簾幕塗佈法等各種塗佈法；或網版印刷、噴墨印刷、平版印刷等印刷法等，宜因應所用液體或硬化性組成物的種類適當選擇。
加熱條件，係可因應液體種類等作適當設定。又，就易於抑制用以構成所形成之閘極的導電體之氧化此點看來，加熱宜在氮環境氣體等惰性環境氣體下或真空中進行。加熱方法係可使用經由烘箱及加熱板的加熱、IR加熱、閃燈加熱、雷射加熱、μ波電漿加熱等方法。
接下來，如圖1所示，在硬化膜17及閘極12上形成閘極絕緣膜16。在閘極絕緣膜16的形成方面，可使用習知的硬化性組成物，亦可使用含預聚物(A)之上述硬化性組 成物。藉由使硬化性組成物之膜熱硬化或光硬，可形成閘極絕緣膜16。
閘極絕緣膜16，係以閘極12不與其他構件電性連接的方式，以覆於硬化膜17及閘極12上而形成。
接著，在所得之閘極絕緣膜16上，形成源極13及汲極14。閘極絕緣膜16的形成方面，當有使用到含有會因紫外線照射而產生分子內分解、讓具有Cf基之分解生成基脫離的化合物(C-1)之硬化性組成物時，於閘極絕緣膜16之所欲位置照射紫外線，個別地形成源極用及汲極用的親液性區域。於該步驟中的親液性區域之形成，可藉由和閘極用之親液性區域17a之形成相同操作來進行。另外，從在塗膜所欲位置照射紫外線、形成撥液性區域與源極用及汲極用之親液性區域的圖案，之後可經由加熱或光照射使其硬化而作成具有親液性區域的閘極絕緣膜16此點亦相同。
接著，在閘極絕緣膜16上已形成之源極用及汲極用的親液性區域上，形成源極13及汲極14。該步驟中，藉由與閘極12之形成相同的操作來形成源極13及汲極14即可。
又，閘極絕緣膜16的形成上若使用到含有因紫外線照射而產生分子內分解、具有Cf基之分解生成基會脫離之化合物(C-1)的硬化性組成物時，係在閘極絕緣膜16上的源極13及汲極14之間所欲位置照射紫外線，形成塗佈型半導體用之親液性區域的圖案。該步驟中的親液性區域的形成，可藉由與閘極16的形成、源極13及汲極14的形成相同 的操作來進行。
接著，在所形成之塗佈型半導體用的親液性區域上，塗佈塗佈型半導體組成物、並加熱而形成塗佈型半導體15。
作為塗佈型半導體組成物之塗佈方法，係可舉例如模鑄法、旋塗法、蓋塗法、浸塗法、氣刀塗佈法、刮刀塗佈法、輥塗法、刀塗法、擠壓塗佈法、逆輥塗佈法、轉印輥塗佈法、凹版塗佈法、吻合塗佈法、鑄塗法、噴塗法、狹縫孔口塗佈法、簾幕塗佈法等各種塗工法、或是網版印刷、噴墨印刷等印刷法等，依所用之塗佈型半導體組成物適當選擇即可。
加熱溫度，可適當選擇讓氧化物半導體前驅物材料經由熱氧化等轉換處理而轉換為以金屬氧化物構成之半導體的溫度。加熱溫度係100~500℃為宜，150~400℃較佳，200~300℃更佳，220~275℃尤佳。加熱時間並無特別限制，惟例如，3分~24小時為宜。
半導體裝置10之基材，由於係由本發明之積層體構成、而該積層體之硬化膜17具有耐熱性，故可毫無問題地進行如此高溫下的塗佈型半導體15之形成。
接下來，在閘極絕緣膜16、源極13、汲極14及塗佈型半導體15上，形成層間絕緣膜18。在層間絕緣膜18的形成方面，可使用習知之硬化性組成物，亦可使用含預聚物(A)之上述硬化性組成物。藉由使硬化性組成物之膜以加熱、光照射等而硬化，形成層間絕緣膜18。
如圖1所示，當以雷射剝蝕法在層間絕緣膜18形成通孔(via hole)供設置與汲極14連接之像素電極19用時，形成層間絕緣膜18之硬化性組成物方面，係包含會吸收所照射之雷射光的色素者為宜。藉由使其包含色素，硬化膜中之照射能的吸收率會提升，使得以更低照射能行硬化膜雷射加工成為可能。
作為色素，係具有雷射光之吸收能的化合物即可，可舉例如二苯基酮系化合物、苯并三唑系化合物、苯甲酸酯系化合物、三系化合物等。
層間絕緣膜18，係以不使源極13及汲極14與其他構件電性連接，且不使源極13、汲極14及塗佈型半導體15直接暴露於外部環境的方式形成，作為保護其等之物。
接下來，於層間絕緣膜18形成通孔，於該通孔填滿電極材料，再於層間絕緣膜18表面形成電極圖案，作成像素電極19。通孔係除了雷射剝蝕法以外，還可以乾式蝕刻法、濕式蝕刻法、光刻法等方法形成。像素電極19，係可以和閘極12、源極13、汲極15等相同的方法形成。
圖2的半導體裝置20，與圖1的半導體裝置10僅有在硬化膜17、27上所形成之半導體裝置構造上下顛倒此點差異。因此，基本上，可將已就圖1之半導體裝置10所說明之半導體裝置之製造方法的各步驟的順序，依圖2之半導體裝置20對應的順序變換進行來製造。
[實施例]
以下利用實施例來進一步詳細說明本發明，惟本 發明不受該等實施例所限制。評價方法如下述。
[評價]
(撓曲性)
以雙手持積層體的相對向之2邊，將非常容易彎曲時作為◎(優秀)、容易彎曲時作為○(良好)、難以彎曲、勉強使其彎曲就破損時作為×(不良)。
(平坦性)
在經研磨之金屬鏡面上，將積層體靜置。此時，要使積層體之玻璃片側接觸金屬鏡面。以目視觀測干渉紋，藉此評價平坦性。將幾乎觀測不到者作為○(良好)，可觀測到者作為×(不良)。
(透明性)
測定積層體之400~700nm範圍的穿透光譜。於400~700nm範圍中最低的穿透率為80%以上時作為○(良好)，不到80%時作為×(不良)。
(介電常數)
比介電常數的測定，係使用水銀探針器(SSM公司製，製品名：SSM-495)，進行CV測定，藉此求得1MHz的比介電常數。
(接觸角)
於硬化膜之表面的接觸角測定，係使用接觸角計(協和界面科學公司製，製品名：CA-A)，在25℃的條件下，以液滴法進行。在撥水性評價時，於硬化膜上，滴下約1μL的水測定接觸角；在撥油性評價時，滴下約1μL的PGMEA測定 接觸角。
[含氟聚伸芳基預聚物(A)的合成]
縮寫係指以下化合物。
DMAc：N,N-二甲基乙醯胺。
PFB：全氟聯苯。
(合成例1：預聚物(A-1)的合成)
在裝有戴氏冷凝器、熱電偶溫度計、磁性攪拌器的10L玻璃製4頸燒瓶，投入PFB(650g)、1,3,5-三羥基苯(117g)、DMAc(6,202g)。一邊攪拌一邊在油浴上加溫，在液溫變為60℃的時間點快速加入碳酸鈉(575g)。持續攪拌同時在60℃下加熱24小時。接著，一邊攪拌一邊冷卻至0℃，添加4-乙醯氧苯乙烯(200g)、氫氧化鉀(532g)，再在0℃下反應24小時。之後，將反應液冷卻至室溫，緩慢滴入約10L之經激烈攪拌之0.5N鹽酸水，進行再沈澱。將沈澱物過濾後，再以純水洗淨2次。之後，進行60℃下12小時的真空乾燥，獲得白色粉末狀的預聚物(A-1)(800g)。預聚物(A-1)的數目平均分子量(Mn)為10,000。
(合成例2：預聚物(A-2)的合成)
在DMAc(492g)溶劑中，將五氟苯乙烯(22g)與1,1,1-參(4-羥基苯基)乙烷(33g)於碳酸鈉(51g)的存在下，在60℃下反應24小時後，接續添加已將PFB(40g)溶於DMAc(360g)之溶液，再使其在60℃下反應17小時。之後，將反應液冷卻至室溫，緩慢滴入約2L之經激烈攪拌的0.5N鹽酸水，進行再沈澱。將沈澱物過濾後，再以純水洗淨2次。之後，進行 60℃下12小時的真空乾燥，獲得白色粉末狀的預聚物(A-2)(75g)。預聚物(A-2)的數目平均分子量(Mn)係10,000。
[化合物(C)的合成]
縮寫係指以下化合物。
(具有Rn基之單體(c1r))
C18MA：CH2=C(CH3)COO(CH2)17CH3。
(具有Cf之單體(c1f))
C6FMA：CH2=C(CH3)COOCH2CH2(CF2)6F。
(具有羧基之單體(c4m))
MAA：甲基丙烯酸。
(具有羥基之單體(c4m))
HEMA：甲基丙烯酸2-羥基乙酯。
(具有異氰酸酯基及交聯性官能基之單體(c2c))
AOI：2-丙烯醯氧基乙基異氰酸酯(昭和電工公司製)。
MOI：2-甲基丙烯醯氧基乙基異氰酸酯(昭和電工公司製)。
(鏈轉移劑)
DSH：正十二基硫醇。
V-65：2,2’-疊氮雙(2,4-二甲基戊腈)(和光純藥公司製，製品名：V-65)。V-70：2,2’-疊氮雙(4-甲氧基-2,4-二甲基戊腈)(和光純藥公司製，製品名：V-70)。
(觸媒)
DBTDL：二月桂酸二丁錫。
(聚合抑制劑)
BHT：2,6-二-三級丁基-對甲酚。
(合成例3：化合物(m1α-1)的合成)
將化合物(a1α-1)(汽巴精化公司製，製品名：IRGACURE 2959)2.5g及三乙基胺2.3g混合於二氯甲烷62mL使其溶解，獲得溶液。將該溶液在0℃下攪拌，一邊於該溶液中滴下加入已將丙烯醯氯(化合物(b1α-1))1.0g溶解於二氯甲烷8mL而成的溶液。滴下完成後，於0℃下攪拌1小時，獲得含化合物(c1α-1)的溶液。
將含化合物(c1α-1)的溶液在0℃下攪拌，一邊加入三乙基胺1.7g。接著，滴下加入2-(七氟丙氧基)-2,3,3,3-四氟丙醯氟(化合物(d1α-1))4.4g。滴下完成後，在室溫下攪拌1小時，獲得含化合物(m1α-1)之溶液。
將含化合物(m1α-1)之溶液注入冰水中，使用醋酸乙酯萃取3次，將有機相乾燥，以氧化矽凝膠層析管進行純化，獲得2.0g的化合物(m1α-1)。
[化15]
(合成例4：化合物(m1β-3)的合成)
將4-羥基苯硫醇17.7g及4’-溴化丙醯苯20.0g溶解於151g的DMAc中，獲得溶液。將該溶液於80℃下攪拌，一邊於該溶液添加碳酸鉀25.9g。在80℃下攪拌12小時，獲得化合物(a1β-1)的溶液。接著，將所得的化合物(a1β-1)溶液投入水中，將沈澱物真空乾燥獲得24.0g的化合物(a1β-1)。
將20.2g的化合物(a1β-1)及9.7g的三乙基胺溶解於89g的THF中，獲得溶液。將該溶液在0℃下攪拌，一邊在該溶液滴下加入9.0g的化合物(b1β-2)。再在0℃下攪拌1小時後，於室溫下攪拌3.5小時，獲得化合物(c1β-2)的溶液。接著，將所得之化合物(c1β-2)的溶液投入水中，以醋酸乙酯萃取3次。將有機相真空乾燥，獲得26.6g的化合物(c1β-2)。
將化合物(c1β-2)20.0g、亞硝酸異戊酯10.9g及35質量%鹽酸水溶液5.0g溶解於107g的THF中，獲得溶液。將該溶液於室溫下攪拌1天，獲得化合物(d1β-2)的溶液。接著，將所得之化合物(d1β-2)的溶液投入水中，以醋酸乙酯萃取3次。將有機相真空乾燥，獲得14.2g的化合物(d1β-2)。
另一方面，將琥珀酸酐3.5g、1H,1H,2H,2H-全氟辛醇13.7g、4-二甲基胺基吡啶1.1g及三乙基胺5.4g溶解於106g的二氯甲烷中，獲得溶液。將該溶液於室溫下攪拌17小時，獲得化合物(e1β-2)的溶液。接著，將所得之化合物(e1β-2)的溶液以1N鹽酸洗淨3次，以水洗淨1次。將有機相真空乾燥，獲得15.7g的化合物(e1β-2)。
將5.1g的化合物(d1β-2)及2.7g的二異丙基碳二醯亞胺溶解於30g的THF中，獲得溶液。將該溶液於0℃攪拌，一邊滴下加入已將9.7g化合物(e1β-2)溶解於10g之THF中而成的溶液。再於0℃下攪拌1小時後，於室溫攪拌19小時，獲得化合物(m1β-3)的溶液。以蒸發器將溶劑從該溶液去除後，經真空乾燥獲得9.7g的化合物(m1β-3)。
[化16]
(合成例5：化合物(C-1-1)的合成)
在丙酮(555g)溶劑中，令C6FMA(96g)、MAA(72g)及HEMA(72g)，在DSH(9.7g)及V-70(5g)的存在下，於40℃下反應18小時，獲得聚合物1的溶液。將所得聚合物1的丙酮溶液投入水中，藉此再沈澱純化，經真空乾燥獲得230g的 粉末狀聚合物1。
接著，在丙酮(100g)溶劑中，令聚合物1(100g)、MOI(36g)、DBTDL(0.2g)及BHT(1.8g)，於30℃下反應18小時，獲得135g的共聚物(C-1-1)。共聚物(C-1-1)中的氟含量為22質量%、數目平均分子量(Mn)為7,000。
(合成例6：化合物(C-2-1)的合成)
在甲乙酮(27.6g)溶劑中，令C18MA(8.0g)及HEMA(3.1g在DSH(0.68g)及V-65(0.094g)的存在下，於50℃下反應24小時後，於70℃下反應2小時。
接著，令AOI(3.3g)、DBTDL(0.013g)及BHT(0.17g)，在40℃反應24小時，合成作為共聚物的化合物(C-2-1)。將所得化合物(C-2-1)之甲乙酮溶液投入甲醇中，藉此再沈澱純化，經真空乾燥獲得粉末狀的化合物(C-2-1)11g。化合物(C-2-1)的數目平均分子量(Mn)為8,000。
(合成例7：化合物(C-1-2)的合成)
在2-丁酮(197g)溶液中，令化合物(4a-21)(50g)及HEMA(34g)，在鏈轉移劑DSH(5.1g)及聚合引發劑V-70(0.7g)的存在下，於50℃反應24小時，接著在70℃反應2小時。
冷卻至室溫(20~25℃)後，投入AOI(37g)、DBTDL(0.1g)及BHT(1.9g)，使其於40℃下反應24小時，合成化合物(C-1-2)。將所得共聚物(C-1-2)之2-丁酮溶液投入己烷中藉此再沈澱純化，經真空乾燥獲得粉末狀之共聚物(C-1-2)115g。共聚物(C-1-2)中的氟含量為18質量%、數目平均分子量(Mn)為6,000。
(合成例8：化合物(C-1-3)的合成)
在2.0g的2-丁酮中，令合成例3所得之化合物(m1α-1)0.70g及2-羥基甲基丙烯酸乙酯0.15g，在正十二基硫醇0.034g及2,2’-疊氮雙(4-甲氧基-2,4-二甲基戊腈)(和光純藥公司製，製品名：V-70)0.005g的存在下，於50℃下反應24小時。冷卻至室溫(20~25℃)後，加入2-丙烯醯氧基乙基異氰酸酯0.17g、二月桂酸二丁錫0.0007g及2,6-二-三級丁基-對甲酚0.0084g，使其在40℃下反應24小時，而獲得具有下式單元(c1f-1)及單元(c2-1)之化合物(C-1-3)的2-丁酮溶液。將所得之化合物(C-1-3)的2-丁酮溶液投入己烷中，藉此使其沈澱，經真空乾燥獲得粉末狀的化合物(C-1-3)0.75g。化合物(C-1-3)中的氟含量為24.2質量%，數目平均分子量(Mn)為8,000。
(合成例9：化合物(C-1-4)的合成)
於2.2g的2-丁酮中，令合成例4所獲得之化合物(m1β-3)的0.8g及甲基丙烯酸2-羥基乙酯的0.13g，在正十八基硫醇0.03g及2,2’-疊氮雙(2,4-二甲基戊腈)(和光純藥公司製，製品名：V-65)0.004g的存在下，在50℃下反應24小時。冷卻至室溫(20~25℃)後，加入2-丙烯醯氧基乙基異氰酸酯0.14g、二月桂酸二丁錫0.0006g及2,6-二-三級丁基-對甲酚0.007g，使其在40℃下反應24小時，而獲得具有下式單元(c1f-3)及單元(c2-1)之化合物(C-1-4)的2-丁酮溶液。將所得之化合物(C-1-4)的2-丁酮溶液投入己烷中，將沈澱物真空乾燥獲得粉末狀的化合物(C-1-4)0.89g。撥液性聚合物(C-1-4)中的氟含量為23.0質量%、數目平均分子量(Mn)為8,000。
[塗佈用組成物]
(化合物(B))
ADPH：製品名，二新戊四醇六丙烯酸酯(新中村化學工業公司製)。
M408：二三羥甲基丙烷四丙烯酸酯(東亞合成公司製，數目平均分子量(Mn)：466)。
A9300-1CL：ε-己內酯轉乙氧基化異三聚氰酸之三丙烯酸酯(新中村化學工業公司製「ε-己內酯改質參(2-丙烯醯氧乙基)三聚異氰酸酯」，數目平均分子量(Mn)：537)。
ATMPT：三羥甲基丙烷三丙烯酸酯(新中村化學工業公司製，數目平均分子量(Mn)：296)。
ADCP：三環癸烷二甲醇二丙烯酸酯(新中村化學工業公司製，數目平均分子量(Mn)：304)。
(熱聚合引發劑(D1))
BPO：苯甲醯過氧化物。
(光聚合引發劑(D2))
OXE01：1,2-辛二酮，1-[4-(苯硫基)-,2-(鄰苯甲醯基肟)](BASF公司製)。
(溶劑)
PGMEA：丙二醇單甲基醚乙酸酯。
[玻璃片]
無鹼玻璃(旭硝子公司製，商品名：AN100)的玻璃片(10cm×10cm)。使用厚度為50μm或100μm者。
[硬化性組成物的調製]
以表1所示摻混比率在室溫下混合各成分，獲得調製例10~22之塗佈用組成物。
又，作為調製例23(比較例)的塗佈用組成物，將甲基丙烯酸甲酯聚合物(Sigma Aldrich公司製，質量平均分子量(Mw)：120,000)溶解於PGMEA中，獲得碳化氫系樹脂溶液(固態成分：10質量%)。
[表1]
在以下之例當中，例1~26為實施例，而例27~28為比較例。
[例1~8：200℃熱硬化]
將表2所示之塗佈用組成物於玻璃片上以每分1,000轉旋塗30秒，在加熱板上加熱(預焙)。加熱條件為100℃、90 秒。接著，利用烘箱在200℃下加熱2小時(固化步驟)，形成膜厚1μm的硬化膜，獲得玻璃片積層體。
評價所得玻璃片積層體的撓曲性、平坦性及透明性，測定介電常數。結果顯示於表2。
[例9~12及例17~28：150℃熱硬化]
將表2所示之塗佈用組成物於玻璃片上以每分1,000轉旋塗30秒，在加熱板上加熱(預焙)。加熱條件為150℃、2分鐘。接著，利用烘箱在150℃下加熱10分鐘(固化步驟)，形成膜厚1μm的硬化膜，獲得玻璃片積層體。
評價所得玻璃片積層體的撓曲性、平坦性及透明性，測定介電常數。結果顯示於表2。
[例13~16：光硬化]
將表2所示之塗佈用組成物於玻璃片上以每分1,000轉旋塗30秒，在加熱板上加熱(預焙)。加熱條件為60℃、90秒。接著，進行照射能量200mJ/cm2的曝光。曝光係使用紫外線曝光裝置(SUSS公司製，製品名：MA-6)，將高壓水銀燈作為光源而照射。接著經由加熱板於100℃下加熱5分鐘(固化步驟)，形成膜厚1μm的硬化膜，獲得玻璃片積層體。
評價所得玻璃片積層體的撓曲性、平坦性及透明性，測定介電常數。結果顯示於表2。
[表2]
如表2的結果所示，例1~26的玻璃片積層體，無論何者，除了撓曲性、平坦性及透明性優良外，比介電常數亦低，具有充分的絕緣性。
另一方面，例27及28的玻璃片積層體，雖然撓曲性、平坦性及透明性優良，但比介電常數高，絕緣性不足。
從該結果即教示，例1~26的玻璃片積層體適宜使用作為半導體裝置的基材。
[例29]
針對例17之玻璃片積層體，測定其具有之硬化膜的接觸角，該硬化膜為含化合物(C-1-1)之硬化性組成物之硬化膜，結果水接觸角為110°，而PGMEA接觸角為56°，該硬化膜係撥液性優良。
[例30]
針對例19之玻璃片積層體，測定其具有之硬化膜的接觸角，該硬化膜為含化合物(C-2-1)之硬化性組成物之硬化膜，結果水接觸角為95°，而PGMEA接觸角為10°以下，具有撥水性及親油性。
[例31]
對例21之玻璃片積層體所具有之硬化膜的表面，隔著具有圖案的光罩，局部照射紫外線，該硬化膜為含化合物(C-1-2)之硬化性組成物的硬化膜。紫外線的照射，係使用Spot-Cure SP-7(USHIO電氣公司製)，照射條件設為50J/cm2。在此條件下，波長200nm以下光不會照射。
紫外線照射部分的水接觸角為76°；PGMEA接觸角為10°以下。紫外線未照射部分的水接觸角為103°；PGMEA接觸角為58°。
藉由這樣照射紫外線，能夠選擇性降低硬化膜表面的撥液性，可形成由紫外線之照射來降低撥液性而親液化的親液性區域、以及未照射紫外線之保持撥液性的撥液性區域的圖案。
[例32]
對例23之玻璃片積層體所具有之硬化膜的表面，隔著具有圖案的光罩，局部照射紫外線(i射線365nm)，該硬化膜為含化合物(C-1-3)之硬化性組成物的硬化膜。紫外線的照射，係使用SUSS公司製的製品名：MA-8，照射條件設為100J/cm2。在該裝置及條件下，不會有波長350nm以下的紫外線照射。
經紫外線照射之部分的PGMEA接觸角為10°以下；未經紫外線照射之部分的PGMEA接觸角為53°。
藉由這樣照射紫外線，能夠選擇性降低硬化膜表面的撥油性，可形成利用紫外線之照射來降低撥油性而親液化的親液性區域、以及未照射紫外線之保持撥油性的撥液性區域的圖案。
[例33]
對例25中所得之玻璃片積層體所具有之硬化膜的表面，隔著具有圖案的光罩，局部照射紫外線(i射線365nm)，該硬化膜為含化合物(C-1-4)之硬化性組成物的硬化膜。紫外線的照射，係使用SUSS公司製的製品名：MA-8，照射條件設為1J/cm2。在該裝置及條件下，不會有波長350nm以下的紫外線照射。
經紫外線照射之部分的PGMEA接觸角為10°以下；未經紫外線照射之部分的PGMEA接觸角為51°。
藉由這樣照射紫外線，能夠選擇性降低硬化膜表面的撥油性，可形成利用紫外線之照射來降低撥油性而親液化 的親液性區域、以及未照射紫外線之保持撥油性的撥液性區域的圖案。
產業可利用性
本發明之積層體，適宜使用作為顯示裝置的保護板、半導體裝置的基材、IC卡、觸控面板的基材、可撓性印刷基板、RFID的基材。
另外，在此引用於2012年8月9日提出申請之日本特許出願第2012-176972號及於2012年10月22日提出申請之日本特許出願第2012-233197號的說明書、申請專利範圍、圖式及摘要的全部內容，併入作為本發明之說明書的揭示內容。

Claims (15)

  1. 一種玻璃片積層體，其特徵在於具有：厚度10~500μm之玻璃片；及由硬化性組成物所形成之硬化膜，該硬化性組成物含有具交聯性官能基之含氟聚伸芳基預聚物(A)。
  2. 如請求項1之玻璃片積層體，其中前述含氟聚伸芳基預聚物(A)為含氟聚伸芳基醚預聚物。
  3. 如請求項2之玻璃片積層體，其中前述含氟聚伸芳基預聚物(A)係在脫鹵化氫劑之存在下，使下述化合物進行反應而製得之預聚物：含氟芳香族化合物，具有鍵結於芳香環之碳原子的氟原子；酚系化合物，具有2個以上酚性羥基；及芳香族化合物，含有反應性基，該反應性基可在脫鹵化氫劑之存在下與交聯性官能基反應者。
  4. 如請求項3之玻璃片積層體，其中前述含氟芳香族化合物為全氟(1,3,5-三苯基苯)或全氟聯苯，前述酚系化合物為1,3,5-三羥基苯或1,1,1-參(4-羥基苯基)乙烷，前述芳香族化合物為五氟苯乙烯、乙醯氧苯乙烯、氯甲基苯乙烯或五氟苯基乙炔。
  5. 如請求項1至4項中任一項之玻璃片積層體，其中前述硬化性組成物含有數目平均分子量為140~3,000之化合物(B)，該化合物(B)具有2個以上交聯性官能基且不具氟原 子。
  6. 如請求項5之玻璃片積層體，其中前述化合物(B)為多元醇之聚丙烯酸酯或多元醇之聚甲基丙烯酸酯。
  7. 如請求項1至6項中任一項之玻璃片積層體，其中前述硬化性組成物含有數目平均分子量超過3,000且在50,000以下之化合物(C)，該化合物(C)具有：碳原子間可具有醚性氧原子且碳數20以下之氟烷基、或是碳原子間可具有醚性氧原子且碳數6~24之烷基；及交聯性官能基。
  8. 如請求項7之玻璃片積層體，其係於前述硬化膜表面形成有親液性區域與撥液性區域之圖案。
  9. 如請求項1至8項中任一項之玻璃片積層體，其中前述硬化性組成物含有自由基聚合引發劑(D)。
  10. 如請求項1至9項中任一項之玻璃片積層體，其中前述交聯性官能基係選自於由乙烯基(氧)基、烯丙基(氧)基、乙炔基及(甲基)丙烯醯(氧)基所構成之群組。
  11. 一種保護板，具有如請求項1至10項中任一項之玻璃片積層體。
  12. 一種半導體裝置，具有如請求項1至10項中任一項之玻璃片積層體作為基材。
  13. 一種玻璃片積層體之製造方法，其特徵在於：在厚度10~500μm之玻璃片上，形成含有硬化性組成物之液狀塗佈用組成物之塗膜，並使前述塗膜熱硬化 或光硬化而形成硬化膜，前述硬化性組成物含有具交聯性官能基之含氟聚伸芳基預聚物(A)。
  14. 如請求項13之玻璃片積層體之製造方法，其中前述液狀塗佈用組成物係含有溶劑之硬化性組成物，且該製造方法在形成含有溶劑之硬化性組成物之塗膜並除去溶劑後，使硬化性組成物之塗膜硬化。
  15. 如請求項13或14之玻璃片積層體之製造方法，其係在形成前述塗佈用組成物之膜後，具有1次以上之加熱步驟，且該加熱步驟中之加熱溫度皆為250℃以下。
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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SG11201501508UA (en) * 2012-08-31 2015-04-29 Asahi Glass Co Ltd Curable composition and method for producing cured film
JP2016097562A (ja) * 2014-11-20 2016-05-30 日立化成株式会社 樹脂層付き基板の製造方法、導電層付き基板の製造方法、樹脂層付き基板、導電層付き基板及びタッチパネル。
WO2022210894A1 (ja) * 2021-03-31 2022-10-06 大日本印刷株式会社 転写フィルム、ハードコートフィルム、ならびにハードコート成形体およびその製造方法
CN113427874B (zh) * 2021-06-25 2022-04-22 绍兴迪飞新材料有限公司 一种自清洁的智能动态调光玻璃
CN113402165B (zh) * 2021-07-28 2022-07-29 成都光明光电股份有限公司 玻璃组合物、化学强化玻璃及其制造方法

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6118925A (ja) * 1984-07-06 1986-01-27 Seiko Epson Corp 表示装置
JP3187695B2 (ja) * 1995-02-06 2001-07-11 出光興産株式会社 多色発光装置およびその製造方法
GB2335884A (en) * 1998-04-02 1999-10-06 Cambridge Display Tech Ltd Flexible substrates for electronic or optoelectronic devices
KR100672855B1 (ko) * 1998-07-20 2007-01-22 코닌클리케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. 광방출 디바이스용 기판, 기판을 포함하는 폴리-led, 및 광방출 디바이스용 적층 제조 방법
JP5245378B2 (ja) * 2007-11-30 2013-07-24 旭硝子株式会社 架橋性プレポリマー、その製造方法および用途
CN102066443B (zh) * 2008-06-19 2014-01-15 旭硝子株式会社 固化性组合物及使用了该组合物的固化膜
WO2011162001A1 (ja) * 2010-06-23 2011-12-29 旭硝子株式会社 硬化性組成物および硬化膜の製造方法
JP2012063620A (ja) * 2010-09-16 2012-03-29 Asahi Glass Co Ltd 硬化性組成物および光導波路の製造方法

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