TW201407765A - 有機發光顯示器及其製造方法 - Google Patents

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Abstract

一種有機發光顯示器及其製造方法，此有機發光顯示器能夠實現薄膜形狀與撓性，基於改善之結構在觸控板方面表現出卓越的接觸特性，其中觸控接墊部之最外表面與觸控接墊部中虛擬接墊部之最外表面間的距離小於觸控接墊部鄰接之鄰接部之最外表面與虛擬接墊部之最外表面間的距離。

Description

有機發光顯示器及其製造方法
本發明係關於一種有機發光顯示器及其製造方法，特別是關於一種能夠實現薄膜形狀及撓性之有機發光顯示器，此有機發光顯示器基於改善之結構在觸控板方面表現出卓越的接觸特性。
平面顯示器的例子包含液晶顯示器、有機發光顯示器、電漿顯示器、量子點顯示器(quantum dot panel；QDP)、場發射顯示器(FED)、電泳顯示器(EPD)等。這些顯示器共同之處在於包含平面顯示面板，作為實現影像的基本部件。這種平面顯示面板具有下述配置，其中一對透明絕緣基板相互接合，這樣它們透過兩者之間放置的一層而彼此正對，此層包含一種固有發光或偏振材料或其他光學材料。
依照近來大尺寸顯示器之趨勢，對於佔據較小空間的平面顯示器的需求也日益增加。這些平面顯示器中，有機發光顯示器技術正在快速發展。
有機發光顯示器不需要任何分離的光源以及在每一畫素中包含自發發光的有機發光二極體以實現顯示。因為有機發光顯示器的優勢在於不需要光源以及用於組合光源與顯示面板之結構，所以作為下世代顯示器吸引了更多關注，因此具有減少厚度與重量之優點。
當電荷被注入到電子注入電極(陰極)與電洞注入電極(陽 極)間形成的有機膜內時，電子與電洞配對，然後這些電子電洞對衰減。此時，有機發光二極體發射光線。
其間，將觸控螢幕合併到有機發光顯示器內的需求在增加，其中感測到手或分離的輸入元件接觸到一個地方，作為回應則傳送資訊。這種觸控螢幕透過附著(adhesion)被應用到顯示器的外表面。
根據觸控感測方法，觸控螢幕可以為電阻、電容與紅外線感測類型。考慮到方便製造、感測力等方面，在小模型中電容式觸控螢幕吸引了更多關注。
以下，將結合附圖描述習知技術之整合式觸控螢幕之有機發光顯示器。
「第1圖」所示係為習知技術之觸控螢幕之有機發光顯示器之剖面圖。
如「第1圖」所示，整合式觸控螢幕之有機發光顯示器包含從底部依序堆疊的有機發光顯示面板1、觸控螢幕2以及遮蓋窗(cover window)3，並且包含放置於各層之間的第一附著層(adhesive layer)15與第二附著層25。
本文中，有機發光顯示面板1包含基板、薄膜電晶體陣列以及有機發光二極體，其中具有矩陣形式的薄膜電晶體陣列被放置於基板上，有機發光二極體連接薄膜電晶體陣列之每一薄膜電晶體。有機發光顯示面板1包含覆蓋有機發光二極體之頂部之保護膜與偏振層。這種情況下，第一附著層15對應有機發光顯示面板1之偏振層。
習知的整合式觸控螢幕之有機發光顯示器具有以下缺點。
首先，當獨立形成有機發光顯示面板與觸控螢幕時，則觸控螢幕被附著到有機發光顯示面板，有機發光顯示面板與觸控螢幕需要單獨的玻璃，由此導致硬度與厚度增加，無法實現薄型與撓性的有機發光顯示器。
第二，有機發光顯示面板與觸控螢幕具有不同的面板形狀，由此使得這些部件的形成制程複雜，故降低了產量與價格競爭力。
第三，如果觸控螢幕被配置為內嵌式(in-cell type)，則觸控螢幕的接墊部(pad portion)面向內側，即有機發光顯示面板的接墊部的一側。這種情況下，使用包含導電球的密封劑(sealant)完成黏合制程(bonding process)。本文中，由於正常導電球間的直徑差異，相對小的導電球可能具有接觸缺陷。此外，導電球的壓縮程度係根據黏合期間所施加的壓力而變化，由此在黏合制程期間可能出現接觸缺陷。
因此，本發明提供一種有機發光顯示器及其製造方法，實質上避免習知技術之限制與缺陷所導致的一或多個問題。
本發明之目的在於提供一種有機發光顯示器及其製造方法，此有機發光顯示器能夠實現薄膜形狀與撓性，基於改善之結構在觸控板方面表現出卓越的接觸特性。
本發明其他的優點、目的和特徵將在如下的說明書中部分地加以闡述，並且本發明其他的優點、目的和特徵對於本領域的普通技術人 員來說，可以透過本發明如下的說明得以部分地理解或者可以從本發明的實踐中得出。本發明的目的和其它優點可以透過本發明所記載的說明書和申請專利範圍中特別指明的結構並結合圖式部份，得以實現和獲得。
為了獲得這些目的和其他優點，依照本揭露之目的，現對本發明作具體化和概括性的描述，本發明的一種有機發光顯示器包含：第一緩衝層與第二緩衝層，各自包含主動區域與無效區域且彼此正對；薄膜電晶體陣列，位於在第一緩衝層之主動區域上，包含位於以矩陣形式定義的每一複數個畫素中之薄膜電晶體；有機發光二極體，連接每一畫素處的每一薄膜電晶體；保護層，形成於第一緩衝層上，從而保護層覆蓋薄膜電晶體陣列與有機發光二極體；觸控電極陣列，形成於第二緩衝層之主動區域上；附著層，分別接觸保護層與觸控電極陣列；觸控接墊部，形成於第二緩衝層之無效區域之部份上；虛擬接墊部，位於第一緩衝之無效區域上，正對觸控接墊部；以及密封劑，包含複數個導電球，位於觸控接墊部與虛擬接墊部間，其中觸控接墊部之最外表面與虛擬接墊部之最外表面間的距離小於觸控接墊部鄰接之鄰接部與虛擬接墊部之最外表面間的距離。
此外，觸控接墊部包含彼此間隔的複數個觸控接墊電極，虛擬接墊部包含與觸控接墊電極對應的複數個虛擬電極。
導電球被壓縮為觸控接墊部與虛擬接墊部間的預定厚度。
鄰接部之無效區域與密封劑間隔一預定距離。
其間，觸控接墊電極具有堆疊結構，包含：金屬圖案；與金屬圖案重疊的透明電極圖案；以及放置於金屬圖案與透明電極圖案間的至 少一個層間絕緣膜。
本文中，至少一個層間絕緣膜為一有機膜。
此外，觸控電極陣列包含：金屬橋，位於第二緩衝層上，與金屬圖案形成於相同層中；複數個第一透明通道電極，電連接金屬橋且重疊於金屬橋，位於與透明電極圖案相同的層，第一透明通道電極沿第一方向間隔；以及第二透明通道電極，位於與第一透明通道電極相同的層中，沿第二方向形成，同時橫貫金屬橋。
此外，觸控接墊電極更包含共同透明電極圖案，連接透明電極圖案且與其重疊。
這種情況下，有機發光顯示器更包含共同透明電極，位於與共同透明電極圖案相同的層中，這樣共同透明電極覆蓋第一透明通道電極與第二透明通道電極。
此外，有機發光顯示器更包含第一層間絕緣膜，位於金屬橋與第一透明通道電極及第二透明通道電極之一層之間；以及第二層間絕緣膜，形成於共同透明電極與第一透明通道電極及第二透明通道電極之層之間。
從鄰接部之失效區域中去除至少一個層間絕緣膜。
此外，從不包含金屬橋與第二透明電極通道交叉以及觸控接墊電極之區域中去除第一層間絕緣膜。
其間，虛擬電極包含堆疊於第一緩衝層上的閘極絕緣膜、閘電極層、中間絕緣膜以及一源極金屬層。
此外，有機發光顯示器更包含第一蝕刻停止膜與第二蝕刻停止膜，分別形成於第一緩衝層與第二緩衝層之後表面上。這種情況下，有機發光顯示器更包含膜基板，形成於第一蝕刻停止膜之後表面上。
此外，有機發光顯示器更包含遮蔽玻璃，形成於第二蝕刻停止膜之後表面上。
其間，第一緩衝層與該第二緩衝層具有包含複數個無機膜之堆疊結構。
此外，膜基板為塑膠絕緣膜。
此外，第一蝕刻停止膜與第二蝕刻停止膜包含聚醯亞胺或光壓克力。
依照本發明之另一方面，一種有機發光顯示器之製造方法包含：於第一基板上形成第一蝕刻停止膜與第一緩衝層，在第一緩衝層之主動區域中形成薄膜電晶體陣列、有機發光二極體以及保護膜，以及在第一緩衝層之失效區域上形成虛擬接墊部，其中薄膜電晶體陣列包含薄膜電晶體，位於以矩陣形式定義的每一複數個畫素中，有機發光二極體連接每一畫素之每一薄膜電晶體，保護膜形成於第一緩衝層上從而覆蓋薄膜電晶體陣列與有機發光二極體；在第二基板上形成第二蝕刻停止膜與第二緩衝層，在第二緩衝層之主動區域中形成觸控電極陣列，在虛擬接墊部對應之區域中形成觸控接墊部；以及向觸控接墊部或虛擬接墊部應用包含複數個導電球的密封劑；接合附著層至觸控電極陣列或保護層以及完成接合製程，其中觸控接墊部之最外表面與觸控接墊部中虛擬接墊部之最外表面間 的距離小於觸控接墊部鄰接之鄰接部之最外表面與虛擬接墊部之最外表面間的距離。
接合製程以後，導電球被壓縮為觸控接墊部與虛擬接墊部間的預定厚度。
接合製程以後，觸控接墊部鄰接部之失效區域與密封劑間隔預定距離。
有機發光顯示器之製造方法更包含：去除第一基板與第二基板；以及附著膜基板至第一蝕刻停止膜之暴露表面。
透過蝕刻或雷射照射第一基板與第二基板，執行第一基板與第二基板之去除
可以理解的是，如上所述的本發明之概括說明和隨後所述的本發明之詳細說明均是具有代表性和解釋性的說明，並且是為了進一步揭示本發明之申請專利範圍。
1‧‧‧有機發光顯示面板
2‧‧‧觸控螢幕
3‧‧‧遮蓋窗
15‧‧‧第一附著層
25‧‧‧第二附著層
10‧‧‧基板
20‧‧‧反向基板
55‧‧‧導電球55
100‧‧‧第一基板
110‧‧‧非晶半導體層
120‧‧‧第一蝕刻停止膜
130‧‧‧第一緩衝層
140‧‧‧薄膜電晶體陣列
141‧‧‧閘極絕緣膜
142‧‧‧閘極電極層
143‧‧‧中間絕緣膜
144‧‧‧源極金屬層
145‧‧‧被動層
150‧‧‧有機發光陣列
151‧‧‧陽極
152‧‧‧有機發光層
153‧‧‧陰極
160‧‧‧保護層
161‧‧‧無機膜
162‧‧‧有機膜
163‧‧‧無機膜
205‧‧‧氮化物膜
210‧‧‧第二蝕刻停止膜
220‧‧‧第二緩衝層
230‧‧‧觸控電極陣列
231‧‧‧金屬橋
231a‧‧‧金屬圖案
231b、231c‧‧‧線路
232‧‧‧第一層間絕緣膜
232a‧‧‧接觸孔
233‧‧‧透明金屬層
233a‧‧‧透明電極圖案
234‧‧‧第二層間絕緣膜
235‧‧‧共同透明電極
235a‧‧‧共同透明電極圖案
300‧‧‧第二基板
400‧‧‧附著層
450‧‧‧密封劑
455‧‧‧導電球
500‧‧‧積體電路
1000‧‧‧膜基板
1100‧‧‧膜附著層
1400‧‧‧虛擬電極
2232‧‧‧第一層間絕緣膜
2331‧‧‧第一透明通道電極
2332‧‧‧第二透明通道電極
2332c‧‧‧第二透明通道電極連接部
2335‧‧‧共同透明電極
2350‧‧‧觸控接墊部
2351a、2351b、2351c‧‧‧觸控接墊電極
3000‧‧‧遮蓋玻璃
A、B、C‧‧‧區域
A/A‧‧‧主動區域
第1圖所示係為習知技術之整合式觸控螢幕之有機發光顯示器之剖面圖。
第2圖所示係為本揭露之有機發光顯示器之平面圖。
第3圖所示係為沿第2圖之線I-I’之剖面圖。
第4圖所示係為導電球依照直徑之分佈之圖形。
第5圖所示係為接觸基板之導電球之比率之圖形。
第6圖所示係為當導電球具有不同直徑時，壓縮前後接觸基板之導電球之比率之圖形。
第7圖所示係為第2圖之接墊與接墊鄰接部中黏合制程之剖面示意圖。
第8圖所示係為本發明第一實施例之有機發光顯示器之接墊、接墊鄰接部以及主動區域之剖面示意圖。
第9圖所示係為本發明第二實施例之有機發光顯示器之接墊、接墊鄰接部以及主動區域之剖面示意圖。
第10圖所示係為第2圖之區域「A」依照第二實施例之修正實施例之平面圖。
第11A圖與第11B圖所示分別係為第10圖之區域「B」之放大平面圖與剖面圖。
第12圖所示係為區域「A」依照本揭露第二實施例之平面圖。
第13A圖與第13B圖所示分別係為第12圖之區域「C」之放大平面圖與剖面圖。
現在將結合圖式部份之例子對本發明的較佳實施方式作詳細說明。其中在這些圖式部份中所使用的相同的參考標號代表相同或同類部件。
以下，將結合附圖詳細描述有機發光顯示器及其製造方法。
本揭露之有機發光顯示器具有觸控功能，並且厚度降低且撓性增加。依照本揭露，薄膜電晶體與有機發光陣列係形成於第一基板上，而觸控電極陣列係形成於第二基板上。第一與第二基板相互接合，然後透過雷射照射或蝕刻去除硬且厚的第一與第二基板，從而降低厚度且增加撓性。本揭露之有機發光顯示器中，觸控電極陣列的接墊部正對有機發光陣列的接墊部，這些接墊部透過導電球彼此連接，從而允許傳送訊號到觸控電極陣列以及偵測到來自觸控電極陣列的訊號。
以下將描述內嵌式有機發光顯示器，其中觸控電極陣列係被提供於遮蓋玻璃內側。
「第2圖」所示係為本揭露之有機發光顯示器之平面圖。「第3圖」所示係為沿「第2圖」之線I-I’之剖面圖。
如「第2圖」與「第3圖」所示，本揭露之有機發光顯示器包含有機發光陣列150與觸控電極陣列230，彼此透過附著層400彼此接合。有機發光陣列150與觸控電極陣列230的尺寸不同，並且分別形成於膜基板1000的內側與遮蓋玻璃3000的內側。
有機發光陣列150與觸控電極陣列230未直接形成於膜基板1000或遮蓋玻璃3000上。相反，這些陣列係透過單獨準備玻璃製成的第一與第二基板(均未顯示)而形成，然後透過有機發光陣列150與觸控電極陣列230間放置的附著層將基板接合。完成基板之接合且保持第一與第二基板。此後，透過雷射照射或蝕刻去除第一與第二基板，以得到薄膜與撓性。這種情況下，如「第2圖」所示，去除玻璃材料形成的第一與第二基 板，膜基板1000與遮蓋玻璃3000分別被附著到被暴露的陣列的底部，從而保護這些陣列。
本文中，膜附著層1100、第一蝕刻停止層120、第一緩衝層130、薄膜電晶體陣列140以及有機發光陣列150依照此順序形成於膜基板1000上。形成保護層160以覆蓋有機發光陣列150。第二蝕刻停止層210、第二緩衝層220以及觸控電極陣列230被放置於遮蓋玻璃3000上。本文中，觸控電極陣列230被放置以正對有機發光陣列150。如實施例所示，保護層160直接接觸附著層400的底面，觸控電極陣列230直接接觸附著層400的頂面。
每一第一緩衝層130與第二緩衝層220中定義主動區域A/A(如第2圖所示」)與無效區域(dead region)。觸控電極陣列230、有機發光陣列150以及不包含接墊部的薄膜電晶體陣列140中出現的薄膜電晶體形成於主動區域A/A中。觸控接墊部2350與薄膜電晶體陣列之接墊部係定義於無效區域之部份中。
在雷射照射或蝕刻期間，第一蝕刻停止層120與第二蝕刻停止層210用於避免對玻璃材料製成的第一與第二基板以及內部陣列的損傷。
此外，透過順序地堆疊相同類型的無機膜例如氧化物膜(SiO2)或氮化物膜(SiNx)，或者選擇性地堆疊不同類型的無機膜，形成第一緩衝層130與第二緩衝層220。第一緩衝層130與第二緩衝層220用作屏障，在第二基板與第一基板接合後避免濕氣或外部空氣滲透到有機發光陣列150內。
此外，觸控接墊部2350與觸控電極陣列230均形成於第二緩衝層220的同一表面上。
當上下基板透過附著層400彼此接合時，藉由包含導電球455的密封劑450，觸控接墊部2350連接薄膜電晶體陣列140的接墊部。附著層400用於避免濕氣滲透，以及直接接觸覆蓋有機發光陣列150之保護層160，由此避免外部空氣滲透到有機發光陣列150內，除保護層160的功能外，附著層400更可避免濕氣滲透，。
本文中，包含接墊部的薄膜電晶體陣列140之一側從觸控電極陣列230突出。這種配置的目的在於，在此突出處提供用於傳送訊號的一個積體電路500(圖中未表示)，以同時驅動觸控電極陣列及薄膜電晶體陣列以及有機發光陣列。雖然圖中未表示，但是透過積體電路500與第一緩衝層130上形成的線路(圖中未表示)，積體電路500連接薄膜電晶體陣列的驅動接墊與虛擬接墊(dummy pads)。此外，積體電路500被黏合且連接到一個撓性印刷電路板(FPCB，圖中未表示)，並且透過撓性印刷電路板中提供的控制器(圖中未表示)被控制。在位於主動區域外的無效區域中觸控接墊部對應的區域中，虛擬接墊與組成閘極或資料線的金屬形成於同一層中。
觸控接墊部2350形成於第二緩衝層220上，並且形成於第一緩衝層130比第二緩衝層220更突出之部份所鄰接側面的兩個邊緣處。此外，一個邊緣處形成的觸控接墊部2350被劃分為複數個接墊電極，以實現觸控電極陣列中沿X軸方向排列的第一電極的電壓應用或偵測，並且另一 邊緣處形成的觸控接墊部2350被劃分為複數個接墊電極，以實現Y軸方向排列的第二電極的電壓應用或偵測。
連接觸控接墊部2350的導電球455電連接薄膜電晶體陣列140外形成的虛擬電極(圖中未表示)。
其間，如「第3圖」所示，本揭露之有機發光顯示器包含膜基板1000、依序形成於膜基板1000上的第一蝕刻停止膜120與第一緩衝層130、位於第一緩衝層130上的薄膜電晶體陣列140、有機發光陣列150、保護層160、觸控電極陣列230、依序形成於觸控電極陣列230上的第二緩衝層220與第二蝕刻停止膜210，並且包含放置於第二蝕刻停止膜210上的遮蓋玻璃3000，其中薄膜電晶體陣列140包含以矩陣形式定義的每一畫素中的薄膜電晶體，有機發光陣列150連接每一畫素之薄膜電晶體，保護層160覆蓋不包含接墊部之薄膜電晶體陣列140與有機發光陣列150，藉由插入保護層160與觸控電極陣列230間的附著層400，觸控電極陣列230附著到保護層。
本文中，藉由遮蓋玻璃3000與第二蝕刻停止膜210之間的附著層，遮蓋玻璃3000被附著到第二蝕刻停止膜210，或者遮蓋玻璃3000透過機械方法或另外的方法被放置於第二蝕刻停止膜210上。遮蓋玻璃3000用於保護內部陣列避免使用者的直接接觸所造成的損傷。
玻璃基板的厚度為大約0.7毫米，是顯示器中最厚的部件，透過省略玻璃基板，本揭露之有機發光顯示器可降低厚度，不然玻璃基板會增加有機發光顯示器的整個厚度。此外，透過使用塑膠絕緣膜作為膜基 板1000以支撐薄膜電晶體陣列140、有機發光陣列150以及觸控電極陣列230，有機發光顯示器可實現可彎曲或撓性的顯示器。
此外，在膜基板上形成陣列例如薄膜電晶體陣列140、有機發光陣列150以及觸控電極陣列230之製程中，為了沈積或圖案化這些陣列，向設備施加的熱量會導致膜基板熱膨脹，由此無法實現正常的製程。為了避免這種現象，在形成薄膜電晶體陣列140和形成觸控電極陣列230以前，透過在薄膜電晶體陣列140與觸控電極陣列230下方分別形成蝕刻第一與第二停止膜120與210以及第一與第二緩衝層130與220，然後在設備中載入此玻璃基板以用於沈積或圖案化，在玻璃基板上實現這些陣列之形成。
其間，薄膜電晶體陣列140包含複數條閘極線與複數條資料線，彼此交叉以定義複數個畫素。這些薄膜電晶體形成於閘極線與資料線間的各個交叉處。在閘極線與資料線的形成製程中，透過形成接墊部金屬獲得薄膜電晶體陣列140的接墊部。
此外，有機發光陣列150包含第一電極、第二電極以及有機發光層，其中第一電極至少形成於畫素中，第二電極形成於與第一電極間隔的上部層中，有機發光層係形成於第一與第二電極間。本文中，第一電極連接薄膜電晶體之汲電極。
此外，第一蝕刻停止膜120與第二蝕刻停止膜210例如由聚醯亞胺(polyimide)或光壓克力(photo-acryl)形成。
第一蝕刻停止膜120與第二蝕刻停止膜210具有大約1微米 到大約20微米的厚度。
此外，第一緩衝層130與第二緩衝層220用於避免氧氣或濕氣滲透到有機發光陣列中提供的有機膜內，以及用作屏障以避免從下部注入的外部空氣或濕氣的滲透。
此外，第一緩衝層130與第二緩衝層220包含複數個無機膜。例如，透過連續或交替地堆疊氮化物膜(SiNx)或氧化物膜(SiO2)，可形成無機膜。從實驗可看出，當堆疊兩層或多層為大約5,000埃(Å)到6,500埃的厚度以作為第一緩衝層130與第二緩衝層220時，可避免外部空氣或濕氣的滲透。第一緩衝層130與第二緩衝層220的總厚度為1微米或更少，不會增加整合式觸控螢幕顯示裝置之厚度。
觸控電極陣列230包含彼此交叉的第一透明通道電極(圖中未表示)與第二透明通道電極(圖中未表示)，以及接觸接墊(係提供於觸控接墊部中)以傳送訊號到第一與第二透明通道電極。包含虛擬金屬的薄膜電晶體陣列如「第3圖」所示，圖中所示為包含觸控接墊、第一與第二透明通道電極之單層形式的觸控電極層，但是這些層依照各自的電極被圖案化。
本文中，第一與第二透明通道電極係由透明電極形成，觸控接墊包含金屬接墊層與透明電極圖案，金屬接墊層具有高導電率與卓越的遮光性(與金屬橋相同的層)，透明電極圖案處於與透明電極相同的層，透明電極構成第一與第二透明通道電極。此外，第一與第二透明通道電極係放置於相同層或不同層中。例如，當第一與第二透明通道電極出現在相同 層中時，在第一與第二透明通道間的交叉處提供分離的金屬橋，接觸第一透明通道電極或者與其他層鄰接的第二透明通道電極，以避免第一與第二透明通道電極間的短路。
上述內嵌式有機發光顯示器中，由於導電球455間的直徑差異或者黏合製程期間施加的壓力，薄膜電晶體陣列中形成的觸控接墊部與虛擬接墊部間的接觸則難以實現或者存在缺陷，由此非人所願地會增加電阻。
「第4圖」所示係為導電球依照直徑分佈的圖形。
例如，如「第4圖」所示，形成導電球期間由於製造誤差，具有7微米平均直徑的導電球(顆粒)具有大約6微米到8微米範圍的直徑分佈。
「第5圖」所示係為接觸基板的導電球的比率的圖形。「第6圖」所示係為當導電球間存在直徑差異時壓縮前後與基板接觸的導電球的比率的圖形。
從「第6圖」可看出，導電球具有彈性，由此導電球與基板間的接觸面積根據施加的壓力而改變。隨著施加的壓力的增加，導電球與基板間的接觸面積也增加。
尤其從「第6圖」可看出，當基板10上形成有包含不同直徑的複數個導電球55時，如果未向基板10或與基板10相對放置的反向基板20施加壓力，則僅僅大直徑的導電球接觸反向基板20。然而，當向其施加10%或更多的壓縮力時，則小直徑的導電球也會接觸反向基板20。
這意味著在黏合製程期間，由於導電球間的直徑差異，需要預定壓力或更多壓力，這樣全部的導電球接觸相對的接墊部。然而，因為指定了黏合期間施加的壓力以及還應該考慮到主動區域的圖案穩定度，需要限制施加壓力的任意增加。
以下將描述本揭露之有機發光顯示器中如何透過結構變化避免接觸缺陷。
「第7圖」所示係為「第2圖」之接墊與接墊鄰接部之黏合製程之剖面圖。「第7圖」表示包含本發明一個實施例之內嵌式觸控電極陣列之有機發光顯示器。考慮到接墊電極與接墊電極鄰接部，與黏合劑450對應的區域中，上下部間出現階梯。
「第7圖」表示黏合製程。在第一蝕刻停止膜120與第二蝕刻停止膜210之後表面上，玻璃部件製成的第一基板100與第二基板300分別保持未去除。就是說，在未去除玻璃基板的情況下完成黏合製程。觸控接墊電極被黏合到薄膜電晶體陣列之虛擬電極以後，去除第一基板100與第二基板300。
關於實際的堆疊順序，非晶半導體層110、第一蝕刻停止膜120、第一緩衝層130、薄膜電晶體陣列140以及有機發光陣列150依序形成於第一基板100上。圖式中，除主動區域外，僅僅出現接墊電極部與接墊電極鄰接部，省略有機發光陣列150。
如「第7圖」所示，觸控接墊電極2351a包含金屬圖案231a、透明電極圖案233a以及共同透明電極圖案235a，其中金屬圖案231a係在觸 控電極陣列230之金屬橋之相同製程中被形成，透明電極圖案233a與共同透明電極圖案235a係在第一與第二透明通道電極之相同製程中被形成。就是說，透過堆疊三個不同製程期間形成的金屬以及至少一個透明電極圖案，形成觸控接墊電極2351a。
這種情況下，接墊電極鄰接部不具有電極，並且在主動區域中包含第二層間絕緣膜234。此外，第二層間絕緣膜234係為有機膜。
就這一點而言，金屬圖案231a具有約1,000埃至約3,000埃的厚度，透明電極圖案233a與共同透明電極圖案235a的厚度相當小，分別為約300埃到約800埃以及約75埃到約250埃。具有三層堆疊結構之觸控接墊電極2351a之厚度小於有機膜形成的第二層間絕緣膜234的厚度(2到3微米)。因此，觸控接墊電極2351a的最外表面與密封劑450中出現的導電球455間的距離表示為「b」。導電球455與觸控接墊電極2351a間的此距離造成觸控接墊電極2351a與虛擬電極1400間無法實現電接觸。
其間，虛擬電極1400包含堆疊於第一緩衝層130上的閘極絕緣膜141、閘極電極層142、中間絕緣膜143以及源極金屬層144。
從虛擬電極1400的鄰接部中去除源極金屬層144，以暴露中間絕緣膜143。因此，暴露的中間絕緣膜143與密封劑450間的距離表示為「a」。
然而，如「第7圖」所示，因為上述觸控接墊電極2351a與密封劑450間的距離「b」大於距離「a」，由於第二層間絕緣膜234的厚度，透過施加一預定壓力，導電球455與觸控接墊電極2351a分隔開來，導致距 離「a」為零。這種情況下，出現接觸缺陷。
本揭露之測試中，當第二層間絕緣膜234約2.1微米的厚度時，金屬圖案231a、透明電極圖案233a與共同透明電極圖案235a分別具有2000埃、500埃與125埃的厚度，距離「b」為大約1.8微米，去除源極金屬層144的結果是，與接墊電極鄰接部對應的薄膜電晶體陣列140與密封劑450間的距離「a」為3000埃。這種情況下，應該施加壓力，這樣導電球445被壓縮為1.5微米或更多的厚度，由此接觸虛擬電極1400與觸控接墊電極2351a。此外，考慮到導電球455間的差異，應該施加壓力，這樣每一導電球被壓縮到1.5微米或更多的厚度。當壓力不足時，「第7圖」所示結構中會出現接觸缺陷。
就這一點而言，黏合製程期間應用的壓力總量存在限制。因此，本揭露之有機發光顯示器可提高導電球與墊電極及虛擬電極間的電接觸，下面將詳細描述這種配置。
以下圖式中，組成觸控電極陣列的各層並未依照比例畫出，表示為具有相似的厚度。通常，組成陣列的各層中，層間絕緣膜具有約1.5微米到約4微米的最大厚度，金屬層具有約2,000埃到約4,000埃的厚度。透明電極層具有約300到約800埃的厚度，共同透明電極層具有約75到250埃的厚度。就是說，各層具有不同的厚度。然而，如圖所示，接墊電極、接墊電極鄰接部以及主動區域中共同形成的各層使得各區域間沒有階梯，圖中表示各層具有相似厚度。
「第8圖」所示係為本發明第一實施例之有機發光顯示器之 接墊、接墊鄰接部以及主動區域A/A之剖面圖。
「第8圖」與「第9圖」之剖面圖表示黏合以後的即時狀態。上下部中放置的第二基板300與第一基板100仍然保持未被去除。
如「第8圖」所示，本發明第一實施例之有機發光顯示器包含第一緩衝層130與第二緩衝層220、薄膜電晶體陣列140、有機發光陣列150、保護層160、觸控電極陣列230、附著層400、觸控接墊部(「第2圖」中表示為「2350」)、虛擬接墊部以及密封劑450。第一緩衝層130與第二緩衝層220包含彼此正對的主動區域A/A與無效區域。薄膜電晶體陣列140位於第一緩衝層130之主動區域A/A中，包含位於以矩陣形式定義的每一畫素中的薄膜電晶體。有機發光陣列150包含有機發光二極體，連接每一畫素之薄膜電晶體。保護層160形成於第一緩衝層130上，這樣覆蓋薄膜電晶體陣列140與有機發光陣列150。觸控電極陣列230形成於第二緩衝層220之主動區域A/A中。附著層400的頂部與底部分別接觸保護層160與觸控電極陣列230。觸控接墊部形成於第二緩衝層220之無效區域之預定部中。虛擬接墊部形成於第一緩衝層130之無效區域中，這樣正對觸控接墊部。密封劑450包含位於觸控接墊部與虛擬接墊部間的複數個導電球455。
此外，觸控接墊部包含複數個觸控接墊電極2351b，虛擬接墊部包含與觸控接墊2351b對應的虛擬電極1400。
本文中，觸控接墊電極2351b之最上表面與接墊部中虛擬電極1400之最上表面間的距離小於鄰接部中的距離。圖式中，接墊電極的距離為「a+c」，小於接墊電極鄰接部的距離。
這種情況下，第一距離「a」表示密封劑450與薄膜電晶體陣列140間的距離。從薄膜電晶體陣列140之接墊電極鄰接部中去除源極金屬層144，結果形成第一距離「a」。第二距離「c」表示接墊電極鄰接部中第二層間絕緣膜234與密封劑450間的距離。
第一實施例中，更提供與觸控接墊電極對應之第一層間絕緣膜232，然而鄰接的墊電極鄰接部中包含的第二層間絕緣膜234比金屬層或透明電極層厚。觸控接墊電極2351b中還提供與第二層間絕緣膜234具有類似厚度的第一層間絕緣膜232。由此，形成的觸控接墊電極2351b具有比鄰接部高的階梯。
就是說，觸控接墊部包含二維上彼此間隔的複數個觸控接墊電極2351b。除金屬圖案231a、透明電極圖案233a與共同透明電極圖案235a以外，每一觸控接墊電極2351b沿垂直方向更包含置於金屬圖案231a與透明電極圖案233a間的第一層間絕緣膜232，以增加階梯的高度。「第7圖」中，電極層與透明電極圖案間僅僅放置一個第一層間絕緣膜232，但是本揭露並非限制於此結構。就是說，更可提供兩個或多個層間絕緣膜，以最大化接墊電極與接墊電極鄰接部間的階梯。本文中，觸控接墊電極2351a中包含的層間絕緣膜係在觸控電極陣列230之形成期間形成，為無須額外製程即可形成的部件。
本文中，圖中僅僅表示觸控接墊電極2351b之部份。金屬圖案231a與透明電極圖案233a間的第一層間絕緣膜232之部份中提供一接觸孔，由此實現電接觸。
其間，虛擬電極1400具有以下配置，其中閘極絕緣膜141、閘電極層142、中間絕緣膜143以及源極金屬層144依照此順序堆疊於第一緩衝層130上。
因為觸控接墊鄰接部具有比觸控接墊部大的距離「a+c」，黏合製程期間，甚至在施加低壓力時，密封劑450中的導電球455連接上下觸控墊2351b以及虛擬電極1400，由此提高接觸特性。因此，黏合製程以後，按壓觸控接墊部與虛擬接墊部間的導電球455為預定厚度。這種結構導致接觸電阻降低，改善接觸特性，以及由此提高觸控訊號的靈敏度。
這種情況下，第二距離「c」表示觸控接墊鄰接部之無效區域中第二層間絕緣膜234與密封劑450間的距離，第一距離「a」表示虛擬電極鄰接部中的中間絕緣膜143與密封劑450間的距離。
其間，一或多個層間絕緣膜(例如，第一層間絕緣膜232與第二層間絕緣膜234)為有機膜較佳。此目的在於為觸控電極陣列230中的電極層與透明電極圖案間提供層間絕緣，以及確保不同層的金屬層與透明電極圖案間的預定厚度。
主動區域A/A中薄膜電晶體陣列140之最外表面上更提供一個被動層145。
此外，主動區域A/A的觸控電極陣列230包含金屬橋231、複數個第一透明通道電極(「第10圖」中表示為「2331」)以及透明金屬層233。金屬橋231與第二緩衝層上的金屬墊層231形成於相同層中。複數個第一透明通道電極電連接金屬橋231且與金屬橋231重疊，並且位於與透明 電極圖案233a相同的層中沿第一方向彼此間隔。透明金屬層233包含第二透明通道電極2332，橫貫金屬橋且沿第二方向與第一透明通道電極形成於相同層中。
所示附圖中，共同透明電極235與構成第一與第二透明通道電極的透明金屬層233及第二層間絕緣膜234重疊。若需要，可省略共同透明電極235。共同透明電極235處於浮動狀態，功能在於為觸控電極陣列230上的薄膜電晶體陣列或與其正對的有機發光陣列之驅動訊號起到遮蔽效果。
這種情況下，觸控接墊部的觸控接墊電極2351a也更包含共同透明電極圖案235a，共同透明電極圖案235a與透明電極圖案233a重疊且連接透明電極圖案233a。
本文中，在觸控接墊部鄰接部之無效區域中，去除至少一個層間絕緣膜(圖式中，第一層間絕緣膜)。
其間，參考標號「145」表示被動層145，形成於主動區域A/A中薄膜電晶體陣列140之最外表面上。
此外，有機發光陣列150包含陽極151、有機發光層152以及陰極153。這種配置為最小單元。畫素間可包含斜坡(bank)(圖中未表示)，從而隔離有機發光層152為畫素單元，增加或改變有機層，從而提高陽極151與陰極153間的發光效力(luminous efficacy)。
此外，第一蝕刻停止膜120與第二蝕刻停止膜210係分別形成於第一緩衝層130與第二緩衝層220之底部上。第一蝕刻停止膜120與第 二蝕刻停止膜210為聚醯亞胺(polyimide)或光壓克力(photoacryl)。
這種情況下，在黏合製程以後，膜基板(「第2圖」中由「1000」表示)更形成於第一蝕刻停止膜120之底部上。本文中，膜基板1000係由塑膠絕緣膜形成，用於實現薄型與撓性。
此外，移除基板(玻璃)以後，更在第二蝕刻停止膜210上形成遮蓋玻璃(「第2圖」中由「3000」表示)。
其間，第一緩衝層130與第二緩衝層220具有堆疊結構，包含複數個無機膜。
此外，保護層160包含依序堆疊的無機膜161、有機膜162以及無機膜163。基於包含有機與無機膜交替堆疊之結構，保護層160主要用於避免濕氣滲透到有機發光陣列150內。
此外，參考標號「205」與「110」分別表示用於保護陣列的氮化物層與非晶半導體層。在黏合製程以後移除玻璃期間，可連同鄰接的基板一同移除這些層。
以下將描述本發明之第二實施例。
「第9圖」為依照本發明第二實施例之有機發光顯示器之接墊、接墊鄰接部與主動區域A/A之剖面圖。
與第一實施例相比，第二實施例之有機發光顯示器之特徵在於接墊電極更包含第二層間絕緣膜234，位於透明電極圖案233a與共同透明電極圖案235a之間且重疊於透明電極圖案233a。
這種情況下，與接墊電極鄰接部相比，接墊電極更包含金屬 圖案231a、第二層間絕緣膜232、透明電極圖案233a與共同透明電極圖案235a。接墊電極中這些層之總厚度對應第三距離「d」，由此高於接墊電極鄰接部。因此，與第一實施例相比，黏合以後第二實施例在導電球455之觸控接墊電極2351a與虛擬電極1400間表現出卓越的接觸特性。
此外，主動區域A/A中省略第一層間絕緣膜232，由此可減少主動區域A/A之最上表面的階梯。這種情況下，透過包含附著層400與導電球455之黏合劑450，當覆蓋有機發光陣列150的保護層160接觸虛擬接墊電極1400時，與其他區域相比，具有較高階梯的觸控接墊電極2351a可輕易地接觸密封劑455，由此表現出改善了接觸特性。
無論是否從主動區域A/A中移除第一層間絕緣膜232，觸控接墊電極鄰接部包含比觸控接墊電極低的階梯，由此表現出接觸特性被改善。
當從主動區域A/A中去除第一層間絕緣膜232時，具有薄膜電晶體陣列140之第一金屬橋231直接接觸透明電極層233之第一透明通道電極。這種情況下，為了避免第一金屬橋231與第一透明通道電極間的短路，第一層間絕緣膜232可提供於除第一金屬橋231兩側放置的第一透明通道電極間之接觸部位以外的第一金屬橋231上。
以下將描述第二實施例之修正實施例及其詳細說明。
「第10圖」所示係為「第2圖」之區域「a」依照第二實施例之修正實施例之平面圖。「第11A圖」與「第11B圖」所示分別係為「第10圖」之區域「B」之放大平面圖與剖面圖。
本揭露第二實施例之修正實施例說明了一種配置，其中省略了觸控接墊部2350之鄰接部中的第一層間絕緣膜232。就是說，第一層間絕緣膜232形成於主動區域A/A與觸控接墊部2350中。
特別地，請參考「第11A圖」，「第11A圖」表示「第10圖」之區域「B」之放大平面圖，圖中表示主動區域之金屬橋231。此外，如「第11B圖」所示，第一透明通道電極2331以島的形式彼此間隔。沿垂直方向放置第一透明通道電極2331間的第二透明通道電極連接部2332c。據此第二透明通道電極2332具有整合的菱形。
本文中，透過對放置於相同層中的透明電極層進行圖案化，形成第一透明通道電極2331、第二透明通道電極2332以及第二透明通道電極連接部2332c。透過插入第一層間絕緣膜232與金屬橋231間的接觸孔232a，第一透明通道電極2331連接金屬橋231。
此外，形成第二層間絕緣膜234，覆蓋第一透明通道電極2331、第二透明通道電極連接部2332c以及第二透明通道電極2332。共同透明電極2335形成於第二層間絕緣膜234上，共同透明電極2335的寬度大於彼此整合的第一透明通道電極2331與第二透明通道電極2332及第二透明通道電極連接部2332c。
本文中，當觸控電極陣列與有機發光陣列使用附著層400彼此接合時，共同透明電極2335未連接此接墊電極，並且被提供為浮動狀態以用於對其下方放置的有機發光陣列之驅動提供遮蔽效果。必要時，可省略共同透明電極2335。
如「第10圖」所示，參考標號「231b」表示與金屬橋231共同形成的追蹤線路，係為用於在每一線路之第一透明通道電極2331與觸控接墊電極2351b間傳送訊號之線路。此外，參考標號「231c」表示在與金屬橋231及第二基板(黏合以後移除)、每一列之第二透明通道電極2332與觸控接墊電極(2351b，提供於基板一側形成的觸控接墊部中，請參考「第2圖」)相同的層中形成的線路。
「第12圖」所示係為區域「a」依照本發明第二實施例之平面圖。「第13A圖」與「第13B圖」所示分別係為「第12圖」之區域「C」之放大平面圖與剖面圖。
如「第12圖」、「第13A圖」與「第13B圖」所示，依照本發明之第二實施例，除與金屬橋231重疊的第二透明通道電極連接部2332c之區域以外，從主動區域中移除第一層間絕緣膜232。這種情況下，第一層間絕緣膜232中未提供接觸孔，接觸孔直接接觸金屬橋231兩側之第一透明通道電極2331。
此外，僅僅在金屬橋231與觸控接墊部2350重疊的區域處選擇性地形成第一層間絕緣膜2232。
因此，如「第13B圖」所示，由於選擇省略第一層間絕緣膜2232，第一透明通道電極2331之頂部(第二透明通道電極2332的頂部具有比較小的階梯)比金屬橋231之中央區域的階梯小。
此外，省略主動區域之第一層間絕緣膜2232，由此可降低主動區域之最外表面之階梯。這種情況下，藉由包含附著層400與導電球 455之黏合劑450，當覆蓋有機發光陣列150之保護層160接觸虛擬接墊電極1400時，具有相對高階梯之觸控接墊部2350中的觸控接墊電極2351c接觸密封劑中之電球455，由此可改善接觸特性。
以下，結合「第2圖」、「第3圖」、「第8圖」、「第10圖」、「第11A圖」與「第11B圖」描述本揭露之有機發光顯示器之製造方法。
首先，在第一基板100上形成非晶半導體層110、第一蝕刻停止層120與第一緩衝層130，薄膜電晶體陣列140、有機發光陣列150以及保護層160形成於第一緩衝層130之主動區域A/A中，其中薄膜電晶體陣列140包含矩陣形式定義的每一畫素中的薄膜電晶體，有機發光陣列150包含與每一畫素之薄膜電晶體連接的有機發光二極體，保護層160形成於第一緩衝層130上從而覆蓋薄膜電晶體陣列140與有機發光陣列。虛擬接墊部形成於第一緩衝層130之無效區域之部份中，其中虛擬接墊部包含彼此間隔的複數個虛擬接墊1400。
接下來，氮化物膜205、第二蝕刻停止膜210與第二緩衝層220形成於第二基板300上，觸控電極陣列230形成於第二緩衝層220之主動區域A/A中，包含彼此間隔的複數個觸控接墊電極(2351b或2351c)的觸控接墊部2350形成於與虛擬接墊部對應的區域中。此製程中，設計這種配置，從而觸控接墊部2350之最外表面與虛擬接墊部之最外表面間的距離小於鄰接部的距離。
接下來，包含導電球455的密封劑450被應用至觸控接墊部2350或者虛擬接墊部，附著層400被應用到觸控電極陣列230或者保護層 160，以及完成接合製程。此接合製程期間，觸控接墊部2350之最外表面與接墊電極部之虛擬接墊部間的距離小於鄰接部的距離，透過足夠的導電球實現上下接墊部間的連接。
這種情況下，接合以後，按壓導電球為觸控接墊部與虛擬接墊部間的一預定厚度。
此外，接合製程以後，觸控接墊部鄰接部的無效區域與密封劑間隔一預定距離。
此外，接合製程以後，此方法更包含去除第一基板100與第二基板300，以及藉由膜附著層1100將膜基板1000附著到第一蝕刻停止膜120之暴露表面。
本文中，透過蝕刻或雷射照射第一基板100與第二基板300，去除第一基板100與第二基板300。
本文中，表格1至4表示「第7圖」、「第8圖」與「第9圖」之配置以及「第10圖」、「第11A圖」與「第11B圖」所示第二實施例之修正實施例之配置之導電球之按壓程度。
用於各實施例之結構之導電球(AuB)的總數不同。對於各實施例，按壓程度相對於導電球總數之份額(share)很重要。如「第3圖」、「第4圖」與「第5圖」所示，接觸特性的改善取決於按壓程度。就是說，當按壓導電球的厚度增加，則改善接觸特性。
以下測試中，導電球的直徑為大約50微米。
表格1
從以上的表格1可看出，「第7圖」所示的配置中，導電球中，具有最高份額70%之導電球的直徑範圍為10微米或更小。
與以上表格1所示「第7圖」之結構相比，「第8圖」所示的第一實施例中，10微米或更小的導電球的份額降低到31%，10至15微米、16至20微米以及20微米或更大的導電球的按壓程度增加。這意味著按壓特性在全部情況下都得到相對程度的改善。本文中，導電球間直徑差異導 致10微米或更小的份額為31%。當考慮到複數個導電球對應每一墊電極的事實時，可避免接觸缺陷並且可改善接觸電阻。
從「第9圖」可看出，第二實施例比第一實施例表現出更好的按壓特性。具有最高份額之按壓範圍為20微米或更多，且份額為47%。此外，10微米或更小的按壓程度為25%或更少，第二實施例之導電球比前述第一實施例之導電球表現出更好的接觸特性。
如表格4所示，第二實施例之修正實施例表現出10微米或更小按壓範圍的導電球份額的為26%或更少，與第一實施例類似，修正實施例之導電球比第一實施例之導電球表現更好。
就是說，從這些測試可看出，依照本發明之這些實施例，當觸控接墊電極具有更高階梯或者主動區域與觸控接墊電極之鄰接部具有較低階梯時，導電球的按壓程度增加，則改善上下部間的接觸特性，並且降低接觸電阻。
觸控接墊電極比鄰接部具有更高階梯之這種結構可改善接觸特性，由此提高內嵌式的性能。
本揭露之有機發光顯示器及其製造方法具有以下優點。
首先，在觸控電極陣列位於遮蓋玻璃內側之內嵌式結構中，透過改變觸控接墊部或鄰接部之垂直配置，與其他區域與薄膜電晶體陣列接墊部間的距離相比，減少觸控接墊部與薄膜電晶體陣列接墊部間的距離，雖然導電球間存在直徑差異，但是在足夠減少的距離內這些導電球由此接觸上下接墊部。
第二，減少觸控接接墊部與薄膜電晶體陣列接墊部間的垂直距離，由此可改善黏合製程期間導電球之壓縮特性。因此，降低接觸電阻，由此可實現具有優良觸控靈敏度之內嵌式結構。
第三，因為遮蓋玻璃之內表面上提供觸控接墊部，觸控接墊部透過導電球連接薄膜電晶體接墊部。全部觸控電極陣列、薄膜電晶體陣 列以及有機發光陣列可透過薄膜電晶體接墊部中包含的一個晶片傳送訊號。一個晶片連接一塊撓性印刷板，由此簡化有機發光顯示器之接墊部與電路配置。因此，可實現薄型且降低成本。
第四，本揭露之有機發光顯示器具有內嵌式結構，其中觸控電極陣列直接形成於遮蓋玻璃的內表面上，由此不需要額外的觸控螢幕的接合製程，能夠實現薄型並且實現以簡單的製程製造顯示器。
第五，薄膜電晶體陣列與有機發光陣列形成於第一玻璃基板上，觸控電極陣列形成於第二玻璃基板上，有機發光陣列被接合至觸控電極陣列，從而這些陣列彼此正對。然後，移除兩側的硬玻璃基板，塑膠膜被接合到暴露面的一側，由此實現顯示器的薄型與撓性。透過省略包含最大厚度的玻璃基板，顯示器可降低厚度且增加撓性。
雖然本發明以前述之實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明。在不脫離本發明之精神和範圍內，所為之更動與潤飾，均屬本發明之專利保護範圍。因此，本發明所界定之保護範圍請參考所附之申請專利範圍
120‧‧‧第一蝕刻停止膜
130‧‧‧第一緩衝層
140‧‧‧薄膜電晶體陣列
150‧‧‧有機發光陣列
160‧‧‧保護層
210‧‧‧第二蝕刻停止膜
220‧‧‧第二緩衝層
230‧‧‧觸控電極陣列
400‧‧‧附著層
450‧‧‧密封劑
455‧‧‧導電球
1000‧‧‧膜基板
1100‧‧‧膜附著層
2350‧‧‧觸控接墊部
3000‧‧‧遮蓋玻璃

Claims (24)

  1. 一種有機發光顯示器，包含：一第一緩衝層與一第二緩衝層，各自包含一主動區域與一無效區域且彼此正對；一薄膜電晶體陣列，位於在該第一緩衝層之該主動區域上，包含位於以矩陣形式定義的每一複數個畫素中之薄膜電晶體；一有機發光二極體，連接每一畫素處的每一薄膜電晶體；一觸控電極陣列，形成於該第二緩衝層之該主動區域上；一觸控接墊部，形成於該第二緩衝層之該無效區域之一部份上；一虛擬接墊部，位於該第一緩衝之該無效區域上，正對該觸控接墊部；以及一密封劑，包含複數個導電球，位於該觸控接墊部與該虛擬接墊部間，其中該觸控接墊部之最外表面與該虛擬接墊部之最外表面間的距離小於該觸控接墊部鄰接之鄰接部與該虛擬接墊部之最外表面間的距離。
  2. 如請求項第1項所述之有機發光顯示器，其中該觸控接墊部包含彼此間隔的複數個觸控接墊電極，以及其中該虛擬接墊部包含與該等觸控接墊電極對應的複數個虛擬電極。
  3. 如請求項第1項所述之有機發光顯示器，其中該等導電球被壓縮為該觸控接墊部與該虛擬接墊部間的一預定厚度。
  4. 如請求項第3項所述之有機發光顯示器，其中接部彼此正對，鄰接部至少其一與該密封劑間隔一預定距離。
  5. 如請求項第2項所述之有機發光顯示器，其中該觸控接墊電極具有一堆疊結構，包含：一金屬圖案；與該金屬圖案重疊的一透明電極圖案；以及放置於該金屬圖案與該透明電極圖案間的至少一個層間絕緣膜。
  6. 如請求項第5項所述之有機發光顯示器，其中該至少一個層間絕緣膜為一有機膜。
  7. 如請求項第5項所述之有機發光顯示器，其中該觸控電極陣列包含：一金屬橋，位於該第二緩衝層上，與該金屬圖案形成於相同層中；複數個第一透明通道電極，電連接該金屬橋且重疊於該金屬橋，位於與該透明電極圖案相同的層，該等第一透明通道電極沿一第一方向間隔；以及一第二透明通道電極，位於與該第一透明通道電極相同的層中，沿一第二方向形成，同時橫貫該金屬橋。
  8. 如請求項第7項所述之有機發光顯示器，其中該觸控接墊電極更包含：一共同透明電極圖案，連接該透明電極圖案且與其重疊。
  9. 如請求項第8項所述之有機發光顯示器，其中更包含一共同透明電極，位於與該共同透明電極圖案相同的層中，這樣該共同透明電極覆蓋該第一透明通道電極與該第二透明通道電極。
  10. 如請求項第9項所述之有機發光顯示器，其中更包含一第一層間絕緣膜，位於該金屬橋與該第一透明通道電極及該第二透明通道電極之一層之間；以及 一第二層間絕緣膜，形成於該共同透明電極與該第一透明通道電極及該第二透明通道電極之該層之間。
  11. 如請求項第6項所述之有機發光顯示器，其中從該等鄰接部至少其一之該失效區域中去除至少一個層間絕緣膜。
  12. 如請求項第10項所述之有機發光顯示器，其中從不包含與該第二透明電極通道交叉之該金屬橋以及該觸控接墊電極之一區域中去除該第一層間絕緣膜。
  13. 如請求項第2項所述之有機發光顯示器，其中該虛擬電極包含堆疊於該第一緩衝層上的一閘極絕緣膜、一閘電極層、一中間絕緣膜以及一源極金屬層。
  14. 如請求項第1項所述之有機發光顯示器，更包含一第一蝕刻停止膜與一第二蝕刻停止膜，分別形成於該第一緩衝層與該第二緩衝層之後表面上。
  15. 如請求項第14項所述之有機發光顯示器，更包含一膜基板，形成於該第一蝕刻停止膜之一後表面上。
  16. 如請求項第14項所述之有機發光顯示器，更包含一遮蔽玻璃，形成於該第二蝕刻停止膜之一後表面上。
  17. 如請求項第1項所述之有機發光顯示器，其中該第一緩衝層與該第二緩衝層包含一堆疊結構，該堆疊結構包含複數個無機膜。
  18. 如請求項第15項所述之有機發光顯示器，其中該膜基板為一塑膠絕緣膜。
  19. 如請求項第14項所述之有機發光顯示器，其中該第一蝕刻停止膜與該 第二蝕刻停止膜包含聚醯亞胺(polyimide)或光壓克力(photo-acryl)。
  20. 一種有機發光顯示器之製造方法，包含：於一第一基板上形成一第一蝕刻停止膜與一第一緩衝層，在該第一緩衝層之一主動區域中形成一薄膜電晶體陣列、一有機發光二極體以及一保護膜，以及在該第一緩衝層之一失效區域上形成一虛擬接墊部，其中該薄膜電晶體陣列包含薄膜電晶體，位於以矩陣形式定義的每一複數個畫素中，該有機發光二極體連接每一畫素之每一薄膜電晶體，該保護膜形成於該第一緩衝層上從而覆蓋該薄膜電晶體陣列與該有機發光二極體；在一第二基板上形成一第二蝕刻停止膜與一第二緩衝層，在該第二緩衝層之一主動區域中形成一觸控電極陣列，在該虛擬接墊部對應之一區域中形成一觸控接墊部；以及向該觸控接墊部或該虛擬接墊部應用一密封劑，該密封劑包含複數個導電球；接合該觸控電極陣列至該保護層，其中該觸控接墊部之最外表面與該虛擬接墊部之最外表面間的距離小於該觸控接墊部鄰接之鄰接部之最外表面與該虛擬接墊部之最外表面間的距離。
  21. 如請求項第20項所述之有機發光顯示器之製造方法，其中接合以後，該等導電球被壓縮為該觸控接墊部與該虛擬接墊部間的一預定厚度。
  22. 如請求項第21項所述之有機發光顯示器之製造方法，其中接合以後，該鄰接部之該失效區域與該密封劑間隔一預定距離。
  23. 如請求項第20項所述之有機發光顯示器之製造方法，更包含：去除該第一基板與該第二基板；以及附著一膜基板至該第一蝕刻停止膜之一暴露表面。
  24. 如請求項第23項所述之有機發光顯示器之製造方法，其中透過蝕刻或雷射照射該第一基板與該第二基板，執行該第一基板與該第二基板之去除。
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