TW201401472A - 用於光半導體裝置之引線框架及使用其之光半導體裝置 - Google Patents

用於光半導體裝置之引線框架及使用其之光半導體裝置 Download PDF

Info

Publication number
TW201401472A
TW201401472A TW102115519A TW102115519A TW201401472A TW 201401472 A TW201401472 A TW 201401472A TW 102115519 A TW102115519 A TW 102115519A TW 102115519 A TW102115519 A TW 102115519A TW 201401472 A TW201401472 A TW 201401472A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
lead frame
optical semiconductor
semiconductor device
reflector
plate portion
Prior art date
Application number
TW102115519A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI549250B (zh
Inventor
Kazuhiro Fuke
Original Assignee
Nitto Denko Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nitto Denko Corp filed Critical Nitto Denko Corp
Publication of TW201401472A publication Critical patent/TW201401472A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI549250B publication Critical patent/TWI549250B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/93—Batch processes
    • H01L24/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L24/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12041—LED
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12043—Photo diode
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483—Containers
    • H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H01L33/56—Materials, e.g. epoxy or silicone resin
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H01L33/60—Reflective elements

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

本發明係關於一種用於光半導體裝置之引線框架，其包括：具有第一板部分及經安置以與該第一板部分相對之第二板部分之引線框架；置於該第二板部分中並電連接至該第二板部分之光半導體元件；使該光半導體元件與該第一板部分相互電連接之導線；形成於該引線框架上以環繞該半導體元件之周邊之周邊反射器；及填充於由該引線框架與該反射器之內周邊所形成之凹槽中以囊封該光半導體元件之透明樹脂，其中該引線框架具有實質上與用於形成該凹槽之該反射器之內周邊之底部輪廓形狀相同之輪廓形狀。

Description

用於光半導體裝置之引線框架及使用其之光半導體裝置
本發明係關於一種用於光半導體裝置之引線框架，其具有良好品質且能夠以低成本製造光半導體裝置。本發明亦關於一種使用其之光半導體裝置。
習知已存在包括能夠發射具有指定波長之光之光半導體元件的光半導體裝置。例如，就此種光半導體裝置而言，已知圖5所示之光半導體裝置B。該光半導體裝置B係由以下組件配置而成：由第一板部分31及第二板部分32構成之引線框架33，該引線框架33係配置於其底部；置於該第二板32上之光半導體元件(未顯示)及類似物；形成於該引線框架33上以環繞該光半導體元件之周邊反射器34；及用於囊封由該引線框架33與該反射器34配置而成之凹槽35之內部之透明樹脂36。附帶一提，圖6顯示從後表面側看該半導體裝置B之狀態。
為增進製造效率，例如，如圖7所示，為可一次性生產大量光半導體裝置，此種光半導體裝置B係利用具有大量連續形成之引線框架33之引線框架形成板37製造。亦即，光半導體裝置B係藉由首先成行安置大量光半導體元件，並將其等安裝於一片引線框架形成板37上，以同時製造大量光半導體裝置，然後切下各別光半導體裝置並使其等彼此個體化來製造。在製造上述光半導體裝置中，周邊反射器34係藉 由樹脂模塑形成於引線框架形成板37中，且此種樹脂模塑之實例包括轉移模塑。根據此方法，如圖8所示，反射器34可藉由將引線框架形成板37插入由上部模具38及下部模具39配置成之模塑模具中，並實施夾緊以形成腔室部分40，將熔融樹脂注入該腔室部分40內部，並使所注射樹脂固化，接著進行脫模而形成(參見例如專利文件1)。附帶一提，在圖8中，41係用於注射熔融樹脂之側澆口，且42係在注射熔融樹脂後用於排出內部空氣之排氣孔。
當時，為自一片引線框架形成板37生產較大量引線框架33，通常將個別引線框架33之輪廓形狀製成近似矩形。另一方面，由於反射器34係用於將自光半導體元件發射之光朝上部方向反射，故其係以環繞光半導體元件之周邊狀態形成，且由引線框架33與反射器34之內周邊所形成之凹槽35之底部之輪廓形狀係經製成近似圓形或近似橢圓形之形態(參見圖5)。
因此，在轉移模塑時，可能產生以下問題：在位於腔室部分40內部之引線框架33中，熔融樹脂由四個角落進入引線框架33與下部模具39間之空間，由此在引線框架33之後表面上形成稱為樹脂毛邊之不必要物質。亦即，在引線框架33中，如圖9所示，在夾緊上部及下部模具38及39時，雖然僅有與上部模具38接觸之部分43牢固地插入上部模具38與下部模具39之間，其他部分不與上部模具38接觸，以致其上部部分呈自由狀態。因此，熔融樹脂自位置遠離與上部模具38接觸之部分43之引線框架33之四個角落進入下部模具39與引線框架33之間之空間，由此在引線框架33之後表面上形成樹脂毛邊。在進行電氣安裝諸如焊接接合(例如IR回焊)時，樹脂毛邊會引起焊料之排斥等，導致接頭故障(joint failure)，且因此，需要將其移除之步驟。附帶一提，下部模具39可自引線框架形成板37之通孔(through-hole)看到。
為解決此種問題，在模塑QFN(四側無引腳扁平(quad flat non- leaded))封裝之領域中，亦採用如下技術：在進行樹脂模塑之前預先藉由專用釋放帶覆蓋引線框架33之後表面，並在樹脂模塑之後連同釋放帶一起移除所形成的樹脂毛邊(參見例如專利文件2)。
專利文件1：JP-A-2008-218964
專利文件2：日本專利案第3934041號
然而，雖然從可確實防止發生接頭故障之觀點來看，該連同釋放帶一起移除樹脂毛邊之技術優良，但安裝專用裝置、欲使用的釋放帶等會產生不必要的成本。因此，需要開發更為優良的技術。
本發明已在此等情勢下完成。本發明之一目標係提供一種用於光半導體裝置之優良引線框架，其中藉由將引線框架之輪廓形狀製成特殊形式，在形成反射器時，可防止發生熔融樹脂進入引線框架與下部模具之間之空間的現象，且在引線框架之後表面上不會形成稱為樹脂毛邊之非必要物質。
亦即，本發明係關於以下項目(1)至(9)。
(1)一種用於光半導體裝置之引線框架，其包括：具有第一板部分及經安置成與該第一板部分相對之第二板部分之引線框架；置於該第二板部分中並電連接至該第二板部分之光半導體元件；使該光半導體元件與該第一板部分相互電連接之導線；形成於該引線框架上以環繞該半導體元件之周邊的周邊反射器；及填充於由該引線框架與該反射器之內周邊所形成之凹槽中以囊封該光半導體元件之透明樹脂，其中該引線框架具有實質上與用於形成該凹槽之該反射器之內 周邊之底部輪廓形狀相同的輪廓形狀。
(2)如項目(1)之用於光半導體裝置之引線框架，其中該反射器之內周邊之底部輪廓形狀係近似橢圓形，且該引線框架之輪廓形狀係近似橢圓形，其實質上與該反射器之內周邊之底部輪廓形狀之近似橢圓形相同。
(3)如項目(1)或(2)之用於光半導體裝置之引線框架，該反射器係藉由轉移模塑所形成。
(4)如項目(1)至(3)中任一項之用於光半導體裝置之引線框架，其中該反射器係由熱固性樹脂組合物所形成。
(5)如項目(4)之用於光半導體裝置之引線框架，其中該熱固性樹脂組合物在175℃溫度下具有使其螺旋流係20cm至200cm之流動性。
(6)如項目(4)或(5)之用於光半導體裝置之引線框架，其中該熱固性樹脂組合物包括以下組分(A)至(E)：(A)白色顏料；(B)填充劑；(C)環氧樹脂；(D)固化劑；及(E)固化促進劑。
(7)如項目(6)之用於光半導體裝置之引線框架，其中該白色顏料係選自由氧化鈦、氧化鋅、氧化鋁、氧化鎂、氧化鋯、碳酸鈣、碳酸鋇及硫酸鋇組成之群中之至少一者。
(8)如項目(6)或(7)之用於光半導體裝置之引線框架，其中該填充劑係二氧化矽。
(9)一種光半導體裝置，其包括如項目(1)至(8)中任一項之用於光半導體裝置之引線框架，其中該光半導體裝置包括： 具有實質上與該反射器之內周邊之底部輪廓形狀相同之輪廓形狀的引線框架；置於該反射器之第二板部分中並電連接至該第二板部分之光半導體元件；使該光半導體元件與該反射器之該第一板部分相互電連接之導線；形成於該引線框架上以環繞該半導體元件之周邊的周邊反射器；及填充於由該引線框架與該反射器之內周邊所形成之凹槽中以囊封該光半導體元件之透明樹脂。
亦即，為獲得以低成本迅速移除在形成反射器時形成於引線框架之後表面上之稱為樹脂毛邊之非必要物質之技術，本發明人進行廣泛且密集的研究。結果發現，藉由將引線框架形成為具有特殊輪廓形狀但不移除樹脂毛邊，樹脂毛邊之形成自行消失，導致完成本發明。
根據上文，迄今為止始終考慮如何在形成反射器時移除樹脂毛邊來克服該問題，然而根據本發明之用於光半導體裝置之引線框架係基於劃時代的理念所得到，其推翻既定觀念，本身不產生樹脂毛邊。亦即，在根據本發明之用於光半導體裝置之引線框架中，引線框架之輪廓形狀係經製成為實質上與反射器之內周邊之底部輪廓形狀相同。根據此組態，在使該反射器進行樹脂模塑時，上部模具與該引線框架之實質上整個表面接觸，且該引線框架之末端不會進入腔室之內部，且因此，可防止發生熔融樹脂自該引線框架之末端進入該引線框架與下部模具之間之空間的現象。因此，不會在該引線框架之後表面上形成稱為樹脂毛邊之非必要物質。因此，不需要移除樹脂毛邊之步驟，且無需利用專用釋放帶等等便可有效製造不發生接頭故障且品質良好之光半導體裝置。
首先，當不僅反射器之內周邊之底部輪廓形狀係近似橢圓形，而且引線框架之輪廓形狀亦係實質上與上述近似橢圓形相同之近似橢圓形時，可增進反射器本身之性能，且可有效地製造具有較高性能之光半導體裝置。
其次，當該反射器係藉由轉移模塑形成時，其可形成為較微小形狀，且因此，可得到具有較高性能之光半導體裝置。
此外，當該反射器係由熱固性樹脂組合物形成時，即使模具之腔室部分係微小形狀，該熱固性樹脂組合物亦可經填充得不留空間，且因此，可得到具有高可靠性之光半導體裝置。
其次，當該熱固性樹脂組合物在175℃溫度下具有使其螺旋流係20cm至200cm之流動性時，不僅可較為輕易且不留空間地將該熱固性樹脂組合物填充於模具之腔室部分中，而且亦較可能抑制樹脂毛邊之形成。
除此之外，當該熱固性樹脂組合物包括以下組分(A)至(E)時，不僅可展現優良模塑性及耐久性，而且亦可有效反射光：(A)白色顏料；(B)填充劑；(C)環氧樹脂；(D)固化劑；及(E)固化促進劑。
此外，當使用選自由氧化鈦、氧化鋅、氧化鋁、氧化鎂、氧化鋯、碳酸鈣、碳酸鋇及硫酸鋇組成之群之至少一者作為該熱固性樹脂組合物之組分(A)之白色顏料時，可更有效地反射光。
其次，當使用二氧化矽作為該熱固性樹脂組合物之組分(B)之填充劑時，展現更為優良的模塑性及耐久性。
此外，在根據本發明之光半導體裝置中，由於樹脂毛邊本身不 形成於引線框架之後表面上，故不需要移除此物質之步驟，且可有效地製造該光半導體裝置。除此之外，由於在引線框架之後表面上未形成樹脂毛邊，故可充分展現性能。
附帶一提，本發明中所指的「近似橢圓形」不僅包括橢圓形，而且包括圓或矩形之彼此相對之一對短邊被圓弧置換之不規則橢圓形。
1‧‧‧第一板部分
2‧‧‧第二板部分
3‧‧‧引線框架
4‧‧‧反射器
5‧‧‧凹槽
6‧‧‧透明樹脂
7‧‧‧光半導體元件
8‧‧‧導線
9‧‧‧導線
10‧‧‧引線框架形成板
11‧‧‧部分
12‧‧‧連接點
12(1)‧‧‧連接點
12(2)‧‧‧連接點
31‧‧‧第一板部分
32‧‧‧第二板部分
33‧‧‧引線框架
34‧‧‧反射器
35‧‧‧凹槽
36‧‧‧透明樹脂
37‧‧‧引線框架形成板
38‧‧‧上部模具
39‧‧‧下部模具
40‧‧‧腔室部分
41‧‧‧側澆口
42‧‧‧排氣孔
43‧‧‧部分
44‧‧‧凸出物
A‧‧‧光半導體裝置
B‧‧‧光半導體裝置
a‧‧‧短邊
b‧‧‧長邊
圖1係顯示根據本發明之光半導體裝置之一實施例之外觀透視圖。
圖2係圖1之光半導體裝置之X-X橫截面視圖。
圖3係顯示從後表面觀看上述光半導體裝置時之狀態之視圖。
圖4係上述光半導體裝置之說明性視圖。
圖5係顯示習知光半導體裝置之視圖。
圖6係顯示從後表面觀看上述習知光半導體裝置時之狀態之視圖。
圖7係用於上述習知光半導體裝置之引線框架之平面圖。
圖8係用於在上述習知光半導體裝置中形成反射器之模具之說明性視圖。
圖9係上述習知光半導體裝置之說明性視圖。
接下來，描述用於實施本發明之實施例。
圖1係顯示本發明之一實施例之光半導體裝置A之視圖，及圖2係其X-X橫截面視圖。該光半導體裝置A係(例如)呈長方體形狀之形式，其具有1.40mm之寬度，3.00mm之長度，及0.75mm之高度。該光半導體裝置A包括：具有第一板部分1及第二板部分2之引線框架3；置於該第二板部分2上並電連接至該第一板部分1之光半導體元件 7；使該光半導體元件7與該第一板部分1相互電連接之導線8；使該光半導體元件7與該第二板部分2相互電連接之導線9；形成於該引線框架3上以環繞該半導體元件7之周邊之周邊反射器4；及填充於由該引線框架3與該反射器4所形成之凹槽5中以囊封該光半導體元件之透明樹脂6。在反射器4中，其內周邊之底部輪廓形狀係呈近似橢圓之形式，且該反射器4係實質上順著該引線框架3之輪廓形狀形成。附帶一提，該光半導體裝置A之尺寸及形狀係經適當選擇。此外，在圖1中，各部位之尺寸、形狀、厚度等係示意性地示出，且與實際情況有所不同(如下所述之圖亦係如此)。
詳細描述引線框架3。如圖3所示，該圖顯示從後表面觀看該光半導體裝置A時之狀態，在該引線框架3中，組合第一板部分1及第二板部分2之整體之輪廓形狀係近似橢圓形。更詳細地描述該近似橢圓形形狀。例如，該近似橢圓形形狀具有如下形狀：在具有短邊a(長度：0.90mm)及長邊b(1.90mm)之矩形中，彼此相對之一對短邊被具有0.3mm之曲率半徑的圓弧c置換，且該形狀與習知引線框架之輪廓形狀(近似矩形)相當不同。以此方式，本發明之最重要特性特徵在於，引線框架3之輪廓形狀係經製成為實質上與反射器4之內周邊之底部輪廓形狀相同。
此種光半導體裝置A可以(例如)下列方式獲得。亦即，如圖4所示，藉由轉移模塑將周邊反射器4形成於一片引線框架形成板10上。當時，個別引線框架3之輪廓形狀係經製成為與由引線框架3及反射器4之內周邊配置而成之凹槽5之底部形狀(近似橢圓形)實質上相同，且因此，該引線框架3之實質上整個表面被用於轉移模塑之上部模具38之凸出物44(參見圖8)牢固地壓至其末端之程度。因此，該引線框架3之實質上整個表面被插入上部模具38與下部模具39之間。因此，熔融樹脂不會進入該引線框架3與該下部模具39之間之空間中，且不會在 該引線框架3之後表面上形成樹脂毛邊。附帶一提，在圖4中，11顯示該上部模具38與該引線框架3彼此接觸之部分，且從引線框架形成板10之通孔可見到呈接觸狀態之下部模具39。
其後，將光半導體元件7置於由引線框架3與反射器4之內周邊配置成之凹槽5內之各別引線框架3(第二板部分2)上。將此等光半導體元件電連接至第一或第二板部分(1或2)，且用透明樹脂6囊封該凹槽5之內部，接著切割得到各封裝。由此可得圖1所示之光半導體裝置A。
以此方式，當利用根據本發明之引線框架3製造光半導體裝置A時，不會在該引線框架3之後表面上形成稱為樹脂毛邊之不必要物質，且因此，不需要移除樹脂毛邊之步驟，且可不使用專用的釋放帶。因此，可以低成本快速製造該光半導體裝置A。此外，由於根據本發明之光半導體裝置A以此方式使用根據本發明之引線框架3，故其不會產生由於樹脂毛邊所引起之接頭故障，且性能優良。
關於具有第一板部分1及第二板部分2之引線框架3，可使用具有導電性者。尤其，從優良導電性及導熱性及強度之觀點來看，較佳使用銅及其合金。
此外，不僅從高反射率及優良導線接合性質，而且從在安裝成光半導體裝置時之良好焊料潤濕性之觀點來看，較佳對引線框架3實施電鍍。此種電鍍材料之實例包括金、銀、鎳、錫及鈀。尤其，從得到高反射率之觀點來看，較佳使用銀。
形成於引線框架3上以環繞光半導體元件7之周邊的周邊反射器4較佳係由熱塑性樹脂如聚醯胺、聚酯及液晶聚合物，或熱固性樹脂如環氧樹脂及聚矽氧樹脂製成。尤其，從能夠緊密接觸引線框架3；及能夠輕易且不留空間地將熔融樹脂填充於甚至微小腔室部分中之觀點來看，熱固性樹脂為更佳。
此外，在藉由樹脂模塑形成反射器4之情況中，為更好地抑制樹脂毛邊之生成，所使用之熱固性樹脂組合物在175℃下之螺旋流較佳係於20cm至200cm之範圍內，且更佳於25cm至150cm之範圍內。此係因為當螺旋流過低時，難以不留空間地填充模具之腔室部分，而當螺旋流過高時，則存在由於在模塑時施加至樹脂之壓力而產生樹脂毛邊之顧慮。附帶一提，螺旋流之測量值係按照EMMI(Epoxy Molding Material Institute)標準利用15-t壓機藉由在175℃下加熱之模具測得。
例如，關於此種熱固性樹脂組合物，適宜地使用含有(A)白色顏料、(B)填充劑、(C)環氧樹脂、(D)固化劑、及(E)固化促進劑之各別組分之熱固性樹脂組合物。
關於白色顏料(A)，可使用具有不同於上述所有組分(C)至(E)之折射率之材料。關於此種材料，具有高於組分(C)至(E)之折射率之材料之實例包括氧化鈦、氧化鋅、氧化鋁、氧化鎂、氧化銻、氧化鋯、鉛白、高嶺土、礬土、碳酸鈣、碳酸鋇、硫酸鋇、硫酸鋅、及硫化鋅。此外，具有低於組分(C)至(E)之折射率之材料之實例包括內部已變為中空之空心顆粒，諸如二氧化矽、鈉鈣(soda-lime)玻璃、硼矽酸鹽玻璃、無鹼(alkali-free)玻璃等之空心顆粒。尤其，從與組分(C)至(E)之折射率之差異大及得到高反射率之觀點來看，較佳使用氧化鈦、氧化鋅、氧化鋁、氧化鎂、氧化鋯、碳酸鈣、碳酸鋇、或硫酸鋇。此等物質可單獨使用或以其二或更多種之組合使用。
此外，填充劑(B)之實例包括二氧化矽、氫氧化鋁、氫氧化鎂、及碳酸鎂。尤其，從優良導熱性、反射性、模塑性、及阻燃性的觀點來看，較佳使用二氧化矽。附帶一提，彼等用作白色顏料(A)之物質不在此填充劑(B)之列。此等物質可單獨使用或以其二或更多種之組合使用。
接著，關於環氧樹脂(C)，可使用彼等用於電子組件封裝之物 質。其實例包括藉由使由苯酚及醛類製成之酚醛清漆樹脂環氧化而得到之材料，諸如苯酚酚醛清漆型環氧樹脂及鄰-甲酚酚醛清漆型環氧樹脂；經由二縮水甘油醚(如雙酚A、雙酚F、雙酚S及經烷基取代的雙酚)、多元胺(如二胺基二苯基甲烷及異氰脲酸)、及表氯醇之反應得到之縮水甘油胺型環氧樹脂；及藉由以過酸(如過醋酸)氧化烯烴鍵而得到之線性脂族環氧樹脂及脂環族環氧樹脂。尤其，較佳者係彼等顯色相對較低之物質，且較佳使用雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、雙酚S型環氧樹脂、異氰脲酸二縮水甘油酯、異氰脲酸三縮水甘油酯等等。此等物質可單獨使用或以其二或更多種之組合使用。
此外，關於固化劑(D)，較佳者係彼等顯色相對較低之物質。其實例包括酸酐固化劑、異氰脲酸衍生物、及酚系固化劑。此等物質可單獨使用或以其二或更多種之組合使用。
此外，固化促進劑(E)之實例包括三級胺如1,8-二氮雜-雙環(5,4,0)十一碳烯-7、三伸乙二胺及三-2,4,6-二甲胺基甲基苯酚；咪唑如2-乙基-4-甲基咪唑及2-甲基咪唑；磷化合物如三苯基膦、四苯基硼酸四苯基鏻、四-正丁基鏻-鄰,鄰-二乙基二硫代磷酸酯、四-正丁基鏻-四氟硼酸鹽、及四-正丁基鏻-四苯基硼酸鹽；四級銨鹽；有機金屬鹽；及其衍生物。此等物質可單獨使用或以其二或更多種之組合使用。
反射器4可藉由轉移模塑法、壓縮模塑法等形成。尤其，從得到高生產率之觀點來看，較佳採用轉移模塑法。
此外，在樹脂模塑反射器4時所使用之模具包括具有平坦表面之板狀下部模具39及具有對應於該反射器4之形狀之凹槽與對應於該反射器4之內周邊形狀之凸出物44之上部模具38，且藉由夾緊其等，便形成對應於該反射器4之形狀之腔室部分40。該反射器4係藉由將熔融樹脂填充於該腔室部分40中而形成。當時，該上部模具38之該凸出物 44與引線框架3之實質上整個表面接觸，並牢固地對該引線框架3施壓。因此，該熔融樹脂不會進入該引線框架3與該下部模具39之間之空間中，且不會在該引線框架3之後表面上形成樹脂毛邊。
置於該引線框架3(第二板部分2)上之光半導體元件7係能將電流轉換成光之光發射元件或能將光轉換成電流之光接收元件。其實例包括發光二極體(LED)、光電二極體、及光電晶體。此外，在此實施例中，描述該光半導體元件7係單個之情形。然而，該光半導體元件7並不限於單一結構，而係可為由複數個其成員構成之結構。接著，在將該光半導體元件7固定於該引線框架3(第二板部分2)上時，例如，該固定操作可利用糊劑或片狀有機材料實施，該糊劑包括矽樹脂、環氧樹脂等等。此外，該固定操作亦可利用金屬(如金)實施。
關於用於使該光半導體元件7與該引線框架3(第一及第二板部分1及2)彼此電連接之導線8及9，較佳使用由金、銀、或銅製成之導線。此外，在圖2中，雖然導線8及9各經顯示為單根導線，但在需要時可為其各者提供複數根導線。
關於填充於由引線框架3及反射器4之內周邊所形成之凹槽5中之透明樹脂6，使用其固化材料具有透明性之樹脂，且例如，較佳使用聚矽氧樹脂、環氧樹脂等等。附帶一提，在本發明，術語「具有透明性」意指具有80%或更高之透光度之材料，且較佳者係具有90%或更高之透光度之材料。
此外，透明樹脂6可與各種磷光體摻合。藉由與磷光體摻合，可藉由組合來自光半導體元件之發光色與來自該磷光體之螢光色而輕易得到具有所需色調之光。此種磷光體之實例包括YAG(釔-鋁-石榴石)材料、TAG(鋱-鋁-石榴石)材料、矽酸鹽材料、及氮化矽(sialon)材料。
如圖1所示，在由此所得已切割成個別封裝單元的光半導體裝置 A中，自引線框架3(第一板部分1及第二板部分2)延伸出之引線框架3(或其末端)之相互連接點12(參見圖4)之切割表面出現在該光半導體裝置A之側表面上。此等切割表面需出現在遠離該光半導體裝置A之底部之位置處。為此，在引線框架形成板10中，各連接點12之底側皆具有凹口。此種凹口可例如在形成反射器4或對引線框架形成板10施行電鍍之前藉由蝕刻、鍛造等等形成。尤其，從能夠形成微小形狀之觀點來看，較佳採用蝕刻。尤其，從能夠設法增進生產率之觀點來看，較佳採用利用化學溶液之濕式製程等。
實例
接下來，下文給出實例及比較實例。然而，不應將本發明視為受此等實例之限制。
首先，在檢閱實例及比較實例之前，製備具有以下組成之材料作為用於形成反射器之熱固性樹脂組合物(I)。
[熱固性樹脂組合物(I)]
熱固性樹脂組合物(I)係藉由熔融混合以下各別原料而製得：100重量份作為環氧樹脂之異氰脲酸三縮水甘油酯、168重量份作為固化劑之六氫鄰苯二甲酸酐、2重量份作為固化促進劑之四-正丁基鏻-鄰,鄰-二乙基二硫代磷酸酯、568重量份作為白色顏料之金紅石型二氧化鈦(平均顆粒直徑：約0.2μm)、及1,220重量份作為填充劑之熔融二氧化矽(平均顆粒直徑：約45μm)。
此外，製備具有以下組成之材料作為用於封裝光半導體元件之透明樹脂組合物(II)。
[透明樹脂組合物(II)]
透明樹脂組合物(II)係在使用前於常溫下藉由混合以下各別原料而製得：100重量份作為環氧樹脂之3,4-環氧環己烯基甲基-3’,4’-環氧環己烯羧酸酯、93重量份作為固化劑之六氫鄰苯二甲酸酐、及1重量 份作為固化促進劑之N,N-二甲基苄基胺。
[實例1]
製備由銅合金材料製成之基礎材料板作為引線框架形成板10；且不僅藉由蝕刻在指定位置設置通孔，而且使引線框架3(或其末端)之相互連接點12之後表面側經受半蝕刻，從而製得複數個引線框架3，其各具有第一板部分1及第二板部分2且具有如圖3及4所示之近似橢圓形之輪廓形狀，接著以銀進行完全電鍍。將該引線框架形成板10插入上部及下部模具38及39之間；將熔融熱固性樹脂組合物(I)倒入由該等上部及下部模具38及39所形成之腔室部分40中；並在樹脂固化後，使其脫模以在該引線框架3上形成周邊反射器4。隨後，將光半導體元件(LED)置於該第二板部分2上；以金線將其電連接至該等第一及第二板部分1及2；其後，以透明樹脂組合物(II)封裝由該引線框架3與該反射器4之內周邊所形成之凹槽5，從而製得光半導體裝置形成主體。將該光半導體裝置形成主體切割成如圖1所示之封裝單元，從而製得實例1之光半導體裝置。
[比較實例1]
以如同實例1之方式製造光半導體裝置形成主體，只是將引線框架之輪廓形狀改成如圖6及9所示之近似矩形，從而製得比較實例1之光半導體裝置。
各製備二十個如此得到之實例1及比較實例1之光半導體裝置的樣品，並藉由目測檢查觀察其後表面側，從而得到外觀評估。結果，就實例1之產品而言，在所有二十個經外觀評估之樣品中，完全未產生樹脂毛邊。另一方面，就比較實例1之產品而言，在所有二十個經外觀評估之引線框架中，在其四個角落處，在不與上部模具38接觸之部分之實質上整個表面上產生樹脂毛邊。
從以上結果注意到，當使用根據本發明之用於光半導體裝置之 引線框架時，可確實地抑制在形成反射器之步驟中產生樹脂毛邊。
雖然本發明已參考其具體實施例作出詳細描述，但熟習此項技術者當明瞭，可在不脫離其精髓及範圍下對其作出各種改變及修改。
附帶一提，本申請案係基於2012年5月1日申請之日本專利申請案第2012-104797號，且其內容係以引用的方式併入本文中。
本文引用之所有參考文獻皆以引用的方式全部併入本文中。
根據本發明之用於光半導體裝置之引線框架，在形成反射器之步驟中不會在該引線框架之後表面上形成稱為樹脂毛邊之不必要物質。因此，不需要移除樹脂毛邊之步驟，且可有效製造具有良好品質且不會產生接頭故障之光半導體裝置。
A‧‧‧光半導體裝置
1‧‧‧第一板部分
2‧‧‧第二板部分
3‧‧‧引線框架
4‧‧‧反射器
5‧‧‧凹槽
6‧‧‧透明樹脂
12(1)‧‧‧連接點
12(2)‧‧‧連接點

Claims (9)

  1. 一種用於光半導體裝置之引線框架，其包括：具有第一板部分及經安置以與該第一板部分相對之第二板部分之引線框架；置於該第二板部分中並電連接至該第二板部分之光半導體元件；使該光半導體元件與該第一板部分相互電連接之導線；形成於該引線框架上以環繞該半導體元件之周邊之周邊反射器；及填充於由該引線框架與該反射器之內周邊所形成之凹槽中以囊封該光半導體元件之透明樹脂，其中該引線框架具有實質上與用於形成該凹槽之該反射器之內周邊之底部輪廓形狀相同之輪廓形狀。
  2. 如請求項1之用於光半導體裝置之引線框架，其中該反射器之內周邊之底部輪廓形狀係近似橢圓形，且該引線框架之輪廓形狀係近似橢圓形，其實質上與該反射器之內周邊之底部輪廓形狀之近似橢圓形相同。
  3. 如請求項1之用於光半導體裝置之引線框架，該反射器係藉由轉移模塑形成。
  4. 如請求項1之用於光半導體裝置之引線框架，其中該反射器係由熱固性樹脂組合物形成。
  5. 如請求項4之用於光半導體裝置之引線框架，其中該熱固性樹脂組合物在175℃溫度下具有使其螺旋流係20cm至200cm之流動性。
  6. 如請求項4之用於光半導體裝置之引線框架，其中該熱固性樹脂 組合物包括以下組分(A)至(E)：(A)白色顏料；(B)填充劑；(C)環氧樹脂；(D)固化劑；及(E)固化促進劑。
  7. 如請求項6之用於光半導體裝置之引線框架，其中該白色顏料係選自由氧化鈦、氧化鋅、氧化鋁、氧化鎂、氧化鋯、碳酸鈣、碳酸鋇及硫酸鋇組成之群之至少一者。
  8. 如請求項6之用於光半導體裝置之引線框架，其中該填充劑係二氧化矽。
  9. 一種光半導體裝置，其包括如請求項1之用於光半導體裝置之引線框架，其中該光半導體裝置包括：具有實質上與該反射器之內周邊之底部輪廓形狀相同之輪廓形狀之引線框架；置於該反射器之第二板部分中並電連接至該第二板部分之光半導體元件；使該光半導體元件與該反射器之該第一板部分相互電連接之導線；形成於該引線框架上以環繞該半導體元件之周邊之周邊反射器；及填充於由該引線框架與該反射器之內周邊所形成之凹槽中以囊封該光半導體元件之透明樹脂。
TW102115519A 2012-05-01 2013-04-30 用於光半導體裝置之引線框架及使用其之光半導體裝置 TWI549250B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012104797A JP6021416B2 (ja) 2012-05-01 2012-05-01 光半導体装置用リフレクタ付リードフレームおよびそれを用いた光半導体装置並びにその製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201401472A true TW201401472A (zh) 2014-01-01
TWI549250B TWI549250B (zh) 2016-09-11

Family

ID=48325394

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW102115519A TWI549250B (zh) 2012-05-01 2013-04-30 用於光半導體裝置之引線框架及使用其之光半導體裝置

Country Status (6)

Country Link
US (1) US9029894B2 (zh)
EP (1) EP2660886A3 (zh)
JP (1) JP6021416B2 (zh)
KR (1) KR101728932B1 (zh)
CN (1) CN103383984A (zh)
TW (1) TWI549250B (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI740100B (zh) * 2018-02-13 2021-09-21 日商三井高科技股份有限公司 引線框架、附樹脂之引線框架、附樹脂之引線框架的製造方法及半導體裝置的製造方法

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6273124B2 (ja) * 2013-11-08 2018-01-31 シチズン電子株式会社 Ｌｅｄ照明装置
JP6548066B2 (ja) * 2013-12-26 2019-07-24 大日本印刷株式会社 Ｌｅｄ素子搭載用リードフレーム、ｌｅｄ素子搭載用樹脂付きリードフレーム及び半導体装置
WO2016013257A1 (ja) * 2014-07-24 2016-01-28 日本化薬株式会社 多価カルボン酸およびそれを含有する多価カルボン酸組成物、エポキシ樹脂組成物、熱硬化性樹脂組成物、それらの硬化物並びに光半導体装置
JP6260593B2 (ja) * 2015-08-07 2018-01-17 日亜化学工業株式会社 リードフレーム、パッケージ及び発光装置、並びにこれらの製造方法
TWI728816B (zh) 2020-05-21 2021-05-21 健策精密工業股份有限公司 發光二極體模組及其製作方法

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3934041B2 (ja) 2002-12-02 2007-06-20 日東電工株式会社 半導体装置の製造方法及びこれに用いる耐熱性粘着テープ
WO2006059828A1 (en) * 2004-09-10 2006-06-08 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting diode package having multiple molding resins
JP2006222271A (ja) * 2005-02-10 2006-08-24 Ngk Spark Plug Co Ltd 発光素子実装用基板
JP2007095797A (ja) * 2005-09-27 2007-04-12 Nippon Leiz Co Ltd 光源装置
JP2007142044A (ja) * 2005-11-16 2007-06-07 Stanley Electric Co Ltd 半導体発光装置及びそれを用いた面光源
WO2008059856A1 (en) * 2006-11-15 2008-05-22 Hitachi Chemical Co., Ltd. Heat curable resin composition for light reflection, process for producing the resin composition, and optical semiconductor element mounting substrate and optical semiconductor device using the resin composition
JP2008144127A (ja) * 2006-11-15 2008-06-26 Hitachi Chem Co Ltd 熱硬化性光反射用樹脂組成物、ならびにこれを用いた光半導体素子搭載用基板、光半導体装置およびこれらの製造方法
TWM312778U (en) * 2006-12-22 2007-05-21 Lighthouse Technology Co Ltd Improved LED
JP2008218964A (ja) 2007-02-07 2008-09-18 Hitachi Chem Co Ltd 光半導体パッケージ用トランスファモールド金型
US8785525B2 (en) * 2007-09-25 2014-07-22 Hitachi Chemical Company, Ltd. Thermosetting light-reflecting resin composition, optical semiconductor element mounting board produced therewith, method for manufacture thereof, and optical semiconductor device
JP5359349B2 (ja) * 2009-02-18 2013-12-04 日立化成株式会社 光反射用熱硬化性樹脂組成物、光半導体素子搭載用基板及びその製造方法、並びに光半導体装置
JP2010267688A (ja) * 2009-05-13 2010-11-25 C I Kasei Co Ltd 発光装置用パッケージ、発光装置、発光装置用リードフレーム、および発光装置の作製方法
JP5310672B2 (ja) * 2009-10-15 2013-10-09 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
TWI394298B (zh) * 2010-01-29 2013-04-21 Advanced Optoelectronic Tech 半導體發光元件封裝結構
KR101064010B1 (ko) * 2010-03-30 2011-09-08 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 및 이를 이용한 라이트 유닛
US8525213B2 (en) * 2010-03-30 2013-09-03 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device having multiple cavities and light unit having the same
CN102985463B (zh) * 2010-07-30 2015-08-12 日立化成株式会社 多元羧酸缩合物、热固化性树脂组合物、光半导体元件搭载用基板及其制造方法、以及光半导体装置
JP2012069885A (ja) * 2010-09-27 2012-04-05 Sanken Electric Co Ltd 発光ダイオードの製造方法、発光ダイオード
US8480254B2 (en) * 2011-04-14 2013-07-09 Ticona, Llc Molded reflective structures for light-emitting diodes

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI740100B (zh) * 2018-02-13 2021-09-21 日商三井高科技股份有限公司 引線框架、附樹脂之引線框架、附樹脂之引線框架的製造方法及半導體裝置的製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR20130122921A (ko) 2013-11-11
US20130292727A1 (en) 2013-11-07
CN103383984A (zh) 2013-11-06
KR101728932B1 (ko) 2017-04-20
EP2660886A3 (en) 2015-12-09
EP2660886A2 (en) 2013-11-06
JP6021416B2 (ja) 2016-11-09
JP2013232595A (ja) 2013-11-14
US9029894B2 (en) 2015-05-12
TWI549250B (zh) 2016-09-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11984545B2 (en) Method of manufacturing a light emitting device
TWI549250B (zh) 用於光半導體裝置之引線框架及使用其之光半導體裝置
JP5232369B2 (ja) 光半導体素子搭載用パッケージ基板の製造方法およびこれを用いた光半導体装置の製造方法
TWI690096B (zh) 導線架、封裝體及發光裝置、與該等之製造方法
JP5397195B2 (ja) 光半導体素子搭載用基板の製造方法、及び、光半導体装置の製造方法
JP2017107965A (ja) パッケージの製造方法及び発光装置の製造方法、並びにパッケージ及び発光装置
JP2009135484A (ja) 光半導体装置
JP2009302241A (ja) 樹脂封止体の製造方法、ｌｅｄチップ実装用基板の製造方法、ｌｅｄチップ実装用基板のモールド金型、ｌｅｄチップ実装用基板、及び、ｌｅｄ
JP5956937B2 (ja) 光半導体素子搭載用パッケージ基板の製造方法
JP2017027991A (ja) 樹脂付きリードフレーム、樹脂付きリードフレームの多面付け体、光半導体装置、光半導体装置の多面付け体、樹脂付きリードフレーム用金型
JP2017076701A (ja) 光半導体装置、樹脂付きリードフレーム、蛍光体層の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees