TW201348605A - 緊固構件及真空裝置 - Google Patents

Abstract

本發明的目的，是為了提供一種縱使進行反覆卸除作業仍能減少污染發生之緊固構件以及具有緊固構件之真空裝置。本發明的一實施方式之緊固構件，是用來在真空裝置的腔室內壁安裝構件之緊固構件，具備有頭部及軸部；該頭部具有：頭上面部、與前述頭上面部相對向的座面部、以及構成前述頭上面部和前述座面部之間的側壁之頭側面部；該軸部設置於前述頭部的前述座面部側，在與前述頭部相反側的端部設有螺紋部；前述螺紋部被賦予至少比前述緊固構件的其他部分更高硬度，藉由前述緊固構件將前述構件安裝於前述腔室內壁時，使前述螺紋部與設置在前述腔室內壁的母螺紋部螺合，且藉由前述座面部將前述構件緊壓於前述腔室內壁。

Description

緊固構件及真空裝置

本發明係關於用來在真空下對被處理基板實施成膜處理之真空裝置中，用來在真空裝置的腔室內壁安裝構件之緊固構件及真空裝置。

以往，半導體製程、液晶顯示面板製程、或碟片製程等的各種製程中，為了對矽晶圓、液晶顯示基板、光碟、迷你碟等的被處理基板進行成膜處理而使用成膜裝置。

第6圖，係作為前述成膜裝置的一例所使用之濺鍍裝置的示意圖(參照專利文獻1)。第6圖記載的成膜裝置，將開閉器408內部所供應的氣體壓力P2對於濺鍍氣體P1的壓力始終保持P2>P1的關係，使氣體從開閉器408內部側流向真空室401內側，以阻止來自濺鍍雰圍氣中的混合氣體流入而接觸未使用中的靶表面；該開閉器408是用來包覆未使用的靶405。又在第6圖的裝置中，412、414分別為用來對靶405和開閉器408之間的空間及靶406和開閉器408之間的空間供應污染防止用的 氣體之氣體供應噴嘴，413、415為用來控制來自氣體供應噴嘴412、414的氣體供應量之氣體供應閥，416為測定真空室內的氣壓之壓力計，417為測定開閉器408所包覆的內部(以下稱靶室)壓力之壓力計。

然而，由於前述靶405、406所放出的原子、分子朝隨機方向飛翔，連真空室401的內壁等不理想的場所也會讓膜附著。附著後的膜，隨著反覆進行處理而堆積，最終剝離後會對成膜品質造成不良影響，因此必須經由定期維修來除去。

因此，在成膜裝置，一般利用被稱為屏蔽的零件區劃出從靶405、406到基板407的成膜空間，藉由將其定期更換而讓成膜品質變穩定。第6圖的成膜裝置，是將靶405、406附近及基板407附近利用屏蔽區隔，以防止在真空室401的器壁讓濺鍍膜附著。

在將該等屏蔽及開閉器零件固定時，基於卸除、更換作業性的觀點，可採用從成膜空間側內側利用螺栓進行緊固的構造。第7圖顯示將屏蔽從成膜空間側進行緊固之屏蔽緊固構造的縱剖面圖(參照專利文獻2)。第7圖所示的屏蔽緊固構造，在被基板保持具528包圍之第1附著防止板551的表面中央部，利用第2附著防止板安裝螺栓554及螺帽555將第2附著防止板556設置成可卸除。第2附著防止板556的表面556a，位於基板保持具528的表面528b和背面528a之間的高度，構成為使靶原子不容易從第2附著防止板556和基板保持具528的間隙 往基板保持具528的背面528a側繞入。此外，由於螺栓554的螺頭部分554a曝露於成膜空間而會讓濺鍍膜附著，大多是與屏蔽同樣地實施噴砂處理、熔射處理而讓表面粗糙度增加。又在維修時，是由成膜空間側操作而進行更換作業。

一般而言，這種構造所使用的螺栓材質，大多採用流通性佳且耐蝕性優異之不鏽鋼，不鏽鋼在金屬當中屬於熱傳導度低且熱膨脹率大者，起因於緊固時螺紋所產生的摩擦熱，容易使公螺紋、母螺紋固著而變得無法移動，亦即產生被稱為熔執(咬住)的現象。若產生這種熔執現象，縱使是用相同轉矩進行緊固，由於螺紋部的摩擦變大，會有粒子產生的危險性增大之問題。

如上述般，作為防止螺紋部發生熔執的技術，雖是廣泛採用將可降低摩擦係數之潤滑劑被覆於螺紋部的技術，但在真空裝置中將潤滑油、鐵氟龍(註冊商標)等實施被覆時，會從被覆層產生脫氣，有污染成膜環境的危險性，因此大多採用例如銀等具有潤滑性能且縱使在真空中仍能減少揮發氣體之軟金屬所形成的被覆。

在螺紋部實施鍍銀等的固體潤滑手段，進一步在螺頭部分藉由噴砂處理等賦予比母材更大的表面粗糙度，可獲得能減少粒子發生之屏蔽的緊固構造。

然而，在上述屏蔽緊固構造，利用全新螺栓和全新螺孔將該屏蔽實施緊固時雖不會產生粒子，但為了更換屏蔽而將一旦緊固後的螺栓卸下時鍍銀容易發生剝 離，經由反覆進行屏蔽的更換作業，剝離後的銀可能蓄積於母螺紋部，或浮游於成膜空間而發生附著在被處理體等的污染。

另一方面，專利文獻3揭示將屏蔽及螺栓全體用鉬被覆之屏蔽緊固構造。第8圖顯示專利文獻3的屏蔽緊固構造之剖面圖。依據專利文獻3，遮板611及用來固定遮板611之螺栓612是藉由鉬被膜613被覆。因此，利用鉬被覆，可將遮板611表面及螺栓612頭部分所堆積的鋁膜614輕易地除去，可縮短工具操作螺栓的時間，利用螺紋部的被覆可改善卸除作業性。

[專利文獻1]日本特開平04-202768號公報

[專利文獻2]日本特開平11-092913號公報

[專利文獻3]日本特開平08-041637號公報

然而，縱使是專利文獻3的屏蔽緊固構造，經由反覆進行屏蔽更換作業，有被覆膜本身成為污染源之問題。此外，在專利文獻3的屏蔽緊固構造，雖容易進行螺栓612頭部分的膜除去，但在濺鍍裝置使用中，所堆積的膜從螺栓612頭部分脫落到濺鍍裝置內的危險性增大。而能解決此問題的技術尚未被提出。

本發明是有鑑於上述課題而開發完成的，其目的是為了提供一種縱使進行反覆卸除作業仍能減少污染 發生之緊固構件以及具有緊固構件之真空裝置。

為了達成上述目的，本發明的一態樣，是用來在真空裝置的腔室內壁安裝構件之緊固構件，其特徵在於，具備有頭部及軸部；該頭部具有：頭上面部、與前述頭上面部相對向的座面部、以及構成前述頭上面部和前述座面部之間的側壁之頭側面部；該軸部設置於前述頭部的前述座面部側，在與前述頭部相反側的端部設有螺紋部；前述螺紋部被賦予至少比前述緊固構件的其他部分更高硬度，藉由前述緊固構件將前述構件安裝於前述腔室內壁時，使前述螺紋部與設置在前述腔室內壁的母螺紋部螺合，且藉由前述座面部將前述構件緊壓於前述腔室內壁。

依據本發明的緊固構件，由於對緊固構件的螺紋部賦予至少比前述緊固構件的其他部分更高硬度，藉由前述緊固構件將前述構件安裝於腔室內壁時，可抑制伴隨前述螺紋部和前述母螺紋部的摩擦所產生的磨耗。同時，被賦予高硬度的螺紋部，由於熱膨脹率比緊固構件的母材更低，可抑制熱膨脹本身，能減少伴隨緊固構件的拆裝作業而從螺紋部產生的粒子。

1‧‧‧真空容器

2‧‧‧排氣手段

3‧‧‧被處理基板

4‧‧‧保持具

5、9‧‧‧屏蔽

6‧‧‧靶

7‧‧‧磁鐵

8‧‧‧絕緣部

10‧‧‧開閉器

11、12‧‧‧緊固部

101‧‧‧頭部

102‧‧‧被固定構件

103‧‧‧固定零件

105‧‧‧貫通孔

105a‧‧‧母螺紋部

106‧‧‧軸部

106a‧‧‧螺紋部

107‧‧‧頭上面部

108‧‧‧頭側面部

109‧‧‧埋頭面

110‧‧‧表面

111‧‧‧座面部

112‧‧‧屏蔽面

113‧‧‧第一孔部

114‧‧‧第二孔部

115‧‧‧母螺孔

150‧‧‧零件

301‧‧‧加熱手段

302‧‧‧隔熱零件

303‧‧‧屏蔽

401‧‧‧真空室

405、406‧‧‧靶

407‧‧‧基板

408‧‧‧開閉器

412、414‧‧‧氣體供應噴嘴

413、415‧‧‧氣體供應閥

416、417‧‧‧壓力計

528‧‧‧基板保持具

528a‧‧‧背面

528b‧‧‧表面

551‧‧‧第1附著防止板

554‧‧‧螺栓

554a‧‧‧螺頭部分

555‧‧‧螺帽

556‧‧‧第2附著防止板

556a‧‧‧表面

611‧‧‧遮板

612‧‧‧螺栓

613‧‧‧鉬被膜

614‧‧‧鋁膜

第1圖係顯示包含本發明的一實施方式之緊固構件的成膜裝置的構造之概略圖。

第2A圖係本發明的一實施方式之緊固構件的剖面 圖。

第2B圖係本發明的一實施方式之緊固構件的立體圖。

第3圖係顯示本發明的一實施方式之部分表面硬化處理的概略圖。

第4圖係顯示包含本發明的一實施方式之緊固構件的其他成膜裝置的構造之概略圖。

第5圖係本發明的其他實施方式之緊固構件的剖面圖。

第6圖係顯示習知技術(專利文獻1)的一例之屏蔽緊固構造。

第7圖係顯示習知技術(專利文獻2)的一例之屏蔽緊固構造。

第8圖係顯示習知技術(專利文獻3)的一例之屏蔽緊固構造。

以下，參照圖式對本發明的內容作詳細地說明。第1圖係顯示包含本發明的緊固構件之真空裝置(例如成膜裝置)一例之濺鍍裝置的構造之概略圖。本裝置，是在不鏽鋼等所構成的真空容器1連接渦輪分子泵等的排氣手段2，可維持於例如1×10^-8Pa的高真空環境。再者，真空容器1具備有用來保持被處理基板3之保持具4，在保持具4上載置被處理基板3而進行成膜處理。6代表作 為成膜原料之純物質或其化合物所構成的靶，連接於可施加電壓之未圖示的DC電源，透過氧化鋁等構成的絕緣部8成為與真空容器1絕緣的狀態，為了在靶6表面賦予磁場而設有磁鐵7。

作為可適用本發明的緊固構件之真空裝置，並不限定於本實施方式所記載者，可使用物理沉積裝置、化學沉積裝置(CVD)、原子層沉積裝置(ALD)等。

在真空容器1連接未圖示的氣體導入手段，以供應例如氬等的濺鍍用氣體，一邊導入氣體一邊從排氣手段2進行排氣，從DC電源以使靶6成為負電壓的方式投入電力，利用磁鐵產生磁控放電。藉由磁控放電在靶6附近使濺鍍用氣體電漿化，讓該電漿中的陽離子朝負電壓的靶6加速而發生撞擊。利用此陽離子的撞擊從靶6將原子、分子等擊出，讓如此般生成的金屬到達相對向的基板3表面，藉此讓期望的膜堆積。再者，從前述氣體導入手段在前述濺鍍氣體中混合氧、氮等而進行導入時，可沉積金屬氮化膜、金屬氧化膜而進行所謂反應性濺鍍。

在第1圖的裝置，裝載有複數個靶6，藉由可驅動的開閉器10將複數個靶6予以切換使用，而能在一腔室內積層複數種的膜而進行成膜。

然而，被從前述靶6擊出的原子、分子會朝隨機方向飛翔，因此連真空腔室1的內壁等之不想要的場所也會讓膜附著。所附著的膜隨著反覆進行處理而蓄積，最終剝離後會對成膜品質造成不良影響，因此必須經由定 期維修來除去。

因此，在成膜裝置，一般利用稱為屏蔽的構件來區隔從靶到被處理體的成膜空間，藉由將其定期更換來讓成膜品質穩定。在第1圖，將靶附近及被處理基板3的附近利用屏蔽5、9區隔，藉此防止在真空腔室1的器壁讓濺鍍膜附著。結果在屏蔽5及開閉器10上會有濺鍍膜附著，因此必須進行定期維修，實施將其等卸除更換為新品的作業。此外，屏蔽5、9及開閉器10的表面，利用噴砂處理、熔射等使表面粗糙度變大，例如成為十點平均粗糙度(Rz)10μm以上，藉此使附著後的膜不容易剝離。

第2A圖係本發明的實施方式一例之真空成膜裝置所使用的緊固構件之剖面圖。此外，第2B圖係本發明的實施方式一例之該緊固構件的立體圖。真空成膜裝置例如為第1圖所示的濺鍍裝置，特別是在第1圖之屏蔽5、9、開閉器10的緊固部(分別為11、12)，使用第2A圖及第2B圖記載的緊固構件。

第2A圖及第2B圖記載的緊固構件，是用來在第1圖記載的真空裝置之腔室1內壁安裝被固定構件102(例如屏蔽5、9)之緊固構件，由軸部106和頭部101所構成。頭部101具有：頭上面部107、與頭上面部107相對向的座面部111、以及構成頭上面部107和座面部111間的側壁之頭側面部108。軸部106，設置於頭部101的座面部111側，在與頭部101相反側的端部具有螺 紋部(公螺紋部)106a。在螺紋部106a被賦予至少比緊固構件的其他部分更高硬度。又在頭側面部108及座面部111也能賦予高硬度。高硬度是經由表面硬化處理來賦予前述緊固構件。再者較佳為，至少在頭上面部107實施表面粗化處理，以賦予座面部111以上的表面粗糙度。更佳為，至少在頭上面部107實施表面粗化處理，以賦予十點平均粗糙度(Rz)10μm以上的表面粗糙度。

在腔室1內壁設置固定零件103，該固定零件103在應固定被固定構件102的位置具有母螺孔115。在母螺孔115的內壁面，形成有可與螺紋部106a螺合的母螺紋部105a。當藉由緊固構件將被固定構件102安裝於固定零件103時，讓螺紋部106a與母螺紋部105a螺合，且藉由座面部111將被固定構件102緊壓固定於固定零件103。

在本實施方式，被固定構件102，是設置在第1圖記載的真空腔室1內而用來捕捉伴隨薄膜形成所產生的附著物之屏蔽零件102。屏蔽零件102具有：包圍頭側面部108之屏蔽面112、為了利用緊固構件將屏蔽零件102固定於真空腔室1而讓緊固構件插入之貫通孔105、以及與座面部111面對面的埋頭面109。貫通孔105包含第一孔部113及第二孔部114；該第一孔部113比構成屏蔽面112之頭部101更大；該第二孔部114，在埋頭面109具有開口，設定成比頭部101小且能讓軸部106貫穿的大小，與第一孔部113連通。屏蔽面112是比頭側面部 108的上端更往緊固構件的上面側延伸。因此，屏蔽零件102的表面110位於比頭側面部108更高的位置。結果，使頭側面部108不致從屏蔽面112突出，可抑制施加有硬化處理但未施加表面粗化處理之頭側面部108上的膜堆積。如此，在使用工具將緊固構件卸除時，可抑制堆積膜從頭側面部108上脫離，而使裝置可靠性提高。

緊固構件例如為不鏽鋼SUS316L製且螺紋部106a外徑為5mm的六角頭螺栓，通過設置於屏蔽零件102的貫通孔(第一孔部113、第二孔部114)，與設置於同樣為SUS316L製的固定零件103之母螺紋部105a連接，藉此對屏蔽零件102施加壓縮方向的力而予以緊固。緊固及卸除時，例如將六角扳手等連接於頭側面部108而進行作業。又在第2A圖，雖是將屏蔽零件102透過固定零件103安裝於腔室1的內壁，但不透過固定零件102，在腔室1內壁(相當於第2A圖之103的部分)形成母螺孔115及母螺紋部105a，將屏蔽零件102直接利用緊固構件來安裝亦可。此外，作為母螺紋部105a，可使用公知的螺帽等。

在此，用來緊固屏蔽零件102之固定零件103上所設的母螺孔115，不是第2A圖般的凹狀而是採用貫通孔(穿通孔)的情況，可減低在母螺孔115內起因於磨耗而發生的塵埃蓄積，這是更佳的。第5圖顯示，將第2A圖記載的母螺孔115變更成貫通孔(穿通孔)的形態之緊固構件的剖面圖。其他形狀是與第2A圖相同。在第 5圖的情況，由於母螺孔115成為貫通孔(穿通孔)，縱使萬一從螺紋部106a或母螺紋部105a產生塵埃，仍不會蓄積於母螺孔115而能往成膜空間的外側排出，能使成膜裝置的可靠性提高。

作為表面硬化處理，藉由採用碳摻雜處理而在不鏽鋼形成傾斜的硬化層(所謂滲碳處理)，可賦予縱使進行複數次緊固及卸除作業仍不致發生剝離之表面硬化處理。在本實施方式，是對緊固構件的螺頭部分之頭側面部108、螺紋部106a、座面部111及固定零件103之母螺紋部105a實施滲碳處理，以在深度方向傾斜的碳濃度實施摻雜的結果，相對於母材SUS316L之維氏硬度(以下稱HV)為200，將表面硬度改質成例如HV700左右。

作為表面硬化處理，除了本實施方式所採用之滲碳處理，也能使用氮化處理、耐磨耗性被覆處理。該被覆處理，是將與母材不同材質所構成的膜形成於表面之處理，可使用公知的離子沉積、濺鍍等，作為被覆膜可採用TiN等各種膜。

但在此所指的耐摩耗性被覆，不是像專利文獻3所使用的鉬被覆、鍍銀、氟被覆等的所謂固體潤滑劑那樣使被覆膜的一部分往對方側(被覆於公螺紋部的情況是往母螺紋側)附著，而是在被覆面上形成強固的皮膜而使硬度提高。這種耐摩耗性被覆可減少成為污染源的風險，因此較佳。

作為前述滲碳處理，例如使用公知的電漿滲 碳處理。在本實施方式，滲碳處理時如第3圖所示般，以遮蔽頭部101之頭上面部107的方式，讓其密合於不鏽鋼製的零件150而進行處理。藉此，緊固構件之頭上面部107以外的部分經由滲碳處理而使硬度提高，且防止在頭上面部107讓碳摻雜，不致使頭上面部107的硬度變高而維持與母材相同。

若將螺紋部106a、頭側面部108、座面部111、及母螺紋部105a改質成高硬度，在藉由緊固構件將屏蔽零件102安裝於固定零件103時，可抑制構件彼此間的摩擦所伴隨的磨耗。此外，改質成高硬度時熱膨脹率變得比母材低，可抑制熱膨脹本身，因此可減少緊固構件之拆裝作業所伴隨的粒子發生。

在表面硬化處理後，對頭部101之頭上面部107進行氧化鋁噴砂等的粗化處理，成為座面部111以上的表面粗糙度，例如表面粗糙度為中心線平均粗糙度(Ra)3.5μm、十點平均高度(Rz)20μm。如此般，對於頭上面部107實施表面粗化處理而賦予十點平均粗糙度(Rz)10μm以上的表面粗糙度時，能使頭上面部107所附著的膜變得不容易剝離而具有使裝置可靠性提高的效果。一般而言，被處理面的硬度高時，表面粗化處理的效率變差。然而，在本實施方式，如第3圖所示般在前述滲碳處理時，保護頭上面部107而防止被實施滲碳處理，因此能使前述頭上面部107的硬度維持與母材大致相同的HV200，能高效率且再現性良好地獲得為了防止附著後的 膜剝離所需之表面粗糙度。

噴砂處理除了氧化鋁噴砂以外，也能使用利用玻璃珠、碳化矽、乾冰等之各種的噴砂方法。

在表面粗化處理之後進行表面硬化處理的情況，表面粗化處理所形成的表面粗糙度會因表面硬化處理而降低。然而，在本實施方式，由於是在表面硬化處理之後進行表面粗化處理(噴砂處理)，具有使表面粗化處理所形成的表面粗糙度不容易降低的效果。此外，表面粗化處理是利用公知的噴砂處理來進行，能以低成本獲得所需的表面粗糙度。再者，由於在表面硬化處理時將頭上面部107予以遮蔽，表面粗化處理所獲得的表面粗糙度變大，而有減少粒子產生的效果。

在此更佳為，在噴砂處理後進一步使用鋁、鈦等的金屬進行熔射以獲得更大的表面粗糙度，而使所附著的膜不容易從成膜空間剝離。例如讓純鋁藉由電漿熔射法附著100μm左右時，可獲得十點平均粗糙度Rz約50μm的表面。

作為熔射處理，除了電漿熔射，可也採用電弧熔射等各種的方法。

較佳為，在真空腔室1之母螺紋部105a的附近形成有作為冷卻手段而利用冷卻水進行冷卻的通路。如此，可減少熱膨脹所造成之螺紋部106a、母螺紋部105a間的摩擦，可抑制粒子發生。此外，一般的表面硬化處理，已知容易受到高溫環境的影響。例如使用不鏽鋼(例 如SUS316)作為母材進行滲碳處理的情況，在400℃以上時表面相會產生組織變化而使硬度降低是已知的。再者，在TiN等的被覆處理時也是，在高溫環境起因於其與母材之熱膨脹率差異而使剝離風險增大。因此，藉由設置冷卻手段，能夠將母螺紋部分105a維持低溫，能維持緊固構件表面的硬度而抑制粒子發生。

如上述般，屏蔽零件102的表面110位於比緊固構件之頭側面部108更高的位置，因此可抑制膜往該頭側面部108進行附著。屏蔽零件102的表面110之貫通孔105的開口形狀及大小是任意的，在此如第2B圖所示般，對於一邊4.6mm的六角頭螺栓設置直徑13mm的圓形開口。

依據本實施方式的構造，縱使反覆進行屏蔽零件102的更換作業，仍能減少工具所接觸的部分(頭側面部108等)、座面部111、頭上面部107、螺紋部106a及母螺紋部105a等各部位的磨耗粉、堆積膜之脫離，能改善裝置的可靠性。再者，緊固構件的表面上所形成的硬化層，縱使反覆使用也不容易磨耗，只要將頭上面部107所堆積的膜除去就能將緊固構件予以反覆使用，具有使裝置的運用成本降低的效果。

在本實施方式雖是說明，藉由緊固構件將屏蔽零件102(屏蔽5、9)予以緊固的構造，但在藉由該緊固構件將腔室1內的其他要素(開閉器10等)予以緊固的情況，也能採用相同的緊固構造。

作為本發明的緊固構件，並不限定於上述例子，可運用螺頭的形狀、螺紋部的長度、節距等為任意者。

第4圖顯示，在第1圖的裝置中，用來保持被處理基板3之保持具4具備加熱機構的情況，保持具4上所裝載的屏蔽緊固構造的例子。

在第4圖，301表示被埋設於保持具4內之例如鎳鉻合金線等的加熱手段，藉由未圖示的電力供應手段及溫度感測器、溫度制御手段控制成期望的溫度，在將被處理基板3昇溫後的狀態下進行成膜。303為屏蔽，在保持具4上面之未受被處理基板3遮蔽的部分及該保持具4的側面施以保獲而防止膜的附著。302為例如氧化鋁所作成的隔熱零件，可減少從保持具4朝向屏蔽303之熱傳導。屏蔽303，是藉由第2A圖所示的緊固構造朝隔熱零件302進行緊固。藉由採用這種構造，能將前述屏蔽303及緊固構件維持比被處理基板3更低溫。

一般藉由被覆而進行硬化後之不鏽鋼表面層，由於熱膨脹率低，在高溫環境下起因於其與母材的熱膨脹率差異而可能產生龜裂，除此外，藉由滲碳處理而進行硬化後的不鏽鋼，在高溫環境下可能會有碳脫離、不鏽鋼的金屬組織改變而發生脆化的情況。因此，藉由採用第4圖所示的構造，能將緊固構件的溫度維持低溫，可延長該緊固構件之表面硬化處理部的壽命，能獲得讓裝置的可靠性提高之理想效果。

本發明的形態並不限定於上述實施例，能在發明主旨的範圍內自由地改變。例如，螺栓形狀不限定於實施例所示的六角形，亦可為八角形、四角形等的形狀，也能在螺栓設置用來將母螺紋部和公螺紋部間的空氣排出之排氣孔。又關於螺栓材質，也能運用鈦、鋁等的材質。此外，關於母螺紋部也是，亦可為插入螺紋襯套等者、或設有前述排氣孔者。

1‧‧‧真空容器

2‧‧‧排氣手段

3‧‧‧被處理基板

4‧‧‧保持具

5、9‧‧‧屏蔽

6‧‧‧靶

7‧‧‧磁鐵

8‧‧‧絕緣部

10‧‧‧開閉器

11、12‧‧‧緊固部

Claims (18)

1. 一種緊固構件，是用來在真空裝置的腔室內壁安裝構件之緊固構件，其特徵在於，具備有頭部及軸部，前述頭部具有：頭上面部、與前述頭上面部相對向的座面部、構成前述頭上面部和前述座面部間的側壁之頭側面部；前述軸部設置於前述頭部之前述座面部側，在與前述頭部相反側的端部設有螺紋部；在前述緊固構件之前述頭上面部以外實施表面硬化處理，以賦予比前述頭上面部更高硬度，在前述緊固構件之前述頭上面部實施用來賦予表面粗糙度之表面粗化處理，前述螺紋部被賦予至少比前述緊固構件的其他部分更高硬度，利用前述緊固構件將前述構件安裝於前述腔室內壁時，使前述螺紋部與設置於前述腔室內壁之母螺紋部螺合，並藉由前述座面部將前述構件緊壓於前述腔室內壁。
2. 如申請專利範圍第1項所述之緊固構件，其中，前述更高硬度也對前述頭側面部及前述座面部賦予。
3. 如申請專利範圍第1項所述之緊固構件，其中，前述緊固構件的母材為不鏽鋼，前述表面硬化處理是在前述不鏽鋼摻雜碳而其使硬化之滲碳處理。
4. 如申請專利範圍第1項所述之緊固構件，其中，前述更高硬度，是藉由將與前述母材不同材質所構成的膜形成於表面而賦予前述緊固構件。
5. 如申請專利範圍第1項所述之緊固構件，其中，對前述頭上面部分賦予之前述表面粗糙度，是前述座面部的表面粗糙度以上。
6. 如申請專利範圍第1項所述之緊固構件，其中，對前述頭上面部分賦予之前述表面粗糙度為十點平均粗糙度(Rz)10μm以上。
7. 如申請專利範圍第1項所述之緊固構件，其中，藉由在前述表面硬化處理之後進行噴砂處理，對前述頭上面部賦予表面粗糙度。
8. 如申請專利範圍第7項所述之緊固構件，其中，藉由在前述噴砂處理之後進行熔射處理，在前述頭上面部形成金屬膜。
9. 一種真空裝置，是含有申請專利範圍第1項所述之緊固構件，用來在配置於真空腔室內的基板上形成薄膜之成膜裝置，其特徵在於，前述構件，是設置於前述真空腔室內而用來捕捉伴隨前述薄膜形成所產生的附著物之屏蔽；前述屏蔽具備有：包圍前述頭側面部的屏蔽面、為了藉由前述緊固構件將前述屏蔽固定於前述真空腔室而讓前述緊固構件插入之貫通孔、以及與前述座面部面對面的埋頭面；前述貫通孔具有第一孔部及第二孔部，該第一孔部比構成前述屏蔽面的前述頭部更大，該第二孔部在前述埋頭面具有開口，設定成比前述頭部小且能讓前述軸部貫穿的 大小，與前述第一孔部連通；前述屏蔽面是比前述頭側面部的上端更往前述緊固構件的上面側延伸；藉由至少一個前述申請專利範圍第1項所述之緊固構件，將前述屏蔽安裝於前述真空腔室的內壁。
10. 如申請專利範圍第9項所述之真空裝置，其中，在設置於前述真空腔室的內壁之前述母螺紋部也賦予前述更高硬度。
11. 如申請專利範圍第9項所述之真空裝置，其中，設置於前述真空腔室的內壁之前述母螺紋部為貫通孔。
12. 如申請專利範圍第9項所述之真空裝置，其中，在前述真空腔室，設置用來冷卻前述母螺紋部之冷卻手段。
13. 如申請專利範圍第9項所述之真空裝置，其中，前述屏蔽面，是比前述頭側面部之前述上端更往前述緊固構件的前述上面側延伸，前述屏蔽的表面位於比前述頭側面部更高的位置。
14. 一種緊固構件之製造方法，該緊固構件具備有頭部及軸部，該頭部具有：頭上面部、與前述頭上面部相對向的座面部、以及構成前述頭上面部和前述座面部間的側壁之頭側面部，該軸部設置於前述頭部之前述座面部側，在與前述頭部相反側的端部設有螺紋部，該緊固構件用來在真空裝置的腔室內壁安裝構件，其特徵在於，具有： 一邊保護前述頭上面部，一邊在前述螺紋部賦予至少比前述緊固構件的其他部分更高硬度之步驟；在前述賦予更高硬度的步驟之後，對前述頭上面部實施用來賦予表面粗糙度之表面粗化處理的步驟。
15. 如申請專利範圍第14項所述的緊固構件之製造方法，其中，在前述賦予更高硬度的步驟，將前述頭上面部遮蔽而予以保護。
16. 如申請專利範圍第14項所述的緊固構件之製造方法，其中，前述賦予更高硬度的步驟，包含對前述緊固構件實施用來賦予前述更高硬度的表面硬化處理。
17. 如申請專利範圍第16項所述的緊固構件之製造方法，其中，前述緊固構件的母材為不鏽鋼，前述表面硬化處理，是在前述不鏽鋼摻雜碳而使其硬化之滲碳處理。
18. 如申請專利範圍第14項所述的緊固構件之製造方法，其中，前述賦予更高硬度的步驟，是將與前述緊固構件的母材不同材質所構成的膜形成於前述緊固構件的表面。