TW201347372A - 啟動電路及帶隙電壓產生裝置 - Google Patents

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TW201347372A TW101116501A TW101116501A TW201347372A TW 201347372 A TW201347372 A TW 201347372A TW 101116501 A TW101116501 A TW 101116501A TW 101116501 A TW101116501 A TW 101116501A TW 201347372 A TW201347372 A TW 201347372A
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Abstract

一種啟動電路，用來啟動一帶隙電壓產生電路，該帶隙電壓產生電路包含一帶隙輸入端，以及一第一帶隙輸出端與一第二帶隙輸出端，分別用來提供一第一負溫度係數電壓與一第二負溫度係數電壓，該啟動電路包含有一比較器，包含有第一輸入端，用於耦接該第一帶隙輸出端，第二輸入端，用於耦接該第二帶隙輸出端，以及一輸出端，用於產生一輸出電壓；一第一電晶體，其具有一閘極，用於耦接至帶隙輸入端，一第一源/汲極，用於耦接至一第一系統電壓；以及一第一電阻，其一端耦接於該第一電晶體之一第二源/汲極，另一端耦接於一第二系統電壓。

Description

啟動電路及帶隙電壓產生裝置
本發明係指一種用來啟動一帶隙電壓產生電路之啟動電路，尤指一種根據該帶隙電壓產生電路之正溫度係數電壓差，以啟動該帶隙電壓產生電路之啟動電路。
類比電路應用中常使用不受溫度變化影響的穩定參考電壓源或電流源，來提供一參考電壓或參考電流，以利監督電源或是其他電路之操作正確性，而帶隙電壓(Bandgap Voltage)產生裝置即可達到此功能。為了要讓帶隙電壓產生裝置能夠進行運作，通常會搭配一啟動電路(start-up circuit)來啟動該帶隙電壓產生裝置產生一帶隙電壓，並且在帶隙電壓被產生後，啟動電路能自動地關閉以減少整體功率消耗。
舉例來說，請參考第1圖，第1圖為習知一帶隙電壓產生裝置10之示意圖。帶隙電壓產生裝置10包含有一啟動電路102及一帶隙電壓產生電路100。帶隙電壓產生裝置10係利用電流鏡將正、負溫度係數電流IP、IN相加，以得到零溫度係數的帶隙電壓VBG。在此架構下，啟動電路102的設計簡單，系統電壓VDD導通電晶體M0以導通電晶體M0’，以提供小量的電壓於節點A上，藉此產生小量的正溫度係數電流IP，如此即可啟動帶隙電壓產生電路100。然而，如第1圖所示，帶隙電壓產生電路100包含有兩個運算放大器，因此會分別提供各自的放大誤差，劣化帶隙電壓VBG的準確度，使帶隙電壓VBG的正負溫度係數比例不均，無法得到接近零溫度係數的帶隙電壓VBG。
因此，為了增加帶隙電壓VBG的準確度，習知技術提出了使用單一運算放大器的帶隙電壓產生裝置。請參照第2A圖，第2A圖為習知之一帶隙電壓產生電路200之示意圖。帶隙電壓產生電路200中各的元件的耦接方式如第2A圖所示，帶隙電壓產生電路200形成了一種穩定回授電路之架構，其係透過運算放大器OP比較其負輸入端(節點A)及正輸入端(節點B)的電壓大小，於運算放大器OP的輸出端控制電晶體M5、M6的導通程度，分別來調整節點A、B的電壓VA、VB之大小。當帶隙電壓產生電路200達穩定平衡，表示電壓VA、VB的大小不再改變，運算放大器OP即可根據其輸出端的電壓值，導通電晶體M7，以產生欲得的帶隙電壓VBG。
詳細來說，流經電晶體M5的電流IM5可表示為流經電阻R2的電流IR2及流經電晶體Q1的電流IQ1之總合，即IM5=IR2+IQ1。其中，電流IR2及電流IQ1可分別表示為：
IR2=、IQ1=
其中，N為電晶體Q1、Q2之射極面積(Emitter Area)的比例，即Q2：Q1=N：1。電壓VT(未繪於圖中)係電晶體Q1的導通電壓，其具有正溫度係數。電壓差VBE1係電晶體Q1的射-基極電壓差，其具有負溫度係數。因此，假設電晶體M5、M7具有相同尺寸(W/L比例相同)，使得電流IM5與流經電晶體M7的電流IM7相等，則電流IM5、IM7可表示為：
如此一來，帶隙電壓VBG即可表示為：
因此，由算式(1)、(2)可知，帶隙電壓VBG係由具有正、負溫度係數的導通電壓VT及電壓差VBE1所組成，藉由調整電阻R2、R3的電阻值，即可設計出欲得的帶隙電壓VBG。
請參考第2B圖，第2B圖為習知一帶隙電壓產生裝置20之示意圖。帶隙電壓產生裝置20包含有一啟動電路202及一帶隙電壓產生電路200。啟動電路202係比較帶隙電壓產生電路200中的運算放大器OP之負輸入端電壓VIN與一參考電壓VX，判斷是否啟動帶隙電壓產生電路200，以產生帶隙電壓VBG。詳細來說，當參考電壓VX大於電壓VIN時，表示帶隙電壓產生電路200尚未操作於理想工作區，因此未能產出欲得的帶隙電壓VBG。參考電壓VX使電晶體M11、M13導通產生電流，進而使電晶體M13的電流鏡M4依序導通電晶體M2、M8、M1，透過電晶體M1導通將帶隙電壓產生電路200的電晶體M5～M7導通，以啟動帶隙電壓產生電路200。當電壓VIN大於參考電壓VX時，電壓VIN依序導通電晶體M12、M14、M3，以關閉電晶體M1來關閉啟動電路202。直到電壓VIN與運算放大器OP之負輸入端電壓VIP相等，表示帶隙電壓產生電路200已達穩定狀態，即可產出欲得的帶隙電壓VBG。
然而，若啟動電路202開啟或是關閉的時間發生錯誤的話，即會造成帶隙電壓產生電路200無法正常的運作。例如，若是啟動電路202中的電晶體M1已經關閉後(亦即節點F之電壓小於電晶體M1之截止電壓Vtn)，然而帶隙電壓產生電路200中之電晶體Q1並未導通(亦即節點A之電壓VA小於電晶體Q1之基-射極差)，如此即會造成帶隙電壓產生電路200發生誤判的情形。另一方面，若是帶隙電壓產生電路200中之電晶體Q1以及Q2已經導通了(亦即節點A、B之電壓VA、VB大於電晶體Q1、Q2之基-射極差)，然而啟動電路202中的電晶體M1並未關閉(亦即節點F之電壓仍然大於電晶體M1之截止電壓Vtn)，則啟動電路202會影響帶隙電壓產生電路200的偏壓環境，進而產生錯誤的帶隙電壓VBG。
因此，如何避免啟動電路誤判帶隙電壓產生電路處於零電流時的穩定狀態，導致帶隙電壓產生電路產生錯誤的帶隙電壓，就成為業界所努力的目標之一。
因此，本發明之主要目的在於提供一種根據一帶隙電壓產生電路之正溫度係數電壓差以啟動該帶隙電壓產生電路之啟動電路。
根據本發明之一方面，揭露一種啟動電路，用來啟動一帶隙電壓產生電路，該帶隙電壓產生電路包含一帶隙輸入端，以及一第一帶隙輸出端與一第二帶隙輸出端，該第一帶隙輸出端與該第二帶隙輸出端分別用來提供一第一負溫度係數電壓與一第二負溫度係數電壓，該啟動電路包含有一比較器，包含有一第一輸入端，用於耦接該第一帶隙輸出端，一第二輸入端，用於耦接該第二帶隙輸出端，以及一輸出端，用於產生一輸出電壓；一第一電晶體，其具有一閘極，用於耦接至帶隙輸入端，一第一源/汲極，用於耦接至一第一系統電壓，其中該閘極之電壓係依據該輸出電壓來產生；以及一第一電阻，其一端耦接於該第一電晶體之一第二源/汲極，另一端耦接於一第二系統電壓。
根據本發明之另一方面，揭露一種帶隙電壓產生裝置，包含一帶隙電壓產生電路，其包含一帶隙輸入端，以及一第一帶隙輸出端與一第二帶隙輸出端，該第一與第二帶隙輸出端分別用來提供一第一負溫度係數電壓與一第二負溫度係數電壓；以及一啟動電路，其包含有一比較器，包含有第一輸入端，用於耦接該第一帶隙輸出端，第二輸入端，用於耦接該第二帶隙輸出端，以及一輸出端，用於產生一輸出電壓；一第一電晶體，其具有一閘極，用於耦接至該帶隙輸入端，一第一源/汲極，用於耦接至一第一系統電壓，其中該閘極之電壓係依據該輸出電壓來產生；以及一第一電阻，其一端耦接於該第一電晶體之一第二源/汲極，另一端耦接於一第二系統電壓。
請參考第3圖，第3圖為本發明實施例一啟動電路302之示意圖。啟動電路302用來啟動帶帶隙電壓產生電路200。帶隙電壓產生電路200包含一帶隙輸入端C，以及一第一帶隙輸出端B與一第二帶隙輸出端E，帶隙第一隙輸出端B與帶隙第二輸出端E分別用來提供一負溫度係數負溫度係數電壓VB與一負溫度係數負溫度係數電壓VE。關於帶隙電壓產生電路200之架構，譬如可參考第2A圖之架構與對應說明。簡單之，耦接於電晶體Q2之一電阻R3之兩端係作為第一帶隙輸出端B與第二帶隙輸出端E，亦即電阻R3的跨壓即為電壓差VBE，其具有正溫度係數E。
另外，啟動電路302包含有一比較器304、一電晶體M9以及一電阻R6。比較器304的正輸入端耦接於第一帶隙輸出端B，負輸入端耦接於第二帶隙輸出端E，比較器304的輸出端用來用於產生一輸出電壓VC。電晶體M9具有一閘極，用於耦接至帶隙輸入端C，且該閘極之電壓係依據輸出電壓VC來產生。此外，電晶體M9還具有一源極，用於耦接至系統電壓VDD，以及一汲極，耦接於電阻R6的一端。電阻R6之該端耦接於電晶體M9之汲極，另一端則耦接於一系統電壓VSS(譬如接地端)。
詳細來說，當比較器304偵測負溫度係數電壓VB與負溫度係數負溫度係數電壓VE之正溫度係數電壓差VBE實質上為零時(VB-VE=0)，比較器304之輸出電壓VC係控制電晶體M9開啟，以啟動帶隙電壓產生電路200。當比較器304偵測負溫度係數電壓VB與負溫度係數電壓VE之正溫度係數電壓差VBE大於零時(VB-VE>0)，比較器304之輸出電壓VC係導致M9電晶體關閉，使得導通或關閉電晶體M9、M5～M7的控制權轉由帶隙電壓產生電路200中的運算放大器OP所控制。直到帶隙電壓產生電路200達到穩定平衡，表示帶隙電壓產生電路200操作於理想工作區，可產生正確的帶隙電壓VBG。
具體來說，於帶隙電壓產生電路200中，由於電阻R3串接於電晶體Q2，因此當有電流流經電晶體Q2時，電阻R3上亦有電流通過。反之，當電晶體Q2已導通，但無電流通過電晶體Q2時，電阻R3上亦無電流通過，因此可根據歐姆定律(跨壓=電阻值*電流，V=I*R)得知，當電阻R3上的跨壓為零時，電阻R3上的電流為零。在此情況下，只要偵測電阻R3上的跨壓是否為零，即可得知電阻R3上是否有電通過，藉此得知電晶體Q2上有電流通過。當電晶體Q2有電流通過時，表示帶隙電壓產生電路200操作於理想工作區，可產生正確的帶隙電壓VBG。
簡言之，啟動電路302主要係偵測是否有電流通過帶隙電壓產生電路200的電晶體Q2，來判定電晶體Q2的導通狀態，判斷是否啟動帶隙電壓產生電路200並關閉啟動電路302，以產生帶隙電壓VBG供帶隙電壓產生電路200的輸出負載所使用。啟動電路302判斷電晶體Q2導通狀態的方式則是透過偵測電阻R3上的正溫度係數電壓VBE是否大於零，以啟動帶隙電壓產生電路200。
為了進一步說明啟動電路302何以正確地偵測帶隙電壓產生電路200已操作於理想工作區，以及解釋帶隙電壓產生電路200可能有多組穩定狀態的情形。請參考第4及5A、5B圖，第4圖為一帶隙電壓產生電路400之示意圖。為便於說明帶隙電壓產生電路400的運作原理，將帶隙電壓產生電路200中的電晶體M5、M6以及運算放大器OP替換為電流源CS5、CS6，分別用來產生電流IM5、IM6。第5A圖描述隨電流IM5、IM6上升時，節點A、B、E上的負溫度係數電壓VA、VB、VE變化，其中負溫度係數電壓VA以實線表示，負溫度係數電壓VB以虛線表示，負溫度係數電壓VE以長短線表示。第5B圖描述負溫度係數電壓VB及負溫度係數電壓VE間之的正溫度係數電壓差VBE。
請同時參考第4圖及第5A圖，如第5A圖所示，在帶隙電壓產生電路400產生帶隙電壓VBG的過程中，可根據各負溫度係數電壓VA、VB、VE的變化量，將電壓變化劃分三區域Reg1～Reg3，以表示帶隙電壓產生電路400操作於不同的工作區。於區域Reg_1中，電流IM5、IM6由零開始增加，負溫度係數電壓VA、VB由零開始以相同的斜率增加，此時的負溫度係數電壓VA、VB小於電晶體Q1、Q2的導通電壓，電晶體Q1、Q2處於關閉狀態在此情況下，電流IM5、IM6分別流入電阻R2、R4，負溫度係數電壓VA、VB上升的斜率即為電阻R2、R4的電阻值。值得注意的是，在區域Reg_1中，啟動電路應保持開啟狀態，以開啟電流源CS5、CS6(即電晶體M5、M6)，逐漸拉升電流IM5、IM6的大小。若啟動電路於區域Reg_1關閉，則無法開啟電流源CS5、CS6以提升負溫度係數電壓VA、VB，造成帶隙電壓產生電路400將永遠處於區域Reg_1中，輸出錯誤的帶隙電壓VBG，故應避免此錯誤的穩定狀態。也就是說，當負溫度係數電壓VB與負溫度係數電壓VE之間的正溫度係數電壓差VBE實質上等於零時，帶隙電壓產生電路200係操作於一非理想工作區Reg1。
接著，當帶隙電壓產生電路400進入區域Reg_2時，由於電晶體Q2的面積大於電晶體Q1的面積，因此電晶體Q2會率先導通，負溫度係數電壓VB、VE的上升斜率逐漸趨緩，並且隨電流I6上升，正溫度係數電壓差VBE亦逐漸增加。另一方面，電晶體Q1仍處於關閉狀態，故電壓上升斜率維持不變。當帶隙電壓產生電路400進入區域Reg_3時，電晶體Q1開始導通，其電壓上升斜率逐漸趨緩；由於電晶體Q2已完全導通，負溫度係數電壓VB的電壓上升斜率轉為定值，此定值即為電阻R3的電阻值與電晶體Q2的內阻和。直到負溫度係數電壓VA上升至負溫度係數電壓VB時(VA=VB)，帶隙電壓產生電路400達到正確的穩定狀態，即可輸出欲得的帶隙電壓VBG。
請繼續參考第5B圖，帶隙電壓產生電路400於區域Reg_1中，正溫度係數電壓差VBE為零，表示電晶體Q2未導通，此時啟動電路應保持開啟狀態，持續開啟電流源CS5、CS6，增加負溫度係數電壓VA、VB的大小，以陸續導通電晶體Q1、Q2，使帶隙電壓產生電路400脫離穩定狀態的區域Reg_1。當電晶體Q2導通之後，帶隙電壓產生電路400進而由區域Reg_2進入理想工作區域Reg_3，達到正確的穩定狀態，如此即可產生正確的帶隙電壓VBG。簡言之，當帶隙電壓產生電路200操作於理想之工作區Reg_3時，正溫度係數電壓差VBE係大於零。
請注意，一旦帶隙電壓產生電路進入區域Reg_2之後，較佳地，啟動電路應立即關閉，使得運算放大器OP可控制電晶體M5、M6的電流大小，即控制電流源CS5、CS6產生電流IM5、IM6的大小，其目的在於避免啟動電路提供不合適的工作偏壓於帶隙電壓產生電路200。舉例來說，啟動電路可增加一開關於其中，用來確保帶隙電壓產生電路脫離區域Reg_1進入區域Reg_2之後，啟動電路可確實關閉。
請參考第6圖，第6圖為本發明實施例一帶隙電壓產生裝置60之示意圖。帶隙電壓產生裝置60由帶隙電壓產生電路200以及啟動電路602所組成。有別於啟動電路302，啟動電路602另包含有一電晶體M1以及電阻R1。電阻R1耦接於系統電壓VDD及電晶體M1之閘極，電晶體M1的汲極耦接於電晶體M9、M5～M7的閘極，電晶體M1的源極耦接於系統電壓VSS。啟動電路602之比較器304的正、負輸入端分別耦接於第二帶隙輸出端E以及第一帶隙輸出端B，其輸出端耦接於電晶體M1的閘極與電阻R1之間。其中電晶體M1扮演著開關的角色，用來開啟或關閉啟動電路602。
詳細來說，當比較器304偵測正溫度係數電壓差VBE實質上為零時(VB=VE)，電阻R1用來弱導通電晶體M1，使電晶體M9、M5～M7之閘極電壓拉低，以開啟電晶體M9、M5～M7，啟動帶隙電壓產生電路200。接下來，當比較器304偵測負溫度係數電壓VB大於負溫度係數電壓VE時(VB>VE)，表示帶隙電壓產生電路200已脫離區域Reg_1準備進入區域Reg_2，比較器304輸出低電壓，以關閉電晶體M1，進而關閉啟動電路602。如此一來，電晶體M9、M5～M7的閘極電壓可由帶隙電壓產生電路200的運算放大器OP完全掌控，如此即可確保啟動電路602不影響帶隙電壓產生電路200的偏壓環境。
綜上所述，有別於習知的啟動電路偵測帶隙電壓產生電路的穩定狀態(即比較器的正、負輸入端負溫度係數電壓VA是否等於負溫度係數電壓VB)，造成啟動電路可能誤判帶隙電壓產生電路處於零電流時的穩定狀態，導致帶隙電壓產生電路產生錯誤的帶隙電壓。相較之下，本發明上述實施例的啟動電路可藉由偵測帶隙電壓產生電路中串接於電晶體Q2的電阻R3上是否有跨壓(即正溫度係數電壓差VBE)產生，進而判斷電晶體Q2導通狀態，得知帶隙電壓產生電路是否已脫離零電流的穩定狀態，以啟動帶隙電壓產生電路並關閉啟動電路，進而產生帶隙電壓供帶隙電壓產生電路的輸出負載所使用。
以上所述僅為本發明之較佳實施例，凡依本發明申請專利範圍所做之均等變化與修飾，皆應屬本發明之涵蓋範圍。
10、20、60．．．帶隙電壓產生裝置
102、202、302、602．．．啟動電路
100、200、400．．．帶隙電壓產生電路
IP、IN、IM5、IM6、IM7、IR2、IQ1．．．電流
VBG．．．帶隙電壓
A、F．．．節點
B．．．第一帶隙輸出端
E．．．第二帶隙輸出端
C．．．帶隙輸入端
VA、VB、VE、VBE1．．．負溫度係數電壓
VBE．．．正溫度係數電壓差
VT．．．導通電壓
N．．．面積比
M0、M0’、M1～M14．．．電晶體
VIN、VIP．．．電壓
VX．．．參考電壓
OP．．．運算放大器
Q1、Q2．．．電晶體
R1～R6．．．電阻
CS5、CS6．．．電流源
304．．．比較器
Reg_1～Reg_3．．．區域
VDD、VSS．．．系統電壓
第1圖為習知一帶隙電壓產生裝置之示意圖。
第2A圖為習知之一帶隙電壓產生電路之示意圖。
第2B圖為習知一帶隙電壓產生裝置之示意圖。
第3圖為本發明實施例一啟動電路之示意圖。
第4圖為一帶隙電壓產生電路之示意圖。
第5A圖為第4圖之帶隙電壓產生電路之電流上升時，不同節點上的電壓-時間圖。
第5B圖為第4圖之帶隙電壓產生電路的電壓差-時間圖。
第6圖為本發明實施例一帶隙電壓產生裝置之示意圖。
302．．．啟動電路
200．．．帶隙電壓產生電路
VBG．．．帶隙電壓
A．．．節點
B．．．第一帶隙輸出端
E．．．第二帶隙輸出端
C．．．帶隙輸入端
VA、VB、VE．．．負溫度係數電壓
M5～M7、M9．．．電晶體
VBE．．．正溫度係數電壓差
OP．．．運算放大器
Q1、Q2．．．電晶體
R2～R6．．．電阻
304．．．比較器
VDD、VSS．．．系統電壓

Claims (20)

  1. 一種啟動電路，用來啟動一帶隙(Bandgap)電壓產生電路，該帶隙電壓產生電路包含一帶隙輸入端，以及一第一帶隙輸出端與一第二帶隙輸出端，該第一帶隙輸出端與該第二帶隙輸出端分別用來提供一第一負溫度係數電壓與一第二負溫度係數電壓，該啟動電路包含有：一比較器，包含有一第一輸入端，用於耦接該第一帶隙輸出端，一第二輸入端，用於耦接該第二帶隙輸出端，以及一輸出端，用於產生一輸出電壓；一第一電晶體，其具有一閘極，用於耦接至帶隙輸入端，一第一源/汲極，用於耦接至一第一系統電壓，其中該閘極之電壓係依據該輸出電壓來產生；以及一第一電阻，其一端耦接於該第一電晶體之一第二源/汲極，另一端耦接於一第二系統電壓。
  2. 如請求項1所述之啟動電路，其中該啟動電路更包括：一第二電晶體，其具有一閘極耦接至該比較器之該輸出端，一第一源/汲極耦接該第一電晶體之該閘極，以及一第二源/汲極耦接至該第二系統電壓；以及一第二電阻，其一端耦接於該第一系統電壓，另一端耦接於該比較器之該輸出端。
  3. 如請求項1所述之啟動電路，其中該第一電晶體之閘極係直接連接至該比較器之該輸出端。
  4. 如請求項1所述之啟動電路，其中當該第一輸入端與該第二輸入端之電壓差實質上為零時，該比較器之該輸出電壓係控制該第一電晶體開啟。
  5. 如請求項1所述之啟動電路，其中當該第一輸入端與該第二輸入端之電壓差大於零時，該比較器之該輸出電壓係導致該第一電晶體關閉。
  6. 一種帶隙(Bandgap)電壓產生裝置，包含：一帶隙電壓產生電路，其包含一帶隙輸入端，以及一第一帶隙輸出端與一第二帶隙輸出端，該第一與第二帶隙輸出端分別用來提供一第一負溫度係數電壓與一第二負溫度係數電壓；以及一啟動電路，其包含有：一比較器，包含有第一輸入端，用於耦接該第一帶隙輸出端，第二輸入端，用於耦接該第二帶隙輸出端，以及一輸出端，用於產生一輸出電壓；一第一電晶體，其具有一閘極，用於耦接至該帶隙輸入端，一第一源/汲極，用於耦接至一第一系統電壓，其中該閘極之電壓係依據該輸出電壓來產生；以及一第一電阻，其一端耦接於該第一電晶體之一第二源/汲極，另一端耦接於一第二系統電壓。
  7. 如請求項6所述之帶隙電壓產生裝置，其中該啟動電路更包括：一第二電晶體，其具有一閘極耦接至該比較器之該輸出端，一第一源/汲極耦接該第一電晶體之該閘極，以及一第二源/汲極耦接至該第二系統電壓；以及一第二電阻，其一端耦接於該第一系統電壓，另一端耦接於該比較器之該輸出端。
  8. 如請求項6所述之帶隙電壓產生裝置，其中該第一電晶體之閘極係直接連接至該比較器之該輸出端。
  9. 如請求項6所述之帶隙電壓產生裝置，其中當該第一負溫度係數電壓與該第二負溫度係數電壓間之一正溫度係數電壓差實質上為零時，該比較器之該輸出電壓係導致該第一電晶體開啟，進而啟動該帶隙電壓產生電路。
  10. 如請求項6所述之帶隙電壓產生裝置，其中當該第一負溫度係數電壓與該第二負溫度係數電壓間之一正溫度係數電壓差實質上為零時，該帶隙電壓產生電路操作於一非理想工作區。
  11. 如請求項6所述之帶隙電壓產生裝置，其中當該第一負溫度係數電壓與該第二負溫度係數電壓間之一正溫度係數電壓差大於零時，該比較器之該輸出電壓係導致該第一電晶體關閉，而不啟動該帶隙電壓產生電路。
  12. 如請求項6所述之帶隙電壓產生裝置，其中當該帶隙電壓產生電路操作於一理想之工作區時，該第一負溫度係數電壓與該第二負溫度係數電壓間之一正溫度係數電壓差係大於零。
  13. 一種帶隙(Bandgap)電壓產生裝置，包含：一帶隙電壓產生電路，其包含一帶隙輸入端，一第一帶隙輸出端用來提供一第一負溫度係數電壓，以及一第二帶隙輸出端用來提供一第二負溫度係數電壓；以及一啟動電路，耦接至該第一帶隙輸出端與該第二帶隙輸出端，用來判斷該第一負溫度係數電壓與該第二負溫度係數電壓間之一正溫度係數電壓差是否為零，並於該比較結果為是時，啟動該帶隙(Bandgap)電壓產生電路。
  14. 如請求項13所述之啟動電路，其中當該正溫度係數電壓差實質上等於零時，該帶隙電壓產生電路係操作於一非理想工作區。
  15. 如請求項13所述之啟動電路，其中當該帶隙電壓產生電路操作於一理想之工作區時，該正溫度係數電壓差係大於零。
  16. 如請求項13所述之帶隙電壓產生裝置，其中該啟動電路包含有：一比較器，包含有第一輸入端，耦接於該第一帶隙輸出端，第二輸入端，耦接於該第二帶隙輸出端，以及一輸出端；一第一電晶體，其具有一閘極耦接至該帶隙輸入端，一第一源/汲極耦接至一第一系統電壓，其中該閘極之電壓係依據該輸出電壓來產生；以及一第一電阻，其一端耦接於該第一電晶體之一第二源/汲極，另一端耦接於一第二系統電壓。
  17. 如請求項16所述之帶隙電壓產生裝置，其中該啟動電路更包括：一第二電晶體，其具有一閘極耦接至該比較器之該輸出端，一第一源/汲極耦接該第一電晶體之該閘極，以及一第二源/汲極耦接至該第二系統電壓；以及一第二電阻，其一端耦接於該第一系統電壓，另一端耦接於該比較器之該輸出端。
  18. 如請求項16所述之帶隙電壓產生裝置，其中該第一電晶體之閘極係直接連接至該比較器之該輸出端。
  19. 如請求項13所述之啟動電路，其中當該正溫度係數電壓差實質上為零時，該比較器之該輸出電壓係導致該第一電晶體開啟。
  20. 如請求項13所述之啟動電路，其中當該正溫度係數電壓差大於零時，該比較器之該輸出電壓係導致該第一電晶體關閉。
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