CN103425171A - 启动电路及带隙电压产生装置 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种启动电路，用来启动一带隙电压产生电路，该带隙电压产生电路包含一带隙输入端，以及一第一带隙输出端与一第二带隙输出端，分别用来提供一第一负温度系数电压与一第二负温度系数电压，该启动电路包含有一比较器，包含有第一输入端，用于耦接该第一带隙输出端，第二输入端，用于耦接该第二带隙输出端，以及一输出端，用于产生一输出电压；一第一晶体管，其具有一闸极，用于耦接至带隙输入端，一第一源/汲极，用于耦接至一第一系统电压；以及一第一电阻，其一端耦接于该第一晶体管的一第二源/汲极，另一端耦接于一第二系统电压。

Description

启动电路及带隙电压产生装置

技术领域

本发明涉及一种用来启动一带隙电压产生电路的启动电路，尤其涉及一种根据该带隙电压产生电路的正温度系数电压差，以启动该带隙电压产生电路的启动电路。

背景技术

模拟电路应用中常使用不受温度变化影响的稳定参考电压源或电流源，来提供一参考电压或参考电流，以利监督电源或是其它电路的操作正确性，而带隙电压(Bandgap Voltage)产生装置即可达到此功能。为了要让带隙电压产生装置能够进行运作，通常会搭配一启动电路（Start-Up Circuit）来启动该带隙电压产生装置产生一带隙电压，并且在带隙电压被产生后，启动电路能自动地关闭以减少整体功率消耗。

举例来说，请参考图1，图1为现有的带隙电压产生装置10的示意图。带隙电压产生装置10包含有一启动电路102及一带隙电压产生电路100。带隙电压产生装置10是利用电流镜将正、负温度系数电流IP、IN相加，以得到零温度系数的带隙电压VBG。在此架构下，启动电路102的设计简单，系统电压VDD导通晶体管M0以导通晶体管M0’，以提供小量的电压于节点A上，藉此产生小量的正温度系数电流IP，如此即可启动带隙电压产生电路100。然而，如图1所示，带隙电压产生电路100包含有两个运算放大器，因此会分别提供各自的放大误差，劣化带隙电压VBG的准确度，使带隙电压VBG的正负温度系数比例不均，无法得到接近零温度系数的带隙电压VBG。

因此，为了增加带隙电压VBG的准确度，现有的技术提出了使用单一运算放大器的带隙电压产生装置。请参照图2A，图2A为现有的带隙电压产生电路200的示意图。带隙电压产生电路200中各组件的耦接方式如图2A所示，带隙电压产生电路200形成了一种稳定回授电路的架构，其是通过运算放大器OP比较其负输入端（节点A）及正输入端（节点B）的电压大小，在运算放大器OP的输出端控制晶体管M5、M6的导通程度，分别来调整节点A、B的电压VA、VB的大小。当带隙电压产生电路200达稳定平衡，表示电压VA、VB的大小不再改变，运算放大器OP即可根据其输出端的电压值，导通晶体管M7，以产生欲得的带隙电压VBG。

详细来说，流经晶体管M5的电流IM5可表示为流经电阻R2的电流IR2及流经晶体管Q1的电流IQ1的总合，即IM5=IR2+IQ1。其中，电流IR2及电流IQ1可分别表示为：

$\mathrm{IR}2=\frac{\mathrm{VBE}1}{R2},$ $\mathrm{IQ}1=\frac{V_{T}k\ln N}{R3}$

其中，N为晶体管Q1、Q2的射极面积（Emitter Area）的比例，即Q2：Q1=N：1。电压V_T（未绘于图中）是晶体管Q1的导通电压，其具有正温度系数。电压差VBE1是晶体管Q1的射－基极电压差，其具有负温度系数。因此，假设晶体管M5、M7具有相同尺寸（W/L比例相同），使得电流IM5与流经晶体管M7的电流IM7相等，则电流IM5、IM7可表示为：

$\mathrm{IM}5=\mathrm{IM}7=\mathrm{IR}2+\mathrm{IQ}1=\frac{\mathrm{VBE}1}{R2}+\frac{V_T\ln N}{R3}---\left(1\right)$

如此一来，带隙电压VBG即可表示为：

$\mathrm{VBG}=R5\×\mathrm{IM}7=R5(\frac{\mathrm{VBE}1}{R2}+\frac{V_T\ln N}{R3})---\left(2\right)$

因此，由算式（1）、（2）可知，带隙电压VBG是由具有正、负温度系数的导通电压V_T及电压差VBE1所组成，通过调整电阻R2、R3的电阻值，即可设计出欲得的带隙电压VBG。

请参考图2B，图2B为现有的带隙电压产生装置20的示意图。带隙电压产生装置20包含有一启动电路202及一带隙电压产生电路200。启动电路202将带隙电压产生电路200中的运算放大器OP的负输入端电压VIN与一参考电压VX相比较，判断是否启动带隙电压产生电路200，以产生带隙电压VBG。详细来说，当参考电压VX大于电压VIN时，表示带隙电压产生电路200尚未操作于理想工作区，因此未能产出欲得的带隙电压VBG。参考电压VX使晶体管M11、M13导通产生电流，进而使晶体管M13的电流镜M4依序导通晶体管M2、M8、M1，通过晶体管M1导通将带隙电压产生电路200的晶体管M5～M7导通，以启动带隙电压产生电路200。当电压VIN大于参考电压VX时，电压VIN依序导通晶体管M12、M14、M3，以关闭晶体管M1来关闭启动电路202。直到电压VIN与运算放大器OP的负输入端电压VIP相等，表示带隙电压产生电路200已达稳定状态，即可产出欲得的带隙电压VBG。

然而，若启动电路202开启或是关闭的时间发生错误的话，即会造成带隙电压产生电路200无法正常的运作。例如，若是启动电路202中的晶体管M1已经关闭后（亦即节点F的电压小于晶体管M1的截止电压V_tn），然而带隙电压产生电路200中的晶体管Q1并未导通（亦即节点A的电压VA小于晶体管Q1的基－射极差），如此即会造成带隙电压产生电路200发生误判的情形。另一方面，若是带隙电压产生电路200中的晶体管Q1以及Q2已经导通了（亦即节点A、B的电压VA、VB大于晶体管Q1、Q2的基－射极差），然而启动电路202中的晶体管M1并未关闭（亦即节点F的电压仍然大于晶体管M1的截止电压V_tn），则启动电路202会影响带隙电压产生电路200的偏压环境，进而产生错误的带隙电压VBG。

因此，如何避免启动电路误判带隙电压产生电路处于零电流时的稳定状态，导致带隙电压产生电路产生错误的带隙电压，就成为业界所努力的目标之一。

发明内容

因此，本发明的主要目的在于提供一种根据一带隙电压产生电路的正温度系数电压差以启动该带隙电压产生电路的启动电路。

本发明公开一种启动电路，用来启动一带隙电压产生电路，该带隙电压产生电路包含一带隙输入端，以及一第一带隙输出端与一第二带隙输出端，该第一带隙输出端与该第二带隙输出端分别用来提供一第一负温度系数电压与一第二负温度系数电压，该启动电路包含有一比较器，包含有一第一输入端，用于耦接该第一带隙输出端，一第二输入端，用于耦接该第二带隙输出端，以及一输出端，用于产生一输出电压；一第一晶体管，其具有一闸极，用于耦接至带隙输入端，一第一源／汲极，用于耦接至一第一系统电压，其中该闸极的电压是依据该输出电压来产生；以及一第一电阻，其一端耦接于该第一晶体管的一第二源/汲极，另一端耦接于一第二系统电压。

本发明还公开一种带隙电压产生装置，包含一带隙电压产生电路，其包含一带隙输入端，以及一第一带隙输出端与一第二带隙输出端，该第一与第二带隙输出端分别用来提供一第一负温度系数电压与一第二负温度系数电压；以及一启动电路，其包含有一比较器，包含有第一输入端，用于耦接该第一带隙输出端，第二输入端，用于耦接该第二带隙输出端，以及一输出端，用于产生一输出电压；一第一晶体管，其具有一闸极，用于耦接至该带隙输入端，一第一源/汲极，用于耦接至一第一系统电压，其中该闸极的电压是依据该输出电压来产生；以及一第一电阻，其一端耦接于该第一晶体管的一第二源/汲极，另一端耦接于一第二系统电压。

本发明还公开一种带隙电压产生装置，包含一带隙电压产生电路，其包含一带隙输入端，一第一带隙输出端用来提供一第一负温度系数电压，以及一第二带隙输出端用来提供一第二负温度系数电压；以及一启动电路，耦接至该第一带隙输出端与该第二带隙输出端，用来判断该第一负温度系数电压与该第二负温度系数电压间的一正温度系数电压差是否为零，并于该比较结果为是时，启动该带隙电压产生电路。

附图说明

图1为现有的带隙电压产生装置的示意图。

图2A为现有的带隙电压产生电路的示意图。

图2B为现有的带隙电压产生装置的示意图。

图3为本发明实施例一启动电路的示意图。

图4为一带隙电压产生电路的示意图。

图5A为图4的带隙电压产生电路的电流上升时，不同节点上的电压－时间图。

图5B为图4的带隙电压产生电路的电压差－时间图。

图6为本发明实施例一带隙电压产生装置的示意图。

其中，附图标记说明如下：

10、20、60                        带隙电压产生装置

102、202、302、602                启动电路

100、200、400                     带隙电压产生电路

IP、IN、IM5、IM6、IM7、IR2、      电流

IQ1

VBG                               带隙电压

A、F                              节点

B                                 第一带隙输出端

E                                 第二带隙输出端

C                                 带隙输入端

VA、VB、VE、VBE1                  负温度系数电压

VBE                               正温度系数电压差

V_T                                导通电压

N                       面积比

M0、M0’、M1～M14       晶体管

VIN、VIP                电压

VX                      参考电压

OP                      运算放大器

Q1、Q2                  晶体管

R1～R6                  电阻

CS5、CS6                电流源

304                     比较器

Reg_1～Reg_3            区域

VDD、VSS                系统电压

具体实施方式

请参考图3，图3为本发明实施例一启动电路302的示意图。启动电路302用来启动带隙电压产生电路200。带隙电压产生电路200包含一带隙输入端C，以及一第一带隙输出端B与一第二带隙输出端E，带隙第一隙输出端B与带隙第二输出端E分别用来提供一负温度系数电压VB与一负温度系数电压VE。关于带隙电压产生电路200的架构，譬如可参考图2A的架构与对应说明。简言之，耦接于晶体管Q2的电阻R3的两端是作为第一带隙输出端B与第二带隙输出端E，亦即电阻R3的跨压即为电压差VBE，其具有正温度系数E。

另外，启动电路302包含有一比较器304、一晶体管M9以及一电阻R6。比较器304的正输入端耦接于第一带隙输出端B，负输入端耦接于第二带隙输出端E，比较器304的输出端用来产生一输出电压VC。晶体管M9具有一闸极（gate），用于耦接至带隙输入端C，且该闸极的电压是依据输出电压VC来产生。此外，晶体管M9还具有一源极，用于耦接至系统电压VDD，以及一汲极，耦接于电阻R6的一端。电阻R6的一端耦接于晶体管M9的汲极，另一端则耦接于一系统电压VSS（譬如接地端）。

详细来说，当比较器304侦测负温度系数电压VB与负温度系数电压VE的正温度系数电压差VBE实质上为零时（VB-VE=0），比较器304的输出电压VC是控制晶体管M9开启，以启动带隙电压产生电路200。当比较器304侦测负温度系数电压VB与负温度系数电压VE的正温度系数电压差VBE大于零时（VB-VE>0），比较器304的输出电压VC是导致M9晶体管关闭，使得导通或关闭晶体管M9、M5～M7的控制权转由带隙电压产生电路200中的运算放大器OP所控制。直到带隙电压产生电路200达到稳定平衡，表示带隙电压产生电路200操作于理想工作区，可产生正确的带隙电压VBG。

具体来说，于带隙电压产生电路200中，由于电阻R3串接于晶体管Q2，因此当有电流流经晶体管Q2时，电阻R3上亦有电流通过。反之，当晶体管Q2已导通，但无电流通过晶体管Q2时，电阻R3上亦无电流通过，因此可根据欧姆定律（跨压=电阻值*电流，V=I*R）得知，当电阻R3上的跨压为零时，电阻R3上的电流为零。在此情况下，只要侦测电阻R3上的跨压是否为零，即可得知电阻R3上是否有电通过，藉此得知晶体管Q2上有电流通过。当晶体管Q2有电流通过时，表示带隙电压产生电路200操作于理想工作区，可产生正确的带隙电压VBG。

简言之，启动电路302主要是侦测是否有电流通过带隙电压产生电路200的晶体管Q2，来判定晶体管Q2的导通状态，判断是否启动带隙电压产生电路200并关闭启动电路302，以产生带隙电压VBG供带隙电压产生电路200的输出负载所使用。启动电路302判断晶体管Q2导通状态的方式则是通过侦测电阻R3上的正温度系数电压VBE是否大于零，以启动带隙电压产生电路200。

为了进一步说明启动电路302何以正确地侦测带隙电压产生电路200已操作于理想工作区，以及解释带隙电压产生电路200可能有多组稳定状态的情形。请参考图4及5A、5B，图4为一带隙电压产生电路400的示意图。为便于说明带隙电压产生电路400的运作原理，将带隙电压产生电路200中的晶体管M5、M6以及运算放大器OP替换为电流源CS5、CS6，分别用来产生电流IM5、IM6。图5A描述了随着电流IM5、IM6上升时，节点A、B、E上的负温度系数电压VA、VB、VE变化，其中负温度系数电压VA以实线表示，负温度系数电压VB以虚线表示，负温度系数电压VE以长短线表示。图5B描述负温度系数电压VB及负温度系数电压VE间的正温度系数电压差VBE。

请同时参考图4及图5A，如图5A所示，在带隙电压产生电路400产生带隙电压VBG的过程中，可根据各负温度系数电压VA、VB、VE的变化量，将电压变化划分三区域Reg1～Reg3，以表示带隙电压产生电路400操作于不同的工作区。在区域Reg_1中，电流IM5、IM6由零开始增加，负温度系数电压VA、VB由零开始以相同的斜率增加，此时的负温度系数电压VA、VB小于晶体管Q1、Q2的导通电压，晶体管Q1、Q2处于关闭状态在此情况下，电流IM5、IM6分别流入电阻R2、R4，负温度系数电压VA、VB上升的斜率即为电阻R2、R4的电阻值。值得注意的是，在区域Reg_1中，启动电路应保持开启状态，以开启电流源CS5、CS6（即晶体管M5、M6），逐渐拉升电流IM5、IM6的大小。若启动电路在区域Reg_1关闭，则无法开启电流源CS5、CS6以提升负温度系数电压VA、VB，造成带隙电压产生电路400将永远处于区域Reg_1中，输出错误的带隙电压VBG，故应避免此错误的稳定状态。也就是说，当负温度系数电压VB与负温度系数电压VE之间的正温度系数电压差VBE实质上等于零时，带隙电压产生电路200是操作于一非理想工作区Reg1。

接着，当带隙电压产生电路400进入区域Reg_2时，由于晶体管Q2的面积大于晶体管Q1的面积，因此晶体管Q2会率先导通，负温度系数电压VB、VE的上升斜率逐渐趋缓，并且随电流I6上升，正温度系数电压差VBE也逐渐增加。另一方面，晶体管Q1仍处于关闭状态，故电压上升斜率维持不变。当带隙电压产生电路400进入区域Reg_3时，晶体管Q1开始导通，其电压上升斜率逐渐趋缓；由于晶体管Q2已完全导通，负温度系数电压VB的电压上升斜率转为定值，此定值即为电阻R3的电阻值与晶体管Q2的内阻和。直到负温度系数电压VA上升到负温度系数电压VB时（VA=VB），带隙电压产生电路400达到正确的稳定状态，即可输出欲得的带隙电压VBG。

请继续参考图5B，带隙电压产生电路400在区域Reg_1中，正温度系数电压差VBE为零，表示晶体管Q2未导通，此时启动电路应保持开启状态，持续开启电流源CS5、CS6，增加负温度系数电压VA、VB的大小，以陆续导通晶体管Q1、Q2，使带隙电压产生电路400脱离稳定状态的区域Reg_1。当晶体管Q2导通之后，带隙电压产生电路400由区域Reg_2进入理想工作区域Reg_3，达到正确的稳定状态，如此即可产生正确的带隙电压VBG。简言之，当带隙电压产生电路200操作于理想的工作区Reg_3时，正温度系数电压差VBE是大于零。

请注意，一旦带隙电压产生电路进入区域Reg_2之后，较佳地，启动电路应立即关闭，使得运算放大器OP可控制晶体管M5、M6的电流大小，即控制电流源CS5、CS6产生电流IM5、IM6的大小，其目的在于避免启动电路提供不合适的工作偏压于带隙电压产生电路200。举例来说，启动电路可增加一开关于其中，用来确保带隙电压产生电路脱离区域Reg_1进入区域Reg_2之后，启动电路可确实关闭。

请参考图6，图6为本发明实施例一带隙电压产生装置60的示意图。带隙电压产生装置60由带隙电压产生电路200以及启动电路602所组成。有别于启动电路302，启动电路602另包含有一晶体管M1以及电阻R1。电阻R1耦接于系统电压VDD及晶体管M1的闸极，晶体管M1的汲极耦接于晶体管M9、M5～M7的闸极，晶体管M1的源极耦接于系统电压VSS。启动电路602的比较器304的正、负输入端分别耦接于第二带隙输出端E以及第一带隙输出端B，其输出端耦接于晶体管M1的闸极与电阻R1之间。其中晶体管M1扮演着开关的角色，用来开启或关闭启动电路602。

详细来说，当比较器304侦测正温度系数电压差VBE实质上为零时（VB=VE），电阻R1用来弱导通晶体管M1，使晶体管M9、M5～M7的闸极电压拉低，以开启晶体管M9、M5～M7，启动带隙电压产生电路200。接下来，当比较器304侦测负温度系数电压VB大于负温度系数电压VE时（VB>VE），表示带隙电压产生电路200已脱离区域Reg_1准备进入区域Reg_2，比较器304输出低电压，以关闭晶体管M1，进而关闭启动电路602。如此一来，晶体管Mp、M5～M7的闸极电压可由带隙电压产生电路200的运算放大器OP完全掌控，如此即可确保启动电路602不影响带隙电压产生电路200的偏压环境。

综上所述，有别于现有的启动电路侦测带隙电压产生电路的稳定状态（即比较器的正、负输入端负温度系数电压VA是否等于负温度系数电压VB），造成启动电路可能误判带隙电压产生电路处于零电流时的稳定状态，导致带隙电压产生电路产生错误的带隙电压。相较之下，本发明上述实施例的启动电路可通过侦测带隙电压产生电路中串接于晶体管Q2的电阻R3上是否有跨压（即正温度系数电压差VBE）产生，进而判断晶体管Q2导通状态，得知带隙电压产生电路是否已脱离零电流的稳定状态，以启动带隙电压产生电路并关闭启动电路，进而产生带隙电压供带隙电压产生电路的输出负载所使用。

以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (20)

1.一种启动电路，用来启动一带隙电压产生电路，该带隙电压产生电路包含一带隙输入端，以及一第一带隙输出端与一第二带隙输出端，该第一带隙输出端与该第二带隙输出端分别用来提供一第一负温度系数电压与一第二负温度系数电压，该启动电路包含有：

一比较器，包含有一第一输入端，用于耦接该第一带隙输出端，一第二输入端，用于耦接该第二带隙输出端，以及一输出端，用于产生一输出电压；

一第一晶体管，其具有一闸极，用于耦接至带隙输入端，一第一源／汲极，用于耦接至一第一系统电压，其中该闸极的电压系依据该输出电压来产生；以及

一第一电阻，其一端耦接于该第一晶体管的一第二源/汲极，另一端耦接于一第二系统电压。

2.如权利要求1所述的启动电路，其特征在于，该启动电路更包括：

一第二晶体管，其具有一闸极耦接至该比较器的该输出端，一第一源/汲极耦接该第一晶体管的该闸极，以及一第二源/汲极耦接至该第二系统电压；以及

一第二电阻，其一端耦接于该第一系统电压，另一端耦接于该比较器的该输出端。

3.如权利要求1所述的启动电路，其特征在于，该第一晶体管的闸极是直接连接至该比较器的该输出端。

4.如权利要求1所述的启动电路，其特征在于，当该第一输入端与该第二输入端的电压差实质上为零时，该比较器的该输出电压是控制该第一晶体管开启。

5.如权利要求1所述的启动电路，其特征在于，当该第一输入端与该第二输入端的电压差大于零时，该比较器的该输出电压是导致该第一晶体管关闭。

6.一种带隙电压产生装置，包含：

一带隙电压产生电路，其包含一带隙输入端，以及一第一带隙输出端与一第二带隙输出端，该第一与第二带隙输出端分别用来提供一第一负温度系数电压与一第二负温度系数电压；以及

一启动电路，其包含有：

一比较器，包含有第一输入端，用于耦接该第一带隙输出端，第二输入端，用于耦接该第二带隙输出端，以及一输出端，用于产生一输出电压；

一第一晶体管，其具有一闸极，用于耦接至该带隙输入端，一第一源/汲极，用于耦接至一第一系统电压，其中该闸极的电压是依据该输出电压来产生；以及

一第一电阻，其一端耦接于该第一晶体管的一第二源/汲极，另一端耦接于一第二系统电压。

7.如权利要求6所述的带隙电压产生装置，其特征在于，该启动电路更包括：

一第二晶体管，其具有一闸极耦接至该比较器的该输出端，一第一源/汲极耦接该第一晶体管的该闸极，以及一第二源/汲极耦接至该第二系统电压；以及

一第二电阻，其一端耦接于该第一系统电压，另一端耦接于该比较器的该输出端。

8.如权利要求6所述的带隙电压产生装置，其特征在于，该第一晶体管的闸极是直接连接至该比较器的该输出端。

9.如权利要求6所述的带隙电压产生装置，其特征在于，当该第一负温度系数电压与该第二负温度系数电压间的一正温度系数电压差实质上为零时，该比较器的该输出电压是导致该第一晶体管开启，进而启动该带隙电压产生电路。

10.如权利要求6所述的带隙电压产生装置，其特征在于，当该第一负温度系数电压与该第二负温度系数电压间的一正温度系数电压差实质上为零时，该带隙电压产生电路操作于一非理想工作区。

11.如权利要求6所述的带隙电压产生装置，其特征在于，当该第一负温度系数电压与该第二负温度系数电压间的一正温度系数电压差大于零时，该比较器的该输出电压是导致该第一晶体管关闭，而不启动该带隙电压产生电路。

12.如权利要求6所述的带隙电压产生装置，其特征在于，当该带隙电压产生电路操作于一理想的工作区时，该第一负温度系数电压与该第二负温度系数电压间的一正温度系数电压差是大于零。

13.一种带隙电压产生装置，包含：

一带隙电压产生电路，其包含一带隙输入端，一第一带隙输出端用来提供一第一负温度系数电压，以及一第二带隙输出端用来提供一第二负温度系数电压；以及

一启动电路，耦接至该第一带隙输出端与该第二带隙输出端，用来判断该第一负温度系数电压与该第二负温度系数电压间的一正温度系数电压差是否为零，并于该比较结果为是时，启动该带隙电压产生电路。

14.如权利要求13所述的启动电路，其特征在于，当该正温度系数电压差实质上等于零时，该带隙电压产生电路是操作于一非理想工作区。

15.如权利要求13所述的启动电路，其特征在于，当该带隙电压产生电路操作于一理想的工作区时，该正温度系数电压差是大于零。

16.如权利要求13所述的带隙电压产生装置，其特征在于，该启动电路包含有：

一比较器，包含有第一输入端，耦接于该第一带隙输出端，第二输入端，耦接于该第二带隙输出端，以及一输出端；

一第一晶体管，其具有一闸极耦接至该带隙输入端，一第一源/汲极耦接至一第一系统电压，其特征在于，该闸极的电压是依据该输出电压来产生；以及

一第一电阻，其一端耦接于该第一晶体管的一第二源/汲极，另一端耦接于一第二系统电压。

17.如权利要求16所述的带隙电压产生装置，其特征在于，该启动电路更包括：

一第二晶体管，其具有一闸极耦接至该比较器的该输出端，一第一源/汲极耦接该第一晶体管的该闸极，以及一第二源/汲极耦接至该第二系统电压；以及

一第二电阻，其一端耦接于该第一系统电压，另一端耦接于该比较器的该输出端。

18.如权利要求16所述的带隙电压产生装置，其特征在于，该第一晶体管的闸极是直接连接至该比较器的该输出端。

19.如权利要求13所述的启动电路，其特征在于，当该正温度系数电压差实质上为零时，该比较器的该输出电压是导致该第一晶体管开启。

20.如权利要求13所述的启动电路，其特征在于，当该正温度系数电压差大于零时，该比较器的该输出电压是导致该第一晶体管关闭。

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