TW201347172A - 光電裝置及電子機器 - Google Patents

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Abstract

本發明之光電裝置包括：反射層；發光元件，其包括形成於陽極與陰極間之發光層；以及驅動電晶體，其對流入上述發光元件中之電流進行控制。自上述驅動電晶體向上述陽極之電流路徑中所含之轉接電極與上述反射層形成於同層且與上述反射層具有間隙。形成使上述轉接電極與上述陽極電性連接之接觸電極作為遮擋入射至上述間隙之光之遮光層。

Description

光電裝置及電子機器
本發明係關於一種例如對於伴隨光洩漏之圖像品質劣化之減少較有效之光電裝置及電子機器。
近年來，提出有各種使用有機發光二極體(Organic Light Emitting Diode，以下稱為「OLED」)元件等發光元件之光電裝置。於該光電裝置中，對應於掃描線與資料線之交叉，包含上述發光元件及電晶體等之像素電路通常為與應顯示之圖像之像素對應地設置之構成。一般而言，使用有OLED之像素電路包括：寫入電晶體，其決定可否輸入經由資料線供給之資料信號；驅動電晶體，其根據資料信號而決定對OLED供給之電流量；以及保持電容，其保持自資料線供給之資料信號。進而，有以高圖像品質化為目的，利用更多之元件之技術(例如參照專利文獻1)。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2010-20926號公報
且說，於如上所述之光電裝置中，成為如下之構成：使驅動電晶體、電源配線、中間絕緣膜、及OLED元件等形成於多層，使用形 成於各層之轉接電極及接觸孔等將驅動電晶體之源極或汲極與OLED元件之陽極連接。
又，於頂部發光之像素電路中，成為如下之構成：於OLED元件之下層形成光學調整層及絕緣層，進而於其下層形成反射層。而且，成為如下之構成：於與該反射層同層，經由絕緣膜，配置有自上述驅動電晶體之源極或汲極連接之轉接電極，將該轉接電極與OLED元件之陽極連接。
因此，若對此種頂部發光之像素電路進行俯視，則於反射層與轉接電極之間產生間隙，且有因入射光之一部分洩漏至該間隙中而無法獲得適當之亮度之情況。其結果，可視認出亮度不均，而導致顯示品質降低。
本發明係鑒於上述情況而完成者，且本發明之解決課題之一在於減少伴隨光洩漏之圖像品質劣化。
為了解決上述課題，本發明之光電裝置之特徵在於：包括：反射層；發光元件，其包括形成於陽極與陰極間之發光層；以及驅動電晶體，其對流入上述發光元件中之電流進行控制；自上述驅動電晶體向上述陽極之電流路徑中所含之轉接電極與上述反射層形成於同層且與上述反射層具有間隙，且形成將上述轉接電極與上述陽極電性連接之接觸電極來作為遮擋入射至上述間隙之光之遮光層。
為了解決上述課題，本發明之光電裝置之特徵在於：包括：複數條掃描線及複數條資料線，其等相互交叉；複數個像素電路，其對應於上述掃描線與上述資料線之交叉而設置；電源配線，其對應於上述複數個像素電路之各者而設置，且供給特定之電位；使上述掃描線、上述資料線、上述像素電路、及上述電源配線形成於複數層中之同層或不同層，上述複數個像素電路之各者包括：反射層；陽極；發 光層，其形成於上述陽極上；發光元件，其包括形成於上述發光層上之陰極；以及驅動電晶體，其對流入上述發光元件之電流進行控制；向上述陽極之信號傳遞路徑中所含之轉接電極與上述反射層形成於同層且與上述反射層具有間隙，且形成將上述轉接電極與上述陽極電性連接之接觸電極來作為遮擋入射至上述間隙之光之遮光層。
根據本發明，藉由接觸電極將形成於與反射層同層之轉接電極和發光元件之陽極連接。又，上述轉接電極係與上述反射層具有間隙地形成。然而，上述接觸電極係形成作為覆蓋上述間隙之遮光層。因此，來自發光元件之發光區域之光係由該遮光層遮擋，故而可防止侵入至形成於較轉接電極更靠下層之像素電路之光。其結果，可防止誤動作，使顯示品質提高。又，使接觸電極作為遮光層發揮功能，故而可無需為了遮擋侵入至間隙之光而附加特別之構成，而使光電裝置之構成簡單化。
於上述光電裝置中，較佳為以如下之方式形成上述遮光層，即：使其位於自上述發光層之上述轉接電極側之端部向上述間隙之上述反射層側之端部入射之光之光路徑上。
於此情形時，與自上述發光元件之上述轉接電極側之端部入射至上述陽極之光中之到達上述間隙之上述反射層側之端部之光之光路徑相比，以接近垂直之方向之角度入射之光不會到達上述間隙。又，與自上述發光元件之上述轉接電極側之端部入射至上述陽極之光中之到達上述間隙之上述反射層側之端部之光之光路徑相比，以接近平行之方向之角度入射之光係由上述遮光層遮擋。因此，來自發光元件之發光區域之光因該遮光層而不會入射至上述間隙。因此，防止了像素電路之誤動作，而進行正確之亮度之顯示。
於上述光電裝置中，較佳為上述反射層係由與上述轉接電極相同之導電性材料而形成，對上述反射層供給上述特定之電位。於此情 形時，對反射層供給特定之電位，故而藉由反射層而將雜訊屏蔽。因此，可對發光元件供給正確之電流，且可使顯示品質提高。
再者，本發明係除光電裝置以外，亦可定義為光電裝置之驅動方法或具有該光電裝置之電子機器。作為電子機器，典型而言可列舉頭戴式顯示器(HMD，Head Mount Display)或電子取景器等顯示裝置。
5‧‧‧控制電路
10‧‧‧光電裝置
10L‧‧‧光電裝置
10R‧‧‧光電裝置
12‧‧‧掃描線
14‧‧‧資料線
15‧‧‧層間調整膜
16‧‧‧初始化用之電源線
17‧‧‧第1層間絕緣膜
18‧‧‧第2層間絕緣膜
19‧‧‧第3層間絕緣膜
20‧‧‧掃描線驅動電路
30‧‧‧資料線驅動電路
31‧‧‧接觸孔
41~42‧‧‧轉接電極
50‧‧‧遮光層
51‧‧‧陽極
52‧‧‧有機功能層
53‧‧‧陰極
54‧‧‧密封層
55‧‧‧彩色濾光片層
56‧‧‧紅色濾光片
57‧‧‧綠色濾光片
58‧‧‧藍色濾光片
72‧‧‧殼體
74‧‧‧FPC基板
76‧‧‧端子
100‧‧‧顯示部
110‧‧‧像素電路
114‧‧‧配線
115‧‧‧反射層
116‧‧‧第1光學調整層
117‧‧‧第2光學調整層
118‧‧‧共用電極
118‧‧‧像素分離層
122‧‧‧電晶體
123‧‧‧電晶體
124‧‧‧電晶體
125‧‧‧電晶體
130‧‧‧OLED
132‧‧‧保持電容
160‧‧‧高位側電源線
300‧‧‧頭戴式顯示器
301L、301R‧‧‧鏡片
302L‧‧‧光學鏡片
302R‧‧‧光學鏡片
303L‧‧‧半反射鏡
303R‧‧‧半反射鏡
310‧‧‧眼鏡腿
320‧‧‧鼻架
A‧‧‧發光區域端部
(a)‧‧‧發光期間
B‧‧‧發光區域側之端部
(b)‧‧‧初始化期間
C‧‧‧反射層側之端部
(c)‧‧‧補償期間
Ctr1‧‧‧控制信號
Ctr2‧‧‧控制信號
(d)‧‧‧寫入期間
g‧‧‧閘極節點
Gcmp(i)‧‧‧控制信號
Gel(i)‧‧‧控制信號
Gorst(i)‧‧‧控制信號
Gwr(1)~Gwr(m)‧‧‧掃描信號
Gwr(i)‧‧‧掃描信號
H‧‧‧水平掃描期間
Vct‧‧‧電源之低位側之電位
Vd(j)‧‧‧資料信號
Vel‧‧‧基板電位
Vorst‧‧‧初始化用之重設電位
W‧‧‧間隙
圖1係表示本發明之一實施形態之光電裝置之構成之立體圖。
圖2係表示該光電裝置之構成之方塊圖。
圖3係表示該光電裝置中之像素電路之圖。
圖4係表示該光電裝置之動作之時序圖。
圖5係表示該光電裝置之像素電路之構成之剖面圖。
圖6係表示使用有實施形態等之光電裝置之HMD之立體圖。
圖7係表示HMD之光學構成之圖。
以下，參照圖式對用於實施本發明之形態進行說明。
<實施形態>
圖1係表示本發明之實施形態之光電裝置10之構成之立體圖。
光電裝置10例如為頭戴式顯示器中顯示圖像之微型顯示器。關於光電裝置10之詳細情況將於下文進行敍述，複數個像素電路及驅動該像素電路之驅動電路等例如為形成於矽基板之有機EL(Electro Luminescence，電致發光)裝置，且於像素電路中使用有作為發光元件之一例之OLED。
光電裝置10係收納於在顯示部開口之框狀之殼體72，並且連接有FPC(Flexible Printed Circuits，可撓性印刷電路)基板74之一端。於FPC基板74上，藉由COF(Chip On Film，薄膜覆晶)技術而安裝半導體 晶片之控制電路5，並且設置有複數個端子76，且連接於圖示省略之上位電路。自該上位電路經由複數個端子76，與同步信號同步地供給圖像資料。於同步信號中包含垂直同步信號、水平同步信號、及點時脈信號。又，圖像資料係例如以8位元規定應顯示之圖像之像素之灰階位準。
控制電路5為兼作光電裝置10之電源電路與資料信號出力電路之功能者。即，控制電路5除將依據同步信號而生成之各種控制信號及各種電位供給至光電裝置10以外，亦將數位圖像資料轉換為類比資料信號而供給至光電裝置10。
圖2係表示本發明一實施形態之光電裝置10之構成之圖。如該圖所示，光電裝置10大致分為掃描線驅動電路20、資料線驅動電路30、及顯示部100。
其中，於顯示部100中，使與應顯示之圖像之像素對應之像素電路110排列成矩陣狀。詳細而言，於顯示部100中，使m列之掃描線12於圖中沿橫方向延伸設置，又，使n行之資料線14於圖中沿縱方向延伸且保持與各掃描線12相互電性絕緣地設置。而且，對應於m列之掃描線12與n行之資料線14之交叉部而設置有像素電路110。因此，於本實施形態中像素電路110係以縱m列×橫n行排列為矩陣狀。
此處，m、n均為自然數。為了區別掃描線12及像素電路110之矩陣中之列(Row)，有於圖中自上起依序稱為1、2、3、…、(m-1)、m列之情形。同樣地，為了區別資料線14及像素電路110之矩陣之行(Column)，有於圖中自左起依序稱為1、2、3、…、n-1、n行之情形。
於本實施形態中，針對每一行沿資料線14分別設置有初始化用之電源線16。於各電源線16中共通地供給有作為初始化用之重設電位之電位Vorst。
且說，對於光電裝置10，藉由控制電路5供給如下所述之控制信號。詳細而言，對於光電裝置10，供給用以對掃描線驅動電路20進行控制之控制信號Ctr1、及用以對資料線驅動電路30進行控制之控制信號Ctr2。
掃描線驅動電路20係依據控制信號Ctr1而生成掃描信號者，該掃描信號係用以遍及訊框期間逐列依序對掃描線12進行掃描。此處，將對第1、2、3、…、(m-1)、m列之掃描線12供給之掃描信號分別記為Gwr(1)、Gwr(2)、Gwr(3)、…、Gwr(m-1)、Gwr(m)。
再者，掃描線驅動電路20除對顯示部100供給掃描信號Gwr(1)~Gwr(m)以外，亦針對每列生成與該掃描信號同步之各種控制信號並供給至顯示部100，但於圖2中省略圖示。又，所謂訊框期間係指光電裝置10顯示1幀(幀)之圖像所需之期間，例如，若同步信號中所含之垂直同步信號之頻率為120 Hz，則為相當於其1週期之8.3毫秒之期間。
又，資料線驅動電路30係對位於由掃描線驅動電路20選擇之列之像素電路110，藉由控制電路5對第1、2、…、n行之資料線14供給與該像素電路110之灰階資料對應之電位之資料信號Vd(1)、Vd(2)、…、Vd(n)。
參照圖3對像素電路110進行說明。再者，於圖3中，表示對應於第i列之掃描線12與第j行之資料線14之交叉之相當於1個像素之像素電路110。此處，i為一般表示像素電路110所排列之列之情形之記號，為1以上且m以下之整數。同樣地，j為一般表示像素電路110所排列之行之情形之記號，為1以上且n以下之整數。
如圖3所示，像素電路110包含P通道型之電晶體121~125、OLED130、及保持電容132。關於各像素電路110為相互相同之構成，故而以位於i列j行者為代表進行說明。
於i列j行之像素電路110中，電晶體122係作為寫入電晶體而發揮功能者，其閘極節點係連接於第i列之掃描線12，且其汲極或源極節點中之一者連接於第j行之資料線14，另一者分別連接於電晶體121中之閘極節點g、保持電容132之一端、及電晶體123之汲極節點。此處，關於電晶體121之閘極節點，為了與其他節點進行區別而記為g。
對第i列之掃描線12即電晶體122之閘極節點供給掃描信號Gwr(i)。
電晶體121係作為驅動電晶體而發揮功能者，其源極節點係連接於高位側電源線160，其汲極節點分別連接於電晶體123之源極節點、及電晶體124之源極節點。此處，對高位側電源線160供給在像素電路110中成為電源之高位側之基板電位Vel。
電晶體123係作為補償用電晶體而發揮功能者，對其閘極節點供給控制信號Gcmp(i)。
電晶體124係作為發光控制電晶體而發揮功能者，對其閘極節點供給有控制信號Gel(i)，其汲極節點係分別連接於電晶體125之源極節點及OLED130之陽極51。
電晶體125係作為初始化用電晶體而發揮功能者，對其閘極節點供給控制信號Gorst(i)，其汲極節點係連接於與第j行對應之初始化用之電源線16並保持為電位Vorst。
保持電容132之另一端係連接於高位側電源160。因此，保持電容132係保持電晶體121之源極、汲極間之電壓。再者，作為保持電容132，可使用寄生於電晶體121之閘極節點g之電容，亦可使用藉由利用相互不同之導電層夾持絕緣層而形成之電容。
於本實施形態中，光電裝置10係形成於矽基板上，故而關於電晶體121~125之基板電位係設為電位Vel。
OLED130之陽極51係針對每個像素電路110而個別設置之像素電 極。與此相對，OLED130之陰極53係遍及像素電路110之全部而共通地設置之共用電極，於像素電路110中保持成為電源之低位側之電位Vct。
OLED130係於上述矽基板中，夾持有藉由陽極51與具有光透過性之陰極53而發出白色光之有機EL層而成之元件。而且，於OLED130之出射側(陰極53側)重疊有與RGB中之任一者對應之彩色濾光片。
於此種OLED130中，若電流自陽極51流向陰極53，則自陽極51注入之電洞與自陰極53注入之電子於有機EL層再結合而生成激子，產生白色光。此時所產生之白色光係透過與矽基板側(陽極51)為相反側之陰極53，經過彩色濾光片之著色，而成為可於觀察者側視認之構成。
<光電裝置之動作>
其次，參照圖4對光電裝置10之動作進行說明。圖4係用以說明光電裝置10中之各部分之動作之時序圖。
如該圖所示，掃描信號Gwr(1)~Gwr(m)依序切換為L位準，於1訊框期間內針對每一水平掃描期間(H)依序對第1~m列之掃描線12進行掃描。
於1水平掃描期間(H)內之動作係遍及各列之像素電路110為共通。因此，關於以下，於對第i列進行水平掃描之掃描期間內，尤其著眼於i列j行之像素電路110來說明動作。
於本實施形態中，第i列之掃描期間若大致區分，則分為於圖4中(b)所示之初始化期間、(c)所示之補償期間、及(d)所示之寫入期間。而且，於(d)之寫入期間之後，相隔一段期間成為(a)所示之發光期間，經過1訊框期間後，再次成為第i列之掃描期間。因此，就時間之順序而言，成為(發光期間)→初始化期間→補償期間→寫入期間→(發 光期間)之週期之重複。
<發光期間>
為了便於說明，自成為初始化期間之前提之發光期間起進行說明。如圖4所示般，於第i列之發光期間中，掃描信號Gwr(i)為H位準，控制信號Gel(i)為L位準。又，作為邏輯信號之控制信號Gel(i)、Gcmp(i)、Gorst(i)中之控制信號Gel(i)為L位準，控制信號Gcmp(i)、Gorst(i)為H位準。
因此，於圖3所示之i列j行之像素電路110中，電晶體124接通，另一方面，電晶體122、123、125斷開。因此，電晶體121係對OLED130供給與閘極、源極間之電壓Vgs對應之電流Ids。如下所述，於本實施形態中，於發光期間內之電壓Vgs係相應於資料信號之電位自電晶體121之閾值電壓位準位移而獲得之值。因此，對OLED130，以對電晶體121之閾值電壓進行補償之狀態供給與灰階位準對應之電流。
再者，第i列之發光期間係除第i列以外均為水平掃描之期間，故而資料線14之電位適當變動。然而，於第i列之像素電路110中，電晶體122斷開，故而此處未考慮資料線14之電位變動。
<初始化期間>
其次，若到達第i列之掃描期間，首先，開始(b)之初始化期間作為第1期間。於初始化期間中，與發光期間相比，分別有控制信號Gel(i)變化為H位準，控制信號Gorst(i)變化為L位準。
因此，於圖3所示之i列j行之像素電路110中，電晶體124斷開，電晶體125接通。藉此，對OLED130供給之電流之路徑被阻斷，並且OLED130之陽極51被重設為電位Vorst。
OLED130係如上所述為藉由陽極51與陰極53夾持有機EL層而成之構成，故而於陽極51、陰極53之間，電容並聯地寄生。於發光期間 內當於OLED130中流通有電流時，藉由該電容保持該OLED130之陽極51、陰極53間之兩端電壓，故而該保持電壓係藉由電晶體125之接通而重設。因此，於本實施形態中，於在之後之發光期間內使電流再次流入OLED130時，不易受到由該電容保持之電壓之影響。
詳細而言，例如若為於自高亮度之顯示狀態轉變為低亮度之顯示狀態時不重設之構成，則保持亮度較高(流通有大電流)時之高電壓，故而，即便接下來流通小電流，亦流入過剩之電流，而無法為低亮度之顯示狀態。與此相對，於本實施形態中，藉由電晶體125之接通，而OLED130之陽極51之電位被重設，故而提高了低亮度側之再現性。
再者，於本實施形態中，關於電位Vorst，以該電位Vorst與陰極53之電位Vct之差低於OLED130之發光閾值電壓之方式設定。因此，於初始化期間(接下來進行說明之補償期間及寫入期間)，OLED130為斷開(非發光)狀態。
<補償期間>
於第i列之掃描期間，其次成為(c)之補償期間作為第2期間。於補償期間，與初始化期間相比，掃描信號Gwr(i)及控制信號Gcmp(i)成為L位準。另一方面，於補償期間，於控制信號Gref維持為H位準之狀態下，控制信號/Gini成為H位準。
於補償期間之電晶體123接通，故而電晶體121成為二極體連接。因此，於電晶體121中流通有汲極電流，對閘極節點g及資料線14進行充電。詳細而言，電流以高位側電源線160→電晶體121→電晶體123→電晶體122→第j行之資料線14之路徑流通。因此，藉由電晶體121之接通而處於相互連接狀態之資料線14及閘極節點g之電位上升。
然而，於上述路徑中流通之電流係當使電晶體121之閾值電壓為|Vth|時，隨著閘極節點g接近電位(Vel-|Vth|)而難以流通，故而直至 補償期間結束為止，資料線14及閘極節點g係於電位(Vel-|Vth|)飽和。因此，保持電容132係保持電晶體121之閾值電壓|Vth|直至補償期間之結束。
<寫入期間>
補償期間之後，到達(d)之寫入期間作為第3期間。於寫入期間中，控制信號Gcmp(i)成為H位準，故而解除了電晶體121之二極體連接。自第j行之資料線14至i列j行之像素電路110中之閘極節點g為止之路徑中的電位係藉由保持電容132而維持於(Vel-|Vth|)。
<發光期間>
第i列之寫入期間結束後，相隔1水平掃描期間之間，到達發光期間。於該發光期間內，如上所述控制信號Gel(i)成為L位準，故而，於i列j行之像素電路110中，電晶體124接通。對於OLED130，以對電晶體121之閾值電壓進行補償之狀態供給與灰階位準對應之電流。
此種動作係於第i列之掃描期間，亦在除第j行之像素電路110以外之第i列之其他像素電路110中時間上並列執行。進而，此種第i列之動作係實際上，於1訊框期間中以第1、2、3、…、(m-1)、m列之順序執行，且針對每一訊框重複。
於如上所述之像素電路110中，於資料線14與像素電路110中之閘極節點g之間實際上寄生有寄生電容。因此，若資料線14之電位變化幅度較大，則經由該寄生電容傳遞至閘極節點g，產生所謂串擾或不均等而使顯示品質降低。該寄生電容之影響係於使像素電路110小型化時表現顯著。
然而，於本實施形態中，如下所述，藉由初始化用之電源線16包圍電晶體121之閘極電極與其他電晶體或保持電容之連接部之四方，故而即便因資料線14之電位變動等而產生雜訊，電晶體121之閘極電極與其他電晶體或保持電容之連接部亦不會受到雜訊之影響，抑 制了電晶體121之閘極電極之電位變動。其結果，可實現良好之顯示品質。詳細情況係於下文中敍述。
根據本實施形態，作為使電晶體125接通之期間，即OLED130之重設期間，可確保較掃描期間更長之期間，例如2水平掃描期間，故而於發光期間可使由OLED130之寄生電容保持之電壓充分地初始化。
又，根據本實施形態，藉由電晶體121對OLED130供給之電流Ids抵消了閾值電壓之影響。因此，根據本實施形態，即便電晶體121之閾值電壓針對每一像素電路110不均，亦可補償該不均，對OLED130供給與灰階位準對應之電流，故而可抑制如損壞顯示畫面之一致性般之顯示不均之產生，結果可進行高品質之顯示。
進而，根據本實施形態，藉由初始化用之電源線16而包圍電晶體121之閘極電極與其他電晶體或保持電容之連接部之四方，故而即便因資料線14之電位變動等而產生雜訊，電晶體121之閘極電極與其他電晶體或保持電容之連接部亦不會受到雜訊之影響，可抑制電晶體121之閘極電極之電位變動。其結果，可減少顯示不均等顯示不良。
<像素電路之構造>
其次，參照圖5對該像素電路110之構造進行說明。
圖5係表示自1個像素電路110之層間絕緣膜至彩色濾光片層為止之構成之平面圖。再者，於較該層間絕緣膜更下層中，積層並形成有電源配線、轉接電極、層間絕緣膜、及形成有電晶體的基板等(圖示省略)。又，於以下之各圖中，為了使各層、各構件、各區域等為可識別之大小，使縮小比例有所不同。
首先，如圖5所示，使配線114及轉接電極41形成於較該等更靠下層之層間絕緣膜上，以覆蓋該等配線114及轉接電極41之整個面之方式形成第1層間絕緣膜17。
轉接電極41係如下所述之電極：於較其更下層中，經由複數個 轉接電極及接觸孔而連接於電晶體124之源極節點。
於第1層間絕緣膜17之表面，形成有由鈦/鋁(Ti/A1)合金等反射性導電構件形成之反射層115及轉接電極42。轉接電極42係經由對第1層間絕緣膜17進行開孔而成之接觸孔31而電性連接於轉接電極41。又，轉接電極42係配置於設置在反射層115中之開口內，由反射層115包圍其四方。
以覆蓋反射層115及轉接電極42之方式，形成包含氧化矽(SiO2)之第2層間絕緣膜18，進而，以覆蓋第2層間絕緣膜18之方式形成包含氮化矽(SiN)之第3層間絕緣膜19。又，於第3層間絕緣膜19上形成包含氧化矽(SiO2)之層間調整膜15。
而且，於使轉接電極42上之區域開孔後，於該區域形成由氮化鈦(TiN)或氮化鈦/鋁/氮化鈦(TiN/Al/TiN)合金所形成之遮光層50。該遮光層50亦作為使轉接電極42與包含ITO之陽極51電性連接之接觸電極而發揮功能。
另一方面，於形成於反射層115之上層的第3層間絕緣膜19上，形成有包含氧化矽(SiO2)之第1光學調整層116、及包含氧化矽(SiO2)之第2光學調整層117。
於上述遮光層50及第2光學調整層117上，形成有包含氧化銦錫(ITO，Indium Tin Oxide)之OLED130之陽極51。又，於陽極51上形成有包含氮化矽(SiN)之像素分離層118。
而且，以覆蓋上述陽極51及像素分離層118之方式形成包含發光層之有機功能層52。有機功能層52係由電洞與電子結合而發光之有機EL物質而形成。有機EL物質為低分子材料，發出白色光。
於有機功能層52上形成有包含鎂/鋁(Mg/Al)合金之陰極53，於陰極53上形成有用以保護有機功能層及陰極避免氧氣或水分之密封層54，於密封層54上形成有彩色濾光片層55。於該彩色濾光片層55中形 成有例如綠色彩色濾光片57、紅色彩色濾光片56、及藍色彩色濾光片58。
如此，本實施形態之像素具有共振構造，該共振構造係於有機功能層52上包括作為光出射側電極之陰極53，藉由如第1光學調整層116及第2光學調整層117般之調整層而對上述反射層115與作為光出射側電極之陰極53之間之光程長進行調整。
又，於如上所述之構造之像素電路110中，如圖5所示，於反射層115與轉接電極42之間形成有間隙W。因此，認為自發光區域發出之光洩漏至該間隙W中。
然而，於本實施形態中，以覆蓋該間隙W之方式，使由氮化鈦(TiN)形成之遮光層50自轉接電極42延伸至覆蓋反射層115之一部分之位置為止，而確實地防止光洩漏。
亦考慮於較轉接電極42及反射層115更靠下層設置遮光層，但當如此於下層設置遮光層之情形時，以如圖5般之剖面圖觀察之情形時，於遮光層之兩端部與上層之間出現間隙，產生光洩漏之間隙增加。
又，若於較轉接電極42及反射層115更靠下層設置遮光層，則因與轉接電極及其他配線等的關係，圖案形成變難。
然而，於本實施形態中，由於將轉接電極42與陽極51之接觸電極用作遮光層50，故而可將轉接電極42與遮光層50連接，轉接電極42上之區域係由遮光層50完全覆蓋。又，亦可不考慮來自下層之轉接電極等，故而圖案形成較容易。
又，遮光層50之發光區域側之端部B之位置係以如下方式決定。以如下之方式構成：於自發光區域入射之光中，如圖5中一點鏈線之箭頭所示般，通過發光區域端部A到達間隙W之反射層側端部C之入射光照射到遮光層50之發光區域側之端部B。即，只要以遮光層50位 於自有機功能層52之轉接電極側之端部A朝向間隙W之反射層側之端部C入射之光的光程上的方式形成即可。
藉由如此構成，與圖5中一點鏈線之箭頭所示之入射光相比以接近垂直之角度入射之光不會到達間隙W，圖5中一點鏈線之箭頭所示之入射光及以與該入射光相比更接近水平之角度入射之光係由遮光層50遮擋而不入射至間隙W。
再者，於本實施形態中，設為陽極51、光學調整層116、117、第2層間絕緣膜18、及第3層間絕緣膜19之折射率幾乎相等，但即便各者之折射率不同，亦只要於自端部A向間隙W之反射層側之端部C入射之光的光程上形成有遮擋光之遮光層50即可。
如上所述，使將轉接電極42與陽極51連接之接觸電極以覆蓋形成於轉接電極42與反射層115之間之間隙之方式延伸來製成遮光層50，故而可提供一種確實地防止光洩漏，且高圖像品質之頂部發光方式之光電裝置10。
又，反射層115係由與轉接電極42相同之導電性材料形成，但較佳為對反射層115供給電位Vel或電位Vct。於此情形時，可使反射層115作為屏蔽電極而發揮功能，故而可抑制進入轉接電極42之雜訊。其結果，可對OLED元件供給正確之電流，且可提高顯示品質。
<應用、變化例>
本發明並不限定於上述實施形態及應用例等之實施形態等，例如可進行如下所述之各種變更。又，下述之變更之態樣亦可適當地組合任意地選擇之一個或複數個。
<控制電路>
於實施形態中，關於供給資料信號之控制電路5，將其設為與光電裝置10分開，關於控制電路5，亦可與掃描線驅動電路20及資料線驅動電路30一併，於矽基板上積體化。
<基板>
於實施形態中，設為於矽基板上集成光電裝置10之構成，但亦可設為於其他半導體基板上集成之構成。又，亦可應用多晶矽製程而形成於玻璃基板等上。無論如何，像素電路110微細化，在電晶體121中，於相對於閘極電壓Vgs之變化而汲極電流依指數函數較大地變化之構成中較有效。
<控制信號Gcmp(i)>
於實施形態等中，就第i列而言，於寫入期間將控制信號Gcmp(i)設為H位準，但亦可設為L位準。即，亦可設為一併地執行藉由使電晶體123接通而進行之閾值補償及向節點閘極g之寫入之構成。
<電晶體之通道型>
於上述實施形態等中，以P通道型將像素電路110中之電晶體121~125統一，亦可以N通道型統一。又，亦可適當組合P通道型及N通道型。
<其他>
於實施形態等中，作為光電元件，例示有作為發光元件之OLED，但只要例如為無機發光二極體或LED(Light Emitting Diode，發光二極體)等以相應於電流之亮度發光者即可。
<電子機器>
其次，對應用有實施形態等或應用例之光電裝置10之電子機器進行說明。光電裝置10係面向像素為小尺寸且高精細之顯示之用途。因此，作為電子機器，列舉頭戴式顯示器為例進行說明。
圖6係表示頭戴式顯示器之外觀之圖，圖7係表示其光學性之構成之圖。
首先，如圖6所示般，頭戴式顯示器300係係外觀上與通常之眼鏡相同，包括眼鏡腿310、鼻架320、及鏡片301L、301R。又，頭戴 式顯示器300係如圖7所示般，於鼻架320附近且鏡片301L、301R之裏側(於圖中為下側)，設置有左眼用之光電裝置10L及右眼用之光電裝置10R。
光電裝置10L之圖像顯示面係以於圖7中成為左側之方式配置。藉此，光電裝置10L之顯示圖像係經由光學鏡片302L而向圖中9點鐘之方向出射。半反射鏡303L係使光電裝置10L之顯示圖像向6點鐘之方向反射，另一方面，使自12點鐘之方向入射之光透過。
光電裝置10R之圖像顯示面係以成為與光電裝置10L相反之右側之方式配置。藉此，光電裝置10R之顯示圖像係經由光學鏡片302R而向圖中3點鐘之方向出射。半反射鏡303R係使光電裝置10R之顯示圖像向6點鐘方向反射，另一方面，使自12點鐘之方向入射之光透過。
於該構成中，頭戴式顯示器300之佩戴者能夠以使光電裝置10L、10R之顯示圖像與外部之樣態重合之透明狀態進行觀察。
又，於該頭戴式顯示器300中，若使伴隨視差之兩眼圖像中之左眼用圖像顯示於光電裝置10L，使右眼用圖像顯示於光電裝置10R，則對於佩戴者，能夠感覺到仿佛所顯示之圖像具有深度及立體感(3D(3 Dimensions)顯示)。
再者，關於光電裝置10，除可應用於頭戴式顯示器300以外，亦可應用於視訊攝影機或鏡片交換式之數位相機等中之電子式取景器。
15‧‧‧層間調整膜
17‧‧‧第1層間絕緣膜
18‧‧‧第2層間絕緣膜
19‧‧‧第3層間絕緣膜
31‧‧‧接觸孔
41~42‧‧‧轉接電極
50‧‧‧遮光層
51‧‧‧陽極
52‧‧‧有機功能層
53‧‧‧陰極
54‧‧‧密封層
55‧‧‧彩色濾光片層
56‧‧‧紅色濾光片
57‧‧‧綠色濾光片
58‧‧‧藍色濾光片
114‧‧‧配線
115‧‧‧反射層
116‧‧‧第1光學調整
117‧‧‧第2光學調整層
118‧‧‧共用電極
118‧‧‧像素分離層
A‧‧‧發光區域端部
B‧‧‧發光區域側之端部
C‧‧‧反射層側之端部
W‧‧‧間隙

Claims (10)

  1. 一種光電裝置，其特徵在於：包括：反射層；發光元件，其包括形成於陽極與陰極之間之發光層；以及驅動電晶體，其對流入上述發光元件之電流進行控制；自上述驅動電晶體向上述陽極之電流路徑中所含之轉接電極與上述反射層形成於同層且與上述反射層具有間隙，形成將上述轉接電極與上述陽極電性連接之接觸電極作為遮擋入射至上述間隙之光之遮光層。
  2. 如請求項1之光電裝置，其中以上述遮光層係以位於自上述發光層之上述轉接電極側之端部向上述間隙之上述反射層側之端部入射之光之光程上之方式形成。
  3. 如請求項1或2之光電裝置，其中上述反射層係由與上述轉接電極相同之導電性材料形成，對上述反射層供給上述特定之電位。
  4. 如請求項1至3項中任一項之光電裝置，其中上述反射層具有開口，上述轉接電極係形成於上述開口內，上述反射層係包圍上述轉接電極之四方。
  5. 如請求項1至4中任一項之光電裝置，其中以覆蓋上述反射層及上述轉接電極之方式形成絕緣膜，上述接觸電極係經由設置於上述絕緣膜之開孔而連接於上述轉接電極而成。
  6. 如請求項1至5中任一項之光電裝置，其中上述陽極之至少一部分係接觸於上述接觸電極而設置。
  7. 如請求項1至6中任一項之光電裝置，其中上述遮光層係由氮化鈦(TiN)或氮化鈦/鋁/氮化鈦(TiN/Al/TiN)合金形成。
  8. 如請求項1至7項中任一項之光電裝置，其中上述反射層係由鈦與鋁之合金形成。
  9. 一種光電裝置，其特徵在於：包括：反射層；發光元件，其包括形成於第1電極與第2電極之間之發光層；以及電晶體，其電性連接於上述第1電極；自上述電晶體向上述第1電極之電流路徑中所含之轉接電極與上述反射層形成於同層且與上述反射層具有間隙，形成使上述轉接電極與上述第1電極電性連接之接觸電極作為遮擋入射至上述間隙之光之遮光層。
  10. 一種電子機器，其特徵在於包括如請求項1至9中任一項之光電裝置。
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