TW201346987A - 基材的處理方法、積層體以及半導體裝置 - Google Patents

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Abstract

一種基材的處理方法，其依序包含：介隔暫時固定材而將基材暫時固定於支撐體上，藉此而獲得中央部分被支撐體、外周部分及基材覆蓋之積層體的步驟，暫時固定材包含具有2層以上之層之中央部分與耐溶劑性優異之外周部分，外周部分與支撐體的基材側之面的外周部、基材的支撐體側之面的外周部相接，且中央部分與支撐體的基材側之面的外周部更內側之中央部、基材的支撐體側之面的外周部更內側之中央部相接；對基材進行加工等的步驟；藉由溶劑使外周部分溶解的步驟；以及藉由對暫時固定材之剩餘部分進行加熱而自支撐體上剝離基材的步驟。

Description

基材的處理方法、積層體以及半導體裝置
本發明是有關於一種使用暫時固定材(所述暫時固定材是用以將基材暫時固定於支撐體上)之基材的處理方法、包含所述暫時固定材之積層體、及半導體裝置。
於對半導體晶圓等基材進行加工(例如切割、背面磨削、感光蝕刻加工(photofabrication))或移動(例如將基材自某裝置移動至其他裝置上)時，為了使基材並不自支撐體上偏移而移動，必需使用暫時固定材等來將基材與支撐體暫時固定。而且，於加工及/或移動結束後，必需將基材自支撐體上剝離。現已提出了數種認為可於基材之暫時固定中使用的接著劑(參照下述專利文獻1~專利文獻2)。
於專利文獻1中揭示了一種晶圓之接合(分離)方法，其是介隔由將環烯烴樹脂等溶解或分散於溶劑中而成之組成物所形成之接合用組成物層，將第1基板與第2基板接合而獲得積層 體，繼而使所述接合層曝露於可充分地使其軟化之溫度下，藉此將第1基板與第2基板分離。此處之接合層包含1層。
於專利文獻2中揭示了經由積層體而將第1基板及第2基板暫時固定之方法，所述積層體包含：第1基板、第2基板、將所述第1基板及所述第2基板之各個之周緣部接合之接著劑層、包含由所述接著劑層所形成之中心空間中所填充之填充材料的剝離層。
於近年之感光蝕刻加工等中，有時將基材暴露於高溫環境下。例如於積層晶片之製造中的安裝步驟中，將晶圓或晶片暫時固定於支撐體上，進行晶圓或晶片之加工.(例如貫通孔形成、凸塊形成、重新佈線、晶圓之薄膜化、晶圓之切割)或晶片之積層(例如使鍍金熔融流動，將晶片間電性連接)後，將晶片自支撐體上剝離。
於此情形時，於基材之加工時，例如為了防止半導體晶片之破損或凸塊之破損，需求即使於高溫環境下亦可並不熔融地保護基材、亦即耐熱性優異之暫時固定材。
然而，於另一方面，於形成此種暫時固定材之情形時，必需使用熔融溫度高之樹脂，但通常情況下，所述樹脂容易溶解於極性高之溶劑中。因此，於使用極性高的溶劑作為晶片之加工時等所使用之製程溶劑之情形時，僅僅可使用對該溶劑具有高耐受性之樹脂作為暫時固定材之形成樹脂，樹脂選擇性差。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特表2010-506406號公報
[專利文獻2]美國公開專利公報2009/0218560號
本發明之課題在於提供於暫時固定材之中，與基材之形成有凸塊等之部分相接之層的樹脂選擇性亦豐富之基材的處理方法、以及與所述基材的處理方法相關之積層體、暫時固定用組成物及半導體裝置。
本發明者等人為了解決上述課題而進行了精心研究。其結果發現藉由具有以下構成之基材的處理方法可解決上述課題，從而完成本發明。亦即本發明是有關於例如以下之[1]~[6]。
[1]一種基材的處理方法，其依序包含：(1)介隔暫時固定材而將基材暫時固定於支撐體上，藉此而獲得中央部分(A)被支撐體、外周部分(B)及基材覆蓋之積層體的步驟，所述暫時固定材包含具有2層以上之層之中央部分(A)與耐溶劑性優異之外周部分(B)，所述外周部分(B)與所述支撐體的基材側之面的外周部、所述基材的支撐體側之面的外周部相接，且所述中央部分(A)與所述支撐體的基材側之面的外周部更內側之中央部、所述基材的支撐體側之面的外周部更內側之中央部相接；(2)對所述基材進行加工及/或使所述積層體移動的步驟；(3)藉由溶劑使所述暫時固定材之至少外周部分(B)溶解的步驟；以及(4)藉由對所述暫時固定材之剩餘部分進行加熱而自支撐體上剝離基材的 步驟。
[2]如上述[1]所述之基材的處理方法，其中所述中央部分(A)具有所述外周部分(B)及所述中央部分(A)各層中熔融溫度最高之層作為與基材相接之層。
[3]如上述[1]或[2]所述之基材的處理方法，其中，所述中央部分(A)的與支撐體相接之層的構成樹脂與所述外周部分(B)之構成樹脂相同。
[4]如上述[3]所述之基材的處理方法，其中所述步驟(1)包含：(1a)於所述支撐體的基材側之整個面上形成耐溶劑性優異之暫時固定材層(b)的步驟；(1b)於所述基材的支撐體側之面的中央部形成熔融溫度較所述暫時固定材層(b)更高的暫時固定材層(a)的步驟；以及(1c)以使暫時固定材層(b)及暫時固定材層(a)相對之方式將所述基材與所述支撐體對向配置，一面對所述暫時固定材層(b)進行加熱一面將暫時固定材層(b)與暫時固定材層(a)貼合，藉此形成包含暫時固定材層(b)之一部分的外周部分(B)、與包含暫時固定材層(b)之剩餘部分及暫時固定材層(a)的中央部分(A)的步驟。
[5]一種積層體，其是介隔暫時固定材而於支撐體上暫時固定有基材之積層體，所述暫時固定材包含耐溶劑性優異之外周部分(B)與具有2層以上之層之中央部分(A)，所述外周部分(B)與所述支撐體的基材側之面的外周部、所述基材的支撐體側之面的外周部相接，所述中央部分(A)與所述支撐體的基材側之面的 外周部更內側之中央部、所述基材的支撐體側之面的外周部更內側之中央部相接；且中央部分(A)被支撐體、外周部分(B)及基材覆蓋。
[6]一種半導體裝置，其藉由如上述[1]~[4]中任一項所述之基材的處理方法而獲得。
藉由本發明可提供即使於暫時固定材之中，與基材之形成有凸塊等之部分相接之層的樹脂選擇性亦豐富之基材的處理方法、以及與所述基材的處理方法相關之積層體、暫時固定用組成物及半導體裝置。
於本發明中，將暫時固定材之與製程溶劑接觸之部分(外周部分(B))設為耐溶劑性優異之層，因此於中央部分(A)之與基材(特別是凸塊)相接之層中，樹脂選擇性廣。若列舉一例，則於現有之暫時固定材僅僅包含1層之情形時，於製程溶劑為N-甲基-2-吡咯啶酮(NMP)之情形時，僅可使用熔融溫度高且對NMP具有耐受性之環烯烴樹脂，但於本發明中，亦可使用雖然熔融溫度高但對NMP並無耐受性之聚醯亞胺或聚醚碸等作為與基材相接之層的構成樹脂。
10‧‧‧支撐體
11‧‧‧中央部
12‧‧‧外周部
20‧‧‧基材
21‧‧‧凸塊
30‧‧‧中央部分(A)
31‧‧‧基材側層
32‧‧‧支撐體側層
40‧‧‧外周部分(B)
50、60‧‧‧基板
51‧‧‧矽晶圓
52、62‧‧‧塗膜
61‧‧‧玻璃基板
70‧‧‧積層體
w‧‧‧EBR寬
EBR‧‧‧邊緣球狀物去除
圖1中的(a)表示積層體之剖面圖之一例，圖1中的(b)是支撐體之透視圖。
圖2是基材的處理方法之一實施方式之說明圖(剖面圖)。
圖3是實施例中之基材的處理方法之一實施方式之說明圖(剖面圖)。
以下，對本發明之基材的處理方法、與所述基材的處理方法相關之積層體及暫時固定用組成物、以及藉由所述基材的處理方法而所得之半導體裝置加以說明。
於本發明中，所謂暫時固定材是指於對半導體晶圓等基材進行加工(例如切割、背面磨削、感光蝕刻加工(例如形成光阻圖案、利用鍍敷等形成金屬凸塊、利用化學氣相沈積(Chemical Vapor Deposition)等形成膜形、利用RIE等之加工))或移動(例如將基材自某裝置移動至其他之裝置)時，為了使基材並不自支撐體上偏移而移動而用以暫時固定基材之暫時固定材。
[基材的處理方法]
本發明之基材的處理方法依序包含如下步驟：(1)介隔包含中央部分(A)與外周部分(B)之暫時固定材而將基材暫時固定於支撐體上，藉此而獲得中央部分(A)被支撐體、外周部分(B)及基材覆蓋之積層體的步驟；(2)對所述基材進行加工及/或使所述積層體移動的步驟；(3)藉由溶劑使所述暫時固定材之至少外周部分(B)溶解的步驟；以及(4)藉由對所述暫時固定材之剩餘部分進行加熱而自支撐體 上剝離基材的步驟。
以下，亦將上述各步驟分別稱為步驟(1)~步驟(4)。此處，外周部分(B)是於步驟(1)之積層體中與支撐體的基材側之面的外周部、基材的支撐體側之面的外周部相接的耐溶劑性優異之部分。中央部分(A)是於步驟(1)之積層體中與支撐體的基材側之面的外周部更內側之中央部、基材的支撐體側之面的外周部更內側之中央部相接的具有2層以上之層之部分。
如上所述，於本發明中，藉由暫時固定材而將支撐體與基材暫時固定，所述暫時固定材包含：中央部分(A)、存在於所述中央部分(A)之徑向(是指與積層體之積層方向垂直的方向)之外方的外周部分(B)。因此，所得之積層體具有中央部分(A)被支撐體、外周部分(B)及基材覆蓋之結構。外周部分(B)由於耐溶劑性優異，因此可於中央部分(A)、亦即保護基材之凸塊等之部分中使用耐熱性優異但耐溶劑性差之樹脂，因此中央部分(A)中所使用之樹脂的選擇項廣泛。
[步驟(1)]
於步驟(1)中，介隔包含中央部分(A)與外周部分(B)之暫時固定材而將基材暫時固定於支撐體上，藉此而獲得具有支撐體/暫時固定材/基材之構成的積層體。於暫時固定材中，變得於中央部分(A)之徑向之外方存在有外周部分(B)。
於圖1的(a)中表示上述積層體之一實施方式的介隔暫時固定材而於支撐體10上暫時固定有具有凸塊21之基材20的積 層體。所述暫時固定材包含：耐溶劑性優異之外周部分40，所述外周部分40與支撐體10之外周部及基材20之外周部相接；中央部分30，包含與支撐體10之中央部相接的支撐體側層32及與基材20之中央部相接之基材側層31。中央部分30被支撐體10、外周部分40及基材20所覆蓋。
關於基材及支撐體之外周部及中央部，參照圖1的(b)而加以說明。於圖1的(b)中表示支撐體10之透視圖。支撐體10的基材20側之面包含中央部11與外周部12。如上所述，所謂外周部是基材及支撐體之各面的自周圍起於徑向上直至一定距離內側所佔的區域，所謂中央部是除去基材及支撐體之各面之外周部的區域。
(基材及支撐體〉
作為加工(移動)對象物之基材，例如可列舉半導體晶圓、玻璃基板、樹脂基板、金屬基板、金屬箔、研磨墊、樹脂塗膜。於半導體晶圓上通常形成有凸塊或配線、絕緣膜等。樹脂塗膜例如可列舉含有有機成分作為主成分之層；具體而言可列舉由感光性材料所形成之感光性樹脂層、由絕緣性材料所形成之絕緣性樹脂層、由感光性絕緣樹脂材料所形成之感光性絕緣樹脂層等。支撐體例如可列舉玻璃或矽等容易處理且硬而具有平坦之面者。
於基材上形成暫時固定材層時，為了使暫時固定材於面內之擴展均一，亦可對基材表面預先進行表面處理。表面處理之方法例如可列舉於基材表面上預先塗佈表面處理劑之方法。 表面處理劑例如可列舉3-胺基丙基三甲氧基矽烷、3-胺基丙基三乙氧基矽烷、2-胺基丙基三甲氧基矽烷、2-胺基丙基三乙氧基矽烷、N-(2-胺基乙基)-3-胺基丙基三甲氧基矽烷、N-(2-胺基乙基)-3-胺基丙基甲基二甲氧基矽烷、3-脲基丙基三甲氧基矽烷、3-脲基丙基三乙氧基矽烷、N-乙氧基羰基-3-胺基丙基三甲氧基矽烷、N-乙氧基羰基-3-胺基丙基三乙氧基矽烷、N-三乙氧基矽烷基丙基三伸乙基三胺、N-三甲氧基矽烷基丙基三伸乙基三胺、10-三甲氧基矽烷基-1,4,7-三氮雜癸烷、10-三乙氧基矽烷基-1,4,7-三氮雜癸烷、乙酸-9-三甲氧基矽烷基-3,6-二氮雜壬基酯、乙酸-9-三乙氧基矽烷基-3,6-二氮雜壬基酯、N-苄基-3-胺基丙基三甲氧基矽烷、N-苄基-3-胺基丙基三乙氧基矽烷、N-苯基-3-胺基丙基三甲氧基矽烷、N-苯基-3-胺基丙基三乙氧基矽烷、N-雙(氧基伸乙基)-3-胺基丙基三甲氧基矽烷、N-雙(氧基伸乙基)-3-胺基丙基三乙氧基矽烷、六甲基二矽氮烷(hexamethyldisilazane)等偶合劑。
〈外周部分(B)〉
於上述積層體中，暫時固定材之外周部分(B)將支撐體的基材側之面的外周部與基材的支撐體側之面的外周部暫時固定。外周部分(B)是耐溶劑性優異之部分。外周部分(B)是相對於基材處理時所使用之製程溶劑，保護中央部分(A)之特別是與基材相接之層。
相對於對基材進行加工之步驟中所可使用的製程溶劑的外周部分(B)之溶解度(23℃)較佳的是1 g/100 g以下。於此 情形時，外周部分(B)相對於製程溶劑之耐溶劑性優異。製程溶劑例如可列舉N-甲基-2-吡咯啶酮。
外周部分(B)例如可使用後述之含有熱塑性樹脂(H)與熱塑性樹脂(L)之暫時固定用組成物而形成。具體而言，於外周部分(B)之形成中可使用後述之暫時固定用組成物(bb)。
〈中央部分(A)〉
於上述積層體中，暫時固定材之中央部分(A)將支撐體的基材側之面的外周部更內側之中央部、與基材的支撐體側之面的外周部更內側之中央部暫時固定。中央部分(A)是具有2層以上之層的部分。
較佳的是中央部分(A)具有所述外周部分(B)及所述中央部分(A)各層中熔融溫度最高之層作為與基材相接之層(基材側最外層)。例如，於中央部分(A)包含2層之情形時，將熔融溫度最高之層作為中央部分(A)之基材側最外層。於此情形時，即使於基材之加工時等暴露於高溫環境下(例如225℃~300℃)之情形下，基材側最外層亦可不熔融地良好地保護基材之凸塊等。於此同時，於本發明中，即使於高溫環境下，對於基材處理時所附加之剪力，亦可維持保持基材時之保持力。。保持力例如藉由剪斷接著力進行評價。
而且，較佳的是於中央部分(A)中，與支撐體相接之層(支撐體側最外層)之熔融溫度比與基材相接之層(基材側最外層)之熔融溫度低。於此情形時，於基材之剝離時，藉由進行相應之 加熱處理可將基材自支撐體上剝離。另外，於剝離後亦會於基材上殘存中央部分(A)之一部分，於此情形時，可藉由溶劑清洗而容易地將中央部分(A)之剩餘部分自基材上除去。
於上述積層體中，中央部分(A)之層數為2層以上，較佳的是設為2層~5層，自良率提高之觀點考慮，更佳的是設為2層。所謂中央部分(A)包含2層之情形是指中央部分(A)包含熔融溫度高之層(以下亦稱為「高熔融溫度層」)與熔融溫度低於該高熔融溫度層之層(以下亦稱為「低熔融溫度層」)之情形。於此情形時，於後述之積層體之較佳之形成方法中，高熔融溫度層成為暫時固定材層(a)，低熔融溫度層成為暫時固定材層(b)。
基材側最外層或高熔融溫度層之熔融溫度通常為150℃~350℃。支撐體側最外層或低熔融溫度層之熔融溫度通常為40℃~250℃，較佳的是小於基材側最外層或高熔融溫度層之熔融溫度。於將各層設定為此種熔融溫度之情形時，耐熱性及低溫剝離性之提高變顯著。
於本發明中，中央部分(A)之各層的熔融溫度可藉由以下之手法而測定：於矽晶圓上形成或轉印暫時固定材之對應之層，使用流變儀(rheometer)(裝置名「AR-G2流變儀」、TA儀器(TA Instruments)日本股份有限公司製造、頻率=0.08 Hz)，將黏度成為1,000 Pa．s之溫度作為所形成之暫時固定材之對應之層的熔融溫度。
各層例如可使用後述之含有熱塑性樹脂(H)與視需要之 熱塑性樹脂(L)的暫時固定用組成物而形成。具體而言，基材側最外層或高熔融溫度層之形成可使用後述之暫時固定用組成物(aa)，支撐體側最外層或低熔融溫度層之形成可使用後述之暫時固定用組成物(bb)。
暫時固定材之總厚度可根據基材之暫時固定面之尺寸、加工處理等中所要求之密接性之程度而任意地選擇。暫時固定材之總厚度通常為0.01 μm~2 mm，較佳的是0.05 μm~1 mm，更佳的是0.1 μm~0.5 mm。而且，中央部分(A)之各層的厚度通常為0.1 μm~200 μm，較佳的是0.5 μm~150 μm。若暫時固定材之總厚度或中央部分(A)之各層之厚度為所述範圍，則保持力充分，亦可不產生基材自暫時固定面剝落之現象。
〈積層體之較佳之形成方法〉
上述積層體較佳的是例如藉由進行如下步驟而形成：(1a)於支撐體的基材側之整個面上形成耐溶劑性優異之暫時固定材層(b)的步驟；(1b)於基材的支撐體側之面的中央部形成熔融溫度較暫時固定材層(b)高的暫時固定材層(a)的步驟；以及(1c)以使暫時固定材層(b)及暫時固定材層(a)相對之方式將基材與支撐體對向配置，一面對暫時固定材層(b)進行加熱一面將暫時固定材層(b)與暫時固定材層(a)貼合，藉此形成包含暫時固定材層(b)之一部分的外周部分(B)、與包含暫時固定材層(b)之剩餘部分及暫時固定材層(a)的中央部分(A)的步驟(參照圖2的(1a)、圖2的(1b)、圖2的(1c)、圖2的(3)、圖2的 (4)、圖2的(5))。
以下，亦將上述各步驟分別稱為步驟(1a)~步驟(1c)。
另外，步驟(1a)及步驟(1b)之順序並無特別限定。
《步驟(1a)及步驟(1b)》
暫時固定材層(b)或暫時固定材層(a)之形成方法例如可列舉：(i)將包含暫時固定用組成物之暫時固定材層，直接形成於支撐體上及/或基材上的方法；(ii)使用暫時固定用組成物，於實施了脫模處理之聚對苯二甲酸乙二酯(Polyethylene Terephthalate，PET)膜上以一定膜厚進行成膜後，藉由層壓方式將所得之膜轉印於支撐體及/或基材上的方法。自膜厚均一性之方面考慮，較佳的是上述(i)之方法(參照圖2的(1a)及圖2的(1b))。
暫時固定用組成物之塗佈方法例如可列舉旋塗法、噴墨法。於旋塗法中，例如可列舉基於如下之條件而旋塗(Spin coating)暫時固定用組成物之方法：旋轉速度為300 rpm~3,500 rpm(較佳的是500 rpm~1,500 rpm)、加速度為500 rpm/sec~15,000 rpm/sec、旋轉時間為30 sec~300 sec。
塗佈暫時固定用組成物而形成塗膜後，例如可藉由加熱板等進行烘烤而使溶劑蒸發。至於烘烤之條件，例如溫度通常為150℃~275℃、較佳的是150℃~260℃，時間為2分鐘~15分鐘、更佳的是3分鐘~10分鐘。
於步驟(1b)中，亦可形成2層以上之暫時固定材層(a)。 於步驟(1b)中，例如於基材的支撐體側之整個面形成暫時固定材層，藉由邊緣球狀物去除(Edge Bead Removal，EBR)而將基材的支撐體側之面的外周部上之部分(暫時固定材層之外周部分)除去，藉此可於基材之中央部形成暫時固定材層(a)(參照圖2的(1b))。徑向中之外周部(EBR部分)之寬度通常為0.01 mm~10 mm、較佳的是0.1 mm~5 mm。
步驟(1a)及步驟(1b)中所使用之暫時固定用組成物例如可列舉含有熔融溫度高之熱塑性樹脂(以下亦稱為「熱塑性樹脂(H)」)與視需要之熔融溫度低之熱塑性樹脂(以下亦稱為「熱塑性樹脂(L)」)之組成物，適宜調整含有成分之調配比即可。該些樹脂之詳細如後所述。
例如藉由將熱塑性樹脂(H)作為基質，適宜調整熱塑性樹脂(L)之調配量，可調整暫時固定用組成物之熔融溫度(其中一例是若較多地調配熱塑性樹脂(L)，則可降低暫時固定用組成物之熔融溫度)。
於本發明中，暫時固定用組成物之熔融溫度可藉由以下之手法而測定：於矽晶圓上塗佈暫時固定用組成物而形成塗膜，其次使用加熱板於250℃下對所述塗膜進行10分鐘之加熱，形成800 μm之膜(暫時固定材層)，使用流變儀(裝置名「AR-G2流變儀」、TA儀器日本股份有限公司製造、頻率=0.08 Hz)，將黏度成為1,000 Pa．s之溫度作為暫時固定用組成物之熔融溫度。
於熔融溫度高之暫時固定材層(a)之形成中例如可使用 暫時固定用組成物(aa)，所述暫時固定用組成物(aa)含有至少1種熱塑性樹脂(H)與視需要之至少1種熱塑性樹脂(L)，熔融溫度為150℃~350℃、較佳的是200℃~350℃。
於耐溶劑性高之暫時固定材層(b)之形成中例如可使用暫時固定用組成物(bb)，所述暫時固定用組成物(bb)含有至少1種熱塑性樹脂(H)與至少1種熱塑性樹脂(L)，熔融溫度為40℃~300℃、較佳的是50℃~250℃，且不足所述暫時固定用組成物(aa)之熔融溫度。然而，於此情形時，較佳的是使用對基材處理中之製程溶劑具有高耐溶劑性之樹脂作為熱塑性樹脂(H)。於製程溶劑為N-甲基-2-吡咯啶酮之情形時，熱塑性樹脂(H)例如較佳的是環烯烴樹脂。
於暫時固定用組成物(aa)中，只要熔融溫度成為上述範圍內，也可以使用熱塑性樹脂(L)。於此情形時，相對於熱塑性樹脂(H)100質量份而言，使用通常為80質量份以下、較佳的是50質量份以下之熱塑性樹脂(L)。
而且，於暫時固定用組成物(bb)中，以熔融溫度成為上述範圍之方式而適宜調整熱塑性樹脂(H)及熱塑性樹脂(L)之含量，相對於熱塑性樹脂(H)100質量份而言，使用通常為1質量份~200質量份、較佳的是5質量份~100質量份之熱塑性樹脂(L)。
暫時固定用組成物之調製中可使用熱塑性樹脂之加工中所使用之公知之裝置，例如：雙軸擠出機、單軸擠出機、連續捏 合機、輥式混練機、擠壓捏合機、班伯里混合機(Banbury mixer)。
於暫時固定用組成物之調製中，於將該組成物之黏度設定為適於塗佈之範圍的方面而言，較佳的是使用溶劑。溶劑可根據熱塑性樹脂之種類而適宜選擇，可使用1種或2種以上。
溶劑例如可列舉檸檬烯(limonene)、均三甲苯(mesitylene)、雙戊烯、蒎烯、聯環己烷、環十二烯、1-第三丁基-3,5-二甲基苯、丁基環己烷、環辛烷、環庚烷、環己烷、甲基環己烷等烴類，苯甲醚、丙二醇單甲醚、二丙二醇甲醚、二乙二醇單乙醚、二乙二醇二甲醚等醇/醚類，碳酸乙二酯(ethylene carbonate)、乙酸乙酯、乙酸正丁酯、乳酸乙酯、3-乙氧基丙酸乙酯、丙二醇單甲醚乙酸酯、二乙二醇單乙醚乙酸酯、碳酸丙二酯(propylene carbonate)、γ-丁內酯等酯/內酯類，環戊酮、環己酮、甲基異丁基酮、2-庚酮等酮類，N-甲基-2-吡咯啶酮等醯胺/內醯胺類。
暫時固定用組成物含有溶劑，因此變得容易調整黏度，因此變得容易於基材或支撐體上形成暫時固定劑層。例如可以暫時固定用組成物之溶劑以外之所有成分濃度(固形物濃度)成為通常5質量%~80質量%之比例而使用溶劑。
而且，暫時固定用組成物亦可視需要含有密接助劑；氧化鋁、氧化鋯、氧化鈦、氧化矽等金屬氧化物粒子；聚苯乙烯交聯粒子等。
《步驟(1c)》
暫時固定材層(b)之加熱溫度可根據各暫時固定用組成物之含有成分、塗佈方法等而適宜選擇，通常為50℃~300℃、較佳的是150℃~250℃。例如藉由於所述溫度下附加0.5分鐘~15分鐘、0.01 MPa~1 MPa之力而進行壓接即可。藉此而使基材上之暫時固定材層(a)所被除去的空間部分(EBR部分)成為佔據暫時固定材層(b)之一部分者(參照圖2的(1c))。
如上所述而獲得基材鞏固地保持於支撐體上之積層體。於所述積層體中，中央部分(A)的與支撐體相接之層的構成樹脂與外周部分(B)之構成樹脂變得相同。
《關於熱塑性樹脂(H)及熱塑性樹脂(L)》
以下，對熱塑性樹脂(H)及熱塑性樹脂(L)加以說明。
〈熱塑性樹脂(H)〉
熔融溫度高之熱塑性樹脂(H)例如可列舉環烯烴樹脂、聚醚碸、聚碳酸酯、聚醯亞胺、及該些之2種以上之混合樹脂。中央部分(A)之構成樹脂(例如形成暫時固定材層(a)之暫時固定用組成物(aa)之含有樹脂)可任意地使用該些樹脂，樹脂選擇性優異。外周部分(B)之構成樹脂(例如形成暫時固定材層(b)之暫時固定用組成物(bb)之含有樹脂)必須根據基材處理中所使用之製程溶劑而選擇耐溶劑性高之樹脂，於此方面而言較佳的是環烯烴樹脂。
熱塑性樹脂(H)之熔融溫度通常為100℃以上、較佳的是150℃~350℃、更佳的是200℃~350℃。藉由使用熔融溫度處 於所述範圍內之熱塑性樹脂(H)，可較高地設定所形成之層之熔融溫度。
《環烯烴樹脂》
作為熱塑性樹脂(H)之較佳例的環烯烴樹脂例如可列舉環狀烯烴與非環狀烯烴之加成共聚物、1種或2種以上之環狀烯烴之開環複分解(metathesis)聚合物、對所述開環複分解聚合物進行氫化而所得之聚合物。此種環烯烴樹脂之合成方法於現在公知。
環狀烯烴例如可列舉降莰烯系烯烴、四環十二烯系烯烴、二環戊二烯系烯烴、及該些之衍生物。所述衍生物例如可列舉烷基(較佳的是碳數為1~20之烷基、更佳的是碳數為1~10之烷基)、亞烷基(較佳的是碳數為1~20之亞烷基、更佳的是碳數為1~10之亞烷基)、芳烷基(較佳的是碳數為6~30之芳烷基、更佳的是碳數為6~18之芳烷基)、環烷基(較佳的是碳數為3~30之環烷基、更佳的是碳數為3~18之環烷基)、羥基、烷氧基(較佳的是碳數為1~10之烷氧基)、乙醯基、氰基、醯胺基、醯亞胺基、矽烷基、芳香環、醚鍵、及酯鍵等之取代衍生物。
環狀烯烴之較佳例可列舉式(1)所表示之化合物。
式(1)中之取代基如下所述：R1及R2分別獨立地為氫或烷基(較佳的是碳數為1~20之烷基、更佳的是碳數為1~10之烷基)。R3分別獨立地為氫、烷基(較佳的是碳數為1~20之烷基、更佳的是碳數為1~10之烷基)、環烷基(較佳的是碳數為3~30之環烷基、更佳的是碳數為3~18之環烷基)、芳基(較佳的是碳數為6~18之芳基)、芳烷基(較佳的是碳數為6~30之芳烷基、更佳的是碳數為6~18之芳烷基)、烷氧基(較佳的是碳數為1~10之烷氧基)、烷氧基羰基(較佳的是碳數為2~11之烷氧基羰基)、醛基、乙醯基、腈基。
而且，2個R3亦可相互鍵結而形成單環或多環。於此情形時之環狀烯烴例如可列舉式(2)~式(7)中所表示之化合物。
式(2)~(7)中之取代基如下所示：R1及R2分別獨立地為氫或烷基(較佳的是碳數為1~20之烷基、更佳的是碳數為1~10之烷基)。R4分別獨立地為氫、烷基(較佳的是碳數為1~20之烷基、更佳的是碳數為1~10之烷基)、環烷基(較佳的是碳數為3~30之環烷基、更佳的是碳數為3~18之環烷基)、芳基(較佳的是碳數為6~18之芳基)、芳烷基(較佳的是碳數為6~30之芳烷 基、更佳的是碳數為6~18之芳烷基)、烷氧基(較佳的是碳數為1~10之烷氧基)、烷氧基羰基(較佳的是碳數為2~11之烷氧基羰基)、醛基、乙醯基、腈基。
非環狀烯烴可列舉碳數為2~20、較佳的是2~10之直鏈狀或分支鏈狀之烯烴，更佳的是乙烯、丙烯、丁烯，特佳的是乙烯。
加成共聚物
環狀烯烴與非環狀烯烴之加成共聚物例如為具有式(I)所表示之結構單元與源自非環狀烯烴之結構單元(基於非環狀烯烴之聚合性雙鍵之反應的結構單元)的聚合物。
式(I)中之R1~R3分別與式(1)中之R1~R3同義。
加成共聚物之市售品例如可列舉TOPAS ADVANCED POLYMERS公司製造之「TOPAS」、三井化學股份有限公司製造之「APEL」。
開環複分解聚合物及其氫化物
1種或2種以上環狀烯烴之開環複分解聚合物例如為具有式(II)所表示之結構單元的聚合物，對所述開環複分解聚合物進行氫化而所得之聚合物例如為具有式(III)所表示之結構單元的聚合物。
式(II)及式(III)中之R1~R3分別與式(1)中之R1~R3同義。
開環複分解聚合物之市售品例如可列舉日本瑞翁(ZEON)股份有限公司製造之「ZEONOR」或「ZEONEX」、JSR 股份有限公司製造之「ARTON」。
環烯烴樹脂之藉由凝膠滲透層析(gel permeation chromatography，GPC)法而測定之重量平均分子量(Mw)以聚苯乙烯換算計而言通常為10000~100000，較佳的是30000~100000。將環烯烴樹脂之藉由凝膠滲透層析(GPC)法而測定之數量平均分子量設為Mn時，以Mw/Mn所表示之分子量分布通常為2~4、較佳的是3~4。
《聚醚碸》
作為熱塑性樹脂(H)之較佳例的聚醚碸與金屬或玻璃等基材之密接性或接著性優異，而且耐熱性、耐化學品性、化學穩定性、機械強度及阻燃性優異。
聚醚碸例如可列舉日本專利特開2006-89595號公報、日本專利特開2004-352920號公報、日本專利特開2002-338688號公報、日本專利特開平07-97447號公報及日本專利特開平04-20530號公報中所記載之聚醚碸。
藉由使用聚醚碸中之於聚合物中具有芳烴結構的聚醚碸，容易獲得具有如下性質之暫時固定材：暫時固定材之結晶性上升，即使於某一定溫度以上之高溫環境下對於基材之處理時所附加之剪力亦可維持保持基材之剪斷接著力。具有該芳烴結構之聚醚碸例如可列舉具有式(IV)所表示之結構單元的聚醚碸。
於式(IV)中，R1~R3是具有芳烴結構之2價之有機基，但式(IV)中之結合鍵直接鍵結於R1~R3中之芳烴結構上(亦即，式(IV)中之-O-R1-O-、-O-R2-SO2-及-SO2-R3-O-中之-O-及-SO2-直接鍵結於R1~R3中之芳烴結構上)。R1~R3可分別相同亦可不同。
上述2價之有機基例如可列舉伸苯基、萘二基、蒽二基及芘二基(pyrenediyl)等伸芳基；-C6H4-C6H4-等之2個伸芳基直接鍵合而成之基；式(IV-1)~式(IV-3)所表示之於2個伸芳基之間具有2價烴基之基等。
於式(IV-1)~式(IV-3)中，*表示結合鍵。
聚醚碸亦可使用市售品。聚醚碸(A)之市售品例如可列舉BASF公司製造之「UltrazoneE系列」、蘇威高性能聚合物(Solvay Advanced Polymers)公司製造之「RADEL A系列」、住友化學公司製造之「SUMIKAEXCEL系列」。「SUMIKAEXCEL系列」例如可列舉SUMIKAEXCEL(註冊商標)PES3600P、SUMIKAEXCEL(註冊商標)PES4100P、SUMIKAEXCEL(註冊商標)PES4100MP、SUMIKAEXCEL(註冊商標)PES4800P、SUMIKAEXCEL(註冊商標)PES5003P、SUMIKAEXCEL(註冊商標)PES5200P、SUMIKAEXCEL(註冊商標)PES5400P。
聚醚碸之藉由GPC法而測定之重量平均分子量(Mw)以聚苯乙烯換算計而言通常為1,000~1,000,000、較佳的是5,000~500,000。將聚醚碸之藉由GPC法而測定之數量平均分子量設為Mn時，以Mw/Mn而表示之分子量分布通常為1~5、較佳的是1~3.5。
《聚碳酸酯》
作為熱塑性樹脂(H)之較佳例的聚碳酸酯例如可列舉：聚碳酸乙烯酯、聚碳酸丙烯酯、1,2-聚丁烯碳酸酯、1,3-聚丁烯碳酸酯、1,4-聚丁烯碳酸酯、順-2,3-聚丁烯碳酸酯、反-2,3-聚丁烯碳酸酯、α,β-聚異丁烯碳酸酯、α,γ-聚異丁烯碳酸酯、順-1,2-聚環丁烯碳酸酯、反-1,2-聚環丁烯碳酸酯、順-1,3-聚環丁烯碳酸酯、反-1,3-聚 環丁烯碳酸酯、聚己烯碳酸酯、聚環丙烯碳酸酯、聚環己烯碳酸酯、聚(甲基環己烯碳酸酯)、聚(乙烯基環己烯碳酸酯)、聚二氫萘碳酸酯、聚六氫苯乙烯碳酸酯、聚環己烷丙烯碳酸酯、聚苯乙烯碳酸酯、聚(3-苯基丙烯碳酸酯)、聚(3-三甲基矽氧基丙烯碳酸酯)、聚(3-甲基丙烯醯氧基丙烯碳酸酯)、聚全氟丙烯碳酸酯、聚降莰烯碳酸酯、聚(1,3-環己烯碳酸酯)、及該些之2種以上之組合。
聚碳酸酯之藉由GPC法而測定之重量平均分子量(Mw)以聚苯乙烯換算計而言通常為5000~100000、較佳的是10000~100000。於將聚碳酸酯之藉由GPC法而測定之數量平均分子量設為Mn時，以Mw/Mn而表示之分子量分布通常為2~4、較佳的是2.5~4。
《聚醯亞胺》
作為熱塑性樹脂(H)之較佳例的聚醯亞胺例如可列舉具有式(V)所表示之結構單元(較佳的是式(V')所表示之結構單元)的聚醯亞胺、具有式(VI)所表示之結構單元的聚醯亞胺。
於式(V)中，X表示碳數為1~50之四價之有機基。
於式(V)中，Y表示碳數為1~50之二價之有機基。
於式(V')中，X'是-O-R1-O-、-C(CF3)2-或-SO2-所表示之基，此處R1是碳數為1~6之經烷基取代或未經取代的伸苯基、-Ph-C(CH3)2-Ph-或-Ph-S-Ph-所表示之基(Ph表示1,4-伸苯基)。
於式(V')中，Y'是源自選自由如下化合物所構成之群組的化合物之二價基：苯基碸，碳數較佳的是6~60、更佳的是6~30、進一步更佳的是6~24之芳香族化合物，碳數較佳的是2~15、更佳的是2~10、進一步更佳的是2~6之脂肪族化合物，及碳數較佳的是4~60、更佳的是4~20、進一步更佳的是4~12之脂環式化合物。
於式(VI)中，Z是碳數為1~50之有機基，較佳的是具有矽氧鍵之有機基或具有醚鍵之有機基。
具有矽氧鍵之有機基例如可列舉下述式所表示之基。
於式中，多個存在之R1分別獨立地為氫、烷基(較佳的是碳數為1~10、更佳的是碳數為1~2之烷基)或苯基；多個存在之R2分別獨立地為伸烷基(較佳的是碳數為1~10、更佳的是碳數為1~2之伸烷基)或伸苯基；m是1~6之整數；n是1~50、較佳的是1~20、更佳的是1~10之整數。
具有醚鍵之有機基例如可列舉下述式所表示之基。
較佳的是聚醯亞胺具有烴基，源自選自芳香族單胺、脂肪族單胺、脂環式單胺及鄰苯二甲酸酐之至少1種化合物之封端基。
〈熱塑性樹脂(L)〉
熔融溫度低之熱塑性樹脂(L)例如可列舉石油樹脂、酚醛清漆樹脂、苯酚芳烷基樹脂、及該些之混合物。該些樹脂中，為了容易控制與熱塑性樹脂(H)之相溶性，較佳的是石油樹脂及苯酚芳烷基樹脂。而且可使用苯乙烯-丁二烯橡膠、異戊二烯-丁二烯橡膠及該些之氫化物、以及乙烯-丙烯橡膠等液狀橡膠；製程油(process oil)等。
熱塑性樹脂(L)之熔融溫度通常為200℃以下、較佳的是30℃~150℃、更佳的是50℃~100℃。藉由適宜調配熔融溫度為所述範圍內之熱塑性樹脂(L)，可較低地設定所形成之層的熔 融溫度。
《石油樹脂》
作為熱塑性樹脂(L)之較佳例之石油樹脂例如可列舉C5系石油樹脂、C9系石油樹脂、C5系/C9系混合石油樹脂、環戊二烯系樹脂、經乙烯基取代之芳香族化合物之聚合物、烯烴與經乙烯基取代之芳香族化合物之共聚物、環戊二烯系化合物與經乙烯基取代之芳香族化合物之共聚物、該些之氫化物、及該些之混合物。該些中較佳的是C5系石油樹脂、C9系石油樹脂、C5系/C9系混合石油樹脂、環戊二烯系樹脂、經乙烯基取代之芳香族化合物之聚合物、該些之氫化物、及該些之混合物。C5系石油樹脂較佳的是脂肪族系樹脂，C9系石油樹脂較佳的是脂環族系樹脂。該些中特佳的是C9系石油樹脂、環戊二烯系樹脂、該些之氫化物、及該些之混合物。
石油樹脂之藉由GPC法而測定的重量平均分子量(Mw)以聚苯乙烯換算計而言通常為20000以下、較佳的是100~20000、更佳的是200~10000、特佳的是300~5000。
《酚醛清漆樹脂》
作為熱塑性樹脂(L)之較佳例的酚醛清漆樹脂例如可藉由使酚類與醛類於觸媒(例如草酸)之存在下進行縮合而獲得。
酚類例如可列舉苯酚、鄰甲酚、間甲酚、對甲酚、鄰乙基苯酚、間乙基苯酚、對乙基苯酚、鄰丁基苯酚、間丁基苯酚、對丁基苯酚、2,3-二甲苯酚、2,4-二甲苯酚、2,5-二甲苯酚、2,6- 二甲苯酚、3,4-二甲苯酚、3,5-二甲苯酚、2,3,5-三甲基苯酚、3,4,5-三甲基苯酚、兒茶酚(catechol)、間苯二酚、鄰苯三酚(pyrogallol)、α-萘酚、β-萘酚。
醛類例如可列舉甲醛、低聚甲醛(paraformaldehyde)、乙醛、苯甲醛等。
酚醛清漆樹脂之較佳之具體例可列舉苯酚/甲醛縮合酚醛清漆樹脂、甲酚/甲醛縮合酚醛清漆樹脂、苯酚-萘酚/甲醛縮合酚醛清漆樹脂。
酚醛清漆樹脂之藉由GPC而測定之重量平均分子量(Mw)以聚苯乙烯換算計而言通常2000以上、較佳的是2000~20000。於將酚醛清漆樹脂之藉由GPC法而測定之數量平均分子量設為Mn時，以Mw/Mn而表示之分子量分布通常為1~10、較佳的是1.5~5。
《苯酚芳烷基樹脂》
作為熱塑性樹脂(L)之較佳例的苯酚芳烷基樹脂，並無特別限定，可使用現有公知之樹脂。
[步驟(2)]
步驟(2)是對如上所述地暫時固定於支撐體上之基材進行加工及/或使積層體移動的步驟。移動步驟是將基材(例如半導體晶圓)與支撐體一同自某裝置向其他裝置移動的步驟。而且，如上所述地暫時固定於支撐體上之基材之加工處理例如可列舉基材之薄膜化(例如背面磨削)；包含選自蝕刻加工、濺鍍膜之形成、鍍 敷處理及回流鍍敷處理等之一種以上處理的感光蝕刻加工；以及切割。
於步驟(2)中，多數情況下使用各種製程溶劑，該製程溶劑變得與暫時固定材接觸。於本發明中，暫時固定材具有對所述製程溶劑具有耐受性之外周部分(B)，因此保護了中央部分(A)。因此，並不受到所述製程溶劑之限制，中央部分(A)之樹脂選擇性較大程度地變廣。
而且，於感光蝕刻加工中，必須對回流鍍敷處理等具有耐受性(耐熱性)。如上所述，使用具有本發明之構成之暫時固定材之基材的處理方法與現有之基材的處理方法相比而言，於耐熱性之方面而言優異。
基材之加工處理只要於並不失去暫時固定材之保持力的溫度下進行則並無特別限定。於本發明中，上述暫時固定材層於低溫及高溫環境下均具有於加工處理時可保持(或保護)基材之保持力。
於以下，作為基材之加工處理，將製造積層晶片時所進行之加工處理作為一例而進行說明。於積層晶片之製造中，形成相對於半導體晶圓之表面而言垂直之方向上延伸之貫通電極，於該貫通電極之端部或配線上形成焊墊電極或凸塊等連接用電極。藉由將如上所述而形成之連接用電極彼此之間連接，將所積層之半導體晶片相互間連接。
(i)於步驟(1)中介隔暫時固定材而暫時固定於支撐體 上之包含半導體晶圓之基材上塗佈抗蝕劑，進行曝光處理及顯影處理，形成圖案化為規定形狀之抗蝕劑層。例如於基材上形成多個圓形狀之抗蝕劑圖案即可。
(ii)將抗蝕劑層作為遮罩，對基材之圖案化為規定形狀之部分進行蝕刻，形成開口部(孔)。其後，藉由剝離液或灰化(例如O2灰化)等而將抗蝕劑層剝離。蝕刻可使用乾式蝕刻或濕式蝕刻。
(iii)於基材之形成有開口部之面上形成包含SiO2等之絕緣層。
(iv)為了防止導體向絕緣層擴散，藉由濺鍍而形成包含TiW及TiN等之阻障層。其次，藉由濺鍍形成包含銅等之晶種層。
(v)於基材之形成有開口部之面上塗佈抗蝕劑，進行曝光處理及顯影處理，形成圖案化為與基材之開口部對應之形狀的抗蝕劑層。其次，實施鍍敷處理(Sn/Cu鍍敷等)，於基材之開口部填充導體，形成貫通電極。其後，將抗蝕劑層除去，藉由乾式蝕刻而除去阻障層及晶種層。
(vi)於如上所述地進行了加工處理之基材之貫通電極上，藉由回流形成焊墊電極或凸塊等連接用電極。其次，藉由將所形成之連接用電極彼此之間連接，可將所積層之半導體晶片相互間連接。
[步驟(3)]
於基材之加工處理或積層體之移動後，於上述積層體中，藉 由溶劑使暫時固定材之至少外周部分(B)溶解而將其除去(參照圖2的(3))。此處所使用之溶劑只要為可溶解耐溶劑性高之外周部分(B)的溶劑則並無特別限定，例如可列舉所述暫時固定用組成物之調製中所使用之溶劑，可使用1種或2種以上。
於使用環烯烴樹脂作為外周部分(B)之構成樹脂之情形時，較佳的是使用均三甲苯、檸檬烯、雙戊烯、蒎烯、聯環己烷、環十二烯、1-第三丁基-3,5-二甲基苯、丁基環己烷、環辛烷、環庚烷、環己烷、甲基環己烷等烴類作為溶劑。
溶解除去方法例如可列舉將上述積層體浸漬於溶劑中之方法、於上述積層體上噴霧溶劑之方法、及一面將上述積層體浸漬於溶劑中一面施加超音波之方法。溶劑之溫度並無特別限定，較佳的是20℃~80℃、更佳的是20℃~50℃。於將上述積層體浸漬於溶劑中之情形時，浸漬時間通常為0.5分鐘~30分鐘。
[步驟(4)]
於暫時固定材之外周部分(B)之溶解除去後，藉由對暫時固定材之剩餘部分(通常為中央部分(A))進行加熱而將基材自支撐體上剝離(參照圖2的(4))。一面如上所述地藉由加熱處理而使中央部分(A)之各層中的至少支撐體側最外層之接著力減低，一面藉由使支撐體與基材於相對於其暫時固定面(支撐體之表面)而言為大致水平方向上錯開等之剪斷處理(通常為0.01 N/cm2~5 N/cm2、較佳的是0.02 N/cm2~0.5 N/cm2)，將基材自支撐體上剝離即可，或者於相對於支撐體之表面而言垂直之方向上將基材剝 離即可。
例如於使基材向相對於支撐體之表面而言水平方向滑動之同時，對支撐體附加固定支撐體或者反抗所述基材上所附加之力的力，藉此將基材自支撐體上剝離。另外，於本發明中所謂「剪斷」是指使力作用於支撐體與基材之暫時固定面之大致平行方向上。
加熱處理之溫度條件是暫時固定材之支撐體側最外層之熔融溫度(於本段落中稱為「Tm」)以上、較佳的是Tm以上Tm+200℃以下、更佳的是Tm以上Tm+100℃以下。
另外，於剝離後之基材上殘存暫時固定材之情形時，可藉由調製上述暫時固定用組成物時所可使用之1種或2種以上溶劑進行清洗而將其除去(參照圖2的(5))。清洗方法可列舉將基材浸漬於清洗液中之方法、對基材噴霧清洗液之方法、一面將基材浸漬於清洗液中一面施加超音波之方法等。清洗液之溫度並無特別限定，較佳的是20℃~80℃、更佳的是20℃~50℃。
溶劑例如可列舉檸檬烯、均三甲苯、雙戊烯、蒎烯、聯環己烷、環十二烯、1-第三丁基-3,5-二甲基苯、丁基環己烷、環辛烷、環庚烷、環己烷、甲基環己烷等烴類；苯甲醚、丙二醇單甲醚、二丙二醇甲醚、二乙二醇單乙醚、二乙二醇二甲醚等醇/醚類；碳酸乙二酯、乙酸乙酯、乙酸正丁酯、乳酸乙酯、3-乙氧基丙酸乙酯、丙二醇單甲醚乙酸酯、二乙二醇單乙醚乙酸酯、碳酸丙二酯、γ-丁內酯等酯/內酯類；環戊酮、環己酮、甲基異丁基酮、2- 庚酮等酮類，N-甲基-2-吡咯啶酮等醯胺/內醯胺類。
[積層體]
本發明之積層體例如可藉由上述基材的處理方法之過程而形成。
本發明之積層體是介隔暫時固定材而於支撐體上暫時固定有基材之積層體，具有如下之結構：暫時固定材包含耐溶劑性優異之外周部分(B)與具有2層以上之層之中央部分(A)，所述外周部分(B)與支撐體的基材側之面的外周部、基材的支撐體側之面的外周部相接，所述中央部分(A)與支撐體的基材側之面的外周部更內側之中央部、基材的支撐體側之面的外周部更內側之中央部相接；且中央部分(A)被支撐體、外周部分(B)及基材覆蓋。
於本發明中，例如可藉由300℃以下之溫度而可將基材暫時固定，且即使於高溫環境下(例如225℃以上、具體而言為225℃~300℃)亦可維持於基材之處理時可保持(或保護)基材之保持力。保持力例如藉由剪斷接著力進行評價。如上所述，本發明之積層體對基材之處理(加工及/或移動等)時所施加之剪力具有充分之保持力(剪斷接著力)。於本發明中，於25℃附近所使用之基材之薄膜化、感光蝕刻加工(例如於25℃~300℃之溫度範圍所使用之蝕刻加工或濺鍍膜之形成、於225℃~300℃之溫度範圍所使用之鍍敷處理或回流鍍敷處理)等中亦可將基材保持於支撐體上。
另外，於本發明中，於中央部分(A)，於支撐體側最外層之熔融溫度附近或其以上之溫度下剪斷接著力降低(但如上所 述地相對於基材之處理時所附加之程度的剪力而言，可保持基材)，因此藉由進行相應之加熱處理及剪斷處理，例如於支撐體側最外層內產生剝離現象，從而可容易地將基材自支撐體上剝離。
構成本發明之積層體的暫時固定材具有上述特性(例如於300℃以下之暫時固定性、耐熱性、易剝離性)，且具有蝕刻時之耐自由基性、形成絕緣膜時或回流時之耐熱性、及濺鍍時之耐真空性。
本發明之積層體具有此種特性，因此適於現代之經濟活動之情形時所要求之各種加工處理(例如各種材料表面之微細化加工處理、各種表面安裝、半導體晶圓或半導體元件之搬運)等中。
[半導體裝置]
本發明之半導體裝置可藉由本發明之基材的處理方法而獲得。上述暫時固定材於半導體元件等半導體裝置之剝離時容易地除去，因此所述半導體元件等半導體裝置可極力減低由於暫時固定材所造成之污染(例如斑點、焦糊)。而且，本發明之半導體裝置可極力減低基材自身或基材所具有之各構件之破損、損耗。
[實施例]
以下，基於實施例而對本發明之一實施方式加以更具體的說明。
1.暫時固定材之準備 1-1.暫時固定用組成物
使用下述暫時固定用組成物作為用以形成暫時固定材之組成物。
[調製例1]暫時固定用組成物1之調製
藉由將100質量份之聚醚碸(商品名「SUMIKAEXCEL PES5003P」、住友化學公司製造)、25質量份之苯酚芳烷基樹脂(商品名「MILEX XLC-3L」、三井化學股份有限公司製造)、500質量份之N-甲基-2-吡咯啶酮加以混合而調製暫時固定用組成物1。
[調製例2]暫時固定用組成物2之調製
藉由將50質量份之環烯烴聚合物(商品名「Zeonex 480R」、日本瑞翁股份有限公司製造)、50質量份之氫化C9系石油樹脂(商品名「Alcon P-140」、荒川化學工業股份有限公司製造)、400質量份之均三甲苯加以混合而調製暫時固定用組成物2。
1-2.暫時固定用組成物及暫時固定材各層之熔融溫度之測定
於矽晶圓上塗佈上述暫時固定用組成物1而形成塗膜，其次使用加熱板於250℃下對所述塗膜進行10分鐘之加熱，形成800 μm之膜(暫時固定材層1)。使用流變儀(裝置名「AR-G2流變儀」、TA儀器日本股份有限公司製造、頻率=0.08 Hz)測定黏度成為1,000 Pa．s之溫度(熔融溫度)，結果是250℃~280℃。
於矽晶圓上塗佈上述暫時固定用組成物2而形成塗膜，其次使用加熱板於250℃下對所述塗膜進行10分鐘之加熱，形成800 μm之膜(暫時固定材層2)。與上述同樣地測定黏度成為1,000 Pa．s之溫度(熔融溫度)，結果是200℃~210℃。
1-3.暫時固定材之耐溶劑性
於矽晶圓上塗佈上述暫時固定用組成物1而形成塗膜，其次使用加熱板於250℃下對所述塗膜進行10分鐘之加熱，形成40 μm之膜(暫時固定材層)。將其浸漬於溶劑(NMP)中(23℃、0.5小時)。其結果暫時固定材層並不溶解於NMP中。
於矽晶圓上塗佈上述暫時固定用組成物2而形成塗膜，其次使用加熱板於250℃下對所述塗膜進行10分鐘之加熱，形成40 μm之膜(暫時固定材層)。將其浸漬於溶劑(NMP)中(23℃、0.5小時)。其結果暫時固定材層並不溶解於NMP中，確認由暫時固定用組成物2所形成之暫時固定材層具有耐溶劑性。
2.評價 [實驗例1](參照圖3的(a)、圖3的(b)、圖3的(c))
藉由旋塗法將暫時固定用組成物1塗佈於直徑4吋之矽晶圓51上，使用加熱板於250℃下進行10分鐘之加熱，獲得具有矽晶圓51、厚度為40 μm且EBR寬為1 mm之塗膜52(暫時固定材層1)的基板50。
其次，藉由旋塗法將暫時固定用組成物2塗佈於直徑4吋之玻璃基板61上，使用加熱板於250℃下進行10分鐘之加熱，獲得具有玻璃基板61、於玻璃基板61之整個面上所形成之厚度為60 μm之塗膜62(暫時固定材層2)的基板60。
以暫時固定材層1與暫時固定材層2相接之方式將基板 50與基板60貼合，使用晶片接合裝置(die bonders)，於250℃下施加50 N之力90秒，獲得介隔暫時固定材而積層有矽晶圓51與玻璃基板61之圖3的(c)所示之實驗例1之積層體70。
將該積層體浸漬於溶劑(NMP)中(23℃、0.5小時)。
對於浸漬後之積層體，使用萬能黏結強度試驗機(bond tester)(商品名「Dage 4000」、Dage公司製造)，對玻璃基板及矽晶圓於與玻璃基板平行之方向施加剪力(以500 μm/sec之速度、於23℃下20 N/cm2)，確認並不偏移地保持矽晶圓及玻璃基板。
將上述附加剪力後之積層體浸漬於溶劑(均三甲苯)中(23℃、0.5小時)，藉此將外周部分溶解除去。
對於溶解除去後之積層體，使用萬能黏結強度試驗機(商品名「Dage 4000」、Dage公司製造)，對玻璃基板及矽晶圓於與玻璃基板平行之方向施加剪力(以500 μm/sec之速度、於250℃下1 N/cm2以下)，結果可將矽晶圓自玻璃基板上剝離。
將剝離後之矽晶圓，於23℃下浸漬於均三甲苯中10分鐘，其次於23℃下浸漬於NMP中0.5小時。確認浸漬後之矽晶圓上是否殘存暫時固定材層1及暫時固定材層2，結果確認並未殘存暫時固定材層1及暫時固定材層2。
10‧‧‧支撐體
20‧‧‧基材
21‧‧‧凸塊
30‧‧‧中央部分(A)
31‧‧‧基材側層
32‧‧‧支撐體側層
40‧‧‧外周部分(B)
EBR‧‧‧邊緣球狀物去除

Claims (6)

  1. 一種基材的處理方法，其依序包括：(1)介隔暫時固定材而將基材暫時固定於支撐體上，藉此而獲得中央部分(A)被所述支撐體、外周部分(B)及所述基材覆蓋之積層體的步驟，所述暫時固定材包含具有2層以上之層之所述中央部分(A)與耐溶劑性優異之所述外周部分(B)，所述外周部分(B)與所述支撐體的基材側之面的外周部、所述基材的支撐體側之面的外周部相接，且所述中央部分(A)與所述支撐體的基材側之面的外周部更內側之中央部、所述基材的支撐體側之面的外周部更內側之中央部相接；(2)對所述基材進行加工及/或使所述積層體移動的步驟；(3)藉由溶劑使所述暫時固定材之至少所述外周部分(B)溶解的步驟；以及(4)藉由對所述暫時固定材之剩餘部分進行加熱而自所述支撐體上剝離所述基材的步驟。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之基材的處理方法，其中所述中央部分(A)具有所述外周部分(B)及所述中央部分(A)各層中熔融溫度最高之層作為與所述基材相接之層。
  3. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之基材的處理方法，其中所述中央部分(A)的與所述支撐體相接之層的構成樹脂與所述外周部分(B)之構成樹脂相同。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之基材的處理方法，其中所述 步驟(1)包括：(1a)於所述支撐體的所述基材側之整個面上形成耐溶劑性優異之暫時固定材層(b)的步驟；(1b)於所述基材的所述支撐體側之面的中央部形成熔融溫度比所述暫時固定材層(b)更高的暫時固定材層(a)的步驟；以及(1c)以使所述暫時固定材層(b)及所述暫時固定材層(a)相對之方式將所述基材與所述支撐體對向配置，一面對所述暫時固定材層(b)進行加熱一面將所述暫時固定材層(b)與所述暫時固定材層(a)貼合，藉此形成包含所述暫時固定材層(b)之一部分的所述外周部分(B)、與包含所述暫時固定材層(b)之剩餘部分及所述暫時固定材層(a)的所述中央部分(A)的步驟。
  5. 一種積層體，其是介隔暫時固定材而於支撐體上暫時固定有基材之積層體，所述暫時固定材包含耐溶劑性優異之所述外周部分(B)與具有2層以上之層之所述中央部分(A)，所述外周部分(B)與所述支撐體的基材側之面的外周部、所述基材的支撐體側之面的外周部相接，所述中央部分(A)與所述支撐體的基材側之面的外周部更內側之中央部、所述基材的支撐體側之面的外周部更內側之中央部相接；且所述中央部分(A)被所述支撐體、所述外周部分(B)及所述基材覆蓋。
  6. 一種半導體裝置，其藉由如申請專利範圍第1項至第4項 中任一項所述之基材的處理方法而獲得。
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