TW201344971A - 發光元件之封裝結構 - Google Patents

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Chun-Wei Wang
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Abstract

一種發光元件之封裝結構，包括一發光元件、一導線架以及一膠杯結構。導線架用以承載發光元件。導線架具有一上表面、一下表面以及連接上表面與下表面之一側表面。側表面於導線架之厚度方向上具有一尺寸。膠杯結構配置於導線架上且材質為熱固性樹脂。膠杯結構之一側壁包覆導線架之側表面，且在厚度方向上側壁相對於側表面具有一接合輪廓長度。接合輪廓長度大於厚度方向上之尺寸。

Description

發光元件之封裝結構
本發明是有關於一種發光元件之封裝結構，且特別是有關於一種固態發光元件之封裝結構。
發光二極體(Light-Emitting Diode，LED)主要是透過電能轉化為光能的方式發光。發光二極體的主要的組成材料是半導體，為理想的固態發光元件。傳統的發光二極體以平置的方式配置在導線架上，以增加散熱效能。通常，發光二極體完成封裝之後，需經過高溫燒烤步驟以及點亮測試，以確保發光二極體的封裝品質。然而，在溫度變化的環境下，導線架容易受熱膨脹、收縮而對封裝結構產生應力拉扯，使得導線架與封裝結構之間的附著性變差，甚至造成導線被拉扯而有斷裂之危險，進而影響發光二極體的可靠度。此外，外界的水氣或有害氣體(例如硫氣)也容易經由導線架的邊緣滲入到封裝結構內。因此，傳統之封裝結構在遇到熱應力而產生形變的同時，也會遭遇到導線架與封裝結構之間的接合性不足的問題。
本發明係有關於一種發光元件之封裝結構，可增加導線架與膠杯結構之間的接合性，並能增加封裝結構抵抗熱應力的能力。
根據本發明之一方面，提出一種發光元件之封裝結構，包括一發光元件、一導線架以及一膠杯結構。導線架用以承載發光元件。導線架具有一上表面、一下表面以及連接上表面與下表面之一側表面。側表面於導線架之厚度方向上具有一尺寸。膠杯結構配置於導線架上且材質為熱固性樹脂。膠杯結構之一側壁包覆側表面，且在厚度方向上側壁相對於側表面具有一接合輪廓長度。接合輪廓長度大於厚度方向上之尺寸。
根據本發明之另一方面，提出一種發光元件之封裝結構，包括一發光元件、一導線架以及一膠杯結構。導線架用以承載發光元件。導線架具有一上表面、一下表面以及連接上表面與下表面之一側表面。側表面於導線架之長度方向上具有一第一尺寸。膠杯結構配置於導線架上且材質為熱固性樹脂。膠杯結構之一側壁包覆側表面，且在長度方向上側壁相對於側表面具有一第一接合輪廓長度。第一接合輪廓長度大於第一尺寸。
根據本發明之另一方面，提出一種發光元件之封裝結構，包括一發光元件、一導線架以及一膠杯結構。導線架具有一上表面、一下表面以及貫穿上表面與下表面之多個開孔。此些開孔於導線架之長度方向上具有一第一尺寸，且在長度方向上相鄰二開孔間的間距至少大於兩倍第一尺寸。膠杯結構配置於導線架上，膠杯結構之一側壁覆蓋部分上表面，且側壁由上表面向下延伸多個卡固件。此些卡固件對應插入於此些開孔中。
為了對本發明之上述及其他方面有更佳的瞭解，下文持舉實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下：
本實施例之發光元件之封裝結構，係利用熱固型塑膠為材料，並搭配轉注成型(transfer molding)或壓縮成型(compression molding)之工法，形成一膠杯結構於導線架上。熱固型塑膠例如為環氧樹脂(epoxy)或矽膠(silicone)，其優點在於：耐熱性佳、對光的反射性及穩定性較佳，在高溫下不易產生質變或形變，進而提高發光元件之發光品質。此外，導線架之側表面於其厚度方向上可藉由粗化處理或圖案化處理，以使成型後的熱固型塑膠與導線架的接觸面積相對地增加(相當於接合輪廓長度也增加)，進而提高導線架與膠杯之間密合度，以提高封裝之品質。另外，導線架之側表面於其長度方向上或寬度方向上亦可藉由粗化處理或圖案化處理，以使成型後的熱固型塑膠與導線架的接觸面積相對地增加(相當於接合輪廓長度也增加)，進而增加封裝結構抵抗水平方向熱應力拉扯的能力，故能降低導線架與膠杯結構(例如熱固型塑膠)受熱後發生形變，減少導線被拉扯而斷裂之危險，以提高封裝結構之可靠度。
以下係提出各種實施例進行詳細說明，實施例僅用以作為範例說明，並非用以限縮本發明欲保護之範圍。
第一實施例
第1A～1D圖分別繪示依照本發明一實施例之發光元件之封裝結構的剖面示意圖。請先參照第1A圖，發光元件之封裝結構100包括一發光元件110、一導線架120、一膠杯結構130以及一封裝膠體140。發光元件110配置於導線架120上。導線架120具有一上表面121、一下表面122以及連接上表面121與下表面122之一側表面123。此側表面123於導線架120之厚度方向(Z軸方向)上具有一尺寸D1。在一實施例中，側表面123之尺寸D1相當於平坦之上表面121相對於下表面122之距離。此外，膠杯結構130配置於導線架120上，其具有一開口132，用以容置發光元件110並填入封裝膠體140，以使封裝膠體140包覆於發光元件110之周圍。發光元件110可為固態發光元件，例如發光二極體。
為了防止水氣或有害氣體進入到封裝結構100內，膠杯結構130(例如為熱固型塑膠)之一側壁134包覆側表面123以及部分上表面121，且側壁134相對於側表面123具有一接合輪廓長度L1，此接合輪廓長度L1大於側表面123於厚度方向(Z軸方向)上的尺寸D1。如第1A圖所示，在厚度方向上的尺寸D1不變的情況下，接合輪廓長度L1越長，其接合面積越多，外界的水氣或有害氣體越不容易進入到封裝結構100內，因而提高接合的可靠度。
請參照第1A～1D圖，增加接合輪廓長度的方式有下列數種，但其變化類型繁多，無法一一列舉說明，故本發明不以下列所舉之各實施例為限。
在一實施例中，導線架120之側表面123例如為一粗糙面，其表面粗糙度(Ra)可介於0.1～30微米，且以小於18微米最佳。如第1A圖所示，側表面123的粗糙面可類似鋸齒狀，膠杯結構130之側壁134包覆鋸齒狀的側表面123，使得側壁134相對於側表面123具有一鋸齒狀接合輪廓，其長度為L1。
在一實施例中，導線架120之側表面123例如為凹面及/或凸面。如第1B圖所示，導線架120之側表面123在中間部分向內凹陷而形成一凹穴124，但不限定為中央凹陷的型態，亦可為中央凸起的型態。膠杯結構130之側壁134包覆凹凸狀之側表面123，使得側壁134相對於側表面123具有一凹/凸狀接合輪廓，其長度為L2。
在一實施例中，導線架120之側表面123例如為階梯面，階梯數可為一個或多個，使得導線架120的寬度由上往下分段遞減，但不限定為上寬下窄的型態，亦可為上窄下寬的型態。如第1C圖所示，膠杯結構130之側壁134包覆階梯狀之側表面123，使得側壁134相對於側表面123具有一階梯狀接合輪廓，其長度為L3。
在一實施例中，導線架120之側表面123例如為傾斜面，在第1D圖中，也就是為不垂直上表面121或下表面122之傾斜面，使得導線架120的寬度由上往下依序遞減，但不限定為上寬下窄的型態，亦可為上窄下寬的型態。膠杯結構130之側壁134包覆傾斜狀之側表面123，使得側壁134相對於側表面123具有一傾斜狀接合輪廓，其長度為L4。
上述各種類型之導線架120可經由機械加工或蝕刻方式形成所需的接合輪廓。舉例來說，在第1C圖中，T形結構的導線架120可藉由擠壓或蝕刻的方式形成剖面尺寸為a×b之階梯面133。尺寸a為對應導線架120之寬度方向(Y軸方向)的尺寸，而尺寸b為對應導線架120之厚度方向(Z軸方向)之尺寸。階梯面133可經由擠壓刀具與導線架120間的接觸面積及加工行程來控制其尺寸a與b，較佳是a<0.5D1、b<0.5D1，即尺寸a與b小於0.5倍導線架120之厚度尺寸D1，以避免導線架發生形變或斷裂。若以蝕刻的方式形成開口132，可控制其尺寸比例(a:b)為1：1左右，且尺寸a與b較佳為小於0.5倍之導線架120的寬度尺寸。此外，若配合轉注成型或壓縮成型之工法，導線架120之厚度尺寸D1大於0.15mm時，成型後的封裝結構100較不易發生翹曲或形變，以提高封裝的可靠度。
第二實施例
第2A～2E圖繪示依照本發明一實施例之發光元件之封裝結構的俯視透視圖。請先參照第2A圖，發光元件之封裝結構200包括一發光元件210、一導線架220、一膠杯結構230以及一封裝膠體240。為了方便解說，第2A圖以虛線繪示封裝膠體240，但由上述實施例所繪示之剖面圖可知封裝膠體240位於膠杯結構230之開口232中，以包覆發光元件210之周圍。發光元件210例如為發光二極體。
由俯視圖觀之，導線架220具有相互分離之一正極導線架221以及一負極導線架222。在本實施例中，發光元件210例如但不限定地配置於負極導線架222上，且發光元件210藉由二導線212分別與正極導線架221與負極導線架222電性連接，以使發光元件210可受外部提供之電力驅動而發光。正極導線架221與負極導線架222分別具有連接上、下表面之一側表面223。正極導線架221之側表面223於導線架220之長度方向(X軸方向)上具有一尺寸D2，而負極導線架222之側表面223於導線架220之長度方向(X軸方向)上具有一尺寸D3。
為了抵抗導線架220與膠杯結構230(例如為熱固型塑膠)受到熱應力之拉扯，膠杯結構230以側壁234包覆正極導線架221及負極導線架222之側表面223以及部分上表面，且側壁234相對於正極導線架221之側表面223具有一接合輪廓長度L5，此接合輪廓長度L5大於側表面223於長度方向上的尺寸D2。此外，側壁234相對於負極導線架222之側表面223具有一接合輪廓長度L6，此接合輪廓長度L6大於側表面223於長度方向上的尺寸D3。如第2A圖所示，在長度方向上的尺寸不變的情況下，接合輪廓長度越長，其接合面積越多，以使膠杯結構230與導線架220的接合性增加，因而可增加封裝結構200抵抗長度方向熱應力拉扯的能力，減少導線212被拉扯而斷裂之危險，以提高封裝結構200之可靠度。
同樣的方式，本發明亦可應用在增加封裝結構200抵抗寬度方向熱應力拉扯的能力。請參照第2A圖，正極導線架221與負極導線架222之側表面223於導線架220之寬度方向(Y軸方向)上具有一尺寸D4。膠杯結構230之側壁234相對於寬度方向之側表面223具有一接合輪廓長度L7，此接合輪廓長度L7大於側表面223於寬度方向上的尺寸D4。因此，在寬度方向上的尺寸不變的情況下，接合輪廓長度越長，其接合面積越多，以使膠杯結構230與導線架220的接合性增加。
請參照第2A～2D圖，增加接合輪廓長度的方式有下列數種，但其變化類型繁多，無法一一列舉說明，故本發明不以下列所舉之各實施例為限。
在一實施例中在第2A圖中，導線架220之側表面223為一粗糙面例如為鋸齒面，其表面粗糙度(Ra)可介於0.1微米～30微米之間，以且以小於18微米為最佳。如第2A圖所示，側表面223的粗糙面可類似鋸齒狀，膠杯結構230之側壁234包覆鋸齒狀的側表面223後，使得側壁234相對於側表面223具有一鋸齒狀接合輪廓。其中，在正極導線架221與負極導線架222具有一間隙G，其於形成膠杯結構230時會一併受到熱固型塑膠填補，為增強位於間隙處的導線架側表面225與熱固型塑膠間的接合，側表面225亦為鋸齒面。
在一實施例中，導線架220之側表面223例如為凹面及/或凸面。如第2B圖所示，導線架220之側表面223在周圍部分向內凹陷而形成多個凹穴224，但不限定為周圍凹陷的型態，亦可為周圍凸起的型態。膠杯結構230之側壁234包覆凹凸狀之側表面223後，使得側壁234相對於側表面223具有一凹/凸狀接合輪廓，其長度分別為L8、L9、L10。同上所述，位於正極導線架221與負極導線架222間隙處的側表面225可為凹面及/或凸面，以增強與熱固型塑膠間的接合性。
在一實施例中，導線架220之側表面223例如為階梯面，階梯數可為一個或多個，使得導線架220的寬度由中央往兩側分段遞減，但不限定為中間寬兩側窄的型態，亦可為中間窄兩側寬的型態。如第2C圖所示，膠杯結構230之側壁234包覆階梯狀之側表面223後，使得側壁234相對於側表面223具有一階梯狀接合輪廓，其長度分別為L11、L12。
在第2D及2E圖中在一實施例中，導線架220之側表面223例如為傾斜面，也就是說，在寬度方向上為傾斜面(如第2D圖所示)或在長度方向上為傾斜面(如第2E圖所示)，使得導線架220的形狀略呈梯形或不等邊四邊形，但不限定為四邊形的型態，亦可為多邊形的型態。膠杯結構230之側壁234包覆傾斜狀之側表面223後，使得側壁234相對於側表面223具有一傾斜狀接合輪廓，其長度分別為L13、L14、L15、L16。同上所述，位於正極導線架221與負極導線架222間隙處的側表面225可為傾斜面，以增強與熱固型塑膠間的接合性。
上述各種類型之導線架220可經由機械加工或蝕刻方式形成所需的接合輪廓。舉例來說，在第2B圖中，導線架220可藉由沖壓或蝕刻的方式形成尺寸為m×n之凹穴224。凹穴224可經由沖壓刀具與導線架220間的接觸面積來控制其尺寸m與n，較佳是0.9*D1<m<0.5*D4，0.9*D1<n<0.5*D4，即m、n大於0.9倍之導線架220的厚度尺寸D1，且小於0.5倍之導線架220的寬度尺寸D4，以避免成型後容易翹曲或沖壓時斷裂之危險。
第三實施例
請參照第3A及3B圖，其分別繪示依照本發明一實施例之發光元件之封裝結構的俯視透視圖及I-I線的剖面示意圖。本實施例之封裝結構300包括一發光元件310、一導線架320、一膠杯結構330以及一封裝膠體340。本實施例與第二實施例不同之處在於：導線架320以貫穿上、下表面的多個開孔323與膠杯結構330增加接合強度之結構，取代以其側表面與膠杯結構330增加接合強度之結構，同樣能增加封裝結構300抵抗熱應力拉扯的能力。
請參照第3A圖，正極導線架321與負極導線架322之周圍表面分別具有多個貫穿上、下表面之開孔323。此些開孔323於導線架320之長度方向(X軸方向)上例如具有一第一尺寸D5。請參照第3B圖，膠杯結構330配置於導線架320上。膠杯結構330之側壁334覆蓋部分上表面324及側表面325，且側壁334由上表面324向下延伸多個卡固件335，此些卡固件335對應插入於各個開孔323中。
上述之導線架320可經由機械加工或蝕刻方式形成所需的開孔323。若以沖壓的方式形成開孔323，沖壓刀具的直徑例如大於導線架320之厚度尺寸D6(見第3B圖)，較佳為大於0.9倍之導線架320的厚度尺寸，以避免開孔323太小或導線架320太厚而不易加工。此外，沖壓刀具的直徑例如小於0.5倍之導線架320的寬度尺寸D7，以避免開孔323太大而於成型後容易翹曲。上述之尺寸條件若以數學式表示，則為：0.9*D6<D5<0.5*D7。另外，相鄰二開孔323間於長度方向上的間距D8至少大於兩倍開孔323的尺寸D5，即D8>2*D5，以避免開孔323太近而有沖壓時斷裂之危險。若配合轉注成型或壓縮成型之工法，導線架320之厚度大於0.15mm時，成型後的封裝結構300較不易發生翹曲或形變，以提高封裝的可靠度。
本實施例雖繪示圓形之開孔，但對於開孔的形狀不限，亦可為橢圓孔、三角形孔、四邊形孔或多邊形孔。
綜上所述，雖然本發明已以較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明。本發明所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾。因此，本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
100、200、300．．．發光元件之封裝結構
110、210、310．．．發光元件
120、220、320．．．導線架
121、324．．．上表面
122．．．下表面
123、223、225、325．．．側表面
124、224．．．凹穴
130、230、330．．．膠杯結構
140、240、340．．．封裝膠體
132、232．．．開口
133．．．階梯面
134、234、334．．．側壁
L1～L16．．．接合輪廓長度
D1～D8．．．尺寸
a、b、m、n．．．尺寸
G．．．間隙
221、321．．．正極導線架
222、322．．．負極導線架
212．．．導線
323．．．開孔
335．．．卡固件
第1A～1D圖分別繪示依照本發明一實施例之發光元件之封裝結構的剖面示意圖。
第2A～2E圖繪示依照本發明一實施例之發光元件之封裝結構的俯視透視圖。
第3A及3B圖分別繪示依照本發明一實施例之發光元件之封裝結構的俯視透視圖及I-I線的剖面示意圖。
100．．．發光元件之封裝結構
110．．．發光元件
120．．．導線架
121．．．上表面
122．．．下表面
123．．．側表面
130．．．膠杯結構
140．．．封裝膠體
132．．．開口
134．．．側壁
11．．．接合輪廓長度
D1．．．尺寸

Claims (18)

  1. 一種發光元件之封裝結構，包括：一發光元件；一導線架，用以承載該發光元件，該導線架具有一上表面、一下表面以及連接該上表面與該下表面之一側表面，該側表面於該導線架之厚度方向上具有一尺寸；以及一膠杯結構，配置於該導線架上且材質為熱固性樹脂，該膠杯結構之一側壁包覆該側表面，且在厚度方向上該側壁相對於該側表面具有一接合輪廓長度，該接合輪廓長度大於該尺寸。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之封裝結構，其中該側表面為一粗糙面，其粗糙度介於0.1～30微米之間，且該側壁相對於該側表面具有一鋸齒狀接合輪廓。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之封裝結構，其中該側表面為一凹面及/或凸面，且該側壁相對於該側表面具有一凹/凸狀接合輪廓。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之封裝結構，其中該側表面為一階梯面，且該側壁相對於該側表面具有一階梯狀接合輪廓，該階梯面於該導線架之厚度方向上具有一第一尺寸，且該階梯面於該導線架之寬度方向上具有一第二尺寸，該第一尺寸與該第二尺寸小於0.5倍之該導線架的厚度尺寸。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之封裝結構，其中該側表面為一傾斜面，且該側壁相對於該側表面具有一傾斜狀接合輪廓。
  6. 一種發光元件之封裝結構，包括：一發光元件；一導線架，用以承載該發光元件，該導線架具有一上表面、一下表面以及連接該上表面與該下表面之一側表面，該側表面於該導線架之長度方向上具有一第一尺寸；以及一膠杯結構，配置於該導線架上且材質為熱固性樹脂，該膠杯結構之一側壁包覆該側表面，且在長度方向上該側壁相對於該側表面具有一第一接合輪廓長度，該第一接合輪廓長度大於該第一尺寸。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之封裝結構，其中該側表面為一粗糙面，其粗糙度介於0.1～30微米之間，且該側壁相對於該側表面具有一鋸齒狀接合輪廓。
  8. 如申請專利範圍第6項所述之封裝結構，其中該側表面為一凹面及/或凸面，且該側壁相對於該側表面具有一凹/凸狀接合輪廓，當該導線架於該側表面具有一凹穴，該凹穴於該導線架之長度方向上具有一第二尺寸，且該凹穴於該導線架之寬度方向上具有一第三尺寸，該第二尺寸與該第三尺寸大於0.9倍之該導線架的厚度尺寸，且小於0.5倍之該導線架的寬度尺寸。
  9. 如申請專利範圍第6項所述之封裝結構，其中該側表面為一階梯面，且該側壁相對於該側表面具有一階梯狀接合輪廓。
  10. 如申請專利範圍第6項所述之封裝結構，其中該側表面為一傾斜面，且該側壁相對於該側表面具有一傾斜狀接合輪廓。
  11. 如申請專利範圍第6項所述之封裝結構，其中該側表面於該導線架之寬度方向上具有一第四尺寸，且在寬度方向上該側壁相對於該側表面具有一第二接合輪廓長度，該第二接合輪廓長度大於該第四尺寸。
  12. 如申請專利範圍第11項所述之封裝結構，其中該側表面為一粗糙面，其粗糙度介於0.1～30微米之間，且該側壁相對於該側表面具有一鋸齒狀接合輪廓。
  13. 如申請專利範圍第11項所述之封裝結構，其中該側表面為一凹面及/或凸面，且該側壁相對於該側表面具有一凹/凸狀接合輪廓，該導線架於該側表面具有一凹穴，該凹穴於該導線架之長度方向上具有一第五尺寸，且該凹穴於該導線架之寬度方向上具有一第六尺寸，該第五尺寸與該第六尺寸大於0.9倍之該導線架的厚度尺寸，且小於0.5倍之該導線架的寬度尺寸。
  14. 如申請專利範圍第11項所述之封裝結構，其中該側表面為一階梯面，且該側壁相對於該側表面具有一階梯狀接合輪廓。
  15. 如申請專利範圍第11項所述之封裝結構，其中該側表面為一傾斜面，且該側壁相對於該側表面具有一傾斜狀接合輪廓。
  16. 一種發光元件之封裝結構，包括：一發光元件；一導線架，用以承載該發光元件，該導線架具有一上表面、一下表面以及貫穿該上表面與該下表面之複數個開孔，該些開孔於該導線架之長度方向上具有一第一尺寸，且在長度方向上相鄰二開孔間的間距至少大於兩倍該第一尺寸；以及一膠杯結構，配置於該導線架上且材質為熱固性樹脂，該膠杯結構之一側壁覆蓋部分該上表面，且該側壁由該上表面向下延伸複數個卡固件，該些卡固件對應插入於該些開孔中。
  17. 如申請專利範圍第16項所述之封裝結構，其中該些開孔於該導線架之厚度方向上具有一第二尺寸，該第一尺寸大於0.9倍之該第二尺寸，且該第一尺寸小於0.5倍之該導線架的寬度尺寸。
  18. 如申請專利範圍第16項所述之封裝結構，其中該些開孔為圓孔、橢圓孔或多邊形孔。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106952996A (zh) * 2017-04-26 2017-07-14 深圳国冶星光电科技股份有限公司 一种led封装器件及其封装方法
TWI634679B (zh) * 2017-03-27 2018-09-01 隆達電子股份有限公司 發光二極體裝置及其支架
TWI658613B (zh) * 2017-03-27 2019-05-01 隆達電子股份有限公司 發光二極體裝置及其支架

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6214431B2 (ja) * 2014-02-28 2017-10-18 Ｓｈマテリアル株式会社 Ｌｅｄ用リードフレーム
US10431532B2 (en) * 2014-05-12 2019-10-01 Rohm Co., Ltd. Semiconductor device with notched main lead
JP2015230953A (ja) * 2014-06-04 2015-12-21 大日本印刷株式会社 樹脂付リードフレームおよびその製造方法、リードフレーム、ならびにｌｅｄパッケージおよびその製造方法
USD786203S1 (en) * 2015-02-24 2017-05-09 Nichia Corporation Light emitting diode
KR102528014B1 (ko) * 2015-11-27 2023-05-10 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 발광소자 패키지 및 조명 장치
JP6952945B2 (ja) * 2016-03-25 2021-10-27 スージョウ レキン セミコンダクター カンパニー リミテッド 発光素子パッケージ及び照明装置
CN110875408A (zh) * 2018-08-30 2020-03-10 深圳市聚飞光电股份有限公司 高强度led支架、led及发光装置
US11764328B2 (en) * 2019-08-13 2023-09-19 Epistar Corporation Light-emitting diode package having bump formed in wriggle shape
KR102249465B1 (ko) * 2019-10-31 2021-05-07 주식회사 코스텍시스 고방열 플라스틱 패키지

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4359195B2 (ja) * 2004-06-11 2009-11-04 株式会社東芝 半導体発光装置及びその製造方法並びに半導体発光ユニット
KR100637476B1 (ko) * 2005-11-09 2006-10-23 알티전자 주식회사 측면발광 다이오드 및 그 제조방법
DE102008024704A1 (de) * 2008-04-17 2009-10-29 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauteil und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauteils
JP5381563B2 (ja) * 2009-09-29 2014-01-08 凸版印刷株式会社 発光素子用リードフレーム基板の製造方法
WO2012014382A1 (ja) * 2010-07-27 2012-02-02 パナソニック株式会社 半導体装置

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI634679B (zh) * 2017-03-27 2018-09-01 隆達電子股份有限公司 發光二極體裝置及其支架
CN108666401A (zh) * 2017-03-27 2018-10-16 隆达电子股份有限公司 发光二极管装置及其支架
TWI658613B (zh) * 2017-03-27 2019-05-01 隆達電子股份有限公司 發光二極體裝置及其支架
CN106952996A (zh) * 2017-04-26 2017-07-14 深圳国冶星光电科技股份有限公司 一种led封装器件及其封装方法

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