TWI511337B - 發光二極體封裝結構 - Google Patents

發光二極體封裝結構 Download PDF

Info

Publication number
TWI511337B
TWI511337B TW103123972A TW103123972A TWI511337B TW I511337 B TWI511337 B TW I511337B TW 103123972 A TW103123972 A TW 103123972A TW 103123972 A TW103123972 A TW 103123972A TW I511337 B TWI511337 B TW I511337B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
emitting diode
light emitting
metal conductive
conductive frame
high voltage
Prior art date
Application number
TW103123972A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201503423A (zh
Inventor
Yi Fei Lee
Tsan Yu Ho
Shih Chang Hsu
Chen Hsiu Lin
Original Assignee
Lite On Opto Technology Changzhou Co Ltd
Lite On Technology Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Lite On Opto Technology Changzhou Co Ltd, Lite On Technology Corp filed Critical Lite On Opto Technology Changzhou Co Ltd
Publication of TW201503423A publication Critical patent/TW201503423A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI511337B publication Critical patent/TWI511337B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Non-Portable Lighting Devices Or Systems Thereof (AREA)

Description

發光二極體封裝結構
本發明是有關於一種發光二極體封裝結構，特別是指一種具有高電壓發光二極體晶粒的發光二極體封裝結構。
傳統上0.5瓦到3瓦發光二極體(Light Emitting Diode,LED)的封裝(Package)，通常是採用兩個低電壓(2.8伏特至3.6伏特)的藍光發光二極體晶粒(Die)，並搭配螢光粉(Phosphors)的設計來達到更高的亮度。然而，兩個藍光發光二極體的結構設計除了會造成後續打線製程(Wire Bonding Process)的難度增加與生產成本提高外，也會因為兩個藍色發光二極體之間的光吸收效應(Light Absorbing Effect)而使得發光亮度降低。
因此，本發明之目的，即在提供一種高發光亮度，且高發光效率的發光二極體封裝結構。
於是，本發明發光二極體封裝結構，包含：一承載座、一黏著層、一高電壓發光二極體晶粒及一封裝 件。
該承載座包括一光學中心，並定義出一承載空間。該黏著層包括複數熱傳導粒子，且該黏著層的熱導率大於或等於1W/mK。該高電壓發光二極體晶粒設置在該黏著層上並位於該承載空間內，且包括一頂面、一驅動電壓及至少一形成於該頂面且位置大致對應於該承載空間的該光學中心處的溝槽，該驅動電壓的範圍大致介於5伏特~7伏特間。
該封裝件封裝該高電壓發光二極體晶粒，其中，該發光二極體晶粒的溝槽是嵌合在該封裝件內，且該溝槽的寬度範圍介於1微米到10微米間，寬度小於或等於50微米。
其中，該封裝件的頂面到該高電壓發光二極體晶粒頂面的最大距離小於0.5毫米。
其中，該高電壓發光二極體晶粒還包括四個側面，且至少一側面到該承載座外週緣的最大距離小於或等於1毫米。
其中，該黏著層主要是由具有該等熱傳導粒子的高分子材料所製成，該等熱傳導粒子選自由氧化鋅、氧化鋁及其混合所組成的群體，該黏著層的厚度範圍介於0.5微米到8微米間。
其中，該封裝件包括一漫射體，該漫射體主要是由質量中值直徑小於或等於100奈米的粒子所組成。
其中，該黏著層的熱導率範圍介於1W/mK到 20W/mK間。
於是，本發明發光二極體封裝結構，包含：一承載座、一黏著層、一高電壓發光二極體晶粒及一封裝件。
該承載座包括一光學中心、一反射器，及一引線框架，該引線框架具有一第一金屬導電架，及一與該第一金屬導電架相間隔設置的第二金屬導電架，該第一金屬導電架、該第二金屬導電架，及該反射器相配合界定出一承載空間，該第一金屬導電架與該第二金屬導電架分別具有一頂面，該頂面具有一與該反射器相接合的接合區，及至少一形成於該接合區上，且與該反射器相接合的接合槽。
該黏著層包括複數熱傳導粒子。
該高電壓發光二極體晶粒設置在該黏著層上並位於該承載空間內，且包括一頂面、一驅動電壓，及至少一形成於該頂面且位置大致對應於該承載空間的該光學中心處的溝槽，該驅動電壓大致的範圍介於5伏特~7伏特間。
該封裝件封裝該高電壓發光二極體晶粒，其中，該發光二極體晶粒的溝槽嵌合在該封裝件內，且該溝槽的寬度範圍介於1微米到10微米間，深度小於或等於50微米。
其中，該第一金屬導電架和該第二金屬導電架分別具有至少一接合槽，該第一金屬導電架的接合槽及該 第二金屬導電架的接合槽大致環繞該承載座的該承載空間。
其中，該反射器具有一設置在該第一金屬導電架及該第二金屬導電架間的絕緣區，該絕緣區用以接合並絕緣該第一金屬導電架及該第二金屬導電架。其中，該第一金屬導電架還具有一朝該第二金屬導電架方向延伸，且與該反射器之絕緣區緊密接合的第一連接部，該第二金屬導電架還具有一朝該第一金屬導電架方向延伸，且與該絕緣區緊密接合的第二連接部。
其中，該第二金屬導電架還具有一由該等第二連接部之間定義出之凹陷部，該凹陷部的位置對應於該第一金屬導電架的第一連接部。
其中，該第一金屬導電架的第一連接部與該第二金屬導電架的第二連接部分別具有一與該反射器的絕緣區緊密接合的彎曲接合面。
本發明之功效在於：透過利用一驅動電壓大致介於5伏特到7伏特間的高電壓發光二極體晶粒來達到高發光亮度與減少生產成本，另外，利用黏著層的複數熱傳導粒子達到良好的散熱效果，以提高電壓發光二極體晶粒的發光效率。
1‧‧‧承載座
11‧‧‧反射器
12‧‧‧引線框架
120‧‧‧延伸部
1200‧‧‧金屬導電架
1201‧‧‧穿孔
1202‧‧‧U型槽
121‧‧‧第一金屬導電架
1211‧‧‧暴露區
1212‧‧‧接合區
1214‧‧‧第一連接部
1215‧‧‧接合面
122‧‧‧第二金屬導電架
1221‧‧‧暴露區
1222‧‧‧接合區
1224‧‧‧第二連接部
1225‧‧‧接合面
1226‧‧‧凹陷部
123‧‧‧接合槽
124‧‧‧缺槽
125‧‧‧週邊部
1251‧‧‧延伸件
126‧‧‧連接端
13‧‧‧承載空間
14‧‧‧絕緣區
141‧‧‧第一凹陷部
142‧‧‧第二凹陷部
2‧‧‧黏著層
3‧‧‧發光二極體晶粒
31‧‧‧頂面
311‧‧‧反射層
312‧‧‧藍寶石基板
313‧‧‧主動層
314‧‧‧負型電極
315‧‧‧正型電極
32‧‧‧溝槽
4‧‧‧封裝件
40‧‧‧頂面
41‧‧‧高分子材料
42‧‧‧漫射體
43‧‧‧磷光粉
本發明之其他的特徵及功效，將於參照圖式的較佳實施例詳細說明中清楚地呈現，其中：圖1A是一立體圖，說明本發明發光二極體封裝結構的 第一實施例；圖1B是一俯視圖，說明該第一實施例；圖1C是一沿圖1B中剖面線1C-1C的剖面圖，說明該第一實施例；圖1D是一沿圖1B中剖面線1D-1D的剖面圖，說明該第一實施例；圖1E是一立體分解圖，說明該第一實施例；圖1F是一立體圖，說明該第一實施例之一引線框架；圖1G是一類似圖1F之視圖，說明該引線框架；圖2是一立體示意圖，說明該第一實施例之一高電壓發光二極體晶粒設置在一承載座上；圖3A是一俯視示意圖，說明該第一實施例；圖3B是一類似圖3A的視圖，說明該高電壓發光二極體晶粒旋轉90度；圖4A是一剖面示意圖，說明該第一實施例；圖4B是一類似圖4A的視圖，說明該高電壓發光二極體晶粒與一封裝件；圖4C是一剖面示意圖，說明該高電壓發光二極體晶粒之頂面形成一溝槽；圖5是一立體圖，說明該第一實施例的另一種實施態樣；圖6是一立體示意圖，說明該高電壓發光二極體晶粒在另一種實施態樣；圖7是一俯視示意圖，說明該第一實施例的另一種實 施態樣；圖8A是一立體圖，說明本發明發光二極體封裝結構的第二實施例；圖8B是一俯視圖，說明該第二實施例；圖8C是一沿圖8B中剖面線8C-8C的剖面圖，說明該第二實施例；圖8D是一沿圖8B中剖面線8D-8D的剖面圖，說明該第二實施例；圖8E是一立體分解圖，說明該第二實施例；圖9是一立體示意圖，說明該第二實施例之一高電壓發光二極體晶粒設置在一承載座上；圖10是一俯視示意圖，說明該第二實施例；圖11是一仰視示意圖，說明該第二實施例；圖12A是一俯視示意圖，說明該第二實施例之一承載座具有二金屬導電架；及圖12B是一仰視示意圖，說明該等金屬導電架的構造。
在本發明被詳細描述之前，應當注意在以下的說明內容中，類似的元件是以相同的編號來表示。
參閱圖1A~4C，及圖5~7，本發明發光二極體封裝結構的第一實施例，包含一承載座1、一黏著層2、一高電壓發光二極體晶粒3及一封裝件4。
參閱圖1E、2與4A，承載座1包括一反射器11 及一引線框架12。反射器11主要是由一反射材料所製成。引線框架12具有一第一金屬導電架121及一第二金屬導電架122，且第一金屬導電架121部份及第二金屬導電架122部分如圖4A所示地嵌入反射器11。反射器11與引線框架12兩者相配合定義出一承載空間13，且反射器11具有一設置在第一金屬導電架121與第二金屬導電架122間的絕緣區14。此絕緣區14被用以電性絕緣第一金屬導電架121與第二金屬導電架122，使得第一金屬導電架121與第二金屬導電架122能分別作為一導電電極使用。在本實施例中，反射器11主要是由環氧模造物(Epoxy Molding Compound,EMC)所製成，且本實施例採用的是一四方扁平無引線(Quad Flat No-lead,QFN)的第一、第二金屬導電架121、122。
參閱圖1E、1F與4A，第一金屬導電架121具有一頂面及一底面，第二金屬導電架122具有一頂面及一底面。第一金屬導電架121的頂面具有一暴露區1211及一接合區1212，第二金屬導電架122的頂面具有一暴露區1221及一接合區1222。第一金屬導電架121的暴露區1211位置與第二金屬導電架122的暴露區1221位置對應承載空間13，且第一金屬導電架121的接合區1212與第二金屬導電架122的接合區1222分別與反射器11相接合。第一金屬導電架121的接合區1212與第二金屬導電架122的接合區1222上分別形成至少一接合槽123。在本實施例中，第一金屬導電架121的接合區1212與第二金屬導電架122的 接合區1222上分別形成二接合槽123。且第一金屬導電架121的接合槽123與第二金屬導電架122的接合槽123大致環繞第一金屬導電架121的暴露區1211與第二金屬導電架122的暴露區1221，也可以說，第一金屬導電架121的接合槽123與第二金屬導電架122的接合槽123大致環繞承載空間13。而第一金屬導電架121的接合槽123與第二金屬導電架122的接合槽123大致環繞承載空間13，如此可增加反射器11與引線框架12的接觸面積，使得反射器11與引線框架12間的接合強度增加，並減少外界的水氣由反射器11與引線框架12的接合處進入承載空間13的機會。
引線框架12具有一預定厚度T(圖未示)。第一金屬導電架121的每一接合槽123與第二金屬導電架122的每一接合槽123分別具有一深度，此深度的範圍介於1/4T到3/4T間。且值得一提的是，在本實施例中，預定厚度T就是引線框架12的最大厚度M(圖未示)，且第一金屬導電架121的每一接合槽123的深度與第二金屬導電架122的每一接合槽123的深度為引線框架12最大厚度M的一半。
第一金屬導電架121還具有一與頂面及底面相連接的環側面，第二導電架具有一與頂面及底面相連接的環側面，且第一導電架的環側面及第二導電架的環側面上分別形成至少一與反射器11相接合的缺槽124，透過缺槽124使得反射器11與引線框架12的接觸面積增加，進而提升反射器11與引線框架12間的接合強度。
參閱圖1F,1G及2，第一金屬導電架121及第二金屬導電架122還分別具有一被反射器11包覆的週邊部125及複數連接端126，每一連接端126具有顯露於反射器11外的一端面，且連接端126的厚度小於引線框架12的最大厚度M。在本實施例中，連接端126具有一最小厚度，且較佳的最小厚度範圍大致介於1/4M與3/4M間，且此最小厚度大致與接合槽123的厚度相當。
參閱圖1F與圖1G，在本實施例中，第一金屬導電架121的週邊部125與第二金屬導電架122的週邊部125還分別具有至少一延伸件1251，此延伸件1251是藉由蝕刻的方式分別蝕刻第一金屬導電架121的底面與第二金屬導電架122的底面而形成，也因此，延伸件1251的厚度是逕向減少且大致遠離第一金屬導電架121的焊接區(圖未示)與第二金屬導電架122的焊接區(圖未示)。
參閱圖1G與2，絕緣區14分別與第一金屬導電架121及第二金屬導電架122緊密接合，在本實施例中，絕緣區14上形成一相對於第一金屬導電架121凹陷的第一凹陷部141，及二相對於第二金屬導電架122凹陷的第二凹陷部142。第一金屬導電架121還具有一由第一金屬導電架121朝第二金屬導電架122方向延伸的第一連接部1214，此第一連接部1214直接且緊密地與第一凹陷部141相接合，且第一連接部1214具有一接合面1215，此接合面1215與絕緣區14相接觸。第二金屬導電架122還具有二分別由第一金屬導電架121朝第二金屬導電架122方 向延伸的第二連接部1224，此兩個第二連接部1224分別緊密地與各別的第二凹陷部142相接合。每一第二連接部1224具有一直接與絕緣區14相接觸的接合面1225。參閱圖1F、1G與2，在本實施例中，第一金屬導電架121的第一連接部1214是與第二金屬導電架122的第二連接部1224交錯排列，且在兩個第二連接部1224間定義出一位置相對應於第一連接部1214的凹陷部1226。
參閱圖1D、1G與圖2，值得一提的是，第一連接部1214與第二連接部1224分別具有一厚度，此厚度小於引線框架12的最大厚度M，如此將使得第一連接部1214的接合面1215與第二連接部1224的接合面1225非共平面。也就是說，第一連接部1214與第二連接部1224的接合面1215、1225是呈曲線型，且分別不與第一金屬導電架121的底面及第二金屬導電架122的底面垂直。此種結構設計能在絕緣區14與第一金屬導電架121間，及絕緣區14與第二金屬導電架122間提供足夠的滑動阻力，以達到克服側向機械剪力的效果。此外，絕緣區14與第一金屬導電架121間，及絕緣區14與第二金屬導電架122間上下交錯的結構設計能有效減少外界水氣進入承載空間13(見圖1D)的機會。
參閱圖4A與圖4B，黏著層2設置在承載空間13上，且其熱導率大於或等於1W/mK，在本實施例中，黏著層2的厚度範圍介於0.5微米到8微米間，且黏著層2是由例如矽膠的高分子材料所製成。此高分子材料具有複 數熱傳導粒子，其熱導率大於或等於1W/mK。而較佳的黏著層2熱導率範圍介於1W/mK到20W/mK間。在本發明發光二極體封裝結構的其他實施例中，黏著層2的熱阻率(Thermal Resistivity)範圍可大於或等於1K/W，較佳的範圍是在2.5K/W到30K/W間，且較佳的熱傳導粒子是由氧化鋅(Zinc Oxide)、氧化鋁(Aluminum Oxide)及其混合所組成之群體所製成。當採用高電壓發光二極體晶粒3時，會比低電壓發光二極體晶粒(圖未示)產生更多的熱問題。因此本發明在採用高電壓發光二極體晶粒3時，同時搭配具有高熱傳導粒子的黏著層2，以解決發光二極體封裝結構因熱問題而導致產品信賴度不佳的問題。
高電壓發光二極體晶粒3設置在黏著層2上並位於承載空間13(見圖4A)內，並具有一頂面31，及至少一形成在頂面31的溝槽32。在本實施例中，溝槽32的位置大致對應承載空間13的光學中心處，且光學中心的位置大致便是承載空間13的幾何中心處。
參閱圖3B，為本發明發光二極體封裝結構第一實施例的另一實施態樣，其與第一實施例的差別在於設置在承載空間13內的高電壓發光二極體晶粒3旋轉了90度。在本實施例中，高電壓發光二極體晶粒3的驅動電壓(Driving Voltage)範圍介於5伏特到7伏特間，且高電壓發光二極體晶粒3的發光波長範圍介於445奈米到465奈米間，而較佳的高電壓發光二極體晶粒3的驅動電壓(Driving Voltage)範圍大致是介於5.8伏特到6.8伏特間。
參閱圖4A與圖4B，封裝件4將發光二極體晶粒3的溝槽32封裝在其中，並包括一頂面40及一高分子材料41，高分子材料41具有複數漫射體42及複數磷光粉43。封裝件4的頂面40到發光二極體晶粒3的頂面具有一最大距離D，較佳的最大距離D數值小於0.5毫米。且封裝件4的結構由頂面40至高電壓發光二極體晶粒3呈一凹陷結構。由於高電壓發光二極體晶粒3的頂面與封裝件4的頂面40距離短，所以溝槽32能有效加強高電壓發光二極體晶粒3與封裝件4間的接合強度。值得注意的是，封裝件4設置在承載空間13時，會因表面張力的因素，使得承載空間13的光學中心的膠量少於承載空間13的非光學中心的膠量(如圖4B所示)，因此本發明藉由將高電壓發光二極體晶粒3的溝槽32設置在承載空間13的光學中心處，可強化封裝件4與高電壓發光二極體晶粒3的結合強度。
在本實施例中，封裝件4的高分子材料41為矽氧樹脂(Silicone Resin)。而較佳的漫射體42需均勻地分布在高分子材料41內，並由二氧化矽(Silicon Oxide)或是二氧化鈦(Titanium Oxide)所組成的複數散射粒子所製成，且散射粒子的質量中值直徑(Mass Median Diameter)數值D50是小於或等於100奈米。也就是說，本案的散射粒子使用的是奈米粒子，其能有效將發光二極體晶粒發出的光線做散射混光。而且需要注意的是，若欲得到較高的光轉換效率，漫射體42不能僅存在於封裝件4的底部。
參閱圖3A與圖3B，值得一提的是，在本實施 例中，高電壓發光二極體晶粒3包括四個側面，四個側面中的任一側面到反射器11外側緣的最大距離是小於或等於1毫米。更具體地來說，高電壓發光二極體晶粒3具有二長邊與二短邊，而任一長邊到反射器11的反射面的距離L小於或等於1毫米。
參閱圖4A與圖4B，在本實施例中，承載座1的深度為0.33毫米，且如前所述，封裝件4由於其頂面40朝向高電壓發光二極體晶粒3是呈一凹陷結構，使得封裝件4還包括一最高點及一最低點。因此，在本實施例中，最高點與最低點間的距離D1大約為0.033毫米，最低點到高電壓發光二極體晶粒3頂面的距離D2大約為0.127毫米。而高電壓發光二極體晶粒3的厚度D3的範圍大約介於110微米到150微米間。簡單的來說，承載空間13的深度僅能容納高電壓發光二極體晶粒3，且距離D2與距離D3的比值(D2/D3)約為0.49。
參閱圖4C，高電壓發光二極體晶粒3包括一反射層311、一藍寶石基板312、一主動層313、一負型電極314(N-type electrode)及一正型電極315(P-type electrode)。藍寶石基板312被做為基板使用。反射層311形成在藍寶石基板312底面下方。主動層313形成在藍寶石基板312頂面上並被做為發光層(Light Emitting Layer)使用。正型電極315與負型電極314形成在主動層313上。在本實施例中，發光二極體晶粒3是由二個子發光二極體晶粒部(Sub-LEDs)所組成，且溝槽32是形成在兩個子發光 二極體晶粒部間。而正型電極315的高度h1 約為2微米；溝槽32的深度h2 大約小於或等於50微米；溝槽32的寬度w1 的範圍約介於1微米到10微米間；負型電極314的高度h3 約為1微米。
本發明發光二極體封裝結構不僅能提升高電壓發光二極體晶粒3的發光效率，並同時減少封裝成本，此外，至少一溝槽32的設計亦能提升高電壓發光二極體晶粒3與封裝件4間的封裝強度。
參閱圖5、6與7，為第一實施例的另一實施態樣，本實施態樣與第一實施例的差別在於在第一實施例中，承載空間13(見圖4A)的形狀呈圓槽狀，而本實施態樣中，承載空間13的形狀呈方槽狀。
參閱圖8A~8E及圖9~11，為本發明發光二極體封裝結構的第二實施例，本實施例與第一實施例的差別在於本實施例中，反射器11是由1,4-環己烷二甲醇對苯二甲酸乙二酯(1,4-Cyclohexylenedimethylene Terephthalate)所製成，且引線框架12具有至少一由反射器11之外周緣向外延伸的延伸部120。
參閱圖11、12A與12B，本實施例與第一實施例的另一個差別在於引線框架12具有二個相間隔設置的金屬導電架1200及二個U型槽1202。每一金屬導電架1200具有二穿孔1201，而此四個穿孔1201分別設置在此二金屬導電架1200的角落末端位置上。U型槽1202分別形成在金屬導電架1200底面的外週緣上，用以使反射器11得 以更穩固地與金屬導電架1200相連接。而本實施例其餘各部件之特徵、材料特性及操作步驟與上述之第一實施例相似，故不再贅述。
綜上所述，透過一驅動電壓大致介於5伏特到7伏特間的高電壓發光二極體晶粒3來達到高發光亮度與減少生產成本，另外，利用黏著層2的複數熱傳導粒子達到良好的散熱效果，以提高電壓發光二極體晶粒3的發光效率，故確實能達成本發明之目的。
惟以上所述者，僅為本發明之實施例而已，當不能以此限定本發明實施之範圍，即大凡依本發明申請專利範圍及專利說明書內容所作之簡單的等效變化與修飾，皆仍屬本發明專利涵蓋之範圍內。
1‧‧‧承載座
11‧‧‧反射器
12‧‧‧引線框架
121‧‧‧第一金屬導電架
122‧‧‧第二金屬導 電架
123‧‧‧接合槽
3‧‧‧發光二極體晶粒
4‧‧‧封裝件

Claims (11)

  1. 一種發光二極體封裝結構，包含：一承載座，具有一承載空間，該承載空間定義一光學中心；一黏著層，包括複數熱傳導粒子，且該黏著層的熱導率大於或等於1W/mK；一高電壓發光二極體晶粒，經由該黏著層以設置在該承載空間內，且包括一頂面及至少一形成於該頂面且位置大致對應於該承載空間的該光學中心處的溝槽，該高電壓發光二極體晶粒的驅動電壓大致介於5伏特~7伏特間；及一封裝件，封裝該高電壓發光二極體晶粒，其中，該發光二極體晶粒的該溝槽是嵌合在該封裝件內，且該溝槽的寬度範圍大致介於1微米到10微米間，深度大致小於或等於50微米。
  2. 如請求項1所述發光二極體封裝結構，其中，該封裝件的頂面到該高電壓發光二極體晶粒頂面的最大距離大致小於0.5毫米。
  3. 如請求項1所述發光二極體封裝結構，其中，該高電壓發光二極體晶粒還包括四個側面，且至少一側面到該承載座外週緣的最大距離大致小於或等於1毫米。
  4. 如請求項1所述發光二極體封裝結構，其中，該黏著層主要是由具有該等熱傳導粒子的高分子材料所製成，該等熱傳導粒子選自由氧化鋅、氧化鋁及其混合所組成的 群體，該黏著層的厚度範圍介於0.5微米到8微米間。
  5. 如請求項1所述發光二極體封裝結構，其中，該封裝件包括一漫射體，該漫射體主要是由質量中值直徑小於或等於100奈米的粒子所組成。
  6. 如請求項1所述發光二極體封裝結構，其中，該黏著層的熱導率範圍介於1W/mK到20W/mK間。
  7. 一種發光二極體封裝結構，包含：一承載座，包括一反射器及一引線框架，該引線框架具有一第一金屬導電架，及一與該第一金屬導電架相間隔設置的第二金屬導電架，該第一金屬導電架、該第二金屬導電架及該反射器相配合界定出一承載空間，該第一金屬導電架與該第二金屬導電架分別具有一頂面，該頂面具有一與該反射器相接合的接合區，及至少一形成於該接合區上且與該反射器相接合的接合槽；一黏著層，包括複數熱傳導粒子；一高電壓發光二極體晶粒，經由該黏著層上以設置在該承載空間內，該高電壓發光二極體晶粒包括一頂面及至少一形成於該頂面且位置大致對應於該承載空間的光學中心處的溝槽，該高電壓發光二極體晶粒的驅動電壓的範圍大致介於5伏特~7伏特間；及一封裝件，封裝該高電壓發光二極體晶粒，其中，該發光二極體晶粒的溝槽嵌合在該封裝件內，且該溝槽的寬度範圍介於1微米到10微米間，深度小於或等於50微米。
  8. 如請求項7所述發光二極體封裝結構，其中，該第一金屬導電架和該第二金屬導電架分別具有至少一接合槽，該第一金屬導電架的該接合槽及該第二金屬導電架的該接合槽大致環繞該承載座的該承載空間。
  9. 如請求項7所述發光二極體封裝結構，其中，該反射器具有一介於該第一金屬導電架與該第二金屬導電架的絕緣區，該第一金屬導電架還具有一朝該第二金屬導電架方向延伸，且與該絕緣區緊密接合的第一連接部，該第二金屬導電架還具有一朝該第一金屬導電架方向延伸，且與該絕緣區緊密接合的第二連接部。
  10. 如請求項9所述發光二極體封裝結構，其中，該第二金屬導電架具有二第二連接部，及一由該等第二連接部之間定義出之凹陷部，該凹陷部的位置對應於該第一金屬導電架的第一連接部。
  11. 如請求項9所述發光二極體封裝結構，其中，該第一金屬導電架的該第一連接部與該第二金屬導電架的該第二連接部分別具有一與該絕緣區緊密接合的彎曲接合面。
TW103123972A 2013-07-12 2014-07-11 發光二極體封裝結構 TWI511337B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201361845526P 2013-07-12 2013-07-12
CN201310647783.8A CN104282821B (zh) 2013-07-12 2013-12-04 发光二极管结构、发光二极管结构金属支架及承载座模块
US201461977701P 2014-04-10 2014-04-10

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201503423A TW201503423A (zh) 2015-01-16
TWI511337B true TWI511337B (zh) 2015-12-01

Family

ID=52257511

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW102144367A TWI513068B (zh) 2013-07-12 2013-12-04 發光二極體結構、發光二極體結構的金屬支架、及承載座模組
TW103123972A TWI511337B (zh) 2013-07-12 2014-07-11 發光二極體封裝結構

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW102144367A TWI513068B (zh) 2013-07-12 2013-12-04 發光二極體結構、發光二極體結構的金屬支架、及承載座模組

Country Status (2)

Country Link
CN (1) CN104282821B (zh)
TW (2) TWI513068B (zh)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105261694B (zh) * 2015-10-27 2018-07-27 东莞智昊光电科技有限公司 Led支架及其生产方法
CN105609616A (zh) * 2016-03-21 2016-05-25 福建天电光电有限公司 Emc封装的红外器件的制造方法以及emc连体支架
CN108305926B (zh) * 2018-02-08 2020-02-07 开发晶照明（厦门）有限公司 Led支架、led模组、以及led支架的制造方法
CN113823730A (zh) * 2018-09-28 2021-12-21 光宝光电(常州)有限公司 多芯片发光二极管封装结构
TWI679740B (zh) * 2018-09-28 2019-12-11 大陸商光寶光電（常州）有限公司 搭載晶片用的導線架陣列及多晶片發光二極體封裝結構

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050151231A1 (en) * 2004-01-05 2005-07-14 Kenichi Yoshida Surface mount type semiconductor device and lead frame structure thereof
US20050253151A1 (en) * 2002-08-29 2005-11-17 Shiro Sakai Light-emitting device having light-emitting elements
US20110175134A1 (en) * 2010-01-20 2011-07-21 Silitek Electronic (Guangzhou) Co., Ltd. Package structure and led package structure
US20110193010A1 (en) * 2008-10-01 2011-08-11 Tesa Se Thermally conductive adhesive mass
US20120162998A1 (en) * 2010-12-28 2012-06-28 Nichia Corporation Light emitting device and method for manufacturing same
US20120273826A1 (en) * 2011-04-28 2012-11-01 Kabushiki Kaisha Toshiba Led package and method for manufacturing same

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010258200A (ja) * 2009-04-24 2010-11-11 Panasonic Corp 半導体装置およびその製造方法
KR101064084B1 (ko) * 2010-03-25 2011-09-08 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지 및 그 제조방법
KR101719644B1 (ko) * 2010-05-24 2017-04-04 서울반도체 주식회사 Ｌｅｄ패키지
JP2012028744A (ja) * 2010-06-22 2012-02-09 Panasonic Corp 半導体装置用パッケージおよびその製造方法ならびに半導体装置
JP2012049486A (ja) * 2010-07-27 2012-03-08 Kyushu Institute Of Technology Ｌｅｄパッケージとその製造方法、及び該ｌｅｄパッケージを用いて構成したｌｅｄモジュール装置とその製造方法
KR101890084B1 (ko) * 2010-11-02 2018-08-20 다이니폰 인사츠 가부시키가이샤 리드 프레임 및 반도체 장치
JP5287899B2 (ja) * 2011-02-23 2013-09-11 凸版印刷株式会社 半導体発光装置用リードフレーム及びその製造方法
CN102760818A (zh) * 2011-04-27 2012-10-31 富士康(昆山)电脑接插件有限公司 发光二极管封装体及其导线架
KR101832306B1 (ko) * 2011-05-30 2018-02-26 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지
JP2013062338A (ja) * 2011-09-13 2013-04-04 Toshiba Corp 発光装置
CN202917535U (zh) * 2012-10-19 2013-05-01 博罗承创精密工业有限公司 多个出光角度的led支架其及端子料带

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050253151A1 (en) * 2002-08-29 2005-11-17 Shiro Sakai Light-emitting device having light-emitting elements
US20050151231A1 (en) * 2004-01-05 2005-07-14 Kenichi Yoshida Surface mount type semiconductor device and lead frame structure thereof
US20110193010A1 (en) * 2008-10-01 2011-08-11 Tesa Se Thermally conductive adhesive mass
US20110175134A1 (en) * 2010-01-20 2011-07-21 Silitek Electronic (Guangzhou) Co., Ltd. Package structure and led package structure
US20120162998A1 (en) * 2010-12-28 2012-06-28 Nichia Corporation Light emitting device and method for manufacturing same
US20120273826A1 (en) * 2011-04-28 2012-11-01 Kabushiki Kaisha Toshiba Led package and method for manufacturing same

Also Published As

Publication number Publication date
CN104282821B (zh) 2017-03-29
TW201503429A (zh) 2015-01-16
CN104282821A (zh) 2015-01-14
TW201503423A (zh) 2015-01-16
TWI513068B (zh) 2015-12-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7923739B2 (en) Solid state lighting device
US8482016B2 (en) Semiconductor light-emitting device and manufacturing method
JP5564121B2 (ja) Ｌｅｄベースのペデスタル型の照明構造
TWI511337B (zh) 發光二極體封裝結構
US8723409B2 (en) Light emitting device
KR102024291B1 (ko) 램프 유닛 및 그를 이용한 차량 램프 장치
JP6628739B2 (ja) 発光装置
JP2004327863A (ja) 放熱機能を有する反射板を備えた半導体発光装置
JP6587499B2 (ja) 発光装置およびその製造方法
JP2010517272A (ja) 高性能ｌｅｄパッケージ
JP2012532473A (ja) 散乱粒子領域を有するｌｅｄパッケージ
US9583689B2 (en) LED package
TWI518952B (zh) 發光二極體封裝結構及發光元件
JP2004281606A (ja) 発光装置およびその製造方法
US20160254423A1 (en) Non-magnified led for high center-beam candle power
US8445936B1 (en) Integrally formed high-efficient multi-layer light-emitting device
TWM450828U (zh) 熱電分離的發光二極體模組和相關的散熱載板
KR101401919B1 (ko) 일체화 고효율 다층식 조명장치
JP2007266246A (ja) Ｌｅｄモジュール
TW201310726A (zh) 發光二極體封裝結構
JP2011176054A (ja) 発光装置
TW201403870A (zh) 發光二極體元件及其封裝方法
JP3180453U7 (zh)
JP3180453U (ja) 多層式構造を具える一体化高効率照明装置
JP6085459B2 (ja) 照明装置