TW201343382A - 太陽光反射板 - Google Patents

Abstract

本發明之目的係提供一種維持反射層之優異反射率，且耐砂性及耐候性優異之太陽光反射板。本發明之太陽光反射板為具有基板、設置於前述基板上之反射層、與設置於前述反射層上之保護層之太陽光反射板，其中前述保護層含有矽及有機物，且以SiO2換算含10~60質量%之矽，化學鍵結於矽之氧數以平均計為1.5~3.2。

Description

太陽光反射板

本發明係關於較好地使用於太陽熱發電之太陽光反射板。

過去，係使用在平滑性優異之玻璃基板表面或背面蒸鍍鋁或銀等金屬薄膜者作為光學反射鏡。

將金屬薄膜蒸鍍於玻璃基板表面時，雖可獲得較高反射率，但作為太陽熱發電之反射板(太陽光反射板)使用時，由於必然係在屋外使用，故有耐砂性、耐候性、耐衝擊性、輕量化等多項課題。

對於該等課題，例如專利文獻1中提案「在金屬板(鋁或不銹鋼等)之表面上設置具有反射性之金屬(鋁、銀等)蒸鍍膜，且以透明無機物質(SiO、SiO₂等)之保護膜被覆金屬蒸鍍膜之外表面而成之反射型集熱板」(申請專利範圍請求項1、第3頁左欄第4~23行)。

又，專利文獻2中提案「包含以鋁、鋼板、不銹鋼等之金屬、合金或塑膠等適宜之材料形成之基材4、被覆於 該基材4上之以鋁、銀等形成之金屬反射膜5、被覆於該金屬反射膜5表面之以如SiO、SiO₂之玻璃質膜形成之透明性無機質保護膜6而形成者」(參照第2頁右上欄)。

再者，專利文獻3中提案「在具有反射性表面之金屬基材上設置以由脫鹼金屬矽酸鹽所成之被膜與直接重疊被著在該被膜上之樹脂被膜作為形成要素之層合狀保護被膜之反射體」(申請專利範圍請求項1)。

[先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]特公昭62-57904號公報

[專利文獻2]特開昭57-4003號公報

[專利文獻3]特開昭57-125901號公報

本發明人等針對專利文獻1~3所記載之反射板進行檢討後，發現有以下課題。

亦即，專利文獻1及2所記載之反射板由於具有無機主體之被膜故耐候性優異，但作為大多放置在沙漠地帶等砂塵飛揚之地帶之太陽光反射板使用時，可知對於飛揚之砂塵之耐砂性不足。

且，專利文獻3所記載之反射板由於最表層為樹脂被膜，故可知耐砂性相當差。

因此，本發明之課題係提供一種維持了反射層之優異反射率，且耐砂性及耐候性優異之太陽光反射板。

本發明人等為達成上述課題而積極檢討之結果，發現藉由設置含有矽及有機物之特定保護層，而維持了反射層優異之反射率，且耐砂性及耐候性優異，因而完成本發明。

亦即，本發明提供以下之(1)~(5)。

(1)一種太陽光反射板，其為具有基板、設置於上述基板上之反射層、與設置於上述反射層上之保護層的太陽光反射板，其中上述保護層含有矽及有機物，且以SiO₂換算含10~60質量%之矽，且化學鍵結於矽之氧數以平均計為1.5~3.2。

(2)如上述(1)所記載之太陽光反射板，其中上述保護層之彈性率為0.1~15GPa。

(3)如上述(1)或(2)所記載之太陽光反射板，其中上述反射層含有鋁及/或銀。

(4)如上述(1)~(3)中任一項所記載之太陽光反射板，其中上述反射層與上述保護層之間具有含有由矽烷偶合劑、鈦偶合劑、鋯偶合劑及有機樹脂所組成群組中選出之至少一種的中間層。

(5)如上述(1)~(4)中任一項所記載之太陽光反射板，其中上述基板與上述反射層之間具有至少一層之由 有機材料及/或無機材料構成之基底層。

依據本發明，可提供一種維持反射層優異之反射率，且耐砂性及耐候性優異之太陽光反射板。

1‧‧‧基板

2‧‧‧反射層

3‧‧‧保護層

4‧‧‧中間層

5‧‧‧基底層

10‧‧‧太陽光反射板

圖1為顯示太陽光反射板之實施樣態之一例的模式剖面圖。

本發明之太陽光反射板為具有基板、設置於上述基板上之反射層、與設置於上述反射層上之保護膜之太陽光反射板，且上述保護層含有矽及有機物，且以SiO₂換算含有10~60質量%之矽，化學鍵結於矽上之氧數以平均計為1.5~3.2。

接著，針對本發明之太陽光反射板之整體構成使用圖式加以說明。

如圖1(A)~(C)所示，本發明之太陽光反射板10具有基板1、設置於基板1上之反射層2、及設置於反射層2上之保護層3。

且，如圖1(B)所示，本發明之太陽光反射板10在反射層2與保護層3之間亦可具有中間層4。

再者，如圖1(C)所示，在基板1與反射層2之間亦可具有基底層5。

又，圖1所示之太陽光反射板10為平面形狀者，但本發明之太陽光反射板並不限於平面形狀，亦可為滾筒狀(桶狀)、彎曲成拋物線狀之形狀。

接著，針對本發明之太陽光反射板之各構成，說明材料或形成方法等。

〈基板〉

本發明之太陽光反射板所具備之基板並無特別限制，可使用例如鋼板、塑膠板、陶瓷板、玻璃板等基板。

該等中，可較好使用之鋼板只要是一般之鋼板即無特別限制，但基於背面或側剖面之耐腐蝕性優異之理由較好為不銹鋼鋼板，就經濟性之觀點或可藉塗裝等改善耐腐蝕性之理由較好為冷軋鋼板或鋅等鍍敷鋼板。

本發明中，上述基板之表面就降低後述之反射層及保護層之表面粗糙度之觀點而言，較好為平滑者。

上述基板表面之平滑化可為以壓延、澆鑄、紙研磨、電解研磨、電解複合研磨等研磨進行之平滑化，或亦可藉由對上述基板表面施以有機物及/或無機物之塗裝之方法，以接著劑等層合平滑薄膜之方法，以熱層合貼附平滑薄膜之方法等予以平滑化。

又，本發明中，上述基板之板厚就容易彎曲加工之觀點而言，較好為10mm以下，尤其就彎曲加工之 施工性觀點而言，更好為6mm以下。

〈反射層〉

本發明之太陽光反射板所具備之反射層只要為含有金屬之反射層即無特別限制。

上述金屬具體而言列舉為例如反射率高之鋁(Al)、銀(Ag)等，就經濟性之觀點而言，較好為Al。

上述反射層中之金屬含量就提高反射率之觀點而言，較好為50質量%以上，更好為80質量%以上，又更好為90質量%以上。

本發明中，將上述反射層被著於上述基板(具有後述基底層時為基底層)之方法並無特別限制，但可應用例如蒸鍍法、濺鍍法、電鍍法、熔融鍍敷法、無電解電鍍法等方法。

此處，應用蒸鍍法或濺鍍法時，上述反射層之膜厚就提高反射率及均勻性之觀點而言，較好為0.001~0.5μm，更好為0.01~0.2μm。

且，應用電鍍法或熔融鍍敷法時，上述反射層之膜厚為5~200μm左右，但就提高反射率之觀點而言，較好藉由壓延、表皮軋光、研磨等降低鍍敷之表面粗糙度。

又，本發明中，可使用蒸鍍或濺鍍Al或Ag等金屬之薄膜或玻璃薄片作為上述反射層。又，該樣態中，上述反射層可利用接著劑或熱層合貼附於上述基板。

至於上述薄膜，具體列舉為例如PET薄膜、聚酯薄 膜、聚乙烯薄膜、聚丙烯薄膜、聚烯烴薄膜、聚氯化乙烯薄膜、聚偏氯化乙烯薄膜、丙烯酸樹脂薄膜、聚乙烯醇薄膜、聚碳酸酯薄膜、聚苯乙烯薄膜、聚丙烯腈薄膜、乙烯乙酸乙烯酯共聚物薄膜、乙烯-乙烯醇共聚物薄膜、乙烯-甲基丙烯酸共聚物薄膜、尼龍薄膜、離子聚合物薄膜、聚矽氧薄膜等之樹脂主體之薄膜等。

此處，上述薄膜之表面粗糙度並無特別限制，但就提高反射率之觀點而言，以較小較佳，具體而言，算術平均粗糙度(Ra)較好為0.2μm以下，更好為0.02μm以下。

又，上述薄膜之厚度並無特別限制，但就抑制上述基板之表面粗糙度之影響、提高反射率之觀點而言，較好為1μm以上，更好為5μm以上。同樣地，上述薄膜之厚度就經濟性之觀點而言，較好為5000μm以下，更好為500μm以下。

另一方面，玻璃薄片並無特別限制，但其表面粗糙度以Ra表示較好為0.2μm以下，更好為0.02μm以下。

另外，玻璃薄片之厚度並無特別限制，但就容易彎曲加工之觀點而言，較好為50~1000μm，更好為100~500μm。

〈保護層〉

本發明之太陽光反射板所具備之保護層為含有矽(Si)及有機物之特定保護層。

此處，使用無機物主體之玻璃質皮膜作為保護層時， 由於為硬的材料故認為不易受損傷，但由於材料脆，故可知對於因飛砂所致之微小損傷反而變弱，容易使透明性下降。

又，使用聚矽氧橡膠或聚矽氧樹脂作為保護層時，由於為柔軟材料故容易造成損傷，為耐砂性差者。

因此，本發明人等積極研究之結果，發現含有Si與有機物，且Si含量(以下亦稱為「Si含量」)成為特定值，且鍵結於Si之氧(O)之數(以下亦稱為「Si鍵結氧數」)為特定值之保護層，可維持上述反射層之優異反射率，且可大幅改善耐砂性及耐候性。

(Si含量)

上述保護層中之Si含量以SiO₂換算為10~60質量%，較好為15~50質量%，更好為20~40質量%。

Si含量在上述範圍時，耐砂性及耐候性變良好。該等認為係由於源自Si之硬度及源自有機物之柔軟性之優異均衡所致。

此處，保護層中之Si含量可藉螢光X射線分析法或以ICP-AES法定量。又，ICP-AES法中，剝離或研削保護層進行分析之方法雖液可能，但宜以分析自表層至厚度之50%左右以上之部位為代表。又，保護層為薄膜時，會有反射層或基板混入試料中之情況，但以分析定量該等(混入之反射層或基板)，且藉由相減，可定量出保護層之Si含量。

本發明中，Si及有機物之分散(混合)狀態會有成為海島構造之可能性，但Si及有機物之任一者均可形成相當於島之部分。

又，基於使耐砂性更良好之理由，Si及有機物之分散狀態以相當於島之部分越細越佳，具體而言，該部分之直徑較好為100nm以下，更好為50nm以下。

再者，基於提高透明性之理由，Si及有機物以分子等級較好為化學鍵結之複合體或混成體。

(Si鍵結之氧數)

上述保護層中之Si鍵結之氧數以平均計為1.5~3.2，較好為1.7~2.7。

Si鍵結之氧數在上述範圍時，耐砂性及耐候性變良好。其原因認為係使交聯較好地進行，而成為適當分子構造之故。

此處，一個Si原子上化學鍵結之氧之平均數係指以固體NMR(雙極去偶合法)確認之值，例如可使用日本電子製之JNM-ECA系列進行測定。

至於該保護層可使用例如使含烷氧基矽烷基或矽烷醇基之矽烷化合物交聯(硬化)，生成矽氧烷鍵之聚矽氧系化合物(聚矽氧系樹脂)。

上述矽烷化合物列舉為例如1官能性之R₃Si(OR)₁、2官能性之R₂Si(OR)₂、3官能性之R₁Si(OR)₃、4官能性之Si(OR)₄(各式中，R表示氫原子或有機基)，藉由適當組合 使用各官能基數之矽烷化合物，可調整上述之Si鍵結之氧數。

作為上述保護層之聚矽氧系樹脂之原料(矽烷化合物)具體而言列舉為例如，四甲氧基矽烷、四乙氧基矽烷等之四烷氧基矽烷類；甲基三甲氧基矽烷、苯基三甲氧基矽烷、甲基三乙氧基矽烷、苯基三乙氧基矽烷、正丙基三甲氧基矽烷、正丙基三乙氧基矽烷、己基三甲氧基矽烷、己基三乙氧基矽烷、癸基三甲氧基矽烷、三氟丙基三甲氧基矽烷、乙烯基三甲氧基矽烷、乙烯基三乙氧基矽烷、2-(3,4-環氧基環己基)乙基三甲氧基矽烷、3-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷、3-縮水甘油氧基丙基三乙氧基矽烷、對-苯乙烯基三甲氧基矽烷、3-丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷、N-2-(胺基乙基)-3-胺基丙基三甲氧基矽烷、3-胺基丙基三甲氧基矽烷、3-脲基丙基三乙氧基矽烷、3-巰基丙基三甲氧基矽烷、雙(三乙氧基矽烷基丙基)四硫醚、3-異氰酸酯基丙基三乙氧基矽烷等三烷氧基矽烷類；二甲基二甲氧基矽烷、二甲基二乙氧基矽烷、3-縮水甘油氧基丙基甲基二甲氧基矽烷、3-縮水甘油氧基丙基甲基二乙氧基矽烷、3-甲基丙烯醯氧基丙基甲基二甲氧基矽烷、N-2-(胺基乙基)-3-胺基丙基甲基二甲氧基矽烷、3-巰基丙基甲基二甲氧基矽烷等二烷氧基矽烷類；甲基三氯矽烷、二甲基二氯矽烷、三甲基氯矽烷、苯基三氯矽烷、三甲基矽烷基氯、三乙基矽烷基氯等氯矽烷 類；六甲基二矽氮烷等矽氮烷類等，該等可單獨使用一種，亦可併用兩種以上。

上述保護層中之有機物並無特別限制，可為源自上述矽烷化合物所具有之官能基(例如，烷基、苯基、環氧基、乙烯基、甲基丙烯醯基、丙烯醯基等)者，但就調整Si含量之觀點而言，亦可為交聯前之矽烷化合物或交聯後之聚矽氧系樹脂一起混合或複合化之環氧樹脂、丙烯酸樹脂、聚酯樹脂、烯烴系樹脂等。

又，使用該等樹脂作為有機物時，可視需要藉加熱或紫外線予以硬化。

上述保護層中之有機物之其他例就提高滑動性等處理性或提高皮膜硬度之觀點而言，列舉為有機填料、樹脂安定劑等。

上述有機填料具體列舉為例如聚苯乙烯、聚丙烯酸酯等，該等可單獨使用一種，亦可併用兩種以上。

上述樹脂安定劑具體列舉為例如受阻胺系光安定劑；苯并三唑系紫外線吸收劑；酚系、磷系、硫系抗氧化劑等；該等可單獨使用一種，亦可併用兩種以上。

上述保護層亦可含有Si及有機物以外之其他成分，例如就提高滑動性等處理性或提高皮膜硬度之觀點，亦可含有無機填料。

上述無機填料列舉為例如氧化鈦、碳酸鈣、氧化鋯、氧化鋁、氧化鎂、氧化鋅、硫酸鋇、磷酸鈣等，該等可單 獨使用一種，亦可併用兩種以上。

又，含有Si及有機物以外之其他成分時，其含量只要在不損及本發明效果之範圍即無特別限制，但較好在保護膜中成為15質量%左右以下。

本發明中，上述保護層之彈性率就使耐砂性更為良好之理由而言，較好為0.10~15GPa，更好為0.5~10GPa。

此處，彈性率可使用例如FISCHER INSTRUMENT公司製造之硬度試驗機(picodenrtor)HM500測定。

另外，本發明中，上述保護層之表面形狀並無特別限制，但就集光率之觀點而言，以平滑較佳。

上述保護層之表面粗糙度就減少擴散之反射成分，可更高的維持正反射率之理由而言，以算術平均粗糙度(Ra)計為0.10μm以下較佳。又，Ra可基於JIS B0601(2001)測定。

此處，上述保護層之表面粗糙度由於可藉由控制上述基板或上述反射層之表面形狀而某種程度地調整，故為了降低上述保護層之表面粗糙度，預先降低上述基板或上述反射層之表面粗糙度為有效。

又，上述保護層之表面粗糙度亦可藉由使形成上述保護層之塗佈液成為低黏度，或拉長直至硬化之時間等方法而調整。

再者，以丙酮、甲苯、乙基醚、甲基溶纖素、溶纖素、丁基溶纖素(乙二醇單丁基醚)、乙醇、異丙醇、丙二 醇1-單甲基醚2-乙酸酯、水之溶劑稀釋塗裝之方法亦有效。又，此時之固體成分濃度較好為0.5~50質量%左右。

再者，本發明中，上述保護層之厚度並無特別限制，但就反射率與保護之均衡而言，較好為0.01~20μm，更好為0.01~10μm，最好為0.1~5μm。

〈中間層〉

本發明之太陽光反射板就改善上述保護層之密著性，使耐候性更良好之理由而言，較好在上述反射層與上述保護層間設置中間層。

上述中間層為含有由矽烷偶合劑、鈦偶合劑、鋯偶合劑及有機樹脂所組成群組中選出之至少一種者。

又，上述中間層之膜厚，在使用矽烷偶合劑、鈦偶合劑、鋯偶合劑時較好為單分子層等級(數埃)~0.5μm左右，使用有機樹脂時較好為0.1~5μm左右。

上述矽烷偶合劑列舉為例如具有乙烯基、環氧基、苯乙烯基、甲基丙烯醯基、丙烯醯基、胺基、脲基、巰基、硫醚基、異氰酸酯基等官能基之烷氧基矽烷。

上述鈦偶合劑列舉為例如四異丙氧化鈦、四正丁氧化鈦、丁氧化鈦二聚物、四-2-乙基己氧化鈦等。

上述鋯偶合劑列舉為例如乙酸鋯、碳酸鋯銨、氟化鋯等。

該等中，就與上述保護層之相容性變良好，改善耐候性，可進一步高的維持上述反射層之優異反射率之理由而 言，較好為矽烷偶合劑。

又，使用矽烷偶合劑作為上述中間層時，上述中間層可視為上述保護層之一部分，且矽烷偶合劑之SiO₂換算量可加入上述保護層之Si含量中。

另一方面，有機樹脂可應用例如透明性及耐光性優異之聚氯化乙烯樹脂、氯化乙烯-乙酸乙烯酯樹脂、丙烯酸樹脂、改質烯烴樹脂、聚酯樹脂、聚碳酸酯樹脂等。

〈基底層〉

本發明之太陽光反射板，就改善反射層之平滑性，提高反射率之理由，較好在上述基板與上述反射層之間設置至少一層由有機材料及/或無機材料構成之基底層。

由上述有機材料構成之基底層具體列舉為例如PET薄膜、聚酯薄膜、聚乙烯薄膜、聚丙烯薄膜、聚烯烴薄膜、聚氯化乙烯薄膜、聚偏氯化乙烯薄膜、丙烯酸樹脂薄膜、聚乙烯醇薄膜、聚碳酸酯薄膜、聚苯乙烯薄膜、聚丙烯腈薄膜、乙烯乙酸乙烯酯共聚物薄膜、乙烯-乙烯醇共聚物薄膜、乙烯-甲基丙烯酸共聚物薄膜、尼龍薄膜、離子聚合物薄膜、聚矽氧薄膜等樹脂主體之薄膜等。

由上述無機材料構成之基底層具體列舉為例如玻璃薄片、玻璃塗層；鎳或鋅等金屬鍍敷等。

[實施例]

以下，列舉實施例具體說明本發明。但，本發明並不限於該等。

[實施例1~71、比較例1~16]

對於下述表1~表3所示之基板，以如下所示之方法形成下述表1~表3所示之基底層、反射層、中間層及保護層，製作太陽光反射板。

又，下述表1~表3中，以「-」表示之部位表示未設置該項目(未經處理)。另外，下述表1~表3所示之基板具體係使用以下基板，且使用不銹鋼板、冷軋鋼板、熔融鍍鋅鋼板、電鍍鋅鋼板之任一者作為基板時，係於形成反射層之基板表面施以表皮軋光加工。

(基板)

．不銹鋼鋼板：SUS430(板厚0.1mm)

．冷軋鋼板：SPCC(板厚0.35mm)

．塑膠基板：聚氯化乙烯(板厚5mm)

．陶瓷基板：纖維強化膠合板[可撓板(板厚5mm，三菱材料公司製造)]

．玻璃基板：浮法板玻璃(板厚5mm，旭硝子公司製造)

．熔融鍍鋅鋼板(板厚0.30mm，兩面鍍敷，每一面之鍍敷附著量：100g/m²)

．電鍍鋅鋼板(板厚0.45mm，兩面電鍍，每面之電鍍 附著量：20g/m²)

(基底層)

基底層係使用接著劑對基板貼附而形成。

此處，基底層之PET薄膜係使用算術平均粗糙度(Ra)為0.1μm，且為下述表1~表3所示厚度(下述表1~表3未記載者為厚度50μm)者。

又，實施例50中使用之基底層之玻璃薄片係使用旭硝子公司製造之AN100(板厚0.5mm)。

又，實施例54中使用之基底層之玻璃塗層係使用在500℃燒成低溫密封用粉末玻璃(BAS115，旭硝子公司製造)30分鐘，成為100μm厚度者。

(反射層)

反射層係藉由蒸鍍而於基底層上使下述表1~表3所示之Al或Ag成膜。又，關於實施例60，係使熔融之Al成為100μm厚之方式鍍敷於基底層上之後，以鏡面研磨，成為80μm之厚度而形成。

此處，反射層之厚度未記載於下述表1~表3中者為0.1μm。

(中間層)

中間層係將使下述表1~表3所示之矽烷偶合劑等溶解而成之0.5質量%水溶液以10g/m²塗佈於反射層上，在 110℃乾燥5分鐘而形成。又，各中間層之厚度如下述表1~表3所示。

此處，矽烷偶合劑係使用3-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷，鈦偶合劑係使用四丁氧化鈦，鋯偶合劑係使用碳酸鋯銨。

又，附加#之矽烷偶合劑係使用3-胺基丙基三甲氧基矽烷。

(保護層)

保護層係使用棒塗布器將下述表4所示之調配劑及下述表5所示之硬化劑以成為下述表1~表3所示質量比例之方式混合於溶劑(乙二醇單丁基醚)中而成之塗布液(固體成分濃度10質量%)塗佈於反射層(設置中間層時為中間層)上，且以下述表1~表3所示之硬化條件進行加熱乾燥而形成。又，比較例10~14並未使用下述表4所示之調配劑及下述表5所示之硬化劑，而使用下述表1所示之聚矽氧橡膠(RTV橡膠KE-1842，硬化條件：120℃×1小時，厚度1μm，信越化學工業公司製造)，聚矽氧樹脂(KR-300，硬化條件：250℃×1小時，厚度1μm，信越化學工業公司製造)、SiO₂蒸鍍膜，硼矽酸玻璃、金屬矽酸鹽(矽酸鋰LSS45，日產化學工業製造)，形成保護層。

此處，關於形成之保護層，Si含量(換算SiO₂)係剝離保護層或自表層削取，以鹼熔解/ICP-AES法定量。Si鍵結之氧數係由固體NMR(JNM-ECA系列，日本電子製造) 之化學位移算出。將該等結果與彈性率、厚度及算術平均粗糙度(Ra)之測定結果一起示於下述表1~表3。

針對所製作之各太陽光反射板，以如下所示之評價方法評價反射率、耐砂性及耐候性。該等結果示於下述表1~表3。

〈反射率〉

使用分光光度計(UV-3100PC，島津製作所製造)，測定波長300~2500nm之正反射率，且以基於JIS K5602(2008)乘以加權係數之日照反射率進行評價。70%以上設為合格。

〈耐砂性〉

基於JIS H8503(1989)，以於試驗面上掉落2kg之碳化矽時之正反射率降低率進行評價。

(判定基準)

◎：5%以下(合格)

○：超過5%~10%以下(合格)

△：超過10%~30%以下(不合格)

×：超過30%(不合格)

〈耐候性〉

基於JIS D0205(1987)，以進行日照天候試驗1000 小時時之正反射率之降低率進行評價。

(判定基準)

◎：5%以下(合格)

○：超過5%~10%以下(合格)

△：超過10%~30%以下(不合格)

×：超過30%(不合格)

由表1~表3所示之結果可了解，使用Si含量(SiO₂換算)及Si鍵結之氧數之任一者或二者在特定範圍外之保護層時，可知雖可維持高的反射率，但耐砂性及耐候性差(比較例1~14)。

另一方面，使用Si含量(SiO₂換算)及Si鍵結之氧數任一者在特定範圍內之保護層時，可知維持了反射層之優異反射率，且耐砂性及耐候性亦成為良好(實施例1~71)。

尤其，使用不銹鋼板、冷軋鋼板、熔融鍍鋅鋼板或電鍍鋅鋼板作為基板，且在反射層與保護層之間設置中間層之實施例14~21、24~31、33~47、49~50、61~71所製作之太陽光反射板，可知有更提高耐砂性及耐候性(尤其是耐候性)之傾向。

1‧‧‧基板

2‧‧‧反射層

3‧‧‧保護層

4‧‧‧中間層

5‧‧‧基底層

10‧‧‧太陽光反射板

Claims (5)

1. 一種太陽光反射板，其為具有基板、設置於前述基板上之反射層、與設置於前述反射層上之保護層的太陽光反射板，其中前述保護層含有矽及有機物，且以SiO₂換算含10~60質量%之矽，且化學鍵結於矽之氧數以平均計為1.5~3.2。
2. 如請求項1之太陽光反射板，其中前述保護層之彈性率為0.1~15GPa。
3. 如請求項1或2之太陽光反射板，其中前述反射層含有鋁及/或銀。
4. 如請求項1~3中任一項之太陽光反射板，其中前述反射層與前述保護層之間具有含有由矽烷偶合劑、鈦偶合劑、鋯偶合劑及有機樹脂所組成群組中選出之至少一種的中間層。
5. 如請求項1~4中任一項之太陽光反射板，其中前述基板與前述反射層之間具有至少一層之由有機材料及/或無機材料構成之基底層。