TW201341099A - 雷射光照射系統、雷射光照射方法及記錄媒體 - Google Patents

Abstract

雷射光照射系統具備：雷射光振盪機，其係使雷射光振盪；光束分離器，其係使雷射光振盪機振盪的雷射光，束分為第一雷射光及第二雷射光，並使第一雷射光照射於薄膜；測定裝置，其係測定光束分離器所束分之第二雷射光之強度；修正裝置，其係自測定裝置所測定之第二雷射光強度計算雷射光振盪機之輸出值，並使雷射光振盪機之輸出值接近設定值。

Description

雷射光照射系統、雷射光照射方法及記錄媒體

本發明係關於雷射光照射系統、雷射光照射方法及記錄媒體。

偏光薄膜、相位差薄膜等之光學薄膜被廣泛使用於液晶面板等各種製品。先前，在光學薄膜之切斷加工，係使用刀刃。但是，在刀刃所致切斷加工之情形，自被切斷物易於產生薄膜殘屑(film scrap)等之異物。若該異物附著於偏光薄膜時，則會有在液晶面板等之製品產生顯示不便等之缺陷。其結果，降低了製品良率。

因此，近年來在光學薄膜之切斷加工，係使用雷射光替代刀刃。藉由以雷射光進行切斷加工，而相較於刀刃所致切斷加工，則難以自被切斷物產生薄膜殘屑等之異物。其結果可抑制製品良率之降低。

例如，作為雷射光所致切斷方法，如專利文獻1至5所記載，有提案各種方法。

【先前技術文獻】 【專利文獻】

【專利文獻1】日本特開2008-284572號公報

【專利文獻2】日本特開2008-302376號公報

【專利文獻3】日本特開2009-22978號公報

【專利文獻4】日本特開2009-167321號公報

【專利文獻5】日本特開2010-53310號公報

一般之雷射光振盪機，雷射光之輸出並非一定，在極短周期(例如1毫秒)，輸出值在介於設定值之間的一定振幅變動。因此，藉由雷射光振盪機之輸出變動，而即使對用以進行光學薄膜之切斷加工之所需值，設定雷射光之輸出值，實際上也有無法適切進行光學薄膜之切斷加工的情形。

通常，光學薄膜之切斷加工，係藉由將光學薄膜之長形物以一定速度搬運，同時照射雷射光，而連續地進行。在此，若將雷射光之輸出值設定成對光學薄膜之切斷加工之所需值，則在因雷射光振盪機之輸出變動而使該輸出值較設定值低至一定以上時，會有光學薄膜無法適切地切斷之情形。伴隨此，在將切斷加工後之光學薄膜回捲時，會發生使該光學薄膜端部(切斷部)撕裂(tear-off)，或有自光學薄膜端部朝向內側破裂之缺陷之情形。

為了消除該缺陷，吾人考慮即使使雷射光之輸出值較設定值低至一定以上時，也能適切地進行切斷加工，而將雷射光之輸出值設定成較光學薄膜之切斷加工所需值更高值之方法。但是，若設定雷射光之輸出值成為較光學薄膜之切斷加工所需值更高之值時，則產生以下問題。亦即，因雷射光振盪機之輸出變動而使該輸出值較設定值高至一定以上時，則產生輸出值變得過高的問題。若產生此種問題時，則發生光學薄膜端部(切斷部)因雷射光之照射所致過剩的熱而溶解，或熱膨脹而隆起，或翹曲(warp)等的缺陷。

但是，在專利文獻1至5所記載之切斷方法，雷射光振盪機之該特性，亦即就在極短周期雷射光之輸出變動的特性，並無進行特別考慮或對策。亦即，在專利文獻1至5所記載之切斷方法，並無法適切地進行光學薄膜之切斷加工。

本發明係鑑於此種情事而完成者，其目的在於提供一種可適 切進行光學薄膜之切斷加工的雷射光照射系統、雷射光照射方法及記錄媒體。

本發明之第一態樣係一種雷射光照射系統，其具備：雷射光振盪機，其使雷射光振盪；光束分離器，其係將使該雷射光振盪機振盪的雷射光束分為第一雷射光及第二雷射光，並照射該第一雷射光於薄膜；測定裝置，其測定該光束分離器所分出的該第二雷射光強度；及修正裝置，其係自該測定裝置測定的該第二雷射光之強度，計算該雷射光振盪機之輸出值，使該雷射光振盪機之該輸出值接近設定值。

在本發明之第一態樣，亦可進一步具備：光閥(shutter)，其配置在該光束分離器及該薄膜之間之該第一雷射光之光路上，並截斷自該光束分離器所照射之該第一雷射光；及控制裝置，其係在該雷射光振盪機中將該雷射光連續地振盪，在照射該第一雷射光於該薄膜時，開啟該光閥，並在不使該第一雷射光照射該薄膜時，關閉該光閥。

在本發明之第一態樣，該第一雷射光，係使該雷射光振盪機振盪的雷射光之在該光束分離器之反射光，該第二雷射光亦可為使該雷射光振盪機振盪的雷射光之在該光束分離器之透過光。

在本發明之第一態樣，該測定裝置亦可將該第二雷射光變換成熱電動勢，而測定該第二雷射光之強度。

在本發明之第一態樣，該雷射光振盪機亦可為CO₂雷射光振盪機。

在本發明之第一態樣，進一步亦可具備供給裝置，其將該為帶狀之薄膜供給於該第一雷射之照射位置。

在本發明之第一態樣，進一步具備光閥，其係配置在該光束分離器及該薄膜之間之該第一雷射光之光路上，且截斷自該光束分離器所照射之該第一雷射光，該控制裝置，在照射該第一雷射光於自該供給裝置所供給之該帶狀薄膜時，在預定之切斷區域停止該薄膜，同時開啟該光閥，而在不照射該第一雷射光於該帶狀薄膜時，亦可在該預定之切斷區域不停止該帶狀薄膜，而關閉該光閥。

在本發明之第一態樣，該控制裝置，根據該供給裝置所致該薄膜之搬運速度，亦可將該薄膜搬運至該預定之切斷區域為止。

在本發明之第一態樣，該修正裝置，在該修正裝置計算的該輸出值，較該設定值更小之情形，係增加該雷射光振盪機振盪的雷射光之強度，而該修正裝置計算的該輸出值，較該設定值更大的情形，亦可減少該雷射光振盪機振盪之雷射光強度。

在本發明之第一態樣，該光束分離器，亦可將該第一雷射光照射於該薄膜，以使該第一雷射光之集光直徑成為5μm以上、500μm以下。

在本發明之第一態樣，該測定裝置，亦可將該光束分離器束分出的該第二雷射光之強度，以10毫秒以下之測定間隔測定。

在本發明之第二態樣，係一種雷射光照射方法，其將自雷射光振盪機所振盪的雷射光，束分成第一雷射光及第二雷射光，將該第一雷射光照射於薄膜，並測定該第二雷射光之強度，自該第二雷射光之強度計算該雷射光振盪機之輸出值，使該雷射光振盪機之輸出值接近設定值。

在本發明之第二態樣，該薄膜為帶狀，藉由將該薄膜供給於該第一雷射之照射位置，並照射該第一雷射光於該薄膜，而將供給於該第一雷射之照射位置的該薄膜切斷成預定尺寸亦可。

在本發明之第二態樣，在將該第一雷射光照射於該薄膜時，在該第一雷射光照射於所供給之該薄膜時，在預定之切斷區域停止該薄膜，同時開啟截斷該第一雷射光之光閥，並在該第一雷射光不照射於該薄膜時，在該預定之切斷區域不停止該薄膜，而關閉該光閥亦可。

本發明之第三態樣，係一種記錄媒體，其記錄實行下述過程之程式，而可供電腦讀取：將自雷射光振盪機所振盪的雷射光，束分成為第一雷射光及第二雷射光，將該第一雷射光照射於薄膜，測定該第二雷射光之強度，自該第二雷射光之強度計算該雷射光振盪機之輸出值，使該雷射光振盪機之輸出值接近於設定值。

根據本發明係提供一種可將光學薄膜適切地切斷加工的雷射光照射系統、雷射光照射方法及記錄媒體。

1‧‧‧薄膜切斷系統

2‧‧‧供給裝置

3‧‧‧切斷機構

3A‧‧‧間歇搬運部

4‧‧‧搬運輸送帶

5‧‧‧搬出機構

6‧‧‧控制部

6a‧‧‧運算處理部

6b‧‧‧記憶部

7‧‧‧後加工前輥

8‧‧‧梭心

9‧‧‧吸附台

9a、9b‧‧‧成模台

11、12‧‧‧把持輥

11a、12a‧‧‧驅動輥

11b、12b‧‧‧自由輥

13‧‧‧校準攝影機

14‧‧‧吸附溝

15‧‧‧拖架

30‧‧‧雷射光照射系統

31‧‧‧雷射光振盪機

32‧‧‧反射鏡

33‧‧‧光束分離器

34‧‧‧測定裝置

35‧‧‧修正裝置

36‧‧‧光閥裝置

37‧‧‧控制裝置

130‧‧‧雷射光照射系統

131‧‧‧雷射光振盪機

132、133‧‧‧反射鏡

D‧‧‧張力輥

F‧‧‧偏光薄膜(薄膜)

F1‧‧‧帶狀之偏光薄膜

L‧‧‧雷射光

L1‧‧‧雷射光

L1‧‧‧反射光

L2‧‧‧透過光

第一圖係表示本發明實施形態之薄膜切斷系統示意圖。

第二圖係表示本發明實施形態之切斷機構要部剖面圖。

第三圖係表示本發明實施形態之雷射光照射系統示意圖。

第四圖係表示本發明實施形態之薄膜切斷方法之流程圖。

第五圖係表示比較例之雷射光照射系統示意圖。

第六A圖係將藉由本發明之實施形態之雷射光照射系統所照射之雷射光輸出變動，與藉由比較例之雷射光照射系統所照射之雷射光之輸出變動加以對比的圖表。

第六B圖係將藉由本發明之實施形態之雷射光照射系統所照射之雷射光之輸出變動，與藉由比較例之雷射光照射系統所照射之雷射光之輸出變動加以對比的其他圖表。

茲參照圖式，同時說明本發明之實施形態如下，但本發明並非限定於下述之實施形態。

另外，在下述之全部圖式，為了使圖式易於觀看起見，各構成要素之尺寸或比率等予以適宜改變。又，在下述之說明及圖式中，相同或相當之要素賦予相同符號，在此省略重複之說明。

第一圖係表示本發明之實施形態之薄膜切斷系統1之示意圖。

第一圖所示薄膜切斷系統1，例如將黏貼於液晶面板或有機EL面板等光學顯示面板之基板之偏光薄膜、相位差薄膜等之光學薄膜予以切斷。另外，光學薄膜，只要是具有可撓性之帶狀之功能性薄膜，則並無特別限定，在本實施形態係舉偏光薄膜為例加以說明。

另外，雷射光照射系統30所切斷之偏光薄膜(切斷對象)雖無特別限定，不過可使用周知之偏光薄膜。以該偏光薄膜而言，通常係使 用長形(例如在切斷方向之偏光薄膜之長度為10m以上)之偏光薄膜。但是，亦可使用四方形(例如切斷方向之偏光薄膜之長度為2m以上、小於10m)或板狀(例如切斷方向之偏光薄膜之長度10cm以上、小於2m)之偏光薄膜。

以偏光薄膜而言，可使用例如在偏光元件薄膜兩面貼合有作為保護薄膜構件之TAC(三乙醯基纖維素)薄膜、COP(環烯烴聚合物)薄膜等之薄膜的薄膜。又，以其偏光薄膜而言，在相對於雷射光照射系統30之面之相反面(內面)之TAC薄膜，可使用經由黏著劑而積層有保護薄膜之薄膜。以位於偏光薄膜中心位置之偏光元件薄膜而言，可使用在聚乙烯醇薄膜以碘等染色劑而進行染色再延伸之薄膜上，貼合有TAC等保護薄膜構件之薄膜。又，亦可使用部分甲縮醛(formal)化聚乙烯醇系薄膜、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物系部分皂化薄膜、纖維素系薄膜等之親水性高分子薄膜，聚乙烯醇之脫水處理物或聚氯乙烯之脫鹽酸處理物等之多烯配向薄膜，以替代該聚乙烯醇薄膜。

以上述保護薄膜而言，亦可使用聚酯薄膜、聚對酞酸乙烯酯薄膜等之薄膜。上述保護薄膜之厚度及寬度並無特別限定。例如由使用作為偏光薄膜之保護薄膜之觀點觀之，保護薄膜為例如5μm以上、60μm以下之厚度，較佳為使用200mm以上、1500mm以下寬度之薄膜。

包含保護薄膜在內之偏光薄膜之厚度，並無特別限定，可設為100μm以上、500μm以下。另外，偏光元件薄膜之厚度大致為10μm以上、50μm以下。進一步，偏光薄膜在實用上無問題之範圍，除了上述三層(偏光元件薄膜、TAC薄膜及COP薄膜、保護薄膜)以外，亦可進一步含有其他層。

如第一圖所示，薄膜切斷系統1，具備供給裝置2、切斷機構3(雷射光照射系統30)、間歇搬運部3A、搬運輸送帶4、搬出機構5、及控制部6。

供給裝置2係饋出(send out)帶狀之偏光薄膜F而供給。切斷機構3係將帶狀偏光薄膜F在搬運方向切斷成預定長度之裁切片(sheet)。間歇搬運部3A係間歇地搬運切斷成預定長度的偏光薄膜F。搬運輸送帶4係將自間歇搬運部3A所搬運之偏光薄膜F連續地搬運。搬出機構5，係將自搬運輸送帶4 所搬運之偏光薄膜F搬出至下一步驟。控制部6係統一控制供給裝置2、切斷機構3(雷射光照射系統30)、間歇搬運部3A、搬運輸送帶4、搬出機構5。另外，「間歇式搬運」係指包含在搬運偏光薄膜F之過程暫時停止偏光薄膜F的搬運。又，「連續式搬運」係指在搬運偏光薄膜F之過程，不停止偏光薄膜F，而繼續偏光薄膜F之配送的搬運。

供給裝置2係使後加工前輥7裝填於梭心(bobbin)8。後加工前輥7，係將帶狀偏光薄膜F捲成輥狀態。梭心8連接於馬達等之驅動裝置且可加以旋轉。

在供給裝置2與切斷機構3之間，配置張力輥(dancer roller)D。張力輥D係使以切斷機構3之吸附台9所吸附保持之偏光薄膜F，吸收自供給裝置2所供給之偏光薄膜F之饋出量，至以雷射光照射系統30切斷，並解除吸附保持為止。

又，在供給裝置2與切斷機構3之間，配置有形成偏光薄膜F之搬運路徑的複數個輥。另外，在以下之說明，相對於搬運路徑上任意位置，接近搬運路徑之起點(供給裝置2)之側稱為上游側，接近搬運路徑之終點(搬出機構5)之側稱為下游側。

第二圖係表示切斷機構3之要部剖面圖。

如第二圖所示，切斷機構3具備吸附台9、雷射光照射系統30、一對把持輥(holding roller)11及12、及校準攝影機13。

吸附台9係使偏光薄膜F自內面吸附保持。雷射光照射系統30係照射切割偏光薄膜F之雷射光。一對把持輥11及12，夾持雷射光照射系統30，以上游側與下游側夾持偏光薄膜F。校準攝影機13係確認偏光薄膜F之對準。

本實施形態之切斷機構3，具有雷射光照射系統30、一對把持輥11及12、校準攝影機13共兩組(參照第一圖)。亦即，在本實施形態，將自供給裝置2所供給之偏光薄膜F在預定之切斷作用位置2處同時進行切斷，將裁切片之偏光薄膜F以一次之切斷動作切出二片，並搬運各2片。

在吸附台9之上面，高度相同之二個成模台(holding block)9a及9b，沿著偏光薄膜F之搬運方向接近而被固定。亦即，藉由兩成模台9a及9b的相向之內側壁，而形成與偏光薄膜F之搬運方向正交之吸附溝14。 該吸附溝14，成為自雷射光照射系統30所照射之雷射光之掃描路徑。另外，雷射光所掃描之位置(吸附溝14所形成之位置)，成為偏光薄膜F之切斷作用位置。

雷射光照射系統30，可進行水平移動，以將偏光薄膜F沿著吸附溝14(與偏光薄膜F之搬運方向正交之方向)予以切斷。

把持輥11及12係由驅動輥11a及12a、自由輥11b及12b所構成。驅動輥11a及驅動輥12a係夾持偏光薄膜F而相向配置。自由輥11b及自由輥12b係夾持偏光薄膜F而相向配置。把持輥11及12，例如在包含金屬之芯材表面被覆有胺甲酸酯(硬度30至90左右)等之彈性材料。另外，把持輥11及12之構成並不限於此，可依照需要適宜組合金屬輥或橡膠輥等使用。

驅動輥11a及12a係配置於偏光薄膜F之下面側。驅動輥11a及12a連接於馬達等之驅動裝置，且可饋出偏光薄膜F。

自由輥11b及12b係配置於偏光薄膜F之上面側。自由輥11b及12b，可依照驅動輥11a及12a之旋轉而旋轉自如。

校準攝影機13配置於偏光薄膜F之上方。藉由校準攝影機13之成像結果，而使偏光薄膜F配送至到達預定之切斷作用位置為止等，可確認是否偏光薄膜F之對準精度良好的進行。

另外，把持輥11及12，係作用作為間歇搬運部3A，其係將切斷成預定長度之偏光薄膜F間歇地搬運至下游側之搬運輸送帶4。

第三圖係表示本實施形態之雷射光照射系統30之示意圖。如第三圖所示，雷射光照射系統30，具備雷射光振盪機31、反射鏡32、光束分離器33、測定裝置34、修正裝置35、光閥裝置36、及控制裝置37。

雷射光振盪機31係使雷射光L振盪。例如，以雷射光振盪機31而言，可使用CO₂雷射光振盪機(二氧化碳雷射光振盪機)、UV雷射光振盪機、半導體雷射光振盪機、YAG雷射光振盪機、準分子雷射光振盪機等之振盪機，具體構成並無特別限定。在例示的振盪機中，CO₂雷射光振盪機，例如以適當的高輸出，使雷射光振盪於偏光薄膜之切斷加工，故較使用其他振盪機為佳。

一般雷射光振盪機31，雷射光輸出並非一定，在極短周期(例如1毫秒)，使輸出值介於設定值中之一定之振幅變動。又，雷射光振盪機31，在雷射光之輸出低的情形，則雷射光之輸出值易呈不穩定(輸出越高則輸出值之變動幅度易於變小)。因此，要將雷射光振盪機31之輸出值更進一步穩定化，則將雷射光振盪機31之輸出設為比較高輸出為理想。但是，輸出值過高時，偏光薄膜因雷射光之照射所致過剩的熱而溶解，或熱膨脹，而造成隆起或翹曲，有在切斷加工後之偏光薄膜端部，產生缺陷之虞。

因此，雷射光振盪機31之輸出值，預先設定成因應偏光薄膜之材質或厚度等條件之適切的設定值為理想。亦即，雷射光振盪機31之具體的輸出值，因應偏光薄膜之材質或厚度、偏光薄膜之搬運速度、以及光束分離器33所致透過光及反射光之比率，而設定成適切的設定值為理想。

在本實施形態，雷射光L之頻率，可根據雷射光振盪機31之輸出、偏光薄膜之材質或厚度、偏光薄膜之搬運速度等條件而適宜設定。例如，雷射光L之頻率可設為5kHz以上、100kHz以下。

雷射光振盪機31係依照預先設定的設定值，而輸出雷射光，同時藉由修正裝置35加以修正，以使該輸出值接近設定值。此外，在本實施形態，雷射光振盪機31，係藉由控制裝置37之控制，而使雷射光L連續地振盪。

反射鏡32係將自雷射光振盪機31所振盪的雷射光L，朝向光束分離器33反射。例如，反射鏡32以平面反射鏡較佳，而只要是將雷射光L朝向光束分離器33反射之構成則佳。又，其個數並無特別限定。

光束分離器33係將由雷射光振盪機31所振盪並以反射鏡32所反射之雷射光L，以一定比率(比率)束分為二。亦即，光束分離器33係將雷射光L以一定比率束分成反射光L1及透過光L2。接著，光束分離器33，在束分出的雷射光中，將反射光L1(第一雷射光)，經由集光鏡片等光學構件照射於偏光薄膜，並使用於偏光薄膜之切斷加工。又，光束分離器33，係將透過光L2(第二雷射光)照射於測定裝置34，並使用於雷射光振盪機31之輸出調節。該光束分離器33可使用周知之光束分離器。

集光鏡片例如可使用球面鏡片或非球面鏡片等周知之鏡 片，並無特別限定。另外，因藉由為反射光L1之雷射光之集光直徑，而決定偏光薄膜之切斷寬(切留隙)，故在偏光薄膜上該雷射光之集光直徑較佳為5μm以上、500μm以下，更佳為10μm以上、400μm以下。

另外，在本實施形態之雷射光照射系統30，使用反射光L1於偏光薄膜之切斷加工，並將透過光L2使用於雷射光振盪機31之輸出調節，但並不限於此。例如藉由使用反射鏡(圖未示出)，而使用透過光L2於偏光薄膜之切斷加工，並將反射光L1使用於雷射光振盪機31之輸出調節亦可。

測定裝置34，係將透過光L2變換成熱電動勢，並測定為透過光L2之雷射光強度之元件，即所謂功率感測器。測定裝置34係藉由照射雷射光而測定發生之電力，藉此，測定該雷射光之強度。測定裝置34所致測定間隔以短者更佳，較佳為設為10毫秒以下(例如10毫秒)，但並無特別限定。另外，測定裝置34可使用周知之功率感測器。又，測定裝置34只要是可測定雷射光強度之構成則佳。

測定裝置34係將已測定的雷射光強度(測定值)之數據，經由A/D轉換器(圖未示出)發送至修正裝置35。上述A/D轉換器，係將測定值之類比數據變換成數位數據，並將測定值之數位數據發送至修正裝置35。

修正裝置35，內藏CPU(中央處理單元(central processing unit))等之運算處理裝置。修正裝置35係自測定裝置34經由A/D轉換器而收信的測定值之數位數據，與在光束分離器33之束分中透過光L2之比率(%)，來計算上述雷射光振盪機31之輸出值。接著，修正裝置35係判定相對於所預先設定的設定值之上述輸出值之大小(過多或過少)，進行經常修正，以使上述雷射光振盪機31之輸出值接近設定值。

亦即，修正裝置35係將運算結果對雷射光振盪機31經常地，具體言之例如每10毫秒予以反饋，調節(修正)雷射光振盪機31之實際輸出值，以接近設定值。更具體言之，為透過光L2之雷射光之強度小，在雷射光振盪機31之輸出值較設定值更小之情形，則調節雷射光振盪機31之輸出，以使雷射光L之實際輸出值變大。一方面，為透過光L2之雷射光強度大，雷射光振盪機31之輸出值較設定值為大之情形，則調節雷射光振 盪機31之輸出，以使雷射光L之實際輸出值減小。另外，修正裝置35，只要是可進行上述計算及判定之構成則佳，其具體構成，並無限定於特定之構成。

光閥裝置36係配置於光束分離器33及偏光薄膜間之雷射光L1之光路上。光閥裝置36具有光閥，其截斷自光束分離器33所照射之雷射光L1。

控制裝置37係自雷射光振盪機31，將雷射光L予以連續地振盪。又，控制裝置37在照射雷射光L1於偏光薄膜時，則發送開啟光閥之控制信號至光閥裝置36。一方面，控制裝置37，在不照射雷射光L1於偏光薄膜時，則發送關閉光閥之控制信號至光閥裝置36。

回至第一圖，搬運輸送帶4係配置於間歇搬運部3A之下游側。搬運輸送帶4，在接收自間歇搬運部3A間歇式搬運之偏光薄膜F，同時進行連續式搬運。搬運輸送帶4，係將以切斷機構3切斷而自間歇搬運部3A所配送之2片偏光薄膜F，設定為以預定間距可平面保持之長度。

搬出機構5係在搬運輸送帶4之末端下方具備連續配置的輥輸送帶。在搬出機構5之起端部分，配置有拖架15，其係將自搬運輸送帶4落下而至之偏光薄膜F加以回收。

自間歇搬運部3A，接著是該間歇搬運部3A之下游側，而遞送截切片之偏光薄膜F至搬運輸送帶4時，在間歇搬運部3A中之間歇搬運過程之完成時間點，控制部6係控制間歇搬運部3A，以使偏光薄膜F之後端自間歇搬運部3A拉離，再使裁切片之偏光薄膜F配送。具體言之，間歇搬運部3A係配送切斷後之裁切片之偏光薄膜F，以使其後端在下一次間歇搬運時能越過該間歇搬運部3A，接續該間歇搬運部3A之下游側而遞送至搬運輸送帶4。「配送至越過間歇搬運部3A」係指使切斷後裁切片之偏光薄膜F後端自間歇搬運部3A拉離，亦即與位於間歇搬運部3A之最下游側之搬運輥拉離之意。藉此，切斷後之偏光薄膜F，越過間歇搬運部3A而載置於下游側之搬運輸送帶4上。

本實施形態之控制部6具備電腦。該電腦具備CPU等之運算處理部6a與記憶體或硬碟等之記憶部6b。本實施形態之控制部6具備介 面，其可實行與電腦外部裝置的通信。在控制部6，亦可連接可輸入輸入信號的輸入裝置。上述輸入裝置有鍵盤、滑鼠等之輸入機器，或者可自電腦之外部裝置輸入數據的通信裝置等。控制部6亦可具備顯示薄膜切斷系統1之各部動作狀況的液晶顯示顯示器等之顯示裝置，亦可與顯示裝置連接。

在控制部6之記憶部6b，有安裝控制電腦之作業系統(OS)。在控制部6之記憶部6b，藉由在運算處理部6a控制薄膜切斷系統1之各部分，而在薄膜切斷系統1之各部分進行精度良好的搬運偏光薄膜F用之處理，並記錄實行該處理之程式。含有記錄於記憶部6b之程式的各種資訊，控制部6之運算處理部6a可以讀取。控制部6亦可包含ASIC等之邏輯電路，其係實行需要薄膜切斷系統1之各部分控制的各種處理。

(薄膜切斷方法)

第四圖係表示本發明實施形態之薄膜切斷方法流程圖。

本實施形態之薄膜切斷方法，係將帶狀之偏光薄膜F切斷成預定尺寸薄膜用之薄膜切斷方法，其包含：第一步驟，其供給帶狀之偏光薄膜F；及第二步驟，其將所供給之帶狀偏光薄膜F切斷成預定尺寸。以第二步驟而言，係使用該雷射光照射系統30(使用雷射光照射方法)。

在第二步驟，在照射雷射光L1於所供給之帶狀之偏光薄膜F時，在預定之切斷區域停止帶狀之偏光薄膜F1，同時開啟光閥，在不照射雷射光L1於帶狀之偏光薄膜F時，在預定之切斷區域不停止帶狀之偏光薄膜F1，而關閉光閥。

茲說明使用以下之薄膜切斷系統1，切斷帶狀之偏光薄膜F為止之動作如下。

首先，將使用之偏光薄膜F之後加工前輥7裝填於供給裝置2。在該裝填完成後，操作者，利用操作面板等進行初期設定(第四圖所示步驟S1)。例如操作者，藉由該初期設定來設定偏光薄膜F之切斷長度、厚度、供給速度、雷射光之輸出及聚焦深度、驅動輥12a之饋出速度、搬運輸送帶4之搬運速度等。

在初期設定完成時，供給裝置2根據控制部6之控制，自後加工前輥7開始偏光薄膜F之供給(第一步驟，第四圖所示步驟S2)。在該 偏光薄膜F之供給時，設置於供給裝置2之馬達等驅動軸之旋轉速率藉由旋轉編碼器等之感測器來檢測(圖示省略)。

自供給裝置2所供給之偏光薄膜F，藉由形成該偏光薄膜F之搬運路徑之複數輥，而搬運至切斷機構3。該搬運時，控制部6判定是否偏光薄膜F配送至到達預定之切斷作用位置為止(第二步驟，第四圖所示步驟S3)。例如，是否偏光薄膜F被配送至到達預定之切斷作用位置為止之判定，係根據預先記憶於控制部6之記憶部6b之時刻表來進行。具體言之，在初期設定，係預作設定切斷偏光薄膜F時之預定長度、間歇搬運部3A中之驅動輥11a及12a之旋轉速度(偏光薄膜F之搬運速度)、間歇搬運部3A及搬運輸送帶4間之距離。藉此，在搬運偏光薄膜時，可判定是否偏光薄膜F被配送至到達預定之切斷作用位置為止。

此外，該判定亦可基於校準攝影機13之成像結果進行。例如，控制部6係基於校準攝影機13之成像結果，判定是否偏光薄膜F之對準精度良好。藉此，可高精度地判定是否偏光薄膜F配送至到達預定之切斷作用位置為止。

接著在判定偏光薄膜F被配送至到達預定之切斷作用位置為止之情形(如第四圖所示，在步驟S3為「是」(YES))，兩把持輥11及12，根據控制部6之控制，在預定之切斷區域停止偏光薄膜F(如第四圖所示步驟S4)。例如，偏光薄膜F之前端通過把持輥12到達預定之位置時，藉由控制部6之控制而停止驅動輥11a及12a之驅動。藉此，偏光薄膜F以吸附台9之兩側夾持。

又，控制部6，係在此狀態啟動吸引裝置(圖示省略)，將偏光薄膜F吸附保持於吸附台9。

另外，與該等之動作連動(linking-up)，藉由控制部6之控制而使張力輥D啟動。藉此，自供給裝置2所連續地供給之偏光薄膜F被調整為在張力輥D後續不予饋出。

在本實施形態，雷射光振盪機31係由控制裝置37之控制，將雷射光L連續地振盪。藉此，光束分離器33經常將雷射光L1朝向光閥裝置36照射。光閥裝置36係藉由控制裝置37之控制，而預先關閉光閥， 自光束分離器33朝向光閥裝置36照射之雷射光L1被光閥所截斷。藉此，自光束分離器33所照射之雷射光L1無法到達偏光薄膜F。

在本實施形態，控制裝置37係基於控制部6之控制，自雷射光振盪機31控制以使雷射光L連續地振盪。又，控制裝置37係根據控制部6之控制，控制在光閥裝置36使光閥作開閉動作。

此外，控制部6並不經由控制裝置37，而是控制成自雷射光振盪機31使雷射光L連續地振盪，同時，控制在光閥裝置36之光閥作開閉動作。

若使偏光薄膜F吸附保持於吸附台9時，光閥裝置36藉由控制裝置37之控制，而成為使光閥自關閉狀態至開啟的狀態(如第四圖所示步驟S5)。光閥裝置36，在光閥開放狀態時，則通過自光束分離器33照射的雷射光L1。藉此，自光束分離器33所照射之雷射光L1到達偏光薄膜F。

接著，雷射光照射系統30，藉由控制部6之控制，而在與偏光薄膜F之搬運方向正交之方向進行水平移動。藉此，吸附保持於吸附台9之偏光薄膜F，沿著吸附溝14被切斷。結果，帶狀之偏光薄膜F被切斷成預定長度之裁切片(如第四圖所示步驟S6)。

另外，控制部6在判定偏光薄膜F並無被配送至到達預定之切斷作用位置為止之情形(如第四圖所示步驟S3為「否」(NO))，則在預定之切斷區域不停止偏光薄膜F(如第四圖所示步驟S7)。在此情形，光閥裝置36，係藉由控制部6之控制，而維持光閥關閉之狀態(如第四圖所示步驟S8)。接著在偏光薄膜F被配送至到達預定之切斷作用位置為止之判定為止(如第四圖所示步驟S3為「是」(YES))，則偏光薄膜F之搬運繼續著(第四圖所示步驟S9)。

第五圖係表示比較例之雷射光照射系統130之示意圖。如第五圖所示，比較例之雷射光照射系統130，具備雷射光振盪機131、反射鏡132、反射鏡133，及集光鏡片(圖未示出)。亦即，比較例之雷射光照射系統130，並無光束分離器、測定裝置、A/D轉換器、修正裝置、光閥裝置及控制裝置。雷射光照射系統130係將自雷射光振盪機131所振盪的雷射光L之全部以反射鏡132及反射鏡133反射，並使用於薄膜之切斷加工。另外，比較例之雷射光照射系統130，就用以修正本發明實施形態之雷射光 振盪機31之輸出值以接近設定值之構成，除此以外之構成，則同樣具備本實施形態之雷射光照射系統30。又，比較例之雷射光振盪機131，係使用與本發明實施形態之雷射光振盪機31相同之振盪機。

第六A圖及第六B圖，係將本實施形態之雷射光照射系統30(參照第三圖)所照射之雷射光之輸出變動，與比較例之雷射光照射系統130(參照第五圖)所照射之雷射光之輸出變動加以對比之圖表。第六A圖係將自雷射光振盪機所振盪的雷射光L之輸出值設定為14.0W，並將薄膜以6m/分之速度予以切斷加工的情形之圖表。

第六B圖係將自雷射光振盪機所振盪之雷射光L之輸出值設定於100.0W，並將薄膜以60m/分之速度予以切斷加工之情形之圖表。

如第六A圖所示，觀察在將自雷射光振盪機所振盪之雷射光L之輸出值設定於14.0W之情形的雷射光之輸出變動時，可知以下之觀點。亦即，在比較例之雷射光照射系統130，所實際輸出之雷射光L之輸出值大致在12.3至15.0W之範圍內變動(平均13.8W，振幅2.7W)。

相對於此，在本實施形態之雷射光照射系統30，實際上所輸出之雷射光L之輸出值大致收在13.5至14.3W之範圍內(平均13.9W，振幅0.8W)。

因此，在將自雷射光振盪機所振盪之雷射光L之輸出值設定於14.0W之情形，自本實施形態之雷射光照射系統30之雷射光振盪機31所振盪之雷射光L之輸出變動小。亦即，可知本實施形態之雷射光照射系統30之性能與比較例之雷射光照射系統130之性能比較，為格外地優異。

如第六B圖所示，在觀察將自雷射光振盪機所振盪之雷射光L之輸出值設定於100.0W之情形的雷射光之輸出變動時，則可知以下之觀點。亦即，在比較例之雷射光照射系統130，所實際輸出之雷射光L之輸出值大致在95.2至102.8W之範圍內變動(平均99.1W，振幅7.6W)。

相對於此，在本實施形態之雷射光照射系統30，所實際輸出之雷射光L之輸出值大致收在99.3至101.0W之範圍內(平均100.2W，振幅1.7W)。

因此，在將自雷射光振盪機所振盪之雷射光L之輸出值設定於100.0W之情形，自本實施形態之雷射光照射系統30之雷射光振盪機31所振盪之雷射光L之輸出變動小。亦即，可知本實施形態之雷射光照射系統30之性能， 與比較例之雷射光照射系統130之性能比較，格外地優異。

亦即，由第六A圖，第六B圖所示結果明顯可知，本實施形態之雷射光照射系統30之性能，與比較例之雷射光照射系統130之性能比較，因自雷射光振盪機31所振盪之雷射光L之輸出變動小，故格外地優異。

如此在本實施形態之雷射光照射系統30，雷射光照射方法，藉由測定裝置34及修正裝置35，而可在例如10毫秒之測定間隔測定透過光L2之強度。接著，在本實施形態之雷射光照射系統30、雷射光照射方法，採用調節雷射光L之輸出值之所謂FTS(全時穩定器(full time stabilizer))系統，加以調節(修正)，以使雷射光振盪機31之實際輸出值接近設定值。因而，在本實施形態之雷射光照射系統30、雷射光照射方法，可將偏光薄膜F予以適切地切斷。

進一步，在本實施形態，藉由控制裝置37之控制，自雷射光振盪機31可將雷射光L連續地振盪。因此，相較於自雷射光振盪機31將雷射光L予以間歇式振盪之情形，可穩定雷射光L之輸出值。在此，「將雷射光間歇式振盪之情形」，係指在切斷偏光薄膜時，將雷射光振盪機之電源為ON，照射雷射光，而在不切斷偏光薄膜時，則使雷射光振盪機之電源為OFF，並停止雷射光之照射之情形之意。

又，在本實施形態，藉由控制裝置37之控制，在照射雷射光L1於偏光薄膜F時，開啟光閥，在不照射雷射光L1於偏光薄膜F時，則關閉光閥。因此，在光閥之開閉時機，可調整偏光薄膜F之切斷時機。因而，可在預定之時機適切地切斷偏光薄膜F。

又，根據本實施形態之薄膜切斷系統1，因具備該雷射光照射系統30，故可將偏光薄膜F在預定之時機適切地切斷。

又，根據本實施形態之薄膜切斷方法，第二步驟，因係使用該雷射光照射方法，故可將偏光薄膜F在預定之時機適切地切斷。

另外，在本實施形態中，將薄膜「切斷」係指除了將薄膜至少分割為二之外，亦包含放入貫通薄膜之截線切口(slit)，或在薄膜中形成預定深度之溝(凹槽(notch))等之「切斷至少一部分」在內。更具體言之，在「切 斷」，亦包含例如薄膜端部之切斷(截切(cutoff))，半切割，標記(marking)加工等在內。

又，在本實施形態，係舉將帶狀偏光薄膜切斷成裁切片之偏光薄膜之情形為例加以說明，但不限於此。例如自帶狀偏光薄膜切出複數個薄膜晶片(film chip)，或切出矩形狀之中間薄膜等，即使在切斷成預定尺寸之薄膜之情形，亦可適用本實施形態。

又，在本實施形態，係舉以切斷機構3所切斷之裁切片之偏光薄膜F之片數為2片之情形為例加以說明，但不限於此。例如以切斷機構3所切斷之裁切片之偏光薄膜F之片數可為1片亦可為3片以上。

又，在本實施形態中，係舉作為光學薄膜之偏光薄膜為例加以說明，但不限於此，即使在附隔膜(separator)之偏光薄膜，亦可適用本實施形態。

以上係一面參照附件圖式，一面就本發明之實施形態加以說明，但本發明並不受上述的實施形態所限定。在上述的實施形態表示的各構成構件之各種形狀或組合等係為一例，在不脫離本發明主旨之範圍，可基於設計要求等而添加各種變更。

【產業上可利用性】

本發明可適用於將光學薄膜予以適切地進行切斷加工之雷射光照射系統，雷射光照射方法及記錄媒體等。

Claims (15)

1. 一種雷射光照射系統，其具備：雷射光振盪機，其使雷射光振盪；光束分離器，其係將使該雷射光振盪機振盪的雷射光束分為第一雷射光及第二雷射光，並照射該第一雷射光於薄膜；測定裝置，其測定該光束分離器所束分的該第二雷射光之強度；修正裝置，自該測定裝置所測定的該第二雷射光之強度計算該雷射光振盪機之輸出值，使該雷射光振盪機之該輸出值接近設定值。
2. 如申請專利範圍第1項之雷射光照射系統，其進一步具備：光閥，其係配置於該光束分離器及該薄膜間之該第一雷射光之光路上，並截斷自該光束分離器所照射的該第一雷射光；及控制裝置，其係在該雷射光振盪機使該雷射光連續地振盪，在照射該第一雷射光於該薄膜時，開啟該光閥，而在不照射該第一雷射光於該薄膜時，則關閉該光閥。
3. 如申請專利範圍第1項之雷射光照射系統，其中該第一雷射光係使該雷射光振盪機振盪的雷射光之在該光束分離器之反射光，該第二雷射光係使該雷射光振盪機振盪的雷射光之在該光束分離器之透過光。
4. 如申請專利範圍第1項之雷射光照射系統，其中該測定裝置係將該第二雷射光變換為熱電動勢(thermoelectromotive force)，而測定該第二雷射光之強度。
5. 如申請專利範圍第1項之雷射光照射系統，其中該雷射光振盪機為CO2雷射光振盪機。
6. 如申請專利範圍第1項之雷射光照射系統，其進一步具備供給裝置，其係將為帶狀之該薄膜供給於該第一雷射之照射位置。
7. 如申請專利範圍第6項之雷射光照射系統，其進一步具備光閥，其係配置於該光束分離器及該薄膜間之該第一雷射光之光路上，並截斷自該光束分離器所照射之該第一雷射光，該控制裝置，在照射該第一雷射光於自該供給裝置所供給之該帶狀薄膜時，在預定之切斷區域停止該薄膜同時開啟該光閥，而在不照射該 第一雷射光於該帶狀薄膜時，則在該預定之切斷區域不停止該帶狀薄膜，而關閉該光閥。
8. 如申請專利範圍第7項之雷射光照射系統，其中該控制裝置係根據該供給裝置之該薄膜搬運速度，將該薄膜搬運至該預定之切斷區域為止。
9. 如申請專利範圍第1項之雷射光照射系統，其中該修正裝置，在該修正裝置計算的該輸出值較該設定值更小之情形，則增加使該雷射光振盪機振盪之雷射光強度，而該修正裝置計算的該輸出值較該設定值更大之情形，則減少使該雷射光振盪機振盪之雷射光強度。
10. 如申請專利範圍第1項之雷射光照射系統，其中該光束分離器，係照射該第一雷射光於該薄膜，以使該第一雷射光之集光直徑為5μm以上、500μm以下。
11. 如申請專利範圍第1項之雷射光照射系統，其中該測定裝置係以10毫秒以下之測定間隔測定該光束分離器所束分之該第二雷射光之強度。
12. 一種雷射光照射方法，其係將自雷射光振盪機所振盪之雷射光束分為第一雷射光及第二雷射光，照射該第一雷射光於薄膜，並測定該第二雷射光之強度，自該第二雷射光強度計算該雷射光振盪機之輸出值，使該雷射光振盪機之輸出值接近設定值。
13. 如申請專利範圍第12項之雷射光照射方法，其中該薄膜為帶狀，將該薄膜供給於該第一雷射之照射位置，藉由將該第一雷射光照射於該薄膜，而將供給於該第一雷射之照射位置之該薄膜切斷成預定尺寸。
14. 如申請專利範圍第13項之雷射光照射方法，其中將該第一雷射光照射於該薄膜時，在照射該第一雷射光於所供給之該薄膜時，在預定之切斷區域停止該薄膜，同時開啟截斷該第一雷射光之光閥，在不照射該第一雷射光於該薄膜時，在該預定之切斷區域不停止該薄膜，而關閉該光閥。
15. 一種記錄媒體，其係記錄實行下述過程之程式，可供電腦讀取者：將自雷射光振盪機所振盪的雷射光束分為第一雷射光及第二雷射光，照射該第一雷射光於薄膜，並測定該第二雷射光之強度，自該第二雷射光之強度計算該雷射光振盪機之輸出值，使該雷射光振盪機之輸出值接近設定值。