TW201335985A - 構件剝離方法，構件剝離裝置及半導體晶片製造方法 - Google Patents

構件剝離方法，構件剝離裝置及半導體晶片製造方法 Download PDF

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Abstract

[問題]為了能夠用一較簡單技術來快速且安全地將已經由一黏著層彼此接合之第一構件及第二構件彼此分離。[解決方法]一薄膜24之一第二黏著層22相對於一第一構件12之一黏著力大於該第一構件12與一第二構件14之間的由一第一黏著層10引起的一黏著力。該薄膜24沿著一彎曲背襯表面18緊固，其中該第二黏著層22之一黏著表面22a處於一經曝露狀態。經由該第一黏著層10接合至該第二構件14之該第一構件12係藉由將該第一構件12逐漸固定至緊固至該彎曲背襯表面18的該薄膜24之該第二黏著層22的該黏著表面22a且沿著該彎曲背襯表面18逐漸彎曲該第一構件12而不彎曲該第二構件14而逐漸自該第二構件14分離。

Description

構件剝離方法，構件剝離裝置及半導體晶片製造方法
本發明係關於一種構件剝離方法及一種用於將已經由黏著層彼此接合之第一構件及第二構件自彼此剝離之構件剝離裝置。本發明亦係關於一種使用該構件剝離方法之半導體晶片製造方法。
用於將已經由黏著層彼此接合之第一構件及第二構件自彼此剝離之技術實施於多種領域中。舉例而言，在半導體晶片之已知製造方法中，首先在具有規定厚度之晶圓的表面上形成電路，且接著，在諸如保護性薄膜、玻璃薄片或其類似者之背襯黏附至電路形成表面(在下文中稱作「電路面」)之狀態下，藉由在電路面之相反側上研磨背表面而均勻地減小晶圓之厚度。已藉由研磨背表面而變薄之晶圓通常被自背襯剝離，然後才被發送至諸如切粒或其類似者之後處理。
舉例而言，在日本未審查專利申請公開案第2004-064040號(段落0006及0009)中，描述一種可在不損壞已被研磨成超薄尺寸之基板的情況下自背襯剝離之層合物及一種使用此層合物之超薄基板的製造方法。層合物之組態經描述為以下組態：「包括待研磨之基板、與待研磨之基板接觸之接面層、含有吸光劑及熱解樹脂之光熱轉換層，及透光背襯，其中光熱轉換層藉由以下步驟而形成：在與接面層相反的側 上研磨待研磨之基板的表面，藉由用輻射能照射來分解光熱轉換層，且接著將經研磨基板與透光背襯分離。」超薄基板之製造方法經描述為包括以下步驟之方法：「製備層合物之步驟；將待研磨之基板研磨至所要厚度的步驟；經由透光背襯用輻射能來輻射光熱轉換層，分解光熱轉換層，且將經研磨基板與透光背襯分離之步驟；及將接面層自經研磨基板剝離之步驟。」
[相關技術文獻] [專利文獻]
專利文獻1：日本未審查專利申請公開案第2004-064040號(段落0006及0009)。
[本發明之概述]
當將已經由黏著層彼此接合之第一構件與第二構件自彼此剝離時，如在用於在背表面經研磨之後將晶圓自背襯剝離之程序中，需要使用較簡單的技術來快速且安全地剝離晶圓之能力。
本發明之第一態樣為一種用於將已經由第一黏著層彼此接合之第一構件及第二構件自彼此剝離之構件剝離方法，該方法包括：製備彎曲背襯表面之步驟；製備具有第二黏著層之薄膜的步驟，其中第一構件與第二黏著層之間的黏著力大於第一構件與第二構件之間的由第一黏著層引起的黏著力；沿著彎曲背襯表面緊固薄膜之步驟，其中第二黏著層之表面處於經曝露狀態；及藉由將經由第一黏著層接合至第二構件之第一構件的經曝露表面固定至緊固至彎曲背襯表面的薄膜之第二黏著層的表面，且沿著彎曲背襯表面逐漸彎曲第一構件來將第一構件逐漸自第二構件剝離的步驟。
本發明之第二態樣為一種用於實施上文所描述之構件剝離方法 的構件剝離裝置，該構件剝離裝置具備：可旋轉、圓柱形支承輥，其具有彎曲背襯表面；薄膜供應部件，其用於與支承輥之旋轉同步地將薄膜連續供應至彎曲背襯表面；緊固機構，其用於沿著彎曲背襯表面緊固薄膜；及層合物饋入機構，其用於饋入具有已經由第一黏著層彼此接合之第一構件及第二構件的層合物，該層合物饋入機構在切線平面方向上以對應於彎曲背襯表面在彼切線平面方向上之速度的速度饋入層合物，同時將第一構件按壓至緊固至彎曲背襯表面的薄膜之第二黏著層的表面中。
本發明之第三態樣為一種用於製造半導體晶片之方法，該方法包括將包括晶圓之第一構件自包括背襯之第二構件剝離的步驟，該背襯經由第一黏著層接合至該晶圓之電路形成表面。
透過本發明之第一態樣之構件剝離方法，藉由簡單地將第一構件之經曝露表面固定至緊固至彎曲背襯表面的薄膜之第二黏著層的表面，有可能將第一構件逐漸自第二構件剝離。此外，藉由將整個第一構件固定至第二黏著層，有可能繼續此逐漸過程且將整個第一構件自第二構件剝離。因此，用於熔化第一黏著層或減小黏著力之處理變得不必要，且有可能用較簡單技術快速且安全地將第一構件及第二構件自彼此剝離。
透過本發明之第二態樣之構件剝離裝置，上文所描述之構件剝離方法可針對複數個層合物連續執行。因此，有可能以較簡單技術快速且安全地將複數個層合物之各別第一構件及第二構件自彼此剝離。
透過根據本發明之第三態樣之半導體晶片製造方法，有可能以較簡單技術快速且安全地將晶圓自背襯剝離而不熔化第一黏著層或減小黏著力。
10‧‧‧黏著層
12‧‧‧第一構件
12a‧‧‧前表面
12b‧‧‧背表面
12c‧‧‧周邊表面
12d‧‧‧第一外邊緣鄰近部分
12e‧‧‧第二外邊緣鄰近部分
14‧‧‧第二構件
14a‧‧‧前表面
14b‧‧‧背表面
14c‧‧‧周邊表面
14d‧‧‧第一外邊緣鄰近部分
14e‧‧‧第二外邊緣鄰近部分
16‧‧‧層合物
18‧‧‧彎曲背襯表面
18a‧‧‧外邊緣
20‧‧‧圓柱形結構
22‧‧‧第二黏著層
22a‧‧‧黏著表面/背表面
24‧‧‧薄膜
24a‧‧‧背表面
24b‧‧‧周邊邊緣
26‧‧‧凹槽
28‧‧‧橡膠輥
30‧‧‧框架構件
40‧‧‧構件剝離裝置
42‧‧‧彎曲背襯表面
44‧‧‧支承輥
44a‧‧‧軸線
46‧‧‧黏著表面
46a‧‧‧黏著表面
48‧‧‧薄膜
50‧‧‧薄膜供應部件
52‧‧‧緊固機構
54‧‧‧層合物饋入機構
56‧‧‧驅動器件
58‧‧‧軸
60‧‧‧捲筒
62‧‧‧環形凹槽
64‧‧‧真空器件
66‧‧‧旋轉軸
68‧‧‧旋轉接頭
70‧‧‧氣體路徑
72‧‧‧開關閥
74‧‧‧壓力輥
76‧‧‧薄膜分離部件
D1‧‧‧箭頭
D2‧‧‧箭頭
P‧‧‧按壓力
R‧‧‧箭頭
v‧‧‧速度
ω‧‧‧速度
圖1為示意性說明根據本發明之實施例的構件剝離方法之步驟的側視圖。
圖2為示意性說明圖1之步驟的平面圖。
圖3為示意性說明圖1之構件剝離方法之另一步驟的圖式。
圖4為示意性說明圖1之構件剝離方法之另一步驟的圖式。
圖5A至圖5E為示意性說明圖1之構件剝離方法之另一步驟的隨著時間推移的圖式。
圖6為示意性說明圖1之構件剝離方法之另一步驟的圖式。
圖7為示意性說明圖1之構件剝離方法之另一步驟的圖式。
圖8為示意性說明圖1之構件剝離方法之另一步驟的透視圖。
圖9為示意性說明圖1之構件剝離方法之另一步驟的圖式。
圖10A至圖10D為示意性說明圖1之構件剝離方法之另一步驟的隨著時間推移的圖式。
圖11為示意性說明圖1之構件剝離方法之另一步驟的圖式。
圖12為示意性說明根據本發明之實施例之構件剝離裝置及根據本發明之實施例之半導體晶片製造方法的圖式。
圖13為示意性說明圖12之構件剝離裝置之組件的透視圖。
圖14為示意性說明圖12的構件剝離裝置之主要部件之組態的圖式。
下文在參看附圖的同時詳細描述本發明之實施例。在所有圖式中將共同參考符號指派給相應組件。
圖1至圖7說明根據本發明之實施例之構件剝離方法的主要步驟。所說明的構件剝離方法係用於將經由第一黏著層10彼此接合之第一構件12及第二構件14自彼此剝離，且此構件剝離方法可在半導體晶片之製造方法中應用於(例如)用於在背表面經研磨之後將晶圓自背襯 剝離的程序。然而，此構件剝離方法之應用不限於此實例。
在所說明實施例之構件剝離方法中，具有經由第一黏著層10彼此接合之第一構件12及第二構件14的層合物16被給定為剝離操作之對象。首先，將參看圖1描述用作剝離之對象之層合物16的組態。
第一構件12為板狀元件，此板狀元件具有約略彼此平行延伸之平坦的前表面12a及背表面12b，及在前表面12a與背表面12b之間延伸的周邊表面12c。第一構件12具有可撓性，此可撓性使得第一構件能夠(例如)在第一構件12經由第一黏著層10接合至第二構件14之前表面14a的狀態下對抗在背表面12b上執行之研磨、拋光或其類似操作的處理力而維持板狀形式，同時亦使得第一構件能夠在第一構件12已自第二構件14剝離之孤立狀態下被外力相對容易地彎曲。第一構件12可為由(例如)矽、砷化鎵、晶體、玻璃或其類似者製成的晶圓或基板。
第二構件14為板狀元件，此板狀元件具有約略彼此平行延伸之平坦的前表面14a及背表面14b，及在前表面14a與背表面14b之間延伸的環形周邊表面14c。第二構件14具有剛性，此剛性使得第二構件能夠將第一構件12穩定地支撐在前表面14a上，而不自身變形，同時亦對抗外力而維持板狀形式，此外力諸如經由第一黏著層10自第一構件12傳輸之彎曲力。第二構件14可為具有高撓曲剛性的基板，諸如玻璃、諸如氧化鋁或其類似者之陶瓷，或諸如膠木或其類似者的塑膠。
若第一構件12具有盤狀形狀，則第一構件12之直徑(例如)可為大約70 mm或更大及大約500 mm或更小。此外，第一構件12之厚度(例如)可為大約0.01 mm或更大及大約0.2 mm或更小，或可為大約0.02 mm或更大及大約0.1 mm或更小。即使第一構件12為如上文所描述之晶圓或基板，具有相對薄的厚度亦將允許此構件被任意外力以規定的曲率半徑彎曲，而不遭受損壞。若第二構件14具有盤狀形狀，則第二構件14之直徑可與第一構件12之直徑近似相同。此外，第二構件14之 厚度不受特別限制，且(例如)可根據用於第二構件14之材料而改變，從而隨著材料之撓曲剛性變高而變薄，且隨著材料之撓曲剛性變低而變厚。一般而言，第二構件14之厚度可為大約0.5 mm或更大及大約5 mm或更小，或可為大約1 mm或更大及大約2 mm或更小。
當所說明構件剝離方法在半導體晶片之製造方法中實施於用於在背表面經研磨之後將晶圓自背襯剝離之程序中時，第一構件12為背表面經研磨之晶圓，其充當半導體晶片之基底材料。前表面12a為所需之電路圖案形成於之電路表面，且背表面12b為在研磨之後的表面(亦即，經研磨表面)。在背表面經研磨之前的晶圓之厚度(例如)為大約0.5 mm至大約1 mm，且連同直徑一起被標準化。此外，在所說明構件剝離方法可應用於之背表面的研磨之後的晶圓(或半導體晶片)之厚度(例如)為大約10 μm至大約200 μm。另一方面，第二構件14為覆蓋晶圓之電路表面且在背表面研磨程序期間穩定地支撐晶圓的背襯，且至少前表面14a為能夠改良經研磨表面相對於晶圓之電路表面之平行程度的平滑表面。
第一構件12作為晶圓可具有典型的盤狀形狀，但(例如)亦可具有矩形盤狀形狀。第二構件14可具有類似於第一構件12之形狀的盤狀或矩形盤狀形狀。除第一構件12必須為自身相對容易彎曲的且第二構件14必須能夠對抗諸如自第一構件12傳輸之彎曲力的外力而有效地維持板狀形式之外，第一構件12及第二構件14之材料、形狀、尺寸及其類似者不受特別限制。此外，若將諸如紫外線固化黏著劑或其類似者之輻射固化黏著劑用作第一黏著層10，則第二構件14應較佳具有足夠的透射率。透射率在本文中指代(例如)在可應用於固化黏著劑之特定電磁波譜範圍(諸如紫外線光譜範圍)內的透射率。
第一黏著層10能夠展現藉由固化或硬化而保持第一構件12之前表面12a穩固地緊固至第二構件14之前表面14a的黏著力。第一黏著層 10可由含有固化黏著劑、基於溶劑之黏著劑或熱熔黏著劑之熱塑樹脂組成，或可由水分散黏著劑或其類似者組成。此處，固化黏著劑為藉由諸如熱或紫外線及其類似者之能量射線固化的液體黏著劑，基於溶劑之黏著劑為隨著溶劑蒸發而硬化的液體黏著劑，且熱熔黏著劑為歸因於加熱而熔化且歸因於冷卻而硬化的黏著劑。此外，水分散黏著劑為黏性成份分散在水中之黏著劑，其中黏著劑隨著水蒸發而硬化。固化黏著劑不受特別限制，且實例包括使用環氧樹脂、胺基甲酸酯或丙烯酸系塑膠作為基底之單組份固化黏著劑，使用環氧樹脂、胺基甲酸酯或丙烯酸系塑膠作為基底之兩組份混合反應黏著劑，及使用丙烯酸系塑膠或環氧樹脂作為基底之紫外線固化及電子束固化黏著劑。基於溶劑之黏著劑不受特別限制，且實例為藉由將橡膠、彈性體或其類似者溶解於溶劑中而製備的橡膠黏著劑。
第一黏著層10貫穿第一構件12之前表面12a與第二構件14之前表面14a之間的整個空間以約略均一的厚度形成，且在氣泡已被移除之後較佳與前表面12a及14a之整體緊密接觸。第一黏著層10之厚度(例如)可為大約0.001 mm或更大及大約0.2 mm或更小。若第一構件12為晶圓，則用於第一黏著層10之黏著劑可與用以將背襯(第二構件14)與電路表面(前表面12a)接合以在於晶圓上執行背表面研磨程序時提供保護及支撐的黏著劑相同。舉例而言，可使用可自住友3M有限公司(Sumitomo 3M Limited)(東京)獲得之液體-紫外線-固化-類型丙烯酸系液體黏著劑LC-3200(商標名稱)。
層合物16係藉由將除厚度外在尺寸及形狀方面約略相同的第一構件12與第二構件14重疊而形成，第一構件12及第二構件14具有各別前表面12a及14a以約略平行之方式彼此相對之約略同軸的配置。用插入於前表面12a與14a之間的第一黏著層10將第一構件12及第二構件14接合至一起(圖2展示具有盤狀外部形狀之層合物16作為實例)。所說 明構件剝離方法包括用於此層合物16之以下步驟。
i)製備彎曲背襯表面18之步驟(圖1及圖2)。
在步驟i中，彎曲背襯表面18經製備為以具有規定曲率之凸面形狀彎曲之圓柱形表面的一部分。彎曲背襯表面18可具有剛性，以允許對抗外力而維持初始曲率。或者，彎曲背襯表面18可具有彈性，從而允許對抗外力之輕微變形且允許容易地恢復初始曲率。彎曲背襯表面18亦可為具有微小不規則性之基本上平滑的表面。彎曲背襯表面18可由空心或實心圓柱形結構20之周邊表面形成。如自平面視角所觀察，彎曲背襯表面18之外邊緣18a可具有各種形狀，諸如圓形形狀、矩形形狀或其類似者(作為實例，如自平面視角所觀察，此在圖2中展示為外邊緣18a具有矩形形狀之彎曲背襯表面18)。除彎曲背襯表面18必須大於層合物16之第一構件12的背表面12b的條件之外，彎曲背襯表面18之材料、形狀、尺寸及其類似者不受特別限制。
ii)製備具有第二黏著層22之薄膜24之步驟(圖1及圖2)。
在步驟ii中，薄膜24經製備為可彎的膜狀元件，該膜狀元件具有第二黏著層22、在第二黏著層22之相反側上的背表面24a，及周邊邊緣24b。可(例如)藉由均一地將具有適當組成之黏著劑施加至由樹脂或其類似者製成之具有均一厚度的薄膜基板之整個表面而形成第二黏著層22。薄膜24之第二黏著層22相對於層合物16之第一構件12的黏著力大於第一構件12與第二構件14之間的由第一黏著層10引起的黏著力。
形成第二黏著層22之黏著劑較佳為可表現能夠使第一構件12之背表面12b保持緊固至第二黏著層22之黏著力的壓敏黏著劑。
在藉由下文所描述之程序自第二構件14剝離第一構件12之後，可能有必要將第一構件12自薄膜24之第二黏著層22剝離。在此狀況下，黏著力由於熱或放射性照射而減小的黏著劑可用作形成第二黏著 層22之黏著劑。若將(例如)黏著力由於放射性照射而減小的黏著劑用作形成第二黏著層22之黏著劑，則薄膜24需要具有足夠的射線透射性。舉例而言，薄膜24可為由以下各物製成之聚合物薄膜：諸如聚對苯二甲酸伸乙酯或其類似者的聚酯、諸如聚丙烯或其類似者之聚烯烴樹脂、聚氯乙烯樹脂、聚二氯亞乙烯樹脂、聚醯胺樹脂，或其類似者。可自住友3M有限公司(東京)獲得之T-172M積體電路封裝帶(商標名稱)(單面黏性帶，其中丙烯酸系黏著劑塗覆至聚烯烴基板)可用作具有第二黏著層22之薄膜24，其黏著力由於放射性照射而減小。
與形成第一黏著層10之黏著劑相組合而選擇形成第二黏著層22之黏著劑，條件為第二黏著層22相對於第一構件12之黏著力必須大於第一構件12與第二構件14之間的由第一黏著層10引起的黏著力。舉例而言，若第一黏著層10由可自住友3M有限公司(東京)獲得之液體-紫外線-固化-類型黏著劑LC-3200(商標名稱)組成，則第一黏著層10相對於第一構件12之前表面12a及第二構件14之前表面14a的黏著力(雖然取決於前表面12a及14a之材料、不規則性之形狀及其類似者而不同)約略在0.98 N/25 mm至9.8 N/25 mm的範圍內。相比之下，若具有第二黏著層22之薄膜24由可自住友3M有限公司(東京)獲得之T-172M積體電路封裝帶(商標名稱)組成，則第二黏著層22相對於第一構件12之前表面12a的黏著力(雖然取決於前表面12a之材料、不規則性之形狀及其類似者而不同)約略為24.5 N/25 mm。此外，對於T-172M積體電路封裝帶(商標名稱)，黏著劑之黏著力由於曝露至輻射而減小至大約0.49 N/25 mm。
為了確保在將第一構件12自第二構件14剝離時不損壞(尤其)第一構件12，第一構件12與第二構件14之間的由第一黏著層10引起之黏著力為至多大約9.8 N/25 mm為合乎需要的。另一方面，第二黏著層22相對於第一構件12之黏著力為至少大約14.7 N/25 mm為合乎需要的， 以便確保可容易地自第二構件14剝離第一構件12。第二黏著層22相對於第一構件12之黏著力與第一構件12與第二構件14之間的由第一黏著層10引起之黏著力之間的差可為(例如)大約4.9 N/25 mm或以上、9.8 N/25 mm或以上，或14.7 N/25 mm或以上。
當所說明構件剝離方法實施於半導體晶片之製造方法中時，薄膜24較佳具有允許薄膜在背表面已被研磨且自背襯(第二構件14)剝離晶圓(第一構件12)之後的後續程序(例如，切粒及其類似者)期間穩定地支撐晶圓的實體性質。此種薄膜24之厚度可(例如)為5至200 μm。
可將薄膜24供應為提前切割成適當形狀及尺寸的薄片，或可藉由自捲筒放出而連續供應薄膜24(作為實例，圖2展示經切割成盤狀外部形狀之薄片形薄膜24)。除第二黏著層22相對於第一構件12之黏著力必須大於第一構件12與第二構件14之間的由第一黏著層10引起的黏著力之外，薄膜24之材料、形狀、尺寸及其類似者不受特別限制。另外，第二黏著層22之背表面(亦即，黏著表面)22a必須大於第一構件12的背表面12b。
iii)在第二黏著層22之背表面22a處於經曝露狀態之情況下沿著彎曲背襯表面18緊固薄膜24的步驟(圖3)。
在步驟iii中，薄膜24經緊固，其中背表面24a與彎曲背襯表面18緊密接觸，使得第二黏著層22之背表面22a(在下文中稱作黏著表面22a)沿著彎曲背襯表面18形成基本上平滑的彎曲表面。將薄膜24緊固至彎曲背襯表面18之步驟可包括藉由將真空施加至薄膜24來將薄膜24固持抵靠在彎曲背襯表面18上的步驟。(然而，本說明書不限於低於大氣壓之負壓狀態，且低於薄膜24周圍之空氣壓力的經減小壓力狀態在下文中將被稱作「真空」。)在此狀況下，可使用用於將薄膜24真空附接至彎曲背襯表面18上之各種附接機構。在使用真空將薄膜24緊固至彎曲背襯表面18之組態下，可藉由釋放真空而容易地自彎曲背襯表 面18分離薄膜24。若不必考慮薄膜24自彎曲背襯表面18之分離，則用黏著劑或其類似者來將薄膜24緊固至彎曲背襯表面18亦為可能的，且在此狀況下，可使用在薄膜基板之兩側上皆具有黏著層的薄膜24。在薄膜24在兩側上皆具有黏著層(其中一者為第二黏著層22)之狀況下，形成此等黏著層之黏著劑可為相同的或可為不同的。
作為上文所描述之附接機構的實例，可使用一種組態，該組態具備在彎曲背襯表面18之所要位置處環狀地形成之具有規定的寬度及深度(例如，寬度及深度兩者皆為大約1至2 mm)的單一或複數個凹槽26(圖2)，且具備連接至凹槽26之真空器件(未圖示)。在此附接機構的情況下，當薄膜24處於置於彎曲背襯表面18上之狀態以便覆蓋整個凹槽26時，有可能藉由用真空器件之操作減小凹槽26內部之壓力來將薄膜24附接且牢固地固持至彎曲背襯表面18上。詳言之，藉由減小凹槽26內部之壓力，在由凹槽26圍繞之區域中的彎曲背襯表面18之微小不規則性之壓力類似地經減小，此使得可能將定位在凹槽26內部之薄膜24的部分穩固地緊固至彎曲背襯表面18。可藉由將真空器件之操作自此緊固狀態釋放且使凹槽26之內部返回到大氣壓而容易地自彎曲背襯表面18分離薄膜24。當自平面視角觀察時，假定為形成封閉迴路之凹槽26可以諸如圓形形狀、矩形形狀或其類似者的各種形狀延伸(作為實例，圖2自平面視角展示以矩形形狀延伸之兩個凹槽26)。除至少一凹槽26必須在能夠圍繞層合物16之整個第一構件12的區域之上延伸之外，凹槽26之形狀、尺寸、數目及其類似者不受特別限制。可使用整個彎曲背襯表面18被賦予多孔結構且該多孔結構之間隙被抽吸成真空的組態而非上述具有凹槽26之組態以作為附接機構。
iv)逐漸將第一構件12自第二構件14剝離之步驟(圖4至圖7)。
在步驟iv中，首先使鄰近於經由第一黏著層10接合至第二構件14的第一構件12之周邊表面12c的背表面(亦即，經曝露表面)12b的一部 分(在下文中稱作「第一外邊緣鄰近部分12d」)接觸且固定至緊固至彎曲背襯表面18之薄膜24之第二黏著層22的黏著表面22a(圖4)。此處，當使用前述附接機構時，判定背表面12b最初接觸第二黏著層22之黏著表面22a所在的位置，使得第一構件12之整個背表面12b可最終定位在至少一凹槽26內部之區域中。亦在此時，可(例如)使用諸如橡膠輥28之按壓構件在使得第一構件12之背表面12b被壓抵在薄膜24之第二黏著層22上之方向上將按壓力P施加至層合物16(圖5A)。當剝離步驟開始時，將按壓力P施加至第二構件14之背表面14b的對應於第一構件12之背表面12b的最初與第二黏著層22之黏著表面22a接觸之第一外邊緣鄰近部分12d的一部分(在下文中稱作「第一外邊緣鄰近部分14d」)。若第二黏著層22由壓敏黏著劑形成，則按壓力P具有足以使第一構件12與第二黏著層22之間的黏著力大於第一構件12與第二構件14之間的由第一黏著層10引起之黏著力的量值。
藉由(例如)自上文所描述之初始固定位置沿著第二構件14之背表面14b滾動橡膠輥28，施加至層合物16之按壓力P連續地自背表面14b之第一外邊緣鄰近部分14d朝向在相反側上之鄰近周邊表面14c之部分(在下文中稱作「第二外邊緣鄰近部分14e」)移動(圖5B)。在此時間間隔期間，按壓力P係均一地施加於第二構件14之背表面14b的在正交於按壓力P之移動方向的方向上延伸的整個線性區段上。舉例而言，當使用橡膠輥28時，橡膠輥28經組態以具有沿著軸線之尺寸，該尺寸大於第二構件14之背表面14b的最大寬度(在第二構件14為盤狀之情況下，背表面14b之直徑)，使得按壓力P可均一地施加至橡膠輥28之周邊表面所接觸之背表面14b的整個線性區段。藉由以此方式移動按壓力P，第一構件12之背表面12b自第一外邊緣鄰近部分12d朝向在相反側上之鄰近於周邊表面12c之部分(在下文中稱作「第二外邊緣鄰近部分12e」)逐漸固定至薄膜24之第二黏著層22的黏著表面22a，薄膜24 緊固至彎曲背襯表面18。
此處，第二黏著層22相對於第一構件12之黏著力大於第一構件12與第二構件14之間的由第一黏著層10引起的黏著力，且第一構件12具有使其能夠獨自由於外力而相對容易地彎曲的可撓性，而第二構件14具有使其能夠對抗經由第一黏著層10自第一構件12傳輸之彎曲力而維持板狀形式的剛性。因此，在將第一構件12之背表面12b逐漸固定至第二黏著層22的同時，第一構件12沿著彎曲背襯表面18逐漸地彎曲，同時仍然處於固定至第二黏著層22之狀態。另一方面，第二構件14試圖維持板狀形式而不彎曲。結果，第一構件12逐漸自第二構件14剝離。
藉由連續地移動按壓力P，第一構件12之背表面12b至第二黏著層22之固定自第一外邊緣鄰近部分12d逐漸推進至第二外邊緣鄰近部分12e，且第一構件12自第二構件14之剝離相應地逐漸推進(圖5C及圖5D)。在按壓力P達到第二構件14之背表面14b之第二外邊緣鄰近部分14e時，第一構件12之整個背表面12b固定至第二黏著層22之黏著表面22a(圖5E)。因此釋放按壓力P(圖6)，且根據需要藉由將第二構件14拉離第一構件12而自第二構件14剝離整個第一構件12(圖7)。
使用上文所描述之構件剝離方法，可簡單地藉由將層合物16之第一構件12逐漸地固定至緊固至彎曲背襯表面18之薄膜24的第二黏著層22而逐漸自第二構件14剝離第一構件12，且可藉由繼續此逐漸程序以將整個第一構件12固定至第二黏著層22而自第二構件14剝離整個第一構件12。因此，用於熔化第一黏著層10或減小黏著力之處理變得不必要，且有可能用較簡單技術來將第一構件12及第二構件14快速且安全地自彼此剝離。
此外，上文所描述之構件剝離方法亦可在半導體晶片之製造方法中實施為將由晶圓組成之第一構件12自由背襯組成之第二構件14剝 離的步驟，其中此背襯經由第一黏著層10接合至晶圓之電路形成表面(前表面12a)。透過此組態，可用較簡單技術快速且安全地自背襯(第二構件14)剝離晶圓(第一構件12)，而不熔化第一黏著層10或減小黏著力。
在用於藉由沿著彎曲背襯表面18彎曲第一構件12而將第一構件12自第二構件14剝離的前述構件剝離方法中，有必要以不會發生損壞的不大於臨界曲率半徑之曲率半徑彎曲第一構件12。詳言之，若第一構件12為晶圓，則要求在第一構件12之前表面12a上形成之半導體器件或電路不得遭受歸因於前表面12a之變形(拉伸)的損壞。在第一構件12以規定的曲率半徑彎曲時，前表面12a之變形(拉伸)量與第一構件12之厚度成正比且與此曲率半徑成反比。自此角度，在上文所描述之構件剝離方法中，彎曲背襯表面18之曲率半徑可設定為第一構件12之厚度的至少大約2000倍或至少大約4000倍。為了快速且順利地執行將第一構件12自第二構件14逐漸剝離的步驟，彎曲背襯表面18之曲率半徑亦可設定成第一構件12之厚度的至多大約10,000倍或至多大約8,000倍。
在上文所描述之構件剝離方法中完成第一構件12及第二構件14之各別剝離之後，第一黏著層10(較佳其整體)保持處於附接至第一構件12之前表面12a或第二構件14之前表面14a的狀態。或者，可使用第一黏著層10經適當分段以便部分地保持在第一構件12及第二構件14之各別前表面12a及14a上之組態。
當在半導體晶片之製造方法中的用於將背表面已經研磨的晶圓自背襯剝離的程序中實施所說明構件剝離方法時，自在晶圓上順利地執行後處理的角度而言，將整個第一黏著層10留在支撐晶圓(第一構件12)之背襯(第二構件14)上為有效的。因此，可實施將第一構件12自第二構件14逐漸剝離的步驟，使得第一構件12被逐漸地自第一黏著層 10剝離，同時維持第二構件14附接至第一黏著層10的狀態。
以使得有可能將第一構件12自第一黏著層10剝離同時維持第一黏著層10附接至第二構件14之狀態為目標，可使用各種手段以使得第一黏著層10相對於第二構件14之前表面14a的黏著強度大於第一黏著層10相對於第一構件12之前表面12a的黏著強度。此類型之手段的實例可為選擇第一構件12及第二構件14之材料。舉例而言，第二構件14可由諸如膠木之塑膠形成，且第一構件12可由諸如矽之晶圓材料形成。此外，作為前述手段之其他實例，有可能預先對前表面14a執行表面處理以增加第一黏著層10相對於第二構件14之前表面14a的黏著強度或預先對前表面12a執行表面處理以減小第一黏著層10相對於第一構件12之前表面12a的黏著強度。
在上文所描述之構件剝離方法中，在自第二構件14剝離整個第一構件12之後，存在輔助地要求將薄膜24連同固定至第二黏著層22之黏著表面22a的第一構件12一起自彎曲背襯表面18分離的狀況。圖8至圖11展示根據本發明之實施例之構件剝離方法的此種輔助步驟。在圖8中，切割成矩形外部形狀之薄片形薄膜24被緊固至彎曲背襯表面18，彎曲背襯表面18具有延伸而形成矩形形狀(自平面視角)之一凹槽26，且盤狀第一構件12固定至凹槽26內部之區域。
所說明的輔助步驟為在將整個第一構件12自第二構件14剝離之後，將薄膜24連同固定至第二黏著層22之黏著表面22a的第一構件12一起自彎曲背襯表面18分離的步驟。此輔助步驟進一步包括以下步驟。
v)在第一構件12之附近將具有圍繞第一構件12之形狀的環形框架構件30固定至薄膜24之黏著層22之黏著表面22a的步驟(圖8至圖10)。
用金屬、樹脂或其類似者產生具有均一厚度的框架薄膜30，且將其沿著薄膜24之周邊邊緣24b固定至第二黏著層22。此賦予框架構 件30剛性，使得定位在經擴張薄膜24上之框架構件30內部的第一構件12能夠被穩定地支撐。舉例而言，若框架構件30為由不鏽鋼製成之複曲面構件，則框架構件30可具有以下尺寸：厚度為大約1至2 mm，內徑為大約350 mm，且外徑為大約400 mm。此等尺寸適合於(例如)第一構件12為具有300 mm直徑之矽晶圓的狀況。儘管所說明框架構件30具有類似於第一構件12之圓形形狀之複曲面形狀，但除框架構件30具有允許第一構件12被圍繞並具有一間隙之形狀及尺寸以及允許第一構件12支撐在經擴張薄膜24上的剛性之外，材料、形狀、尺寸及其類似者不受特別限制。
在步驟v中，使複曲面框架構件30之一部分接觸且固定至薄膜24之第二黏著層22的黏著表面22a(圖8及圖9)。此時，判定框架構件30最初與第二黏著層22之黏著表面22a接觸的位置，使得整個第一構件12最終由框架構件30圍繞。此時，亦可對框架構件30施加在一使得框架構件30被按壓至第二黏著層22中的方向上的按壓力。此外，在此步驟之前及之後，藉由(例如)釋放上文所描述之附接機構的真空，使薄膜24置於其不緊固至彎曲背襯表面18的狀態。此外，自初始固定部分朝向在相反側上之部分，將框架構件30逐漸固定至第二黏著層22之黏著表面22a(圖10A至圖10D)。
vi)在遠離彎曲背襯表面18之方向上移動固定至第二黏著層22之黏著表面22a之框架構件30的步驟(圖10及圖11)。
步驟vi之部分係連同上文所描述之針對框架構件30的逐漸固定步驟一起執行。亦即，在自初始固定部分朝向在相反側上之部分地將框架構件30逐漸固定至第二黏著層22之黏著表面22a的同時，具有使得第一構件12能夠穩定地支撐於經擴張薄膜24上之剛性的框架構件30維持其自身形狀，同時固定至第二黏著層22之部分連同框架24及第一構件12一起在遠離彎曲背襯表面18之方向上逐漸移動(圖10A至圖10D)。
在整個框架構件30固定至第二黏著層22之狀態下(圖10D)，框架構件30可獨立地且自由地自彎曲背襯表面18移動，同時在經擴張薄膜24上穩定地支撐第一構件12。以此方式，薄膜24連同固定至第二黏著層22之第一構件12一起自彎曲背襯表面18分離(圖11)。使用框架構件30連同第一構件12一起自彎曲背襯表面18分離的薄膜24由框架構件30保持在均勻擴張之狀態。因此，可(例如)針對自第二構件14剝離之第一構件12穩定地執行諸如加工或運輸之所要操作。
當在半導體晶片之製造方法中在用於在背表面經研磨之後將晶圓自背襯剝離之程序中實施所說明構件剝離方法時，上文所描述之輔助步驟為：在將整個晶圓(第一構件12)自背襯(第二構件14)剝離之後，將薄膜24連同固定至第二黏著層22之晶圓一起自彎曲背襯表面18分離的步驟。此步驟進一步包括在晶圓之附近將具有圍繞晶圓之形狀的環形框架構件30固定至薄膜24之第二黏著層22之黏著表面22a的步驟及在遠離彎曲背襯表面18之方向上移動固定至第二黏著層22之黏著表面22a之框架構件30的步驟。透過具有此種輔助步驟之製造方法，可針對固定至薄膜24之晶圓(第一構件12)穩定地執行諸如切粒之程序，薄膜24由框架構件30保持在經擴張狀態。
在上文所描述之構件剝離方法中，將薄膜24緊固至彎曲背襯表面18之步驟可包括連續地將網狀物形狀的薄膜24緊固至連續移動之彎曲背襯表面18的步驟。另外，自第二構件14逐漸剝離第一構件12之步驟可經組態以使用連續緊固至彎曲背襯表面18之薄膜24針對具有經由第一黏著層10彼此接合之各別第一構件12及第二構件14的複數個層合物16而順序地執行。在此種組態下，對複數個層合物16之連續操作使得經由第一黏著層10分別接合至複數個第二構件14的各別第一構件12能夠連續且快速地自該複數個第二構件14剝離。
圖12至圖14展示根據一實施例之構件剝離裝置40，該構件剝離 裝置40能夠針對複數個層合物16連續地執行圖1至圖11中所展示之構件剝離方法。構件剝離裝置40亦能夠執行一實施例之半導體晶片製造方法。然而，構件剝離裝置40之應用不限於此實例。
構件剝離裝置40具備：具有彎曲背襯表面42之可旋轉、圓柱形支承輥44；用於與支承輥44之旋轉同步地將具有第二黏著層46之薄膜48連續供應至彎曲背襯表面42的薄膜供應部件50；用於沿著彎曲背襯表面42緊固薄膜48同時曝露第二黏著層46之黏著表面46a的緊固機構52；及用於在切線平面方向上以對應於彎曲背襯表面42在該切線平面方向上之速度的速度饋入具有經由第一黏著層10彼此接合之第一構件12及第二構件14的層合物16，同時將第一構件12按壓至緊固至彎曲背襯表面42之薄膜48的第二黏著層46之表面(亦即，黏著表面)46a中的層合物饋入機構54(圖12)。
支承輥44由空心圓柱體製成，且在由驅動器件56驅動時，繞軸線44a在箭頭R的方向上以規定速度ω旋轉(圖14)。彎曲背襯表面42由支承輥44之圓柱形周邊表面形成，且具有與上文所描述之彎曲背襯表面18相同的組態。薄膜48為延伸以形成網狀物形狀且具有在其一整個表面上形成之第二黏著層46的長薄膜。薄膜48及第二黏著層46除了為網狀物形狀之外，具有與上文所描述之薄膜24及第二黏著層22相同的組態。薄膜供應部件50能夠以繞軸58纏繞之捲筒60的形式支撐網狀物形狀的薄膜48，且可藉由將薄膜48自捲筒60放出而連續地將薄膜48供應至彎曲背襯表面42。
緊固機構52具備附接機構，此附接機構藉由施加真空至薄膜48來將薄膜48固持抵靠在彎曲背襯表面42上，使得該真空可被釋放。附接機構具備經形成為彎曲背襯表面42中之凹陷的環形凹槽62，及用於減小環形凹槽62內部之空間之壓力的真空器件64(圖13及圖14)。環形凹槽62設在一位置，以圍繞彎曲背襯表面42的對應於第一構件12在薄 膜48之第二黏著層46上之固定區域的表面區域。環形凹槽62具有與上文所描述之凹槽26相同的組態。代替具有環形凹槽62之前述組態，亦可能使用整個彎曲背襯表面42被賦予多孔結構且該多孔結構之間隙被抽吸成真空的組態。
在構件剝離裝置40中，在彎曲背襯表面42上形成在圓周方向上彼此分離之三個環形凹槽62。此等環形凹槽62經由支承輥44之旋轉軸66及連接至旋轉軸66之旋轉接頭68而連接至真空器件64，使得氣體可循環。在旋轉軸66內部設有與環形凹槽62中之每一者連通之三個氣體路徑70，且此等氣體路徑70經由旋轉接頭68及設在旋轉接頭68與真空器件64之間的開關閥72而連接至真空器件64(圖14)。隨著支承輥44在由驅動器件56驅動時旋轉，在如由具有規定範圍之旋轉角所指定之規定旋轉位置處的環形凹槽62被開關閥72連接至真空器件64，且藉由抽吸真空而減壓。另一方面，在如由具有另一規定範圍之旋轉角所指定之其他旋轉位置處的其他環形凹槽62被開關閥72阻斷而不與真空器件64連通，且返回到大氣壓。
在薄膜48經供應至彎曲背襯表面42以便覆蓋環形凹槽62中之每一者之整體的狀態下，可藉由真空器件64之操作，藉由減小環形凹槽62中之每一者內部的壓力將薄膜48抽吸且牢固地固持至彎曲背襯表面42上。詳言之，藉由彼此獨立地減小三個環形凹槽62之壓力，在由環形凹槽62中之每一者圍繞之區域中的彎曲背襯表面42之微小不規則性藉由抽吸真空而類似地被減壓，此使得可能將薄膜48之定位在環形凹槽62中之每一者內部之部分穩固地緊固至彎曲背襯表面42。因此，透過該構件剝離裝置40，有可能一次將三個第一構件12固定至薄膜48之第二黏著層46，薄膜48係藉由沿著彎曲背襯表面42彎曲而緊固至支承輥44之彎曲背襯表面42。
層合物饋入機構54例如經由輸送器件(未圖示)在切線平面方向 (箭頭D1之方向)上以對應於彎曲背襯表面42在該切線平面方向上之速度的速度v饋入層合物16，其中第一構件12之背表面12b處於經曝露定向，且層合物饋入機構54使第一構件12之背表面12b在最接近支承輥44之位置處接觸緊固至彎曲背襯表面42的薄膜48之第二黏著層46的黏著表面46a。用於將第一構件12按壓至第二黏著層46中之壓力輥74安裝在第一構件12接觸第二黏著層46之位置處。壓力輥74具有與上文所描述之橡膠輥28相同的組態，且在使得第一構件12之背表面12b被按壓至薄膜48之第二黏著層46中的方向上對在切線平面方向上以速度v饋入的層合物16施加按壓力P。
當用構件剝離裝置40執行上文所描述之構件剝離方法時，首先藉由減小一環形凹槽62之壓力而將薄膜48之末端區域緊固至彎曲背襯表面42。在此狀態下，支承輥44旋轉且其他環形凹槽62順序地被減壓，使得薄膜48被連續地自薄膜供應部件50拉出且緊固至彎曲背襯表面42(如上文所描述之步驟iii)。層合物饋入機構54判定層合物16在輸送器件上之位置，使得最終藉由沿著彎曲背襯表面42彎曲而固定之第一構件12的整個背表面12b可相對於在支承輥44之旋轉方向上以速度ω移動的薄膜48而定位在一環形凹槽62內部，且層合物饋入機構54在切線平面方向上以速度v饋入層合物16。結果，經由第一黏著層10接合至第二構件14之第一構件12的背表面12b最初在上文所描述之第一外邊緣鄰近部分12d(圖5)處與第二黏著層46之黏著表面46a接觸，且藉由來自壓力輥74之按壓力P而固定至第二黏著層46。
當支承輥44自上文所描述之初始固定位置繼續旋轉時，第一構件12連同薄膜48一起在輥之旋轉方向上以速度ω移動，且第一構件12之背表面12b自第一外邊緣鄰近部分12d朝向上文所描述之第二外邊緣鄰近部分12e(圖5)移動，且在來自壓力輥74之按壓力P的作用下逐漸固定至第二黏著層46之黏著表面46a。在第一構件12之背表面12b逐漸 固定至第二黏著層46之黏著表面46a的同時，以速度ω移動之第一構件12沿著彎曲背襯表面42逐漸彎曲，同時維持其固定至第二黏著層46之狀態。另一方面，第二構件14在切線平面方向上以速度v移動，同時維持板狀形式而不彎曲。結果，第一構件12逐漸自第二構件14剝離(步驟iv)。當整個層合物16已通過壓力輥74時，整個第一構件12被從第二構件14剝離。
藉由用構件剝離裝置40中之層合物饋入機構54以對應於彎曲背襯表面42上之環形凹槽62之對準間距的規定對準間距連續饋入複數個層合物16，可針對至少三個層合物16順序地自第二構件14剝離第一構件12。以此方式，可用構件剝離裝置40針對複數個層合物16連續執行上文所描述之構件剝離方法。因此，可以較簡單技術快速且安全地剝離複數個層合物16之各別第一構件12及第二構件14。
為了使得不管緊固機構52之組態(特定言之，環形凹槽62之數目)如何皆有可能針對複數個(圖式中至少四個)層合物16連續執行上文所描述之構件剝離方法，構件剝離裝置40可進一步裝備有薄膜分離部件76，該薄膜分離部件76設在層合物饋入機構54之薄膜供應方向上的下游側上。薄膜分離部件76用以將緊固至旋轉支承輥44之彎曲背襯表面42的薄膜48連同固定至第二黏著層46之第一構件12一起自彎曲背襯表面42分離。
薄膜分離部件76經組態以(例如)使用輸送器件(未圖示)在切線平面方向(箭頭D2之方向)上以對應於彎曲背襯表面42在該切線平面方向上之速度的速度v饋入上文所描述之環形框架構件30，且使框架構件30之一部分在最接近支承輥44的位置處與緊固至彎曲背襯表面42的薄膜48之第二黏著層46的黏著表面46a接觸且固定其。透過薄膜分離部件76，判定框架構件30在輸送器件上之位置，使得固定至第二黏著層46且以速度ω移動之整個第一構件12最終由框架構件30圍繞，且在切 線平面方向上以速度v饋入框架構件30。在框架構件30之部分最初與第二黏著層46接觸之前，操作緊固機構52之開關閥72以釋放緊固薄膜48之待分離部分之環形凹槽62的真空，此導致薄膜48之待分離部分未緊固在彎曲背襯表面42上的狀態。
當支承輥44自上文所描述之初始固定位置繼續旋轉時，以速度v移動之框架構件30自初始固定部分移動至在相反側上之部分，且逐漸固定至以速度ω移動的薄膜48之第二黏著層46的黏著表面46a(步驟v)。根據此逐漸固定，框架構件30維持其自身形狀，同時固定至第二黏著層46之部分連同薄膜48及第一構件12一起逐漸移動遠離彎曲背襯表面42(步驟vi)。在整個框架構件30已通過薄膜分離部件76時，薄膜48之在第二黏著層46上固定且支撐第一構件12的部分被從彎曲背襯表面42分離。
藉由用構件剝離裝置40中之薄膜分離部件76以對應於彎曲背襯表面42上之環形凹槽62之對準間距的規定對準間距連續饋入複數個框架構件30，可針對固定至薄膜48之第二黏著層46的複數個第一構件12順序地自彎曲背襯表面42分離固定且支撐第一構件12之薄膜部分。因此，可針對複數個(圖式中至少四個)層合物16連續執行上文所描述之構件剝離方法。
構件剝離裝置40可在半導體晶片之製造方法中用以實施用於將背襯自具有經研磨背表面之晶圓剝離的程序。在此狀況下，層合物饋入機構54可將藉由經由第一黏著層10將晶圓(第一構件12)與背襯(第二構件14)彼此接合而形成的複數個層合物16連續固定至與彎曲背襯表面42一起以速度ω移動的薄膜48之第二黏著層46的黏著表面46a。在每一層合物16已通過壓力輥74時，整個晶圓(第一構件12)被從每一層合物16中的整個背襯(第二構件14)分離。薄膜分離部件76亦可針對固定至薄膜48之第二黏著層46的複數個晶圓(第一構件12)順序地將固定且 支撐晶圓之薄膜部分自彎曲背襯表面42分離。藉由複數個框架構件30使薄膜48連續自彎曲背襯表面42分離。薄膜48在經分離之後亦可在鄰近框架構件30之間經分段。可針對固定至薄膜48的晶圓(第一構件12)穩定地執行諸如切粒之程序，薄膜48由框架構件30保持在經擴張狀態。
10‧‧‧黏著層
12‧‧‧第一構件
14‧‧‧第二構件
22‧‧‧第二黏著層
22a‧‧‧黏著表面/背表面
24‧‧‧薄膜

Claims (11)

  1. 一種用於將已經由一第一黏著層彼此接合之一第一構件及一第二構件自彼此剝離之構件剝離方法，該方法包含：製備一彎曲背襯表面之一步驟；製備具有一第二黏著層之一薄膜的一步驟，其中該第一構件與該第二黏著層之間的一黏著力大於該第一構件與該第二構件之間的由該第一黏著層引起的一黏著力；沿著該彎曲背襯表面緊固該薄膜之一步驟，其中該第二黏著層之一表面處於一經曝露狀態；及藉由將經由該第一黏著層接合至該第二構件之該第一構件的一經曝露表面固定至緊固至該彎曲背襯表面的該薄膜之該第二黏著層的該表面，且沿著該彎曲背襯表面逐漸彎曲該第一構件來將該第一構件逐漸自該第二構件剝離之一步驟。
  2. 如請求項1之構件剝離方法，其中將該第一構件逐漸自該第二構件剝離之該步驟包含將該第一構件逐漸自該第一黏著層剝離同時維持該第一黏著層附接至該第二構件之一狀態的一步驟。
  3. 如請求項1或2之構件剝離方法，其中將該薄膜緊固至該彎曲背襯表面之該步驟包含藉由施加一真空至該薄膜來將該薄膜固持抵靠在該彎曲背襯表面上之一步驟。
  4. 如請求項1或2之構件剝離方法，其進一步包含在將該第一構件之一整體自該該第二構件剝離之後，將該薄膜連同固定至該第二黏著層之該表面的該第一構件一起自該彎曲背襯表面分離的一步驟。
  5. 如請求項1或2之構件剝離方法，其中將該薄膜緊固至該彎曲背襯表面之該步驟包含將該薄膜連續緊固至該彎曲背襯表面之一 步驟；且將該第一構件逐漸自該第二構件剝離之該步驟係針對使用連續緊固至該彎曲背襯表面之該薄膜的複數個層合物順序地執行。
  6. 一種用於實施如請求項1之構件剝離方法的構件剝離裝置，該裝置包含：一可旋轉、圓柱形支承輥，其具有彎曲背襯表面；一薄膜供應部件，其用於與該支承輥之一旋轉同步地將薄膜連續供應至該彎曲背襯表面；一緊固機構，其用於沿著該彎曲背襯表面緊固該薄膜；及一層合物饋入機構，其用於饋入包含已經由第一黏著層彼此接合之第一構件及第二構件之一層合物，該層合物饋入機構在一切線平面方向上以對應於該彎曲背襯表面在彼切線平面方向上之一速度的一速度饋入該層合物，同時將該第一構件按壓至緊固至該彎曲背襯表面之該薄膜之第二黏著層的表面中。
  7. 如請求項6之構件剝離裝置，其中該緊固機構包含一固持機構，該固持機構用於藉由施加一真空至該薄膜來將該薄膜固持抵靠在該彎曲背襯表面上，使得該真空可被釋放。
  8. 如請求項7之構件剝離裝置，其中該固持機構包含形成為該彎曲背襯表面中之一凹陷的一環形凹槽及用於減小該環形凹槽內部之一空間之一壓力的一真空器件，其中該環形凹槽設在一位置處，該位置圍繞該彎曲背襯表面之對應於該第一構件在該薄膜之該第二黏著層上之一固定區域的一表面區域。
  9. 如請求項7至8中任一項之構件剝離裝置，其進一步包含一薄膜分離部件，該薄膜分離部件設在該層合物饋入機構之一下游側上且將該薄膜連同固定至該第二黏著層之該第一構件一起自該 彎曲背襯表面分離。
  10. 一種用於製造一半導體晶片之方法，其包含：使用如請求項1之構件剝離方法來將包含一晶圓之第一構件自包含一背襯之第二構件剝離的一步驟，該背襯經由第一黏著層接合至該晶圓之一電路形成表面。
  11. 如請求項10之製造方法，其進一步包含在將該晶圓之一整體自該背襯剝離之後，將薄膜連同固定至第二.黏著表面之該晶圓一起自該彎曲背襯表面分離的一步驟；將該薄膜自該彎曲背襯表面分離之該步驟包含在該晶圓之一附近將具有圍繞該晶圓之一形狀的一環形框架構件固定至該薄膜之第二黏著層之表面的一步驟，及在遠離該彎曲背襯表面之一方向上移動固定至該第二黏著層之該表面之該框架構件的一步驟。
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