JP2016018877A - ダイシングテープおよびその製造方法 - Google Patents

ダイシングテープおよびその製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2016018877A
JP2016018877A JP2014140291A JP2014140291A JP2016018877A JP 2016018877 A JP2016018877 A JP 2016018877A JP 2014140291 A JP2014140291 A JP 2014140291A JP 2014140291 A JP2014140291 A JP 2014140291A JP 2016018877 A JP2016018877 A JP 2016018877A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
tape
layer
wafer
dicing
dicing tape
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2014140291A
Other languages
English (en)
Inventor
和彦 作谷
Kazuhiko Sakutani
和彦 作谷
辰則 柳本
Tatsunori Yanagimoto
辰則 柳本
浩二 油布
Koji Yufu
浩二 油布
Original Assignee
三菱電機株式会社
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 三菱電機株式会社, Mitsubishi Electric Corp filed Critical 三菱電機株式会社
Priority to JP2014140291A priority Critical patent/JP2016018877A/ja
Publication of JP2016018877A publication Critical patent/JP2016018877A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Abstract

【課題】凹部を有するウエハの当該凹部を迅速に平坦化する。【解決手段】ダイシングテープ20は、ウエハ100の凹部V1の底面S1aに貼り付けるための補填層23xを備える。補填層23xの形状は、当該補填層23xを凹部V1に埋め込むための円盤状である。また、補填層23xの厚さTH1は、凹部V1の深さd1と同じである。ダイシングテープ20は、凹部V1を有するウエハ100のダイシングのために、当該ウエハ100に対して貼り付けられる。【選択図】図2

Description

本発明は、凹部を有するウエハに貼り付けられるダイシングテープおよびその製造方法に関する。
IC(Integrated Circuit)、LSI(Large Scale Integration)などは高集積化が求められている。そのため、積層性の向上を目的として半導体ウエハ(シリコンウエハ)の薄厚化が求められている。なお、本明細書では、半導体ウエハを、簡略化して、「ウエハ」ともいう。
また、パワー半導体の分野においても、エネルギー損失を低下させるため、ウエハの薄厚化が進んでいる。しかし、ウエハの厚さが100μm以下である場合、表裏面の加工によるウエハの反り、ウエハの強度の低下によるクラックの発生等の問題が発生する。そこで、ウエハを薄厚化する工程から、ダイシングされたウエハが、各半導体チップ(半導体装置)に個片化される工程までにおいて、上記の問題を発生させない手法として、例えば、以下の手法Aが考えられる。
当該手法Aでは、ウエハプロセスの完了後、保護用のバックグラインドテープを貼付けたウエハの表面をステージにより支持する。そして、研磨工程が行われる。研磨工程では、バックグラインド装置を使用して、ウエハの厚みが、最終的な半導体装置の厚みになるまで、当該ウエハの裏面を研削していく。
なお、研磨工程では、ウエハの周縁部において、研削が行われない、数mm程度の幅の領域(以下、「領域A」ともいう)が設定される。研磨工程では、ウエハのうち、領域Aより内側に存在する、半導体装置が形成された機能部に対してのみ、円形に研削が行われる。これにより、ウエハの周縁部に、元のウエハの厚さと同等の厚さのリブが形成される。リブとは、突起である。当該リブの形状は、リング状である。当該リブにより、機能部が薄厚化されたウエハは、剛性が保たれる。その結果、ウエハの反り、ウエハの強度の低下等が抑制される。
次に、バックグラインドテープが剥離された後、必要に応じて、ウエハの裏面に対して処理が実施される。続けて、ウエハマウンタにより、ダイシングフレームによりサポートされたダイシングテープがウエハの裏面に貼付けられる。この時、ウエハの裏面の周縁部にはリブが存在する。そのため、本プロセスに対応したダイシングテープおよびウエハマウンタが使用される。
なお、リブと機能部との間には段差が存在する。そのため、リブは、ウエハに対するダイシングの妨げとなる。そこで、ウエハのうちリブより所定距離だけ内側の部分が、円状に切断される。当該所定距離は、例えば、数百μmから数mmである。これにより、リブと、円状の機能部とは分離され、リブのみが除去される。なお、当該切断により、ウエハの直径は、一定の幅だけ小さくなる。なお、ウエハがマウントされた後は、ダイシングテープとダイシングフレームにより、ウエハの剛性が保持される。そのため、ウエハからリブが除去されても問題はない。
これにより、ダイシングテープ上には、ウエハとしての、薄厚化された機能部のみが存在する。この状態で、ダイシング装置にて、ウエハをダイシングすることにより、個片化された各半導体装置が生成される。
特許文献1には、ダイシング時におけるリブ(突起)の影響を抑制する技術(以下、「関連技術A」ともいう)が開示されている。具体的には、関連技術Aでは、ウエハの内周領域を研削することにより生成された凹部に液状のダイアタッチ材が充填される。これにより、ウエハの凹部が平坦化される。その後、凹部が平坦化されたウエハにダイシングテープが貼り付けられる。
特開2009−272590号公報
しかしながら、関連技術Aには、以下の問題点がある。具体的には、関連技術Aでは、凹部を有するウエハをダイシングテープに貼り付ける前において、当該凹部を平坦化する。そのため、当該凹部にダイアタッチ材を充填する工程を、別途行う必要がある。したがって、関連技術Aでは、ウエハに対しダイシングを行うまでの時間が、当該充填する工程の分だけ長くなる。その結果、ウエハの加工に関する製造コストが増加するという問題点がある。ウエハの加工に関する製造コストの増加を抑制するためには、ウエハの凹部を迅速に平坦化することが求められる。
本発明は、このような問題を解決するためになされたものであり、凹部を有するウエハの当該凹部を迅速に平坦化することが可能なダイシングテープ等を提供することを目的とする。
上記目的を達成するために、本発明の一態様に係るダイシングテープは、円盤状の凹部を有するウエハのダイシングのために、当該ウエハに対して貼り付けられる。前記ダイシングテープは、テープ基材と、前記テープ基材の主面に設けられた、前記凹部の底面に貼り付けるための補填層と、を備え、前記補填層の形状は、当該補填層を前記凹部に埋め込むための円盤状であり、前記補填層の厚さは、前記凹部の深さと同じであり、前記補填層のうち、前記凹部の底面に貼り付けられる面は、粘着性を有する。
本発明によれば、ダイシングテープは、ウエハの凹部の底面に貼り付けるための補填層を備える。前記補填層の形状は、当該補填層を前記凹部に埋め込むための円盤状である。また、補填層の厚さは、凹部の深さと同じである。なお、前記ダイシングテープは、前記凹部を有するウエハのダイシングのために、当該ウエハに対して貼り付けられる。
これにより、補填層を凹部に埋め込むようにダイシングテープをウエハに貼り付けると同時に、当該補填層により、当該凹部を平坦化することができる。すなわち、凹部を有するウエハの当該凹部を迅速に平坦化することができる。
本発明の実施の形態1に係るダイシングテープの貼り付けの対象となるウエハの構成を示す図である。 本発明の実施の形態1に係るダイシングテープの構成を示す断面図である。 ダイシングテープの構成を示す斜視図である。 ロールからダイシングテープの一部を引き出した状態を示す斜視図である。 テープ製造方法Aを説明するための図である。 テープ製造方法Aのフローチャートである。 テープ搬送装置の構成を示す図である。 テープ制御工程Nのフローチャートである。 変形構成Aを説明するための図である。 本発明の実施の形態2に係るダイシングテープの構成を示す断面図である。 ダイシングテープの構成を示す斜視図である。 ロールからダイシングテープの一部を引き出した状態を示す斜視図である。 テープ製造方法A2を説明するための図である。 テープ製造方法A2のフローチャートである。 貼付装置の構成を示す図である。 剥離テープを剥離する構成を説明するための図である。 本発明の実施の形態3に係るダイシングテープの構成を示す断面図である。 マウントステージの変形構成を示す図である。 変形構成Cを説明するための図である。 マウントステージの変形構成を示す図である。 本発明の実施の形態4に係るダイシングテープの構成を示す断面図である。 端材の端部を、テープ基材から剥離した状態を示す図である。
以下、図面を参照しつつ、本発明の実施の形態について説明する。以下の説明では、同一の構成要素には同一の符号を付してある。それらの名称および機能も同じである。したがって、それらについての詳細な説明を省略する場合がある。
なお、実施の形態において例示される各構成要素の寸法、材質、形状、それらの相対配置などは、本発明が適用される装置の構成や各種条件により適宜変更されるものであり、本発明はそれらの例示に限定されるものではない。また、各図における各構成要素の寸法は、実際の寸法と異なる場合がある。
<実施の形態1>
図1は、本発明の実施の形態1に係るダイシングテープ20の貼り付けの対象となるウエハ100の構成を示す図である。なお、図1では、ダイシングテープ20は図示していない。図1(a)は、ウエハ100の斜視図である。図1(b)は、A1−A2線に沿ったウエハ100の断面図である。
図1(a)および図1(b)を参照して、ウエハ100の周縁部には、突起であるリブ12が設けられる。また、ウエハ100は、円盤状の凹部V1を有する。凹部V1は、ウエハ100の裏面に形成される。当該凹部V1は、リブ12の形成の際に形成される。以下においては、ウエハ100のうち、凹部V1が形成されている面と反対側の面を、「主面」ともいう。
ウエハ100の主面側には、複数の半導体装置11が形成されている。ウエハ100の主面は、ダイシングが行われる面である。
以下においては、凹部V1の深さを、「深さd1」ともいう。また、以下においては、ウエハ100のうち、凹部V1が存在する領域を、「領域R1」ともいう。領域R1の厚さは、例えば、100μm以下である。以下においては、凹部V1を有さないウエハ100を、「ウエハN」ともいう。
次に、半導体装置11の製作工程について説明する。まず、ウエハNの主面側に、複数の半導体装置11が形成される。半導体装置11は、スパッタ法、めっき処理、蒸着処理、薄膜形成技術(例えば、エッチング)、不要部分の除去技術等を用いて形成される。なお、複数の半導体装置11の間には、ダイシングストリートS1が形成される。
その後、研磨工程が行われる。研磨工程では、詳細は後述するが、ウエハNの厚さが所定の厚さになるよう、ウエハNの裏面が研磨される。これにより、ウエハNは、ウエハ100となる。実施の形態1に係るダイシングテープ20は、ウエハ100がダイシングされることにより、分割の対象とされる複数の半導体装置11すべてに適用が可能である。
次に、必要に応じて、ウエハ100の裏面に金属膜(例えば、電極)が形成される。次に、テープ貼付工程Aが行われる。テープ貼付工程Aでは、詳細は後述するが、後述のダイシング工程により半導体装置11が散逸しないように、ウエハ100の裏面に、ダイシングテープが貼り付けられる。
次に、ダイシング工程が行われる。ダイシング工程では、ウエハ100が、半導体チップとして、各半導体装置11に分割される。なお、これらは一例であり、半導体装置11の製作工程は、上記の方法に限定されない。以下においては、ウエハ100が分割されることにより形成された各半導体装置11を、「半導体チップ」ともいう。
次に、研磨工程の詳細な処理について説明する。研磨工程では、ウエハNの表面にバックグラインドシートが貼付けられる。これにより、ウエハNの表面が保護される。続けて、ウエハNの表面をステージにより支持した状態でウエハNの研削が行われる。当該研削には、当該ステージに対向した位置に取り付けられている研削用の砥石が使用される。具体的には、ウエハNの厚みが、予め定められた、半導体装置11の厚みになるまで、砥石により、当該ウエハの裏面が研削される。
なお、研磨工程では、ウエハNの周縁部において、研削が行われない、数mm程度の幅の領域(以下、「領域A」ともいう)が設定される。研磨工程では、ウエハNのうち領域Aより内側に存在する円状の領域が研削される。これにより、ウエハNは、図1(a)および図1(b)に示すような、ウエハ100となる。以下においては、凹部V1の底面を、「底面S1a」ともいう。
リブ12の厚さは、研磨工程が行われる前のウエハNの厚さと同じである。なお、リブ12の厚さは、上記に限定されず、任意の厚さに調整されてもよい。リブ12の厚さの調整は、例えば、ウエハNの全体を、予め研削することにより行われる。また、リブ12の厚さの調整は、例えば、研磨工程における領域R1の薄膜化と同時に、リブ12も研削することにより行われる。また、リブ12の厚さの調整は、例えば、凹部V1の形成後に、リブ12のみを研削することにより行われてもよい。
次に、本実施の形態に係るダイシングテープ20について説明する。図2は、本発明の実施の形態1に係るダイシングテープ20の構成を示す断面図である。なお、図2では、ダイシングテープ20以外の後述する構成も示される。
図2において、X,Y,Z方向の各々は、互いに直交する。以下の図に示されるX,Y,Z方向の各々も、互いに直交する。以下においては、X方向と、当該X方向の反対の方向(−X方向)とを含む方向を「X軸方向」ともいう。また、以下においては、Y方向と、当該Y方向の反対の方向(−Y方向)とを含む方向を「Y軸方向」ともいう。また、以下においては、Z方向と、当該Z方向の反対の方向(−Z方向)とを含む方向を「Z軸方向」ともいう。
また、以下においては、X軸方向およびY軸方向を含む平面を、「XY面」ともいう。また、以下においては、X軸方向およびZ軸方向を含む平面を、「XZ面」ともいう。また、以下においては、Y軸方向およびZ軸方向を含む平面を、「YZ面」ともいう。
ダイシングテープ20は、詳細は後述するが、図3に示す、長尺状のダイシングテープ20Nの一部である。図3は、ダイシングテープ20Nの一部の構成を示す図である。ダイシングテープ20Nの形状は、帯状(長尺状)である。ダイシングテープ20Nの長さは、例えば、50m〜100mの範囲の長さである。ダイシングテープ20Nは、適宜必要なサイズにカットされる。
なお、ダイシングテープ20Nは、図4に示すロール20rとして提供される。ロール20rは、当該ダイシングテープ20Nがロール状に巻かれて構成される。図4は、ロール20rから、ダイシングテープ20Nの一部を引き出した状態を示す。図4は、ダイシングテープ20Nの構成を分かり易くするために、後述の端材23zが剥離された状態を示す。ダイシングテープ20は、詳細は後述するが、図4に示されるダイシングテープ20Nのうち、領域R2内の部分の一部である。
ダイシングテープ20は、詳細は後述するが、ウエハ100のダイシングのために、当該ウエハ100に対して貼り付けられるテープである。
図2を参照して、ダイシングテープ20は、テープ基材TP1と、補填層23xとを備える。図2のテープ基材TP1は、図4に示される、シート状のテープ基材TP1のうち、領域R2の部分を円状にカットしたものである。すなわち、図2のテープ基材TP1の形状は、円盤状である。
図2および図4を参照して、テープ基材TP1は、主面TP1aを有する。主面TP1aには補填層23xが設けられる。円盤状のテープ基材TP1は、基材21xと、粘着層61xとから構成される。
基材21xは、後述のシート状の基材21を円状にカットしたものである。すなわち、基材21xの形状は、円盤状である。粘着層61xは、後述のシート状の粘着層61を円状にカットしたものである。すなわち、粘着層61xの形状は、円盤状である。粘着層61xは、粘着性を有する層である。粘着層61xは、基材21xの表面に形成される。
補填層23xは、ウエハ100の凹部V1の底面S1aに貼り付けるための層である。補填層23xの形状は、当該補填層23xを凹部V1に埋め込むための円盤状である。すなわち、補填層23xの形状は、凹部V1の形状と同じ形状である。以下においては、補填層23xの厚さを、「厚さTH1」ともいう。補填層23xの厚さTH1は、凹部V1の深さd1と同じである。
なお、本明細書において「厚さTH1は深さd1と同じ」という表現は、厚さTH1が深さd1と同等であるという意味も含む。例えば、厚さTH1は、深さd1の0.8〜1.2倍の範囲の大きさであってもよい。
また、補填層23xの直径は、凹部V1の直径未満である。補填層23xの直径は、例えば、凹部V1の直径の0.5〜0.999倍の範囲の大きさである。補填層23xの直径は、好ましくは、凹部V1の直径の0.9〜0.999倍の範囲の大きさである。
補填層23xは、面23xaを有する。面23xaは、補填層23xのうち、凹部V1の底面S1aに貼り付けられる面である。補填層23x全体は、粘着性を有する材料で構成される。そのため、面23xaは、粘着性を有する。
以下においては、凹部V1の底面S1aと補填層23xとの結合力を、「結合力PW1a」ともいう。結合力PW1aは、補填層23xの粘着力により、底面S1aと補填層23xとが結合する力である。また、以下においては、粘着層61xと補填層23xとの結合力を、「結合力PW1b」ともいう。結合力PW1bは、粘着層61xの粘着力と補填層23xの粘着力とにより、粘着層61xと補填層23xとが結合する力である。なお、粘着層61xの一部は、テープ基材TP1の主面TP1aである。すなわち、結合力PW1bは、補填層23xとテープ基材TP1の主面TP1aとの結合力である。
また、以下においては、粘着層61xと基材21xとの結合力を、「結合力PW1c」ともいう。結合力PW1cは、粘着層61xの粘着力により、粘着層61xと基材21xとが結合する力である。
なお、補填層23xは、凹部V1の底面S1aと補填層23xとの結合力PW1aが、補填層23xとテープ基材TP1の主面TP1aとの結合力PW1bおよび結合力PW1cより小さくなるように、粘着力を変更自在な材料で構成される。例えば、補填層23xは、紫外線が照射されることにより、当該補填層23xが硬化するとともに、粘着力が低下するUV硬化型の粘着材である。
なお、補填層23xは、UV硬化型の粘着材に限定されず、粘着力を低下させることができる材料であれば、他の材料であってもよい。
次に、ダイシングテープ20を含むダイシングテープ20Nの製造工程(以下、「テープ製造方法A」ともいう)について説明する。図5は、テープ製造方法Aを説明するための図である。図6は、テープ製造方法Aのフローチャートである。テープ製造方法Aでは、まず、ステップS110の処理が行われる。
ステップS110では、積層工程Nが行われる。積層工程Nでは、図5(a)のように、シート状の基材21上に、粘着層61が設けられる。これにより、テープ基材TP1が形成される。すなわち、ステップS110は、テープ基材TP1を形成する工程である。
ステップS120では、積層工程Aが行われる。積層工程Aでは、テープ基材TP1の主面TP1aに補填層23が貼り付けられる。すなわち、積層工程Aは、テープ基材TP1の主面TP1aに補填層23を積層する工程である。以下においては、補填層23の厚さも、「厚さTH1」ともいう。なお、補填層23の厚さTH1は、凹部V1の深さd1と同等である。
ステップS130では、カット工程Nが行われる。カット工程Nは、補填層23の一部を切除することにより、前述の補填層23xを形成する工程である。また、カット工程Nは、補填層23xをテープ基材TP1の主面TP1aに形成する工程でもある。
前述したように、補填層23xは、ウエハ100の凹部V1の底面S1aに貼り付けるための層である。また、補填層23xは、凹部V1の底面S1aに貼り付けられる面23xaを有する。面23xaは、粘着性を有する。また、補填層23xの形状は、当該補填層23xを凹部V1に埋め込むための円盤状である。補填層23xの直径は、凹部V1の直径より小さい。
具体的には、カット工程Nでは、前述の機能および形状を有する補填層23xが形成されるように、補填層23の一部が切除される。これにより、補填層23には、図5(b)のように、円状の切除溝K1が形成される。以下においては、補填層23のうち、補填層23x以外の部分を、「端材23z」ともいう。
なお、カット工程Nでは、後述の工程によりダイシングテープ20Nが破損しない程度に、補填層23xが端材23zから完全に切り離されるように、補填層23の一部が切除される。例えば、カット工程Nでは、粘着層61の表面部、または、基材21の表面部まで、切除溝K1が形成されるように、補填層23の切除が行われる。
ステップS140では、保護部材貼付工程が行われる。保護部材貼付工程では、図3のように、補填層23の表面に、剥離テープ22が貼り付けられる。剥離テープ22は、補填層23を保護するための保護部材である。以上により、前述のダイシングテープ20を含むダイシングテープ20Nが製造される。すなわち、ダイシングテープ20が製造される。
次に、ダイシングテープ20Nがロール状に巻かれて構成されるロール20rを使用して、ダイシングテープ20をウエハ100に貼り付けるための工程(以下、「テープ制御工程N」ともいう)について説明する。ダイシングテープ20は、図7に示すテープ搬送装置300により、製造される。
テープ搬送装置300は、ローラ51a,51b,51c,54a,54b,54cと、台ST10とを含む。ローラ51aは、ロール20rを取り付けるためのテープローラである。ローラ51b,cは、ダイシングテープ20Nの一部の部材を巻き取るためのローラである。ローラ54aは、ダイシングテープ20Nの一部の部材を剥離するための剥離ローラである。
台ST10は、ステージST1と、ダイシングフレームF1とを含む。ステージST1は、ダイシングフレームF1が配置されるステージである。以下においては、ダイシングテープ20Nのうち、当該ダイシングテープ20Nから切り離される部分を、「分離テープ」ともいう。
ダイシングフレームF1は、分離テープが、ダイシングテープ20Nから切り離された場合、分離テープの張力を維持するために使用されるフレームである。すなわち、ダイシングフレームF1は、分離テープにおけるたわみの発生を防止するためのフレームである。分離テープにおけるたわみの発生が防止されることにより、ダイシング後における、半導体チップとしての各半導体装置11が互いに接触することが防止される。
ダイシングフレームF1の形状は、リング状である。ダイシングフレームF1の内径は、ウエハ100の直径より大きい。
なお、テープ制御工程Nが行われる前に、ロール20rがローラ51aに取り付けられる。また、ロール20rから、ダイシングテープ20Nの端部が引き出される。そして、ダイシングテープ20Nの端部のうち、剥離テープ22および端材23zの端部が、例えば、図4のように、テープ基材TP1から剥離される。当該剥離テープ22および端材23zが、ローラ54aを介して、ローラ51bに巻き取られるように、当該剥離テープ22および端材23zの端部は当該ローラ51bに固定される。
また、テープ基材TP1が、ローラ51cに巻き取られるように、当該テープ基材TP1の端部は当該ローラ51bに固定される。テープ基材TP1は、ローラ54b,54cに接するように設定される。
以下においては、補填層23xの幅方向(Y軸方向)の中心を、「補填層中心」ともいう。また、以下においては、ダイシングフレームF1の幅方向(Y軸方向)の中心を、「フレーム中心」ともいう。また、以下においては、テープ基材TP1に設けられた補填層23xの補填層中心が、フレーム中心と一致した状態を、「中心一致状態」ともいう。
図8は、テープ制御工程Nのフローチャートである。テープ制御工程Nでは、まず、ステップS210の処理が行われる。
ステップS210では、テープ搬送工程が行われる。テープ搬送工程では、ロール20rから、ダイシングテープ20Nが引き出される。具体的には、ローラ51cがテープ基材TP1を巻き取るように、当該ローラ51cは回転する。なお、テープ基材TP1に設けられた補填層23xの補填層中心が、フレーム中心と一致するように、テープ基材TP1は巻き取られる。
また、ダイシングテープ20Nの引き出しに同期して、ローラ51bは回転する。なお、ダイシングテープ20Nの引き出しの量(移動量)は、補填層中心とフレーム中心とが一致した中心一致状態になるように、制御される。
これにより、剥離テープ22および端材23zはローラ54aを通過する際に、図4のように、テープ基材TP1から剥離されて、ローラ51bに巻き取られる。また、テープ基材TP1に設けられた補填層23xの補填層中心は、フレーム中心と一致する。そして、中心一致状態が維持された状態で、テープ基材TP1の粘着層61が、ダイシングフレームF1の表面に貼り付けられる。以下においては、テープ基材TP1の粘着層61が、ダイシングフレームF1の表面に貼り付けられた状態を、「テープ基材貼付状態」ともいう。
ステップS220では、カット工程Aが行われる。カット工程Aでは、中心一致状態が維持され、かつ、テープ基材貼付状態において、ダイシングフレームF1のテープ基材TP1が、円形にカットされる。これにより、図2で説明した、円盤状のテープ基材TP1が形成される。当該テープ基材TP1は、円盤状の基材21xと、円盤状の粘着層61xとから構成される。
なお、円盤状のテープ基材TP1の主面TP1aには補填層23xが設けられる。以上により、図2のダイシングテープ20が形成される。
次に、テープ基材TP1(ダイシングテープ20)が貼り付けられたダイシングフレームF1が、機械等により、ウエハ貼り付けエリアへ運ばれる。ウエハ貼り付けエリアには、図2に示す、ウエハマウンタMT1が設置されている。ウエハマウンタMT1は、既存の一般的なウエハマウンタである。
ウエハマウンタMT1は、マウントステージMST1と、ステージST2とを含む。マウントステージMST1には、ウエハ100が設置される。ステージST2は、ダイシングフレームF1が配置されるステージである。
ステップS230では、位置決め工程が行われる。位置決め工程では、テープ基材TP1の補填層23xが、XY面において、ウエハ100の凹部V1内に収まるように、ダイシングテープ20が貼り付けられたダイシングフレームF1が移動される。すなわち、ウエハ100に対する、ダイシングテープ20(補填層23x)の位置決めが行われる。なお、ダイシングテープ20の位置決めが行われた直後は、ダイシングテープ20(面23xa)とウエハ100(底面S1a)との間には、わずかな間隔が存在する。すなわち、ダイシングフレームF1とステージST2との間には、わずかな間隔が存在する。
ステップS240では、テープ貼付工程Aが行われる。テープ貼付工程Aは、補填層23xが凹部V1に埋め込まれるように、テープ基材TP1をウエハ100に貼り付ける工程である。
具体的には、テープ貼付工程Aでは、図2のように、補填層23xの面23xaが底面S1aに貼り付けられるように、ローラ55により、ダイシングテープ20を押圧しながら、当該ローラ55が移動する。これにより、テープ基材TP1の補填層23xが、凹部V1内に埋め込まれる。また、ダイシングテープ20がウエハ100に貼り付けられると同時に、補填層23xにより、ウエハ100の凹部V1が平坦化される。以上により、テープ貼付工程Aが終了する。
次に、ダイシング工程が行われる。ダイシング工程では、ダイシング装置が、電鋳ブレードにより、ウエハ100のダイシングストリートS1を切除することにより、ウエハ100が、半導体チップとして、各半導体装置11に分割される。当該電鋳ブレードは、例えば、ダイヤモンドで構成された砥粒を含む。
次に、粘着力変更工程が行われる。粘着力変更工程では、底面S1aと補填層23xとの結合力PW1aが、結合力PW1bおよび前述の結合力PW1cより小さくなるように、テープ基材TP1を介して、補填層23xに紫外線が照射される。当該結合力PW1bは、補填層23xとテープ基材TP1の主面TP1aとの結合力である。これにより、半導体チップとしての半導体装置11を、ダイシングテープ20(補填層23x)から容易に取り外すことが可能となる。
次に、ピックアップ工程が行われる。ピックアップ工程では、半導体装置11(半導体チップ)がダイシングテープ20から取り外される。
次に、ダイボンド工程が行われる。ダイボンド工程では、半導体装置11(半導体チップ)が、予め定められた領域Raに固定される。領域Raは、例えば、基板、フレーム等における所定の領域である。なお、ダイボンド工程は、一旦、半導体装置11がチップトレイへ収納されてから行われてもよい。
以上説明したように、本実施の形態によれば、ダイシングテープ20は、ウエハ100の凹部V1の底面S1aに貼り付けるための補填層23xを備える。補填層23xの形状は、当該補填層23xを凹部V1に埋め込むための円盤状である。また、補填層23xの厚さTH1は、凹部V1の深さd1と同じである。なお、ダイシングテープ20は、凹部V1を有するウエハ100のダイシングのために、当該ウエハ100に対して貼り付けられる。
これにより、補填層23xを凹部V1に埋め込むようにダイシングテープ20をウエハ100に貼り付けると同時に、当該補填層23xにより、凹部V1を平坦化することができる。すなわち、凹部を有するウエハの当該凹部を迅速に平坦化することができる。
また、補填層23xにより、ウエハ100の凹部V1を平坦化することができるので、既存のウエハマウンタを利用して、ウエハ100にダイシングテープを貼り付けることができる。また、リブ12を除去すること無く、凹部V1が平坦化されたウエハ100を、ダイシングすることができる。これにより、凹部V1を平坦化するための工程と、ダイシングテープを貼り付ける工程とを、1つの工程に統合することができる。その結果、ウエハ100の加工時間を削減することができ、凹部V1を平坦化するための装置、設備等も不要である。
また、凹部を有するウエハにダイシングテープを貼り付ける場合、通常、一般のウエハマウンタより高額な専用のウエハマウンタが必要となる。そこで、本実施の形態の構成によれば、既存の一般的なウエハマウンタにて、凹部を有するウエハにダイシングテープを貼り付けることができる。
また、本実施の形態によれば、リブの除去工程、凹部を充填するための工程等を追加する必要がない。また、本実施の形態によれば、既存のウエハマウンタであるウエハマウンタMT1が使用される。そのため、製造工程を別途追加することなく、製造コストを削減することができる。すなわち、工程やコストを増加させることなく、既存プロセスにより、ウエハ100に対しダイシングを行うことができる。
また、本実施の形態によれば、ダイシングテープ20を使用したダイシング工程の後、粘着力変更工程が行われる。粘着力変更工程では、底面S1aと補填層23xとの結合力PW1aが、補填層23xとテープ基材TP1の主面TP1aとの結合力PW1bおよび前述の結合力PW1cより小さくなるように、補填層23xに紫外線が照射される。
したがって、ダイシング時は、ダイシングテープ20により半導体装置11を強固に保持することができる。そして、粘着力変更工程により、結合力PW1aが結合力PW1bおよび結合力PW1cより小さくなるため、ピックアップ工程において、半導体装置11を、ダイシングテープ20(補填層23x)から容易に剥離する(取り外す)ことが可能となる。
また、本実施の形態によれば、円盤状の補填層23x以外の端材23zは、ダイシングテープに残した状態とされる。そして、テープ制御工程Nにより、当該ダイシングテープをウエハ100に貼り付ける直前に、端材23zは、剥離テープ22と共に剥離される。これにより、ダイシングテープの貼り付けが行われる前において、剥離テープ22により補填層23xを保護しつつ、ダイシングテープの厚さを均一とすることができる。その結果、ロール20rの形状を安定させ、安定したダイシングテープの供給を実現することができる。
なお、本実施の形態では、補填層23x全体が、粘着性を有する材料で構成されるとしたがこれに限定されない。例えば、補填層23xのうち、凹部V1の底面S1aに貼り付けられる部分のみ、粘着性を有する材料からなる構成(以下、「変形構成A」ともいう)としてもよい。以下においては、変形構成Aを適用した補填層23xを、「補填層23xA」ともいう。また、以下においては、補填層23xの代わりに補填層23xAを有するダイシングテープ20を、「ダイシングテープA」ともいう。
変形構成Aにおける補填層23xAは、補填層23xの面23xaに、図9に示される円盤状の粘着層62xが貼り付けられて構成される。粘着層62xは、粘着性を有する材料で構成される。具体的には、粘着層62xは、前述の補填層23xと同様、粘着力を変更自在な材料で構成される。粘着層62xは、例えば、UV硬化型の粘着材である。なお、補填層23xAのうち、粘着層62x以外の部分(補填層23x)は、粘着性を有さない。
粘着層62xは、以下のようにして形成される。まず、前述のテープ製造方法AのステップS110,S120が行われる。これにより、テープ基材TP1の主面TP1aに補填層23が積層される。次に、積層された補填層23に、粘着層62が積層される。
次に、円盤状の補填層23xと円盤状の粘着層62xとが形成されるように、補填層23xおよび粘着層62の一部を切除する。これにより、補填層23xおよび粘着層62には、円状の切除溝K2が形成される。以下においては、粘着層62のうち、粘着層62以外の部分を、「端材62z」ともいう。
そして、端材23zおよび端材62zが、前述の方法と同様に、テープ基材TP1から剥離されることにより、補填層23xAが生成される。補填層23xAは、凹部V1の底面S1aに貼り付けられる面62xaを有する。
以上の補填層23xAを有するダイシングテープAにおいても、ダイシングテープ20と同じ効果が得られる。すなわち、補填層23xAを凹部V1に埋め込むようにダイシングテープAをウエハ100に貼り付けると同時に、補填層23xAにより、ウエハ100の凹部V1を平坦化することができる。また、補填層23xA(粘着層62x)に紫外線を照射することにより、半導体装置11をダイシングテープAから容易に取り外すことができる。
なお、本実施の形態と、上記の変形構成Aとにおいて、補填層23x(粘着層62x)が、粘着力を変更自在な材料で構成されるとしたがこの構成に限定されない。
例えば、円盤状のテープ基材TP1(粘着層61x)と補填層23xとの結合力PW1bが、補填層23xと凹部V1の底面S1aとの結合力PW1aより予め大きいとした構成(以下、「変形構成B1」ともいう)としてもよい。
変形構成B1では、結合力PW1b,PW1cが、結合力PW1aより大きくなるように、補填層23xおよび粘着層61xが予め構成される。例えば、結合力PW1b,PW1cが、結合力PW1aより大きくなるように、粘着層61xの粘着力を、補填層23xの粘着力より予め大きくしておく。これにより、前述のテープ制御工程Nおよびダイシング工程の終了後、半導体装置11(半導体チップ)を、ダイシングテープ20から取り外すことができる。
また、変形構成AのダイシングテープAにおいて、例えば、円盤状のテープ基材TP1(粘着層61x)と前述の補填層23xAとの結合力が、補填層23xAと凹部V1の底面S1aとの結合力より大きくなるように構成(以下、「変形構成B2」ともいう)されてもよい。
変形構成B2では、補填層23xAに含まれる補填層23xは、粘着性を有さない。以下においては、凹部V1の底面S1aと粘着層62xとの結合力を、「結合力PW1d」ともいう。結合力PW1dは、粘着層62xの粘着力により、底面S1aと粘着層62xとが結合する力である。
変形構成B2では、結合力PW1b,PW1cが、結合力PW1dより大きくなるように、粘着層61xおよび粘着層62xが予め構成される。例えば、結合力PW1b,PW1cが、結合力PW1dより大きくなるように、粘着層61xの粘着力を、粘着層62xの粘着力より予め大きくしておく。これにより、変形構成B1と同様な効果が得られる。
なお、前述の背景技術で述べた、リブが形成されたウエハについては、前述の手法Aが考えられる。当該手法Aでは、ダイシング工程の妨げとなるリブの影響を無くすために、リブの除去が行われる。しかしながら、リブを除去する場合、リブの代わりに、ウエハの剛性を確保するためのダイシングテープを、当該ウエハの裏面に貼付ける必要がある。
手法Aでは、ダイシングテープをリブに沿って貼付けるためには、リブに追従しやすいダイシングテープ、凹凸へのダイシングテープの貼付け性を向上させたウエハマウンタが必要となる。また、手法Aでは、リブを除去する装置が必要であり、かつ、リブを除去する工程も別途追加する必要があるため、プロセス導入時のコストが高価であるという問題点がある。
そこで、本実施の形態に係るダイシングテープは、上記のように構成されるため、上記の問題点を解決することができる。
<実施の形態2>
実施の形態1では、ダイシングテープ20NをダイシングフレームF1に貼り付けた後に、当該ダイシングテープ20Nをカットしていた。本実施の形態では、ダイシングテープをダイシングフレームに貼り付ける前に、当該ダイシングテープをカットしておくタイプのプリカットテープにおいても適用可能である。
図10は、本発明の実施の形態2に係るダイシングテープ20の構成を示す断面図である。なお、図10では、ダイシングテープ20以外の後述する構成も示される。以下においては、実施の形態2に係るダイシングテープ20を、「ダイシングテープB」ともいう。
ダイシングテープB(ダイシングテープ20)は、詳細は後述するが、図11に示す、長尺状のダイシングテープ20Naの一部である。図11は、ダイシングテープ20Naの一部の構成を示す図である。ダイシングテープ20Naの形状は、帯状(長尺状)である。
なお、ダイシングテープ20Naは、図12に示す、ロール20raとして提供される。当該ロール20raは、ダイシングテープ20Naがロール状に巻かれて構成される。図12は、ロール20raから、ダイシングテープ20Naの一部を引き出した状態を示す。図12は、ダイシングテープ20Naの構成を分かり易くするために、後述の端材TP1zが剥離された状態を示す。ダイシングテープB(ダイシングテープ20)は、詳細は後述するが、図12に示されるダイシングテープ20Naのうち領域R3内に設けられる。
ダイシングテープB(ダイシングテープ20)は、詳細は後述するが、ウエハ100のダイシングのために、当該ウエハ100に対して貼り付けられるテープである。
図10および図12を参照して、実施の形態2に係るダイシングテープ20は、実施の形態1のダイシングテープ20と、同じ構成および機能を有するので詳細な説明は繰り返さない。以下、簡単に説明する。ダイシングテープ20は、テープ基材TP1と、補填層23xとを備える。テープ基材TP1の形状は、円盤状である。
図10および図12を参照して、テープ基材TP1は、主面TP1aを有する。主面TP1aには補填層23xが設けられる。テープ基材TP1は、基材21xと、粘着層61xとから構成される。
補填層23xは、実施の形態1のテープ基材TP1に設けられる補填層23xと同じ構成および機能を有するので詳細な説明は繰り返さない。以下、補填層23xについて、簡単に説明する。補填層23xの厚さTH1は、凹部V1の深さd1と同じである。補填層23xは、凹部V1の底面S1aに貼り付けられる面23xaを有する。補填層23x全体は、粘着性を有する材料で構成される。また、補填層23xは、粘着力を変更自在な材料で構成される。
次に、ダイシングテープ20(ダイシングテープB)を含むダイシングテープ20Naの製造工程(以下、「テープ製造方法A2」ともいう)について説明する。図13は、テープ製造方法A2を説明するための図である。図14は、テープ製造方法A2のフローチャートである。テープ製造方法A2では、まず、ステップS310の処理が行われる。
ステップS310では、積層工程NAが行われる。積層工程NAでは、図13(a)のように、剥離テープ22上に、補填層23が設けられる。
ステップS320では、カット工程Nが行われる。カット工程Nは、補填層23の一部を切除することにより、前述の補填層23xを形成する工程である。カット工程Nは、図6のステップS130のカット工程Nと同様なので詳細な説明は繰り返さない。以下、簡単に説明する。
カット工程Nでは、後述の工程により剥離テープ22が破損しない程度に、補填層23xが端材23zから完全に切り離されるように、補填層23の一部が切除される。例えば、カット工程Nでは、剥離テープ22の表面部まで、切除溝K1が形成されるように、補填層23の切除が行われる。
ステップS330では、剥離工程が行われる。剥離工程では、端材23zが、剥離テープ22から剥離される。これにより、図13(b)のように、複数の円盤状の補填層23xが、剥離テープ22上に等間隔に配置される。
ステップS340では、積層工程NBが行われる。積層工程NBでは、図13(b)に示される、補填層23xおよび剥離テープ22上に、シート状のテープ基材TP1が積層される。当該テープ基材TP1は、前述のように、基材21の表面に粘着層61が設けられたものである。
具体的には、図11のように、積層工程NBでは、粘着層61が、補填層23xおよび剥離テープ22上に積層されるように、シート状のテープ基材TP1が積層される。積層工程NBにより、補填層23xは、シート状のテープ基材TP1と剥離テープ22とに挟まれた状態となる。
ステップS350では、カット工程NAが行われる。カット工程NAでは、図12の円盤状のテープ基材TP1が形成されるように、シート状のテープ基材TP1が円形にカットされる。前述したように、円盤状のテープ基材TP1は、円盤状の基材21xと、円盤状の粘着層61xとから構成される。すなわち、カット工程NAでは、シート状の基材21および粘着層61が円形にカットされる。
これにより、補填層23には、円状の切除溝K3が形成される。以下においては、シート状のテープ基材TP1のうち、円盤状のテープ基材TP1以外の部分を、「端材TP1z」ともいう。端材TP1zの一部は、例えば、図12に示される。また、以下においては、基材21のうち、基材21x以外の部分を、「端材21z」ともいう。端材21zは、端材TP1zに含まれる。
なお、カット工程NAでは、後述の工程によりダイシングテープ20Naが破損しない程度に、円盤状のテープ基材TP1が端材TP1zから完全に切り離されるように、シート状のテープ基材TP1の一部が切除される。例えば、カット工程NAでは、剥離テープ22の表面部まで、切除溝K3が形成されるように、補填層23の切除が行われる。
以上により、前述のダイシングテープ20(ダイシングテープB)を含むダイシングテープ20Naが製造される。すなわち、テープ基材TP1の主面TP1aに補填層23xが形成されたダイシングテープ20(ダイシングテープB)が製造される。つまり、カット工程NAは、補填層23xを、テープ基材TP1の主面TP1aに形成する工程である。なお、ダイシングテープ20(ダイシングテープB)は、図12のように、剥離テープ22上に形成される。なお、剥離テープ22は、補填層23xの面23xaに接する。すなわち、ダイシングテープ20(ダイシングテープB)の補填層23xの面23xaには、当該面23xaを保護するための剥離テープ22が剥離自在に設けられる。
次に、ダイシングテープ20Naがロール状に巻かれて構成されるロール20raを使用して、ダイシングテープ20(ダイシングテープB)を、ウエハ100に貼り付けるための工程(以下、「テープ貼付工程NA」ともいう)について説明する。ロール20raは、詳細は後述するが、図15の貼付装置300Aに取り付けられる。
図15を参照して、貼付装置300Aは、図7のテープ搬送装置300と比較して、台ST10の代わりにウエハマウンタMT1Aを含む点と、ローラ54b,54cの代わりにローラ55を含む点と、ピールプレート71をさらに含む点とが異なる。貼付装置300Aのそれ以外の構成は、テープ搬送装置300と同様なので詳細な説明は繰り返さない。
ウエハマウンタMT1Aは、プリカットテープに対応する、既存のウエハマウンタである。すなわち、ダイシングテープ20(ダイシングテープB)は、既存のウエハマウンタであるウエハマウンタMT1Aで使用可能である。なお、図15では、図の簡略化のため、ステージST3の形状を簡略化して示し、後述のマウントステージMST1を示していない。
図10に示すように、ウエハマウンタMT1Aは、ステージST3と、ダイシングフレームF1と、マウントステージMST1とを含む。
ステージST3は、マウントステージMST1を収容する。マウントステージMST1には、ウエハ100が設置される。ステージST3の端部には、ダイシングフレームF1が配置される。ダイシングフレームF1の内部の領域に、ウエハ100は配置される。すなわち、ウエハ100は予め位置決めされている。
再び、図15を参照して、ピールプレート71の形状は、三角状である。ピールプレート71は、鋭角部71aを有する。鋭角部71aは、詳細は後述するが、剥離テープ22の剥離に使用される。ピールプレート71は、剥離テープ22からダイシングテープ20が剥離されるように設けられる。具体的には、図16のように、鋭角部71aにより剥離テープ22が鋭角に折り曲がるように、当該鋭角部71aは、剥離テープ22の一部に接する。
なお、テープ貼付工程NAが行われる前に、ロール20raがローラ51aに取り付けられる。また、ロール20raから、ダイシングテープ20Naの端部が引き出される。そして、ダイシングテープ20Naの端部のうち、端材TP1zの端部が、例えば、図12のように、剥離テープ22から剥離される。当該端材TP1zが、ローラ54aを介して、ローラ51bに巻き取られるように、当該端材TP1zの端部は当該ローラ51bに固定される。また、剥離テープ22が、ローラ51cに巻き取られるように、剥離テープ22の端部は当該ローラ51cに固定される。
図15および図16を参照して、テープ貼付工程NAでは、ロール20raから、ダイシングテープ20Naが引き出される。具体的には、ローラ51cが剥離テープ22を巻き取るように、当該ローラ51cは回転する。なお、ダイシングテープ20Naの引き出し、すなわち、剥離テープ22の巻き取りと同期して、ローラ51bは回転する。これにより、図12のように、端材TP1zは、ローラ54aを通過する際、ダイシングテープ20Naから剥離されて、ローラ51bに巻き取られる。
また、ローラ51cの回転に伴い、ダイシングテープ20が形成された剥離テープ22は移動する。剥離テープ22の移動により、当該剥離テープ22がピールプレート71の鋭角部71aで鋭角に折り曲がる際に、ダイシングテープ20は、剥離テープ22から剥離される。剥離テープ22から剥離されるダイシングテープ20の移動に同期するように、マウントステージMST1は移動する。これにより、ダイシングテープ20、ダイシングフレームF1およびウエハ100の位置決めが行われる。
次に、補填層23xが凹部V1に埋め込まれるように、テープ基材TP1がウエハ100に貼り付けられる。具体的には、図10のように、ローラ55により、ダイシングテープ20が、ダイシングフレームF1およびウエハ100に押し付けられるように、ローラ55が移動する。すなわち、補填層23xの面23xaが底面S1aに貼り付けられるように、ローラ55により、ダイシングテープ20を押圧しながら、当該ローラ55が移動する。
これにより、テープ基材TP1の補填層23xが、凹部V1内に埋め込まれる。また、ダイシングテープ20がウエハ100に貼り付けられると同時に、補填層23xにより、ウエハ100の凹部V1が平坦化される。以上により、テープ貼付工程NAが終了する。
その後、実施の形態1と同様に、ダイシング工程、粘着力変更工程、ピックアップ工程、ダイボンド工程が行われる。
以上説明したように、本実施の形態におけるダイシングテープ20(ダイシングテープB)においても、実施の形態1と同様な効果が得られる。すなわち、凹部を有するウエハの当該凹部を迅速に平坦化することができる。
なお、ダイシングテープ20(ダイシングテープB)における補填層23xに対しても、前述の変形構成Aを適用してもよい。また、ダイシングテープBに対し、前述の変形構成B1を適用してもよい。また、ダイシングテープBに対し、前述の変形構成B2を適用してもよい。
なお、本実施の形態では、ダイシングテープ20を、ウエハマウンタMT1Aに設置されたダイシングフレームF1に貼り付ける直前に、ダイシングテープ20Naから端材TP1zを剥離する構成としたがこれに限定されない。ダイシングテープ20Naから端材TP1zを予め剥離しておいてもよい。すなわち、端材TP1zが剥離されたダイシングテープ20Naにより構成されるロール20raが、貼付装置300Aに使用されてもよい。
<実施の形態3>
本実施の形態では、実施の形態1または実施の形態2における補填層23xを構成する材料として、貼付材24を使用する。当該貼付材24は、ウエハ100に対するダイシング(ダイシング工程)により半導体チップとなる半導体装置11を予め定められた領域に固定するための材料である。すなわち、貼付材24は、ダイボンド工程において、半導体装置11と、実装対象物との接合に使用可能な材料である。
貼付材24は、例えば、ダイアタッチフィルムである。当該ダイアタッチフィルムは、一例として、加熱されることにより粘着性を生じるフィルムであるとする。
なお、貼付材は、ダイアタッチフィルムに限定されない。貼付材24は、シート状に加工可能であり、かつ、ウエハマウンタ内において、ウエハに対し仮付け可能な材料であれば、ダイアタッチフィルム以外の材料であってもよい。以下においては、貼付材24により構成される補填層23xを、「補填層23xB」ともいう。
図17は、本発明の実施の形態3に係るダイシングテープ20Dの構成を示す断面図である。なお、図17では、ダイシングテープ20D以外の構成も示される。図17を参照して、ダイシングテープ20Dは、図10のダイシングテープ20と比較して、補填層23xの代わりに補填層23xBを備える点が異なる。ダイシングテープ20Dのそれ以外の構成は、ダイシングテープ20と同様なので詳細な説明は繰り返さない。すなわち、円盤状のテープ基材TP1の主面TP1aには補填層23xBが設けられる。
補填層23xBは、前述の貼付材24で構成される。補填層23xBのサイズおよび形状は、実施の形態1の補填層23と同じである。補填層23xBは、加熱されることにより粘着性を生じるとする。なお、補填層23xBは、初期状態では、粘着性を有さない。すなわち、補填層23xBは、粘着力を変更自在な材料で構成される。
補填層23xBは、面23xBaを有する。面23xBaは、補填層23xBのうち、凹部V1の底面S1aに貼り付けられる面である。
以下においては、ダイシングテープ20の代わりにダイシングテープ20Dを含むダイシングテープ20Nを、「ダイシングテープ20DN」ともいう。ダイシングテープ20DNは、当該ダイシングテープ20DNがロール状に巻かれて構成されるロール20rDとして使用される。なお、ダイシングテープ20Dは、ダイシングテープ20と同様に、テープ製造方法Aにより製造される。
次に、ダイシングテープ20Dを、ウエハ100に貼り付けるための工程(以下、「テープ貼付工程ND」ともいう)について説明する。まず、ロール20rDを使用して、図8のステップS210,S220と同様な処理が行われる。これにより、ダイシングテープ20Dが形成される。ダイシングテープ20Dに対しては、図17のウエハマウンタMT1Dが使用される。
ウエハマウンタMT1Dは、図2のウエハマウンタMT1と比較して、マウントステージMST1の代わりにマウントステージMST1Hを含む点が異なる。ウエハマウンタMT1Dのそれ以外の構成は、ウエハマウンタMT1と同様なので詳細な説明は繰り返さない。
マウントステージMST1Hは、マウントステージMST1と比較して、ヒーターHT1をさらに含む点が異なる。マウントステージMST1Hのそれ以外の構成は、マウントステージMST1と同様なので詳細な説明は繰り返さない。ヒーターHT1は、図示しない構成要素からの制御に従って熱を発する。ヒーターHT1の形状は、パネル状(板状)である。
なお、マウントステージMST1Hには、図18のように、棒状の複数のヒーターHT1が設けられてもよい。
テープ貼付工程NDでは、補填層23xBが凹部V1に埋め込まれるように、テープ基材TP1がウエハ100に貼り付けられる。
また、テープ基材TP1の貼付けと同時に、ヒーターHT1は、補填層23xB(貼付材24)が粘着性を有するように、当該補填層23xBを加熱する。これにより、補填層23xB全体は、粘着性を有する。すなわち、面23xBaは、粘着性を有する。また、ヒーターHT1による加熱と同時に、補填層23xBの面23xBaが底面S1aに貼り付けられるように、ローラ55により、ダイシングテープ20Dを押圧しながら、当該ローラ55が移動する。
本実施の形態においても、実施の形態1と同様に、ダイシングテープ20Dがウエハ100に貼り付けられると同時に、補填層23xBにより、ウエハ100の凹部V1が平坦化される。
そして、実施の形態1と同様に、ダイシング工程が行われる。当該ダイシング工程により、半導体装置11(半導体チップ)が形成される。そして、実施の形態1と同様に、ピックアップ工程、ダイボンド工程が行われる。
以下においては、加熱されることにより、粘着性を有した補填層23xBを、「粘着性補填層」ともいう。また、粘着性補填層は、当該貼付材24が加熱されることにより、粘着性を有した貼付材24から構成される。以下においては、加熱されることにより、粘着性を有した貼付材24を、「貼付材24Z」ともいう。
また、以下においては、凹部V1の底面S1aと、貼付材24Zとの結合力を、「結合力PW2a」ともいう。結合力PW2aは、底面S1aと粘着補填層(補填層23xB)との結合力である。結合力PW2aは、貼付材24Zの粘着力により、底面S1aと貼付材24Z(補填層23xB)とが結合する力である。
また、以下においては、粘着層61xと貼付材24Zとの結合力を、「結合力PW2b」ともいう。すなわち、結合力PW2bは、テープ基材TP1と貼付材24(粘着補填層)との結合力である。結合力PW2bは、粘着層61xの粘着力と貼付材24Zの粘着力とにより、粘着層61xと貼付材24Zとが結合する力である。
本実施の形態では、結合力PW2aは、結合力PW2bより大きい。すなわち、結合力PW2bは、結合力PW2aより小さい。なお、結合力PW2bは、前述の結合力PW1cより小さい。前述したように、結合力PW1cは、粘着層61xと基材21xとの結合力である。具体的には、結合力PW2bが結合力PW2aより小さくなるように、粘着層61xの粘着力を、貼付材24Zの粘着力より予め小さくしておく。
これにより、ピックアップ工程において、貼付材24Z(補填層23xB)が貼り付いた半導体装置11(半導体チップ)を、テープ基材TP1から剥離することができる。すなわち、半導体装置11(半導体チップ)は、貼付材24Zとともに、テープ基材TP1から剥離される。そのため、ダイボンド工程において、半導体装置11(半導体チップ)に、別途、粘着材等を使用せずに、当該半導体装置11を、貼付材24Zにより、予め定められた領域Raに固定することができる。
以上説明したように、本実施の形態におけるダイシングテープ20Dにおいても、実施の形態1と同様な効果が得られる。すなわち、凹部を有するウエハの当該凹部を迅速に平坦化することができる。
また、本実施の形態では、補填層23xBを、ダイボンド工程でチップを接合する際に使用する貼付材24で構成する。そして、テープ貼付工程NDにより、補填層23xBが凹部V1に埋め込まれるように、テープ基材TP1がウエハ100に貼り付けられる。すなわち、貼付材24が凹部V1に埋め込まれる。
これにより、ウエハ100の凹部V1を平坦化すると同時に、ダイボンド工程で使用される貼付材24を供給することができる。そのため、貼付材24の供給工程を削減することが可能となる。すなわち、ウエハ100の凹部V1を平坦化するために、別途、部材を追加することなく、ダイボンド工程における貼付材の供給する処理を削減することができる。
また、本実施の形態では、凹部V1の底面S1aと粘着補填層(補填層23xB)との結合力結合力PW2aが、粘着層61xと貼付材24Zとの結合力PW2bより大きくなるように構成される。これにより、半導体装置11(半導体チップ)と貼付材24Zとを一体化して、テープ基材TP1から容易に剥離することができる。
なお、貼付材24は、加熱されることにより粘着性を生じるとしたがこれに限定されない。貼付材24は、加熱以外の方法により、粘着性を生じる部材であってもよい。
また、本実施の形態のダイシングテープ20Dに、実施の形態2を適用した構成(以下、「変形構成C」ともいう)としてもよい。
変形構成Cでは、テープ貼付工程NDCが行われる。テープ貼付工程NDCでは、実施の形態2のテープ貼付工程NAと比較して、図10のウエハマウンタMT1Aの代わりに図19のウエハマウンタMT1Eが使用される点と、ダイシングテープ20の代わりにダイシングテープ20Dが使用される点が異なる。テープ貼付工程NDCのそれ以外の処理は、テープ貼付工程NAと同様なので詳細な説明は繰り返さない。
ウエハマウンタMT1Eは、図10のウエハマウンタMT1Aと比較して、マウントステージMST1の代わりにマウントステージMST1Hを含む点が異なる。ウエハマウンタMT1Eのそれ以外の構成は、ウエハマウンタMT1Aと同様なので詳細な説明は繰り返さない。マウントステージMST1Hの構成および機能は前述したので、詳細な説明は繰り返さない。なお、マウントステージMST1Hには、図20のように、棒状の複数のヒーターHT1が設けられてもよい。
以下、テープ貼付工程NDCについて簡単に説明する。テープ貼付工程NDCでは、テープ貼付工程NAと同様な方法により、補填層23xBが凹部V1に埋め込まれるように、テープ基材TP1がウエハ100に貼り付けられる。
また、テープ基材TP1の貼付けと同時に、ヒーターHT1は、補填層23xB(貼付材24)が粘着性を有するように、当該補填層23xBを加熱する。これにより、補填層23xB全体は、粘着性を有する。すなわち、面23xBaは、粘着性を有する。また、ヒーターHT1による加熱と同時に、補填層23xの面23xBaが底面S1aに貼り付けられるように、ローラ55により、ダイシングテープ20Dを押圧しながら、当該ローラ55が移動する。
また、本実施の形態では、予め、結合力PW2aが、結合力PW2bより大きい構成としたがこれに限定されない。すなわち、予め、結合力PW2bが、結合力PW2aより小さい構成としたがこれに限定されない。例えば、ダイシング工程の直後に、結合力PW2bが、結合力PW2aより小さくされる構成(以下、「変形構成D」ともいう)としてもよい。
変形構成Dでは、粘着層61xが、粘着力を変更自在な材料で構成される。粘着層61xは、例えば、紫外線が照射されることにより、当該粘着層61xが硬化するとともに、粘着力が低下するUV硬化型の粘着材である。なお、粘着層61xの一部は、テープ基材TP1の主面TP1aである。すなわち、テープ基材TP1の主面TP1aは、テープ基材TP1(粘着層61x)と貼付材24Zとの結合力PW2bが、凹部V1の底面S1aと貼付材24Zとの結合力PW2aより小さくなるように、粘着力を変更自在な材料で構成される。
これにより、ダイシング工程が行われた後、結合力PW2bが、結合力PW2aより小さくなるように、粘着層61xに紫外線が照射される。これにより、ピックアップ工程において、半導体装置11(半導体チップ)は、貼付材24Zとともに、テープ基材TP1から剥離される。
<実施の形態4>
ウエハ100の凹部V1の深さd1が大きい場合、貼付材24の使用量が過多となる。そこで、本実施の形態では、貼付材24の使用量を減らす構成を有するダイシングテープ20Eについて説明する。
図21は、本発明の実施の形態4に係るダイシングテープ20Eの構成を示す断面図である。なお、図21では、ダイシングテープ20E以外の構成も示される。図21を参照して、ダイシングテープ20Eは、図17のダイシングテープ20Dと比較して、補填層23xBの代わりに補填層23xEを備える点が異なる。ダイシングテープ20Eのそれ以外の構成は、ダイシングテープ20Dと同様なので詳細な説明は繰り返さない。すなわち、円盤状のテープ基材TP1の主面TP1aには補填層23xEが設けられる。
補填層23xEのサイズおよび形状は、実施の形態1の補填層23と同じである。補填層23xEは、面23xEaを有する。面23xEaは、補填層23xEのうち、凹部V1の底面S1aに貼り付けられる面である。補填層23xEは、前述の貼付材24と、中間層25とから構成される。貼付材24および中間層25の形状は、円盤状である。
中間層25は、補填層23xEの厚みを調整するための層である。具体的には、補填層23xEの厚さが、凹部V1の深さd1と同じになるように、中間層25の厚みは設定される。中間層25は、テープ基材TP1の主面TP1aに設けられる。中間層25は、テープ基材TP1および貼付材24に接するように、テープ基材TP1と貼付材24との間に設けられる。また、中間層25は、粘着性を有する。中間層25は、一層で構成される。なお、中間層25は、複数の層で構成されてもよい。
貼付材24は、中間層25の主面に設けられる。すなわち、貼付材24の一方の面は、補填層23xEの面23xEaである。
次に、ダイシングテープ20Eの製造方法について説明する。まず、実施の形態1と同様に、ステップS110が行われる。これにより、テープ基材TP1が形成される。
次に、テープ基材TP1上に、シート状の中間層25が積層される。次に、中間層25上に、シート状の貼付材24が積層される。そして、図21で説明した、円盤状の貼付材24および中間層25が形成されるように、シート状の貼付材24および中間層25の一部が切除される。これにより、円盤状の貼付材24および中間層25が形成される。次に、シート状の貼付材24上に剥離テープ22が貼り付けられる。
以上により、ダイシングテープ20Eを含むダイシングテープ20Nbが製造される。すなわち、ダイシングテープ20Eが製造される。
以下においては、シート状の貼付材24および中間層25のうち、円盤状の補填層23xE以外の部分を、「端材23Ez」ともいう。図22は、端材23Ezの端部を、テープ基材TP1から剥離した状態を示す図である。なお、ダイシングテープ20Nbは、ロール状に巻かれて、ロール20rEとして使用される。
なお、ダイシングテープ20Eは、実施の形態2における処理においても適用可能である。
次に、ダイシングテープ20Eを、ウエハ100に貼り付けるための工程(以下、「テープ貼付工程NE」ともいう)について説明する。まず、ロール20rEを使用して、図8のステップS210,S220と同様な処理が行われる。これにより、ダイシングテープ20Eが形成される。ダイシングテープ20Eに対しては、図21のウエハマウンタMT1Dが使用される。
テープ貼付工程NEでは、補填層23xEが凹部V1に埋め込まれるように、テープ基材TP1がウエハ100に貼り付けられる。
また、テープ基材TP1の貼付けと同時に、ヒーターHT1は、貼付材24が粘着性を有するように、当該貼付材24を加熱する。これにより、貼付材24は、粘着性を有する。すなわち、面23xEaは、粘着性を有する。また、ヒーターHT1による加熱と同時に、補填層23xEの面23xEaが底面S1aに貼り付けられるように、ローラ55により、ダイシングテープ20Eを押圧しながら、当該ローラ55が移動する。
本実施の形態においても、実施の形態1と同様に、ダイシングテープ20Eがウエハ100に貼り付けられると同時に、補填層23xEにより、ウエハ100の凹部V1が平坦化される。
そして、実施の形態1と同様に、ダイシング工程が行われる。当該ダイシング工程により、半導体装置11(半導体チップ)が形成される。そして、実施の形態1と同様に、ピックアップ工程、ダイボンド工程が行われる。
前述したように、加熱されることにより、粘着性を有した貼付材24は、貼付材24Zである。また、前述したように、凹部V1の底面S1aと貼付材24Zとの結合力は、結合力PW2aである。
以下においては、中間層25と貼付材24Zとの結合力を、「結合力PW3b」ともいう。結合力PW3bは、中間層25の粘着力と、貼付材24Zの粘着力とにより、中間層25と貼付材24Zとが結合する力である。また、以下においては、中間層25と粘着層61xとの結合力を、「結合力PW3c」ともいう。結合力PW3cは、中間層25の粘着力と、粘着層61xの粘着力とにより、中間層25と粘着層61xとが結合する力である。
本実施の形態では、結合力PW2aは、結合力PW3bより大きい。すなわち、結合力PW3bは、結合力PW2aより小さい。なお、結合力PW3bは、結合力PW3cおよび前述の結合力PW1cより小さい。結合力PW1cは、前述したように、粘着層61xと基材21xとの結合力である。
具体的には、結合力PW3bが結合力PW2aより小さくなるように、中間層25の粘着力を、貼付材24Zの粘着力をより予め小さくしておく。
これにより、ピックアップ工程において、貼付材24Z(補填層23xB)が貼り付いた半導体装置11(半導体チップ)を、中間層25から剥離することができる。すなわち、半導体装置11(半導体チップ)は、貼付材24Zとともに、中間層25から剥離される。そのため、ダイボンド工程において、半導体装置11(半導体チップ)に、別途、粘着材等を使用せずに、当該半導体装置11を、貼付材24Zにより、予め定められた領域Raに固定することができる。
以上説明したように、本実施の形態におけるダイシングテープ20Eにおいても、実施の形態1と同様な効果が得られる。すなわち、凹部を有するウエハの当該凹部を迅速に平坦化することができる。
また、本実施の形態では、補填層23xEの厚みを調整するための中間層25を設ける。そのため、中間層25の厚みを調整することにより、補填層23xEの厚みを、機能的に必要な厚みに最適化できる。例えば、特性、費用等の事情により、貼付材24の厚みを、凹部V1を平坦化するための厚みにできない場合においても、中間層25の厚みの調整により、凹部V1を平坦化することができる。
また、中間層25を設けることにより、貼付材24の使用量を削減することができる。また、補填層の一部を、貼付材24で置き換えるため、廃棄する部材を削減することができる。したがって、製造コストを削減することができる。
以下においては、ダイシングテープ20Eのように、貼付材24と中間層25とにより補填層が形成される構成を、「変形構成E」ともいう。変形構成Eは、実施の形態1,2のダイシングテープ20に対して適用されてもよい。
また、本実施の形態では、予め、結合力PW3bが、結合力PW2aより小さい構成としたがこれに限定されない。例えば、ダイシング工程の直後に、結合力PW3bが、結合力PW2aより小さくされる構成(以下、「変形構成F」ともいう)としてもよい。
変形構成Fでは、中間層25が、粘着力を変更自在な材料で構成される。中間層25は、例えば、紫外線が照射されることにより、当該中間層25が硬化するとともに、粘着力が低下するUV硬化型の粘着材である。すなわち、中間層25は、当該中間層25と貼付材24Zとの結合力PW3bが、凹部の底面S1aと貼付材24Zとの結合力PW2aより小さくなるように、粘着力を変更自在な材料で構成される。
これにより、ダイシング時は、ダイシングテープ20Eにより半導体装置11を強固に保持することができる。そして、ダイシング工程が行われた後、結合力PW3bが、結合力PW2aより小さくなるように、中間層25に紫外線が照射される。これにより、ピックアップ工程において、半導体装置11(半導体チップ)と貼付材24Zとを一体化して、中間層25から容易に剥離することができる。
また、必要に応じて、中間層25と貼付材24との間に粘着層を設ける構成(以下、「変形構成G」ともいう)としてもよい。以下においては、中間層25と貼付材24との間に設けられた粘着層を、「粘着層C」ともいう。変形構成Gでは、粘着層Cは、粘着性を有する。そのため、中間層25は粘着性を有さないとしてもよい。
変形構成Gでは、ダイシング工程が行われた後、貼付材24と粘着層Cとが剥離可能なように、粘着層Cの粘着力は設定される。なお、粘着層Cは、貼付材24と粘着層Cとが剥離可能なように、粘着力を変更自在な材料で構成されてもよい。
なお、本発明は、その発明の範囲内において、各実施の形態を自由に組み合わせたり、各実施の形態を適宜、変形、省略することが可能である。
例えば、実施の形態3,4における貼付材24は、導電性を有する構成(以下、「変形構成H」ともいう)としてもよい。変形構成Hでは、貼付材24は、当該貼付材24内に導電材を分散させて構成される。当該導電材は、例えば、銀、カーボンナノチューブ等である。なお、貼付材24は、導電性ダイアタッチフィルム等で構成されてもよい。
これにより、半導体装置11(半導体チップ)の裏面に、別途、電気的なコンタクトを設ける必要なく、貼付材24を、電気的なコンタクトとして使用することができる。以上により、変形構成Hは、半導体装置11(半導体チップ)の裏面に、電気的なコンタクトを必要とするデバイスにも適用することが可能である。
11 半導体装置、20,20D,20E,20N,20Na,20Nb ダイシングテープ、21,21x 基材、22 剥離テープ、23,23x,23xA,23xB,23xE 補填層、24,24Z 貼付材、25 中間層、61,61x,62,62x 粘着層、100 ウエハ、TP1 テープ基材、V1 凹部。

Claims (12)

  1. 円盤状の凹部を有するウエハのダイシングのために、当該ウエハに対して貼り付けられるダイシングテープであって、
    テープ基材と、
    前記テープ基材の主面に設けられた、前記凹部の底面に貼り付けるための補填層と、を備え、
    前記補填層の形状は、当該補填層を前記凹部に埋め込むための円盤状であり、
    前記補填層の厚さは、前記凹部の深さと同じであり、
    前記補填層のうち、前記凹部の底面に貼り付けられる面は、粘着性を有する
    ダイシングテープ。
  2. 前記補填層のうち、前記底面に貼り付けられる面には、当該面を保護するための剥離テープが剥離自在に設けられる
    請求項1に記載のダイシングテープ。
  3. 前記補填層は、前記凹部の底面と補填層との結合力が、当該補填層と前記テープ基材の主面との結合力より小さくなるように、粘着力を変更自在な材料で構成される
    請求項1または2に記載のダイシングテープ。
  4. 前記ウエハには、半導体装置が形成されており、
    前記補填層は、前記ダイシングにより半導体チップとなる前記半導体装置を予め定められた領域に固定するための貼付材により構成される
    請求項1または2に記載のダイシングテープ。
  5. 前記凹部の底面と前記貼付材との結合力は、前記テープ基材と当該貼付材との結合力より大きい
    請求項4に記載のダイシングテープ。
  6. 前記テープ基材の前記主面は、当該テープ基材と前記貼付材との結合力が、前記凹部の底面と当該貼付材との結合力より小さくなるように、粘着力を変更自在な材料で構成される
    請求項4に記載のダイシングテープ。
  7. 前記ウエハには、半導体装置が形成されており、
    前記補填層は、前記ダイシングにより半導体チップとなる前記半導体装置を予め定められた領域に固定するための貼付材と、当該補填層の厚みを調整するための中間層とから構成される
    請求項1または2に記載のダイシングテープ。
  8. 前記中間層は、前記テープ基材および前記貼付材に接するように、当該テープ基材と当該貼付材との間に設けられる
    請求項7に記載のダイシングテープ。
  9. 前記凹部の底面と前記貼付材との結合力は、前記中間層と当該貼付材との結合力より大きい
    請求項8に記載のダイシングテープ。
  10. 前記中間層は、当該中間層と前記貼付材との結合力が、前記凹部の底面と当該貼付材との結合力より小さくなるように、粘着力を変更自在な材料で構成される
    請求項8に記載のダイシングテープ。
  11. 前記貼付材は、導電性を有する
    請求項4から10のいずれか1項に記載のダイシングテープ。
  12. 円盤状の凹部を有するウエハのダイシングのために、当該ウエハに対して貼り付けられるダイシングテープの製造方法であって、
    前記凹部の底面に貼り付けるための補填層をテープ基材の主面に形成する工程を含み、
    前記補填層の形状は、当該補填層を前記凹部に埋め込むための円盤状であり、
    前記補填層の厚さは、前記凹部の深さと同じであり、
    前記補填層のうち、前記凹部の底面に貼り付けられる面は、粘着性を有する
    ダイシングテープの製造方法。
JP2014140291A 2014-07-08 2014-07-08 ダイシングテープおよびその製造方法 Pending JP2016018877A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014140291A JP2016018877A (ja) 2014-07-08 2014-07-08 ダイシングテープおよびその製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014140291A JP2016018877A (ja) 2014-07-08 2014-07-08 ダイシングテープおよびその製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2016018877A true JP2016018877A (ja) 2016-02-01

Family

ID=55233903

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2014140291A Pending JP2016018877A (ja) 2014-07-08 2014-07-08 ダイシングテープおよびその製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2016018877A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10797026B2 (en) 2016-02-25 2020-10-06 Osram Oled Gmbh Video wall module and method of producing a video wall module
WO2020241407A1 (ja) * 2019-05-24 2020-12-03 リンテック株式会社 支持シート付フィルム状焼成材料、ロール体、積層体及び装置の製造方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10797026B2 (en) 2016-02-25 2020-10-06 Osram Oled Gmbh Video wall module and method of producing a video wall module
WO2020241407A1 (ja) * 2019-05-24 2020-12-03 リンテック株式会社 支持シート付フィルム状焼成材料、ロール体、積層体及び装置の製造方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9006085B2 (en) Adhesive and protective member used in a wafer processing method
JP2013008915A (ja) 基板加工方法及び基板加工装置
JP2004047823A (ja) ダイシングテープ貼付装置およびバックグラインド・ダイシングテープ貼付システム
JP2004349649A (ja) ウエハーの薄加工方法
TW200411755A (en) Method of processing a semiconductor wafer
US10186447B2 (en) Method for bonding thin semiconductor chips to a substrate
JP4462940B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JP2016018877A (ja) ダイシングテープおよびその製造方法
JP2005045023A (ja) 半導体装置の製造方法および半導体製造装置
US9362174B2 (en) Device wafer processing method
JP2014220389A (ja) 貼付装置及び貼付方法
JP5921473B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JP2010114306A (ja) ウェーハの移し替え方法
JP2005123653A (ja) テープ貼付・剥離装置及びテープ貼付システム
JP2004327464A (ja) 半導体ウェハの形成方法
JP2014120583A (ja) 半導体装置の製造方法
JP4908597B2 (ja) 電子素子の個片化方法
JP2013084770A (ja) ウェーハの研削方法
TWI523091B (zh) 晶圓黏片製作方法
JP6568491B2 (ja) Soi複合基板の製造方法、及び該方法に用いる研磨装置
JP2007005366A (ja) 半導体装置の製造方法
TWI622456B (zh) Semiconductor device manufacturing method
TW201921460A (zh) 基板處理方法
US20150013897A1 (en) Resin sheet attaching method
US20210257231A1 (en) Semiconductor manufacturing apparatus and method for manufacturing semiconductor device