TW201334049A - 矽晶圓的研磨方法及研磨裝置 - Google Patents

Abstract

本發明是一種矽晶圓的研磨方法，該研磨方法以達成規定研磨餘量的方式來設定研磨時間，然後一邊將貯藏於槽內的研磨劑供給至研磨布上，一邊使矽晶圓與研磨布作滑動接觸而在所設定的研磨時間中進行研磨，並一邊將所供給的研磨劑回收至槽內而使研磨劑循環，一邊以批次方式重覆進行矽晶圓的研磨；其中，所述研磨方法具有：記錄步驟，將研磨布在修整後隨著批次次數的增加而變化的研磨速度，預先記錄於資料庫中；以及，設定步驟，在以達成規定研磨餘量的方式來設定研磨時間的時候，基於資料庫中所記錄的在研磨布修整後隨著批次次數的增加而變化的研磨速度，來設定研磨時間。藉由前述研磨方法，本發明提供一種矽晶圓的研磨方法及研磨裝置，可抑制研磨餘量的偏差，並高精準度地控制精加工的厚度，而該研磨餘量的偏差是起因於因為研磨布的修整狀態變化而發生的研磨速度變化。

Description

矽晶圓的研磨方法及研磨裝置

本發明關於一種研磨方法及一種研磨裝置，所述研磨方法及研磨裝置，一邊供給研磨劑一邊使矽晶圓與研磨布作滑動接觸來進行研磨。

一般而言，矽晶圓的製造方法，具有以下步驟：切片步驟，對矽晶棒進行切片以得到薄圓板狀的晶圓；倒角步驟，為了防止藉由該切片步驟所得到的晶圓發生破裂或缺損，而對晶圓的外周部進行倒角；研光(lapping)步驟，將倒角後的晶圓平坦化；蝕刻步驟，除去殘留於經倒角和研光後的晶圓上的加工變形；研磨(拋光)步驟，將蝕刻後的晶圓表面鏡面化；以及，洗淨步驟，洗淨被研磨後的晶圓，以除去附著在晶圓上的研磨劑和異物等。

以上，僅表示主要的步驟，另外尚可加入熱處理步驟和平面磨削步驟等，或是調換步驟的順序。又，亦可實施複數次(二次以上)同一步驟。然後，進行檢查等動作，再送至元件製造步驟，於矽晶圓的表面上形成絕緣膜和金屬配線等，而製造出記憶體等元件。

上述研磨步驟，是一邊供給研磨劑一邊使矽晶圓與研磨布作滑動接觸，藉此將晶圓表面鏡面化的步驟。在矽晶圓的研磨步驟中，通常會經過從粗研磨到精加工研磨的複 數個階段來進行研磨。一般而言，會藉由雙面研磨進行一次研磨，接著為了除去在一次研磨中發生的傷痕等以改善表面粗糙度，會藉由單面研磨進行二次研磨，然後再進而進行精加工研磨。

雙面研磨，是將晶圓保持在承載器(載具)的保持孔中，並將承載器配置成夾在貼附有研磨布的上下平台(上下轉盤)之間，然後一邊供給研磨劑至研磨布，一邊使上下平台相互地朝向相反的方向旋轉，藉此來使晶圓的雙面與研磨布作滑動接觸而同時進行研磨(例如參照專利文獻1)。又，在雙面研磨中，大多會一次同時研磨複數片晶圓，並採用批次方式重覆進行前述研磨的方式。單面研磨，是以研磨頭保持住矽晶圓，然後供給研磨劑至已貼附於平台上的研磨布上，並分別使平台與研磨頭旋轉，而使矽晶圓的表面與研磨布作滑動接觸，藉此來進行研磨(例如參照專利文獻2)。

在這種矽晶圓的研磨加工中，為了得到目標的精加工厚度，而開發並實用化了一種監控系統，這種監控系統會在研磨中直接測量晶圓的厚度，並在達到目標厚度時，使研磨終止以控制精加工厚度。亦有一種方法是不去直接測量晶圓的厚度，而是監控與晶圓同時進行研磨的晶片(藉由與晶圓同時研磨，此晶片(chip)的厚度會與晶圓厚度成比例地變化)來控制晶圓的厚度。此時，在晶圓厚度的測量，是使用光干涉方式、或是渦電流方式的測量裝置。

然而，前者一般而言較昂貴，後者則有不適用於高純 度環境中，或是使用前述晶片的監控系統在自動化上會有變得複雜的問題。又，亦有在如溼潤環境等難以在研磨中測量厚度的情況、或是研磨裝置中未具備厚度的監控系統的情況。

於是，在不使用這種監控系統的情況下，會使用下述方法：假設各批次中的研磨速度固定，由研磨前的厚度與目標的精加工厚度的差值(即研磨餘量)、及固定的研磨速度，來算出研磨時間，然後在該研磨時間中進行研磨，以得到目標的研磨餘量。

[先行技術文獻]

(專利文獻)

專利文獻1：日本特開2010-34462號公報。

專利文獻2：日本特開2008-93811號公報。

例如透過調整研磨劑等，使研磨速度在各批次間維持固定來穩定地研磨的情況下，設定從目標的研磨餘量與固定的研磨速度所算出的研磨時間來進行研磨，藉此，應可得到目標的精加工厚度。

不過，重覆處理多次研磨批次後，因為研磨布的變滑(glazing，因為逐漸磨耗)或堵塞，研磨力將會減低，為了消 除此問題，需要定期進行研磨布的修整(dressing)。因此，在各批次間會產生因為研磨布的狀態變化所導致的研磨速度差異，特別是在修整前後的批次間，研磨速度的差異會變大。因此，會產生距離目標研磨餘量的差值在各批次間變大，而在精加工厚度上發生偏差的問題。

本發明是鑑於前述問題而完成，目的在於提供一種矽晶圓的研磨方法及研磨裝置，可抑制研磨餘量的偏差，並高精準度地控制精加工的厚度，而該研磨餘量的偏差是起因於因為研磨布的修整狀態變化而產生的研磨速度變化。

為了達成上述目的，若根據本發明，可提供一種矽晶圓的研磨方法，該研磨方法以達成規定研磨餘量的方式來設定研磨時間，然後一邊將貯藏於槽內的研磨劑供給至貼附在平台上的研磨布上，一邊使矽晶圓與前述研磨布作滑動接觸而在前述所設定的研磨時間中進行研磨，並一邊將前述所供給的研磨劑回收至前述槽內來使研磨劑循環，一邊以批次方式重覆進行前述矽晶圓的研磨，且每隔一定的批次次數便修整前述研磨布；其中，所述研磨方法的特徵在於具有：記錄步驟，將前述研磨布在修整後隨著批次次數的增加而變化的研磨速度，預先記錄於資料庫中；以及，設定步驟，在以達成前述規定研磨餘量的方式來設定前述研磨時間的時候，基於已記錄於前述資料庫中的前述 研磨布在修整後隨著批次次數的增加而變化的研磨速度，來設定前述研磨時間。

若是這種研磨方法，則可確實抑制因為研磨布的修整狀態變化而產生的研磨餘量的偏差，而可高精準度地控制精加工的厚度來將晶圓研磨成目標的厚度。

此時，在將前述研磨速度預先記錄於資料庫中的記錄步驟中，可預先記錄前述研磨布修整後的各批次、或是每個規定批次的前述研磨速度。

若如此地預先記錄各批次的前述研磨速度，則可更正確地設定研磨時間，而若記錄每個規定批次的前述研磨速度，則可削減將研磨速度預先記錄於資料庫中的步驟的時間。

並且此時，較佳是進行調整以在前述晶圓的研磨前、研磨中、或是研磨後，將新研磨劑、鹼及水，加入前述槽中，使前述研磨劑的組成不發生變化。

若如此進行，則可減少各批次間起因於研磨劑而造成的偏差，而使研磨速度更穩定，可更高精準度地控制精加工厚度。

又，若根據本發明，可提供一種研磨裝置，該研磨裝置具有：平台，貼附有研磨布；保持手段，保持住矽晶圓；循環系統，將貯藏於槽內的研磨劑供給至前述研磨布上，並將所供給的研磨劑回收至前述槽內來使研磨劑循環；以及控制手段，用來以達成規定研磨餘量的方式來設定研磨時間； 而且，該研磨裝置，一邊利用前述循環系統將前述研磨劑供給至前述研磨布上，一邊使前述矽晶圓與前述研磨布作滑動接觸，以在利用前述控制手段所設定的研磨時間中進行研磨，並且一邊將前述所供給的研磨劑回收至前述槽內來使研磨劑循環，一邊以批次方式重覆進行前述矽晶圓的研磨；其中，所述研磨裝置的特徵在於：更具有記錄手段，該記錄手段將前述研磨布在修整後隨著批次次數的增加而變化的研磨速度，預先記錄於資料庫中；而且，前述控制手段，在以達成前述規定研磨餘量的方式來設定前述研磨時間的時候，基於前述記錄手段所記錄的前述研磨布在修整後隨著批次次數的增加而變化的研磨速度，來設定前述研磨時間。

若是這種研磨裝置，則可確實抑制因為研磨布的修整狀態變化而產生的研磨餘量的偏差，而可高精準度地控制精加工的厚度來將晶圓研磨成目標的厚度。

此時，前述記錄手段，可構成為記錄前述研磨布修整後的各批次、或是每個規定批次的前述研磨速度。

若如此地記錄各批次的前述研磨速度，則可更正確地設定研磨時間，而若記錄每個規定批次的前述研磨速度，則可削減將研磨速度預先記錄於資料庫中的步驟的時間。

並且此時，較佳是具有一機構來進行調整以在前述晶圓的研磨前、研磨中、或是研磨後將新研磨劑、鹼及水，加入前述槽中，使前述研磨劑的組成不發生變化。

若如此進行，則可抑制各批次間起因於研磨劑而造成的偏差，而使研磨速度更穩定，可更高精準度地控制精加工厚度。

本發明中，在以批次方式重覆進行矽晶圓的研磨的研磨裝置中，將研磨布在修整後隨著批次次數的增加而變化的研磨速度，預先記錄於資料庫中，然後基於所記錄的研磨速度來設定研磨時間，因此可確實抑制因為研磨布的修整狀態變化而產生的研磨餘量的偏差，而可高精準度地控制精加工的厚度，以將晶圓研磨成目標的厚度。

以下說明本發明的實施形態，但本發明並非限定於這些實施形態。

先前的矽晶圓研磨中，是使用一種方法，藉由設定研磨時間進行研磨，來控制目標的精加工厚度，其中研磨時間是從目標的研磨餘量與固定的研磨速度而算出。此方法中，在使各批次間的研磨速度維持高度穩定(例如調整研磨劑等)地來進行研磨的情況下，能夠較為精確度良好地得到目標的精加工厚度。

然而，研磨速度會由於研磨布的修整狀態而變化，距離目標研磨餘量的偏差，在各批次間會因此而增大，而在 精加工厚度上發生偏差。近年來，隨著對精加工厚度的精確度要求越來越高，此偏差便成為問題。因此會要求更高精確度地控制精加工厚度，例如要求將精加工厚度的偏差作到0.5μm以下，甚至到0.2μm以下。

於是，本發明人為了解決這種問題而進行多次深入檢討。結果發現到，在藉由調整研磨劑等而使各批次間的研磨速度維持高度穩定地來進行研磨的情況下，上述對應於研磨布的修整狀態的研磨速度變化具有固定的模式(pattern)。並且想到，藉由將該變化模式列入考量，便可高精確度地預測研磨速度，而完成了本發明。

以下說明本發明的研磨裝置。首先，參照第1圖來說明進行雙面研磨時的研磨裝置。

如第1圖(A)、(B)所示，研磨裝置1，具備上下對向設置的上平台2與下平台3。在上平台2、下平台3上，分別貼附有研磨布4。並且，在上平台2、下平台3間的中心部，設有太陽齒輪9，而在周緣部上設有內齒輪10。在承載器5上設有用來保持矽晶圓W的保持孔6，而複數的承載器5被夾在上平台2、下平台3之間。

又，承載器5的外周齒嚙合在太陽齒輪9及內齒輪10的各齒部上，隨著上平台2、下平台3藉由上旋轉軸7及下旋轉軸8而以規定的旋轉速度分別旋轉，各個承載器5會一邊自轉一邊繞著太陽齒輪9作公轉。被保持在承載器5的保持孔6中的矽晶圓W，與上下的研磨布4作滑動接觸而使其雙面同時受到研磨。

此時，將槽12內的研磨劑13，從噴嘴11供給至研磨布4。所供給的研磨劑13，除了無法回收的部分(例如，在研磨中有一部分飛散出去，當作霧氣而被排除等)以外，在流入平台承接器18而被收集至配管(未圖示)後，被回收至槽12內，以用於之後的研磨。如此，研磨劑13，藉由循環系統14而在槽12與研磨布4(及上平台2、下平台3)之間循環。

又，研磨裝置1具有控制手段15，該控制手段是用來在研磨前以達成規定的研磨餘量的方式來設定研磨時間。此控制手段15，連接於循環系統14與上旋轉軸7、下旋轉軸8，並控制研磨的開始與結束，以在所設定的研磨時間中進行研磨。

又，亦設有記錄手段17，將研磨布4在修整後隨著批次次數的增加而變化的研磨速度，預先記錄於資料庫中。此記錄手段17連接於控制手段15，且被作成可從控制手段15來參照已記錄於資料庫中的研磨速度。控制手段15，在以達成規定研磨餘量的方式來設定研磨時間的時候，會基於已記錄於資料庫中的研磨布4在修整後隨著批次次數的增加而變化的研磨速度來設定。此外，記錄手段與控制手段，可藉由個人電腦等來構成。

藉由如此構成的研磨裝置1，一邊利用循環系統14將研磨劑13供給至研磨布4，一邊使矽晶圓W與研磨布4作滑動接觸，並以在藉著控制手段15所設定的研磨時間中進行研磨。然後，一邊將所供給的研磨劑13回收至槽12內 來使研磨劑循環，一邊以批次方式重覆矽晶圓W的研磨。

若使用這種研磨裝置，便可確實地抑制研磨餘量的偏差，而該研磨餘量的偏差是起因於因為研磨布的修整狀態變化而產生的研磨速度變化。結果，可高精準度地控制精加工的厚度而將晶圓研磨成目標的厚度。

此時，若藉由記錄手段17記錄下從修整研磨布4後到下次進行修整為止之間的各批次的研磨速度，便可將因為研磨布的修整狀態變化而產生的研磨速度變化更精準地反映至研磨時間上，而可更確實地抑制研磨餘量的偏差。對於在這種情況下要藉由控制手段15來設定研磨時間時所使用的研磨速度，以下將說明從資料庫求出該研磨速度的具體方法的一例。

此處，以下數學式中的[D_nB_m]表示在第n次修整後的第m次批次中的研磨速度。

研磨速度變化量最大的剛修整後的第1批次，如以下式1所示，是使用被記錄在資料庫中的剛修整後的第1批次的研磨速度的平均值。

在剛修整後的第1批次以外的批次中，是藉由參照資料庫來求出自前一次進行研磨時的研磨速度迄今的變化預測量，然後使用已應用該變化預測量的研磨速度。具體而言，如式2所示，使用從差值的平均所求得的變化預測量 來求出研磨速度。或者如式3所示，使用從比例的平均所求得的變化預測量來求出研磨速度。

記錄手段，如上述所示，亦可不去記錄研磨布在修整後的各批次的研磨速度，而是在修整研磨布後到進行下一次修整為止之間，記錄每個規定批次的研磨速度。例如，在每10個批次進行一次修整的情況下，將修整後的第1批次、第3~5批次的其中一批次、第6~7批次的其中一批次、第8~10批次的其中一批次的研磨速度，記錄於資料庫中。即使如此僅記錄每個規定批次的研磨速度，亦可一邊足夠精準地將研磨速度的變化反映到研磨時間上而抑制研磨餘量的偏差，一邊削減將研磨速度預先記錄於資料庫中的步驟的時間。

又，除了研磨速度以外，例如亦可記錄矽晶圓的厚度、電阻率、以及結晶軸或是漿液使用期限等，並將這些狀態變數化來設定研磨時間。

又，研磨裝置1，較佳是具有一機構16來進行調整，在晶圓W的研磨前、研磨中、或是研磨後的至少一個時間點中將新研磨劑、鹼及水，加入槽12中，以使研磨劑13 的組成不發生變化。

藉由使用該機構來進行調整，以使研磨劑的組成在研磨中不發生變化，可抑制在各批次間因為研磨劑變化所導致的偏差，使研磨速度更穩定，並且對應於研磨布的修整狀態的研磨速度變化的固定模式的精準度，亦會提高，因此，結果來說可更高精準度地控制精加工厚度。

此處，將研磨速度相對於研磨布的修整狀態變化而變化的情形，表示於第3圖。第3圖是表示每隔5批次或10批次進行修整時，各批次中的研磨速度變化。此外，研磨速度，是表示將最初批次中的研磨速度作為100%時的相對值。如第3圖所示，可知道修整後的研磨速度會相對地具有週期性變化。例如，由圓圈所圍住的點表示剛修整後的第1批次，可知該些點幾乎為相同的研磨速度。

接著，參照第2圖來說明進行單面研磨時的研磨裝置。

如第2圖所示，研磨裝置21，具有：貼附有研磨布24的平台23、噴嘴25及研磨頭22。這種研磨裝置21中，是利用研磨頭22來保持矽晶圓W，且經由噴嘴25將槽12內的研磨劑13供給至研磨布24上，並使平台23與研磨頭22分別旋轉，以使工件W的表面與研磨布24作滑動接觸，藉此來進行研磨。

又，研磨裝置21，與上述進行雙面研磨的研磨裝置1同樣具有：循環系統14，將所供給的研磨劑13回收以使研磨劑13循環；控制手段15，用來以達成規定的研磨餘量的方式來設定研磨時間；以及，記錄手段17，預先將研磨布 24在修整後隨著批次次數的增加而變化的研磨速度，記錄在資料庫中；其中，控制手段15，與研磨裝置1同樣基於已記錄在資料庫中的研磨布24在修整後隨著批次次數的增加而變化的研磨速度，來設定研磨時間。此外，被供給的研磨劑13，與上述研磨裝置1同樣地，除了一部分以外，會在流入平台承接器18而被收集至配管(未圖示)後，被回收至槽12內，以用於之後的研磨。

接著，說明本發明的矽晶圓的研磨方法。此處，將說明使用如第1圖所示的本發明的研磨裝置1的情況。

首先，進行實驗等，藉由記錄手段17，將如第3圖所示的研磨布在修整後隨著批次次數的增加而變化的研磨速度，預先記錄在資料庫中。

接著，藉由控制裝置15，基於已記錄在資料庫中的研磨布在修整後隨著批次次數的增加而變化的研磨速度，以根據規定的研磨餘量進行研磨的方式，來設定研磨時間。此處，在研磨時間的設定時所使用的研磨速度，可根據上述本發明的研磨裝置1的說明中所記載的方法來決定。

接著，一邊將貯藏在槽12內的研磨劑13供給至貼附在平台2、平台3上的研磨布4上，一邊使矽晶圓W與研磨布4作滑動接觸而進行研磨。此時，藉由控制裝置15進行控制以使研磨在設定的研磨時間後結束。然後，一邊將所供給的研磨劑13回收至槽12內來使研磨劑13循環，一邊以批次方式重覆矽晶圓W的研磨。在重覆此研磨之間，每隔一定批次次數便修整研磨布4。

若是這種研磨方法，便可確實抑制研磨餘量的偏差，而該研磨餘量的偏差是起因於因為研磨布的修整狀態變化而發生的研磨速度變化。結果，可高精準度地控制精加工的厚度而將晶圓研磨成目標的厚度。

此時，亦可測量研磨後的矽晶圓的研磨餘量，然後根據該測量到的研磨餘量與設定的研磨時間來算出研磨速度，並為了在下次之後的研磨中使用而將該算出的研磨速度追加到資料庫中。若如此作，便可更高精準度地預測研磨速度。

並且此時，在將研磨速度預先記錄於資料庫中的步驟中，可預先記錄研磨布修整後的各批次、或是每個規定批次的研磨速度。

若如此地預先記錄各批次的研磨速度，可更正確地設定研磨時間，而若記錄每個規定批次的研磨速度，便可削減預先將研磨速度記錄於資料庫中的步驟的時間。

並且此時，較佳是進行調整以在矽晶圓的研磨前、研磨中、或是研磨後的至少一個時間點中將新研磨劑、鹼及水，加入前述槽中，使研磨劑的組成不發生變化。

若如此作，則可抑制各批次間因為研磨劑變化而導致的偏差，而使研磨速度更穩定，可更高精準度地控制精加工厚度。

(實施例)

以下表示本發明的實施例及比較例來更具體地說明本 發明，但本發明並非限定於這些例子。

(實施例1)

使用如第1圖所示的本發明的研磨裝置，依照本發明的矽晶圓的研磨方法，以批次方式重覆進行直徑300mm的矽晶圓的研磨。此處，每1批次中的研磨枚數設為5枚。又，以蝕刻完畢的矽晶圓從研磨前的厚度793±2μm程度被研磨到777μm的方式(亦即研磨餘量為16μm程度的方式)來設定研磨時間，並以研磨壓力200g/cm²來進行研磨。又，在將研磨速度預先記錄於資料庫的步驟中，記錄研磨布在修整後各批次的研磨速度。接著，從所記錄於的研磨速度的資料庫，算出與所對應到的修整後的批次次數相符的研磨速度，並將預測到的結果接著應用下去來進行連續研磨。

將對研磨後的矽晶圓距離目標精加工厚度的差值進行評價的結果，表示於第4圖。如第4圖所示，與後述的比較例的結果相比，距離目標厚度的差值獲得改善，得到該差值為0.5μm以下這樣非常好的結果。又，在全體的80%以上的批次中，可達成距離目標的差值在0.2μm以下。

如此，藉由本發明，可確認到，能抑制研磨餘量的偏差，並高精準度地控制精加工的厚度，而該研磨餘量的偏差是起因於因為研磨布的修整狀態變化而產生的研磨速度變化。

(實施例2)

除了在將研磨速度預先記錄於資料庫中的步驟中，將研磨布在修整後的每個規定批次的研磨速度加以記錄以外，與實施例1同樣地研磨矽晶圓且同樣地進行評價。此處，將修整後第1、3、6、8批次中的研磨速度，預先記錄於資料庫中。接著，從所記錄的研磨速度的資料庫，算出與所對應到的修整後的批次次數相符的研磨速度，並將預測到的結果接著應用下去來進行連續研磨。

將結果表示於第5圖。如第5圖所示，可知與實施例1的結果相比，距離目標厚度的差值稍微增大，但與後述的比較例相比仍獲得改善。實施例2中，在全體的70%以上的批次中，可達成距離目標的差值在0.2μm以下。

(比較例)

比較例中使用不具有本發明的記錄手段、控制手段的先前研磨裝置，不將研磨速度記錄於資料庫，而使用在這之前剛測量到的研磨速度來設定研磨時間，除此以外，在與實施例1相同的條件下研磨矽晶圓，且與實施例1同樣進行評價。

將結果表示於第6圖。如第6圖所示，可知與實施例1、2相比，距離目標厚度的差值大幅惡化。

此外，本發明並不限定於上述實施形態。上述實施形態為例示性質，任何具有與本發明的申請專利範圍所記載 的技術性思想實質上相同的構成，且發揮同樣作用效果的技術，均包含在本發明的技術範圍中。

1‧‧‧研磨裝置

2‧‧‧上平台

3‧‧‧下平台

4‧‧‧研磨布

5‧‧‧承載器

6‧‧‧保持孔

7‧‧‧上旋轉軸

8‧‧‧下旋轉軸

9‧‧‧太陽齒輪

10‧‧‧內齒輪

11‧‧‧噴嘴

12‧‧‧槽

13‧‧‧研磨劑

14‧‧‧循環系統

15‧‧‧控制手段

16‧‧‧機構

17‧‧‧記錄手段

18‧‧‧平台承接器

21‧‧‧研磨裝置

22‧‧‧研磨頭

23‧‧‧平台

24‧‧‧研磨布

25‧‧‧噴嘴

W‧‧‧矽晶圓

第1圖是表示進行雙面研磨時，本發明的研磨裝置的一例的概略圖；其中，(A)是側面剖面圖，(B)是從上方俯視而得的內部構造圖。

第2圖是表示進行單面研磨時，本發明的研磨裝置的一例的概略圖。

第3圖是說明研磨速度相對於研磨布的修整狀態變化而變化的情形的說明圖。

第4圖是表示實施例1的結果的圖。

第5圖是表示實施例2的結果的圖。

第6圖是表示比較例的結果的圖。

1‧‧‧研磨裝置

11‧‧‧噴嘴

2‧‧‧上平台

12‧‧‧槽

3‧‧‧下平台

13‧‧‧研磨劑

4‧‧‧研磨布

14‧‧‧循環系統

5‧‧‧承載器

15‧‧‧控制手段

6‧‧‧保持孔

16‧‧‧機構

7‧‧‧上旋轉軸

17‧‧‧記錄手段

8‧‧‧下旋轉軸

18‧‧‧平台承接器

9‧‧‧太陽齒輪

W‧‧‧矽晶圓

Claims (6)

1. 一種矽晶圓的研磨方法，該研磨方法以達成規定研磨餘量的方式來設定研磨時間，然後一邊將貯藏於槽內的研磨劑供給至貼附在平台上的研磨布上，一邊使矽晶圓與前述研磨布作滑動接觸而在前述所設定的研磨時間中進行研磨，並一邊將前述所供給的研磨劑回收至前述槽內來使研磨劑循環，一邊以批次方式重覆進行前述矽晶圓的研磨，且每隔一定的批次次數便修整前述研磨布；其中，所述研磨方法的特徵在於具有：記錄步驟，將前述研磨布在修整後隨著批次次數的增加而變化的研磨速度，預先記錄於資料庫中；以及，設定步驟，在以達成前述規定研磨餘量的方式來設定前述研磨時間的時候，基於已記錄於前述資料庫中的前述研磨布在修整後隨著批次次數的增加而變化的研磨速度，來設定前述研磨時間。
2. 如請求項1所述的矽晶圓的研磨方法，其中，在將前述研磨速度預先記錄於資料庫中的記錄步驟中，預先記錄前述研磨布在修整後的各批次、或是每個規定批次的前述研磨速度。
3. 如請求項1或2所述的矽晶圓的研磨方法，其中，進行調整以在前述晶圓的研磨前、研磨中、或是研磨後，將 新研磨劑、鹼及水，加入前述槽中，使前述研磨劑的組成不發生變化。
4. 一種研磨裝置，該研磨裝置具有：平台，貼附有研磨布；保持手段，保持住矽晶圓；循環系統，將貯藏於槽內的研磨劑供給至前述研磨布上，並將所供給的研磨劑回收至前述槽內來使研磨劑循環；以及，控制手段，用來以達成規定研磨餘量的方式來設定研磨時間；而且，該研磨裝置，一邊利用前述循環系統將前述研磨劑供給至前述研磨布上，一邊使前述矽晶圓與前述研磨布作滑動接觸，以在利用前述控制手段所設定的研磨時間中進行研磨，並且一邊將前述所供給的研磨劑回收至前述槽內來使研磨劑循環，一邊以批次方式重覆進行前述矽晶圓的研磨；其中，所述研磨裝置的特徵在於：更具有記錄手段，該記錄手段將前述研磨布在修整後隨著批次次數的增加而變化的研磨速度，預先記錄於資料庫中；而且，前述控制手段，在以達成前述規定研磨餘量的方式來設定前述研磨時間的時候，基於前述記錄手段所記錄的前述研磨布在修整後隨著批次次數的增加而變化的研磨速度，來設定前述研磨時間。
5. 如請求項4所述的研磨裝置，其中，前述記錄手段記錄前述研磨布在修整後的各批次、或是每個規定批次的前述研磨速度。
6. 如請求項4或5所述的研磨裝置，其中，具有一機構來進行調整以在前述晶圓的研磨前、研磨中、或是研磨後，將新研磨劑、鹼及水，加入前述槽中，使前述研磨劑的組成不發生變化。