TW201331974A - 利用刀緣測量晶圓級點尺寸之裝置及其製造方法 - Google Patents

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Abstract

本發明係有關於一種測量晶圓級點尺寸之裝置，用於一多帶電粒子束微影系統。該裝置包括在閃爍材料(如YAG材料)的頂部有一刀緣結構。該刀緣結構設置在矽晶圓上，矽晶圓於矽的(1 1 0)平面上夾銳角處具有一頂面。在一實施例中，該角度在2°到4°的範圍內，較佳在2.9°-3.1°的範圍內。本發明更有關於一種製造測量晶圓級點尺寸裝置之方法，用於一多帶電粒子束微影系統。

Description

利用刀緣測量晶圓級點尺寸之裝置及其製造方法
本發明係有關於一種於帶電粒子束微影系統中測量晶圓級帶電粒子束點尺寸之裝置，以及製造此裝置之方法。
為了測量掃描式電子顯微鏡列之點尺寸以及電子束微影機所用之點尺寸，電子束中的反射電流或穿透電流被當作掃描過一鋒利邊緣來測量，其中該鋒利邊緣又稱作“刀緣”。舉例來說，此方法已在S.A.Rishton等人於J.Phys.E：Sci.Instrum.雜誌(1984年發行之第17卷296篇)中所描述。
在產生帶電粒子束微影系統中應用此點尺寸測量方法，特別是在具有多光束之微影系統中，對研究微影系統來說是非直覺且構成問題與挑戰是未知的。
一方面，產生帶電粒子束微影系統可使用超過10000帶電粒子束。有鑑於此，非常需要可以同時測量一整組的帶電粒子束。
另一方面，這些大量的帶電粒子束具有非常小的點尺寸且非常緊密。每個帶電粒子束的點尺寸可以降低到20nm或更少，且相鄰帶電粒子束之間的間距可以小於100nm。
本發明之一目的是提供一種於產生帶電粒子束微影系統中測量晶圓級帶電粒子束點尺寸之裝置與方法。
根據第一態樣，本發明提供一種測量晶圓級點尺寸之裝置，用於一多帶電粒子束微影系統，該裝置包括一刀緣結構(knife edge,KE)，位於一閃爍(scintillating)材料之上，其特徵在於，刀緣結構佈置於一矽晶圓中，且矽晶圓在矽的(1 1 0)平面上呈銳角處具有一頂面。
通常矽晶圓會沿著其中一個晶面切斷，本發明中的晶面是使用米勒指數表示法(Miller indices notation)。本發明在一個斜切的矽晶圓上使用蝕刻刀緣結構。這種斜切的矽晶圓並非沿著其中一個晶面切斷，而是以在矽的(1 1 0)平面上呈銳角處設置一頂面來切割。在本發明的上下文中，銳角是指角度大於0°但小於90°的角。
在這樣的斜切矽晶圓上蝕刻一貫穿開口，特別是使用濕式蝕刻劑(如KOH)，當斜切矽晶圓的頂面實質上設置在多帶電粒子束微影系統的帶電粒子束的聚焦平面上時，所得到的貫穿開口包括至少一個具有適用於刀緣的倒勾角度的邊緣。換言之，根據本發明之帶有刀緣結構的矽晶圓，可以頂面實質上垂直於帶電粒子束光學軸的方式設置。在本發明的上下文中，倒勾角度是指介於刀緣側壁與垂直晶圓頂面的平面兩者之間的角度。
使用矽刀緣在Rishton等人於1984年發表的論文中已被描述過了。然而，對多電子束感測器使用已知的矽刀緣並不是一個可行的解決方案，因為必須將矽刀緣傾斜於電子束的聚焦平面。
在一實施例中，銳角是2至4度範圍內的角度。使用與(1 1 0)結晶面夾此一角度內的斜切矽晶圓，可提供一個具有小倒勾角度側壁的刀緣。這種刀緣使得帶電粒子從刀緣側壁的散射大量減少。由於沒有倒勾側壁，散射的帶電粒子會干擾帶電粒子束點尺寸的量測。
另一方面，當使用一個大的倒勾角度，刀緣的邊緣可能會變薄且至少部分可讓帶電粒子穿透。這樣的刀緣到了邊緣不能完全阻斷帶電粒子束。結果造成其邊緣界定不明確，這將導致測量裝置的解析度降低。
在一實施例中，該角度是在2.9-3.1的範圍內。
在一實施例中，矽晶體的[0 0 1]方向是作為提供頂面和(1 1 0)平面之間銳角的旋轉軸。使用與(1 1 0)晶面斜切於繞[0 0 1]方向旋轉的銳角處的晶圓，提供兩個適合作為刀緣的邊緣；項面和(1-1 -1)晶面之間的第一邊緣以及頂面和(1 -1 1)晶面之間的第二邊緣。
(1-1 -1)和(1 -1 1)平面之間的角度大約是109°，提供測量刀緣兩個獨立的方向。藉由在實質上垂直於第一邊緣的一第一方向上移動彼此相對的帶有兩刀緣的斜切晶圓以及帶電粒子束，可以得到帶電粒子束在第一方向上的點尺寸。藉由在實質上垂直於第二邊緣的一第二方向上移動彼此相對的帶有兩刀緣的斜切晶圓以及帶電粒子束，可以得到帶電粒子束在第二方向上的點尺寸。於帶電粒子束微影系統中，這兩個量測可以不需重新排列帶有兩刀緣的斜切 晶圓而進行。結合這兩個量測，可以在兩個維度方向上得到關於帶電粒子束點尺寸的資訊。
在一實施例中，矽晶圓於刀緣結構處及其周圍的厚度已減少。在一實施例中，矽晶圓於刀緣結構處及其周圍的厚度是在10到20微米的範圍內。矽晶圓的典型厚度大約為200-400微米。藉由於刀緣結構處及其周圍除去刀緣結構下的塊狀矽材料，可將這些刀緣結構下塊狀矽材料的側壁設置於刀緣結構一距離處。這至少基本上防止帶電粒子入射至側壁上並被塊狀矽材料的側壁散射。否則這些散射的帶電粒子到達閃爍材料和/或檢測器時將會干擾量測。
在一實施例中，斜切晶片為SOI晶片。在一實施例中，SOI晶片包括塊狀矽層，其上有薄矽頂層，其中有SiO2層設置於塊狀矽層和薄矽頂層。例如，塊狀矽層的厚度約為330微米，而薄矽頂層的厚度約為8微米。在一實施例中，刀緣結構被設置在薄矽頂層中。
在一實施例中，矽晶圓在刀緣結構處及其周圍設置有支撐壁。在一實施例中，支撐壁具有一高度，依垂直晶圓頂面的方向測量，是在130到300微米的範圍內。
在一實施例中，刀緣結構包括一個或多個狹長凹槽。當這樣的結構還設置有支撐壁時，這些支撐壁實質上至少垂直於所述一個或多個狹長凹槽的縱向方向延伸。
在一實施例中，斜切晶圓設置有至少兩凹槽，其中第一凹槽的刀緣被設置與第二溝槽的刀緣夾大約109°。
在一實施例中，凹槽包括一長刀緣，它具有超過多帶電粒子束微影系統中兩個相鄰帶電粒子束之間距離的長度。這麼長的刀緣優點是，可以使用相同刀緣測量兩個或更多個相鄰帶電粒子束的點尺寸，而無需在沿著相鄰帶電粒子束連接線的方向上重新排列刀緣。
在一實施例中，斜切晶圓設置有至少兩凹槽，其中第一凹槽的長刀緣被設置與第二溝槽的長刀緣夾大約109°。
在一實施例中，閃爍材料包括釔鋁石榴石(Yttrium-Aluminium-Garnet,YAG)
在一實施例中，刀緣結構被設置與閃爍材料有一距離。在一實施例中，刀緣結構和閃爍材料之間的距離大致等於矽晶圓的厚度，尤其是矽晶圓的塊狀矽層設置於刀緣結構與閃爍材料之間。在進一步實施例中，刀緣結構設置於矽晶圓遠離閃爍材料之一側。
在一實施例中，本裝置在矽晶圓和閃爍材料之間設置有一層，該層提供一光圈開口，用以限制帶電粒子束的開口角度以到達閃爍材料。在本發明中該層也被稱作為遮板，被設置用於發送主要帶電粒子束到達閃爍材料，且實質上阻擋散射帶電粒子。在一實施例中，該層包括一鎢層，其佈置在閃爍材料頂部。
在一實施例中，矽晶圓設置有貫穿開口，其中貫穿開口的第一邊緣與一刀緣相符，而其中與第一邊緣相對且平行的第二邊緣是設置於極靠近第一邊緣以限制帶電粒子束的開口角度穿過所述貫穿開口。在一實施例中，第一和第 二邊緣被設置以限制開口角度小於5°，較佳為小於2°，更佳約為1.5°。
根據第二態樣，本發明提供了一種製造測量多帶電粒子束微影系統中晶圓級點尺寸裝置之方法，其中所述方法包含以下步驟：提供於矽之(1 1 0)平面呈一銳角處具有一頂面的矽晶圓；於矽晶圓中蝕刻一貫穿開口；以及將所述具有貫穿開口的矽晶圓設置於一閃爍材料上。
在一實施例中，至少有一部分的蝕刻過程是使用濕式蝕刻劑，例如氫氧化鉀(KOH)。由於沿著矽晶面對齊而濕式蝕刻貫穿開口的邊緣，可得到尖銳且邊界明確的邊緣，其中至少有一個是可適用於刀緣。
在進一步實施例中，該蝕刻過程包含第一步驟，使用乾蝕刻過程創造貫穿開口，接著第二步驟再使用濕式蝕刻劑。第一步驟提供粗糙的槽狀開口，而在第二步驟提供邊界明確的鋒利末端以作為刀緣。通常只需要幾分鐘的濕蝕刻即可獲得尖銳且邊界明確的邊緣。
根據第三態樣，本發明提供一種多帶電粒子束微影系統，其包括一個用於如上所述測量晶圓級帶電粒子束點尺寸的裝置。
本說明書所顯示與描述的不同態樣與特徵能個別地被應用在任何可能的情況下。這些個別的態樣，尤指在該附加的從屬權利請求項，能被當作個別專利申請的主題。
圖1顯示根據本發明之矽刀緣(Silicon Knife Edge,Si KE)之第一實施例。圖1顯示已由濕式蝕刻程序蝕刻出貫穿開口之斜切晶圓的頂面10。因矽晶圓為斜切使得矽晶圓的頂面設置於與矽之(1 1 0)晶面夾大約3°的位置。
由於矽的晶體結構，濕式蝕刻劑如KOH、TMAH將難以侵襲矽的(1 1 1)晶面。因此，獲得的貫穿開口受限於(1 1 1)平面，特別是平面(-1 1 1)、(1 -1 1)、(1 1 1)以及相對平面(1 -1 -1)、(-1 1 -1)、(-1 -1 -1)，如圖1所示。當配置成一個對稱圖形時，這些平面將形成一個八面體。
頂面與(1 -1 -1)或(1 -1 1)晶面之間的邊緣，可用於刀緣的測量。尤其是頂面與具有和頂面夾一倒勾角度的(1 -1 -1)或(1 -1 1)晶面之間的邊緣。這些邊緣標記在圖1中的圓圈11、12中。
當矽晶圓晶體中的(0 0 1)方向被作為用以提供頂面與平面(1 1 0)之間銳角的旋轉軸時，如同圖1所舉例的情況，頂面與(1 -1 -1)晶面與(1 -1 1)晶面之間的兩個邊緣可作為刀緣。如圖所示，頂面與(1 -1 -1)晶面之間的第一邊緣11所夾的角度，以及頂面與(1 -1 1)晶面之間的第二邊緣12所夾的角度，大約為109°，特別是約為109,47°。同時使用這兩個刀緣所產生的點尺寸位在兩個大約正交的方向上。
圖2顯示根據本發明的裝置的一個示範型實施例的一部分的剖示圖。該裝置包括其中的貫穿開口23已通過蝕刻程序的一個斜切矽晶圓20。再次強調矽晶圓20為斜切使得 矽晶圓的頂面設置於與矽之(1 1 0)晶面夾大約3°的位置。由於斜切貫穿開口23至少其中之一的邊緣，貫穿開口23包含位於倒勾角β的一側壁，其中倒勾角β使用一刀緣KE。
如圖2的橫截面所示，矽晶圓20在刀緣結構處及其周圍的厚度已被減少至約15微米。矽晶圓20的總厚度約為200微米。在YAG晶體的例子中，矽晶圓20被佈置在閃爍材料21的頂部，而閃爍材料上被佈置在光檢測器24(例如CCD裝置)的頂部。
刀緣結構KE朝著矽晶圓20遠離閃爍材料21的一面佈置。因此，刀緣結構KE離閃爍材料一距離而設置，其中該距離實質上等於矽晶圓20的厚度。
為了測量帶電粒子束22的點尺寸，該設備是相對於掃描方向SD上粒子束22而移動，以橫跨刀緣KE而掃描每一個所述粒子束22。或者，也可以相對於該設備而移動帶電粒子束22。當帶電粒子束22的至少一部分通過刀緣KE並照射於YAG晶體21上時，帶電粒子將換轉為由光檢測器24所偵測到的光子。粒子束22於刀緣位置處點尺寸的量測可以從光檢測器24於橫跨刀緣KE掃描粒子束22期間的信號變化推導出。
圖3顯示根據本發明的裝置的又一範例的一部分的剖示圖。該裝置包括一個斜切SOI晶圓30，其包含由薄矽頂層32鋪於其上的塊狀矽層31，其中SiO2層設置於塊狀矽層31與薄矽頂層32之間。如圖3所示，刀緣結構KE被設置在薄矽頂層32中。因為SiO2層33會終止濕式蝕刻的程序，因此SOI 晶圓的使用較為有利。貫穿開口34是從頂端側開始濕式蝕刻。另一方面，由乾式蝕刻產生的孔38大於貫穿開口34，尤其是在平行晶圓30的頂面39的方向上。
由於刀緣KE被設置在薄矽頂層32中，該層之一例為8微米厚，矽晶圓30在刀緣結構KE處及其周圍的厚度已被減少至約8微米。矽晶圓30的總厚度約為330微米。
在YAG晶體的例子中，矽晶圓30被佈置在閃爍材料35的頂部，而閃爍材料35被佈置在光檢測器36(例如CCD裝置)的頂部。刀緣結構KE朝著矽晶圓30遠離閃爍材料35的一面佈置。因此，刀緣結構KE離閃爍材料一距離而設置，其中該距離實質上等於矽晶圓30中塊狀矽層的厚度。
圖4顯示根據本發明的裝置的又一範例的一部分的剖示圖。這個例子除了多提供一個遮板41外，其餘如同圖3中所示例子而做延伸。遮板41被佈置在矽晶圓31和閃爍材料35之間，並包括設置來限制粒子束37開口角度以到達閃爍材料35的隔膜42。遮板41包括在閃爍材料35頂部上的鎢圖案。
圖5顯示根據本發明的裝置的一部分的剖示圖，其中矽層50也作為遮板。如圖所示，矽層50上設置有一個貫穿開口51，貫穿開口51具有適合作為刀緣KE使用的第一邊緣。由於上面已經討論過的矽晶圓斜切，貫穿開口的側壁52於第一邊緣KE處設置有倒勾角β。在這個例子中貫穿開口包括第二側壁53，相對並平行第一側壁52，其中第二側壁53被佈置於靠近第一側壁52，用於限制帶電粒子束的開口角度γ 以通過貫穿開口51。因此，貫穿開口的第一邊緣KE與第二邊緣54，相對並平行第一邊緣KE，被佈置於靠近第一邊緣KE，用於限制帶電粒子束的開口角度γ以通過貫穿開口51。在此配置中，被矽所散射的帶電粒子於第一邊緣KE處及其附近至少實質上被第二側壁53所阻擋。因此，第二側壁53在此作為遮板。
較佳地，第一刀緣和第二邊緣54是設置以限制開口角γ小於5°，較佳小於2°，更佳約為1.5°。
圖6顯示根據本發明的裝置的又一範例的一部分的俯視圖。為了提供刀緣，本實施例的矽晶圓60設置有一個或多個狹長凹槽61、62、61'、62'。如圖所示，矽晶圓60設置有至少兩個凹槽，其中第一凹槽61的刀緣KE1設置於相對第二凹槽62的刀緣KE2夾約109度(角度α)處。如此一來凹槽61、62提供可用於兩個或以上相鄰帶電粒子束的長刀緣KE1、KE2而不必重新排列矽晶圓，如圖6中箭頭所示。一個或多個凹槽61、62、61'、62'包括長刀緣KE1、KE2，其長度超過多帶電粒子束微影系統中兩相鄰帶電粒子束之間的距離。
為了確定單一粒子束的點尺寸，必須該粒子束為“on”而其他的粒子束為“off”。藉由將裝置相對於在第一掃描方向SD1上的粒子束移動，可確定第一掃描方向上的點尺寸。藉由將裝置相對於在第二掃描方向SD2上的粒子束移動，可確定第二掃描方向上的點尺寸。接著，將已測粒子束切換 為“off”，而將其他粒子束之一切換為“on”，以測量其點尺寸。
圖7顯示一個多帶電粒子束微影系統，其具有測量晶圓級帶電粒子束的點尺寸之裝置71。根據本發明的裝置71設置於多帶電粒子束微影系統中，使帶有刀緣的矽晶圓以微影系統之晶圓級設置。帶電粒子束74被聚焦在晶片級上。在每個帶電粒子束74上設置有矽刀緣，這些在前文有更詳細地描述。藉由將配置S相對於帶電粒子束74而移動，粒子束74橫跨刀緣進行掃描。當粒子束至少部分地通過該刀緣，電子束撞擊閃爍材料，這會導致激發光束75，並由照相機72所檢測，亦即至少是由光子接受器或CCD裝置72所檢測。
於配置S的移動過程中，CCD的各單元被習知的方法所讀出，並將其數據提供給系統中的計算單元Cu。計算單元確定個別帶電粒子束的點尺寸。
在此態樣中，應注意如圖7所示之帶電粒子束74只是用於微影系統中的所有帶電粒子束的第一組。選擇這組以使各個粒子束以一定距離間隔開，達到同時測量單一粒子束74的點尺寸。例如粒子束之間的距離與CCD裝置的各個單元尺寸相符。
當第一組帶電粒子束74的點尺寸已被測量後，控制裝置CM將這組特定的粒子束74切換為“off”，並將相鄰的帶電粒子束切換為“on”，以提供接著要確定點尺寸的第二組帶電粒子束。
可以理解的是就上文敘述是包含以說明較佳實施例的運作以及並不意涵著侷限本發明之範圍。從上文所討論的，許多變化將對於本領域熟知技術之人士係顯而易見的，其亦包含於本發明的精神與範圍內。
10‧‧‧頂面
11‧‧‧第一邊緣
12‧‧‧第二邊緣
20‧‧‧矽晶圓
21‧‧‧閃爍材料
22‧‧‧帶電粒子束
23‧‧‧貫穿開口
24‧‧‧光檢測器
30‧‧‧SOI矽晶圓
31‧‧‧塊狀矽層
32‧‧‧薄矽頂層
33‧‧‧SiO2層
34‧‧‧貫穿開口
35‧‧‧閃爍材料
36‧‧‧光檢測器
37‧‧‧粒子束
38‧‧‧孔
39‧‧‧頂面
41‧‧‧遮板
42‧‧‧隔膜
50‧‧‧矽層
51‧‧‧貫穿開口
52‧‧‧第一側壁
53‧‧‧第二側壁
54‧‧‧第二邊緣
60‧‧‧矽晶圓
61‧‧‧凹槽
61’‧‧‧凹槽
62‧‧‧凹槽
62’‧‧‧凹槽
71‧‧‧本發明裝置
72‧‧‧照相機
74‧‧‧帶電粒子束
75‧‧‧光束
CM‧‧‧控制單元
Cu‧‧‧計算單元
KE‧‧‧刀緣
S‧‧‧配置
本發明將基於圖式中所示之範例型實施例基礎上做闡述，其中：圖1顯示帶有包含可作為刀緣的邊緣於其中之貫穿開口之斜切矽晶圓之俯視圖；圖2顯示根據本發明第二實施例之裝置之剖示圖；圖3顯示根據本發明第三實施例之裝置之剖示圖；圖4顯示根據本發明第四實施例之裝置之剖示圖，其中設置一遮板於閃爍材料上；圖5顯示第五實施例之剖示圖，其中矽晶圓亦作為遮板；圖6顯示根據本發明進一步實施例之矽刀緣之俯視圖；以及圖7顯示具有測量晶圓級帶電粒子束點尺寸裝置之多帶電粒子束微影系統之示意圖。
20‧‧‧矽晶圓
21‧‧‧閃爍材料
22‧‧‧帶電粒子束
23‧‧‧貫穿開口
24‧‧‧光檢測器

Claims (25)

  1. 一種測量晶圓級點尺寸之裝置，用於一多帶電粒子束微影系統，包括：一刀緣結構，位於一閃爍材料之上；其特徵在於，該刀緣結構佈置於一矽晶圓中，且該矽晶圓於矽之(1 1 0)平面呈一銳角處具有一頂面。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之裝置，其中該角度係介於2至4度之範圍內。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之裝置，其中該角度係介於2.9-3.1度之範圍內。
  4. 如申請專利範圍第1、2或3項所述之裝置，其中矽晶圓中之[0 0 1]方向係作為一旋轉軸，用以提供介於該頂面及該(1 1 0)平面之間之該銳角。
  5. 如前述申請專利範圍中任一項所述之裝置，其中該矽晶圓之厚度於該刀緣結構處及其周圍係為遞減。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之裝置，其中該矽晶圓之厚度於該刀緣結構處及其周圍係介於10至20微米之範圍內。
  7. 如申請專利範圍第5或6項所述之裝置，其中該晶圓係為一SOI晶圓，其包含由一薄矽頂層鋪於其上之一塊狀矽層，其中一SiO2層設置於該塊狀矽層與該薄矽頂層之間。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之裝置，其中該刀緣結構係設置於該薄矽頂層中。
  9. 如前述申請專利範圍中任一項所述之裝置，其中該矽晶圓於該刀緣結構處及其周圍具有支撐壁。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之裝置，其中該支撐壁具有一高度，係依垂直於該晶圓之該頂面之方向所測量，該高度介於130至300微米之範圍內。
  11. 如前述申請專利範圍中任一項所述之裝置，其中該刀緣結構具有一或多個狹長凹槽。
  12. 如申請專利範圍第11項所述之裝置，其中該矽晶圓具有至少兩凹槽，其中一第一凹槽之刀緣設置於相對一第二凹槽之刀緣約109度之處。
  13. 如申請專利範圍第11或12項所述之裝置，其中該一或多個狹長凹槽包含一長刀緣，該長刀緣具有超過該多帶電粒子束微影系統中兩個相鄰帶電粒子束距離之長度。
  14. 如前述申請專利範圍中任一項所述之裝置，其中該閃爍材料包含釔鋁石榴石(Yttrium-Aluminium-Garnet,YAG)。
  15. 如前述申請專利範圍中任一項所述之裝置，其中該刀緣結構係設置於與該閃爍材料相隔一距離處。
  16. 如申請專利範圍第15項所述之裝置，其中該刀緣結構與該閃爍材料之間之該距離大約與該矽晶圓之厚度相同。
  17. 如申請專利範圍第15或16項所述之裝置，其中該刀緣結構係設置於該矽晶圓遠離該閃爍材料之一側。
  18. 如申請專利範圍第15、16或17項所述之裝置，其中該矽晶圓與該閃爍材料之間設置有一層，該層提供一光圈開口，該光圈開口用以限制一帶電粒子束之一開口角度以到達該閃爍材料。
  19. 如申請專利範圍第18項所述之裝置，其中該層包含設置於該閃爍材料上之一鎢層(Tungsten layer)。
  20. 如前述申請專利範圍中任一項所述之裝置，其中該矽晶圓設置有一貫穿開口，其中該貫穿開口之一第一邊緣與一刀緣相符，而其中與該第一邊緣相對且平行之一第二邊緣係設置於極靠近該第一邊緣以限制一帶電粒子束之一開口角度穿過所述貫穿開口。
  21. 如申請專利範圍第20項所述之裝置，其中該第一及第二邊緣係設置用以限制該開口角度少於5°，較佳為少於2°，更佳為大約1.5°。
  22. 一種製造測量晶圓級點尺寸裝置之方法，用於一多帶電粒子束微影系統，其中所述方法包含以下步驟：提供於矽之(1 1 0)平面呈一銳角處具有一頂面之矽晶圓；於該矽晶圓中蝕刻一貫穿開口；以及將所述具有貫穿開口之矽晶圓設置於一閃爍材料上。
  23. 如申請專利範圍第22項所述之方法，其中該蝕刻過程之至少一部分係使用濕式蝕刻劑，如氫氧化鉀(KOH)。
  24. 如申請專利範圍第22或23項所述之方法，其中該蝕刻過程包含第一步驟，使用乾蝕刻過程創造該貫穿開口，接著第二步驟再使用濕式蝕刻劑。
  25. 一種多帶電粒子束微影系統，包括根據申請專利範圍第1-21項中任一項所述用以測量晶圓級點尺寸之一裝置。
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