JPS5988857U - 荷電ビ−ム測定装置 - Google Patents

荷電ビ−ム測定装置

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JPS5988857U
JPS5988857U JP18507982U JP18507982U JPS5988857U JP S5988857 U JPS5988857 U JP S5988857U JP 18507982 U JP18507982 U JP 18507982U JP 18507982 U JP18507982 U JP 18507982U JP S5988857 U JPS5988857 U JP S5988857U
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JP
Japan
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charged
charged beam
measuring device
beam measuring
plane
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JP18507982U
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JPH035080Y2 (ja
Inventor
磯部　盛之
Original Assignee
日本電子株式会社
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  • Electron Beam Exposure (AREA)
  • Electron Sources, Ion Sources (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図は従来の問題点と来者案内着眼点の説明を補足す
る為の図、第２図は本考案の一実施例を示した電子ビー
ム測定装置の概略図である。 ２、　　ａ：集束レンズ、４：対物レンズ、５：ナイフ
ェツジ体、７：偏向器、９：電子計算機（ｃｐｕ）、１
に半導体検出素子、１２：孔、１３：金属板、１５：表
示装置。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 荷電ビーム発生手段から射出された荷電ビームをビーム
    遮蔽部材が配置された平面上に集束し且つ該平面上で走
    査させ、該走査により荷電ビーｌ、通路上に配置された
    荷電ビーム検出手段で検出された荷電ビームに基ついて
    ビームの持つ性質を測定する様にした装置において、前
    記荷電ビーム検出手段の荷電ビーム入射面に、孔を有す
    る散乱ビーム遮蔽物を密着させたことを特徴とする荷電
    ビーム測定装置。
JP18507982U 1982-12-07 1982-12-07 荷電ビ−ム測定装置 Granted JPS5988857U (ja)

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JP18507982U JPS5988857U (ja) 1982-12-07 1982-12-07 荷電ビ−ム測定装置

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JPS5988857U true JPS5988857U (ja) 1984-06-15
JPH035080Y2 JPH035080Y2 (ja) 1991-02-08

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015510690A (ja) * 2012-01-24 2015-04-09 マッパー・リソグラフィー・アイピー・ビー．ブイ． ナイフエッジを使用したウェーハレベルでのスポットサイズ測定のための装置、及びこのような装置を製造するための方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5780730A (en) * 1980-11-07 1982-05-20 Hitachi Ltd Semiconductor observing device

Patent Citations (1)

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JPS5780730A (en) * 1980-11-07 1982-05-20 Hitachi Ltd Semiconductor observing device

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JP2015510690A (ja) * 2012-01-24 2015-04-09 マッパー・リソグラフィー・アイピー・ビー．ブイ． ナイフエッジを使用したウェーハレベルでのスポットサイズ測定のための装置、及びこのような装置を製造するための方法

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JPH035080Y2 (ja) 1991-02-08

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