TW201330138A - 半導體裝置之製造方法及基板處理裝置 - Google Patents

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Abstract

〔課題〕能夠防止在基板之處理的結束後由於餘熱而導致在薄膜處產生非所期望之反應，而使薄膜之結晶構造安定，並降低搬送機器人等之破損。〔解決手段〕具備有：將基板載置於被設置在具有複數之處理區域之反應容器內的基板支持部上之工程；和一面將基板加熱至特定之處理溫度，一面將第1氣體供給至第1處理區域內，並將成為電漿狀態之第2氣體供給至第2處理區域內，而使基板通過第1處理區域以及第2處理區域，來在基板上形成薄膜之工程；和停止對於反應容器內之第1氣體以及第2氣體之供給，並對於反應容器內供給惰性氣體而將完成處理之基板冷卻之工程；和將處理後之基板搬出至反應容器外之工程。

Description

半導體裝置之製造方法及基板處理裝置
本發明，係有關於具有對基板進行處理之工程的半導體裝置之製造方法、以及實施該工程之基板處理裝置。
作為例如在快閃記憶體或DRAM(Dynamic Random Access Memory)等之半導體裝置的製造工程中之其中一個工程，係會有實施在基板上形成薄膜之基板處理工程的情況。作為實施此種工程之基板處理裝置，係週知有：具備有對於被載置在支持器上之複數的基板上而同時形成薄膜之反應腔的薄膜蒸鍍裝置(例如參考專利文獻1)。
〔先前技術文獻〕 〔專利文獻〕
〔專利文獻1〕日本特表2008-524842號公報
然而，上述之薄膜蒸鍍裝置，係構成為在結束了基板處理之後，立即將基板從反應容器搬出。亦即是，係構成為將剛完成成膜處理後之高溫的基板從反應容器搬出。因此，就算是在結束了基板處理之後，亦會由於基板之餘熱而使被形成在基板上之薄膜維持於高溫，而會有在薄膜上產生非所期望之反應的情形。又，在剛結束基板之處理之 後，由於被形成在基板上之薄膜的結晶構造係並不安定，因此，會有殘留在處理區域內之雜質等混入至膜中並使膜質降低的情況。進而，在基板之搬出中所使用的搬送機器人等，會有由於熱而破損的情形。
本發明，係以提供一種：能夠防止在基板之處理的結束後由於餘熱而導致在薄膜處產生非所期望之反應，而使薄膜之結晶構造安定，並降低搬送機器人等之破損的基板處理裝置以及半導體裝置之製造方法一事，作為目的。
若依據本發明之其中一種形態，則係提供一種半導體裝置之製造方法，其特徵為，具備有：將基板載置於被設置在具有複數之處理區域之反應容器內的基板支持部上之工程；和一面將前述基板加熱至特定之處理溫度，一面將第1氣體供給至第1處理區域內，並將成為電漿狀態之第2氣體供給至第2處理區域內，而使前述基板通過前述第1處理區域以及前述第2處理區域，來在前述基板上形成薄膜之工程；和停止對於前述反應容器內之第1氣體以及第2氣體之供給，並對於前述反應容器內供給惰性氣體而將完成處理之前述基板冷卻之工程；和將處理後之前述基板搬出至前述反應容器外之工程。
若依據本發明之另外一種形態，則係提供一種基板處理裝置，其特徵為，具備有：對於基板進行處理之反應容器；和在前述反應容器內，將複數之前述基板在同一面上 作並排支持，並構成為可自由旋轉之基板支持部；和以沿著前述基板支持部之旋轉方向而將第1處理區域、第1洗淨區域、第2處理區域、第2洗淨區域交互作配列的方式，來將前述反應容器內作分割之分割構造體；和對於前述第1處理區域內供給第1氣體，並且對於前述第2處理區域內供給第2氣體之處理氣體供給系；和至少對於前述第1洗淨區域以及前述第2洗淨區域內供給惰性氣體之惰性氣體供給系；和加熱前述基板之加熱部；和將前述反應容器內作排氣之排氣系；和至少對於前述基板支持部、前述處理氣體供給系、前述惰性氣體供給系、前述加熱部以及前述排氣系作控制之控制部，前述控制部，係進行下述之控制：一面藉由前述加熱部來將前述基板加熱至特定之處理溫度，一面使前述基板支持部旋轉，且一面藉由前述排氣系而將前述反應容器內排氣，一面從前述處理氣體供給系來將第1氣體供給至第1處理區域內，並從前述處理氣體供給系而將第2氣體供給至前述第2處理區域內，並從前述惰性氣體供給系來將惰性氣體供給至前述第1洗淨區域以及前述第2洗淨區域內，而進行在前述基板上形成薄膜之處理，在結束了形成前述薄膜之處理後，至少從前述惰性氣體供給系而對於前述第1洗淨區域以及前述第2洗淨區域內供給惰性氣體。
若依據本發明之基板處理裝置以及半導體裝置之製造 方法，則係能夠防止在基板之處理的結束後由於餘熱而導致在薄膜處產生非所期望之反應，而使薄膜之結晶構造安定，並降低搬送機器人等之破損。
〈發明者們所得到之知識〉
當藉由將複數種類之處理氣體(例如DCS氣體或NH3氣體)交互地對於基板作供給而在基板上形成薄膜(例如氮化矽膜)的情況時，係反覆進行有例如如圖9中所示一般之步驟a~d的4個步驟。亦即是，係將對於被搬入有基板之反應容器內而供給DCS氣體之工程(步驟a)、和對於反應容器內供給惰性氣體而將反應容器內洗淨之工程(步驟b)、和對於反應容器內供給NH3氣體之工程(步驟c)、以及對於反應容器內供給惰性氣體並將反應容器內洗淨之工程(步驟d)，設為一個循環，並藉由實施特定次數之此循環，而在基板上形成氮化矽膜。
通常，在反應容器內全體之洗淨(步驟b以及步驟d)，係需要耗費長時間。進而，在通常之基板處理中，係有必要將由步驟a~d所成之循環反覆進行數十次乃至數百次。因此，在基板之處理中會需要耗費長時間，而有使生產性降低的情況。又，當所使用之氣體的種類增加的情況時，於1個循環中的步驟數亦會增加，因此，在基板之處理中所耗費的時間會變得更長。為了將生產性提高，係有需要以高速來進行在各步驟中之氣體的供給和排氣， 但是，想要藉由此種手法來更進一步提高生產性一事，係日益變得困難。
又，在藉由上述之手法來在基板上形成薄膜的情況中，係有必要將基板加熱至特定之處理溫度(成膜溫度)。半導體裝置(元件)，係經過複數之工程而被建構，此事係為週知。因此，例如若是在後續之工程中而藉由較前一工程而更高之溫度來進行處理，則會有導致至此為止所被形成在基板上之元件構造等破損或者是導致被成膜於基板上之薄膜的特性有所改變的情況。因此，在後續之工程中，係要求藉由較至此為止之前工程而更低的溫度來進行處理。又，亦可想見到，處理對象之基板的尺寸，在將來會以450mm來代替現在的主流之300mm。此種大基板，可以想見，若是在藉由接觸面積為小之銷支持器等來作了支持的狀態下，而被進行加熱，則會產生熱疲乏。如此這般，可以預想到，低溫處理之要求，在今後亦會日益提高。
但是，若是以低溫來進行成膜等之處理，則處理氣體係不會充分地反應，而會有在反應容器內發生由於不完全之反應所導致的生成物等之異物的情況。若是此異物附著在基板上，則會有使所形成之薄膜的膜質降低的情況。例如，此種異物，係會有使所形成之薄膜的均質性或耐電壓特性劣化的情況。故而，想要以低溫來進行基板處理，係成為需要想辦法將此異物降低。又，在低溫下，由於處理氣體係並不會充分地產生反應，因此，係會有無法在基板 上形成膜的情況。
又，當在藉由上述之手法而於基板上形成薄膜之後，立即將基板從反應容器而搬出的情況時，會有在薄膜上產生非所期望之反應(例如氧化、雜質之擴散、結晶構造之變化等)的情況。此係因為，起因於在薄膜形成時而被進行加熱的基板之餘熱，被形成在基板上之薄膜會被維持於高溫之故。又，剛結束處理後之基板，由於被形成之薄膜的結晶構造係並不安定，因此，會有殘留在處理區域內之雜質等混入至膜中並使膜質降低的情況。進而，將基板搬出之搬送機器人等，會有由於熱而破損的情形。
本發明者們，係針對用以解決此些之課題的方法作了努力研究。
其結果，本發明者們，係得到了下述的知識：亦即是，藉由「在以使複數之處理區域以及和處理區域相同數量之洗淨區域交互作配列的方式來經由分割構造體而作了分割的反應容器內，將複數枚之基板搬入，並藉由基板支持體來將複數枚之基板在同一面上作並排支持，再一面對於處理區域內以及洗淨區域內分別供給處理氣體以及惰性氣體，一面使基板支持部旋轉而使基板在反應容器內移動」，係並不需要對於反應容器內全體進行洗淨(重置)，便能夠進行相當於上述之步驟a~d的工程，而能夠解決上述之相關於基板處理之生產性的課題。
又，本發明者們，係得到了下述之知識：亦即是，藉由「將一面把基板加熱至特定之處理溫度，一面對於基板 供給第1氣體之工程、和對於基板供給設為了電漿狀態之第2氣體之工程，交互實施特定之次數，來在基板上形成薄膜」，係能夠將成膜低溫化，並且亦解決在成膜時之異物的產生等之課題。
進而，本發明者們，係得到了下述之知識：亦即是，藉由「在結束了基板之處理後，對於基板供給惰性氣體來將完成處理之基板冷卻，並將冷卻後的基板從反應容器內搬出」，係能夠解決起因於成膜後之餘熱的上述課題。
本發明，係為根據本發明者們所得到之上述知識而進行者。
〈本發明之其中一種實施形態〉
以下，參考圖面，針對本發明之其中一種實施形態作說明。
(1)基板處理裝置之構成
圖1，係為本實施形態之叢集型的基板處理裝置之橫剖面圖。另外，在適用有本發明之基板處理裝置中，作為將身為基板之晶圓200作搬送的載體，係設為使用有FOUP(Front Opening Unified Pod，以下稱作盒(pod))。本實施形態之叢集型的基板處理裝置之搬送裝置，係被分成真空側和大氣側。在本說明書中之「真空」，係指工業上的真空。另外，為了方便說明，係將圖1之從真空搬送室103起而朝向大氣搬送室108的方向， 稱作前側。
(真空側之構成)
叢集型之基板處理裝置100，係具備有作為第1搬送室之真空搬送室103，該真空搬送室103，係構成為能夠將內部減壓至真空狀態等之未滿大氣壓之壓力(例如100Pa)的裝載鎖定腔構造。真空搬送室103之框體101，係被形成正視時為例如六角形之上下兩端被作了閉塞的箱形狀。
在構成真空搬送室103之框體101的六枚之側壁中，在位於前側處之二枚的側壁處，係分別被設置有能夠隔著閘閥126、127而與真空搬送室103相通連之裝載鎖定室122、123。
在真空搬送室103之另外四枚的側壁中，於二枚的側壁處，係分別被設置有能夠隔著閘閥244a、244b而與真空搬送室103相通連之製程腔202a、202b。製程腔202a、202b，係被設置有後述之處理氣體供給系、惰性氣體供給系、排氣系等。製程腔202a、202b，係如同後述一般，在1個的反應容器內而交互配列有複數之處理區域以及與處理區域同數量之洗淨區域。並且，係構成為使被設置在反應容器203內之作為基板支持部的支持器217旋轉，而使身為基板之晶圓200交互通過處理區域以及洗淨區域。藉由設為此種構成，處理氣體以及惰性氣體係被交互地供給至晶圓200處，並進行下述一般之基板處理。具 體而言，係進行在晶圓200上形成薄膜之處理、將晶圓200表面氧化、氮化、碳化等之處理、對於晶圓200表面進行蝕刻之處理等的各種基板處理。
在真空搬送室103之剩餘之二枚的側壁處，係分別被設置有能夠隔著閘閥244c、244d而與真空搬送室103相通連之冷卻室202c、202d。
在真空搬送室103內，係被設置有作為第1搬送機構之真空搬送機器人112。真空搬送機器人112，係構成為能夠在裝載鎖定室122、123，和製程腔202a、202b，以及冷卻室202c、202d之間，而同時搬送例如2枚的晶圓200(在圖1中以虛線作展示)。真空搬送機器人112，係構成為能夠經由升降器115來在維持真空搬送室103之氣密性的狀態下而作升降。又，在裝載鎖定室122、123之閘閥126、127，製程腔202a、202b之閘閥244a、244b，冷卻室202c、202d之閘閥244c、244d之各個的近旁處，係被設置有檢測出晶圓200之有無的未圖示之晶圓檢測感測器。亦將晶圓檢測感測器稱作基板檢測部。
裝載鎖定室122、123，係被構成為能夠將內部減壓至真空狀態等之未滿大氣壓之壓力(減壓)的裝載鎖定腔構造。亦即是，在裝載鎖定室之前側處，係隔著閘閥128、129而被設置有作為後述之第2搬送室的大氣搬送室121。因此，藉由在將閘閥126~129關閉並將裝載鎖定室122、123之內部作了真空排氣之後，將閘閥126、127開啟，係能夠在保持真空搬送室103之真空狀態的同時，而 在裝載鎖定室122、123和真空搬送室103之間搬送晶圓200。又，裝載鎖定室122、123，係作為將搬入至真空搬送室103內之晶圓200作暫時性收容的預備室而起作用。此時，係構成為：在裝載鎖定室122內，係於基板載置部140上載置晶圓200，在裝載鎖定室123內，係於基板載置部141上載置晶圓200。
(大氣側之構成)
在基板處理裝置100之大氣側處，係被設置有在略大氣壓下而作使用之作為第2搬送室的大氣搬送室121。亦即是，在裝載鎖定室122、123之前側(與真空搬送室103相異之側)處，係隔著閘閥128、129而被設置有大氣搬送室121。另外，大氣搬送室121，係被設置為能夠與裝載鎖定室122、123相通連。
在大氣搬送室121內，係被設置有將晶圓200作移載之作為第2搬送機構的大氣搬送機器人124。大氣搬送機器人124，係構成為經由被設置在大氣搬送室121中之未圖示的升降器而作升降，並且經由未圖示之線性致動器而朝向左右方向作往返移動。又，在大氣搬送室121之閘閥128、129的近旁處，係被設置有檢測出晶圓200之有無的未圖示之晶圓檢測感測器。亦將晶圓檢測感測器稱作基板檢測部。
又，在大氣搬送室121內，係作為晶圓200之位置的修正裝置，而被設置有缺口對位裝置106。缺口對位裝置 106，係藉由晶圓200之缺口，來對於晶圓200之結晶方向或對位等作掌握，並根據該所掌握之資訊來對晶圓200之位置作修正。另外，代替缺口對位裝置106，係亦可設置未圖示之定向平面(Orientation Flat)對位裝置。而，在大氣搬送室121之上部，係被設置有供給清淨空氣之未圖示的清淨單元。
在大氣搬送室121之框體125的前側處，係被設置有將晶圓200搬送至大氣搬送室121之內外的基板搬送口134、和開盒器108。挾持著基板搬送口134，在與開盒器108相反側處，亦即是在框體125之外側處，係被設置有裝載埠(I/O平台)105。在裝載埠105上，係被載置有將複數枚之晶圓200作收容的盒109。又，在大氣搬送室121內，係被設置有：將基板搬送口134作開閉之蓋135、將盒109之帽等作開閉之開閉機構143、驅動開閉機構143之開閉機構驅動部136。開盒器108，係藉由將被載置在裝載埠105上之盒109的帽作開閉，而使相對於盒109之晶圓200的進出成為可能。又，盒109，係成為經由未圖示之搬送裝置(RGV)，來相對於裝載埠105而進行搬入(供給)以及搬出(排出)。
主要藉由真空搬送室103、裝載鎖定室122、123、大氣搬送室121以及閘閥126~129，來構成本實施形態之基板處理裝置100的搬送裝置。
又，在基板處理裝置100之搬送裝置的構成各部處，係被電性連接有後述之控制部221。並且，係構成為對於 上述之構成各部的動作分別作控制。
(晶圓搬送動作)
接著，針對本實施形態之基板處理裝置100內的晶圓200之搬送動作作說明。另外，基板處理裝置100之搬送裝置的構成各部之動作，係經由控制部221而被作控制。
首先，例如收容有25枚之未處理的晶圓200之盒109，係經由未圖示之搬送裝置而被搬入至基板處理裝置100中。被搬入了的盒109，係被載置於裝載埠105上。開閉機構143，係將蓋135以及盒109之帽卸下，而將基板搬送口134以及盒109之晶圓出入口開放。
若是將盒109之晶圓出入口開放，則被設置在大氣搬送室121內之大氣搬送機器人124，係從盒109而拾起1枚之晶圓200，並載置在缺口對位裝置106上。
缺口對位裝置106，係使被載置了的晶圓200，朝向水平之縱橫方向(X方向、Y方向)以及圓周方向移動，而對於晶圓200之缺口位置等作調整。在藉由缺口對位裝置106而調整第1枚之晶圓200之位置的期間中，大氣搬送機器人124，係從盒109而拾起第2枚之晶圓200，並搬入至大氣搬送室121內，而在大氣搬送室121內待機。
在結束了藉由缺口對位裝置106所進行的第1枚之晶圓200之位置調整後，大氣搬送機器人124，係將缺口對位裝置106上之第1枚的晶圓200拾起。大氣搬送機器人124，係將此時大氣搬送機器人124所作保持之第2枚的 晶圓200，載置在缺口對位裝置106上。之後，缺口對位裝置106，係對於被作了載置的第2枚之晶圓200的缺口位置等進行調整。
接著，閘閥128係被開啟，大氣搬送機器人124，係將第1枚之晶圓200搬入至裝載鎖定室122內，並載置在基板載置部140上。在此移載作業中，真空搬送室103側之閘閥126係被關閉，真空搬送室103內之減壓氛圍係被維持。若是結束了第1枚之晶圓200的對於基板載置部140上之移載，則閘閥128係被關閉，裝載鎖定室122內，係經由未圖示之排氣裝置而被排氣，直到成為負壓為止。
之後，大氣搬送機器人124，係反覆進行上述之動作。但是，當裝載鎖定室122成為負壓狀態的情況時，大氣搬送機器人124，係並不實行對於裝載鎖定室122內之晶圓200的搬入，而是停止在裝載鎖定室122之正前方位置處並待機。
若是裝載鎖定室122內被減壓為預先所設定之壓力值(例如100Pa)，則閘閥126係被開啟，裝載鎖定室122和真空搬送室103係相通連。接著，被配置在真空搬送室103內之真空搬送機器人112，係將第1枚之晶圓200從基板載置部140而拾起，並搬入至真空搬送室103內。
在真空搬送機器人112從基板載置部140而將第1枚之晶圓200拾起後，閘閥126係被關閉，裝載鎖定室122內係回復至大氣壓，並在裝載鎖定室122內，進行為了將 下一枚晶圓200搬入之準備。於此並行地，成為特定之壓力(例如100Pa)的製程腔202a之閘閥244a係被開啟，真空搬送機器人112係將第1枚之晶圓200搬入至製程腔202a內。反覆進行此動作，直到在製程腔202a內被搬入了任意之枚數(例如5枚)的晶圓200為止。若是對於製程腔202a內之任意之枚數(例如5枚)的晶圓200之搬入結束，則閘閥244a係被關閉。之後，係從後述之氣體供給部而將處理氣體供給至製程腔202a內，並對於晶圓200施加特定之處理。
若是在製程腔202a中而結束特定之處理，並如同後述一般而在製程腔202a內結束了晶圓200之冷卻，則閘閥244a係被開啟。之後，係藉由真空搬送機器人112，而將完成處理之晶圓200從製程腔202a內來搬出至真空處理室103處。在搬出之後，閘閥244a係被關閉。
接著，閘閥127係被開啟，從製程腔202a所搬出之晶圓200，係被搬入至裝載鎖定室123內，並載置在基板載置部141上。另外，裝載鎖定室123，係經由未圖示之排氣裝置，而被減壓至預先所設定之壓力值。之後，閘閥127係被關閉，並從被與裝載鎖定室123作連接之未圖示的惰性氣體供給部而導入惰性氣體，以使裝載鎖定室123內之壓力回復至大氣壓。
若是裝載鎖定室123內之壓力回復至大氣壓，則閘閥129係被開啟。接著，大氣搬送機器人124係將完成處理之晶圓200從基板載置部141上而拾起，並搬出至大氣搬 送室121內，之後，閘閥129係被關閉。之後，大氣搬送機器人124，係通過大氣搬送室121之基板搬送口134，而將完成處理之晶圓200收容在盒109中。於此，盒109之帽，係亦可設為一直開啟，直到最大25枚之晶圓200被送回為止，又，亦可設為並不收容在空的盒109中地來將晶圓送回至原本所搬出之盒109中。
若是經由前述之工程而使盒109內之全部的晶圓200被施加特定之處理，且完成處理之25枚的晶圓200係全部被收容至特定之盒109中，則係經由開閉機構143來將盒109之帽和基板搬送口134之蓋135關閉。之後，盒109，係從裝載埠105上而經由未圖示之搬送裝置來搬送至下一工程處。藉由反覆進行以上動作，晶圓200係一次25枚地依序被作處理。
(2)製程腔之構成
接著，針對本實施形態之作為處理爐的製程腔202a之構成，主要使用圖2~圖4來作說明。圖2，係為本實施形態的反應容器之概略立體圖。圖3，係為本實施形態的處理爐之橫剖面概略圖。圖4，係為本實施形態的處理爐之縱剖面概略圖，並為圖3中所示之處理爐的A-A’線剖面圖。另外，關於製程腔202b，由於係設為與製程腔202a相同之構成，因此係省略其說明。
(反應容器)
如圖2~圖4中所示一般，作為處理爐之製程腔202a，係具備有圓筒狀之身為氣密容器的反應容器203。在反應容器203內，係被形成有晶圓200之處理空間。在反應容器203內之處理空間的上側處，係被設置有從中心部起而輻射狀延伸之4枚的區隔板205。4枚的區隔板205，係構成為將反應容器203內之處理空間，區隔成第1處理區域201a、第1洗淨區域204a、第2處理區域201b、第2洗淨區域204b。亦即是，4枚的區隔板205，係分別作為將反應容器203內分割成第1處理區域201a、第1洗淨區域204a、第2處理區域201b、第2洗淨區域204b的分割構造體而被使用。另外，第1處理區域201a、第1洗淨區域204a、第2處理區域201b、第2洗淨區域204b，係以沿著後述之支持器217的旋轉方向而依上述順序來作配列的方式，亦即是將處理區域和洗淨區域交互作配列的方式，而被構成。
如同後述一般，藉由使支持器217旋轉，被載置在支持器217上之晶圓200，係成為依照第1處理區域201a、第1洗淨區域204a、第2處理區域201b、第2洗淨區域204b之順序而移動。又，如同後述一般，係構成為：在第1處理區域201a內，係被供給有作為第1氣體之第1處理氣體，在第2處理區域201b內，係被供給有作為第2氣體之第2處理氣體，在第1洗淨區域204a內以及第2洗淨區域204b內，係被供給有惰性氣體。因此，藉由使支持器217旋轉，在晶圓200上，係成為依序被供給有第1 處理氣體、惰性氣體、第2處理氣體、惰性氣體。針對支持器217以及氣體供給系之構成，係於後再述。
在區隔板205之端部和反應容器203的側壁之間，係被設置有特定之寬幅的空隙，並構成為能夠使氣體通過此空隙。設為經由此空隙，而使惰性氣體從第1洗淨區域204a內以及第2洗淨區域204b內來朝向第1處理區域201a內以及第2處理區域201b內噴出。藉由設為此種構成，係能夠對於處理氣體之侵入至第1洗淨區域204a內以及第2洗淨區域204b內的情況作抑制，而能夠對處理氣體之反應或者是由於該反應所導致的異物之產生作抑制。
另外，在本實施形態中，雖係將各區隔板205之間的角度分別設為90度，但是，本發明係並不被限定於此。亦即是，亦可考慮到對於晶圓200之各種氣體的供給時間等，來例如將形成第2處理區域201b之2枚的區隔板205之間的角度增大等，而作適宜的變更。
(支持器)
如圖2~圖4中所示一般，在區隔板205之下側、亦即是反應容器203內之底側中央處，係被設置有於反應容器203之中心處而具備旋轉軸之中心並構成為可自由旋轉的支持器217。亦將支持器217稱作基板支持部。支持器217，係以能夠降低晶圓200之金屬污染的方式，而例如藉由氮化鋁(AlN)、陶瓷、石英等之非金屬材料來形 成。另外，支持器217，係被與反應容器203作電性絕緣。
支持器217，係構成為在反應容器203內，將複數枚(在本實施形態中，例如係為5枚)的晶圓200，在同一面上且同一圓周上作並排支持。於此，所謂同一面上，係並非被限定為完全同一面者。例如，只要在從上面而對於支持器217作觀察時，如圖2以及圖3中所示一般，使複數枚之晶圓200以不會相互重疊的方式來作並排即可。
另外，在支持器217表面之晶圓200的支持位置處，係亦可設置未圖示之圓形狀的凹部。此凹部，係以構成為使其之直徑相較於晶圓200之直徑而更些許大為理想。藉由將晶圓200載置於此凹部內，係能夠容易地進行晶圓200之定位。另外，在使支持器旋轉時，雖會在晶圓200處產生離心力，但是，藉由將晶圓200載置於凹部內，係能夠防止由於離心力所導致的晶圓200之位置偏移。
如圖4中所示一般，在支持器217處，係被設置有使支持器217升降之升降機構268。在支持器217處，係被設置有複數之貫通孔217a。在上述之反應容器203的底面處，係被設置有複數之晶圓突起舉升銷266。晶圓突起舉升銷266，係在對於反應容器203內之晶圓200的搬入、搬出時，將晶圓200突起舉升，並支持晶圓200之背面。貫通孔217a以及晶圓突起舉升銷266，係以當晶圓突起舉升銷266上升時或者是藉由升降機構268而使支持器217下降時，晶圓突起舉升銷266會以與支持器217非接觸之 狀態來突出貫穿貫通孔217a的方式，而相互作配置。
在升降機構268處，係被設置有使支持器217旋轉之旋轉機構267。旋轉機構267之未圖示的旋轉軸，係被與支持器217連接，並構成為能夠藉由使旋轉機構267動作來使支持器217旋轉。在旋轉機構267處，後述之控制部221，係經由聯結部267a而被作連接。聯結部267a，係作為將旋轉側和固定側之間藉由金屬刷等來作電性連接之集電環機構而被構成。藉由此，而成為不會對於支持器217之旋轉造成妨礙。控制部221，係構成為以使支持器217以特定之速度來作特定時間之旋轉的方式，來控制對於旋轉機構267之通電程度。如同上述一般，藉由使支持器217旋轉，被載置在支持器217上之晶圓200，係成為依照第1處理區域201a、第1洗淨區域204a、第2處理區域201b、第2洗淨區域204b之順序而移動。
(加熱部)
在支持器217之內部，係被一體性地埋入有作為加熱部之加熱器218，並構成為能夠加熱晶圓200。若是對於加熱器218供給電力，則係成為將晶圓200之表面一直加熱至特定溫度(例如室溫~1000℃程度)。另外，加熱器218，係亦能夠以對於被載置在支持器217上之各個晶圓200而個別進行加熱的方式，來在同一面上設置複數個(例如5個)。
在支持器217處，係被設置有溫度感測器274。在加 熱器218以及溫度感測器274處，係經由電力供給線222，而被電性連接有溫度調整器223、電極調整器224以及加熱器電源225。構成為根據藉由溫度感測器274所檢測出之溫度資訊，來控制對於加熱器218之通電程度。
(氣體供給部)
在反應容器203之上側處，係被設置有氣體供給部250，該氣體供給部250，係具備有第1處理氣體導入部251、和第2處理氣體導入部252、和惰性氣體導入部253。氣體供給部250，係被氣密地設置在被開通設置於反應容器203之上側的開口處。在第1處理氣體導入部251之側壁處，係被設置有第1氣體噴出口254。在第2處理氣體導入部252之側壁處，係被設置有第2氣體噴出口255。在惰性氣體導入部253之側壁處，第1惰性氣體噴出口256以及第2惰性氣體噴出口257，係以分別相對向的方式而被設置。氣體供給部250，係構成為：從第1處理氣體導入部251來對於第1處理區域201a內供給第1處理氣體，並從第2處理氣體導入部252來對於第2處理區域201b內供給第2處理氣體，且從惰性氣體導入部253來對於第1洗淨區域204a內以及第2洗淨區域204b內供給惰性氣體。氣體供給部250，係能夠將各處理氣體以及惰性氣體並不相互混合地而個別作供給。又，氣體供給部250，係構成為能夠將各處理氣體以及惰性氣體並行地作供給。
(處理氣體供給系)
在第1處理氣體導入部251之上游側，係被連接有第1氣體供給管232a。在第1氣體供給管232a之上游側，係從上游方向起而依序被設置有原料氣體供給源233a、身為流量控制器(流量控制部)之質量流控制器(MFC)234a、以及身為開閉閥之閥235a。
從第1氣體供給管232a，作為第1氣體(第1處理氣體)，例如係將含有矽之氣體，經由質量流控制器234a、閥235a、第1氣體導入部251以及第1氣體噴出口254，而供給至第1處理區域201a內。作為含有矽之氣體，例如係可使用三甲矽烷基氨((SiH3)3N，略稱TSA)氣體。另外，第1處理氣體，在常溫常壓下係可為固體、液體以及氣體之任一者，但是，於此係作為氣體來說明。當第1處理氣體在常溫常壓下係為液體的情況時，只要在原料氣體供給源233a和質量流控制器234a之間設置未圖示之氣化器即可。
另外，作為含有矽之氣體，除了TSA氣體以外，例如亦可使用身為有機矽材料之六甲基二矽氮烷(C6H19NSi2、略稱HMDS)氣體等。
在第2處理氣體導入部252之上游側，係被連接有第2氣體供給管232b。在第2氣體供給管232b之上游側，係從上游方向起而依序被設置有原料氣體供給源233b、身為流量控制器(流量控制部)之質量流控制器(MFC) 234b、以及身為開閉閥之閥235b。
從第2氣體供給管232b，作為第2氣體(第2處理氣體)，例如係將身為含有氧之氣體的氧氣(O2)，經由質量流控制器234b、閥235b、第2氣體導入部252以及第2氣體噴出口255，而供給至第2處理區域201b內。身為第2處理氣體之氧氣，係藉由上述之電漿產生部206而被設為電漿狀態，並被供給至晶圓200處。另外，身為第2處理氣體之氧氣，係亦可將加熱器218之溫度以及反應容器203內之壓力調整至特定之範圍，並藉由熱來使其活性化。另外，作為含有氧之氣體，係亦可使用臭氧(O3)氣體或水蒸氣(H2O)。
主要藉由第1氣體供給管232a、質量流控制器234a以及閥235a，來構成第1處理氣體供給系(亦稱作含矽氣體供給系)。另外，亦可將原料氣體供給源233a、第1處理氣體導入部251、第1氣體噴出口254視為包含在第1處理氣體供給系中。又，主要藉由第2氣體供給管232b、質量流控制器234b以及閥235b，來構成第2處理氣體供給系(亦稱作含氧氣體供給系)。另外，亦可將原料氣體供給源233b、第2氣體導入部252、第2氣體噴出口255視為包含在第2處理氣體供給系中。進而，主要藉由第1氣體供給系以及第2氣體供給系，來構成處理氣體供給系。
(惰性氣體供給系)
在惰性氣體導入部253之上游側，係被連接有第1惰性氣體供給管232c。在第1惰性氣體供給管232c之上游側，係從上游方向起而依序被設置有惰性氣體供給源233c、身為流量控制器(流量控制部)之質量流控制器(MFC)234c、以及身為開閉閥之閥235c。
從第1惰性氣體供給管232c，作為惰性氣體，例如係將氮氣(N2)，經由質量流控制器234c、閥235c、惰性氣體導入部253、第1惰性氣體噴出口256以及第2惰性氣體噴出口257，而分別供給至第1洗淨區域204a以及第2洗淨區域204b內。被供給至第1洗淨區域204a內以及第2洗淨區域204b內之惰性氣體，係在後述之成膜工程(S30)中作為洗淨氣體而起作用。又，在成膜後之基板冷卻工程(S40)中，係作為冷卻氣體而起作用。另外，作為惰性氣體，除了N2氣體以外，例如亦可使用He氣體、Ne氣體、Ar氣體等之稀有氣體。
在第1氣體供給管232a之較閥235a更下游側處，係被連接有第2惰性氣體供給管232d之下游端。第2惰性氣體供給管232d之上游端，係被連接於第1惰性氣體供給系之質量流控制器234c和閥235c之間。在第2惰性氣體供給管232d處，係被設置有身為開閉閥之閥235d。
從第2惰性氣體供給管232d，作為惰性氣體，例如係將N2氣體，經由質量流控制器234c、閥235d、第1氣體供給管232a、第1氣體導入部251以及第1氣體噴出口254，而供給至第1處理區域201a內。被供給至第1處理 區域201a內之惰性氣體，在成膜工程(S30)中，係作為載體氣體或稀釋氣體而起作用。又，在成膜後之基板冷卻工程(S40)中，係作為冷卻氣體而起作用。
又，在第2氣體供給管232b之較閥235b更下游側處，係被連接有第3惰性氣體供給管232e之下游端。第3惰性氣體供給管232a之上游端，係被連接於第1惰性氣體供給系之質量流控制器234c和閥235c之間。在第3惰性氣體供給管232e處，係被設置有身為開閉閥之閥235e。
從第3惰性氣體供給管232e，作為惰性氣體，例如係將N2氣體，經由質量流控制器234c、閥235e、第2氣體供給管232b、第2氣體導入部252以及第2氣體噴出口255，而供給至第2處理區域201b內。被供給至第2處理區域201b內之惰性氣體，係與被供給至第1處理區域201a內之惰性氣體相同的，在成膜工程(S30)中，係作為載體氣體或稀釋氣體而起作用，又，在成膜後之基板冷卻工程(S40)中，係作為冷卻氣體而起作用。
主要藉由第1惰性氣體供給管232c、質量流控制器234c以及閥235c，來構成第1惰性氣體供給系。另外，亦可將惰性氣體供給源233c、惰性氣體導入部253、第1惰性氣體噴出口256、第2惰性氣體噴出口257視為包含在第1惰性氣體供給系中。又，主要藉由第2惰性氣體供給管232d以及閥235d，來構成第2惰性氣體供給系。另外，亦可將惰性氣體供給源233c、質量流控制部234c、 第1氣體供給管232a、第1氣體導入部251以及第1氣體噴出口254，視為包含在第2惰性氣體供給系中。又，主要藉由第3惰性氣體供給管232e以及閥235e，來構成第3惰性氣體供給系。另外，亦可將惰性氣體供給源233c、質量流控制部234c、第2氣體供給管232b、第2氣體導入部252以及第2氣體噴出口255，視為包含在第3惰性氣體供給系中。進而，主要藉由第1~第3惰性氣體供給系，來構成惰性氣體供給系。
(電漿產生部)
如圖3中所示一般，在第2處理區域201b之上方，係被設置有將所供給而來之處理氣體設為電漿狀態的電漿產生部206。藉由設為電漿狀態，係能夠以低溫來進行晶圓200之處理。電漿產生部206，係如圖5中所示一般，至少具備有一對之相對向的梳型電極207a、207b。在梳型電極207a、207b處，係被電性連接有絕緣變壓器208之二次側輸出。係構成為：高頻電源209所輸出之交流電力，若是經由整合器210而被供給至梳型電極207a、207b處，則會在梳型電極207a、207b之周邊處產生電漿。
梳型電極207a、207b，較理想，係在與被支持在支持器217上之晶圓200的處理面相距5mm以上25mm以下之高度位置處，以與晶圓200之處理面相對向的方式來作配置。如此這般，若是將梳型電極207a、207b設置在晶圓200之處理面的極近旁處，則係能夠對於被活性化了的處 理氣體在到達晶圓200之前而失活的情況作抑制。
另外，梳型電極207a、207b之電極的根數、寬幅、各電極之間隔，係可因應於處理條件等而適宜作變更。又，電漿產生部206之構成，係並不被限定於在第2處理區域201b內而具備有梳狀電極207a、207b之上述的構成。亦即是，只要是能夠對於被支持在支持器217上之晶圓200的處理面供給電漿者即可，亦可為被設置在處理氣體供給系之途中等處的遠端遙控電漿機構。在使用有遠端遙控電漿機構的情況時，係成為能夠將第2處理區域201b縮小。
(排氣系)
如圖4中所示一般，在反應容器203中，係被設置有將處理區域201a、201b以及洗淨區域204a、204b內的氛圍作排氣之排氣管231。在排氣管231處，係經由作為將反應容器203內(處理區域201a、201b內以及洗淨區域204a、204b內)之壓力檢測出來的壓力檢測器(壓力檢測部)之壓力感測器245、以及作為壓力調整器(壓力調整部)之APC(Auto Pressure Controller)閥243，而被與作為真空排氣裝置之真空幫浦246作連接，並構成為能夠以使反應容器203內之壓力成為特定之壓力(真空度)的方式來進行真空排氣。另外，APC閥243，係為能夠將閥作開閉而開始反應容器203內之真空排氣或者是停止真空排氣，且亦進而能夠對於閥開度作調節而進行壓力調整之 開閉閥。主要藉由排氣管231、APC閥243以及壓力感測器245，而構成排氣系。另外，亦可將真空幫浦246視為包含在排氣系中。
(控制部)
如圖6中所示一般，身為控制部(控制手段)之控制器221，係作為具備有CPU(Central Processing Unit)221a、RAM(Random Access Memory)221b、記憶裝置221c、I/O埠221d的電腦，而被構成。RAM221b、記憶裝置221c、I/O埠221d，係構成為能夠透過內部匯流排221e來與CPU221a進行資料交換。在控制器221處，係被連接有作為例如觸控面板等而構成的輸入輸出裝置228。
記憶裝置221c，例如係藉由快閃記憶體、HDD(Hard disk drive)等而構成。在記憶裝置221c內，係可讀出地而被收容有對於基板處理裝置100之動作作控制的控制程式或者是被記載有後述之基板處理之程序或條件等的製程配方等。另外，製程配方，係為以使控制器221實行後述之基板處理工程中的各處理程序並能夠得到特定之結果的方式而作了組合者，並作為程式而起作用。以下，亦將此製程配方或控制程式等單純總稱為程式。另外，當在本說明書中而使用「程式」一詞的情況時，係存在有僅包含製程配方單體之情況、只包含控制程式單體之情況、或者是包含有雙方的情況。又，RAM221b，係作為將經由 CPU221a所讀出之程式或資料等作暫時性保存的記憶區域(工作區域)而被構成。
I/O埠221d，係被與上述之質量流控制器234a、234b、234c，閥235a、235b、235c、235d、235e，壓力感測器245，APC閥243，真空幫浦246，加熱器218，溫度感測器274，旋轉機構267，升降機構268，高頻電源209，整合器210，加熱器電源225等作連接。
CPU221a，係構成為：將控制程式從記憶裝置221c而讀出並實行，並且因應於從輸入輸出裝置228而來之操作指令的輸入等，而從記憶裝置221c讀出製程配方。並且，CPU221a，係構成為以依據所讀出之製程配方的內容，來對於由質量流控制器234a、234b、234c所進行的各種氣體之流量調整動作，閥235a、235b、235c、235d、235e之開閉動作，APC閥243之開閉以及基於壓力感測器245所進行之壓力調整動作，基於溫度感測器274之加熱器218的溫度調整動作，真空幫浦246之啟動、停止，旋轉機構267之旋轉速度調節動作，升降機構268之升降動作，高頻電源209之電力供給，由加熱器電源225所進行之電力供給，而進行控制，並進行由整合器210所致之阻抗控制。
另外，控制器221，係並不被限定於作為專用之電腦而構成的情況，亦可作為汎用之電腦來構成之。例如，係可準備儲存有上述之程式的外部記憶裝置(例如，磁帶、軟碟或硬碟等之磁碟片、CD或DVD等之光碟片、MO等 之光磁碟片、USB記憶體或記憶卡等之半導體記憶體)229，並使用該外部記憶裝置229來將程式安裝至汎用之電腦中，而藉由此來構成本實施形態之控制器221。另外，用以對於電腦供給程式之手段，係並不被限定於經由外部記憶裝置229來作供給的情況。例如，亦可設為使用網際網路或專用線路等之通訊手段，來並不經由外部記憶裝置229地而供給程式。另外，記憶裝置221c或外部記憶裝置229，係作為電腦可讀取之記錄媒體而被構成。以下，將此些單純總稱為記錄媒體。另外，當在本說明書中而使用「記錄媒體」一詞的情況時，係存在有僅包含記憶裝置221c單體之情況、只包含外部記憶裝置229單體之情況、或者是包含有雙方的情況。
(3)基板處理工程
接著，作為本實施形態之半導體製造工程的其中一工程，針對使用具備有上述之反應容器203的製程腔202a所實施之基板處理工程，使用圖7以及圖8來作說明。圖7，係為對於本實施形態之基板處理工程作展示的流程圖，圖8，係為對於在本實施形態之基板處理工程中的成膜工程以及基板冷卻工程中之對於基板的處理作展示之流程圖。另外，在以下之說明中，構成基板處理裝置100之製程腔202a的各部分之動作，係藉由控制器221而被控制。
於此，係針對作為第1處理氣體而使用身為含有矽之 氣體的三甲矽烷基氨(TSA)氣體，並作為第2處理氣體而使用身為含有氧之氣體的氧氣，來在晶圓200上作為絕緣膜而形成SiO膜之例子作說明。
(基板搬入、載置工程(S10))
首先，使晶圓突起舉升銷266一直上升至晶圓200之搬送位置處，並使晶圓突起舉升銷266貫通支持器217之貫通孔217a。其結果，晶圓突起舉升銷266，係成為相較於支持器217之表面而更突出了特定之高度的狀態。接著，開啟閘閥244a，並使用真空搬送機器人112，來將特定枚數(例如5枚)之晶圓200搬入至反應容器203內。之後，將支持器217之未圖示的旋轉軸作為中心，來將各晶圓200以不會重疊的方式而載置在支持器217之同一面上。藉由此，晶圓200，係在從支持器217之表面而突出了的晶圓突起舉升銷266上，被以水平姿勢作支持。
若是將晶圓200搬入至反應容器203內，則係使真空搬送機器人112退避至反應容器203之外，並關閉閘閥244a，而將反應容器203內密閉。之後，使晶圓突起舉升銷266下降，並將晶圓200載置在第1處理區域201a、第1洗淨區域204a、第2處理區域201b、第2洗淨區域204b之各底面的支持器217上。
另外，在將晶圓200搬入至反應容器203內時，較理想，係一面藉由排氣部來將反應容器203內排氣，一面從惰性氣體供給系來對於反應容器203內供給作為洗淨氣體 之N2氣體。具體而言，係藉由使真空幫浦246動作並將APC閥243開啟，而將反應容器203內作排氣。與此並行地，藉由至少將第1惰性氣體供給系之閥235c開啟，而對於反應容器203內供給N2氣體。係以如此這般地來供給N2氣體為理想。藉由此，係成為能夠抑制粒子之對於處理區域201內的侵入或者是對於晶圓200上之附著。於此，係亦可更進而從第2惰性氣體供給系以及第3惰性氣體供給系來供給惰性氣體。另外，真空幫浦246，係至少在從基板搬入、載置工程(S10)起而直到後述之基板搬出工程(S50)結束為止的期間中，恆常被設定為動作之狀態。
(升溫、壓力調整工程(S20))
接著，對於被埋入至支持器217之內部的加熱器218供給電力，並以使晶圓200之表面成為特定之溫度(例如200℃以上400℃以下)的方式來進行加熱。此時，加熱器218之溫度，係經由根據藉由溫度感測器274所檢測出之溫度資訊來控制對於加熱器218之通電程度，而被作調整。
另外，在藉由矽所構成之晶圓200的加熱處理中，若是將表面溫度加熱至750℃以上，則會有在被形成於晶圓200之表面上的源極區域或汲極區域等處產生擴散，並導致電路特性劣化而使半導體元件之性能降低的情況。藉由將晶圓200之溫度如同上述一般地作限制，係能夠對於在 被形成於晶圓200之表面上的源極區域或汲極區域等處之雜質的擴散、電路特性的劣化、半導體元件之性能的降低作抑制。
又，以使反應容器203內成為所期望之壓力(例如0.1Pa~300Pa，較理想為20Pa~40Pa)的方式，來經由真空幫浦246而將反應容器203內作真空排氣。此時，反應容器203內之壓力，係藉由圖中被省略之壓力感測器來作測定，並根據此測定出之壓力資訊，來對於APC閥243之開度作反饋控制。
又，係一面加熱晶圓200，一面使旋轉機構267動作並開始支持器217之旋轉。此時，支持器217之旋轉速度，係經由控制器221而被作控制。支持器217之旋轉速度，例如係為1旋轉/秒。另外，支持器217，係在直到後述之基板冷卻工程(S40)結束為止的期間中，而恆常被設為作旋轉的狀態。藉由使支持器217旋轉，晶圓200，係成為依照第1處理區域201a、第1洗淨區域204a、第2處理區域201b、第2洗淨區域204b之順序而移動，晶圓200係通過各區域。
(成膜工程(S30))
接著，以對於第1處理區域201a內，供給作為第1處理氣體之TSA氣體，並對於第2處理區域201b內，供給作為第2處理氣體之氧氣，而在晶圓200上成膜SiO膜之工程為例，來作說明。另外，在以下之說明中，TSA氣 體之供給、氧氣之供給、惰性氣體之供給，係同時進行。
若是將晶圓200加熱而到達所期望之溫度，並使支持器217到達所期望之旋轉速度，則係至少將閥235a、235b以及235c開啟，並開始處理氣體以及惰性氣體之對於處理區域201以及洗淨區域204的供給。具體而言，係開啟閥235a而對於第1處理區域201a內進行TSA氣體之供給，並與此並行地而開啟閥235b並對於第2處理區域201b內進行氧氣之供給。進而，開啟閥235c，並對於第1洗淨區域204a以及第2洗淨區域204b內供給身為惰性氣體之N2氣體。此時，係對於APC閥243作適當的調整，而將反應容器203內之壓力設為例如10Pa~1000Pa之範圍內的壓力。加熱器218之溫度，係設定為會使晶圓200之溫度成為例如200℃~400℃之範圍內的溫度一般之溫度。
TSA氣體，係開啟閥235a，並一面從第1氣體供給管232a來經由第1氣體導入部251以及第1氣體噴出口254而將TSA氣體供給至第1處理區域201a中，一面從排氣管231而排氣。此時，係以使TSA氣體之流量成為特定之流量的方式，來對於質量流控制器234a作調整。另外，藉由質量流控制器234a所控制之TSA氣體的供給流量，例如係設為100sccm~5000sccm之範圍內的流量。
較理想，在將TSA氣體供給至第1處理區域201a內時，係開啟閥235d，並從第2惰性氣體供給管232d而將作為載體氣體或稀釋氣體之N2氣體供給至第1處理區域 201a內。藉由此，係能夠促進TSA氣體之對於第1處理區域201a內的供給。
又，係開啟閥235a以及閥235b，並一面從第2氣體供給管232b來經由第2氣體導入部252以及第2氣體噴出口255而將氧氣供給至第2處理區域201b中，一面從排氣管231而排氣。此時，係以使氧氣之流量成為特定之流量的方式，來對於質量流控制器234b作調整。另外，藉由質量流控制器234b所控制之氧氣的供給流量，例如係設為1000sccm~10000sccm之範圍內的流量。
較理想，在將氧氣供給至第2處理區域201b內時，係開啟閥235e，並從第3惰性氣體供給管232e而將作為載體氣體或稀釋氣體之N2氣體供給至第2處理區域201b內。藉由此，係能夠促進氧氣之對於第2處理區域201b內的供給。
又，係開啟閥235a以及閥235b，並進而開啟閥235c，而一面將作為洗淨氣體之身為惰性氣體的N2氣體，從第1惰性氣體供給管232c，來經由惰性氣體導入部253、第1惰性氣體噴出口256以及第2惰性氣體噴出口257，而分別供給至第1洗淨區域204a以及第2洗淨區域204b內，一面進行排氣。此時，係以使N2氣體之流量成為特定之流量的方式，來對於質量流控制器234c作調整。另外，係經由區隔板205之端部和反應容器203之側壁間的空隙，而使惰性氣體從第1洗淨區域204a內以及第2洗淨區域204b內來朝向第1處理區域201a內以及第 2處理區域201b內噴出。藉由此，係能夠對於處理氣體之侵入至第1洗淨區域204a內以及第2洗淨區域204b內的情況作抑制。
與氣體之供給開始同時地，而從高頻電源209來對於被設置在第2處理區域201b之上方的電漿產生部206之電極207a、207b供給高頻電力。被供給至第2處理區域201b內並通過了電漿產生部206之下方的氧氣，係在第2處理區域201b內成為電漿狀態，被包含於其之中的活性種係被供給至晶圓200處。另外，從高頻電源209而施加於一對之梳型電極207a、207b之間的高頻電力，係設定為例如成為50W~1000W之範圍內的電力。
氧氣，其反應溫度係為高，在上述一般之晶圓200的處理溫度、反應容器203內的壓力下，係難以產生反應。但是，若是如同本實施形態一般，將氧氣設為電漿狀態並將包含於其中之活性種作供給，則例如就算是在400℃以下之溫度區間，亦能夠進行成膜處理。另外，當第1處理氣體和第2處理氣體所要求之處理溫度為相異的情況時，若是配合於處理溫度較低者的處理氣體之溫度，來對於加熱器218作控制，並將需要將處理溫度增高之另外一方的處理氣體，設為電漿狀態來作供給，則為理想。如此這般，藉由利用電漿，係能夠以低溫來對於晶圓200進行處理。藉由以低溫來進行處理，係能夠將對於具有鋁等之熱耐性為弱的配線等之晶圓200的熱損傷作抑制。又，係能夠對由於處理氣體之不完全反應所導致的生成物等之異物 的發生作抑制，而能夠使形成在晶圓200上之薄膜的均質性或耐電壓特性等提升。又，經由被設為電漿狀態之氧氣的高氧化力，係能夠將氧化處理時間縮短，諸如此類，而能夠將基板處理之生產性提升。
如同上述一般，藉由使支持器217旋轉，晶圓200，係成為依照第1處理區域201a、第1洗淨區域204a、第2處理區域201b、第2洗淨區域204b之順序而反覆作移動。因此，如圖8中所示一般，對於晶圓200，係成為將TSA氣體之供給、N2氣體之供給(洗淨)、被設為電漿狀態的氧氣之供給、N2氣體之供給(洗淨)，交互地作特定次數之實施。
首先，對於通過了第1處理區域201a之晶圓200表面，係供給有TSA氣體，在晶圓200上係被形成含有矽之層。
接著，被形成了含有矽之層的晶圓200，係通過第1洗淨區域204a。此時，對於晶圓200係供給有身為惰性氣體之N2氣體。
接著，對於通過了第2處理區域201b之晶圓200，係供給有氧氣，在晶圓200上係被形成矽氧化層(SiO層)。亦即是，氧氣，係與在第1處理區域201a處而被形成於晶圓200上之含有矽之層的至少一部份起反應。藉由此，含有矽之層係被氧化，並被改質為含有矽以及氧之SiO層。
之後，在第2處理區域201b處而被形成了SiO層之 晶圓200，係通過第2洗淨區域204b。此時，對於晶圓200係供給有身為惰性氣體之N2氣體。
如此這般，係可將支持器217之1圈旋轉作為1個循環，而成膜SiO膜。亦即是，係將晶圓200之對於第1處理區域201a、第1洗淨區域204a、第2處理區域201b、第2洗淨區域204b的通過，作為1個循環，並藉由將此循環進行至少1次以上，而能夠在晶圓200上成膜特定膜厚之SiO膜。
在晶圓200上形成了所期望之膜厚的SiO膜之後，至少將閥234a以及閥235b關閉，而將對於第1處理區域201a以及第2處理區域201b之TSA氣體以及氧氣的供給停止。此時，係亦停止對於梳型電極207a、207b之電力供給。進而，係對於加熱器218之通電量作控制並將溫度降低，或者是將對於加熱器218之通電停止。另外，若是將TSA氣體以及氧氣之流量，設為不會在晶圓200上成膜SiO膜之程度的流量，則亦可持續對於第1處理區域201a以及第2處理區域201b作供給，藉由此，係能夠將生產性更進一步作提升。
(基板冷卻工程(S40))
如圖7以及圖8中所示一般，在上述之成膜工程(S30)結束後，在將晶圓200載置於支持器217上的狀態下，對於第1洗淨區域204a以及第2洗淨區域204b供給作為冷卻氣體之N2氣體。如此這般，而將被形成了SiO 膜之完成處理的晶圓200冷卻。
於此，係將閥235a以及閥235b關閉，並停止TSA氣體以及氧氣之供給。將閥235c維持為開，並一面從第1惰性氣體供給管232c來將藉由質量流控制器234c而作了流量控制之N2氣體對於第1洗淨區域204a以及第2洗淨區域204b作供給，一面進行排氣。此時，如同上述一般，係持續支持器217之旋轉。藉由此，係能夠對於TSA氣體或氧氣之消耗、以及由於TSA氣體和氧氣間之反應所導致的副生成物之產生作抑制，並且，係能夠將被形成有SiO膜之完成處理的晶圓200，在反應容器203內而急速地冷卻。
此時，亦可更進而開啟閥235d、235e，並從第2惰性氣體供給管232d以及第3惰性氣體供給管232e來將作為冷卻氣體之N2氣體供給至第1處理區域201a內以及第2處理區域201b內。藉由此，係能夠將完成處理之晶圓200更為急速地冷卻。
如此這般，藉由供給作為冷卻氣體之惰性氣體(N2氣體)，係能夠在反應容器203內而將完成處理之晶圓200急速地冷卻。而，在結束了成膜工程(S30)之後，係能夠對於在被形成有薄膜之晶圓200上之非所期望的反應之發生作抑制。亦即是，藉由將被形成有薄膜之完成處理的晶圓200以惰性氣體來從薄膜側起而將晶圓200急速地冷卻，係能夠對由於積蓄在晶圓200中之餘熱所導致的薄膜之溫度的上升作抑制。故而，係能夠對於在結束了成膜處 理之晶圓200的薄膜上而產生非所期望之反應的情況作抑制，而能夠抑制晶圓200之膜質的降低。所謂非所期望之反應，例如，係指由於餘熱而導致反應容器203內之氛圍和被形成在晶圓200上之膜產生反應一事。
又，藉由將完成處理之晶圓200急速地冷卻，係能夠使被形成在晶圓200上之薄膜的結晶構造迅速地安定化。藉由此，係能夠防止殘存於第1處理區域201a以及第2處理區域201b內的處理氣體或者是在反應容器內所產生之不必要的副生成物，侵入至在被形成於晶圓200上之薄膜中。故而，係能夠更加抑制晶圓200之膜質的降低。
進而，當在後述之基板搬出工程(S50)中而將晶圓200從反應容器203內搬出時，係能夠避免由於熱所導致之真空搬送機器人112等的構成構件之破損的發生。又，係能夠將對於該些構成構件所要求的耐熱性降低。
(基板搬出工程(S50))
之後，使晶圓突起舉升銷266上升，並將晶圓200支持在從支持器217之表面所突出的晶圓突起舉升銷266上。之後，開啟閘閥244a，並使用真空搬送機器人112來將晶圓200搬出至反應容器203之外，而結束本實施形態之基板處理工程。另外，於上述記載中，晶圓200之溫度、反應容器203內之壓力、各氣體之流量、施加在電極207a、207b處之電力、處理時間等之條件等，係依存於改質對象之膜的材料或膜厚等而任意作調整。
〈4〉本實施形態之效果
若依據本實施形態，則係可得到以下之1乃至複數之效果。
(a)若依據本實施形態，則係將反應容器203內，以將第1處理區域201a、第1洗淨區域204a、第2處理區域201b、第2洗淨區域204b交互作配列的方式而作分割。之後，係設為使支持器217旋轉，並使晶圓200依照第1處理區域201a、第1洗淨區域204a、第2處理區域201b、第2洗淨區域204b之順序而作移動。藉由此，不需對於反應容器203內全體作洗淨(重置)，便成為能夠交互進行對於晶圓200之處理氣體的供給以及惰性氣體的供給。其結果，係能夠使基板處理之生產性提升。
(b)在本實施形態中，係將完成處理之晶圓200在反應容器203內而迅速冷卻。藉由此，係能夠對由於積蓄在晶圓200中之餘熱所導致的薄膜之溫度的上升作抑制。藉由對於此種溫度之上升作抑制，係能夠對於在被形成於晶圓200處的薄膜上而產生非所期望之反應的情況作抑制，而能夠抑制晶圓200之膜質的降低。
(c)在本實施形態中，係將完成處理之晶圓200在反應容器203內而迅速冷卻。藉由此，係能夠使被形成在晶圓200上之薄膜的結晶構造迅速地安定化。藉由使薄膜之結晶構造迅速地安定化，係能夠對於在反應容器203內所產生之不必要的副生成物侵入至被形成在晶圓200上之 薄膜中的情況作抑制。故而，係能夠更加抑制被形成在晶圓200上的薄膜之膜質的降低。另外，在上述之實施形態中，雖係針對在晶圓200上形成有SiO膜的情況而作了說明，但是，當被形成在晶圓200上之膜為High-k膜的情況時，係能夠使被形成在晶圓200上之薄膜更迅速地安定化。
(d)在本實施形態中，係能夠將完成處理之晶圓200在反應容器203內而迅速冷卻。藉由此，係能夠將例如從反應容器203內而將晶圓200搬出之真空搬送機器人112等的會在基板處理工程之後的工程中而使用之構成構件的破損之發生作抑制。又，係能夠將對於在基板處理工程之後的工程中所使用之構成構件所要求的耐熱性降低。
(e)在本實施形態中，在結束了晶圓200之成膜處理後，係除了對於洗淨區域204a、204b之惰性氣體的供給外，亦對於處理區域201a、201b內供給惰性氣體，而將完成處理之晶圓200冷卻。藉由此，係能夠將完成處理之晶圓200的冷卻更為迅速地進行。
(f)在本實施形態中，第2處理區域201b，係具備有將處理氣體設為電漿狀態的電漿產生部206。藉由此，係能夠以低溫來進行晶圓200之處理。故而，係能夠對由於處理氣體之不完全反應所導致的生成物等之異物的發生作抑制，因此，係能夠使形成在基板上之薄膜的均質性或耐電壓特性等提升。又，經由被設為電漿狀態之處理氣體，係能夠將處理時間縮短，而能夠使生產性提升。
(g)在本實施形態中，電漿產生部206，係具備有一對之梳型電極207a、207b，並在與被支持在支持器217上之晶圓的處理面相距5mm~25mm之位置處，以與晶圓200之處理面相對向的方式來作配置。藉由此，係能夠對於被活性化了的處理氣體之失活作抑制，而能夠將被作了活性化的處理氣體有效率地供給至晶圓200處。
〈本發明之其他實施形態〉
以上，雖係針對本發明之實施形態作了具體性之說明，但是，本發明係並不被限定於上述之實施形態，在不脫離其之要旨的範圍內，係可作各種之變更。
例如，在上述之實施形態中，雖係於反應容器203內而設置了2個的處理區域以及2個的洗淨區域，但是，係亦可將處理區域以及洗淨區域分別各設置3個以上，並將3種類以上之處理氣體供給至各別之處理區域中。例如，在設置有3個的處理區域以及3個的洗淨區域的情況時，作為第1處理氣體，係使用含有矽之氣體，作為第2處理氣體，係使用含有氧之氣體，作為第3處理氣體，係使用含有氮之氣體(例如氨氣(NH3))，藉由此，係能夠在晶圓200上形成氮氧矽膜(SiON膜)。就算是藉由此，亦能夠得到與上述之實施形態相同的效果。
又，在上述之實施形態中，作為將反應容器203內分割成第1處理區域201a、第1洗淨區域204a、第2處理區域201b、第2洗淨區域204b的分割構造體，係使用了 區隔板205，但是，係並不被限定於此。除此之外，例如，分割構造體，係亦可藉由在形成反應容器203內之處理空間的頂板之一部份處設置凸部，而形成之。
又，在上述之實施形態中，雖係將區隔板205之間的角度分別設為90度，並將處理區域201a、201b以及洗淨區域204a、204b的各別的容積設為一定，而將在各區域處之晶圓200的通過時間、亦即是在各區域中而晶圓200暴露在氛圍中的時間，設為一定，但是，係並不被限定於此。例如，亦可因應於在基板處理中所使用之氣體的種類，來對於各處理區域201a、201b或各洗淨區域204a、204b之容積分別作變更。亦即是，係亦可對於分割構造體(區隔板205)間之角度適宜作變更，並使各區域之容積互為相異，而在第1處理區域201a和第2處理區域201b之間，使晶圓200之暴露在氛圍中的時間互為相異。
又，在上述之實施形態中，作為處理氣體，係使用含有矽之氣體以及含有氧之氣體，並在晶圓200上形成SiO膜，但是，係並不被限定於此。亦即是，作為處理氣體，例如係可使用含有鉿(Hf)之氣體以及含有氧之氣體、含有鋯(Zr)之氣體以及含有氧之氣體、含有鈦(Ti)之氣體以及含有氧之氣體，來在晶圓200上，形成氧化鉿膜(HfO膜)、氧化鋯膜(ZrO膜)、氧化鈦膜(TiO膜)等之High-k膜等。又，作為設為電漿狀態之處理氣體，除了含有氧之氣體以外，亦可使用身為含有氮(N)之氣體的氨(NH3)氣等。
又，在上述之實施形態中，在完成處理之晶圓200的冷卻時，係使支持器217旋轉。但是，係並不被限定於此，亦可使支持器217之旋轉停止。又，若是停止支持器217之旋轉，並僅對於特定之完成處理之晶圓200而供給多量之惰性氣體並進行冷卻，則係亦能夠將特定之晶圓200急速地冷卻。
又，在上述之實施形態中，係將氣體供給部250之惰性氣體導入部253，在第1洗淨區域204a和第2洗淨區域204b處而設為共通，但是，係亦可將惰性氣體導入部個別地作設置。
又，在上述之本實施形態中，雖係將晶圓200之搬入口和搬出口個別地作設置，但是，係亦可設為共通，而設為晶圓200之搬入搬出口。
又，在上述之本實施形態中，雖係藉由使晶圓突起舉升銷266升降，來使晶圓200移動至處理位置或搬送位置處，但是，亦可藉由使用升降機構268來使支持器217作升降，而使晶圓200移動至處理位置或搬送位置處。
又，在上述之本實施形態中，係針對作為處理爐而使用製程腔202a並使完成處理之晶圓200在製程腔202a作冷卻的情況為例，來作了說明，但是，本實施形態，係並不被限定於此種形態。
亦即是，針對作為處理爐而使用製程腔202b的情況，亦係實施相同之動作。又，係可在製程腔202a、202b處而進行相同之處理，亦可進行相異之處理。而，例如， 當在製程腔202a和製程腔202b處而進行相異之處理的情況時，係亦可在製程腔202a內而對於晶圓200進行特定之處理，之後，接著在製程腔202b內而進行另外之處理。進而，當先在製程腔202a處而對於晶圓200進行了特定之處理之後再在製程腔202b內進行另外之處理的情況時，亦係可設為經過有裝載鎖定室122或裝載鎖定室123。又，在本實施形態中，雖係設置有4個的製程腔202a~202d，但是，所設置之製程腔，係亦可為3個以下，且亦可為5個以上。
又，亦可設為：在製程腔202a、202b內而將完成處理之晶圓200冷卻，之後，再進而在冷卻室202c、202d內而進行完成處理之晶圓200的冷卻。亦即是，係亦可在結束了製程腔202a、202b內之冷卻後，將完成處理之晶圓200，經由真空搬送機器人112來經過真空搬送裝置103並搬送至被調整為特定之壓力(例如100Pa或未滿1Pa)的冷卻室202c、202d內並作載置。此時，若是對於冷卻室202c、202d內而將惰性氣體以特定之流量(例如1slm)來作供給，則係能夠將完成處理之晶圓200更為急速地冷卻。若是經過了特定之時間，則完成處理之晶圓200，係藉由真空搬送機器人112而被從冷卻室202c、202d搬出。另外，冷卻室202c、202d，從真空搬送機器人112之動作範圍的限制和成為能夠以少的佔據空間而將多數之晶圓200作載置的觀點來看，係以設為層積構造為理想。進而，為了將更多之晶圓200作載置，冷卻室 202c、202d內部之架台，係亦可具備有進行上下動作之機構。
又，亦可設為：當在製程腔202a、202b內而將完成處理之晶圓200冷卻之後，或者是當在製程腔202a、202b以及冷卻室202c、202d內而將完成處理之晶圓200冷卻之後，進而在裝載鎖定室122、123內而進行完成處理之晶圓200的冷卻。亦即是，裝載鎖定室122、123，係亦可構成為將從真空搬送室103內所搬出之在製程腔202a、202b內而被作了冷卻的晶圓200暫時作收容，並對於晶圓200更進而作冷卻之冷卻室而起作用。又，在裝載鎖定室122、123中，係亦可設置有未圖示之隔壁板(中間平板)。藉由此，係能夠對於冷卻途中之晶圓200的冷卻被熱干涉所妨礙的情形作防止。具體而言，例如，在將複數枚之完成處理的晶圓200搬入至裝載鎖定室122、123內的情況時，能夠對由於之後所搬入之完成處理的晶圓200之熱的影響而導致先前所搬入之冷卻途中的完成處理之晶圓200的溫度之降低程度變慢的情況作防止。
在上述之本實施形態中，係針對作為搬入用之預備室而使用裝載鎖定室122並作為搬出用之預備室而使用裝載鎖定室123的情況為例，而作了說明。在本實施形態中，係並不被限定於此種形態。亦即是，亦可將裝載鎖定室122作為搬出用來使用，並將裝載鎖定室123作為搬入用來使用。進而，亦可將裝載鎖定室122、123作為搬入用以及搬出用而併用性使用。於此，若是並未經過充分之冷 卻時間便將大氣側之閘閥128或129開啟，則會有由於晶圓200之輻射熱而對於裝載鎖定室122、123或者是被連接於裝載鎖定室122、123之周邊處的電性零件造成損害之虞。因此，當對於高溫之完成處理的晶圓200進行冷卻的情況時，較理想，係例如將裝載鎖定室122作為搬入用之預備室來使用，並將裝載鎖定室123作為搬出用之預備室來使用。藉由此，當在裝載鎖定室123內而將完成處理之晶圓200作搬入並進行冷卻的途中，係可將裝載鎖定室122之閘閥126、128作開閉並將晶圓搬入至製程腔中而進行晶圓200之處理。
〈本發明之理想實施形態〉
以下，針對本發明之理想實施形態作附錄記載。
若依據本發明之其中一種形態，則係提供一種半導體裝置之製造方法，其特徵為，具備有：將基板載置於被設置在具有複數之處理區域之反應容器內的基板載置部上之工程；和一面將前述基板加熱至特定之處理溫度，一面將第1氣體供給至第1處理區域內，並將成為電漿狀態之第2氣體供給至第2處理區域內，而使前述基板通過前述第1處理區域以及前述第2處理區域，來在前述基板上形成薄膜之工程；和停止對於前述反應容器內之第1氣體以及第2氣體之供給，並對於前述反應容器內供給惰性氣體而將完成處理之前述基板冷卻之工程；和將處理後之前述基板搬出至前述反應容器外之工程。
若依據本發明之另外一種形態，則係提供一種基板處理裝置，其特徵為，具備有：對於基板進行處理之反應容器；和在前述反應容器內，將複數之前述基板在同一面上作並排支持，並構成為可自由旋轉之基板支持部；和以沿著前述基板支持部之旋轉方向而將第1處理區域、第1洗淨區域、第2處理區域、第2洗淨區域交互作配列的方式，來將前述反應容器內作分割之分割構造體；和對於前述第1處理區域內供給第1氣體，並且對於前述第2處理區域內供給第2氣體之處理氣體供給系；和至少對於前述第1洗淨區域以及前述第2洗淨區域內供給惰性氣體之惰性氣體供給系；和加熱前述基板之加熱部；和將前述反應容器內作排氣之排氣系；和至少對於前述基板支持部、前述處理氣體供給系、前述惰性氣體供給系、前述加熱部以及前述排氣系作控制之控制部，前述控制部，係進行下述之控制：一面藉由前述加熱部來將前述基板加熱至特定之處理溫度，一面使前述基板支持部旋轉，且一面藉由前述排氣系而將前述反應容器內排氣，一面從前述處理氣體供給系來將第1氣體供給至第1處理區域內，並從前述處理氣體供給系而將第2氣體供給至前述第2處理區域內，並從前述惰性氣體供給系來將惰性氣體供給至前述第1洗淨區域以及前述第2洗淨區域內，而進行在前述基板上形成薄膜之處理，在結束了形成前述薄膜之處理後，至少從前述惰性氣體供給系而對於前述第1洗淨區域以及前述第2洗淨區域內供給惰性氣體。
較理想，在結束了前述形成薄膜之處理後，係更進而對於前述第1處理區域內以及前述第2處理區域內供給惰性氣體，而將完成處理之前述基板冷卻。
又，較理想，在前述將基板冷卻之工程中，係使前述基板支持部旋轉。
又，較理想，在前述將基板冷卻之工程中，係對前述處理區域內供給惰性氣體。
又，較理想，前述電漿產生部，係具備有梳型電極，前述梳型電極，係在與被支持在前述基板支持部上之前述基板的處理面相距5mm~25mm之位置處，以與前述基板之處理面相對向的方式來作配置。
又，較理想，作為前述第1氣體，係使用身為含有矽之氣體的三甲矽烷基氨(TSA)氣體，作為前述第2氣體，係使用身為含有氧之氣體的氧氣。
若依據本發明之其他形態，則係提供一種半導體裝置之製造方法，其特徵為，具備有：在以將第1處理區域、第1洗淨區域、第2處理區域、第2洗淨區域交互作配列的方式來經由分割構造體而作了分割之反應容器內，將複數枚之基板搬入，並在基板支持部上，將複數枚之前述基板在同一面上作並排並支持之工程；和藉由加熱部而加熱前述基板，並一面對於前述處理區域以及前述洗淨區域而藉由排氣系來進行排氣，一面從處理氣體供給系而對於前述處理區域內供給處理氣體，並從惰性氣體供給系而對於前述洗淨區域內供給惰性氣體，再使前述基板支持部旋 轉，而在前述處理區域與前述洗淨區域之間使前述基板交互地作移動，藉由此來交互進行對於前述基板之處理氣體的供給以及惰性氣體的供給，而對於前述基板進行處理之工程；和在結束了前述基板之處理後，至少從前述惰性氣體供給系而對於前述洗淨區域內供給惰性氣體，而將完成處理之前述基板冷卻之工程；和將冷卻後的前述基板從前述反應容器內而搬出之工程。
若依據本發明之又一其他形態，則係提供一種程式，其特徵為，具備有：將基板載置於被設置在具有複數之處理區域之反應容器內的基板支持部上之工程；和一面將前述基板加熱至特定之處理溫度，一面將第1氣體供給至第1處理區域內，並將成為電漿狀態之第2氣體供給至第2處理區域內，而使前述基板通過前述第1處理區域以及前述第2處理區域，來在前述基板上形成薄膜之工程；和停止對於前述反應容器內之第1氣體以及第2氣體之供給，並對於前述反應容器內供給惰性氣體而將完成處理之前述基板冷卻之工程；和將處理後之前述基板搬出至前述反應容器外之工程。
若依據本發明之又一其他形態，則係提供一種記錄媒體，其特徵為，具備有：將基板搬入至具有複數之處理區域之反應容器內的工程；和一面將前述基板加熱至特定之處理溫度，一面將第1氣體供給至第1處理區域內，並將成為電漿狀態之第2氣體供給至第2處理區域內，而使前述基板通過前述第1處理區域以及前述第2處理區域，來 在前述基板上形成薄膜之工程；和停止對於前述反應容器內之第1氣體以及第2氣體之供給，並對於前述反應容器內供給惰性氣體而將完成處理之前述基板冷卻之工程；和將處理後之前述基板搬出至前述反應容器外之工程。
又，較理想，在前述進行冷卻之工程中，係使前述支持部旋轉。
又，較理想，在前述進行冷卻之工程中，係對於前述處理區域供給惰性氣體。
200‧‧‧晶圓
201a‧‧‧第1處理區域
201b‧‧‧第2處理區域
203‧‧‧反應容器
204a‧‧‧第1洗淨區域
204b‧‧‧第2洗淨區域
205‧‧‧區隔板
217‧‧‧基板支持部
218‧‧‧加熱器
221‧‧‧控制器
〔圖1〕本發明之其中一種實施形態的叢集型之基板處理裝置的橫剖面概略圖。
〔圖2〕本發明之其中一種實施形態的反應容器之概略立體圖。
〔圖3〕本發明之其中一種實施形態的處理爐之橫剖面概略圖。
〔圖4〕本發明之其中一種實施形態的處理爐之縱剖面概略圖，並為圖3中所示之處理爐的A-A’線剖面圖。
〔圖5〕本發明之其中一種實施形態的將從處理氣體供給系所供給之處理氣體設為電漿狀態的作為電漿產生部之梳型電極的概要構成圖。
〔圖6〕適於在本發明之實施形態中的基板處理裝置之控制器的概略構成圖。
〔圖7〕對於本發明之其中一種實施形態的基板之處 理工程作展示之流程圖。
〔圖8〕本發明之其中一種實施形態的基板處理工程以及基板冷卻工程之流程圖。
〔圖9〕在使用有先前技術之基板處理裝置的情況時之基板處理工程的流程圖。
100‧‧‧基板處理裝置
101‧‧‧框體
103‧‧‧真空搬送室
105‧‧‧裝載埠
106‧‧‧缺口對位裝置
108‧‧‧開盒器
109‧‧‧盒
112‧‧‧真空搬送機器人
115‧‧‧升降器
121‧‧‧大氣搬送室
122、123‧‧‧裝載鎖定室
124‧‧‧大氣搬送機器人
125‧‧‧框體
126、127‧‧‧閘閥
128、129‧‧‧閘閥
134‧‧‧基板搬送口
140、141‧‧‧基板載置部
200‧‧‧晶圓
202a、202b‧‧‧製程腔
202c、202d‧‧‧冷卻室
221‧‧‧控制器
244a、244b‧‧‧閘閥
244c、244d‧‧‧閘閥

Claims (11)

  1. 一種半導體裝置之製造方法，其特徵為，具備有：將複數枚之基板搬入反應容器內，該反應容器是藉由分割構造體而被分割成第1處理區域、第1洗淨區域、第2處理區域、第2洗淨區域交互作配列，並在被配置於前述反應容器內之基板支持部上，將複數枚之前述基板在同一面上並排支持之工程；和一面藉由加熱部而加熱前述基板，並一面藉由排氣系來對前述處理區域以及前述洗淨區域進行排氣，一面從處理氣體供給系而將處理氣體供給至前述處理區域內且從惰性氣體供給系而將惰性氣體供給至前述洗淨區域內，並使前述基板支持部旋轉，而藉由使前述基板在前述處理區域和前述洗淨區域之間座標交互移動，來交互進行對於前述基板之處理氣體的供給以及惰性氣體的供給，而對前述基板進行處理之工程；和在結束了前述基板之處理後，至少從前述惰性氣體供給系對前述洗淨區域內供給惰性氣體，而將完成處理之前述基板冷卻之工程；和將冷卻後之前述基板從前述反應容器內搬出之工程。
  2. 如申請專利範圍第1項所記載之半導體裝置之製造方法，其中，在前述冷卻基板之工程中，係使前述基板支持部旋轉。
  3. 如申請專利範圍第1項所記載之半導體裝置之製 造方法，其中，當對於前述洗淨區域內供給惰性氣體時，在從對於前述基板進行處理之工程而移行至前述冷卻工程的期間中，係將被設置在惰性氣體供給系處之閥，維持為開啟之狀態。
  4. 如申請專利範圍第1項所記載之半導體裝置之製造方法，其中，在前述冷卻基板之工程中，係對於前述處理區域內供給惰性氣體。
  5. 如申請專利範圍第2項所記載之半導體裝置之製造方法，其中，在前述冷卻基板之工程中，係對於前述處理區域內供給惰性氣體。
  6. 如申請專利範圍第3項所記載之半導體裝置之製造方法，其中，在前述冷卻基板之工程中，係對於前述處理區域內供給惰性氣體。
  7. 一種基板處理裝置，其特徵為，具備有：對於基板進行處理之反應容器；和在前述反應容器內，將複數之前述基板在同一面上作並排支持，並構成為可自由旋轉之基板支持部；和以沿著前述基板支持部之旋轉方向而將第1處理區域、第1洗淨區域、第2處理區域、第2洗淨區域交互作配列的方式，來將前述反應容器內作分割之分割構造體；和對於前述第1處理區域內供給第1氣體，並且對於前述第2處理區域內供給第2氣體之處理氣體供給系；和至少對於前述第1洗淨區域以及前述第2洗淨區域內 供給惰性氣體之惰性氣體供給系；和加熱前述基板之加熱部；和將前述反應容器內作排氣之排氣系；和至少對於前述基板支持部、前述處理氣體供給系、前述惰性氣體供給系、前述加熱部以及前述排氣系作控制之控制部，前述控制部，係進行下述之控制：一面藉由前述加熱部來將前述基板加熱至特定之處理溫度，一面使前述基板支持部旋轉，且一面藉由前述排氣系而將前述反應容器內排氣，一面從前述處理氣體供給系來將第1氣體供給至第1處理區域內，並從前述處理氣體供給系而將第2氣體供給至前述第2處理區域內，且從前述惰性氣體供給系來將惰性氣體供給至前述第1洗淨區域以及前述第2洗淨區域內，而進行在前述基板上形成薄膜之處理，在結束了形成前述薄膜之處理後，至少從前述惰性氣體供給系而對於前述第1洗淨區域以及前述第2洗淨區域內供給惰性氣體。
  8. 一種半導體裝置之製造方法，其特徵為，具備有：將基板載置在被設置於反應容器內之基板支持部上之工程；和一面將前述基板加熱至特定之處理溫度，一面對於前述基板供給第1氣體以及第2氣體，而對於前述基板進行 處理之工程；和停止前述第1氣體以及第2氣體之供給，並對於前述基板供給惰性氣體，而將完成處理之前述基板冷卻之工程；和將處理後之前述基板搬出至前述反應容器外之工程。
  9. 如申請專利範圍第8項所記載之半導體裝置之製造方法，其中，當對於前述洗淨區域內供給惰性氣體時，在從對於前述基板進行處理之工程而移行至前述冷卻工程的期間中，係將被設置在供應前述惰性氣體之惰性氣體供給系處之閥，維持為開啟之狀態。
  10. 如申請專利範圍第8項所記載之半導體裝置之製造方法，其中，前述反應容器係被分割成複數之區域，在前述各個區域處供給氣體。
  11. 如申請專利範圍第8項所記載之半導體裝置之製造方法，其中，在前述冷卻基板之工程中，係使前述基板支持部旋轉。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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TWI659473B (zh) * 2017-03-10 2019-05-11 日商斯庫林集團股份有限公司 熱處理方法及熱處理裝置

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9512520B2 (en) * 2011-04-25 2016-12-06 Applied Materials, Inc. Semiconductor substrate processing system
JP6029250B2 (ja) * 2013-03-28 2016-11-24 株式会社日立国際電気 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム
KR101840759B1 (ko) * 2014-01-05 2018-05-04 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 공간적인 원자 층 증착 또는 펄스형 화학 기상 증착을 사용하는 필름 증착
JP2015180768A (ja) * 2014-03-06 2015-10-15 株式会社日立国際電気 基板処理装置及び半導体装置の製造方法並びに記録媒体
JP6150937B2 (ja) * 2014-03-25 2017-06-21 株式会社日立国際電気 基板処理装置、温度制御方法及び半導体装置の製造方法並びに記録媒体
JP6298383B2 (ja) 2014-08-19 2018-03-20 株式会社日立国際電気 基板処理装置及び半導体装置の製造方法
JP5938491B1 (ja) * 2015-03-20 2016-06-22 株式会社日立国際電気 基板処理装置、半導体装置の製造方法、プログラムおよび記録媒体
KR102045373B1 (ko) * 2015-05-15 2019-11-15 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 로드 록 챔버, 로드 록 챔버를 갖는 진공 프로세싱 시스템, 및 로드 록 챔버를 진공배기하기 위한 방법
US10121655B2 (en) * 2015-11-20 2018-11-06 Applied Materials, Inc. Lateral plasma/radical source
JP6823392B2 (ja) * 2016-07-05 2021-02-03 東京エレクトロン株式会社 絶縁膜を形成する方法
JP6270952B1 (ja) * 2016-09-28 2018-01-31 株式会社日立国際電気 基板処理装置、半導体装置の製造方法および記録媒体。
KR102615293B1 (ko) * 2018-08-16 2023-12-19 주식회사 원익아이피에스 열처리 시스템 및 열처리 장치
JP6995073B2 (ja) 2019-03-12 2022-01-14 株式会社Kokusai Electric 基板処理装置及び半導体装置の製造方法、プログラム
JP7403234B2 (ja) * 2019-04-25 2023-12-22 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、及び基板処理方法
CN115020303B (zh) * 2022-08-09 2022-11-04 北京屹唐半导体科技股份有限公司 晶圆的热处理装置

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000277447A (ja) * 1999-03-24 2000-10-06 Tokyo Electron Ltd 薄膜の熱処理方法
US20050084610A1 (en) * 2002-08-13 2005-04-21 Selitser Simon I. Atmospheric pressure molecular layer CVD
KR100558922B1 (ko) 2004-12-16 2006-03-10 (주)퓨전에이드 박막 증착장치 및 방법
US8097541B2 (en) 2005-08-15 2012-01-17 F.T.L. Co., Ltd. Method for surface treating semiconductor
JP2009531535A (ja) * 2006-03-03 2009-09-03 ガードギール，プラサード 薄膜の広範囲多層原子層の化学蒸着処理のための装置および方法
US20070215036A1 (en) * 2006-03-15 2007-09-20 Hyung-Sang Park Method and apparatus of time and space co-divided atomic layer deposition
KR20080024374A (ko) * 2006-09-13 2008-03-18 서울시립대학교 산학협력단 Ｕｌｓｉ을 위한 고온 안정 니켈 실리사이드 제조방법
US8043432B2 (en) * 2007-02-12 2011-10-25 Tokyo Electron Limited Atomic layer deposition systems and methods
US20080254619A1 (en) * 2007-04-14 2008-10-16 Tsang-Jung Lin Method of fabricating a semiconductor device
JP5107185B2 (ja) * 2008-09-04 2012-12-26 東京エレクトロン株式会社 成膜装置、基板処理装置、成膜方法及びこの成膜方法を実行させるためのプログラムを記録した記録媒体
JP2010087467A (ja) * 2008-09-04 2010-04-15 Tokyo Electron Ltd 成膜装置、基板処理装置、成膜方法及びこの成膜方法を実行させるためのプログラムを記録した記録媒体
JP5253933B2 (ja) 2008-09-04 2013-07-31 東京エレクトロン株式会社 成膜装置、基板処理装置、成膜方法及び記憶媒体
JP5131240B2 (ja) * 2009-04-09 2013-01-30 東京エレクトロン株式会社 成膜装置、成膜方法及び記憶媒体
JP5181100B2 (ja) * 2009-04-09 2013-04-10 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104882395A (zh) * 2014-02-27 2015-09-02 圆益Ips股份有限公司 基板处理装置及基板处理方法
CN104882395B (zh) * 2014-02-27 2018-06-12 圆益Ips股份有限公司 基板处理装置及基板处理方法
TWI659473B (zh) * 2017-03-10 2019-05-11 日商斯庫林集團股份有限公司 熱處理方法及熱處理裝置
US10319616B2 (en) 2017-03-10 2019-06-11 SCREEN Holdings Co., Ltd. Heat treatment method and heat treatment apparatus of light irradiation type

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