JP6150937B2 - 基板処理装置、温度制御方法及び半導体装置の製造方法並びに記録媒体 - Google Patents
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Description
ここで、ATは基板の目標温度であり、ALは下限温度値について電力比率値を変更して繰り返し測定した場合において温度均一性が最も良好な条件のときの平均温度であり、AHは上限温度値について電力比率値を変更して繰り返し測定した場合において温度均一性が最も良好な条件のときの平均温度であり、TLは下限温度値であり、THは上限温度値である。
ここで、RLは下限温度値について電力比率値を変更して繰り返し測定した場合において温度均一性が最も良好な条件のときの電力比率値であり、RHは上限温度値について電力比率値を変更して繰り返し測定した場合において温度均一性が最も良好な条件のときの電力比率値である。
Claims (13)
- 少なくとも2つの領域を備えて基板を加熱する基板加熱部と、前記少なくとも2つの領域に電力を供給する電力供給部と、前記電力供給部が供給する電力を調整し、前記基板の温度を所定の目標温度になるよう前記基板加熱部を制御する制御装置と、を有し、前記制御装置は、前記電力供給部が前記少なくとも2つの領域のうちいずれか一方の領域に供給する電力を、前記少なくとも2つの領域のうちいずれか他方の領域に供給する基準の電力と所定の電力比率値との積に従って定まる電力とし、各々の前記電力を用いて前記基板の温度が前記目標温度よりも高い第一制御温度となるように前記基板加熱部を制御しつつ前記基板の温度を測定し、前記測定結果のうちの基板の面内温度均一性が最も良好な電力比率値と該電力比率値のときの温度平均値をそれぞれ選択し、その後、前記基板の温度が前記目標温度よりも低い第二制御温度についても前記第一制御温度と同様に前記基板の温度を測定し、前記測定結果のうちの基板の面内温度均一性が最も良好な電力比率値と該電力比率値のときの温度平均値をそれぞれ選択し、選択された前記第一制御温度と前記第二制御温度のそれぞれにおける前記温度平均値と前記電力比率値に基づいて、前記目標温度に対する制御温度及び電力比率値を算出する基板処理装置。
- 少なくとも2つの領域に電力を供給する電力供給部が供給する電力を調整し、少なくとも2つの領域を備えて基板を加熱する基板加熱部により加熱される前記基板の温度を所定の目標温度に制御する制御装置で実行されるプログラムが格納されている記録媒体であって、 前記電力供給部が前記少なくとも2つの領域のうちいずれか一方の領域に供給する電力を、前記少なくとも2つの領域のうちいずれか他方の領域に供給する基準電力と所定の電力比率値との積に従って定まる電力とし、各々の前記電力を用いて前記基板の温度が前記目標温度よりも高い第一制御温度となるように前記基板加熱部を制御しつつ前記基板の温度を測定し、前記測定結果のうちの基板の面内温度均一性が最も良好な電力比率値と該電力比率値のときの温度平均値をそれぞれ選択する第1手順と、 前記基板の温度が前記目標温度よりも低い第二制御温度についても前記第一制御温度と同様に前記基板の温度を測定し、前記測定結果のうちの基板の面内温度均一性が最も良好な電力比率値と該電力比率値のときの温度平均値をそれぞれ選択する第2手順と、前記第1手順及び前記第2手順で選択された前記第一制御温度と前記第二制御温度のそれぞれにおける前記温度平均値と前記電力比率値に基づいて、前記目標温度に対する制御温度及び電力比率値を算出する第3手順と、 をコンピュータに実行させる制御パラメータ取得プログラムを読み取り可能に格納された記録媒体。
- 少なくとも2つの領域を備えて基板を加熱する基板加熱部と、 前記少なくとも2つの領域に電力を供給する電力供給部と、 前記電力供給部が供給する電力を調整し、前記基板加熱部により加熱される前記基板の温度を所定の目標温度に制御する制御装置と、 を有する基板処理装置の温度制御方法であって、 前記制御装置は、前記電力供給部が前記少なくとも2つの領域のうちいずれか一方の領域に供給する電力を、前記少なくとも2つの領域のうちいずれか他方の領域に供給する基準の電力と所定の電力比率値との積に従って定まる電力とし、各々の前記電力を用いて前記基板の温度が前記目標温度よりも高い第一制御温度となるように前記基板加熱部を制御しつつ前記基板の温度を測定し、前記測定結果のうちの基板の面内温度均一性が最も良好な電力比率値と該電力比率値のときの温度平均値をそれぞれ選択する第1工程と、 前記基板の温度が前記目標温度よりも低い第二制御温度についても前記第一制御温度と同様に前記基板の温度を測定し、前記測定結果のうちの基板の面内温度均一性が最も良好な電力比率値と該電力比率値のときの温度平均値をそれぞれ選択する第2工程と、 前記第1工程及び前記第2工程で選択された前記第一制御温度と前記第二制御温度のそれぞれにおける前記温度平均値と前記電力比率値に基づいて、前記目標温度に対する制御温度及び電力比率値を算出する第3工程と、 前記第3工程で算出された前記制御温度及び前記電力比率値を含む制御係数を用いて、前記基板の温度を前記目標温度に制御する第4工程と、を有する温度制御方法。
- 少なくとも2つの領域のうちいずれか一方の領域に供給する電力を、前記少なくとも2つの領域のうちいずれか他方の領域に供給する基準の電力と所定の電力比率値との積に従って定まる電力とし、各々の前記電力を用いて基板の温度が所定の目標温度よりも高い第一制御温度となるように制御しつつ前記基板の温度を測定し、前記測定結果のうちの基板の面内温度均一性が最も良好な電力比率値と該電力比率値のときの温度平均値をそれぞれ選択する第1工程と、前記基板の温度が前記目標温度よりも低い第二制御温度についても前記第一制御温度と同様に前記基板の温度を測定し、前記測定結果のうちの基板の面内温度均一性が最も良好な電力比率値と該電力比率値のときの温度平均値をそれぞれ選択する第2工程と、 前記第1工程及び前記第2工程で選択された前記第一制御温度と前記第二制御温度のそれぞれにおける前記温度平均値と前記電力比率値に基づいて、前記目標温度に対する制御温度及び電力比率値を算出する第3工程と、 前記第3工程で算出された前記制御温度及び前記電力比率値を含む制御係数を用いて、前記基板の温度を前記目標温度に制御する第4工程と、を有する半導体装置の製造方法。
- 前記第3工程で算出された電力比率値を基に選定された複数の電力比率値ごとに、前記基板の温度が前記第3工程で算出された制御温度となるように制御しつつ前記基板の温度を測定し、前記測定結果のうちの基板の面内温度均一性が最も良好な電力比率値を抽出する工程と、を有する請求項4記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第1工程又は前記第2工程は、前記第一制御温度又は前記第二制御温度になるように前記基板を加熱して制御する工程と、前記基板上の複数の位置で温度を測定する工程と、前記複数の位置で測定された温度に基づいて、前記第一制御温度又は前記第二制御温度を設定した場合の基板の温度平均値及び基板の面内温度均一性の指標となる値を算出する工程と、を有する請求項4記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第1工程又は前記第2工程は、前記第一制御温度又は前記第二制御温度になるように前記基板を加熱して制御する工程と、前記基板上の複数の位置で温度を測定する工程と、前記複数の位置で測定された温度に基づいて、前記第一制御温度又は前記第二制御温度を設定した場合の基板の温度平均値及び基板の面内温度均一性の指標となる値を算出する工程を1サイクルとして、前記サイクルを所定回数繰り返す請求項4記載の半導体装置の製造方法。
- 前記所定回数は、前記電力比率値を変更させる回数である請求項7記載の半導体装置の製造方法。
- 前記制御装置は、前記基板加熱部の温度の制御範囲の下限温度値を前記第二制御温度として、上限温度値を前記第一制御温度として、前記下限温度値と前記上限温度値の間の前記目標温度に対する制御温度及び電力比率値を算出する請求項1記載の基板処理装置。
- 制御温度値として下限温度値及び上限温度値をそれぞれ設定し基板を加熱する工程と、前記基板上の複数の位置で温度を測定する工程と、前記複数の位置で測定された温度に基づいて、前記下限温度値を設定した場合の基板の温度平均値と、前記上限温度値を設定した場合の基板の温度平均値とをそれぞれ算出する工程と、前記下限温度値とこれに対応する算出された温度平均値、及び前記上限温度値とこれに対応する算出された温度平均値を用いて、所定の目標温度に対する制御温度値を算出する工程と、算出された前記制御温度値、前記上限温度値、前記下限温度値、前記下限温度値に対応する電力比率値、及び前記上限温度値に対応する電力比率値を用いて、前記所定の目標温度に対する電力比率値を算出する工程と、前記所定の目標温度に対する前記制御温度値及び前記電力比率値を含む制御係数を用いて、前記基板の温度を前記所定の目標温度に制御する工程と、を有する温度制御方法。
- 制御温度値として下限温度値及び上限温度値をそれぞれ設定し基板を加熱する工程と、前記基板上の複数の位置で温度を測定する工程と、前記複数の位置で測定された温度に基づいて、前記下限温度値を設定した場合の基板の温度平均値と、前記上限温度値を設定した場合の基板の温度平均値とをそれぞれ算出する工程と、前記下限温度値とこれに対応する算出された温度平均値、及び前記上限温度値とこれに対応する算出された温度平均値を用いて、所定の目標温度に対する制御温度値を算出する工程と、算出された前記制御温度値、前記上限温度値、前記下限温度値、前記下限温度値に対応する電力比率値、及び前記上限温度値に対応する電力比率値を用いて、前記所定の目標温度に対する電力比率値を算出する工程と、前記所定の目標温度に対する前記制御温度値及び前記電力比率値を含む制御係数を用いて、前記基板の温度を前記所定の目標温度に制御する工程と、を有する半導体装置の製造方法。
- 制御装置に、制御温度値として下限温度値及び上限温度値をそれぞれ設定し基板を加熱する手順と、前記基板上の複数の位置で温度を測定する手順と、前記複数の位置で測定された温度に基づいて、前記下限温度値を設定した場合の基板の温度平均値と、前記上限温度値を設定した場合の基板の温度平均値とをそれぞれ算出する手順と、前記下限温度値とこれに対応する算出された温度平均値、及び前記上限温度値とこれに対応する算出された温度平均値を用いて、所定の目標温度に対する制御温度値を算出する手順と、算出された前記制御温度値、前記上限温度値、前記下限温度値、前記下限温度値に対応する電力比率値、及び前記上限温度値に対応する電力比率値を用いて、前記所定の目標温度に対する電力比率値を算出する手順と、を実行させるプログラムが格納されたコンピュータ読取可能な記録媒体。
- 少なくとも2つの領域を備えて基板を加熱する基板加熱部と、 前記少なくとも2つの領域に電力を供給する電力供給部と、 前記電力供給部が供給する電力を調整し、前記基板の温度を所定の目標温度になるよう前記基板加熱部を制御する制御装置と、を有し、前記制御装置は、制御温度値として下限温度値及び上限温度値をそれぞれ設定し基板を加熱し、前記基板上の複数の位置で温度を測定し、前記複数の位置で測定された温度に基づいて、前記下限温度値を設定した場合の基板の温度平均値と、前記上限温度値を設定した場合の基板の温度平均値とをそれぞれ算出し、前記下限温度値とこれに対応する算出された温度平均値、及び前記上限温度値とこれに対応する算出された温度平均値を用いて、所定の目標温度に対する制御温度値を算出し、算出された前記制御温度値、前記上限温度値、前記下限温度値、前記下限温度値に対応する電力比率値、及び前記上限温度値に対応する電力比率値を用いて、前記所定の目標温度に対する電力比率値を算出する基板処理装置。
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