TW201324738A - 光源模組及具有其之發光裝置 - Google Patents

光源模組及具有其之發光裝置 Download PDF

Info

Publication number
TW201324738A
TW201324738A TW101139091A TW101139091A TW201324738A TW 201324738 A TW201324738 A TW 201324738A TW 101139091 A TW101139091 A TW 101139091A TW 101139091 A TW101139091 A TW 101139091A TW 201324738 A TW201324738 A TW 201324738A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
light
source module
light source
control unit
disposed
Prior art date
Application number
TW101139091A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI562327B (en
Inventor
Young-Bong Yoo
Original Assignee
Lg Innotek Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Lg Innotek Co Ltd filed Critical Lg Innotek Co Ltd
Publication of TW201324738A publication Critical patent/TW201324738A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI562327B publication Critical patent/TWI562327B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1301—Thyristor

Abstract

本發明揭示一種光源模組及具有其之一種發光裝置。該光源模組係包括：一本體，具有一空腔；複數個引線框架，於該空腔內；一發光晶片，於至少一引線框架上；一聚合物層，設置於該本體之上，以折射發自該發光晶片之光；一第一電極層，設置於該聚合物層之上，以發出入射光；以及一第二電極層，介於該聚合物層與該本體之間，以傳輸發自該發光晶片之光。

Description

光源模組及具有其之發光裝置
本發明係主張關於2011年10月26日申請之韓國專利申請案號10-2011-0110059之優先權。藉以引用的方式併入本文用作參考。
本發明係有關一種光源模組及具有其之一種發光裝置。
發光裝置，如發光二極體(light emitting diodes，LEDs)，係為將電能轉換為光之半導體裝置，其係取代傳統螢光燈(fluorescent lamp)及輝光燈(glow lamp)，廣泛地被使用作為新世代的光源。
因LED係使用半導體裝置來產生光，故相較於傳統輝光燈藉由加熱鎢(tungsten)來發光或是傳統螢光燈藉由使高壓放電(high-voltage discharge)所產生之紫外光與一螢光物質相碰撞來發光，其係表現出低耗電(low power consumption)的特性。
此外，LED係使用半導體裝置之電位間隙(potential gap)來產生光，故LED相較於傳統光源係具有優勢在於其使用壽命(life span)、反應特性(response characteristics)、及環保要求(environmental-friendly requirement)方面。
因此，有各種針對以LED取代傳統光源之研究蓬勃發展。以LED作為發光裝置光源之應用越來越廣泛，例如用於室內及室外的燈具、液晶顯示器(liquid crystal displays)、電子看板(electric signboards)、及街燈(street lamps)等。
本發明實施例提供一種具有一新型結構之光源模組。
本發明實施例提供：一種光源模組，其係包括一光學控制單元(optical control unit)，設置於一發光裝置之上，以表現隨輸入電壓而變動之光學特性；以及包含該光源模組之一種發光裝置。
本發明實施例提供：一種光源模組，其係可藉由將具有液晶之一聚合物層提供於靠近一發光裝置之處，來調整該發光裝置之發光分佈(light emission distribution)；以及包含該光源模組之一種發光裝置。
根據本發明實施例，提供一種光源模組，其係包括：一本體(body)，具有一空腔(cavity)；複數個引線框架(lead frames)，於該空腔內；一發光晶片(light emitting chip)，於至少一引線框架上；一聚合物層(polymer layer)，設置於該本體之上，以折射發自該發光晶片之光；一第一電極層(electrode layer)，設置於該聚合物層之上，以發出入射光；以及一第二電極層，介於該聚合物層與該本體之間，以傳輸發自該發光晶片之光。
根據本發明實施例，提供一種光源模組，其係包括：一本體，具有一空腔；複數個引線框架，於該空腔內；一發光晶片，於至少一引線框架上；一模製件(molding member)，於該空腔內；一聚合物層，設置於該模製件之上，以折射發自該發光晶片之光；一第一電極層，設置於該聚合物層之上，以發出入射光；以及一第二電極層，介於該聚合物層與該本體之間，以傳輸發自該發光晶片之光。該聚合物層係依據施加於該第一及第二電極層之第一及第二驅動電壓間之一電壓差，而改變自該發光晶片發出之光之一方位角(orientation angle)。
根據本發明實施例，提供一種發光裝置，其係包含有：複數個發光裝置包括一本體，具有一空腔、複數個引線框架，於該空腔內、及一發光晶片，於至少一引線框架上；複數個控制單元，分別設置於該些發光裝置之上，其係依據供應之電壓間的一電壓差所轉換之一光學特性，來調整自一模製件所發出之光之一方位角；以及一導光板(light guide plate)，設置於該控制單元之上。該些控制單元各自包括：一聚合物層，設置於該本體之上，並具有液晶；一第一電極層，設置於該聚合物層之上，以發出入射光；以及一第二電極層，介於該聚合物層與該本體之間，以傳輸發自該發光晶片之光。
1‧‧‧發光裝置
2‧‧‧發光裝置
10‧‧‧本體
14‧‧‧頂面
15‧‧‧導引部件
16‧‧‧底部
16A‧‧‧容納槽
17‧‧‧連接溝槽
21‧‧‧第一引線框架
22‧‧‧一部分
23‧‧‧第一引線部
25‧‧‧第一空腔
31‧‧‧第二引線框架
32‧‧‧一部分
33‧‧‧第二引線部
35‧‧‧第二空腔
46‧‧‧連接框架
51‧‧‧第一螢光層
52‧‧‧第二螢光層
60‧‧‧凹陷部分
71‧‧‧發光晶片
72‧‧‧發光晶片
73‧‧‧導線
74‧‧‧導線
75‧‧‧導線
76‧‧‧導線
81‧‧‧模製件
81A‧‧‧模製件
81B‧‧‧模製件
83‧‧‧擴散層
90‧‧‧光學控制單元
90A‧‧‧光學控制單元
90B‧‧‧光學控制單元
91‧‧‧第一基膜
92‧‧‧第二基膜
93‧‧‧第一電極層
93A‧‧‧第一驅動電壓產生器
94‧‧‧第二電極層
94A‧‧‧第二驅動電壓產生器
95‧‧‧聚合物層
96‧‧‧液晶
100‧‧‧光源模組
101‧‧‧光源模組
112‧‧‧第一引線框架
113‧‧‧第二引線框架
121‧‧‧發光晶片
131‧‧‧本體
135‧‧‧空腔
136‧‧‧導線
141‧‧‧模製件
1000‧‧‧顯示裝置
1011‧‧‧底蓋
1012‧‧‧容納部分
1120‧‧‧基板
1022‧‧‧反射部件
1031‧‧‧發光模組
1033‧‧‧基板
1041‧‧‧導光板
1051‧‧‧光學片
1061‧‧‧顯示面板
1100‧‧‧顯示裝置
1150‧‧‧照明單元
1152‧‧‧底蓋
1153‧‧‧容納部分
1154‧‧‧光學片
1155‧‧‧顯示面板
1160‧‧‧發光模組
1500‧‧‧發光裝置
1510‧‧‧外殼
1520‧‧‧連接件
1530‧‧‧發光模組
1532‧‧‧基板
圖1係根據第一實施例，繪示有一光源模組之一立體分解圖；圖2係繪示有圖1中該光源模組之一側視剖面圖；圖3至5係根據本發明實施例，繪示有一光學控制單元之運作狀態圖；圖6(A)、6(B)係根據本發明實施例，繪示有該光學控制單元的光輸出之一實例圖；圖7係繪示有圖2中該光源模組之一第一修正例剖面圖；圖8係繪示有圖2中該光源模組之一第二修正例之一剖面圖；圖9係根據第二實施例，繪示有一光源模組之一立體分解圖；圖10係繪示有圖7中該光源模組之組裝之一立體圖；圖11係根據第三實施例，繪示有一光源模組之一立體分解圖；圖12係繪示有圖11中該光源模組之組裝之一立體圖；圖13係根據第四實施例，繪示有一光源模組之一側視剖面圖；圖14係根據本發明實施例，繪示有具有一光源模組之一顯示裝置之一立體圖；圖15係根據本發明實施例，繪示有具有一光源模組之一發光裝置之一立體圖；以及圖16係根據第四實施例，繪示有具有一光學控制單元之一顯示裝置之一側視剖面圖。
在實施例的描述中，應予理解，當提及一基板、一框架、一片體、一層、或一圖案是在另一基板、另一框架、另一片體、另一層、或 另一圖案「之上」時，可為「直接地」及「間接地」位於其它基板、框架、片體、層或圖案之上。相對地，當提及一部份是「直接地」位於另一部份之上時，不存在中間層。如此之層疊位置已藉圖式說明。為了說明之便，圖式中元件之大小可能被誇大，且並不完全反應其實體之大小。
在下文中，配合所附圖式及實施例之說明，熟習此項技術者可輕易理解本發明之內容。為求說明之清晰或便利，圖式中之各層之厚度及大小可能被放大、省略或僅示意說明。此外。圖式中元件之大小並不完全反應其實體之大小。在配合圖式之說明中，相同參考的數字將會指定到圖式解說中的相同元件。
以下，將配合圖式，說明根據本發明實施例之一種光源模組。
圖1係根據第一實施例，繪示有一光源模組之一立體分解圖；而圖2係繪示有圖1中該光源模組組裝後之一側視剖面圖。
參閱圖1、2，一光源模組100係包括：一發光裝置1以及一光學控制單元90，設置於發光裝置1之一出光側(light exit side)，以表現隨輸入電壓而變動之光學特性。光源模組100可為一種發光裝置，包含具有至少一LED晶片之發光裝置1。
光學控制單元90係調整入射光被折射之角度。光學控制單元90可被黏著於發光裝置1之出光表面(light exit surface)，以減少於界面(interfacial surface)逸失之入射光。又，光學控制單元90可調整發光裝置1之內部光之方位角及其發光分佈。
發光裝置1係包括：一本體10，具有一凹陷部分60(concave part)；一第一引線框架21，具有一第一空腔25；一第二引線框架31，具有一第二空腔35；一連接框架46(connection frame)；發光晶片71、72；導線(wires)73至76；以及一模製件81。第一及第二空腔25、35係被提供於凹陷部分60之一下部區域。
本體10可包括一透光材料(transmissive material)或一反射材料(reflective material)。本體10可包括下述至少一者的樹脂材料(resin material)：如聚鄰苯二甲醯胺(Polyphthalamide，PPA)；矽(silicon，Si)；一 金屬材料(metallic material)；感光玻璃(photosensitive glass，PSG)；藍寶石(sapphire，Al2O3)；及一印刷電路板(printed circuit board，PCB)。例如，本體10可由一樹脂材料例如PPA、環氧(epoxy)、或矽形成。
此外，可包括具有傳導性之一導體(conductor)。若本體10包括具有導電性之一材料，一絕緣層(insulating layer)(未圖示)可進一步地形成於本體10表面之上。該絕緣層可防止本體10對第一及第二引線框架21、31及連接框架46發生短路之情形。
又，本體10可包括一陶瓷材料(ceramic material)，該陶瓷材料可改善散熱效率(heat radiation efficiency)。
當以俯視角度觀之時，本體10可具有各種不同形狀如一三角形、一矩形、一多邊形、一圓形、及有一曲面之一形狀。第一及第二引線框架21、31可以一直下式之方式被裝設於一基板上，其中第一及第二引線框架21、31係被設置於本體10之底面上；或者，第一及第二引線框架21、31可以一側式之方式被裝設於一基板上，其中第一及第二引線框架21、31係被設置於本體10之側邊。然而，本發明實施例並不限制於此。
本體10係包括具有一開放上部分之凹陷部分60。凹陷部分60係包括一底部16以及設於底部16之周緣部分之側邊。當以俯視角度觀之時，凹陷部分60可具有一杯形形狀、一空腔結構、或者一凹陷結構，自本體10之頂面下凹。當以俯視角度觀之時，凹陷部分60可具有一圓形、一橢圓形、一多邊形，例如一矩形、以及一具有圓角之多邊形。然而，本發明實施例並不限制於此。凹陷部分60之側邊可為垂直於底部16，或者相對於底部16傾斜；但本發明實施例並不限制於此。
第一引線框架21係被設置於凹陷部分60之一第一區域之一下部分，且第一引線框架21係暴露於凹陷部分60之底部16。第一引線框架21之中係設置有一第一空腔25，其下凹之深度係低於凹陷部分60之底部16。空腔25係自凹陷部分60之底部16朝向本體10之底面下凹。舉例而言，該第一空腔係具有一杯形形狀或一下凹形狀。
第一空腔25之側邊及底面係由第一引線框架21形成。第一空腔25之側邊可為曲線形，且係相對第一空腔25之底面傾斜，或垂直於 第一空腔25之底面。第一空腔25之兩相對側邊係以相同角度或不同角度傾斜。
第二引線框架31係被設置於凹陷部分60之第二區域與凹陷部分60之第一區域相隔開之下部分，且第二引線框架31之一部分32係暴露於凹陷部分60之底部16。第二引線框架31之中係設置有一第二空腔35，其下凹之深度係低於凹陷部分60之底部16。第二空腔35係自第二引線框架31之頂面朝向本體10之底面下凹。舉例而言，第二空腔35係具有一杯形形狀結構或一下凹形狀。第二空腔35之側邊及底面係由第二引線框架31形成。第二空腔35之側邊可為曲線形，且係相對第二空腔35之底面傾斜，或垂直於第二空腔35之底面。第二空腔35之兩相對側邊可以相同角度或不同角度傾斜。
當以俯視角度觀之時，第一及第二空腔25、35可具有相同形狀，但本發明實施例並不限制於此。
第一及第二引線框架21、31之底面係暴露於本體10之底面。第一及第二引線框架21、31之底面可與本體10之底面設於相同表面上，或者與本體10之底面設於不同表面上。
如圖2所示，第一引線框架21係包括一第一引線部(lead part)23，且第一引線部23係被設置於本體10之下部分，並突伸於本體10之一第一側邊。第二引線框架31係包括一第二引線部33。第二引線部33係被設置於本體10之下部分，並突伸於本體10之一第二側邊，且該第二側邊與該第一側邊相對。
第一及第二空腔25、35之底面可具有一矩形形狀、一方形形狀、或具有曲面之一圓形形狀或一橢圓形狀。
連接框架46係被設置於凹陷部分60之底部16上。連接框架46可為介於第一及第二引線框架21、31之間，或可設置於與第一及第二引線框架21、31以一相等間隔相隔而設之一區塊內。連接框架46係被用作為一中間連接端子(intermediate connection terminal)。連接框架46可被移除。
第一引線框架21、第二引線框架31、及連接框架46可包括 一金屬材料。舉例來說，第一引線框架21、第二引線框架31、及連接框架46可包括下述至少一者：鈦(titanium，Ti)、銅(copper，Cu)、鎳(nickel，Ni)、金(gold，Au)、鉻(chrome，Cr)、鉭(tantalum，Ta)、鉑(platinum，Pt)、錫(tin，Sn)、銀(silver，Ag)、及磷(phosphor，P)。此外，第一引線框架21、第二引線框架31、及連接框架46可包括一單層金屬層或一多層金屬層。第一引線框架21、第二引線框架31、及連接框架46可形成為相同厚度，但本發明實施例並不限制於此。
第一發光晶片71係被設置於第一引線框架21之第一空腔25中，而第二發光晶片72係被設置於第二引線框架31之第二空腔35中。
第一及第二發光晶片71、72可選擇性地發出落於一可見光波段(visible light band)至一紫外光波段(UV(Ultraviolet)light band)範圍內之光。例如，第一及第二發光晶片71、72可選擇性地包含有一紅光LED晶片、一藍光LED晶片、一綠光LED晶片、一黃光LED晶片。第一及第二發光晶片71、72係包括發光裝置，其係包含有III-V族元素之化合物半導體。
第一發光晶片71係通過第一導線73與設置在凹陷部分60之底部16之第一引線框架21相連接，並通過第二導線74與連接框架46相連接。第二發光晶片72係通過第三導線75與連接框架46相連接，並通過第四導線76與設置在凹陷部分60之底部16之第二引線框架31相連接。連接框架46係將第一發光晶片71電性連接至第二發光晶片72。
一保護裝置(protective device)(未圖示)可被設置於第一引線框架21或第二引線框架31之一部分上。該保護裝置可包括一閘流器(thyristor)、一齊納二極體(Zener diode)、或一暫態電壓抑制裝置(transient voltage suppression，TVS)。齊納二極體係對發光晶片進行靜電放電(electro static discharge，ESD)保護。該保護裝置係連接於第一及第二發光晶片71、72之連接電路，藉此以保護第一及第二發光晶片71、72。
模製件81可形成於凹陷部分60、第一空腔25、及第二空腔35中。模製件81可包括一透光樹脂層其中包含矽或環氧，且可包括一單層或一多層。
模製件81可包括一螢光粉(phosphor)，以轉換自第一及第二發光晶片71、72向上發出之光的波長。該螢光粉可被包含於第一空腔25及第二空腔35其中至少一者之內，但本發明實施例並不限制於此。該螢光粉激發自第一及第二發光晶片71、72發出之光的一部份，藉此以發出具有一不同波長之光。該螢光粉可選擇性地包括下述其中一者：釔鋁石榴石(yttrium aluminum garnet；YAG)、鋱鋁石榴石(TAG)、矽酸鹽(Silicate)、氮化物(Nitride)、及氮氧化物(Oxy-nitride)。該螢光粉可包括有紅、黃、綠螢光粉其中至少一者，但本發明實施例並不限制於此。模製件81可具有一平坦表面、一凹陷表面、或一凸起表面，但本發明實施例並不限制於此。
模製件81之頂面可為一出光表面。光學控制單元90係被設置於模製件81之頂面上。光學控制單元90之面積或寬度可等於或小於本體10之頂面之面積或寬度，但本發明實施例並不限制於此。
光學控制單元90係被設置於靠近發光裝置1之位置，或黏著於發光裝置1上，以有效地調整自發光裝置1所發出之光的方位角分佈及發光分佈。此外，光學控制單元90可被黏著於發光裝置1上，以控制自發光裝置1所發出之光的方位角分佈、發光分佈、及光強度(light intensity)。
光學控制單元90可被設置於與發光裝置1之底面距離4 mm或以下的位置。此距離係基於發光裝置1所發出之光的方位角分佈、發光分佈、及光強度而定。又，光學控制單元90係於與發光裝置1距離2 mm或以下之位置，接收發光裝置1所發出之光。光學控制單元90之元件可以4 mm或以下之距離，與發光晶片71、72相隔而設。
發光裝置1及光學控制單元90之結構中可包括耦接件(coupling members)。形成於發光裝置1及光學控制單元90中之該些結構耦接件可包括溝槽或突起結構，但本發明實施例並不限制於此。
如圖2所示，光學控制單元90可與本體10之頂面及模製件81之頂面相接觸，或可以一黏著劑黏著於本體10及模製件81之頂面上。光學控制單元90可與發光裝置1共同運作。例如，當發光裝置1運作發出光時，光學控制單元90隨即被開啟以調整自發光裝置1發出之光的方位角分佈。若發光裝置1可被關閉，則光學控制單元90亦可被關閉。
如圖3所示，光學控制單元90係包括：一第一基膜(base film)91；一第二基膜92；一第一電極層(electrode layer)93；一第二電極層94；以及一聚合物層95。
第一及第二基膜91、92係用作為透光膜。第一及第二基膜91、92係被設置為彼此平行，同時以一預設間距彼此相隔而設。第一及第二基膜91、92係由一絕緣材料形成。第一電極層93係包括一透光材料，且係設置於第一基膜91及聚合物層95之間。第二電極層94係包括一透光材料，且係設置於第二基膜92及聚合物層95之間。第一及第二電極層93、94係設置為彼此互相面對、並有聚合物層95介入於其中。第一及第二電極層93、94可透過塗覆方法(coating schemes)，分別形成於第一及第二基膜91、92之上。
第二基膜92之一部分可與模製件81之頂面相接觸，而第一基膜91之上可設有一保護膜。
第一及第二電極層93、94可包括一透明導電聚合物材料，如金屬氧化物(metallic oxide)或金屬氮化物(metallic nitride)。舉例而言，第一及第二電極層93、94可包括下述至少一者：氧化銦錫(indium tin oxide，ITO)、氧化銦鋅(indium zinc oxide，IZO)、氧化銦鋅錫(indium zinc tin oxide，IZTO)、氧化銦鋁鋅(indium aluminum zinc oxide，IAZO)、氧化銦鎵鋅(indium gallium zinc oxide，IGZO)、氧化銦鎵錫(indium gallium tin oxide，IGTO)、氧化鋁鋅(aluminum zinc oxide，AZO)、氧化銻錫(antimony tin oxide，ATO)、及氧化鋅鎵(gallium zinc oxide，GZO)。此外，第一及第二電極層93、94可包括透明導電聚合物材料。
第一電極層93係接收由一第一驅動電壓產生器93A所產生之第一驅動電壓V1，而第二電極層94係接收由一第二驅動電壓產生器94A所產生之第二驅動電壓V2。
若第一及第二驅動電壓V1、V2使第一及第二電極層93、94之間形成電場(electric field)，光學控制單元90會因第一及第二驅動電壓V1、V2間的電位差(potential difference)開啟以調整光方位角。若不對光學控制單元90施加驅動電壓V1、V2，則光學控制單元90關閉。
聚合物層95係介於第一及第二電極層93、94之間，且具有一液晶96分佈於其中。分佈於聚合物層95中之液晶96係由光學控制單元90之第一及第二驅動電壓V1、V2來傳輸或發散入射光。液晶96可包括正型及負型液晶，在長短軸(major and minor axes)間表現出不同的介電係數(dielectric constants)。聚合物層95之折射率(refractive index)係等於液晶96之一尋常折射率或一非尋常折射率(extra-ordinary refractive index)。
聚合物層95係依據第一電極層93提供之第一驅動電壓V1及第二電極層94提供之第二驅動電壓V2間的電壓差，來調整發光裝置1發出之光的方位角。
聚合物層95之寬度可相等於或不同於發光裝置1或本體10之寬度。在此情況下，聚合物層95之寬度可為落在發光裝置1或本體10之寬度之90%至150%之範圍內。又，第一及第二電極層93、94之寬度可為落在發光裝置1或本體10之寬度之90%至150%之範圍內。聚合物層95之底面面積可為落在發光裝置1或本體10之底面面積之90%至150%之範圍內。第一及第二電極層93、94之底面面積可為落在發光裝置1或本體10之底面面積之90%至150%之範圍內。
具有液晶96分佈於其中之聚合物層95可由下述方法形成。首先，在使用一溶劑將聚合物及液晶混合以後，自此混合溶液中去除該溶劑，以形成包含有液晶96分佈於其中之聚合物層95。或者，在混合液晶及液態聚合物或單體(monomer)以後，對此混合溶液照射紫外光，以硬化該聚合物或單體，進而形成聚合物層95。然而，具有液晶96分佈於其中之聚合物層95之形成方法並不限定於此。聚合物層95之厚度可落在3 μm至50 μm之範圍內，但本發明實施例並不限制於此。聚合物層95可包括液晶96，其係具有一等向性(isotropic property)、同時表現出0.15至0.25之折射率。此外，當折射率非等向性(anisotropy)增加時，液晶96之光散射增加。一密封件(sealing member)可被設置於聚合物層95之周圍，以避免液晶96之洩漏，但本發明實施例並不限制於此。
光源模組100係由光學控制單元90執行一第一方位角模式或一第二方位角模式。同時，若光學控制單元90被關閉，則光學控制單元 90執行一阻隔模式，以阻隔入射光。
如上所述，光學控制單元90係被開啟/關閉以控制光的傳輸/阻隔。當光學控制單元90開啟時，光學控制單元90依據施於光學控制單元90之第一驅動電壓V1及第二驅動電壓V2間的電壓差，以於第一方位角模式或第二方位角模式來控制光的輸出。第一方位角模式係為一較窄的方位角模式，而第二方位角模式係為一較寬的方位角模式。也就是說，方位角模式可隨第一驅動電壓V1及第二驅動電壓V2間的電壓差而被切換為窄方位角模式或寬方位角模式。於第一方位角模式下，光係以130°或以下之方位角分佈來輸出。於第二方位角模式下，光係以140°或以上之方位角分佈來輸出。亦即，依據驅動電壓V1、V2，光學控制單元90係以10°或以上之方位角差來輸出光。
如圖3所示，若第一及第二驅動電壓V1、V2不被施於光學控制單元90，聚合物層95之液晶96會以一水平方向排列，以阻隔入射光。在此情況下，光源模組100可驅動一阻隔模式。
如圖4所示，第一及第二驅動電壓V1、V2係施於光學控制單元90。第一及第二驅動電壓V1、V2間的電位差可落在第一驅動電壓V1之約30%至約70%之範圍內。在此情況下，聚合物層95之液晶96係以一歪斜方向或一傾斜方向排列例如，於30°至70°之一角度，藉此以散射入射光。據此，如圖6(B)所示，光學控制單元90發散入射光，進而使光在140°或以上之方位角分佈發出。亦即，該光源模組會在140°或以上之方位角分佈發出光線L1。
如圖5所示，第一及第二驅動電壓V1、V2係被施於光學控制單元90，第一及第二驅動電壓V1、V2間的電壓差係最大化，聚合物層95之液晶96係垂直排列，以傳輸光。如圖6(A)所示，因光源模組之光學控制單元90係傳輸入射光，光線L2係在130°或以下之方位角分佈發出。亦即，光源模組係以130°之方位角分佈發出光線L2。若第一及第二驅動電壓V1、V2間的電壓差係最大化，第二驅動電壓V2和第一驅動電壓V1間的差係落在第一驅動電壓V1之70%至約100%之範圍內。
根據本發明實施例之光學控制單元90可依據在窄方位角模 式或寬方位角模式下輸入電壓V1、V2間的電壓差，選擇性地輸出未被發光裝置1擴散之光。具有光學控制單元90之光源模組可被應用於高規格燈具。
此外，光學控制單元90可包括一壓電裝置(piezoelectric device)。該壓電裝置係包括：一壓電元件(piezoelectric element)，設置於本體10之上；及一導電流體(conductive fluid)於模製件81之上。此導電流體之形狀係隨施於壓電元件上之電壓間的差而變為一凸起形狀或一凹陷形狀，進而得以調整自模製件81傳輸之光的方位角。
圖7係繪示有圖2中該光源模組之一第一修正例剖面圖。在下述有關圖7之說明中，與第一實施例中相同之元件說明請配合參閱前文關於第一實施例之說明，以下將省略其細節說明，以求敘述之簡潔。
參閱圖7，發光裝置係包括一擴散層83(diffusing layer)，形成於設置在本體10之凹陷部分60中之一模製件81A以及光學控制單元90之間。模製件81A之頂面係具有一凹透鏡之形狀，且其與光學控制單元90底面之間係有一預設間隙。
模製件81A可包含有雜質如螢光粉，但本發明實施例並不限制於此。
擴散層83可為一中空的空間(empty space)，或可包括具有一光擴散劑(light-diffusing agent)之一樹脂層。擴散層83可擴散自發光晶片71、72所發出之光。
因擴散層83會擴散入射於光學控制單元90之光，故可提升自光學控制單元90發出之光的色度分佈(chromaticity distribution)。
圖8係繪示有圖2中該光源模組之一第二修正例之一剖面圖。在下述有關圖8之說明中，與第一實施例中相同之元件說明請配合參閱前文關於第一實施例之說明，以下將省略其細節說明，以求敘述之簡潔。
參閱圖8，在發光裝置中，第一及第二螢光層51、52係連接於第一及第二發光晶片71、72之頂面。第一及第二螢光層51、52之底面可具有一面積等於或小於第一及第二發光晶片71、72之頂面面積。第一及第二螢光層51、52可延伸出第一及第二發光晶片71、72之側邊之外， 但本發明實施例並不限制於此。
第一及第二螢光層51、52可包括紅、藍、黃、及綠螢光粉其中至少一者。第一及第二螢光層51、52可包括相同螢光粉或不同螢光粉。
第一及第二螢光層51、52可自第一及第二發光晶片71、72形成於1 μm至100 μm之厚度，但本發明實施例並不限制於此。
因此，設置在本體10之凹陷部分60中之一模製件81B可不包含一螢光粉，或可包含與第一及第二螢光層51、52不同之螢光粉。然而，本發明實施例並不限制於此。模製件81B可不形成於凹陷部分60中。
圖9係根據第二實施例，繪示有一光源模組之一立體分解圖。圖10係繪示有該光源模組之組裝之一立體圖。在下述有關第二實施例之說明中，與第一實施例中相同之元件說明請配合參閱前文關於第一實施例之說明，以下將省略其細節說明，以求敘述之簡潔。
參閱圖9、10，發光裝置係包括複數個導引部件15(guide parts)，形成於本體10之頂面14周圍。導引部件15係突伸自本體10，或可包括與本體10相同之材料或與本體10不同之材料。
導引部件15係突伸自本體10之上部分之一角落，以支撐光學控制單元90之周緣部分。光學控制單元90係包括：一耦接部件92(coupling part)，對應於各導引部件15。耦接部件92係包括光學控制單元90之角落之一切面。
若光學控制單元90係堆疊於本體10之上，導引部件15係用以導引、支撐光學控制單元90之耦接部件92。據此，導引部件15可用以避免光學控制單元90之傾斜，使光學控制單元90得以輕易地被組裝、拆解。
導引部件15可具有一厚度等於光學控制單元90之厚度、小於光學控制單元90之厚度、或者大於光學控制單元90之厚度。
圖11係根據第三實施例，繪示有一光源模組之一立體分解圖；圖12係繪示有圖11中該光源模組之一組裝立體圖。在下述有關第二實施例之說明中，與第一實施例中相同之元件說明請配合參閱前文關於第一實施例之說明，以下將省略其細節說明，以求敘述之簡潔。
參閱圖11、12，發光裝置之一上部分係設置有一容納槽16A(receiving groove)。容納槽16A係設置為圍繞本體10之凹陷部分60，並以一較低的高度與本體10之頂面呈階梯狀設置。
一連接溝槽17(connector groove)係形成於容納槽16A之一部分。連接溝槽17可經由將本體10之其中一側邊開放來形成。
光學控制單元90係被容納於容納槽16A中，且與光學控制單元90相連接之一連接件94(connector)可與連接溝槽17耦接。連接件94可與自外界引入之複數導線95相連接。
圖13係根據第四實施例，繪示有一光源模組101。
參閱圖13，光源模組101係包括：一發光裝置2；以及一光學控制單元90A，設置於發光裝置2之上。
發光裝置2係包括：一本體131；第一及第二引線框架112、113，安裝於本體131之內；一模製件141；以及一發光晶片121。
本體131之形成可使用高反射性樹脂如PPA、聚合物、或塑膠，以射出成型方法(injection molding scheme)來形成之；或者，可形成於一單層基板或一多層基板之堆疊結構。本體131可經由將一反射材料添加入一樹脂材料如環氧或矽來形成，但本實施例並不限制於此。本體131中係設有一空腔135(cavity)。空腔135之周緣表面可為傾斜於或垂直於空腔135之底面。
第一及第二引線框架112、113係以彼此相隔而設之方式被設置於空腔135之底面上。
發光晶片121係被設置於第一及第二引線框架112、113其中至少一者之上，並透過一導線136與第一及第二引線框架112、113相連接。
模製件141係形成於空腔135中。模製件141可包括一透光樹脂材料如環氧或矽，且可包括一螢光粉。
若透過第一及第二引線框架112、113提供電力予發光晶片121，則大部分的光可由發光晶片121之頂面及側邊汲取。汲取之光可經由模製件141發射至外界。在此情況下，光學控制單元90A係設置於發光裝 置2之本體131以及模製件141之上，以調整通過模製件141之光的方位角。有關光學控制單元90A之結構說明，請參閱前文依據第一實施例之光學控制單元之敘述，以下將省略其細節，不再贅述。
根據本實施例之光源模組係可被應用於一照明系統。該照明 系統可包括一結構，其中排列有複數個光源模組。該照明系統可包括一照明燈具、一信號指示燈、一車輛頭燈、及一電子看板。
圖14係繪示有具有圖1中光源模組之一顯示裝置之一立體 圖；圖15係繪示有具有圖1中光源模組之一發光裝置。
圖14係繪示有具有根據本發明實施例之光源模組之一顯示 裝置之一立體分解圖。
參閱圖14，一顯示裝置1000係包括：一導光板1041；一發 光模組1031，以提供光給導光板1041；一反射部件1022，於導光板1041之下方；一光學片1051(optical sheet)，於導光板1041之上；一顯示面板1061(display panel)，於光學片1051之上；以及一底蓋1011(bottom cover)，其係容納導光板1041、發光模組1031、及反射部件1022；然而本發明實施例並不限制於此。
底蓋1011、發光模組1031、反射部件1022、導光板1041、 及光學片1051可被定義為一照明單元1050。
導光板1041係將發光模組1031提供之光擴散，以提供表面 光(surface light)。導光板1041可包括一透明材料。例如，導光板1041可包括壓克力樹脂材料如熱塑性樹脂(polymethylmethacrylate，PMMA)、聚乙烯對苯二甲酸酯(polyethylene terephthlate，PET)樹脂、聚碳酸酯(poly carbonate，PC)樹脂、環烯烴共聚物(cyclic olefin copolymer，COC)樹脂、及聚萘二甲酸乙二醇酯(polyethylene naphthalate，PEN)樹脂其中一者。
發光模組1031係被設置於導光板1041之至少一側，以提供 光給導光板1041之至少一側。發光模組1031係被用作為顯示裝置之光源。
至少一發光模組1031係被設置於底蓋1011中，以直接地或 間接地自導光板1041之一側提供光。發光模組1031可包括一基板1033及複數個如前文所述之光源模組100。光源模組100係排列於基板1033之上， 彼此之間並以一預設間隔相隔而設。基板1033係包含有一電路圖案(circuit pattern)，其頂面或底面至少一者上係具有一電極墊(electrode pad)。除了包含有樹脂之印刷電路板外，基板1033亦可為一金屬芯印刷電路板(metal core PCB，MCPCB)或一軟性印刷電路板(flexible PCB，FPCB)等等，但本發明實施例並不限制於此。當光源模組100被裝設於底蓋1011之側面或其散熱板(heat radiation plate)上時，此情形下可移除基板1033。一部分的散熱板可與底蓋1011之頂面相接觸。因此，自光源模組100發出之熱可透過該散熱板被發散至底蓋1011。
光源模組100可被裝設於基板1033之上，以使用以發光之 出光表面能與導光板1041以一預設距離相隔而設；但本發明實施例並不限制於此。光源模組100可直接地或間接地提供光給入光部(light incident part)，也就是導光板1041之一側；但本發明實施例並不限制於此。
自光源模組100發出之光可入射於導光板1041。對應導光 板1041之最外部分設置之一光源模組係使光學控制單元90得以運作於窄方位角模式，如圖5所示，進而防止光逸失之故障情況。對應除了導光板1041最外部分以外之區域設置之光源模組係使光學控制單元90得以運作於寬方位角模式，如圖4所示。亦即，根據本實施例，係調整設置於導光板1041入光部之不同光源100之光學控制單元90之驅動電壓彼此之間的差，以使光能夠以不同方位角分佈來輸出。
導光板1041係將自光源模組100入射於其中之光轉換為表 面光輸出。
反射部件1022可被設置於導光板1041之下方。反射部件 1022係將通過導光板1041之底面並向下行進之光向上反射至顯示面板1061，進而提升照明單元1050之亮度。舉例而言，反射部件1022可包括聚乙烯對苯二甲酸酯(PET)、聚碳酸酯(PC)、或聚氯乙烯(PVC)樹脂，但本發明實施例並不限制於此。反射部件1022可被用作為底蓋1011之頂面，但本發明實施例並不限制於此。
底蓋1011係包括一容納部分1012(receiving part)。容納部 分1012係具有至少一開放之上部分，且可容納導光板1041、發光模組 1031、以及反射部件1022於其中。底蓋1011可與頂蓋(top cover)(未圖示)耦接，但本發明實施例並不限制於此。
底蓋1011可使用金屬材料或樹脂材料由一壓模製程(press process)或一擠壓成型製程(extrusion process)來製造。另，底蓋1011可包括具極佳熱傳導性(thermal conductivity)之金屬或非金屬材料，但本發明實施例並不限制於此。
舉例而言，顯示面板1061係為一LCD顯示面板，其係包括 彼此相對之第一及第二透明基板、以及介於該第一及第二透明基板之間的一液晶層(liquid crystal layer)。一偏光板(polarizing plate)可連接於顯示面板1061之至少一表面上，但本發明實施例並不限制於此。顯示面板1061透過容許光通過其間或者阻隔光之方法來顯示資訊。顯示裝置1000可被應用於各種不同的攜帶式終端裝置(portable terminals)、筆記型電腦螢幕、電腦螢幕及電視螢幕等。
光學片1051係被設置於顯示面板1061及導光板1041之 間，且包括至少一透光片(transmissive sheet)。舉例而言，光學片1051係包括選自由：一擴散片(diffusion sheet)、一水平及垂直稜鏡片(horizontal and vertical prism sheet)、及一增光片(brightness enhanced sheet)所組成之群組其中至少一者。該擴散片係擴散入射光。該水平及垂直稜鏡片係將該入射光集中至一顯示區域上。該增光片係藉由重新使用逸失的光來增強亮度。另外，一保護片可被設置於顯示面板1061上，但本發明實施例並不限制於此。
導光板1041及光學片1051可被設置於在發光模組1031之 光路徑上作為光學部件，但本發明實施例並不限制於此。
圖15係根據本發明實施例，繪示有一發光裝置之一立體圖。
參閱圖15，發光裝置1500包括：一外殼1510(case)；一發 光模組1530，安裝於外殼1510中；以及一連接件1520(connector)，安裝於外殼1510中，以接收來自一外部電源之電力。
較佳地，外殼1510係包括具有極佳散熱性質(heat radiation property)之材料。例如外殼1510係包括一金屬材料或一樹脂材料。
發光模組1530可包括：一基板1532；及根據本發明實施例 之光源模組100，安裝於基板1532上。光源模組100係彼此相隔而設，或者以一矩陣(matrix)形式排列。例如，設置於基板1532之最外部分的光源模組100係由光學控制單元90運作於窄方位角模式，如圖5所示；而設置於基板1532之中心部分的光源模組100係由光學控制單元90運作於寬方位角模式，如圖4所示。此外，光源模組100可由光學控制單元90運作於相同之方位角模式如窄方位角模式或寬方位角模式。
基板1532係包括印刷有一電路圖案之一絕緣件。例如，基 板1532係包括一印刷電路板(PCB)、一金屬芯印刷電路板(MCPCB)、一軟性印刷電路板(FPCB)、一陶瓷電路板(ceramic PCB)、及一FR-4基板。
另外，基板1532可包括能夠有效反射光線之材料。一塗覆 層可形成於基板1532之表面上。此時，此塗覆層係具有一白色或一銀色，以有效地反射光線。
至少一光源模組100係被安裝於基板1532之上。光源模組 100可包括至少一發光二極體(light emitting diode，LED)晶片。該發光二極體晶片可包括：發出紅、綠、藍、及白色可見光波帶之光之一發光二極體；及發出紫外光之一紫外光(ultraviolet，UV)發光二極體。
發光模組1530可包括各種不同的光源模組100組合配置， 以提供各種不同顏色及亮度。舉例而言，可將白色發光二極體、紅色發光二極體、以及綠色發光二極體組合在一起，以達到高顯色性指數(color rendering index，CRI)。
連接件1520係與發光模組1530電性連接，以提供電力給發 光模組1530。連接件1520可以一牙槽形狀(socket shape)與外部電源螺接(screw-coupled)，但本發明實施例並不限制於此。舉例而言，連接件1520可被準備為一插針(pin)之形式，以插入該外部電源內；或者，連接件1520可透過一導線與該外部電源相連接。
圖16係根據第四實施例，繪示有一顯示裝置1100之一剖面 圖。
參閱圖16，顯示裝置1100係包括：一底蓋1152；一基板 1120，前文所述之發光裝置200係排列於其上；一光學控制單元90B，於基 板1120之上；一光學片1154、及一顯示面板1155。
發光裝置200可為具有發光晶片封裝於其中之發光裝置，如 圖2或圖9所示；或者，發光裝置200可以一發光晶片之形式來實現；然而，本發明實施例並不限制於此。
基板1120及發光裝置200可構成一發光模組1160。此外， 底蓋1152、光學控制單元90B、至少一發光模組1160、及光學片1154可構成一照明單元1150。複數個發光裝置200可在基板1120上排列為至少一列或至少兩列。
複數個支撐件90(supporters)係介於光學控制單元90B及基 板1120之間。支撐件90係被設置於基板1120上，以支撐光學控制單元90B之下部分，並反射發光裝置200發出之光。光學控制單元90B係具有如圖3所示之結構。光學控制單元90B係隨供給之驅動電壓間的電壓差，而切換運作窄方位角模式或寬方位角模式。當光學控制單元90B以寬方位角模式運作運作時，入射光係被輸出為表面光。據此，發光裝置200間的間隙(pitch)增加，進而可減少發光裝置200之總數量。另，光學控制單元90B及光學片1154之間的距離可縮小，以使顯示裝置1100可被設置於一輕薄結構中。
底蓋1152中可設有一容納部分1153，且複數個發光模組 1160可被排列於容納部分1153之底面上；然而，本發明實施例並不限制於此。
光學片1154可包含有以下至少一者：一透鏡(lens)、一導光 板、一擴散片、一水平及垂直稜鏡片、及一增光片。該導光板可包括PC材料或PMMA(Poly methyl methacrylate)材料。導光板可被省略不用。該擴散片係擴散入射光。該水平及垂直稜鏡片係將入射光集中至一顯示面板1150。該增光片係藉由重新使用逸失的光以增強亮度。
光學片1154係設置於發光模組1060上，以將發光模組1060 所發出之光轉換為表面光。此外，光學片1154可擴散或匯集光。
根據本發明實施例，一光源模組可被設置於發光裝置之上部 分；其中，該光源模組係具有一單元，用以調整自該發光裝置發出之光的 方位角。根據本發明實施例，可調整該發光裝置之光方位角，進而可設置高規格燈具。
根據本發明實施例，可改善具有光學控制單元之光源模組以及具有光源模組之照明單元之可靠度。
雖然本發明實施例係如上文所描述，但應理解，本發明並不限制於這些實施例；熟習此項技術者可想出將落入本發明之原理的精神及範疇內的眾多其他修改及實施例。故所有落入本發明範疇之修改均應被理解為被包括於本發明申請範疇之內。
1‧‧‧發光裝置
10‧‧‧本體
16‧‧‧底部
21‧‧‧第一引線框架
22‧‧‧一部分
23‧‧‧第一引線部
25‧‧‧第一空腔
31‧‧‧第二引線框架
32‧‧‧一部分
35‧‧‧第二空腔
46‧‧‧連接框架
60‧‧‧凹陷部分
71‧‧‧發光晶片
72‧‧‧發光晶片
73‧‧‧導線
74‧‧‧導線
75‧‧‧導線
76‧‧‧導線
90‧‧‧光學控制單元
100‧‧‧光源模組

Claims (18)

  1. 一種光源模組包括：一本體，具有一空腔；複數個引線框架，於該空腔內；一發光晶片，設置於該引線框架其中至少一者之上；一聚合物層，設置於該本體之上，以折射發自該發光晶片之光；一第一電極層，設置於該聚合物層之上，以發出入射光；以及一第二電極層，介於該聚合物層與該本體之間，以傳輸發自該發光晶片之光。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之光源模組，其中該聚合物層係依據提供給該第一電極層及該第二電極層之電壓間之一電壓差，來改變自該第一電極層入射之光之一方位角。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之光源模組，其中該聚合物層係包括液晶。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之光源模組，其中該液晶係包括一折射率非等向性質。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之光源模組，其中該聚合物層係具有一折射率，其範圍落在0.15至0.25。
  6. 如申請專利範圍第3項至第5項中任一項所述之光源模組，其進一步包括：一第一基膜，於該第一電極層之上；以及一第二基膜，於該第二電極層之下。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之光源模組，其中該第一及第二基膜係包括透光膜。
  8. 如申請專利範圍第1項至第4項中任一項所述之光源模組，其中該第一及該第二電極層係包括透光金屬氧化物或透光金屬氮化物。
  9. 如申請專利範圍第6項所述之光源模組，其進一步包括一模製件於該空腔之中。
  10. 如申請專利範圍第1項至第4項中任一項所述之光源模組，其中該聚合物層之一厚度係落在3 μm至50 μm之範圍內，而該第一電極層距離該發光晶片係具有一間隔為4 mm或以下。
  11. 如申請專利範圍第1項至第4項中任一項所述之光源模組，其進一步包括一密封件，設置於該聚合物層周圍。
  12. 如申請專利範圍第11項所述之光源模組，其中該第二基膜係與該模製件之頂面相接觸。
  13. 如申請專利範圍第1項至第4項中任一項所述之光源模組，其中該聚合物層係依據該第一及該第二電極層之電壓，來阻隔或傳遞發自該發光晶片之光。
  14. 如申請專利範圍第1項至第4項中任一項所述之光源模組，其中該第一及該第二電極層係具有寬度大於該本體之一寬度。
  15. 一種發光裝置包括： 複數個發光裝置，其係包括具有一空腔之一本體、複數個引線框架於該空腔之內、及一發光晶片設置於該引線框架其中至少一者之上；複數個控制單元，分別設置於該些發光裝置之上，以根據被供給電壓間之電壓差所轉換之一光學特性來調整自一模製件發出之光之一方位角；以及一導光板，設置於該控制單元之上；其中，各控制單元係包括：一聚合物層，設置於該本體上，並具有液晶、一第一電極層，設置於該聚合物層之上，並發出入射光、及一第二電極層，介於該聚合物層及該本體之間，以傳輸發自該發光晶片之光。
  16. 如申請專利範圍第15項所述之發光裝置，其中當提供給該第一電極層之一第一驅動電壓及該第二電極層之一第二驅動電壓之間的一電壓差超過該第一驅動電壓之70%時，該控制單元係以130。或以下之一光方位角分佈來照射入射光。
  17. 如申請專利範圍第15項所述之發光裝置，其中當提供給該第一及第二電極層之該第一驅動電壓及該第二驅動電壓之間的一電壓差落在該第一驅動電壓之30%至70%之範圍內時，該控制單元係以140°或以上之一光方位角分佈來照射入射光。
  18. 如申請專利範圍第15項至第17項中任一項所述之發光裝 置，其進一步包括一容納槽形成於該發光裝置各自之該本體之一頂面周圍，以使該控制單元與該容納槽耦接。
TW101139091A 2011-10-26 2012-10-23 Light source module and lighting apparatus having the same TWI562327B (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110110059A KR20130045687A (ko) 2011-10-26 2011-10-26 발광 장치 및 이를 구비한 조명 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201324738A true TW201324738A (zh) 2013-06-16
TWI562327B TWI562327B (en) 2016-12-11

Family

ID=47602765

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW101139091A TWI562327B (en) 2011-10-26 2012-10-23 Light source module and lighting apparatus having the same

Country Status (6)

Country Link
US (1) US8842255B2 (zh)
EP (1) EP2587561B1 (zh)
JP (1) JP6058351B2 (zh)
KR (1) KR20130045687A (zh)
CN (1) CN103075678B (zh)
TW (1) TWI562327B (zh)

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102029867B1 (ko) * 2013-08-08 2019-11-08 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지 및 조명시스템
CN103411164B (zh) * 2013-08-19 2015-12-30 吴金香 一种可调节照明角度的路灯
KR102131340B1 (ko) * 2014-01-27 2020-07-07 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 및 이를 구비한 조명 시스템
KR102248084B1 (ko) * 2014-08-06 2021-05-04 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지
KR101643862B1 (ko) * 2015-02-24 2016-07-29 엘지전자 주식회사 발광소자 패키지
KR102409180B1 (ko) * 2015-07-15 2022-06-15 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 발광 소자 패키지 및 조명 장치
DE102016103136A1 (de) * 2016-02-23 2017-08-24 Vishay Semiconductor Gmbh Optoelektronische Vorrichtung
US10270020B2 (en) * 2017-06-20 2019-04-23 Lextar Electronics Corporation LED package structure
JP7054843B2 (ja) * 2018-04-25 2022-04-15 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 照明器具
JP7108892B2 (ja) * 2018-04-25 2022-07-29 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 照明器具
KR102626250B1 (ko) * 2018-08-31 2024-01-17 현대자동차주식회사 차량용 라이팅 장치 및 이의 이용 방법
JP7370274B2 (ja) 2020-02-18 2023-10-27 日機装株式会社 半導体パッケージ及び半導体発光装置
CN117199219A (zh) * 2020-04-26 2023-12-08 群创光电股份有限公司 发光装置
KR20220065153A (ko) * 2020-11-12 2022-05-20 삼성전자주식회사 광원 모듈 및 이를 포함하는 모바일 기기
DE102021108349A1 (de) * 2021-04-01 2022-10-06 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Licht emittierende vorrichtung und lidar-system

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004240259A (ja) * 2003-02-07 2004-08-26 Sharp Corp 液晶調光デバイス及び液晶表示装置
JP4471729B2 (ja) * 2004-04-30 2010-06-02 シチズン電子株式会社 液晶レンズ付き発光装置
TWI413274B (zh) * 2005-03-18 2013-10-21 Mitsubishi Chem Corp 發光裝置，白色發光裝置，照明裝置及影像顯示裝置
CN100508227C (zh) * 2005-03-18 2009-07-01 三菱化学株式会社 发光装置、白光发光装置、照明装置及图像显示装置
JP4508048B2 (ja) * 2005-09-02 2010-07-21 旭硝子株式会社 液晶レンズおよび光ヘッド装置
JP2007095998A (ja) * 2005-09-29 2007-04-12 Harison Toshiba Lighting Corp 発光装置
JP2007134656A (ja) * 2005-11-14 2007-05-31 Toyoda Gosei Co Ltd 蛍光体板及びこれを備えた発光装置
JP2007180127A (ja) * 2005-12-27 2007-07-12 Nikon Corp 光学素子モジュール及びその光学素子モジュールを備える電子部品
KR101333023B1 (ko) * 2006-01-16 2013-11-26 코닌클리케 필립스 엔.브이. 램프 모듈 및 이러한 램프 모듈을 포함하는 조명 디바이스
TW200813557A (en) * 2006-09-12 2008-03-16 Kenmos Technology Co Ltd Liquid crystal display device
DE102007010244A1 (de) * 2007-02-02 2008-08-07 Osram Opto Semiconductors Gmbh Anordnung und Verfahren zur Erzeugung von Mischlicht
JP2008281600A (ja) * 2007-05-08 2008-11-20 Citizen Electronics Co Ltd ズームレンズ付きカメラの補助光装置及び、その補助光装置を備えたズームレンズ付きカメラ、及びその補助光装置に用いる拡散率可変ｌｅｄ。
US20090026470A1 (en) * 2007-07-23 2009-01-29 Novalite Optronics Corp. Super thin side-view light-emitting diode (led) package and fabrication method thereof
JP2009151140A (ja) * 2007-12-21 2009-07-09 Panasonic Corp 液晶フレネルレンズ及び、その製造方法
US8432500B2 (en) * 2008-09-23 2013-04-30 Koninklijke Philips Electronics N.V. Lighting device with thermally variable reflecting element
JP5431706B2 (ja) * 2008-10-01 2014-03-05 ミネベア株式会社 発光装置
KR101381248B1 (ko) * 2009-09-11 2014-04-04 테루유키 카타오카 Ｌｅｄ 조명장치
TWI403808B (zh) * 2009-10-27 2013-08-01 Taiwan Tft Lcd Ass 液晶顯示面板的製造方法
EP2495774B1 (en) * 2009-10-29 2018-07-18 Kyocera Corporation Light emitting device
KR101028313B1 (ko) * 2009-12-03 2011-04-11 엘지이노텍 주식회사 발광 장치 및 그 제조 방법
TWI398700B (zh) * 2009-12-30 2013-06-11 Au Optronics Corp 使用量子點螢光粉之顯示裝置及其製造方法
EP2346100B1 (en) * 2010-01-15 2019-05-22 LG Innotek Co., Ltd. Light emitting apparatus and lighting system
TW201214804A (en) * 2010-03-09 2012-04-01 Lg Innotek Co Ltd Light emitting device package, and display apparatus and lighting system having the same

Also Published As

Publication number Publication date
CN103075678B (zh) 2017-07-04
KR20130045687A (ko) 2013-05-06
JP6058351B2 (ja) 2017-01-11
US8842255B2 (en) 2014-09-23
US20130107169A1 (en) 2013-05-02
CN103075678A (zh) 2013-05-01
JP2013093583A (ja) 2013-05-16
TWI562327B (en) 2016-12-11
EP2587561B1 (en) 2019-07-03
EP2587561A3 (en) 2015-07-08
EP2587561A2 (en) 2013-05-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6058351B2 (ja) 光源モジュール及びこれを備えた照明装置
TWI634677B (zh) 發光元件封裝
JP2011109102A (ja) 発光素子パッケージ
KR101655463B1 (ko) 발광소자 패키지 및 이를 구비한 라이트 유닛
KR102063531B1 (ko) 발광모듈 및 이를 구비한 발광 장치
KR20130024511A (ko) 발광 소자 패키지 및 이를 구비한 조명 시스템
KR20110128693A (ko) 발광 소자 패키지 및 이를 구비한 라이트 유닛
KR101905520B1 (ko) 발광 소자
KR101924014B1 (ko) 발광 소자 패키지 및 이를 구비한 조명 시스템
KR101675588B1 (ko) 발광 소자 패키지
KR101860899B1 (ko) 발광 소자 패키지
KR101880058B1 (ko) 발광 소자 패키지 및 조명 장치
KR101916037B1 (ko) 발광 모듈 및 이를 구비한 발광 장치
KR101741613B1 (ko) 발광 소자 패키지
KR102019830B1 (ko) 발광소자 패키지
KR101916089B1 (ko) 발광소자 패키지 및 이를 구비한 라이트 유닛
KR102042256B1 (ko) 발광소자 패키지
KR101905573B1 (ko) 발광 모듈 및 이를 구비한 조명 시스템
KR101936238B1 (ko) 발광소자 패키지 및 라이트 유닛
KR101946834B1 (ko) 발광 소자 패키지 및 이를 구비한 라이트 유닛
KR20140011155A (ko) 발광 소자
KR20140076879A (ko) 발광소자 패키지
KR20130072993A (ko) 발광 소자 패키지 및 이를 구비한 조명 시스템
KR20130046287A (ko) 발광소자 패키지 및 이를 구비한 조명장치
KR20140056999A (ko) 발광소자 패키지