TW201324030A - 微影用防塵薄膜組件以及其製造方法 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種微影用防塵薄膜組件,對光遮罩接著劑的成形形狀進行調整,由此,該防塵薄膜組件在向光遮罩貼附時,即使加壓,光遮罩接著劑4也不會向防塵薄膜組件的內側突出。本發明的防塵薄膜組件包括:防塵薄膜3、將防塵薄膜繃緊設置的防塵薄膜組件框架1、形成於防塵薄膜組件框架的一端面上且用以接著防塵薄膜的膜接著劑2以及形成於與膜接著劑相反側的一端面的光遮罩接著用黏著劑4,所述光遮罩接著用黏著劑4的截面形狀為矩形或梯形,而且其側壁面與框架面所成的角α為90°以下。

Description

微影用防塵薄膜組件以及其製造方法
本發明涉及微影用防塵薄膜組件的光遮罩黏著劑,進一步涉及防塵薄膜組件黏著劑的成形形狀。
LSI,超LSI等的半導體製造或者液晶表示板等的製造中,半導體晶片或者液晶用原版用光照射,從而進行圖案製作。在所述場合使用的曝光原版(微影用光遮罩)如有灰有塵為附著,所述灰塵會吸收光,從而使光彎曲,這不僅會使轉印的圖案変形,邊沿不齊,還會使基地變黒,發生尺寸、品質、外觀以及完成後的部件機能等受損的問題。
由此,上述的作業,通常在無塵室中進行,但是即使在無塵室內,要保持曝光原版總是清浄也是很難的,所以一般採取在曝光原版的表面貼附擋住灰塵,且使曝光用光良好通過的防塵薄膜組件的方法。在所述場合,灰塵不在曝光原版的表面上直接附著, 而是在防塵薄膜上附著,如此只要在微影時將焦點對準曝光原版的圖案,防塵薄膜上的灰塵與轉印就無關系了。
防塵薄膜組件的基本的構成如圖1,圖2所示。是將使曝光用光良好透過的硝酸纖維素、醋酸纖維素以及氟類聚合物等構成的透明的防塵薄膜3貼附於下述防塵薄膜組件框架上,即在由實施了黒色氧化膜處理的A7075、A6061以及A5052等的鋁合金、不銹鋼以及聚乙烯等形成的防塵薄膜組件框架1上,或者在鋁以及其他的金屬上進行了塗裝以及塗布的防塵薄膜組件框架1等的上端將防塵薄膜的良溶媒進行塗布,風幹後進行接著(專利文獻1參照),或用丙烯酸樹脂、環氧樹脂以及氟樹脂等的接著劑2進行接著(專利文獻2,專利文獻3參照),進一步,在防塵薄膜組件框架1的下端,為了安裝曝光原版,使用聚丁烯、聚醋酸乙烯基酯、丙烯酸樹脂或者矽氧烷樹脂等形成的黏著材層4,另外為了保護黏著劑層,設有光遮罩黏著劑保護用襯層5。
【先行技術文獻】 【專利文獻】
【專利文獻1】日本特開昭58-219023號公報
【專利文獻2】美國專利第4861402號說明書
【專利文獻3】日本特公昭63-27707號公報
防塵薄膜組件是,以將光遮罩基板的表面形成的圖案領域進行包圍的形式進行設置的。防塵薄膜組件是為了防止光遮罩基板上有灰塵為附著而設置的,所以所述圖案領域和防塵薄膜組件外部,被分隔開,由此使防塵薄膜組件外部的灰塵不在圖案面上附著。近年,LSI的設計規則,正向小於四分之一的細微化前進,與此相伴隨,曝光源的短波長化正在前進。即,從至今為至為主流的水銀燈的g線(436 nm)以及I線(365 nm),變為KrF準分子雷射(248 nm),ArF準分子雷射(193 nm),F2雷射(157 nm)等。
由於這樣的曝光的短波長化的進行,隨之曝光所持的能量變高。在高能量的光被使用的場合,與以往的那樣的波長的光相比,曝光氛圍氣中存在的氣體狀物質進行反應,在光遮罩基板上有反應生成物生成的可能性就會大幅度變高。由此,採取了將無塵室內的氣體狀物質極力減低,光遮罩的洗浄嚴格進行以及將防塵薄膜組件的構成物質發生氣體的問題排除等的對策。
特別是防塵薄膜組件,在光遮罩基板上進行直接貼附使用的場合,要求從防塵薄膜組件構成材料,即從有機材料形成的光遮罩接著劑、防塵薄膜接著劑以及內壁塗布劑等發生的氣體要少,從而可以得到改善。但是,光遮罩基板上發生的所謂的「霧」的雲狀異物,即使進行光遮罩的洗浄以及防塵薄膜組件構成材料的低 發生氣體化,也不能完全杜絕,其成為半導體製造中的成品率變差的原因。
另一方面,近年光遮罩上形成的圖案的領域變廣,由於要高效地對光遮罩面進行利用而進行微影,曝光時光會照到防塵薄膜組件近傍。由此,如曝光時防塵薄膜組件的光遮罩接著劑就會從防塵薄膜組件框架向內側突出,此時曝光光以及或其散射光如碰到光遮罩接著劑,就會有氣體發生,發生的臭氧等的氣體就會對光遮罩接著劑產生熱損害,氣體的發生,會有可能使光遮罩接著劑的機能變差。
即使使光遮罩接著劑的低發生氣體化,如果關鍵的光遮罩接著劑突出,這些改良不僅會變得無用,根據場合,會對光遮罩造成傷害,發生大的損害。
作為所述那樣的問題發生的原因,為防塵薄膜組件在光遮罩上貼附時,要加以高壓力,從而貼附於防塵薄膜組件。這是由於介於光遮罩接著劑將防塵薄膜組件在光遮罩上進行貼附,如不加以充分的荷重,就會在光遮罩和光遮罩接著劑之間形成氣體通道,由此,使光遮罩的圖案面與外部環境隔離的本來的機能就會有失去的可能。
若施加如此高的貼附壓力來進行貼合,則加壓時光遮罩接著劑會嚴重的坍塌而変形,並視形狀而定,光遮罩接著劑會向框架內側突出。
本發明就是,鑒於所述的情況,而得到的。本發明的目的是提供一種對光遮罩接著劑的成形形狀進行了調整的微影用防塵薄膜組件以及其製造方法。根據該方法,在將防塵薄膜組件在光遮罩上貼附時,即使加壓,光遮罩接著劑也不會向防塵薄膜組件的內側突出。
上述本發明的目的,可以有下述技術方案來達到。
一種微影用防塵薄膜組件,其特徵在於:包括(圖1參照)防塵薄膜(3)、將所述防塵薄膜繃緊設置(stretching)的防塵薄膜組件框架(1)、形成於所述防塵薄膜組件框架的一端面上的防塵薄膜貼附用的接著劑層(2)、形成於與所述防塵薄膜貼附用接著劑層相反側的端面上的光遮罩黏著劑層(4),其中所述光遮罩黏著劑層(4)的截面為矩形或梯形,上端具有平坦面,而且所述光遮罩黏著劑層的側面與框架面所成的角α為90°以下。
本發明中的黏著劑層的側面與框架面所成的角,如圖3例示的那樣,被叫做接著劑層的截面形狀中的梯形的底角,也略稱為 側壁面角。接著劑層的截面形狀成為梯形的理由,將參照圖6而後述。
本發明中,截面形狀的矩形或梯形,不要求為幾何學上的嚴密的梯形以及矩形,只要是類似梯形形狀或類似矩形的形狀即可。
為了易於與附圖進行對照,將附圖參照符號加以括號進行記述,但是本發明的構造並不限制為附圖。
本發明中,將形成於防塵薄膜組件框架的一端上的光遮罩接著劑的成形形狀設為其側壁面與框架面所成的角度為90°以下,由此可以防止光遮罩黏著劑從防塵薄膜組件框架的突出,使其在微影工程的曝光光或其散射光中的暴露為最小,從而可以防止霧發生的原因的氣體的產生,以及光遮罩接著劑的老化的問題。
1‧‧‧防塵薄膜組件框架
2‧‧‧防塵薄膜貼附用接著劑層
3‧‧‧防塵薄膜
4‧‧‧光遮罩接著用黏著劑層
5‧‧‧(光遮罩接著用黏著劑保護用)襯層
【圖1】表示防塵薄膜組件的基本的構成的截面說明圖。
【圖2】表示防塵薄膜組件的基本構成的全體斜視說明圖。
【圖3】表示防塵薄膜組件框架上形成的光遮罩接著劑層與側壁面角度α的示意說明圖。
【圖4】防塵薄膜組件框架的上端面寬和光遮罩接著劑層的側壁面角度的優選關系曲線。
【圖5】表示防塵薄膜組件框架的上端面寬和光遮罩接著劑 的塗布量相對值的關系的曲線。
【圖6】說明光遮罩接著用黏著材料的成形的示意圖。
本發明人進行了研究的結果,得知在黏著劑層形成時,黏著劑的側壁面與框架面形成的角度要在90°以下,由此可以防止在防塵薄膜組件加壓貼合時的突出,從而完成了本發明。
本發明的主要內容為,防塵薄膜組件的光遮罩接著劑層的側壁面和框架面形成的角度為90°以下,由此就可以防止防塵薄膜組件在光遮罩上進行貼附時,光遮罩接著劑突出,從而帶來的種種的問題。
如果僅僅著眼於防止光遮罩接著劑的突出,側壁面和框架面的角度越小越好,但是過小會使接著強度變差。因此,在沒有突出的危險的範圍內,又可以得到充分的接著強度的條件為「90°以下」的這一構成使本發明具有新穎性和創造性。
以下,參照附圖,對本發明進行進一步詳細說明。
本發明的防塵薄膜組件是,如圖1所示,在防塵薄膜組件框架1的上端面經由防塵薄膜貼附用接著劑層2繃緊設置有防塵薄膜3的防塵薄膜組件,所述場合,通常,在下端面形成光遮罩接著用黏著劑(光遮罩接著劑)層4,所述光遮罩接著用黏著劑層 4的下端面可以剝離地貼附有襯層5。另外,防塵薄膜組件框架的上下兩端面的角優選被切角。切角而成的面(以下稱為C面)的尺寸為0.2 mm~0.4 mm。
這些防塵薄膜組件構成部件的大小為,與通常的防塵薄膜組件,例如半導體微影用防塵薄膜組件,大型液晶表示板製造微影工程用防塵薄膜組件等相同,另外,其材質也可以使用所述的公知的材料。
如對所述點進一步詳述的話,防塵薄膜的種類沒有特別是限制,例如,以往準分子雷射使用的,非晶質氟聚合物等可以被使用。非晶質氟聚合物,可以例舉,CYTOP(旭硝子(株)制商品名),特氟隆AF(杜邦(株)制商品名)等。
這些聚合物,在所述防塵薄膜製作時根據必要,可以溶解於溶媒而使用,例如氟類溶媒等適宜於溶解。
本發明中使用的,防塵薄膜組件框架的基礎材料,可以使用以往使用的鋁合金材,優選JIS A7075,JIS A6061,JIS A5052材等。鋁合金材以外的樹脂,玻璃等,只要可以確保防塵薄膜組件框架的強度,就沒有特別的限制。
防塵薄膜組件框架的4個的側面都可以形成通氣口(圖示省略)。所述通氣口的尺寸,形狀沒有特別的限制,可以根據通氣口 設置的除塵用過濾器的灰塵過濾尺寸,過濾面積,或者通氣量來進行所述尺寸,形狀的適宜選擇即可。
本發明使用的除塵用過濾器,只要是可以在所述通氣口部分設置,其形狀,個數,場所沒有特別的限制。除塵用過濾器的材質,可以例舉樹脂(PTFE,尼龍66等),金屬(316L不銹鋼等),陶瓷(氧化鋁,氮化鋁等)等。
另外,所述除塵用過濾器的外側部分,優選對環境中的化學物質有吸附以及分解功能的化學過濾器。
作為防塵薄膜接著用接著劑,可以使用以往使用之物,例如,丙烯酸樹脂接著劑,環氧樹脂接著劑,矽氧烷樹脂接著劑,含氟矽氧烷樹脂接著劑等的氟聚合物等,其中以氟類聚合物為宜。
作為氟類聚合物,具體地說,可以例舉氟類高分子聚合物.CTX809(旭硝子(株)制商品名)。
作為光遮罩接著用黏著劑,可以例舉矽氧烷樹脂黏著劑,丙烯酸類黏著劑,SEBS(聚苯乙烯-聚(乙烯-丁烯)-聚苯乙烯)為首的熱熔性類黏著劑等。只要具有適宜的接著強度,在曝光中沒有發生氣體的問題等,就沒有特別的限制。
這些黏著劑層,在框架的一端面塗布後,將與框架端面相反 側進行平坦面成型加工。方法是塗布後將黏著劑加壓而成形。作為具體例,從吐出噴嘴將黏著劑溶液吐出,在噴嘴的尖端有液珠形成後,使吐出噴嘴與框架端面接觸,此後使噴嘴沿著框架移動。框架全周都均一進行黏著劑塗布後,如是熱固化型黏著劑的情況,進行加熱處理,半固化時對黏著劑表面加壓,進行平坦化處理。
另外,如是熱熔性黏著劑的場合,塗布固化後再一邊進行加熱,一邊加壓使其平坦化。
圖3為,防塵薄膜組件框架上成形的光遮罩接著用黏著材料的截面形狀的示意圖。
(A)為側壁面角度(如下述)為90°的場合。
(B)為側壁面角度為60°的場合。
(C)為側壁面角度為45°的場合。
為了讀圖的方便,與上述圖1不同,為上下逆轉。
側壁面角度(光遮罩黏著劑層的側面與框架面的角)α,依據黏著劑塗布量的變化可以改變。
圖4為光遮罩黏著劑層的截面形狀中的上端面寬和側壁面角度的關系的表示圖,
圖5為上端面寬和塗布體積的關系示例圖。
圖6為光遮罩黏著劑層成形的場合的黏著材料量和側壁面角 度α的關系示意圖。
(圖的上段參照)防塵薄膜組件框架1的下端面上光遮罩黏 著劑4被塗布。
(A1)為黏著材料的量為比較多的場合。
(C1)為黏著材料的量為比較少的場合。
(B1)為黏著材料的量為上述兩者的中間的場合。
光遮罩接著用黏著劑層的厚度尺寸為按規定值(本例中0.4 mm)成形。
(A1參照)使防塵薄膜組件框架1的下端面塗布的光遮罩 黏著劑4與成形夾具面P相對,如向下方推壓,就會變為(A2)那樣,厚度為0.4 mm。
成形的黏著劑層4的截面形狀幾乎為梯形。
圖示的角α相當於側壁面角度,本例(A2)中為約60°。
所述圖6(A2)與上述圖3(B)對應。
如圖6(C1)表示的那樣,如黏著材料的量太少,(C2)的那樣成形的側壁面角度α就會變小。
如圖6(B1)所述的那樣,黏著材料的量為中等,(B2)那樣成形的側壁面角度α為中等。
所述(B2)與上述的圖3(C)幾乎是對應的。
本發明的防塵薄膜組件,用通常的方法在防塵薄膜組件框架 的上端面經由防塵薄膜貼附用接著劑層將防塵薄膜繃緊設置,另外,通常,在下端面形成光遮罩貼附用接著劑層,在所述光遮罩貼附用接著劑層的下端面可以剝離地設置離型層(襯層),從而完成製造。在此,防塵薄膜組件框架上端面形成的防塵薄膜貼附用接著劑層,根據必要,用溶媒稀釋,在防塵薄膜組件框架上端面塗布,加熱幹燥固化而形成。在該場合,接著劑的塗布方法,為毛刷塗布,噴霧塗布,自動液體分配器塗布等的方法。
本發明使用的,光遮罩接著用黏著劑保護用襯層,對材質沒有特別的限制。例如,可以使用PET,PTFE,PFA,PE,PC,二氯乙烷,PP等。
【實施例1】
以下,對實施例對(4個例子)以及比較例(3個例子)進行描述。
7個例為,在同一尺寸的防塵薄膜組件框架上使光遮罩黏著劑層形成,在同一尺寸的光遮罩基板上貼附,同一條件進行曝光照射後,對異物發生的有無進行檢査,在每個例子中都使「黏著劑層的側面與框架面的角α」変化。
實施例(4例)以及比較例(3例)中的主要的作業條件,以及檢査結果列於表1。
〔實施例1〕
首先,作為防塵薄膜組件框架,準備框架外尺寸149 mm×122 mm×5.8mm,框架厚度2mm,兩端面的C面尺寸為C:0.2mm的A7075-T651的鋁合金製框架。所述框架的一側面中央1處設置直徑0.5mm的通氣孔。
將所述框架,在表面洗浄後,用玻璃珠,以吐出壓約147kPa(1.5kg/cm2)的噴沙裝置進行1分鐘表面處理,使表面粗糙化。接著將所述框架,在NaOH處理浴中進行10秒鐘洗浄處理的後,在形成電壓10V(1.3A),14%硫酸水溶液中,液溫18℃,進行陽極氧化。
接著,進行黒色染色,封孔處理,在表面形成黒色氧化膜。此後,進行5分鐘的超純水和超音波洗浄裝置的洗浄。
接著,在所述框架的內面用噴霧塗布裝置,進行丙烯酸類黏著劑10 μm塗布。
接著,在所述的通氣口,設置材質為PTFE,灰塵過濾尺寸為0.1 μm~3.0μm,過濾能力為99.9999%的寬8 mm,高2.5mm,厚度300μm的過濾器。過濾器為,在除塵用的過濾器部和所述外側具有化學過濾器。
接著,將特氟隆AF1600(美國杜邦公司制商品名)溶解於氟 類溶劑.fluorinert FC-75(美國3M公司制商品名)中,調制濃度8%的溶液。
接著,用所述溶液,在直徑250mm,厚度600μm的鏡面研磨了的矽氧烷基板面上,用旋轉塗布機,形成膜的厚度為0.83μm的透明膜。
接著,在所述膜上將外尺寸200 mm×200 mm×5 mm寬,厚度5mm的框用環氧類接著劑.Aralditerapid(昭和高分子(株)制商品名)進行接著,從基板面剝離。
接著,在所述的那樣準備的鋁合金制框架的一端面上進行丙烯酸類黏著劑的塗布。
所述場合,增加塗布量,則側壁面角度増加,塗布量減少側壁面角度減少,由此,來進行側壁面角度的控制。對塗布量進行設定(塗布體積比0.94),使黏著劑層厚度為0.4 mm,端面寬1.4 mm,側壁面角度45°。
將所述框架在100℃,3分加熱,進行予固化。用具有在表面形成離型層的,可以將半固化的黏著劑層製成面平坦度10μm的加壓板的加壓裝置進行加壓,使黏著劑的表面平坦,得到的黏著劑的黏著劑層的側壁面角度為45°,端面寬為1.4mm。(表1的實施例1的欄參照)
另外,在所述鋁合金制框架的另一端面上,用氟類溶媒.CTSOLVE180(旭硝子(株)制商品名)稀釋的氟類高分子聚合物.CTX809(旭硝子(株)制商品名)塗布,100℃下進行10分加熱,幹燥固化。然後,將PET制襯層單獨準備,用帶有CCD照相機圖像處理位置決定機構的襯層貼附裝置將其貼合在光遮罩接著用黏著劑上。
接著,在與準備的特氟隆AF1600(前述)的膜表面上密著後,用IR燈對框架進行加熱,使框架和膜融著。
兩個框架,使防塵薄膜組件框架的接著面朝上,用固定用的夾具進行安裝固定,不使其相對位置錯動。接著,將防塵薄膜組件框架外側的框拉起固定,給予防塵薄膜組件框架外側的膜部以約0.5N/m(0.5g/cm)的張力。
接著,用管式液體分配器一邊將氟類溶劑.fluorinert FC75(杜邦公司制商品名)毎分10微升的速度滴下,一邊沿著所述防塵薄膜組件框架的接著劑部分的周邊部,將安裝在SCARA機器人上的刀一邊移動,一邊將防塵薄膜組件框架外側的不要膜部分切除。
將完成的防塵薄膜組件進行洗凈,使表面殘存酸成分的濃度為1ppb以下,將所述防塵薄膜組件在形成Cr測試圖案的石英玻璃制6英寸光遮罩基板上貼附。
接著,將所述框架安裝在ArF準分子雷射掃描儀.NSRS306C(株式會公司尼康制,商品名)上,在光遮罩面上以曝光強度0.01mJ/cm2/pulse,反復頻率4000Hz,進行照射,直至達到500J/cm2的照射量。
在照射的6英寸光遮罩上,用雷射異物檢査裝置進行觀察,在測試圖案部以及玻璃部分沒有發現霧(haze)以及異物。
〔實施例2〕
首先,作為防塵薄膜組件框架,準備框架外尺寸149 mm×122mm×5.8mm,框架厚度2mm,兩端面的C面尺寸為C:0.2mm的A7075-T651的鋁合金制框架。在所述框架的一側面中央的一處設置直徑0.5mm的通氣孔。
將所述框架,表面洗浄後,用玻璃珠,在吐出壓約147kPa(1.5kg/cm2)的噴沙裝置中進行1分鐘表面處理,表面粗糙化的。接著,所述框架在NaOH處理浴中進行10秒鐘洗浄處理後,在形成電壓10V(1.3A),14%硫酸水溶液,液溫18℃中進行陽極氧化。
接著,黒色染色,封孔處理,在表面使黒色的氧化膜形成。此後,同時進行5分鐘超純水和超音波洗浄裝置的洗浄。
接著,在所述框架的內面用噴霧塗布裝置,將矽氧烷類黏著 劑:KR-3700(信越化學工業(株)制商品名)塗布10μm。
接著,在所述的通氣口,設置材質為PTFE,灰塵過濾尺寸為0.1μm~3.0μm,過濾能力99.9999%的,寬8mm,高2.5mm,厚度300μm的過濾器。過濾器為,具有除塵用的過濾器部和所述外側的化學過濾器的結構。
接著,將特氟隆AF1600(美國杜邦公司制商品名)在氟類溶劑.fluorinert FC-75(美國3M公司制商品名)中溶解,濃度8%的溶液被調制。
接著,用所述溶液,在直徑250mm,厚度600μm的鏡面研磨的矽氧烷基板面上,用旋轉塗布機形成膜厚為0.83μm的透明膜。
接著,在所述膜上,將外尺寸200mm×200mm×5mm寬,厚度5mm的框用環氧類接著劑.Aralditerapid(昭和高分子(株)制,商品名)接著,從基板面剝離。
接著,如所述準備的鋁合金制框架的一端面將矽氧烷類黏著劑:KR-3700(信越化學工業(株)制商品名)塗布。進行塗布量的設定(塗布體積比0.96),使黏著劑層厚度為0.4mm,端面寬1.49mm,側壁面角度60°。
所述框架在100℃進行3分加熱,進行予固化。使半固化的黏 著劑層的面平坦度為10μm,將表面用具有形成有離型層的加壓板的加壓裝置進行加壓,黏著劑表面平坦地形成。
得到的黏著劑層的側壁面角度為60°,端面寬為1.49mm。
另外,在所述鋁合金制框架的另一端面上,將在氟類溶媒.CTSOLVE180(旭硝子(株)制商品名)稀釋的氟類高分子聚合物CTX(旭硝子(株)制商品名)塗布,100℃,10分鐘加熱幹燥固化。然後,將另外準備PET制襯層,用具有CCD照相機圖像處理位置決定機構成的襯層貼附裝置貼附在光遮罩接著劑上。
接著,使其與準備的特氟隆AF1600(上述)的膜表面緊密附著後,用IR燈對框架進行加熱,使框架和膜融著。
兩個的框架,使防塵薄膜組件框架的接著面朝上,安裝在固定用的夾具上,進行固定,使其相對的位置不發生偏離。接著,將防塵薄膜組件框架外側的框拉起固定,向防塵薄膜組件框架外側的膜部施加0.5N/m(0.5g/cm)的張力。
接著,在管式液體分配器一邊將氟類溶劑.fluorinert FC75(杜邦公司制商品名)以毎分10微升的速度滴下,一邊沿著所述防塵薄膜組件框架的接著劑部分的周邊部將安裝在SCARA機器人上的刀一邊移動,將防塵薄膜組件框架外側的不要膜部分切除。
將完成的防塵薄膜組件貼附於表面殘存酸成分的濃度為1ppb以下條件下洗浄的,形成有Cr測試圖案的石英玻璃制6英寸光遮罩基板上。
接著將所述框架安裝在ArF準分子雷射掃描儀.NSRS306C(株式會公司尼康制商品名)上,在光遮罩面上曝光強度為0.01mJ/cm2/pulse,反復頻率4000Hz進行光照射,直至500J/cm2的照射量為止。
對照射的6英寸光遮罩上的觀察用雷射異物檢査裝置進行,測試圖案部,玻璃部分都沒有霧以及異物的發生。設定塗布體積比為0.94。
〔實施例3〕
接著,用與所述的實施例2同樣的框架,用與實施例2同樣的工程,使黏著劑的塗布量改變,設定塗布量(塗布體積比0.98)使黏著劑層厚度為0.4mm,端面寬1.55mm,側壁面角度75°,形成的黏著劑層的側壁面角度為76°。
設定值75°和實測值76°的誤差鑒於實驗目的,是容許的。操作繼續,用安裝於ArF準分子雷射掃描儀.NSRS306C(株式會公司尼康制商品名),以光遮罩面上曝光強度0.01mJ/cm2/pulse,反復頻率4000Hz進行照射,直至500 J/cm2的照射量。
照射的6英寸光遮罩上的觀察用雷射異物檢査裝置進行,測試圖案部,玻璃部分都沒有霧,以及異物的發生。
〔實施例4〕
進一步,為了確認本發明中的容許限度的側壁面角度為90°,用與實施例3同樣的框架,與實施例3同樣的工程,改變黏著劑的塗布量,進行塗布量的設定(塗布體積比1.0),使黏著劑層厚度為0.4mm,端面寬1mm,側壁面角度90°。
安裝於在ArF準分子雷射掃描儀.NSRS306C(株式會社尼康制商品名),光遮罩面上曝光強度0.01mJ/cm2/pulse,反復頻率4000Hz進行照射,照射直至500J/cm2的照射量。
用雷射異物檢査裝置對照射的6英寸光遮罩進行觀察,測試圖案部,玻璃部分都沒有霧以及異物的發生。
以本發明中的側壁面角度的限界值為90°為目標,在上述實施例中,從更小的角度(45°)向著90°靠近。
比較例中以90°為目標,從更大的角度(135°)進行接近。
首先,作為防塵薄膜組件框架,準備框架外尺寸149mm×122 mm×5.8mm,框架厚度2mm,兩端面的C面尺寸C:0.2mm的A7075-T651的鋁合金制框架。所述框架的一側面中央一處設置直徑0.5mm的通氣孔。
將所述框架,表面洗浄後,使用玻璃珠,以吐出壓約147kPa(1.5kg/cm2)的噴沙裝置,進行1分鐘表面處理,表面粗糙化。接著將所述框架在NaOH處理浴中進行10秒鐘洗浄處理的後,在形成電壓10V(1.3A),用14%硫酸水溶液,在液溫18℃中,進行陽極氧化。
接著,黒色染色,封孔處理,在表面上形成黒色的氧化膜。此後,進行5分鐘的同時用超純水和超音波洗浄裝置洗浄。
接著,在所述框架的內面用噴霧塗布裝置,進行矽氧烷類黏著劑:KR-3700(信越化學工業(株)制商品名)10μm的塗布。
接著,在所述的通氣口,設置材質為PTFE,灰塵過濾尺寸為0.1μm~3.0μm,過濾能力為99.9999%的,寬8mm,高2.5mm,厚度300μm的過濾器。過濾器具有為除塵用的過濾器部,所述外側有化學過濾器。
接著,使特氟隆AF1600(美國杜邦公司制商品名)在氟類溶劑.fluorinert FC-75(美國3M公司制,商品名)中溶 解,得到濃度8%的溶液。
接著,用所述溶液,在直徑250mm,厚度600μm的鏡面研磨的矽氧烷基板面上,用旋轉塗布機形成膜的厚度為0.83μm的透明膜。
接著,在所述膜上,將外尺寸200mm×200mm×5mm寬,厚度5mm的框,用環氧類接著劑.Aralditerapid(昭和高分子(株)制商品名)接著,從基板面剝離。
接著,在如所述那樣準備的鋁合金制框架的一端面用丙烯酸類黏著劑塗布。塗布量為設定體積比1.06倍,使端面寬為1.8mm,側壁面角度為135°。
將所述框架在100℃進行3分加熱,使其予固化。使半固化的黏著劑層成為面平坦度10μm,用具有在表面形成了離型層的加壓板的加壓裝置進行加壓,使黏著劑表面平坦。
得到的黏著劑層的側壁面角度為135°,端面寬為1.8mm。
在所述鋁合金制框架的別的一端面上,用在氟類溶媒.CTSOLVE180(旭硝子(株)制商品名)稀釋的氟類高分子聚合物.CTX(旭硝子(株)制商品名)進行塗布,100℃進行10分加熱,幹燥固化。然後,準備PET制襯層,用具有CCD照相機圖像處理位置決定機構的襯層貼附裝置將襯層貼合於光 遮罩接著劑。
接著,在準備的特氟隆AF1600(上述)的膜表面緊密附著後,用IR燈對框架進行加熱,使框架和膜融著。
兩個框架為,使防塵薄膜組件框架的接著面朝上,安裝在固定用的夾具上,進行固定,使它們的相對的位置不發生錯位。接著,將防塵薄膜組件框架外側的框拉起固定,給與防塵薄膜組件框架外側的膜部約0.5N/m(0.5g/cm)的張力。
接著用安裝在SCARA機器人上刀,一邊用管式液體分配器,將氟類溶劑.fluorinert FC75(杜邦公司制商品名)以毎分10微升的速度滴下,一邊沿著所述防塵薄膜組件框架的接著劑部分的周邊部移動刀,將防塵薄膜組件框架外側的不要膜部分切除。
將完成的防塵薄膜組件,在表面殘存酸成分的濃度為1ppb以下的形成條件下進行洗浄的,有Cr測試圖案形成的石英玻璃制6英寸光遮罩基板上貼附。
接著,將所述框架,裝載在ArF準分子雷射掃描儀.NSRS306C(株式會社尼康制商品名),在使光遮罩面上曝光強度0.01mJ/cm2/pulse,在反復頻率4000Hz的條件下,進行照射,直至500J/cm2的照射量。
用雷射異物檢査裝置,對照射了的6英寸光遮罩進行觀察, 測試圖案中央部沒有確認到有霧以及異物的發生,但是,在框架近傍的圖案部分確認到霧的發生。將所述框架用雷射拉曼分光分析裝置進行分析,得知為烴類化合物。所述烴類化合物為,丙烯酸類黏著劑分解生成之物(推定)。
〔比較例2〕
接著,作為防塵薄膜組件框架,準備框架外尺寸149mm×122mm×5.8mm,框架厚度2mm,兩端面的C面尺寸為C:0.2mm和的A7075-T651的鋁合金制框架。所述框架的一側面中央一處設置直徑0.5mm的通氣孔。
將所述框架表面洗浄的後,使用玻璃珠,吐出壓約147kPa(1.5kg/cm2)的噴沙裝置進行1分鐘表面處理,表面粗糙化。接著將所述框架在NaOH處理浴中,進行10秒鐘洗浄處理的後,在形成電壓10V(1.3A)下,14%硫酸水溶液,液溫18℃中進行陽極氧化。
接著,進行黒色染色,封孔處理,表面黒色的氧化被膜形成。此後,5分鐘超純水和超音波洗浄裝置的並用洗浄。
接著,在所述框架的內面用噴霧塗布裝置,進行矽氧烷類黏著劑:KR-3700(信越化學工業(株)制商品名)10μm塗布。
接著,在所述的通氣口,設置材質為PTFE,灰塵過濾尺寸為0.1μm~3.0μm,過濾能力99.9999%,寬8mm,高2.5mm,厚度300μm的過濾器。過濾器具有除塵用的過濾器部,所述外側具有化學過濾器。
接著,將特氟隆AF1600(美國杜邦公司制商品名)溶解在氟類溶劑.fluorinert FC-75(美國3M公司制商品名)得到濃度8%的溶液。
接著,將所述溶液,在直徑250mm,厚度600μm的鏡面研磨的矽氧烷基板面上,用旋轉塗布機形成膜的厚度為0.83μm的透明膜。
接著,在所述膜上,外尺寸200mm×200mm×5mm寬,厚度5mm的框,用環氧類接著劑.Aralditerapid(昭和高分子(株)制商品名)進行接著,然後從基板面上剝離的。
接著,於所述那樣準備的鋁合金制框架的一端面上塗布丙烯酸類黏著劑。關於塗布量,預先改變塗布量而進行塗布。
此時,設定成以體積比計1.04倍的塗布量,以使端面寬1.72mm,側壁角度120°。
將所述框架在100℃,3分加熱進行予固化。使半固化的黏著劑層的面平坦度10μm,在表面上,用具有可以形成離型 層的加壓板加壓裝置,加壓黏著劑表面平坦地形成。
得到的黏著劑層的側壁面角度為121°,端面寬為1.72mm。
設定值120°和實測值121°的誤差鑒於實驗目是容許的,操作繼續。
所述鋁合金製框架的別的一端面上,將氟類溶媒.CTSOLVE180(旭硝子(株)制商品名)稀釋的氟類高分子聚合物.CTX(旭硝子(株)制商品名)塗布,100℃,進行10分鐘加熱,幹燥固化。然後,PET制襯層準備,用帶有CCD照相機圖像處理位置決定機構的襯層貼附裝置將其貼附於光遮罩接著劑上。
接著,在與準備的特氟隆AF1600(上述)的膜表面密著後,用IR燈對框架進行加熱,使框架和膜融著。
兩個的框架,將防塵薄膜組件框架的接著面朝上,安裝到固定用的夾具夾具上,固定使它們的相對位置不發生錯位。接著,將防塵薄膜組件框架外側的框拉起固定,給與防塵薄膜組件框架外側的膜部0.5N/m(0.5g/cm)的張力。
接著,用安裝在SCARA機器人上的刀,在一邊用管式液體分配器將氟類溶劑.fluorinert FC75(杜邦公司制商品名)以毎分10微升速度滴下,一邊將刀沿著所述防塵薄膜組件框架的接著劑部分的周邊部使刀移動,將防塵薄膜組件框架外側的不要膜 部分切除。
將完成的防塵薄膜組件進行洗凈,使表面殘存酸成分的濃度為1ppb以下,將其貼附於形成Cr測試圖案形成的石英玻璃制6英寸光遮罩基板。
接著將所述框架安裝在ArF準分子雷射掃描儀.NSRS306C(株式會公司尼康制商品名)上,在光遮罩面上曝光強度為在0.01mJ/cm2/pulse,反復頻率4000Hz,進行照射,直至照射量為500J/cm2
照射的6英寸光遮罩上的觀察用雷射異物檢査裝置進行,測試圖案中央部沒有確認到有霧,異物的發生,但是框架近傍的圖案部分,霧的發生被確認。所述框架用雷射拉曼分光分析裝置進行分析,得知為烴類化合物。所述烴類化合物為丙烯酸類黏著劑分解而生成之物。
通過以上的實驗,黏著劑層的側壁面角度為135°以及121°中,霧的發生被確認。
進一步,為了確認接近側壁面角度的限界值90°的狀態,進行了比較例1。
〔比較例1〕
作為防塵薄膜組件框架,準備框架外尺寸149mm×122mm×5.8mm,框架厚度2mm,兩端面的C面尺寸(C:0.2mm)的A7075-T651的鋁合金制框架。所述框架的一側面中央一處設置有直徑0.5mm的通氣孔。
將所述框架,表面洗浄的後,使用玻璃珠,吐出壓約147kPa(1.5kg/cm2)的噴沙裝置,進行1分鐘表面處理,表面粗糙化。接著將所述框架,在NaOH處理浴中,進行10秒鐘洗浄處理的後,在形成電壓10V(1.3A),14%硫酸水溶液,液溫18℃中進行陽極氧化。
接著,黒色染色,封孔處理,表面有黒色的氧化被膜形成。此後,進行5分鐘的並用超純水和超音波洗浄裝置。
接著,在所述框架的內面用噴霧塗布裝置,將矽氧烷類黏著劑:KR-3700(信越化學工業(株)製商品名)進行10μm塗布。
接著,所述的通氣口,設置材質為PTFE,灰塵過濾尺寸為0.1μm~3.0μm,過濾能力99.9999%的,寬8mm,高2.5mm,厚度300μm的過濾器。過濾器具有除塵用的過濾器部和在所述外側具有化學過濾器。
接著,將特氟隆AF1600(美國杜邦公司制商品名)溶 解於氟類溶劑.fluorinert FC-75(美國3M公司制商品名),得到濃度8%的溶液。
接著,用所述溶液,在直徑250mm,厚度600μm的鏡研磨的矽氧烷基板面上,用旋轉塗布機形成膜的厚度為0.83μm的透明膜。
接著,在所述膜,將外尺寸200mm×200mm×5mm寬,厚度5mm的框,用環氧類接著劑.Aralditerapid(昭和高分子(株)製商品名)接著,從基板面上剝離。
接著,於如所述的那樣準備的鋁合金制框架的一端面上塗布丙烯酸類黏著劑。
此時,以體積比1.02倍的黏著劑進行塗布,使端面寬1.7mm,側壁角度110°。
將所述框架在100℃,進行3分加熱,進行予固化。半固化的黏著劑層被形成面平坦度10μm的面,用具有表面形成了離型層的加壓板的加壓裝置進行加壓,使黏著劑表面平坦形成。
得到的黏著劑層的側壁面角度為107°,端面寬為1.66mm。
在所述鋁合金制框架的另一端面上,將氟類溶媒.CTSOLVE180(旭硝子(株)制商品名)稀釋的氟類高分子聚合物.CTX(旭硝子(株)制商品名)進行塗布,100℃進行 10分加熱,幹燥固化。然後,準備PET制襯層,用具有CCD照相機圖像處理位置決定機的襯層貼附裝置貼附在光遮罩接著劑上。
接著,在與準備的特氟隆AF1600(上述)的膜表面密著後,用IR燈對框架進行加熱,使框架和膜融著。
兩個的框架,防塵薄膜組件框架的接著面朝上,安裝在固定用的夾具,固定使其相對的位置不發生錯位。接著,將防塵薄膜組件框架外側的框拉起固定,給予防塵薄膜組件框架外側的膜部約0.5N/m(0.5g/cm)的張力。接著,一邊用管式液體分配器將氟類溶劑.fluorinert FC75(杜邦公司制商品名)以毎分10微升的速度滴下,一邊沿著所述防塵薄膜組件框架的接著劑部分的周邊部將SCARA機器人上安裝的刀移動,將防塵薄膜組件框架外側的不要膜部分切斷除去。
將完成的防塵薄膜組件進行洗凈,使表面殘存酸成分的濃度為1ppb以下,在形成Cr測試圖案的石英玻璃制6英寸光遮罩基板上進行貼附。
接著將所述框架,安裝於ArF準分子雷射掃描儀.NSRS306C(株式會公司尼康制,商品名),在光遮罩面上曝光強度0.01mJ/cm2/pulse,反復頻率4000Hz,進行光照射,直至照射量為500J/cm2的照射量。
用雷射異物檢査裝置對被照射的6英寸光遮罩進行觀察,測試圖案中央部沒有確認到有霧以及異物的發生,但是框架近傍的圖案部分被確認到有霧的發生。將所述框架用雷射拉曼分光分析裝置進行分析,得知為烴類化合物。所述烴類化合物為丙烯酸類黏著劑分解生成之物(推定)。
1‧‧‧防塵薄膜組件框架
2‧‧‧防塵薄膜貼附用接著劑層
3‧‧‧防塵薄膜
4‧‧‧光遮罩接著用黏著劑層
5‧‧‧(光遮罩接著用黏著劑保護用)襯層

Claims (2)

  1. 一種微影用防塵薄膜組件,其特徵在於:包括防塵薄膜、將所述防塵薄膜繃緊設置的防塵薄膜組件框架、形成於所述防塵薄膜組件框架的一端面的防塵薄膜貼附用的接著劑層、以及形成於與所述防塵薄膜貼附用接著劑層相反側的端面的遮罩黏著劑層,其中所述遮罩黏著劑層的截面為矩形或梯形,上端具有平坦面,而且所述遮罩黏著劑層的側面與框架面所成的角為90°以下。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的微影用防塵薄膜組件的製造方法,其中所述遮罩黏著劑層的成形是在黏著劑塗布後在黏著劑的固化途中加壓來進行。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI707196B (zh) * 2015-12-24 2020-10-11 日商信越化學工業股份有限公司 Euv曝光用防塵薄膜組件、附防塵薄膜組件之曝光原版及半導體裝置或液晶顯示板之製造方法

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3062149B1 (en) 2013-10-23 2018-04-25 Nippon Light Metal Company, Ltd. Pellicle frame and process for producing the same
DE102013222200A1 (de) * 2013-10-31 2015-08-27 Osram Opto Semiconductors Gmbh Elektronisches Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines elektronischen Bauelements
JP6308592B2 (ja) 2014-04-02 2018-04-11 信越化学工業株式会社 Euv用ペリクル
EP3291006A4 (en) 2015-04-27 2019-01-23 Mitsui Chemicals, Inc. PELLIC MANUFACTURING METHOD AND METHOD FOR PRODUCING A PHOTOMASK WITH PELLICLES

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58219023A (ja) 1982-06-15 1983-12-20 Daicel Chem Ind Ltd 樹脂薄膜の製造方法
JPS6083032A (ja) 1983-10-13 1985-05-11 Asahi Chem Ind Co Ltd 光透過性に優れたフオトマスク用防塵カバ−
US4861402A (en) 1984-10-16 1989-08-29 Du Pont Tau Laboratories, Inc. Method of making a cellulose acetate butyrate pellicle
JPH0922111A (ja) * 1995-07-05 1997-01-21 Shin Etsu Chem Co Ltd ペリクル
DE69839896D1 (de) * 1997-10-29 2008-09-25 Hitachi Chemical Co Ltd Siloxanmodifizierte Polyamidharzzusammensetzungsklebefolie, CSP Leiterplatte und Folie und hergestelltes Halbleiterbauelement
US6451441B1 (en) * 1999-03-30 2002-09-17 Kyocera Corporation Film with metal foil
JP2003121994A (ja) * 2001-10-17 2003-04-23 Mitsui Chemicals Inc ペリクルおよびペリクル付きマスクの製造方法
JP3667728B2 (ja) * 2001-10-31 2005-07-06 三井化学株式会社 ペリクルおよびペリクル付きマスクの製造方法
KR100505283B1 (ko) * 2001-10-31 2005-08-03 미쓰이 가가쿠 가부시키가이샤 펠리클 및 펠리클 부착 마스크의 제조 방법
JP2004157229A (ja) * 2002-11-05 2004-06-03 Shin Etsu Chem Co Ltd リソグラフィ用ペリクル及びその製造方法
JP2005070120A (ja) * 2003-08-27 2005-03-17 Shin Etsu Chem Co Ltd リソグラフィ用ペリクル
JP5134418B2 (ja) * 2008-04-01 2013-01-30 信越化学工業株式会社 リソグラフィ用ペリクル
JP5252984B2 (ja) * 2008-05-01 2013-07-31 信越化学工業株式会社 半導体リソグラフィー用ペリクルおよびその製造方法
JP2011013611A (ja) * 2009-07-06 2011-01-20 Shin-Etsu Chemical Co Ltd ペリクル
JP2011076042A (ja) * 2009-10-02 2011-04-14 Shin-Etsu Chemical Co Ltd ペリクル
JP4951051B2 (ja) * 2009-10-30 2012-06-13 信越化学工業株式会社 ペリクルフレーム及びペリクル
JP2011164255A (ja) * 2010-02-08 2011-08-25 Shin-Etsu Chemical Co Ltd リソグラフィー用ペリクル
JP2011253176A (ja) * 2010-05-07 2011-12-15 Shin Etsu Chem Co Ltd ペリクル用粘着剤
JP5478463B2 (ja) * 2010-11-17 2014-04-23 信越化学工業株式会社 リソグラフィー用ペリクル

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI707196B (zh) * 2015-12-24 2020-10-11 日商信越化學工業股份有限公司 Euv曝光用防塵薄膜組件、附防塵薄膜組件之曝光原版及半導體裝置或液晶顯示板之製造方法

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