TW201319282A - 蒸發源及成膜裝置 - Google Patents

蒸發源及成膜裝置 Download PDF

Info

Publication number
TW201319282A
TW201319282A TW101128967A TW101128967A TW201319282A TW 201319282 A TW201319282 A TW 201319282A TW 101128967 A TW101128967 A TW 101128967A TW 101128967 A TW101128967 A TW 101128967A TW 201319282 A TW201319282 A TW 201319282A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
vapor deposition
evaporation source
deposition material
crucible
substrate
Prior art date
Application number
TW101128967A
Other languages
English (en)
Inventor
Kenichi Yamamoto
Toshiaki Kusunoki
Tatsuya Miyake
Takeshi Tamakoshi
Hiroyasu Matsuura
Hideaki Minekawa
Akio Yazaki
Tomohiko Ogata
Original Assignee
Hitachi High Tech Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi High Tech Corp filed Critical Hitachi High Tech Corp
Publication of TW201319282A publication Critical patent/TW201319282A/zh

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24—Vacuum evaporation
    • C23C14/243—Crucibles for source material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24—Vacuum evaporation
    • C23C14/246—Replenishment of source material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24—Vacuum evaporation
    • C23C14/26—Vacuum evaporation by resistance or inductive heating of the source
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/60—Forming conductive regions or layers, e.g. electrodes

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

本發明係一種蒸發源及成膜裝置，其課題為提供具有防止鋁的冒出而不易造成破損之安定的蒸發源之成膜裝置者。更且，提供適合於將基板作為垂直而從橫方向進行蒸鍍之縱型蒸鍍之成膜裝置者。解決手段為至少由坩堝，加熱部所成，坩堝係由對於蒸鍍材料而言之潤濕性不同之材質所成之2種類的構造而成之坩堝，至少開口部係由潤濕性小的材料所成，具有供給蒸鍍材料之部分係由潤濕性大之材料所成之蒸發源者。

Description

蒸發源及成膜裝置
本發明係有關形成蒸鍍膜之裝置，特別是有關在熔融狀態使蒸鍍材料蒸發而為了形成薄膜於基板上為有效之成膜裝置。
目前，有機電激發光元件的開發則有持續活躍化。有機電激發光顯示器(有機EL顯示裝置)係作為取代液晶或電漿顯示器等之下世代薄膜顯示器所期待。現在，對於行動電話等之攜帶機器或汽車影音系統使用有機電激發光顯示器。另外，有機電激發光照明係追隨著作為製品化之LED照明之後地發展開發。特別是LED照明係幾乎為點發光之故，而即使朝向小型化，對於發熱之限制或光的擴散需要下一番功夫。另一方面，有機電激發光照明係對於面發光，形狀並無限制，具有透明等之特色，認為今後有著進展有居住區分，以及超越LED而普及之可能性。
使用於有機電激發光顯示裝置或照明裝置之有機電激發光元件係以陰極與陽極夾持有機層之夾層狀構造則加以形成於玻璃板或塑料板等之基板上之構成。經由施加電壓於此陰極與陽極之時而從各自注入電子與電洞於有機層，再經由此等再結合而生成之激發子(激子)的去活化(deactivation process)而發光。
此有機層係一般成為含有電子植入層，電子輸送層， 發光層，電洞輸送層，電洞植入層之多層膜構造。對於使用於此有機層之有機材料係有著高分子與低分子。其中低分子材料係使用蒸鍍裝置而加以成膜。
一般而言對於電極係作為陰極而使用金屬材料，作為陽極而使用透明導電材料。陰極係因為了植入電子於有機層而功函數為小者為有利，陽極係為了植入電洞於電洞植入層或電洞輸送層等之有機層而必須功函數為大者之故。具體而言，對於陽極係使用銦錫氧化物(ITO)，氧化錫(SnO2)等。對於陰極係使用MgAg(比率為9：1)合金，Al等。此等陰極材料係作為成膜裝置而使用蒸鍍裝置之情況為多。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開昭63-76415號公報
[專利文獻2]日本特開2007-327125號公報
例如，作為陰極材料使用Al，而在使用蒸鍍裝置進行成膜時，加熱投入至蒸發源之坩堝(crucible)的Al而加以熔融的情況，知道有熔融的Al則沿著坩堝之內壁面而上升，從坩堝溢出產生有冒出的現象者。經由此Al的冒出，或Al蒸氣的侵入，有著Al附著於加熱用加熱器，或 支持加熱器而具有電性絕緣性之礙子而產生電性短路，而成為蒸發源故障，破損的原因之問題。
另外，在大型基板的成膜中，同時必須成為將基板作為垂直，從橫方向進行蒸鍍之縱型蒸鍍。
本發明之目的係提供具有防止鋁的冒出而不易造成破損之安定的蒸發源之成膜裝置者。更且，提供可縱型蒸鍍之成膜裝置者。
本發明係至少由坩堝，加熱部所成，坩堝係由對於蒸鍍材料而言之潤濕性不同之材質所成之2種類的構造而成之坩堝，至少開口部係由潤濕性小的材料所成，供給蒸鍍材料之部分係由潤濕性大之材料所成之蒸發源及具有此之成膜裝置加以構成。
本發明係可提供具有防止鋁的冒出而不易造成破損之安定的蒸發源之成膜裝置者。
經由鋁的冒出，有著以下的問題。
(1)鋁附著於加熱用加熱器而產生電性短路，蒸發源產生破損。
(2)冷卻時根據蒸鍍材料(鋁)的收縮，經由對於 坩堝壁面之應力，而坩堝發生破損。坩堝越大，應力變為越大之故，容易產生破壞。
為了解決此問題之具體的主要手段係如以下。
蒸鍍材料(鋁)的冒出係對於鋁而言之坩堝材料的潤濕性大的情況而發生。作為坩堝材料而一般所使用之PBN(Pyrolytic Boron Nitride)係經由化學氣相沈積法(CVD法)所製作之氮化硼(BN)。PBN係對於鋁而言潤濕性大之故，容易引起冒出。作為此對策，於坩堝開口部設置潤濕性小的材料之構造體。
另外，為了減小應力而盡量使用小的坩堝。為了由小的坩堝而進行蒸鍍材料之安定的蒸發，對於蒸鍍材料供給部係設置對於蒸鍍材料而言潤濕性大之材質的內側坩堝，為了防止來自經由冒出之坩堝開口部之蒸鍍材料的流失，對於外側係使用潤濕性小之材質的坩堝。
為了作成使用小的坩堝而可以安定高速率長時間蒸鍍之成膜裝置，而具有從坩堝外部供給蒸鍍材料之手段。
為了於與蒸發源之底面略水平方向使蒸鍍材料的蒸氣放射，將(外側)坩堝開口部作成呈成為略水平方向。對於為了作為縱型蒸鍍，期望為略水平方向，但如為略水平~60°為佳。坩堝開口部之方向(角度)係連結坩堝之底面部與開口部中心的線則與經由未圖示之基板保持移動機構所保持之基板15的表面之法線方向作為所成角。
具體的手段及其效果係如以下。
<具體的手段1>
對於蒸鍍材料(鋁)而言之潤濕性不同之材質所成之2種類的構造而成之坩堝，至少於開口部配置潤濕性小的材料(石墨，氧化鋁，SiO2，BN，鋯等)之構造體，供給蒸鍍材料之部分係由潤濕性大的材料(PBN等)所成。由此，坩堝開口部側則由對於鋁而言潤濕性小的材料加以構成之故，不易發生有對於坩堝外的冒出。因此，可提供不易引起破損之蒸發源者。另外，因供給蒸鍍材料之部分則由潤濕性大的材料所成之故，蒸鍍材料則可安定地蒸發而進行安定的成膜。
<具體的手段2>
坩堝開口部的方向為-5~60度。由此，因從坩堝外部供給蒸鍍材料(鋁)之故，大型基板且由必須之基板縱置蒸鍍於水平方向之縱型蒸鍍，則可安定地以高速率長時間蒸鍍。
<具體的手段3>
具有從坩堝外部供給蒸鍍材料(Al)之手段。由此，因可減小坩堝之故，可減小冷卻時應力，不易引起破損。另外，蒸鍍材料則安定地蒸發。
<具體的手段4>
Al供給手段則位於坩堝蒸發的相反側。由此，不會造 成蒸發的阻礙，可對於基板一樣的蒸鍍。
本發明係以下，使用實施例詳細地說明本發明之實施形態。然而，在為了說明實施形態之全圖中，具有同一的機能構成係附上同一符號，其反覆的說明係省略之。
[實施例1]
圖1係本實施例之成膜裝置之蒸發源100之概略剖面圖。在圖1(A)~(D)所有的蒸發源採用二重坩堝(外側坩堝1，內側坩堝2)。然而，蒸發源係指蒸發源。在本發明中，在各坩堝中，將朝向坩堝外開口之外框附近的部分定義為開口部，對向於開口部之部分稱作底面部，存在於開口部與底面部之間的部分稱作側面部。
圖1(A)係外側坩堝的開口部9則為朝略水平方向(外側坩堝的開口部9之方向，和經由未圖示之基板保持移動機構所保持之基板15之表面的法線方向為略0度)之蒸發源100的例。圖1(A)之蒸發源係具有坩堝堝緣8，由蒸鍍材料5之蒸氣朝向坩堝外加以放射之外側坩堝1，內側坩堝2，加熱部(加熱器)3，反射器4，蒸鍍材料5，外筒6，外側坩堝的開口部9所成。內側坩堝2係因為收容蒸鍍材料5之部分之故而成為收容部。
在圖1中係由外側坩堝1與內側坩堝2之二重坩堝而構成坩堝。存在有由外筒6與外側坩堝1所圍繞的加熱部3之範圍稱作加熱室10。在本實施例中，蒸鍍材料5係作為鋁(Al)而加以說明。坩堝係對於蒸鍍材料5而言之潤 濕性不同之材質所成之2種類的構造而成之坩堝，外側坩堝1係此情況亦形成有外側坩堝之開口部9，由對於Al而言之潤濕性小之材料所成，供給蒸鍍材料5之內側坩堝2係由潤濕性大之材料所成。Al係以高溫與金屬反應而製作合金之故，坩堝係由陶瓷等之絕緣體加以製作。例如，PBN(Pyrolytic Boron Nitride)係經由化學氣相沈積法(CVD法)所製作之氮化硼(BN)。潤濕性大之內側坩堝2係由PBN加以形成，潤濕性小的外側坩堝1係由潤濕性小的石墨，氧化鋁，SiO2，BN，鋯等加以形成。
另外，內側坩堝的開口部30之方向，和蒸鍍材料5朝向坩堝外加以放射之外側坩堝的開口部9之方向為不同。換言之，內側坩堝的開口部30之方向，和蒸鍍材料5朝向坩堝外加以放射之外側坩堝的開口部9之方向則具有略90度(如為85°~95°之範圍為佳)之關係。更且，亦可說為內側坩堝2之底面部，和外側坩堝1之側面部接觸。
然而，在圖1中雖內側坩堝2之側面部，和外側坩堝1之底面部接觸，但此係即使未接觸而內側坩堝2之側面部和外側坩堝1之底面部相離，亦可達成在本發明所想定之效果。
在此，各坩堝的開口部之方向(角度)係對於開口部之所成之平均的面而言之法線則與水平方向(經由未圖示之基板保持移動機構所保持之基板15之表面的法線方向)作為所成角θ。經由此，蒸鍍材料5朝向坩堝外加以放射之外側坩堝的開口部9之方向則即使為略水平，亦可 供給保持蒸鍍材料5於內側坩堝2者。在此，外側坩堝1係為圓筒狀，從水平方向而視之內側坩堝2的剖面形狀係呈沿著外側坩堝1之圓筒內面之半圓的形狀。
在圖1中，經由來自未圖示之電源的電力而成為高溫之加熱部3，放入至內側坩堝2之蒸鍍材料5的Al則加熱至熔點660℃以上而成為熔融狀態。經由反射器4而使來自加熱部3的輻射熱反射，返回至加熱部3或內側坩堝2乃至外側坩堝1而產生的熱，盡可能不浪費而作為呈使用於Al之加熱。
加熱部3係呈集中地加熱存在有供給蒸鍍材料5之內側坩堝2的附近地加以配置。此等係收納於外筒6之中，外側坩堝1係以坩堝堝緣8接合於外筒6。此等則設置於維持為高真空之未圖示的真空處理室之中。外筒6係經由未圖示之水冷等之冷卻機構加以冷卻，控制對於真空處理室內的多餘之釋放氣體，以及控制真空處理室本身的高溫化。從內側坩堝2之中的熔融狀態之Al係產生有Al蒸氣而充滿於外側坩堝1內，從外側坩堝之開口部9噴出Al蒸氣。其噴出的Al蒸氣係噴射於垂直立起之基板15加以蒸鍍(縱型蒸鍍)。
熔融此蒸發源100之Al的情況，知道有熔融的Al則沿著內側坩堝2之內壁面而上升，從坩堝溢出，產生冒出現象者。實驗結果，在1400℃中，熔融Al則冒出在潤濕性大的內側坩堝2之內壁，溢出於外側坩堝1之內壁。但，外側坩堝1係對於Al而言之潤濕性小之故，未到達 至外側坩堝之開口部9而由堤邊制止。另外，內側坩堝2之潤濕性為大之故，可使Al安定地蒸發。另外，內側坩堝2則垂直交叉於外側坩堝的開口部9，配置於深處之位置之故，即使產生有Al之噴濺的情況，僅衝突於外側坩堝1之內壁，而未到達至基板15之故，可一樣進行安定的成膜。
如以上，外側坩堝之開口部9側則由對於鋁而言潤濕性小的材料加以構成之故，不易發生有對於坩堝外的冒出。因此，可提供不易引起破損之蒸發源100者。另外，因供給蒸鍍材料5之部分則由潤濕性大的材料所成之故，蒸鍍材料5則可安定地蒸發而進行安定的成膜。由此，可廉價地提供具有可防止Al之冒出而不易引起故障，破損而進行安定的成膜之蒸發源100之成膜裝置者。更且，可提供適合於將基板15放置於縱向而蒸鍍於水平方向之縱型蒸鍍之成膜裝置。
在圖1(A)中，蒸發源100之外側坩堝的開口部9之方向，和經由未圖示之基板保持移動機構所保持之基板15之表面的法線方向則成為略水平。
在圖1(B)中，將在圖1(A)之蒸發源100傾斜θ=45°而配置之蒸發源100。在此情況亦可成膜於配置成垂直之基板15者。如此，傾斜之情況，容易防止經由Al之冒出，來自外側坩堝的開口部9之流失。但當成為超過60°之角度時，因利用效率大幅度下降之故，60°以下為佳。更佳為配置成略水平者。此時可作為最高的利用效率，分 布亦容易作為一樣。
另一方面，即使作為將蒸發源100，外側坩堝的開口部9之方向，和經由未圖示之基板保持移動機構所保持之基板15之表面的法線方向呈有僅5°於負方向地加以設置，亦可將基板15放置於縱向而蒸鍍於水平方向之縱型蒸鍍。
圖1(C)係使內側坩堝的開口部30之方向與外側坩堝的開口部9之方向作為一致的例。此情況以圓筒形彼此製作則為容易。圖1(D)係將內側坩堝的開口部30之方向，作成與經由基板保持移動機構所保持之基板15的表面之法線方向垂直的例。但防止噴濺的優點係消失。在圖1(C)~(D)，均可提供適合於將基板15放置於縱向而蒸鍍於水平方向之縱型蒸鍍之成膜裝置。
如以上，如根據實施例1，外側坩堝之開口部9側則由對於鋁而言潤濕性小的材料加以構成之故，不易發生有對於坩堝外的冒出。由此，可提供不易引起破損之蒸發源100者。另外，因供給蒸鍍材料5之部分則由潤濕性大的材料所成之故，蒸鍍材料5則可安定地蒸發而進行安定的成膜。由此，可廉價地提供具有可防止Al之冒出而不易引起故障，破損而進行安定的成膜之蒸發源100之成膜裝置者。更且，可提供適合於將基板15放置於縱向而蒸鍍於水平方向之縱型蒸鍍之成膜裝置。
至此，關於坩堝的材質記述有對於蒸鍍材料而言，由「潤濕性」不同之材質所成之2種類的構造而成之坩堝。 此「潤濕性」係為潤濕的程度，可由將液體放置於固體上之擴散方式所表示。圖14係模式性地描繪放置於固體上之液滴之剖面形狀的圖，液體與固體係在某個角度θ接觸著。此角度稱作接觸角，接觸角越小(從圖14(a)至圖14(b)之情況則)「潤濕性大」(或稱作潤濕性佳，或者潤濕性高，或者潤濕性強)。在此，例如上述「固體」為坩堝，「液體，液滴」為熔融狀態之Al等之蒸鍍材料。將對於熔融Al而言之接觸角的例示於以下。作為潤濕性大的材質的例，氮化硼(BN)係0°。作為潤濕性小的材質的例，石墨係為120°~30°之構成，氧化鋁係為45~75°，SiO2係為39°，鋯係為145°~59°。隨之，外側坩堝1之至少表面係對於熔融Al而言之接觸角為30°以上之物質所成。更且，內側坩堝2之至少表面係對於熔融Al而言之接觸角為不足30°，期望為10°以下，更加為1°以下之物質所成。
[實施例2]
圖2係實施例2之成膜裝置之蒸發源100之概略剖面圖。在實施例2中係以單體而具備坩堝7。將由坩堝7的底面部，2個側面部所圍繞的空間作為收容部40。
在圖2(A)中，蒸發源100係由供給蒸鍍材料(Al)5之例如PBN製之坩堝7與鋁製之噴嘴11所成。PBN係對於Al而言之潤濕性為大，冒出至坩堝之開口部31附近。在此，因加熱部3配置於從坩堝的開口部31遠 離之位置之故，比較於蒸鍍材料5之熔融表面，溫度則下降。更且，經由將對於Al而言潤濕性小之氧化鋁所成之噴嘴11配置於坩堝的開口部31之時，Al係未冒出此以上，而Al未溢漏於坩堝外者。然而，在本發明中，將噴嘴11看作坩堝之開口部31之一部分亦可。
圖2(B)係變更圖2(A)之坩堝7與噴嘴11之形狀的構成。對於坩堝7係具備有支持構造13，在坩堝7之內側支持潤濕性小的噴嘴11。
圖2(C)係與圖2(B)不同之坩堝7的支持構造13的例。經由此等，潤濕性小的噴嘴11則因在坩堝7內側堵住熔融Al之冒出之故，可防止對於坩堝外之冒出。
此等圖2(A)~(C)係如圖1(B)~(D)，可提供經由傾斜配置坩堝之時，可將基板15放置於縱向而蒸鍍於水平方向(或者傾斜方向)之縱型蒸鍍的成膜裝置。
如以上，如根據實施例2，坩堝之開口部31側則由對於鋁而言潤濕性小的材料加以構成之故，不易發生有對於坩堝外的冒出。由此，可提供不易引起破損之蒸發源100者。另外，因供給蒸鍍材料5之部分則由潤濕性大的材料所成之故，蒸鍍材料5則可安定地蒸發而進行安定的成膜。由此，可廉價地提供具有可防止Al之冒出而不易引起故障，破損而進行安定的成膜之蒸發源100之成膜裝置者。更且，可提供將基板15放置於縱向而蒸鍍於水平方向之縱型蒸鍍之成膜裝置。
[實施例3]
圖3係實施例3之成膜裝置之蒸發源100之概略剖面圖。本實施例的特徵係與實施例2不同，於潤濕性小之外側坩堝1的內側，配置有供給蒸鍍材料5之潤濕性大的內側坩堝2。另外，加熱部3係配置於至存在有內側坩堝2之高度的範圍。由此，外側坩堝1的上部係未有無益的加熱而不易有Al的冒出。內側坩堝2之Al係冒出在內側坩堝2之內壁，但未冒出於潤濕性小之外側坩堝1的內壁。外側坩堝1係當然亦可較圖3所描繪為短。圖3係如圖1(B)~(D)，可提供經由傾斜配置坩堝之時，可將基板15放置於縱向而蒸鍍於水平方向(或者傾斜方向)之縱型蒸鍍的成膜裝置。
在本實施例，外側坩堝之開口部9側則由對於鋁而言潤濕性小的材料加以構成之故，亦不易發生有對於坩堝外的冒出。由此，可提供不易引起破損之蒸發源100者。另外，因供給蒸鍍材料5之部分則由潤濕性大的材料所成之故，蒸鍍材料5則可安定地蒸發而進行安定的成膜。由此，可廉價地提供具有可防止Al之冒出而不易引起故障，破損而進行安定的成膜之蒸發源100之成膜裝置者。更且，可提供將基板15放置於縱向而蒸鍍於水平方向之縱型蒸鍍之成膜裝置。
[實施例4]
圖4係實施例4之成膜裝置之蒸發源100之概略剖面 圖。本實施例的特徵係潤濕性小之外側坩堝1，和供給蒸鍍材料5之潤濕性大之內側坩堝2所成之坩堝的容量為小，供給至內側坩堝2之蒸鍍材料5則為少量，且設置未圖示之蒸鍍材料儲存部與蒸鍍材料供給路徑12所成之蒸鍍材料供給手段。外側坩堝1係例如為氧化鋁製，半徑約1.5(cm)，高度約3(cm)，容量約21(cc)。內側坩堝2係例如為PBN製，半徑約1.2(cm)，高度約1.5(cm)，容量約7(cc)。內側坩堝2內之蒸鍍材料(Al)5係例如，在熔融狀態為高度約0.05~0.5(cm)。蒸鍍材料5係從未圖示之蒸鍍材料儲存部，將Al粒，供給至內側坩堝2而歷經蒸鍍材料供給路徑12而供給至內側坩堝2。經由具有此蒸鍍材料供給手段之時，可以小容量之坩堝7進行大量的蒸鍍。蒸鍍材料5為少量的情況，內側坩堝2之潤濕性為小之情況，蒸鍍材料5則容易成為球狀。蒸鍍材料5成為球狀之情況係蒸發量則不安定而蒸鍍流量(或者蒸鍍速率)則時間性地產生變化之故，一樣膜厚之成膜則為困難。在本實施例之情況，內側坩堝2係潤濕性大之故，即使蒸鍍材料5為少量之情況，未成為球狀而充分潤濕表面之故，可進行安定之蒸鍍。另外，蒸鍍材料5之熔融表面與外側坩堝的開口部9之長度則因時間上略為一定之故，對應於此部分之傳導率係時間上未產生變化，可以一定蒸鍍速率進行安定之蒸鍍。因小容量而為輕量之故，對於基板15而言進行掃描而成膜之機構亦可輕量化。圖4係改變若干尺寸，如圖1(B)~(D)，可 提供經由傾斜配置坩堝之時，可將基板15放置於縱向而蒸鍍於水平方向(或者傾斜方向)之縱型蒸鍍的成膜裝置。
經由本實施例，外側坩堝之開口部9側則由對於鋁而言潤濕性小的材料加以構成之故，亦不易發生有對於坩堝外的冒出。由此，可提供不易引起破損之蒸發源100者。另外，供給蒸鍍材料5之部分則由潤濕性大之材料所成，因可將坩堝的傳導率時間上作為略一定之故，蒸鍍材料5則可安定地蒸發而以安定的蒸鍍速率進行成膜。由此等，可廉價地提供具有可防止Al之冒出而不易引起故障，破損而進行安定的成膜之蒸發源100之成膜裝置者。另外，經由具有此蒸鍍材料供給手段之時，可以小容量之坩堝進行大量的蒸鍍。更且，可提供將基板15放置於縱向而蒸鍍於水平方向之縱型蒸鍍之成膜裝置。
[實施例5]
圖5係實施例5之成膜裝置之蒸發源100之概略剖面圖。本實施例係在坩堝直徑較坩堝高度為大的點，與實施例4不同。經由此，可加大坩堝的傳導率，可使用於高蒸鍍速率必要之成膜裝置之蒸發源100者。
經由本實施例，可加大坩堝的傳導率，可使用於高蒸鍍速率必要之成膜裝置之蒸發源100者。
[實施例6]
圖6係實施例6之蒸鍍裝置之蒸發源100之概略剖面圖。與本實施例圖6(A)之實施例1之圖1(A)的不同係首先，具有由未圖示之蒸鍍材料儲存部與蒸鍍材料供給路徑12所成之蒸鍍材料(Al)供給手段，蒸鍍材料供給路徑12則位於外側坩堝的開口部9之相反側。更且，從具有蒸鍍材料(Al)供給手段之情況，潤濕性大的內側坩堝2的容量為小，或作為小亦可。位於內側坩堝2內之蒸鍍材料(Al)5的量亦為少量。另外，於外側坩堝的開口部9具有噴嘴11之情況亦為不同。
另外，加熱部3則局部性地配置於內側坩堝2的近旁。放入有蒸鍍材料(Al)5之內側坩堝2係潤濕性大之故，即使內側坩堝2內的Al為少量，內壁則易成為由熔融Al而潤濕的狀態。因此，安定地Al進行蒸發。即使經由Al從內側坩堝2冒出而溢出，外側坩堝1之內壁則因潤濕性小之固而加以堵住，未有從外側坩堝的開口部9流出。Al蒸氣係具有加熱至外側坩堝1與噴嘴11所成之空間的溫度而決定之蒸氣壓，一樣地加以充滿，Al蒸氣則從噴嘴11的開口噴出於外部。蒸鍍Al於對向於外側坩堝的開口部9而垂直地加以配置之基板15。因可經由噴嘴11的開口而決定坩堝7之傳導率之故，可以安定之蒸鍍速率而成膜。
更且，蒸鍍材料5係從未圖示之蒸鍍材料儲存部，將Al粒，供給至內側坩堝2而歷經蒸鍍材料供給路徑12而供給至內側坩堝2。經由具有此蒸鍍材料供給手段之時， 可以小容量之坩堝大量進行長時間的蒸鍍。另外，經由蒸鍍材料供給路徑12位於外側坩堝的開口部9之相反側之時，可未有成為對於基板15之蒸鍍障礙而進行材料供給。另外，加熱部3則為了將供給Al之內側坩堝2局部性有效率地進行加熱，可以最小限的電力而將蒸鍍材料(Al)5作為所期望之溫度。
圖6(B)係實施例6之成膜裝置之其他的蒸發源100之概略剖面圖。與圖6(A)之不同係蒸鍍材料供給路徑12則配置於外側坩堝1的側面。在如此的配置中，與圖6(A)同樣地，亦未成為蒸鍍材料5之蒸氣噴出的障礙。主要係將蒸鍍材料供給路徑12配置於未妨礙蒸鍍材料5之蒸氣噴出於坩堝外部之位置者。即，蒸鍍材料供給路徑12則由通過外側坩堝1的底面部或側面部而連接於內側坩堝2者，作為考慮蒸鍍材料5之蒸氣噴出的設計。
經由本實施例，外側坩堝之開口部9側則由對於鋁而言潤濕性小的材料加以構成之故，不易發生有對於坩堝外的冒出。由此，可提供不易引起破損之蒸發源100者。另外，供給蒸鍍材料5之部分則由潤濕性大之材料所成，因可將坩堝7的蒸氣壓作為略一定之故，蒸鍍材料5則可安定地蒸發而以安定的蒸鍍速率進行成膜。由此等，可提供具有可防止Al之冒出而不易引起故障，破損而進行安定的成膜之蒸發源100之成膜裝置者。另外，經由具有此蒸鍍材料供給手段之時，可以小容量之坩堝進行大量的蒸鍍。另外，蒸鍍材料供給手段之蒸鍍材料供給路徑12則 因配置於外側坩堝1之開口部9的反對側，或未妨礙蒸鍍材料5之蒸氣噴出於坩堝外部之位置之故，未成為蒸鍍材料5之蒸氣噴出之障礙。更且，可提供適合於於將基板15放置於縱向而蒸鍍於水平方向之縱型蒸鍍之成膜裝置。
[實施例7]
圖7係實施例7之成膜裝置之其他的蒸發源100之概略剖面圖。與本實施例之實施例6之圖6(A)的不同係外側坩堝1之開口部9為圓狀情況之坩堝直徑L，或外側坩堝1之開口部9為圓狀以外形狀(例如，橢圓等)之情況的長度方向長度L則較外側坩堝1之深度(從外側坩堝之開口部9至底面部為止之長度)D為大者。由此，可加大設定噴嘴11之開口面積，而加大依存於此之傳導率，成為適合於高蒸鍍速率為必要之成膜裝置之蒸發源100。除此之外的效果係與實施例6同樣。
以上的實施例係對於主要使用於成膜裝置之蒸發源100已做過說明。以後，顯示關於使用此等蒸發源100之成膜裝置的例。
[實施例8]
圖8係實施例8之成膜裝置之概略構成圖。圖8係使用圖6(A)之蒸發源的成膜裝置的例。蒸發源100係不限定於實施例6(A)之構成，當然亦可為例如實施例7之蒸發源100者。
於維持為高真空之真空處理室14之中，配置有基板15，和成膜於其上方之有機薄膜16，和保持基板15，為了掃描，移動於上下之基板保持移動機構20。經由此基板保持移動機構20，基板15係沿著移動導路軌21而上下移動在真空處理室14內。另外，設置有為了形成圖案於基板上之金屬光罩17，和排列複數個圖6(A)之蒸發源100之蒸發源群18，固定於監視對於基板15之成膜速率之蒸發源100的膜厚監視器19。蒸發源群18之蒸發源100係具備蒸鍍材料供給路徑12，收納有粒狀的蒸鍍材料(Al)5，具備備有調整對於蒸鍍材料供給路徑12之Al粒的量之機構的蒸鍍材料儲存部27，控制蒸鍍材料儲存部27之蒸鍍材料供給控制器28。具備投入電力至加熱蒸發源群18所具備之未圖示的坩堝之加熱部3之電源23，和接受來自膜厚監視器19之信號而將膜厚資訊回應於電源23之膜厚控制器22，而為了從蒸發源群18調節蒸發粒子之發生量而控制蒸發源群18之溫度。具備控制使基板15移動於上下之基板保持移動機構20的移動機構控制器24，和控制電源23與膜厚控制器22，蒸鍍材料供給控制器28及移動機構控制器24的控制器25。
對於成膜於基板15之有機薄膜16的接下來，係作為界面層而形成有鹼金屬或鹼土類金屬的氧化物或氟化物，例如LiF等之極薄膜(~0.5nm)。之後形成有Al薄膜(~150nm)。有著將此Al薄膜，全部以蒸鍍形成之情況，或以蒸鍍形成更薄的Al薄膜之後，從真空處理室14 移動至另外的真空處理室，經由濺鍍而形成剩餘之Al薄膜的情況。
Al的蒸鍍係如以下加以進行。經由控制器25而控制膜厚控制器22，電源23，移動機構控制器24，蒸鍍材料供給控制器28。經由電源23而各加熱作為蒸鍍材料5而收容有Al之複數個之蒸發源100所成之蒸發源群18的各加熱部3，從此等蒸發源100所成之蒸發源群18的水平方向之各坩堝開口部9，蒸鍍粒子，目前的情況Al粒子(蒸氣)則朝向基板15而噴射。將蒸發源100排列成列狀而作為蒸發源群18，經由相對掃描蒸發源群18與基板15之時，成為可進行對於基板15之一樣的成膜。膜厚控制器22係接受來自檢測所噴出之Al粒子的一部分之膜厚監視器19的信號，將膜厚資訊回應至電源23，加熱蒸發源100所具備之未圖示的坩堝，為了從蒸發源群18使蒸發粒子產生而對於各蒸發源100控制蒸發源群18之溫度，將對於基板15之Al蒸鍍速度維持成一定。對於蒸發源群18之蒸發源100係各具備檢測坩堝7之溫度的未圖示之溫度檢測器，監視各蒸發源單元之坩堝溫度，在維持為略1400℃之後，使用膜厚監視器19而更正確地控制蒸鍍膜厚。對於圖8係僅描繪1個膜厚監視器19，但對於蒸發源群18之各蒸發源100而言各設置一個，個別地控制蒸鍍速度。蒸發源群18係經由根據移動機構控制器24所控制之基板保持移動機構20而沿著移動導軌21上下移動在真空處理室14內。蒸發源群18係掃描於單向，或往返水平方 向，通過金屬光罩17而蒸鍍於形成在基板15上之有機薄膜16，LiF薄膜上，形成Al薄膜。
基板15的掃描係如以下加以進行。首先，基板15係在至從蒸發源群18所發射之Al蒸氣所未到達之位置降低至下方的待機位置進行待機。此時，將防著板，或開閉器設置於蒸發源群18之上方，作為待機位置呈未從蒸發源群18離太遠者為佳。從此位置將基板15移動，掃描至上方同時，將蒸鍍材料5蒸鍍於基板15之表面。伴隨著基板15之掃描，從基板15之下方朝向上方而將蒸鍍材料5蒸鍍於基板15之表面。在蒸鍍至基板15之下方之後，接下來係將基板15掃描於下方，更且將蒸鍍材料5進行蒸鍍，再次基板15係返回至待機位置。
蒸鍍材料5係於坩堝7之中，至少收容有必須上述掃描的量。在待機位置，於待機時間，從蒸鍍材料供給路徑12供給粒狀的蒸鍍材料(Al)5至坩堝7。對於蒸鍍材料供給路徑12係經由來自蒸鍍材料供給控制器28的命令，從具備調整Al粒的供給量之機構的蒸鍍材料儲存部27加以供給。調整Al粒的供給量之機構係例如設置開閉器於蒸鍍材料儲存部27與蒸鍍材料供給路徑12之連續部，經由重量計測而監視供給量同時，開關開閉器而控制對於坩堝7之蒸鍍材料5的供給量。另外，對於本成膜裝置之維護之前，係作為使坩堝7內的蒸鍍材料5全部蒸發，不殘留於坩堝7內，或外側坩堝1(內側坩堝2)內。由此，在坩堝溫度冷卻的過程，可消除作用於Al與坩堝材料之 間的應力，成為未產生破損之蒸發源100。即使Al殘留於坩堝7內之情況，因坩堝7為小之故，在坩堝溫度冷卻的過程，可消除作用於Al與坩堝材料之間的應力之故，可提供不易引起破損之蒸發源100。
另外，在本實施例中，將基板15掃描於垂直(上下)方向，但亦可將蒸發源100排列於上下方向而作為蒸發源群18，將基板15掃描於水平方向。
經由本實施例，坩堝開口部側則由對於鋁而言潤濕性小的材料加以構成之故，不易發生有對於坩堝外的冒出。經由具有蒸鍍材料供給手段之時而可縮小收容蒸鍍材料5之坩堝7，在坩堝溫度冷卻的過程，可消除作用於Al與坩堝材料之間的應力者。更且，因坩堝7為小之故，可容易將蒸鍍材料5作為噴射結束的序列，可作為冷卻時應力呈未作用者。由此，可提供不易引起破損之蒸發源100者。另外，供給蒸鍍材料5之坩堝7則由潤濕性大之材料所成，因蒸鍍材料5潤濕坩堝表面，蒸鍍材料5則安定地蒸發，可將坩鍋7的蒸氣壓作為略一定之故，可以安定的蒸鍍速率進行成膜。由此等，可提供具有可防止Al之冒出而不易引起故障，破損而進行安定的成膜之蒸發源100之成膜裝置者。另外，經由具有蒸鍍材料供給手段之時，可以小容量之坩鍋7進行大量且長時間的蒸鍍。更且，可提供將基板15放置於縱向而蒸鍍於水平方向之縱型蒸鍍之成膜裝置。
圖13係顯示有機電激發光顯示器生產工程之一例的 工程圖。在圖13中，形成有有機層與控制流動於有機層之電流之薄膜電晶體(TFT)的TFT基板，和從外部的濕氣保護有機層之封閉基板係個別加以形成，在封閉工程中加以組合。
在圖13之TFT基板的製造工程中，對於濕洗淨完成之基板15而言進行乾洗淨。乾洗淨係亦有包含經由紫外線照射之洗淨情況。於乾洗淨完成之TFT基板，首先形成有TFT。於TFT上形成有鈍化膜及平坦化膜，再於其上方形成有機電激發光層之下部電極。下部電極係與TFT之汲極電極連接。將下部電極作為陽極之情況係例如使用ITO(Indium Tin Oxide)膜。
於下部電極上形成有機電激發光層。有機電激發光層係由複數的層加以構成。下部電極為陽極的情況係從下，例如，電洞植入層，電洞輸送層，發光層，電子輸送層，電子植入層。如此之有機電激發光層係經由蒸鍍加以形成。
對於有機電激發光層上係各畫素共通地，以固態膜形成上部電極。有機電激發光顯示裝置則為頂放射之情況係對於上部電極係使用IZO等之透明電極，或Ag，MaAg等金屬或合金，而有機電激發光顯示裝置則為底放射之情況係使用Ag，Ma，Al等金屬膜。以上所說明之前述的Al蒸鍍等的例係相當於在本工程之上部電極之蒸鍍。
在圖13之封閉基板工程中，對於進行濕洗淨及乾洗淨之封閉基板而言，配置有除濕劑(乾燥劑)。有機電激 發光層係因當有水分時而造成劣化之故，為了除去內部的水分而使用除濕劑。對於除濕劑係可使用各種材料，但有機電激發光顯示裝置則經由頂放射或底放射而除濕劑的配置方法則有不同。
如此，在個別所製造之TFT基板與封閉基板係在封閉工程中加以組合。為了封閉TFT基板與封閉基板之密封材係形成於封閉基板。在組合封閉基板與TFT基板之後，於密封部照射紫外線，使密封部硬化而完成封閉。對於如此作為所形成之有機電激發光顯示裝置而言進行點燈檢查。在點燈檢查中，即使產生有黑點，白點等之缺陷情況，可修正缺陷的構成係進行修正，有機電激發光顯示裝置則完成。然而，對於未存在有封閉基板，所謂固體封閉之有機電激發光顯示裝置之製造，當然亦可使用本發明之蒸鍍裝置。
[實施例9]
圖9係實施例9之成膜裝置之概略構成圖。與實施例8的不同係基板15為靜止，掃描蒸發源群18者。僅將與實施例8的不同記載於以下。具備保持蒸發源群18，沿著移動導軌21而移動於上下之蒸發源保持移動機構29，控制蒸發源保持移動機構29之移動機構控制器24，及控制移動機構控制器24之控制器25。
另外，在本實施例中，將蒸發源群18掃描於垂直(上下)方向，但亦可將蒸發源100排列於上下方向而作 為蒸發源群18，將蒸發源群18掃描於水平方向。
如根據本實施例，因從基板15小型之蒸發源群18則產生移動之故，更可縮短掃描的移動距離。由此，可提供更小型之成膜裝置。
[實施例10]
圖10係實施例10之成膜裝置之概略構成圖。與實施例9的不同係蒸鍍材料儲存部27為靜止加以配置，與掃描之蒸發源群18加以切割者。僅將與實施例9的不同記載於以下。蒸鍍材料儲存部27係配置於蒸發源群18之待機位置(圖10所示之位置)。蒸發源群18係首先在待機位置，從蒸鍍材料儲存部27歷經蒸鍍材料供給路徑12而接受蒸鍍材料(Al)粒的補給。蒸鍍材料供給路徑12的入口擴張成喇叭狀，對於口部係具備開閉器，蒸發源群18則在待機位置接受蒸鍍材料5之補給的時間，開閉器則自動開啟。對於蒸鍍材料儲存部27係於對應於蒸發源群18之各蒸發源100之蒸鍍材料供給路徑12之位置，設置為了蒸鍍材料供給之出口。對於此出口係設置有開閉出口之開關機構，經由蒸鍍材料供給控制器28而控制此開關機構之時，控制對於坩堝7之蒸鍍材料供給量。當結束蒸鍍材料之供給時，蒸發源群18之蒸鍍材料供給路徑12之入口開閉器係加以關閉，作為呈蒸氣不會外漏至外部。蒸發源群18係加以掃描於上方之同時，釋放蒸氣於基板方向，對於基板15蒸鍍蒸鍍材料5。蒸發源群18係到達至 基板上，一樣地將基板全體成膜時，掃描於下方，往復進行蒸鍍，再次返回至待機位置，結束1片之基板15的成膜。接著，自動地交換基板15，以同樣的步驟進行接下來的基板之成膜。
蒸鍍材料供給控制器28係在未成膜於基板15之時間，進行蒸鍍材料5的供給。此係如上述在蒸鍍材料5之供給中係必須保持開啟蒸鍍材料供給路徑12之入口開閉器，如保持開啟會對於基板15之成膜帶來不良影響。
另外，在本實施例中，將蒸發源群18掃描於垂直(上下)方向，但亦可將蒸發源100排列於上下方向而作為蒸發源群18，將蒸發源群18掃描於水平方向。另外，蒸鍍材料供給路徑12之入口係雖然作為擴張成喇叭狀，但即使不擴張，例如為筒狀亦可。但成為喇叭狀之情況，蒸鍍材料5不易溢出於外部。另外，將來自蒸鍍材料儲存部27之蒸鍍材料5的供給頻度，敘述過將基板15對於各1片1次的例，但並不限定於此。而對於基板2片為1次，對於基板8~10片為1次亦可，但越提高頻度，越可將蒸發源群18作輕量化。蒸發源群18為小型，可輕量化之故，蒸發源群18之移動機構亦可小型化。
如根據本實施例，與靜止的蒸鍍材料儲存部27另外地進行蒸發源群18之掃描。因蒸發源群18可更輕量，小型之故，蒸發源群等保持移動機構26亦可作為輕量，小型者。由此，可提供更小型之成膜裝置。
[實施例11]
圖11係實施例11之成膜裝置之概略構成圖。與實施例10的不同係蒸發源群18之蒸發源100係從圖左對於奇數之蒸發源100的坩堝係收容有蒸鍍材料A，對於偶數的蒸發源100之坩鍋係收容有蒸鍍材料B，可進行A，B 2元之共蒸鍍者。配合如此之蒸發源群18，蒸鍍材料儲存部27係對於各個蒸發源100成為獨立之材料室，導入對應之蒸鍍材料5。蒸鍍材料供給路徑12係連接此等之蒸發源群18之各個蒸發源100與蒸鍍材料儲存部27之各個材料室。膜厚監視器19係在圖11中僅描繪右端蒸發源用的一個，但同樣地具備於所有的蒸發源100，各個控制蒸鍍速率。
如根據本實施例，與實施例10同樣地，蒸發源群18之蒸發源100因可作為極為輕量，小型化之故，即使在進行多元之共蒸鍍之情況，亦可將蒸發源100排列為一列，而蒸發源群18則成為小型化，容易設置於膜厚監視器19容易監視之位置。由此，可提供更小型化，可控制性佳進行共蒸鍍之安定的成膜裝置者。在本實施例中，作為共蒸鍍敘述過2元的例，3元以上亦當然同樣地可能。
[實施例12]
圖12係實施例11之成膜裝置之概略構成圖。與實施例10的不同係將基板配置於水平，伴隨於此，蒸發源群18則朝上。接著，蒸鍍材料供給路徑12則設置於蒸鍍材 料儲存部27側。首先，蒸鍍材料儲存部27為靜止加以配置，與掃描之蒸發源群18加以切割者。僅將與實施例10的不同記載於以下。對於蒸發源群18之各蒸發源100之坩鍋7，係在待機位置從上方的蒸鍍材料儲存部27歷經蒸鍍材料供給路徑12，供給蒸鍍材料5。此供給係坩堝的開口部31朝上之故，於與此不同的方向無須開孔，無須擔心蒸氣外漏。如根據本實施例，與實施例10同樣地，可提供蒸發源群18之蒸發源100因可作為極為輕量，小型化，無須擔心不需要的蒸氣外漏之安定的成膜裝置者。
從以上的實施例1至12敘述過之本發明係未只限制於上述之形態，亦包含在上述所敘述之各種的組合。另外，以例敘述過製造使用於有機電激發光顯示裝置或照明裝置之有機電激發光元件的工程，但當然可適用於包含磁帶，餅乾袋之Al內裝等，其他領域之蒸鍍工程者之所有。
如以上，如根據經由本發明之成膜裝置，坩堝之開口部側則由對於鋁而言潤濕性小的材料加以構成之故，不易發生有對於坩堝外的冒出。由此，可提供不易引起破損之蒸發源100者。另外，因供給蒸鍍材料5之部分則由潤濕性大的材料所成之故，蒸鍍材料則可安定地蒸發而進行安定的成膜。由此，可廉價地提供具有可防止Al之冒出而不易引起故障，破損而進行安定的成膜之蒸發源100之成膜裝置者。更且，可提供適合於將基板15放置於縱向而蒸鍍於水平方向之縱型蒸鍍之成膜裝置。
另外，經由具有蒸鍍材料供給手段之時，可以小容量之坩鍋7進行大量的蒸鍍。另外，蒸鍍材料供給手段之蒸鍍材料供給路徑12則因配置於坩堝開口部的相反側，乃至未妨礙蒸鍍材料之蒸氣噴出於坩堝外部之位置之故，未成為蒸鍍材料5之蒸氣噴出之障礙。
更且，因蒸發源群18可更輕量，小型之故，蒸發源群等保持移動機構26亦可作為輕量，小型者。由此，可提供更小型之成膜裝置。另外，即使在進行多元之共蒸鍍之情況，亦可將蒸發源100排列為一列，而容易設置於膜厚監視器19容易監視之位置。由此，可提供更小型化，可控制性佳進行共蒸鍍之安定的成膜裝置者。
在以上所說明之構成中，對於基板15而言，蒸發源100則移動於特定之方向，而蒸鍍於基板之構成。但本發明係固定有蒸發源100，對於基板15移動於特定之方向之構成之蒸鍍裝置而言亦可適用者。即，對於形成均一之蒸鍍膜於基板15，基板15與蒸發源100則如相對性地移動即可。但本發明之蒸發源群18係因可作為輕量，小型之故，使蒸發源100移動之情況則有著可縮短移動距離，成膜裝置亦可作為小型之優點。另外，當然由前述之各實施形態之諸組合，可能之構成所有則作為本發明而可實施。
以上，依據前述諸實施形態而具體說明過，但本發明並不限定於前述實施形態，在不脫離其內容範圍，當然可作種種變更。
<比較例1>
圖15係作為比較例而顯示未採用本發明之構成的成膜裝置之蒸發源200之概略剖面圖(1)。於PBN(Pyrolytic Boron Nitride)所成之坩鍋207之中，收容有蒸鍍材料205，經由加熱部(加熱器)203而加熱此坩堝207，將經由反射器204而跳脫的熱返回至坩堝207，加熱部203而提升熱效率，加熱蒸鍍材料205。所加熱之蒸鍍材料205係經由昇華或氣化而蒸發，從坩堝的開口部209噴出而於未圖示之基板上，蒸鍍蒸鍍材料205。
特別是蒸鍍材料205為Al之情況，Al係為熔點以下，蒸氣壓為低之故而將溫度設定為熔點(660℃)以上，在熔融狀態進行蒸鍍。此情況，知道有熔融之Al則沿著坩堝207的內壁面而上升，從坩堝207溢出，所謂產生有冒出現象。熔融之Al係冒出在圖15之坩鍋(主體)207之內壁，經由溫度等之條件係有著冒出在坩堝之開口部209之坩堝堝緣208上面，繞入至由配置有加熱部203之坩堝207與外筒206所圍繞之加熱室210之情況。當Al進入至加熱室210時，附著反應於加熱部203，反射器204，使加熱部203劣化而成為斷線的原因，以即有著堆積於支持加熱部203之未圖示之絕緣礙子而具有導電性，堆積於反射器204，隔著具有表面導電性之礙子，加熱部203與反射器204(此情況作為加以接地)則產生電性短路等，成為蒸鍍裝置之蒸發源故障的原因之問題。
另外，在大型基板的成膜中，將基板作為垂直，從橫 方向進行蒸鍍之縱型蒸鍍則無光罩的彎曲而可精確度佳地配合之故而成為必須。
<比較例2>
圖16係與圖15同樣地，作為比較例而顯示未採用本發明之構成的成膜裝置之蒸發源200之概略剖面圖(2)。在圖16中，坩堝的開口部209則為朝略水平方向(坩堝的開口部209之方向，和經由未圖示之基板保持移動機構所保持之基板之表面的法線方向為略0度)之蒸發源200的例。
熔融此蒸發源200之Al的情況，熔融的Al則沿著坩堝207之內壁面而上升，越過坩鍋堝緣208而從坩堝溢出，產生冒出現象。另外，亦有Al之噴濺產生之可能性。
然而，對於此比較例2，在實施例1之圖1(A)中，內側坩堝2則垂直交叉於外側坩堝1之開口部9，配置於深處之位置之故，即使產生有Al之噴濺之情況，亦僅衝突於外側坩堝1之內壁，而未到達至基板15。另外，假設即使Al流出至外側坩堝1之側面，因外側坩堝1係潤濕性小之故，可防止冒出現象的發生。
[產業上之可利用性]
本發明係有關蒸鍍裝置，特別是可利用於具有不易引起故障，破損之蒸發源的成膜裝置。
1‧‧‧外側坩堝
2‧‧‧內側坩堝(收容部)
3，203‧‧‧加熱部(加熱器)
4，204‧‧‧反射器
5，205‧‧‧蒸鍍材料
6，206‧‧‧外筒
7，207‧‧‧坩堝
8，208‧‧‧坩堝堝緣
9‧‧‧外側坩堝之開口部
10，210‧‧‧加熱室
11，211‧‧‧噴嘴
12‧‧‧蒸鍍材料供給路徑
13‧‧‧支持構造
14‧‧‧真空處理室
15‧‧‧基板
16‧‧‧有機薄膜
17‧‧‧金屬光罩
18‧‧‧蒸發源群
19‧‧‧膜厚監視器
20‧‧‧基板保持移動機構
21‧‧‧移動導軌
22‧‧‧膜厚控制器
23‧‧‧電源
24‧‧‧移動機構控制器
25‧‧‧控制器
26‧‧‧蒸發源群等保持移動機構
27‧‧‧蒸鍍材料儲存部
28‧‧‧蒸鍍材料供給控制器
29‧‧‧蒸發源保持移動機構
30‧‧‧內側坩堝之開口部
31，209‧‧‧坩堝之開口部
100，200‧‧‧蒸發源
圖1係實施例1之成膜裝置之蒸發源的概略剖面圖。
圖2係實施例2之成膜裝置之蒸發源的概略剖面圖。
圖3係實施例3之成膜裝置之蒸發源的概略剖面圖。
圖4係實施例4之成膜裝置之蒸發源的概略剖面圖。
圖5係實施例5之成膜裝置之蒸發源的概略剖面圖。
圖6係實施例6之成膜裝置之蒸發源的概略剖面圖。
圖7係實施例7之成膜裝置之其他的蒸發源的概略剖面圖。
圖8係實施例8之成膜裝置之概略構成圖。
圖9係實施例9之成膜裝置之概略構成圖。
圖10係實施例10之成膜裝置之概略構成圖。
圖11係實施例11之成膜裝置之概略構成圖。
圖12係實施例12之成膜裝置之概略構成圖。
圖13係顯示有機電激發光顯示器生產工程之一例的工程圖。
圖14係模式性地描繪放置於固體上之液滴之剖面形狀的圖。
圖15係比較例之成膜裝置之蒸發源的概略剖面圖(1)。
圖16係比較例之成膜裝置之蒸發源的概略剖面圖(2)。
100‧‧‧蒸發源
5‧‧‧蒸鍍材料
2‧‧‧內側坩堝(收容部)
1‧‧‧外側坩堝
3‧‧‧加熱部(加熱器)
4‧‧‧反射器
6‧‧‧外筒
8‧‧‧坩堝堝緣
30‧‧‧內側坩堝之開口部
9‧‧‧外側坩堝之開口部
10‧‧‧加熱室
15‧‧‧基板

Claims (16)

  1. 一種蒸發源，係具有：具備收容蒸鍍材料之收容部，和將收容於前述收容部之蒸鍍材料的蒸氣放射至外部之開口部的坩堝；和加熱收容於前述坩堝內之前述收容部之蒸鍍材料的加熱部之蒸發源，其特徵為對於前述收容部之前述蒸鍍材料而言之潤濕性係較對於前述開口部之前述蒸鍍材料而言之潤濕性為大者。
  2. 如申請專利範圍第1項記載之蒸發源，其中，前述坩堝係由具備前述收容部之內側坩堝，和具備前述開口部之外側坩堝而構成者。
  3. 如申請專利範圍第2項記載之蒸發源，其中，前述內側坩堝的開口部之方向，與前述外側坩堝的開口部之方向為不同者。
  4. 如申請專利範圍第2項或第3項記載之蒸發源，其中，前述內側坩堝的底面部，和前述外側坩堝的側面部係接合者。
  5. 如申請專利範圍第1項乃至第3項任一項記載之蒸發源，其中，將前述加熱部配置於前述收容部之近旁者。
  6. 如申請專利範圍第1項乃至第3項任一項記載之蒸發源，其中，前述坩堝係於對向於前述開口部之位置具有底面部， 從前述坩堝的開口部至底面部之長度係較前述坩堝的開口部之直徑或長度方向之長度為大者。
  7. 如申請專利範圍第1項記載之蒸發源，其中，具備從位於前述坩堝的外部之蒸鍍材料儲存部至前述收容部，供給蒸鍍材料之蒸鍍材料供給手段者。
  8. 如申請專利範圍第7項記載之蒸發源，其中，前述蒸鍍材料供給手段係檢測前述收容部之蒸鍍材料之儲存狀態，依據前述蒸鍍材料之儲存狀態而中止對於前述收容部之蒸鍍材料之供給者。
  9. 如申請專利範圍第7項或第8項記載之蒸發源，其中，前述蒸鍍材料供給手段係通過前述坩堝的底面部或側面部而連接於前述收容部者。
  10. 如申請專利範圍第7項乃至第8項任一項記載之蒸發源，其中，前述蒸鍍材料供給手段係在未成膜於基板之時間進行蒸鍍材料之供給者。
  11. 如申請專利範圍第1項乃至第3項及第7項乃至第8項記載任一項之蒸發源，其中，前述蒸鍍材料係為鋁者。
  12. 如申請專利範圍第11項記載之蒸發源，其中，前述開口部之表面係對於熔融的鋁而言之接觸角為30度以上的物質所成，前述收容部之表面係對於熔融的鋁而言之接觸角為不足30度的物質所成者。
  13. 一種成膜裝置，係具有複數排列如申請專利範圍第1項乃至第3項及第7項乃至第8項記載任一項之蒸發源而構成之蒸發源群；和保持基板之基板保持部之成膜裝置，其特徵為前述蒸發源或前述基板保持部之中，由一方則進行掃描，另一方則靜止者而將基板進行成膜者。
  14. 如申請專利範圍第13項記載之成膜裝置，其中，前述坩堝的開口部之方向，和經由前述基板保持部所保持之基板的表面之法線方向則位於-5~60度的範圍者。
  15. 如申請專利範圍第13項記載之成膜裝置，其中，在前述蒸發源則進行掃描，前述基板保持部則靜止之情況，前述蒸鍍材料儲存部係靜止者。
  16. 如申請專利範圍第13項記載之成膜裝置，其中，前述蒸發源群之中，在第1之蒸發源與第2之蒸發源，蒸鍍材料係為不同之構成者。
TW101128967A 2011-09-30 2012-08-10 蒸發源及成膜裝置 TW201319282A (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011215911A JP5557817B2 (ja) 2011-09-30 2011-09-30 蒸発源および成膜装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW201319282A true TW201319282A (zh) 2013-05-16

Family

ID=48018912

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW101128967A TW201319282A (zh) 2011-09-30 2012-08-10 蒸發源及成膜裝置

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP5557817B2 (zh)
KR (1) KR20130035863A (zh)
CN (1) CN103031520A (zh)
TW (1) TW201319282A (zh)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103952668B (zh) * 2014-05-14 2016-04-13 深圳市华星光电技术有限公司 可以侦测和防止高温金属材料泄露的加热容器及制造方法
JP6595568B2 (ja) * 2017-12-12 2019-10-23 キヤノントッキ株式会社 蒸発源装置及び蒸着装置
KR102184356B1 (ko) * 2019-02-27 2020-11-30 캐논 톡키 가부시키가이샤 성막장치, 성막방법, 및 전자 디바이스 제조방법
JP7241604B2 (ja) * 2019-05-28 2023-03-17 キヤノントッキ株式会社 加熱装置、蒸発源装置、成膜装置、成膜方法および電子デバイスの製造方法
KR102648128B1 (ko) * 2021-08-30 2024-03-15 주식회사 야스 수직 선형 증발원
CN114959589B (zh) * 2022-07-04 2024-07-05 宁波卢米蓝新材料有限公司 一种蒸镀坩埚

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62160460A (ja) * 1986-01-08 1987-07-16 Fuji Electric Co Ltd 真空蒸着用蒸発源
JPH051368A (ja) * 1991-06-24 1993-01-08 Denki Kagaku Kogyo Kk 真空蒸着用セラミツク容器
JP3520957B2 (ja) * 1997-06-23 2004-04-19 シャープ株式会社 多結晶半導体インゴットの製造方法および装置
US6202591B1 (en) * 1998-11-12 2001-03-20 Flex Products, Inc. Linear aperture deposition apparatus and coating process
JP2003096558A (ja) * 2001-09-21 2003-04-03 Hitachi Chem Co Ltd 蒸着ボート
JP2005113171A (ja) * 2003-10-03 2005-04-28 Denki Kagaku Kogyo Kk 金属蒸発容器
KR100623730B1 (ko) * 2005-03-07 2006-09-14 삼성에스디아이 주식회사 증발원 어셈블리 및 이를 구비한 증착 장치
JP2007239098A (ja) * 2006-02-10 2007-09-20 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 成膜装置および成膜方法、発光素子の作製方法
CN100516285C (zh) * 2007-12-06 2009-07-22 南开大学 电子束加热蒸发方法与装置及其用途

Also Published As

Publication number Publication date
CN103031520A (zh) 2013-04-10
JP2013076120A (ja) 2013-04-25
KR20130035863A (ko) 2013-04-09
JP5557817B2 (ja) 2014-07-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW201319282A (zh) 蒸發源及成膜裝置
JP5452178B2 (ja) 真空蒸着装置、真空蒸着方法、および、有機ｅｌ表示装置の製造方法
TW201243072A (en) Vapor deposition device
KR101997808B1 (ko) 유기 재료를 위한 증발 소스
CN106133183B (zh) 用于有机材料的蒸发源
KR101256193B1 (ko) 박막 증착장치 및 이에 사용되는 선형증발원
KR101191569B1 (ko) 성막 장치
JP2009084675A (ja) 蒸気放出装置、有機薄膜蒸着装置及び有機薄膜蒸着方法
KR20060087917A (ko) 증발원
JP2012207263A (ja) 蒸着方法および蒸着装置
JP2017509796A5 (zh)
KR20130113302A (ko) 진공 증착 방법 및 그 장치
KR100666575B1 (ko) 증발원 및 이를 이용한 증착 장치
JP2015067847A (ja) 真空蒸着装置
KR101983009B1 (ko) 증발원 및 이를 구비한 진공 증착 장치
KR100666573B1 (ko) 증발원 및 이를 이용한 증착 장치
JP2014015637A (ja) 蒸着装置
JP2012214834A (ja) 真空蒸着装置および有機ｅｌ表示装置の製造方法
JP7129310B2 (ja) 蒸着装置
KR101553619B1 (ko) Oled 제조용 인라인 증착장치
JP5557700B2 (ja) 蒸着装置及び有機ｅｌ装置の製造方法
JP2014107037A (ja) 蒸着装置及びこれに用いる蒸発源
KR101649739B1 (ko) 리니어 증발 소스
KR20200078850A (ko) 선형 증착원
KR100805323B1 (ko) 유기 박막 증착 장치