JPH051368A - 真空蒸着用セラミツク容器 - Google Patents
真空蒸着用セラミツク容器Info
- Publication number
- JPH051368A JPH051368A JP17780591A JP17780591A JPH051368A JP H051368 A JPH051368 A JP H051368A JP 17780591 A JP17780591 A JP 17780591A JP 17780591 A JP17780591 A JP 17780591A JP H051368 A JPH051368 A JP H051368A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ceramics
- vessel
- boron nitride
- container
- molten metal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 溶融金属の容器からの這い出し防止効果に優
れた真空蒸着用セラミック容器の提供。 【構成】 容器の内側壁の一部又は全部を窒化ホウ素セ
ラミックスで、その内底面を窒化ホウ素を含む導電性セ
ラミックスで構成してなることを特徴とする真空蒸着用
セラミック容器。
れた真空蒸着用セラミック容器の提供。 【構成】 容器の内側壁の一部又は全部を窒化ホウ素セ
ラミックスで、その内底面を窒化ホウ素を含む導電性セ
ラミックスで構成してなることを特徴とする真空蒸着用
セラミック容器。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、真空蒸着時の金属溶湯
の這い出しを改良した真空蒸着用セラミック容器に関す
る。
の這い出しを改良した真空蒸着用セラミック容器に関す
る。
【0002】
【従来の技術】従来より、窒化ホウ素と金属ホウ化物を
主体とする導電性セラミックスが蒸発金属に対する耐食
性に優れた蒸着用容器として市販され、特にテレビブラ
ウン管を始めとするディスプレイ用、アルミバックメタ
ル用のセラミック容器として使用されている。
主体とする導電性セラミックスが蒸発金属に対する耐食
性に優れた蒸着用容器として市販され、特にテレビブラ
ウン管を始めとするディスプレイ用、アルミバックメタ
ル用のセラミック容器として使用されている。
【0003】しかしながら、これらの導電性セラミック
容器には、アルミニウム等の溶融金属が蒸発時に這い出
すという欠点がある。この欠点は、抵抗加熱式容器の場
合には、這い出しが電極までに達して短絡するという現
象が起こるし、また、電子ビーム式容器の場合には、冷
却帯銅ハースの中に溶融金属が流れ込み、冷却固化して
蒸着ができなくなり、場合によっては容器が破損してし
まう。
容器には、アルミニウム等の溶融金属が蒸発時に這い出
すという欠点がある。この欠点は、抵抗加熱式容器の場
合には、這い出しが電極までに達して短絡するという現
象が起こるし、また、電子ビーム式容器の場合には、冷
却帯銅ハースの中に溶融金属が流れ込み、冷却固化して
蒸着ができなくなり、場合によっては容器が破損してし
まう。
【0004】這い出しは、溶融金属との濡れ性が良好な
ために生ずる現象であるので利点もある。すなわち、溶
融金属は容器内面一杯に濡れ広がったのち被蒸着基板へ
蒸着されるので均質かつ安定な蒸着膜が得られやすいと
いうことである。
ために生ずる現象であるので利点もある。すなわち、溶
融金属は容器内面一杯に濡れ広がったのち被蒸着基板へ
蒸着されるので均質かつ安定な蒸着膜が得られやすいと
いうことである。
【0005】溶融金属の這い出し防止については、従来
から多くの改良と工夫が重ねられてきた。例えば、抵抗
加熱式タングステンボート等においては、キャビテー隣
接部に切り込みを設けたり、導電性セラミックボートに
おいては、特公昭54−42676号公報に記載のよう
にボート寸法を厳格にしたり、さらには電子ビーム蒸着
用容器においては、キャビテー上部の内側に溝を切った
り、這い出し防止用のBNコーティング層を設けたりさ
れてきた。しかしながら、これらの方法では、依然とし
て十分な這い出し防止はできていない。
から多くの改良と工夫が重ねられてきた。例えば、抵抗
加熱式タングステンボート等においては、キャビテー隣
接部に切り込みを設けたり、導電性セラミックボートに
おいては、特公昭54−42676号公報に記載のよう
にボート寸法を厳格にしたり、さらには電子ビーム蒸着
用容器においては、キャビテー上部の内側に溝を切った
り、這い出し防止用のBNコーティング層を設けたりさ
れてきた。しかしながら、これらの方法では、依然とし
て十分な這い出し防止はできていない。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】本発明者らは、上記問
題点を解決することを目的として鋭意検討した結果、窒
化ホウ素が溶融金属との濡れ性が悪いことを利用し、溶
融金属と接する機会の少ない部分を窒化ホウ素とし、接
する機会の多い部分を窒化ホウ素を含む導電性セラミッ
クスで構成すれば這い出し防止効果が著大になることを
見出し、本発明を完成したものである。
題点を解決することを目的として鋭意検討した結果、窒
化ホウ素が溶融金属との濡れ性が悪いことを利用し、溶
融金属と接する機会の少ない部分を窒化ホウ素とし、接
する機会の多い部分を窒化ホウ素を含む導電性セラミッ
クスで構成すれば這い出し防止効果が著大になることを
見出し、本発明を完成したものである。
【0007】
【課題を解決するための手段】すなわち、本発明は、容
器の内側壁の一部又は全部を窒化ホウ素セラミックス
で、内底面を窒化ホウ素を含む導電性セラミックスで構
成してなることを特徴とする真空蒸着用セラミック容器
である。
器の内側壁の一部又は全部を窒化ホウ素セラミックス
で、内底面を窒化ホウ素を含む導電性セラミックスで構
成してなることを特徴とする真空蒸着用セラミック容器
である。
【0008】以下、図面にもとづいてさらに詳しく本発
明について説明すると、図1は、本発明の真空蒸着用セ
ラミック容器の一例を示す斜視図である。1は窒化ホウ
素セラミックス、2は窒化ホウ素を含む導電性セラミッ
クス、3はキャビティーである。
明について説明すると、図1は、本発明の真空蒸着用セ
ラミック容器の一例を示す斜視図である。1は窒化ホウ
素セラミックス、2は窒化ホウ素を含む導電性セラミッ
クス、3はキャビティーである。
【0009】図1に示したものは、容器の内底面を導電
性セラミックス2により、また、その内側壁を、その上
部開口付近が窒化ホウ素セラミックス1で、またその底
面付近が導電性セラミックス2により構成されている。
本発明においては、この構造に限られるものではなく、
例えば、内側壁の全てを窒化ホウ素セラミックス1で構
成してもよく、また、窒化ホウ素セラミックス1と導電
性セラミックス2とを交互に積層された構造であっても
よい。
性セラミックス2により、また、その内側壁を、その上
部開口付近が窒化ホウ素セラミックス1で、またその底
面付近が導電性セラミックス2により構成されている。
本発明においては、この構造に限られるものではなく、
例えば、内側壁の全てを窒化ホウ素セラミックス1で構
成してもよく、また、窒化ホウ素セラミックス1と導電
性セラミックス2とを交互に積層された構造であっても
よい。
【0010】窒化ホウ素セラミックス1としては、窒化
ホウ素99.5〜80重量%、焼結助剤0.5〜20重
量%の焼結体が望ましい。窒化ホウ素としては、BN純
度90重量%以上特に98重量%以上の六方晶窒化ホウ
素が好ましく、また、焼結助剤としては、B2O3、B2O3・
CaO 、B2O3・SiO2等が使用される。
ホウ素99.5〜80重量%、焼結助剤0.5〜20重
量%の焼結体が望ましい。窒化ホウ素としては、BN純
度90重量%以上特に98重量%以上の六方晶窒化ホウ
素が好ましく、また、焼結助剤としては、B2O3、B2O3・
CaO 、B2O3・SiO2等が使用される。
【0011】一方、導電性セラミックス2としては、窒
化ホウ素を20〜70重量%程度を含み、比抵抗が10
0〜2000μΩcm程度のものが望ましい。具体的に
は、窒化ホウ素20〜70重量%、二ホウ化チタン等の
成分80〜30重量%からなるものである。これの市販
品としては、電気化学工業(株)製商品名「BNコンポ
ジットEC」がある。
化ホウ素を20〜70重量%程度を含み、比抵抗が10
0〜2000μΩcm程度のものが望ましい。具体的に
は、窒化ホウ素20〜70重量%、二ホウ化チタン等の
成分80〜30重量%からなるものである。これの市販
品としては、電気化学工業(株)製商品名「BNコンポ
ジットEC」がある。
【0012】上記窒化ホウ素セラミックス1と導電性セ
ラミックス2とを接合し本発明の真空蒸着用セラミック
容器とするには、それぞれの粉体、金型成型体、反応焼
結体、ホットプレス成型体のいずれかの組合せにより接
合し、機械加工等を行って容器を形成する。
ラミックス2とを接合し本発明の真空蒸着用セラミック
容器とするには、それぞれの粉体、金型成型体、反応焼
結体、ホットプレス成型体のいずれかの組合せにより接
合し、機械加工等を行って容器を形成する。
【0013】
【実施例】以下、実施例と比較例をあげてさらに具体的
に本発明を説明する。
に本発明を説明する。
【0014】実施例1〜4 比較例1〜2 表1に示す窒化ホウ素セラミックスをφ150×50mm
の形状に成型したのちそれを上面に、また導電性セラミ
ックス成型体を下面にして重ね合せて黒鉛型に挿入しホ
ットプレス成型した。ホットプレス方向は上下からの一
軸加圧で、圧力200kg/cm2 、温度1950℃とし
た。比較例1〜2は導電性セラミックスのみをφ150
×50mmの形状にホットプレス成型したものである。
の形状に成型したのちそれを上面に、また導電性セラミ
ックス成型体を下面にして重ね合せて黒鉛型に挿入しホ
ットプレス成型した。ホットプレス方向は上下からの一
軸加圧で、圧力200kg/cm2 、温度1950℃とし
た。比較例1〜2は導電性セラミックスのみをφ150
×50mmの形状にホットプレス成型したものである。
【0015】得られた接合体について、実施例1〜4に
ついては図1に示す形状に機械加工して、比較例1〜2
については、図1と同一形状のキャビティーに機械加工
して容器を作製した。これらの容器に線径1mmのアルミ
線1.2gを入れ、真空蒸着機にて真空度1×10-4Tor
r、印加電圧8.5V、電流140〜180mAで90秒の
蒸着テストを20回くり返し行い、容器からのアルミニ
ウムの這い出し状況とアルミニウムの蒸着膜厚を以下に
従って測定した。それらの結果を表2に示す。
ついては図1に示す形状に機械加工して、比較例1〜2
については、図1と同一形状のキャビティーに機械加工
して容器を作製した。これらの容器に線径1mmのアルミ
線1.2gを入れ、真空蒸着機にて真空度1×10-4Tor
r、印加電圧8.5V、電流140〜180mAで90秒の
蒸着テストを20回くり返し行い、容器からのアルミニ
ウムの這い出し状況とアルミニウムの蒸着膜厚を以下に
従って測定した。それらの結果を表2に示す。
【0016】(1) キャビティーからのアルミニウム
の這い出し状況 蒸着テスト20回目の容器キャビティーからのアルミニ
ウムの這い出し状況を観察した。 ○:キャビティーからの這い出しなし。 △:キャビティーからの這い出しが1〜5mmあり。 ×:キャビティーからの這い出しが5mm超あり。 (2) アルミニウムの蒸着膜厚 真空蒸着容器から250mm離れた上部空間にセンターガ
ラス板(G−O)を、該センターガラス板から同一平面
の左側に84mm離れた空間にガラス板(G−1)を、該
センターガラス板から同一平面の奥側に167mm離れた
空間にガラス板(G−2)を、そしてG−1とG−2と
が交差する空間にガラス板(G−3)を配置し、蒸着テ
スト1回目と20回目におけるアルミニウムの蒸着膜厚
を多重干渉検鏡法により測定した。なお、上記ガラス板
の大きさはいずれも30×60mmである。結果の判定
は、各測定位置における1回目の蒸着膜厚に対し20回
目のそれが500Å以内であれば○、500Å超であれ
ば×とした。
の這い出し状況 蒸着テスト20回目の容器キャビティーからのアルミニ
ウムの這い出し状況を観察した。 ○:キャビティーからの這い出しなし。 △:キャビティーからの這い出しが1〜5mmあり。 ×:キャビティーからの這い出しが5mm超あり。 (2) アルミニウムの蒸着膜厚 真空蒸着容器から250mm離れた上部空間にセンターガ
ラス板(G−O)を、該センターガラス板から同一平面
の左側に84mm離れた空間にガラス板(G−1)を、該
センターガラス板から同一平面の奥側に167mm離れた
空間にガラス板(G−2)を、そしてG−1とG−2と
が交差する空間にガラス板(G−3)を配置し、蒸着テ
スト1回目と20回目におけるアルミニウムの蒸着膜厚
を多重干渉検鏡法により測定した。なお、上記ガラス板
の大きさはいずれも30×60mmである。結果の判定
は、各測定位置における1回目の蒸着膜厚に対し20回
目のそれが500Å以内であれば○、500Å超であれ
ば×とした。
【0017】
【表1】
【0018】
【表2】
【0019】
【発明の効果】本発明の真空蒸着用セラミック容器は、
溶融金属の容器からの這い出し防止効果に優れたもので
ある。
溶融金属の容器からの這い出し防止効果に優れたもので
ある。
【図1】 本発明の真空蒸着用セラミック容器の一例を
示す斜視図。
示す斜視図。
1 窒化ホウ素セラミックス 2 導電性セラミックス 3 キャビティー
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項1】 容器の内側壁の一部又は全部を窒化ホウ
素セラミックスで、その内底面を窒化ホウ素を含む導電
性セラミックスで構成してなることを特徴とする真空蒸
着用セラミック容器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17780591A JPH051368A (ja) | 1991-06-24 | 1991-06-24 | 真空蒸着用セラミツク容器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17780591A JPH051368A (ja) | 1991-06-24 | 1991-06-24 | 真空蒸着用セラミツク容器 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH051368A true JPH051368A (ja) | 1993-01-08 |
Family
ID=16037398
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP17780591A Pending JPH051368A (ja) | 1991-06-24 | 1991-06-24 | 真空蒸着用セラミツク容器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH051368A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7319079B2 (en) | 2003-09-24 | 2008-01-15 | Rusinko Jr David Michael | Container for evaporation of metal and method to manufacture thereof |
JP2013076120A (ja) * | 2011-09-30 | 2013-04-25 | Hitachi High-Technologies Corp | 蒸発源および成膜装置 |
-
1991
- 1991-06-24 JP JP17780591A patent/JPH051368A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7319079B2 (en) | 2003-09-24 | 2008-01-15 | Rusinko Jr David Michael | Container for evaporation of metal and method to manufacture thereof |
JP2013076120A (ja) * | 2011-09-30 | 2013-04-25 | Hitachi High-Technologies Corp | 蒸発源および成膜装置 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4611745A (en) | Method for preparing highly heat-conductive substrate and copper wiring sheet usable in the same | |
JPS5919192B2 (ja) | 金属蒸発の為の熱分解窒化硼素被覆ボ−ト | |
US7364624B2 (en) | Wafer handling apparatus and method of manufacturing thereof | |
US6225606B1 (en) | Ceramic heater | |
EP0141526B1 (en) | Ceramic with anisotropic heat conduction | |
EP1430007B1 (en) | Brazeable matallizations for diamond components | |
US20030030141A1 (en) | Laminated radiation member, power semiconductor apparatus, and method for producing the same | |
US5118983A (en) | Thermionic electron source | |
US6197435B1 (en) | Substrate | |
JPH051368A (ja) | 真空蒸着用セラミツク容器 | |
US4705697A (en) | Electron beam formation of a thermal head using titanium silicide | |
KR970003456B1 (ko) | 금속재료상의 솔더피막 형성방법 | |
EP0795524A1 (en) | A joined article, a process for producing said joined article, and a brazing agent for use in producing such a joined article | |
US3294661A (en) | Process of coating, using a liquid metal substrate holder | |
US6193803B1 (en) | Substrate holding apparatus for processing semiconductors | |
KR20040095697A (ko) | 증발 장치 | |
EP0785290A1 (en) | Lateral flash evaporator | |
US5493630A (en) | Pyrolytic boron nitride coated flash evaporator | |
JP2503775B2 (ja) | 半導体装置用基板 | |
JP2021031310A (ja) | セラミックス基板、回路基板及びその製造方法、並びにパワーモジュール | |
CN217536135U (zh) | 一种电子束蒸镀用坩埚及电子束蒸镀装置 | |
EP2902534A1 (en) | Metal coated crucible for sapphire single crystal growth | |
EP0846785A2 (en) | A method of metalizing ceramic members | |
US3337310A (en) | Composite titanium boride bars | |
JPH04125986A (ja) | 窒化アルミニウムメタライズ基板の製造方法 |