TW201318026A - 用於產生均勻電漿之具有陣列電漿源的電子束電漿源 - Google Patents

用於產生均勻電漿之具有陣列電漿源的電子束電漿源 Download PDF

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Abstract

電漿反應器具有電子束源腔室及電漿源陣列，該電漿反應器在工作件處理腔室中藉由電子束產生電漿，該電漿源陣列面向電子束源腔室用於影響在處理腔室之不同部分中的電漿電子密度。在另一實施例中，提供單獨地受控制的電子束源腔室陣列。

Description

用於產生均勻電漿之具有陣列電漿源的電子束電漿源
本發明之實施例大體而言係關於用於產生均勻電漿之具有陣列電漿源的電子束電漿源。
用於處理工作件之電漿反應器可使用電子束作為電漿源。此電漿反應器可展現歸因於電子束內的電子密度及/或動能的不均勻分佈之處理結果的不均勻分佈(例如，橫跨工作件表面之蝕刻速率的分佈)。此不均勻性可沿束傳播方向分佈且此不均勻性亦可在垂直於束傳播方向的方向上分佈。
用於處理工作件的電漿反應器包括工作件處理腔室，該工作件處理腔室具有處理腔室外殼及在該處理腔室中之工作件支撐基座，該處理腔室外殼包含頂板和側壁及在該側壁中之電子束開口，該工作件支撐基座具有工作件支撐表面，該工作件支撐表面面向該頂板並且該工作件支撐表面界定在該工作件支撐表面與該頂板之間的工作件處理區域，該電子束開口面向該工作件處理區域。電漿反應器進一步包含：電子束源腔室，該電子束源腔室包含電子束源腔室外殼，該電子束源腔室外殼朝向該工作件處理腔室之該電子束開口，以及電漿源陣列，該 電漿源陣列沿與該電子束開口相對的該電子束源腔室外殼之一部分分佈，該等電漿源之每一者包含電漿源功率供應及電漿源功率施加器，該電漿源功率施加器耦接至電漿源功率供應。控制器調節該等電漿源之每一者的各電漿源功率供應。
電漿源陣列沿與該工作件支撐表面之平面平行的方向分佈。
電漿源影響該電子束源腔室之各個部分中的電漿電子密度，該各個部分沿與該工作件支撐表面之平面平行的方向分佈。如請求項3所述之電漿反應器，其中該控制器調節沿該方向的電漿電子密度分佈。
第1A及1B圖係根據第一實施例分別為電漿反應器之俯視圖及側視圖，該電漿反應器具有使用影響電子束之均勻性的可配置電漿源陣列之電子束電漿源。反應器包括處理腔室100，該處理腔室100由圓柱形側壁102、底板104及頂板106封閉。工作件支撐基座108支撐工作件110(諸如半導體晶圓)，基座108在軸向(例如，垂直)方向上可移動。氣體分配板112與頂板106整合或安裝在頂板106上，並且該氣體分配板112接收來自處理氣體供應114之處理氣體。真空泵116經由底板104將腔室抽空。處理區域118係界定在工作件110與氣體分配板112之間。在處理區域118內，將處理氣體游離 以產生用於處理工作件110之電漿。
藉由來自電子束源120之電子束在處理腔室100之處理區域118中產生電漿。電子束源120包括電漿產生腔室122，該電漿產生腔室122在處理腔室100外部並具有導電外殼124。導電外殼124具有氣體入口或頸部125。電子束源氣體供應127耦接至氣體入口125。導電外殼124具有開口124a，該開口124a經由處理腔室100之側壁102中之開口102a面向處理區域118，電子束經由該開口102a進入處理腔室100。
電子束源120包括在開口124a與電漿產生腔室122之間的析取網格126，以及在析取網格126與處理區域118之間的加速網格128，此情況最佳可見於第1C圖之放大視圖中。舉例而言，析取網格126及加速網格128可形成為例如獨立的導電篩網。析取網格126及加速網格128分別安裝有絕緣體130、132，以使該析取網格126與該加速網格128彼此電絕緣並與導電外殼124電絕緣。然而，加速網格128與腔室100之側壁102電接觸。開口124a及102a與析取網格126及加速網格128一般係互相一致的，並界定電子束進入處理區域118中的薄寬流道。流道的寬度約為工作件110之直徑(例如，100 mm至500 mm)，而流道的高度小於約兩吋。
電子束源120進一步包括一對電磁體134-1及134-2，該對電磁體134-1及134-2與電子束源120對準並產生與電子束方向平行的磁場。電子束流經工作件110上的 處理區域118，並且該電子束在處理區域118之相對側上被束收集器136吸收。束收集器136係具有適於擷取寬薄電子束之形狀的導電體。
電漿直流放電電壓供應140之負端子耦接至導電外殼124，而電壓供應140之正端子連接至析取網格126。轉而，電子束加速電壓供應142之負端子連接至析取網格126，且正端子連接至處理腔室100之接地側壁102。在經由析取網格126自直流放電電漿析取的電子朝加速網格128行進時，該等電子藉由由電壓供應142提供之電位差(通常為約數千伏特)加速。在另一實例中，電壓供應142之負端子可耦接至導電外殼124，而並非耦接至析取網格126。在此情況下，電壓供應142不僅執行加速電子的工作，而且執行使直流放電持續的工作。在此情況下，電壓供應140僅執行有關由電子引起之小部分放電電流的工作，此舉不使放電電流通過開口且轟擊析取網格。線圈電流供應146耦接至電磁體134-1及134-2。在電子束源120之腔室122內藉由經由自電壓供應140之功率產生的直流氣體放電生成電漿，該電漿提供通常為約數百伏特的電壓。此直流氣體放電係電子束源120之主要電漿源。經由析取網格126自腔室122內的電漿析取電子，並且由於加速網格與析取網格之間的電壓差經由加速網格128而加速該等電子以產生流入處理腔室100的電子束。電漿離子密度及電漿電子密度在整個腔室122中的分佈影響電子束的均勻性。例如，參 看第1D圖，析取網格126包括框架126-1及界定開口126-3之陣列的間隔開的阻隔元件126-2之陣列。框架126-1界定狹孔126-4，該狹孔126-4的高度H為相對較小(例如，2-4 cm)且該狹孔126-4的寬度W(例如，約為工作件直徑，或為300 mm或以上)大體與基座108之工作件支撐平面平行，以產生相應的薄寬電子束。橫跨束之寬度的電子密度之分佈易於展現不均勻性。
儘管在電子束源120中之主要電漿源係藉由電壓供應140產生的直流氣體放電，但可替代地使用任一其他適合的電漿源作為主要電漿源。舉例而言，電子束源120之主要電漿源可為環形射頻電漿源、電容耦合的射頻電漿源，或感應耦合的射頻電漿源。
在所圖示的實施例中，電子束源120之主要電漿源係藉由直流放電電壓供應140在腔室122內維持之直流氣體放電。藉由沿與基座108之工作件支撐平面大體平行的方向分佈的電漿源陣列201、202、203及204強化此主要電漿源。控制器150調節每一電漿源201、202、203及204產生電漿離子及電子的速率，每一電漿源201、202、203、204經獨立地控制。電漿源201、202、203及204係使用各個射頻功率產生器215-1、215-2、215-3及215-4的射頻電漿源，且控制器150單獨地調節每一射頻產生器215-1、215-2、215-3及215-4的射頻功率位準。每一電漿源201、202、203及204面向腔室122之區域301、302、303及304。射頻產生器215-1、215-2、 215-3及215-4之每一者的輸出功率位準影響腔室122之相應區域301、302、303及304中的電漿離子密度及電漿電子密度。橫跨電子密度之電子束寬度的分佈反映沿電子束源腔室122內的區域301、302、303及304間的束寬度之電漿電子密度及電漿離子密度的分佈。控制器150可因此藉由改變射頻產生器215-1、215-2、215-3及215-4之射頻功率輸出位準的比例來調整橫跨電子束之寬度的電漿電子分佈。可回應於橫跨具有製程參數(例如，蝕刻深度)之測試工作件(在處理腔室100中被處理)的分佈之量測完成此類調整。可藉由增大彼等經歷較低電子密度的區域之射頻功率及/或降低彼等經歷較高電子密度的區域之射頻功率來改良或改正分佈中的不均勻性。
在所圖示的實施例中，每一電漿源201-204係環形射頻電漿源，該環形射頻電漿源由外凹角管210、圍繞凹角管210的具有導磁材料之環213、圍繞環213的導電線圈214，以及經由射頻阻抗匹配216耦接至線圈214的射頻產生器(例如，215-1、215-2、215-3、215-4)組成，該外凹角管210具有穿過腔室122之後壁124-1的一對埠211、212。
在第2A圖、第2B圖、第2C圖之實施例中，電子束源120之每一電漿源201、202、203及204係電容耦合的射頻電漿源。在此實施例中，導電殼體124由藉由開口124a及藉由絕緣體405分離的上殼體400及下殼體 402組成。絕緣體412覆蓋上殼體400。電漿源201、202、203及204包括分別覆蓋絕緣體412的獨立電極410-1、410-2、410-3及410-4。射頻產生器215-1、215-2、215-3及215-4之各個多者經由個別的阻抗匹配216-1、216-2、216-3及216-4耦合至電極410-1、410-2、410-3及410-4的各個多者。絕緣體413位於下殼體402的下方。共用迴路(射頻接地)電極411位於絕緣體413的下方。參照地面的第一直流電壓供應420連接至上殼體400及下殼體402。直流電壓供應420的負端子係經由扼流圈電感器423連接至上殼體400，並且該直流電壓供應420的該負端子係經由扼流圈電感器422連接至下殼體402。扼流圈電感器422及423使每一射頻產生器215-1、215-2、215-3及215-4能夠維持在各個電極410-1、410-2、410-3及410-4與下殼體402之間的射頻電壓差。考慮絕緣體412及413作為阻隔電容器，連接射頻電壓及直流電壓兩者至相同點(上殼體400及下殼體402)的上述方案類似於熟知的「偏壓三通管」配置。第一直流電壓供應420可提供大範圍內的電壓(例如，2 KV至3 KV的電壓)。此電壓將決定電子在通過析取網格126與接地加速網格128之間的間隙時將獲得的能量。在另一實例中(未圖示於第2A圖中)，高電壓直流電源420之負端子可經由扼流圈電感器連接至析取網格126，而非上殼體400及下殼體402。第二直流電壓供應430連接在第一直流電壓供應420之負端子與析取網格126之 間，第二直流電壓供應430之正端子係經由扼流圈電感器424連接至析取網格126，且第一直流電壓供應420及第二直流電壓供應430之負端子係連接在一起。第二直流電壓供應430可提供較小範圍內的電壓(例如，0伏特至300伏特的電壓)。在一個實例中，此電壓可能為小的且不足以自主產生並持續直流放電。在此情況下，直流放電並非用於電子束源120的主要電漿源。在此實例中，電漿主要藉由電容耦合的射頻源產生，且主要提供來自電壓供應430的直流電壓以消除析取網格之放電側的電子排斥護套，且因此確保電子可經由析取網格離開電子束放電腔室。
在第3A及3B圖之實施例中，電子束源120之電漿源201、202、203及204之陣列的每一者係感應耦合的射頻電漿源，該每一電漿源包括安裝在介電窗512上的線圈天線510及射頻產生器215-1、215-2、215-3及215-4之各個一者，該介電窗512形成在腔室122之後壁124-1上，該等射頻產生器215-1、215-2、215-3及215-4之各個一者經由射頻阻抗匹配216之各個一者耦合至線圈天線510。
在上述實施例之每一者中，電子束源120具有延伸橫跨電漿束之整個寬度的單一電漿源腔室122，該電漿束之整個寬度對應於處理腔室100之處理區域118的寬度。在第4圖之實施例中，電子束源120具備電漿源601、602、603及604之陣列，該等電漿源組成橫跨電 子束之寬度分佈之獨立的較小腔室。電漿源601、602、603及604之每一者具有藉由絕緣體623彼此絕緣的各個腔室622-1、622-2、622-3及622-4。直流放電電壓供應642-1、642-2、642-3及642-4連接在各個腔室622-1、622-2、622-3及622-4之壁與各個析取網格626-1、626-2、626-3及626-4之間。電壓V1、V2、V3及V4係獨立地藉由控制器150控制，使得每一腔室可具備不同的氣體放電電壓，以產生不同的電子密度。腔室622-1、622-2、622-3及622-4經由各個析取網格626-1、626-2、626-3及626-4與各個加速網格628-1、628-2、628-3及628-4朝向處理腔室100。加速電壓供應646經由各個可變電阻器630-1、630-2、630-3及630-4耦接至析取網格626-1、626-2、626-3及626-4，並且該加速電壓供應646參照地面。可變電阻器630-1、630-2、630-3及630-4係獨立地藉由控制器150控制，使得可以不同的加速電壓提供每一析取網格，以加速束電子至不同的能量。
四個電漿源601、602、603及604面向處理腔室100之各個區域501、502、503及504並影響彼等區域內的電子(及離子)密度。四個電漿源可提供不同量的電漿至不同的區域501、502、503及504。提供至電子束電漿源601、602、603及604的不同直流放電電壓影響處理腔室100之相應區域501、502、503及504中的電漿離子密度及電漿電子密度。橫跨組合電子束寬度(來自 所有4個源)的電子密度分佈反映沿處理腔室100內的區域501、502、503及504間的束寬度之電漿電子密度及電漿離子密度分佈。控制器150因此可藉由調整放電電壓供應642-1、642-2、642-3及642-4來調整橫跨電子束寬度的電漿密度分佈，以提供不同的直流氣體放電電壓至不同的腔室622-1、622-2、622-3及622-4。可回應於橫跨製程參數(例如，蝕刻深度)之測試工作件(在處理腔室100中被處理)上的分佈之量測進行此類調整。
除在不同的區域501、502、503及504中提供不同密度之束電子外，電漿源601、602、603及604亦可在不同區域中提供不同能量的束電子。藉由控制器150調整可變電阻器630-1、630-2、630-3及630-4來進行此舉。可進行此舉以補償在腔室100中之電漿密度分佈中的不均勻性。可藉由量測關於測試工作件的處理結果來偵測此不均勻性。儘管不同電漿源601-604之電子能級描繪成由來自共享加速電壓供應646的不同可變電阻器630-1、630-2、630-3、630-4控制，但在一個修改中，可藉由提供由控制器150控制的獨立加速電壓供應(未圖示)而非獨立可變電阻器來實現相同的控制。
雖然上文係關於本發明之實施例，但在不偏離本發明之基本範疇的情況下可設計出本發明之其他及進一步實施例，且本發明之範疇由以下申請專利範圍決定。
100‧‧‧處理腔室
102‧‧‧圓柱形側壁
102a‧‧‧開口
104‧‧‧底板
106‧‧‧頂板
108‧‧‧基座
110‧‧‧工作件
112‧‧‧氣體分配板
114‧‧‧處理氣體供應
116‧‧‧真空泵
118‧‧‧處理區域
120‧‧‧電子束源
122‧‧‧腔室
124‧‧‧導電外殼
124-1‧‧‧後壁
124a‧‧‧開口
125‧‧‧氣體入口或頸部
126‧‧‧析取網格
126-1‧‧‧框架
126-2‧‧‧阻隔元件
126-3‧‧‧開口
126-4‧‧‧狹孔
127‧‧‧電子束源氣體供應
128‧‧‧加速網格
130‧‧‧絕緣體
132‧‧‧絕緣體
134-1‧‧‧電磁體
134-2‧‧‧電磁體
136‧‧‧束收集器
140‧‧‧電壓供應
142‧‧‧電壓供應
146‧‧‧線圈電流供應
150‧‧‧控制器
201‧‧‧電漿源
202‧‧‧電漿源
203‧‧‧電漿源
204‧‧‧電漿源
210‧‧‧凹角管
211‧‧‧埠
212‧‧‧埠
213‧‧‧環
214‧‧‧導電線圈
215-1‧‧‧射頻產生器
215-2‧‧‧射頻產生器
215-3‧‧‧射頻產生器
215-4‧‧‧射頻產生器
216‧‧‧射頻阻抗匹配
216-1‧‧‧阻抗匹配
216-2‧‧‧阻抗匹配
216-3‧‧‧阻抗匹配
216-4‧‧‧阻抗匹配
301‧‧‧區域
302‧‧‧區域
303‧‧‧區域
304‧‧‧區域
400‧‧‧上殼體
402‧‧‧下殼體
405‧‧‧絕緣體
410-1‧‧‧電極
410-2‧‧‧電極
410-3‧‧‧電極
410-4‧‧‧電極
411‧‧‧電極
412‧‧‧絕緣體
413‧‧‧絕緣體
420‧‧‧第一直流電壓供應
422‧‧‧扼流圈電感器
423‧‧‧扼流圈電感器
424‧‧‧扼流圈電感器
430‧‧‧第二直流電壓供應
501‧‧‧區域
502‧‧‧區域
503‧‧‧區域
504‧‧‧區域
510‧‧‧環形天線
512‧‧‧介電窗
601‧‧‧電漿源
602‧‧‧電漿源
603‧‧‧電漿源
604‧‧‧電漿源
622-1‧‧‧腔室
622-2‧‧‧腔室
622-3‧‧‧腔室
622-4‧‧‧腔室
623‧‧‧絕緣體
626-1‧‧‧析取網格
626-2‧‧‧析取網格
626-3‧‧‧析取網格
626-4‧‧‧析取網格
628-1‧‧‧加速網格
628-2‧‧‧加速網格
628-3‧‧‧加速網格
628-4‧‧‧加速網格
630-1‧‧‧可變電阻器
630-2‧‧‧可變電阻器
630-3‧‧‧可變電阻器
630-4‧‧‧可變電阻器
642-1‧‧‧放電電壓供應
642-2‧‧‧放電電壓供應
642-3‧‧‧放電電壓供應
642-4‧‧‧放電電壓供應
646‧‧‧加速電壓供應
為了獲得且可詳細理解本發明之示範性實施例的方式，可參照圖示於附圖中的本發明之實施例來理解上文簡要概述的本發明之更特定描述。應理解，本文未論述某些熟知製程以免混淆本發明。
第1A及第1B圖係根據第一實施例分別為在工作件處理腔室中使用電子束產生電漿之電漿反應器，以及包括環形電漿源陣列之電子束源的俯視圖及側視圖。
第1C圖係第1B圖之一部分的放大視圖。
第1D圖係第1C圖之沿線1D-1D獲取的剖視圖。
第2A圖、第2B圖及第2C圖係根據第二實施例分別為在工作件處理腔室中使用電子束產生電漿之電漿反應器，以及包括電容耦合的電漿源陣列之電子束源的側視圖、頂視圖及端視圖。
第3A圖及第3B圖係根據第三實施例分別為在工作件處理腔室中使用電子束產生電漿之電漿反應器，以及包括感應耦合的電漿源陣列之電子束源的側視圖及端視圖。
第4圖係根據第四實施例在工作件處理腔室中使用電子束產生電漿之電漿反應器，以及包括獨立的電子束源腔室陣列之電子束源的頂視圖。
為了促進理解，在可能的情況下已使用相同的元件符號指定諸圖所共用之相同元件。可以預期，一個實施例之元件及特徵結構可有利地併入其他實施例而無需進一步詳述。然而，應注意的是，附圖僅圖示本發明之示範 性實施例並因此不將附圖視為限制本發明之範疇，因為本發明可允許其他等效實施例。
100‧‧‧處理腔室
102‧‧‧圓柱形側壁
104‧‧‧底板
106‧‧‧頂板
108‧‧‧基座
110‧‧‧工作件
112‧‧‧氣體分配板
114‧‧‧處理氣體供應
116‧‧‧真空泵
118‧‧‧處理區域
120‧‧‧電子束源
122‧‧‧腔室
127‧‧‧電子束源氣體供應
134-1‧‧‧電磁體
134-2‧‧‧電磁體
136‧‧‧束收集器
140‧‧‧電壓供應
142‧‧‧電壓供應
146‧‧‧線圈電流供應
215-1‧‧‧射頻產生器
215-2‧‧‧射頻產生器
215-3‧‧‧射頻產生器
215-4‧‧‧射頻產生器

Claims (25)

  1. 一種用於處理一工作件之電漿反應器，包含：一工作件處理腔室，該工作件處理腔室具有一處理腔室外殼及在該處理腔室中之一工作件支撐基座，該處理腔室外殼包含一頂板和一側壁及在該側壁中之一電子束開口，該工作件支撐基座具有一工作件支撐表面，該工作件支撐表面面向該頂板並且該工作件支撐表面界定在該工作件支撐表面與該頂板之間的一工作件處理區域，該電子束開口面向該工作件處理區域；一電子束源腔室，該電子束源腔室包含一電子束源腔室外殼，該電子束源腔室外殼朝向該工作件處理腔室之該電子束開口；一電漿源陣列，該電漿源陣列沿與該電子束開口相對之該電子束源腔室外殼的一部分分佈，該等電漿源之每一者包含一電漿源功率供應及一電漿源功率施加器，該電漿源功率施加器耦接至該電漿源功率供應；及一控制器，該控制器調節該等電漿源之每一者之各電漿源功率供應。
  2. 如請求項1所述之電漿反應器，其中該電漿源陣列沿與該工作件支撐表面之一平面平行的一方向分佈。
  3. 如請求項2所述之電漿反應器，其中該等電漿源影響該 電子束源腔室之各個部分中的電漿電子密度，該各個部分沿與該工作件支撐表面之一平面平行的一方向分佈。
  4. 如請求項3所述之電漿反應器，其中該控制器調節沿該方向的電漿電子分佈。
  5. 如請求項1所述之電漿反應器，其中該電子束開口具有一寬度及一高度，該寬度及該高度對應於該工作件處理區域之一寬度及高度。
  6. 如請求項1所述之電漿反應器，該電漿反應器進一步包含：一電子束電漿源功率供應，該電子束電漿源功率供應經耦接以在該電子束源腔室中提供電漿源功率。
  7. 如請求項6所述之電漿反應器，其中該電子束電漿源供應包含一直流氣體放電電壓源，該直流氣體放電電壓源連接至該電子束源腔室外殼。
  8. 如請求項6所述之電漿反應器，該電漿反應器進一步包含：一導電析取網格，該導電析取網格橫穿該電子束開口；一導電加速網格，該導電加速網格橫穿在該導電析取網格與該工作件處理區域之間的該電子束開口； 一加速電壓供應，該加速電壓供應連接在該導電析取網格與該導電加速網格之間。
  9. 如請求項8所述之電漿反應器，其中該導電加速網格係電連接至該處理腔室外殼。
  10. 如請求項1所述之電漿反應器，其中：該等電漿源包含面向該電子束源腔室之各個區域的各個射頻環形電漿源；該等電漿源之每一者的該電漿源功率施加器包含：(a)一外凹角管，該外凹角管橫越該等區域之一各個一者並在該外凹角管之各個末端處與該電子束源腔室之內部連通；(b)一導磁環，該導磁環圍繞該外凹角管；(c)一導電線圈，該導電線圈圍繞該導磁環並耦接至該相應電漿源功率供應。
  11. 如請求項10所述之電漿反應器，其中每一電漿源功率供應包含一射頻產生器及一射頻阻抗匹配，該射頻產生器係經由該射頻阻抗匹配耦接至該導電線圈。
  12. 如請求項1所述之電漿反應器，其中：該等電漿源包含面向該電子束源腔室之各個區域的各個射頻電容耦合電漿源； 該等電漿源之每一者的該電漿源功率施加器包含：(a)一絕緣電極，該絕緣電極鄰近該電子束源腔室外殼並面向該等區域之一各個一者；(b)其中該絕緣電極耦接至該相應電漿源功率供應。
  13. 如請求項12所述之電漿反應器，其中該電漿源功率供應係一射頻產生器及一射頻阻抗匹配，該射頻產生器係經由該射頻阻抗匹配耦接至該絕緣電極。
  14. 如請求項1所述之電漿反應器，其中：該等電漿源包含面向該電子束源腔室之各個區域的各個射頻感應耦合電漿源；該等電漿源之每一者的該電漿源功率施加器包含：(a)一導電線圈，該導電線圈鄰近該電子束源腔室外殼並面向該等區域之一各個一者；(b)其中該絕緣電極耦接至該相應電漿源功率供應。
  15. 如請求項14所述之電漿反應器，該電漿反應器進一步包含在該電子束源腔室外殼中之各個介電窗，該等各個介電窗位於該等電漿源之該各個一者的該導電線圈下方。
  16. 如請求項14所述之電漿反應器，其中該電漿源功率供應係一射頻產生器及一射頻阻抗匹配，該射頻產生器係 經由該射頻阻抗匹配耦接至該絕緣電極。
  17. 一種用於處理一工作件之電漿反應器，該電漿反應器包含：一工作件處理腔室，該工作件處理腔室具有一處理腔室外殼及在該處理腔室中之一工作件支撐基座，該處理腔室外殼包含一頂板及一側壁，該工作件支撐基座具有一工作件支撐表面，該工作件支撐表面面向該頂板並且該工作件支撐表面界定在該工作件支撐表面與該頂板之間的一工作件處理區域；一電子束源腔室陣列，該等電子束源腔室之每一者包含一各個電子束源腔室外殼，該各個電子束源腔室外殼具有面向該處理腔室之一開口，該處理腔室外殼係朝向該各個電子束源腔室，每一各個電子束源腔室面向該工作件處理區域之一各個區段；各個電漿源功率供應，該等各個電漿源功率供應耦接至該等電子束源腔室之各個多者；及一控制器，該控制器調節該等各個電漿源功率供應。
  18. 如請求項17所述之電漿反應器，其中該電子束源腔室陣列沿與該工作件支撐表面之一平面平行的一方向分佈。
  19. 如請求項17所述之電漿反應器，其中該等電子束源腔 室之各個多者影響在該處理區域之該各個區段中的電漿電子密度，該各個區段沿與該工作件支撐表面之一平面平行的一方向分佈。
  20. 如請求項18所述之電漿反應器，其中該控制器調節沿該方向的電漿電子分佈。
  21. 如請求項17所述之電漿反應器，其中該等各個電漿源功率供應包含直流放電電壓供應。
  22. 如請求項21所述之電漿反應器，其中該等直流放電電壓供應包含一共享電壓供應及各個可變電阻器，該等各個可變電阻器連接在該共享電壓供應與該等電子束源腔室之各個多者之間。
  23. 如請求項17所述之電漿反應器，其中該等電子束源腔室之每一者進一步包含：一導電析取網格，該導電析取網格橫穿該開口；一導電加速網格，該導電加速網格橫穿在該導電析取網格與該工作件處理區域之間的該開口；一加速電壓供應，該加速電壓供應連接在該導電析取網格與該導電加速網格之間，其中該控制器調節該等各個電子束源腔室之每一者的該加速電壓供應。
  24. 如請求項23所述之電漿反應器，其中該導電加速網格係電連接至該處理腔室外殼。
  25. 如請求項23所述之電漿反應器，其中該控制器影響在與該工作件支撐表面之一平面平行的一方向上之電漿電子能量分佈。
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