KR20100121990A - 플라즈마 도핑장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명에 따른 플라즈마 도핑장치는, 챔버의 내부공간에 플라즈마를 발생시키기 위하여 윈도우에 인접하도록 설치되어 고주파전력이 인가되는 안테나가 제1도체패턴과, 제1도체패턴의 내측에 배치되는 제2도체패턴을 포함하여 구성됨으로써, 플라즈마의 균일도를 향상시킬 수 있으며, 이에 따라 플라즈마 도핑공정을 개선할 수 있는 효과가 있다.
플라즈마, 도핑, 기판, 이온, 주입

Description

플라즈마 도핑장치 {APPARATUS FOR PLASMA DOPING}
본 발명은 반도체 기판 내로 이온을 주입하기 위한 플라즈마 도핑장치에 관한 것이다.
반도체 제품을 제조하는 공정에서 반도체 기판에 불순물을 도입하는 공정은 재료의 전기전도도에 영향을 주어 전기적인 특성을 변화시키기 위한 공정으로 반도체 제품의 제조공정에서의 중요한 공정 중 하나이다. 플라즈마 도핑장치는 불순물을 이온의 상태로 만든 후에 이를 가속시켜 기판에 물리적으로 주입하기 위한 장치이다.
플라즈마 도핑장치에서, 기판이 음극으로 작용하는 기판전극에 탑재되면, 요구되는 도펀트(dopant)물질을 포함하는 이온화 가능한 가스가 챔버의 내부로 유입되고, 고전압 펄스가 기판전극과 양극 또는 챔버 벽 사이에 인가되면 기판 부근에 플라즈마가 형성되며, 적용된 전압에 의하여 플라즈마 내의 이온이 기판 내로 주입된다.
이와 같은 도핑공정에서 가장 중요한 공정인자 중의 하나는 챔버의 내부에 형성되는 플라즈마의 균일도이다. 즉, 플라즈마의 형성상태 및 밀도는 기판에 주입 되는 이온량 및 주입시간을 결정하는 중요한 인자가 된다. 종래의 경우에는 이와 같은 플라즈마의 균일도를 향상시키기 위하여 챔버의 내부로 안테나의 형상을 변경하는 등의 방법이 적용되고 있으나, 이와 같은 구성은 플라즈마의 균일도를 향상시키는 데에 한계가 있다는 문제점이 있다.
본 발명은 상기한 종래기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 본 발명의 목적은, 챔버의 내부공간에 플라즈마를 발생시키기 위하여 윈도우에 인접하도록 설치되어 고주파전력이 인가되는 안테나를 복수의 도체패턴으로 구성함으로써, 플라즈마의 균일도를 향상시킬 수 있으며, 이에 따라 플라즈마 도핑공정을 개선할 수 있는 플라즈마 도핑장치를 제공하는 데에 있다.
상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 플라즈마 도핑장치는, 챔버의 내부에 배치되어 기판이 안착되는 기판전극과, 기판전극에 고전압펄스를 공급하기 위한 고전압공급부와, 챔버의 내부공간에 플라즈마를 발생시키도록 기판전극에 대향하는 쪽에 설치되는 윈도우와 윈도우에 인접하도록 설치되는 안테나와 안테나에 고주파전력을 인가하기 위한 고주파전원을 포함하여 구성되는 플라즈마발생부를 포함하고, 안테나는, 제1도체패턴과, 제1도체패턴의 내측에 배치되는 제2도체패턴을 포함하여 구성될 수 있다.
여기에서, 제1도체패턴은 중공의 형상으로 형성되고, 제2도체패턴은 제1도체패턴의 내부공간에 배치될 수 있다.
또한, 제1도체패턴과 제2도체패턴은 그 수직방향으로의 위치가 서로 다르게 배치될 수 있다.
또한, 제1도체패턴과 제2도체패턴에 인가되는 전류의 크기는 서로 다를 수 있다.
본 발명에 따른 플라즈마 도핑장치는, 챔버의 내부공간에 플라즈마를 발생시키기 위하여 윈도우에 인접하도록 설치되어 고주파전력이 인가되는 안테나가 제1도체패턴과, 제1도체패턴의 내측에 배치되는 제2도체패턴을 포함하여 구성됨으로써, 플라즈마의 균일도를 향상시킬 수 있으며, 이에 따라 플라즈마 도핑공정을 개선할 수 있는 효과가 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 플라즈마 도핑장치의 바람직한 실시예에 대하여 설명한다.
도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 플라즈마 도핑장치는, 내부가 진공상태로 형성될 수 있는 챔버(100)와, 챔버(100)의 내부에 배치되어 기판(S)이 안착되는 기판전극(200)과, 기판전극(200)에 고전압펄스를 공급하기 위한 고전압공급부(300)와, 챔버(100)의 일측에 배치되어 챔버(100)의 내부로 도펀트(dopant) 물질을 포함하는 이온화 가능한 가스를 공급하는 가스공급부(500)와, 챔버(100)의 내부공간에 플라즈마를 발생시키는 플라즈마발생부(600)를 포함하여 구성될 수 있다. 한편, 기판전극(200)에 설치되어 기판(S)을 척킹하기 위한 정전척이 구비될 수 있다.
기판전극(200)은 도전층과 절연층으로 이루어질 수 있으며, 도전층으로는 전기전도성 플레이트가 될 수 있고, 절연층으로는 세라믹 플레이트가 될 수 있다. 기 판전극(200)에는 고전압공급부(300)로부터 영의 값(Vo)과 음의 값(-V)이 일정한 진폭을 가지면서 왕복하는 고전압펄스가 인가된다. 기판전극(200)은 기판(S)의 너비보다 크게 제작하여 기판(S)의 균일한 도핑을 도모하는 것이 바람직하다.
고전압공급부(300)는 고압전원(310)과, 기판전극(200)과 고압전원(310) 사이에 배치되고 기판전극(200)에 음의 극성을 가지는 고전압펄스를 인가하도록 고압전원(310)으로부터 공급된 전압을 고전압펄스로 변환하는 펄서(320)를 포함하여 구성될 수 있다.
플라즈마발생부(600)는, 챔버(100)의 내부의 기판전극(200)에 대향하는 쪽에 설치되는 윈도우(610)와, 윈도우(610)에 인접되도록 설치되는 안테나(620)와, 안테나(620)에 고주파전력을 인가하기 위한 고주파전원(630)을 포함하여 구성될 수 있다.
여기에서, 윈도우(610)는 유전체로 이루어질 수 있으며, 챔버(100)의 내부공간의 상측벽으로서의 역할을 할 수 있다. 윈도우(610)는 안테나(620)의 주변에서 발생되는 전기장 및 자기장을 기판(S) 쪽으로 이동시켜 플라즈마의 고밀도화를 촉진시키는 역할을 수행한다.
안테나(620)는 윈도우(610)에 펄스 RF전력을 인가하는 역할을 한다. 그리고, 고주파전원(630)은 펄스 RF전력을 안테나(620)로 공급하는 역할을 수행한다. 이에 따라, 안테나(620)에 고주파전원(630)으로부터 고주파전력이 인가되면, 챔버(100)의 내부공간에는 유도결합형 플라즈마가 발생되어 기판전극(200)상의 기판(S)에 플라즈마 도핑처리가 수행될 수 있다. 한편, 안테나(620)와 고주파전원(630)의 사이 에는, 안테나(620)와 고주파전원(630)을 매칭시켜주는 매칭부(640)가 마련되는 것이 바람직하다.
도 2에 도시된 바와 같이, 안테나(620)는 외측에 배치되는 제1도체패턴(621)과, 제1도체패턴(621)의 내부에 배치되는 제2도체패턴(622)를 포함하여 구성될 수 있다. 제1도체패턴(621)은 중공의 링형상으로 형성될 수 있으며, 제2도체패턴(622)은 링형상으로 형성되어 제1도체패턴(621)의 내부에 배치될 수 있다. 제1도체패턴(621) 및 제2도체패턴(622)은 각각 복수로 절곡된 도선이 폐루프를 이루는 형상으로 형성될 수 있다. 여기에서, 제1도체패턴(621) 및 제2도체패턴(622)의 절곡된 도선의 두께, 절곡된 도선 사이의 간격 및 절곡되는 각도를 조절하여 플라즈마의 확산정도 및 균일도를 조절할 수 있다.
한편, 챔버(100)의 내부공간에 형성되는 플라즈마의 확산정도 및 균일도를 조절하기 위하여, 제1도체패턴(621)과 제2도체패턴(622)의 수직방향으로의 위치가 서로 다르게 배치될 수 있다.
제1도체패턴(621)과 제2도체패턴(622)은 각각 중앙에 형성되는 연결부에 의하여 서로 연결될 수 있으며, 연결부는 매칭부(640)를 통하여 고주파전원(630)과 연결될 수 있다.
한편, 챔버(100)의 내부에 형성되는 플라즈마의 확산정도 및 균일도를 정밀하게 조절할 수 있도록 제1도체패턴(621)과 제2도체패턴(622)으로 인가되는 전류의 크기를 서로 다르게 조절할 수 있다. 여기에서, 제1도체패턴(621)에는 제2도체패턴(622)에 비하여 큰 전류가 인가될 수 있는데, 이에 따라, 안테나(620)의 외곽을 이루는 제1도체패턴(621)에 인가되는 전류에 의하여 유도결합플라즈마의 전체적인 형상이 형성되며, 안테나(620)의 중심을 이루는 제2도체패턴(622)에 인가되는 전류에 의하여 플라즈마의 중심부의 형상이 세부적으로 조절될 수 있다. 제1도체패턴(621)과 제2도체패턴(622)으로 서로 다른 크기의 전류를 인가하기 위하여 매칭부(640)는 고주파전원(630)과 제1도체패턴(621) 또는 제2도체패턴(622)을 각각 연결하도록 구성되어, 고주파전원(630)으로부터 인가되는 전류의 크기를 조절하여 제1도체패턴(621) 및 제2도체패턴(622)로 인가할 수 있다.
이와 같이, 제1도체패턴(621) 및 제2도체패턴(622)에 서로 다른 크기의 전류를 인가하기 위하여 제1도체패턴(621) 및 제2도체패턴(622)를 고주파전원(630)과 직접 전기적으로 연결한 후 제1도체패턴(621) 및 제2도체패턴(622)에 인가되는 전류의 크기를 조절하는 구성이 적용될 수 있으나, 본 발명은 이에 한정되지 아니하며, 제1도체패턴(621)에만 고주파전원(630)을 전기적으로 연결하되 제2도체패턴(622)에는 고주파전원(630)을 전기적으로 연결하지 않고, 제2도체패턴(622)을 제1도체패턴(621)으로부터 소정의 간격으로 에어갭을 두거나, 제1도체패턴(621)과 제2도체패턴(622)의 사이에 전기전도성 부재를 개재시키는 구성이 적용될 수 있다. 이와 같은 경우, 제1도체패턴(621)에 인가되는 전류는 제1도체패턴(621) 및 제2도체패턴(622) 사이의 에어갭이나 전기전도성 부재를 통하여 제2도체패턴(622)으로 전달될 수 있으며, 이와 같이 제2도체패턴(622)으로 인가되는 전류의 크기는 제1도체패턴(621)으로 인가되는 전류의 크기에 비하여 작아지게 된다.
한편, 본 발명은, 상기한 바와 같이, 제1도체패턴(621)에 제2도체패턴(622) 에 인가되는 전류의 크기에 비하여 큰 전류를 인가하는 구성에 한정되지 아니하며, 기판(S)의 도핑공정에 따라, 제1도체패턴(621)에 인가되는 전류에 비하여 큰 전류가 제2도체패턴(622)으로 인가될 수 있으며, 제1도체패턴(621) 및 제2도체패턴(622)에 동일한 크기를 가지는 전류가 인가될 수 있다.
이하, 상기한 바와 같이 구성되는 본 발명에 따른 플라즈마 도핑장치의 동작에 대하여 설명한다.
먼저, 챔버(100)의 내부로 기판(S)이 유입되어 기판(S)이 기판전극(200)상에 안착되면, 챔버(100)의 내부공간이 진공의 상태로 유지되는 것과 함께 가스공급부(500)로부터 도펀트물질을 포함하는 이온화 가능한 가스가 챔버(100)의 내부공간으로 유입된다.
그리고, 플라즈마발생부(600)의 고주파전원(630)으로부터 안테나(620)로 플라즈마 생성용 고주파전력이 인가되면, 안테나(620)에 의해 유도자기장이 형성된다. 이러한 유도자기장은 챔버(100)의 내부공간에 전기장을 형성시키게 되며, 이러한 유도전기장은 공급된 가스를 이온화시켜 플라즈마를 생성시킨다. 이때, 윈도우(610)는 안테나(620)의 주변에서 발생되는 전기장 및 자기장을 기판(S) 쪽으로 이동시켜 플라즈마의 고밀도화 및 균일화를 촉진시킨다.
그리고, 고전압공급부(300)의 고압전원(310)으로부터 기판전극(200)으로 음의 펄스를 갖는 고주파전압이 인가된다. 따라서, 플라즈마로부터 이온빔이 기판(S)을 향하여 방출되며, 이와 같은 과정을 통하여 기판(S)의 내부로 이온이 주입된다.
이때, 제1도체패턴(621) 및 제2도체패턴(622)이 함께 구비되는 구성이 적용 되는 안테나(620)에 의하여 형성되는 유도자기장은 하나의 도체패턴만을 가지는 안테나에 의하여 형성되는 유도자기장에 비하여 챔버의 내부에서 균일한 양상을 가지게 된다. 따라서, 도 3 및 도 4에서 비교 도시한 바와 같이, 하나의 도체패턴만을 가지는 안테나에 의하여 형성되는 유도자기장에 의한 유도결합플라즈마(P)는 챔버(100)의 수직방향으로의 폭이 크지만, 본 발명과 같이 두 개의 도체패턴(621)(622)을 가지는 안테나(620)에 의하여 형성되는 유도자기장에 의한 유도결합플라즈마(P)는 챔버(100)의 수직방향으로의 폭이 작으며, 챔버(100)의 폭방향으로도 균일한 분포를 가지게 된다.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 따른 플라즈마 도핑장치는, 고주파전력이 인가되어 유도자기장을 발생시켜 챔버(100)의 내부에 플라즈마를 형성시키는 안테나(620)가 복수의 도체패턴이 함께 배치된 구성을 가지므로, 균일한 유도자기장을 형성할 수 있고, 이에 따라, 균일도 또는 밀도 등의 플라즈마의 특성을 향상시킬 수 있다.
본 발명의 실시예에서 설명한 기술적 사상들은 각각 독립적으로 실시될 수 있으며, 서로 조합되어 실시될 수 있다. 또한, 본 발명은 도면 및 발명의 상세한 설명에 기재된 실시예를 통하여 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다. 따라서, 본 발명의 기술적 보호범위는 첨부된 특허청구범위에 의해 정해져야 할 것이다.
도 1은 본 발명에 따른 플라즈마 도핑장치가 도시된 개략도이다.
도 2는 도 1의 플라즈마 도핑장치가 일부 절개되어 도시된 사시도이다.
도 3 및 도 4는 플라즈마 도핑장치의 플라즈마발생부의 안테나로 하나의 도체패턴을 가지는 안테나가 적용된 경우에서의 플라즈마 균일도와, 두 개의 도체패턴을 가지는 안테나가 적용되는 경우에서의 플라즈마 균일도를 비교하여 도시한 개략도이다.
*** 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 ***
100: 챔버 200: 기판전극
300: 고전압공급부 310: 고압전원
320: 펄서 500: 가스공급부
600: 플라즈마발생부 610: 윈도우
620: 안테나 630: 고주파전원
621: 제1도체패턴 622: 제2도체패턴

Claims (4)

  1. 챔버의 내부에 배치되어 기판이 안착되는 기판전극;
    상기 기판전극에 고전압펄스를 공급하기 위한 고전압공급부; 및
    상기 챔버의 내부공간에 플라즈마를 발생시키도록, 상기 기판전극에 대향하는 쪽에 설치되는 윈도우와, 상기 윈도우에 인접하도록 설치되는 안테나와, 상기 안테나에 고주파전력을 인가하기 위한 고주파전원을 포함하여 구성되는 플라즈마발생부를 포함하고,
    상기 안테나는, 제1도체패턴과, 상기 제1도체패턴의 내측에 배치되는 제2도체패턴을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 도핑장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1도체패턴은 중공의 형상으로 형성되고, 상기 제2도체패턴은 상기 제1도체패턴의 내부에 배치되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 도핑장치.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 제1도체패턴과 상기 제2도체패턴은 그 수직방향으로의 위치가 서로 다르게 배치되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 도핑장치.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 제1도체패턴과 상기 제2도체패턴으로 인가되는 전류의 크기는 서로 다른 것을 특징으로 하는 플라즈마 도핑장치.
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