TW201316139A - 微影裝置及冷卻微影裝置中元件之方法 - Google Patents

微影裝置及冷卻微影裝置中元件之方法 Download PDF

Info

Publication number
TW201316139A
TW201316139A TW101133530A TW101133530A TW201316139A TW 201316139 A TW201316139 A TW 201316139A TW 101133530 A TW101133530 A TW 101133530A TW 101133530 A TW101133530 A TW 101133530A TW 201316139 A TW201316139 A TW 201316139A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
gas
flow
lithography apparatus
cooling
component
Prior art date
Application number
TW101133530A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI497230B (zh
Inventor
Boxtel Frank Johannes Jacobus Van
Der Net Antonius Johannus Van
Den Heuvel Leonarda Hendrika Van
Original Assignee
Asml Netherlands Bv
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Asml Netherlands Bv filed Critical Asml Netherlands Bv
Publication of TW201316139A publication Critical patent/TW201316139A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI497230B publication Critical patent/TWI497230B/zh

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
    • G03F7/70866—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of mask or workpiece
    • G03F7/70875—Temperature, e.g. temperature control of masks or workpieces via control of stage temperature
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
    • G03F7/70883—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of optical system
    • G03F7/70891—Temperature
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70991—Connection with other apparatus, e.g. multiple exposure stations, particular arrangement of exposure apparatus and pre-exposure and/or post-exposure apparatus; Shared apparatus, e.g. having shared radiation source, shared mask or workpiece stage, shared base-plate; Utilities, e.g. cable, pipe or wireless arrangements for data, power, fluids or vacuum

Abstract

一種微影裝置，其包括一元件及一局域冷卻器，該局域冷卻器用以將一局域冷卻負荷施加至該元件。該局域冷卻器具有一氣體通路，該氣體通路包括在該元件上游之一流動限定件且經組態以引導射出該流動限定件之一氣流以冷卻該元件之一表面。

Description

微影裝置及冷卻微影裝置中元件之方法
本發明係關於一種微影裝置及一種冷卻微影裝置中元件之方法。
微影裝置為將所要圖案施加至基板上(通常施加至基板之目標部分上)之機器。微影裝置可用於(例如)積體電路(IC)製造中。在彼情況下，圖案化器件(其或者被稱作光罩或比例光罩)可用以產生待形成於IC之個別層上之電路圖案。可將此圖案轉印至基板(例如，矽晶圓)上之目標部分(例如，包含晶粒之部分、一個晶粒或若干晶粒)上。通常經由成像至提供於基板上之輻射敏感材料(抗蝕劑)層上而進行圖案之轉印。一般而言，單一基板將含有經順次地圖案化之鄰近目標部分之網路。已知微影裝置包括：所謂步進器，其中藉由一次性將整個圖案曝光至目標部分上來輻照每一目標部分；及所謂掃描器，其中藉由在給定方向(「掃描」方向)上經由輻射光束而掃描圖案同時平行或反平行於此方向而同步地掃描基板來輻照每一目標部分。亦有可能藉由將圖案壓印至基板上而將圖案自圖案化器件轉印至基板。
該機器可為具有相對高折射率之液體(例如，水)填充投影系統之最終組件與基板之間的空間的機器。在一實施例中，液體為蒸餾水，但可使用另一液體。另一流體可合適，特別是濕潤流體、不可壓縮流體，及/或折射率高於 空氣之折射率(理想地，高於水之折射率)的流體。排除氣體之流體特別理想。此情形之要點係實現較小特徵之成像，此係因為曝光輻射在液體中將具有較短波長。(液體之效應亦可被視為增加系統之有效數值孔徑(NA)且亦增加聚焦深度)。已提議其他浸潤液體，包括懸浮有固體粒子(例如，石英)之水，或具有奈米粒子懸浮液(例如，最大尺寸高達10奈米之粒子)之液體。懸浮粒子可能具有或可能不具有相似於或相同於懸浮有該等粒子之液體之折射率的折射率。可合適之其他液體包括烴，諸如，芳族、氟代烴及/或水溶液。
代替電路圖案，圖案化器件可用以產生其他圖案，例如，彩色濾光器圖案或圓點矩陣。代替習知光罩，圖案化器件可包含圖案化陣列，圖案化陣列包含產生電路或其他適用圖案之可個別控制組件陣列。此「無光罩」系統相比於習知以光罩為基礎之系統的優點在於：可更快地且成本更少地提供及/或改變圖案。
因此，無光罩系統包括可程式化圖案化器件(例如，空間光調變器、對比器件，等等)。可程式化圖案化器件經程式化(例如，電子地或光學地)以使用可個別控制組件陣列來形成所要經圖案化光束。可程式化圖案化器件之類型包括微鏡面陣列、液晶顯示器(LCD)陣列、光柵光閥陣列，及其類似者。
如PCT專利申請公開案第WO 2010/032224號及美國專利申請公開案第US 2011-0188016號(其兩者之全文在此以引 用之方式併入本文中)所揭示，代替習知光罩，調變器可經組態以將基板之曝光區域曝光至根據所要圖案而調變之複數個光束。投影系統可經組態以將經調變光束投影至基板上且可包含透鏡陣列以接收複數個光束。投影系統可經組態以在曝光區域之曝光期間相對於調變器來移動透鏡陣列。
微影裝置可為使用極紫外線光(例如，具有5奈米至20奈米之波長)之EUV裝置。
微影裝置中許多元件可具有施加至該等元件之不理想熱負荷。該負荷可能為由投影光束照射於元件上之結果、電流流動之結果，等等。此局域加熱不理想，此係因為此情形可導致局域變形且藉此導致可能的成像誤差。另外，若(例如)投影光束傳遞通過的投影系統之頂板(例如，與圖4及圖5之小型環境相關聯之結構)具有非均一溫度，則此情形可引起折射率之變化或不同於所要形狀之變化，因此直接導致可能的成像誤差。舉例而言，若溫度變化係在基板台上，則此情形可導致基板之變形且藉此導致可能的成像誤差。
在一微影裝置中，可使用在外加熱負荷附近之一或多個通道中流動之冷卻液體。可在低於一元件之設定點溫度之溫度下將冷卻介質供應至該元件。此情形引起快速冷卻。然而，一困難在於：至元件之導管中冷卻介質之低溫可對該導管所經過之一或多個元件之溫度有不理想影響。在一 另外系統中，可在設定點溫度下提供冷卻介質。然而，在此配置中，可能難以使元件永遠達到設定點溫度。或者或另外，導管中遠離於元件而射出之冷卻介質具有高於設定點溫度之溫度，且此情形可有害地影響一個或其他元件(例如，導管所經過之一或多個元件)。
需要提供一種用於微影裝置之冷卻系統。在一實施例中，該冷卻系統處理與冷卻介質相關聯之上述問題中至少一者。
根據本發明之一態樣，提供一種微影裝置，該微影裝置包含：一元件；一局域冷卻器，其用以將一局域冷卻負荷施加至該元件，該局域冷卻器包含：一氣體通路，其包括在該元件上游之一流動限定件且經組態以引導射出該流動限定件之一氣流以冷卻該元件之一表面。
根據本發明之一態樣，提供一種冷卻一微影裝置中一元件之方法，該方法包含：通過一氣體通路提供一氣流且迫使該氣體通過一流動限定件以膨脹且冷卻該氣體；及引導該經膨脹且冷卻之氣體以冷卻該待冷卻元件之一表面。
現在將參看隨附示意性圖式而僅藉由實例來描述本發明之實施例，在該等圖式中，對應元件符號指示對應部件。
圖1示意性地描繪根據本發明之一實施例的微影裝置。該裝置包含：- 照明系統(照明器)IL，其經組態以調節輻射光束B(例如，UV輻射或DUV輻射)； - 支撐結構(例如，光罩台)MT，其經建構支撐圖案化器件(例如，光罩)MA，且連接至經組態以根據某些參數來準確地定位該圖案化器件之第一定位器PM；- 基板台(例如，晶圓台)WT，其經建構以固持基板(例如，抗蝕劑塗佈晶圓)W，且連接至經組態以根據某些參數來準確地定位該基板之第二定位器PW；及- 投影系統(例如，折射投影透鏡系統)PS，其經組態以將藉由圖案化器件MA賦予至輻射光束B之圖案投影至基板W之目標部分C(例如，包含一或多個晶粒)上。
照明系統可包括用於引導、塑形或控制輻射的各種類型之光學元件，諸如，折射、反射、反射折射、磁性、電磁、靜電或其他類型之光學元件，或其任何組合。
支撐結構固持圖案化器件。支撐結構以取決於圖案化器件之定向、微影裝置之設計及其他條件(諸如，圖案化器件是否被固持於真空環境中)的方式來固持圖案化器件。支撐結構可使用機械、真空、靜電或其他夾持技術以固持圖案化器件。支撐結構可為(例如)框架或台，其可根據需要而固定或可移動。支撐結構可確保圖案化器件(例如)相對於投影系統處於所要位置。可認為本文對術語「比例光罩」或「光罩」之任何使用皆與更通用之術語「圖案化器件」同義。
本文所使用之術語「圖案化器件」應被廣泛地解釋為指代可用以在輻射光束之橫截面中向輻射光束賦予圖案以便在基板之目標部分中創製圖案的任何器件。應注意，舉例 而言，若被賦予至輻射光束之圖案包括相移特徵或所謂輔助特徵，則該圖案可能不會確切地對應於基板之目標部分中之所要圖案。通常，被賦予至輻射光束之圖案將對應於目標部分中所創製之器件(諸如，積體電路)中之特定功能層。
圖案化器件可為透射的或反射的。圖案化器件之實例包括光罩、可程式化鏡面陣列，及可程式化LCD面板。光罩在微影中為吾人所熟知，且包括諸如二元、交變相移及衰減相移之光罩類型，以及各種混合光罩類型。可程式化鏡面陣列之一實例使用小鏡面之矩陣配置，該等小鏡面中每一者可個別地傾斜，以便在不同方向上反射入射輻射光束。傾斜鏡面在藉由鏡面矩陣反射之輻射光束中賦予圖案。
本文所使用之術語「投影系統」應被廣泛地解釋為涵蓋適於所使用之曝光輻射或適於諸如浸潤液體之使用或真空之使用之其他因素的任何類型之投影系統，包括折射、反射、反射折射、磁性、電磁及靜電光學系統，或其任何組合。可認為本文對術語「投影透鏡」之任何使用皆與更通用之術語「投影系統」同義。
如此處所描繪，裝置為透射類型(例如，使用透射光罩)。或者，裝置可為反射類型(例如，使用上文所提及之類型之可程式化鏡面陣列，或使用反射光罩)。
微影裝置可為具有兩個或兩個以上台(或載物台或支撐件)之類型，例如，兩個或兩個以上基板台，或者一或多 個基板台與一或多個感測器台或量測台之組合。在此等「多載物台」機器中，可並行地使用額外台，或可在一或多個台上進行預備步驟，同時將一或多個其他台用於曝光。微影裝置可具有可以相似於基板台、感測器台及量測台之方式並行地使用的兩個或兩個以上圖案化器件(或載物台或支撐件)。
微影裝置亦可為如下類型：其中基板之至少一部分可由具有相對高折射率之液體(例如，水)覆蓋，以便填充投影系統與基板之間的空間。亦可將浸潤液體施加至微影裝置中之其他空間，例如，在光罩與投影系統之間的空間。浸潤技術在此項技術中被熟知用於增加投影系統之數值孔徑。本文所使用之術語「浸潤」不獨佔式地意謂諸如基板之結構必須浸沒於液體中，而是意謂液體在曝光期間可位於投影系統與基板及/或光罩之間。此情形可能涉及或可能不涉及諸如基板之結構浸沒於液體中。參考標號IM展示用於實施浸潤技術之裝置可被定位之處。此裝置可包括用於浸潤液體之供應系統，及用於使在所關注區中含有液體之密封構件。視情況，此裝置可經配置成使得基板台由浸潤液體完全地覆蓋。
參看圖1，照明器IL自輻射源SO接收輻射光束。舉例而言，當輻射源為準分子雷射時，輻射源及微影裝置可為分離實體。在此等狀況下，不認為輻射源形成微影裝置之部件，且輻射光束係憑藉包含(例如)合適引導鏡面及/或光束擴展器之光束遞送系統BD而自輻射源SO傳遞至照明器 IL。在其他狀況下，舉例而言，當輻射源為水銀燈時，輻射源可為微影裝置之整體部件。輻射源SO及照明器IL連同光束遞送系統BD(在需要時)可被稱作輻射系統。
照明器IL可包含用以調整輻射光束之角強度分佈之調整器AD。通常，可調整照明器之光瞳平面中之強度分佈的至少外部徑向範圍及/或內部徑向範圍(通常分別稱作σ外部及σ內部)。另外，照明器IL可包含各種其他元件，諸如，積光器IN及聚光器CO。照明器可用以調節輻射光束，以在其橫截面中具有所要均一性及強度分佈。相似於輻射源SO，可能認為或可能不認為照明器IL形成微影裝置之部件。舉例而言，照明器IL可為微影裝置之整體部件，或可為與微影裝置分離之實體。在後者狀況下，微影裝置可經組態以允許照明器IL安裝於其上。視情況，照明器IL係可拆卸的，且可被分離地提供(例如，由微影裝置製造商或另一供應商提供)。
輻射光束B入射於被固持於支撐結構(例如，光罩台)MT上之圖案化器件(例如，光罩)MA上，且係藉由該圖案化器件而圖案化。在已橫穿圖案化器件MA的情況下，輻射光束B傳遞通過投影系統PS，投影系統PS將該光束聚焦至基板W之目標部分C上。憑藉第二定位器PW及位置感測器IF(例如，干涉量測器件、線性編碼器或電容性感測器)，可準確地移動基板台WT，例如，以便使不同目標部分C定位於輻射光束B之路徑中。相似地，第一定位器PM及另一位置感測器(其未在圖1中被明確地描繪)可用以(例如)在自 光罩庫之機械擷取之後或在掃描期間相對於輻射光束B之路徑來準確地定位圖案化器件MA。一般而言，可憑藉形成第一定位器PM之部件之長衝程模組(粗略定位)及短衝程模組(精細定位)來實現支撐結構MT之移動。相似地，可使用形成第二定位器PW之部件之長衝程模組及短衝程模組來實現基板台WT之移動。在步進器(相對於掃描器)之狀況下，支撐結構MT可僅連接至短衝程致動器，或可固定。可使用圖案化器件對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準圖案化器件MA及基板W。儘管所說明之基板對準標記佔據專用目標部分，但該等標記可位於目標部分之間的空間中(此等標記被稱為切割道對準標記)。相似地，在一個以上晶粒提供於圖案化器件MA上之情形中，圖案化器件對準標記可位於該等晶粒之間。
所描繪裝置可用於以下模式中至少一者中：
1.在步進模式中，在將被賦予至輻射光束之整個圖案一次性投影至目標部分C上時，使支撐結構MT及基板台WT保持基本上靜止(亦即，單次靜態曝光)。接著，使基板台WT在X及/或Y方向上移位，使得可曝光不同目標部分C。在步進模式中，曝光場之最大大小限制單次靜態曝光中所成像之目標部分C之大小。
2.在掃描模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，同步地掃描支撐結構MT及基板台WT(亦即，單次動態曝光)。可藉由投影系統PS之放大率(縮小率)及影像反轉特性來判定基板台WT相對於支撐結構MT之速 度及方向。在掃描模式中，曝光場之最大大小限制單次動態曝光中之目標部分的寬度(在非掃描方向上)，而掃描運動之長度部分地判定目標部分之高度(在掃描方向上)。
3.在另一模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，使支撐結構MT保持基本上靜止，從而固持可程式化圖案化器件，且移動或掃描基板台WT。在此模式中，如在其他模式中，通常使用脈衝式輻射源，且在基板台WT之每一移動之後或在一掃描期間之順次輻射脈衝之間根據需要而更新可程式化圖案化器件。此操作模式可易於應用於利用可程式化圖案化器件(諸如，上文所提及之類型之可程式化鏡面陣列)之無光罩微影。
亦可使用對上文所描述之使用模式之組合及/或變化或完全不同之使用模式。
圖2示意性地說明根據一實施例之局域冷卻器100。局域冷卻器100使用焦耳-湯姆森(Joule-Thomson)效應。焦耳-湯姆森效應描述歸因於實際氣體之突然膨脹之溫度改變。諸如二氧化碳及氮氣(及因此，當然，空氣)之許多氣體在膨脹期間會變冷。諸如氦氣及氫氣之其他氣體會變暖。在一實施例中，使用二氧化碳。在一實施例中，使用極清潔乾燥空氣(亦即，有時被稱作XCDA且廣泛地用於微影裝置中的經過濾且除濕之空氣)。
所描述實施例假定該器件用作冷卻器。然而，本發明之一實施例同等地應用於加熱器(例如，用以補償如可能由浸潤裝置中之基板歸因於浸潤液體之蒸發而經歷的局域冷 卻)。在膨脹期間變熱之氣體之實例為氦氣。
此冷卻器相比於習知液體冷卻器之優點在於：通常可在接近待冷卻元件120及/或裝置之設定點溫度之溫度下將冷卻劑氣體供應至該元件及自該待冷卻元件供應冷卻劑氣體。另外，在已用於冷卻之後的氣體可再用於裝置中。舉例而言，該氣體可再用於淨化操作以自某一區域(例如，環繞光罩之環境或位置量測系統之輻射光束傳遞通過之區域)逐出非想要氣體及/或污染物。舉例而言，該氣體可再用作氣刀、無接觸密封件或乾燥站之部件。再用可需要(例如)由用以冷卻投影系統之經調節冷卻液體進行之溫度調節，及/或過濾。
如圖2所說明，局域冷卻器包含氣體通路110及流動限定件115。隨著氣體流動通過氣體通路110且通過流動限定件115，會產生壓降。根據焦耳-湯姆森效應，此壓降引起氣體之突然膨脹及氣體之冷卻。接著引導經冷卻氣體以冷卻待冷卻元件120之表面。在一實施例中，藉由引導經冷卻氣體以流動遍及待冷卻元件120之表面來實現此冷卻。在一實施例中，使用經冷卻氣體以冷卻自待冷卻元件120之表面抽取熱之導管。該冷卻可藉由經冷卻氣體與待冷卻元件120之表面之直接或間接接觸而進行。
在一實施例中，局域冷卻器包含具有對應流動限定件115之一個以上通路110。可將每一通路110之經膨脹氣體引導至待冷卻元件120之表面之不同區域。以此方式，可在不同部位處施加局域冷卻負荷，且可用適當控制而使元 件120之整個表面維持等溫。
在一實施例中，一個以上流動限定件115提供於通路110中。與元件120之表面接觸之氣體的溫度將因該表面而升高，使得最接近於流動限定件115之冷卻負荷相比於較遠離於流動限定件115之冷卻負荷較大。為了補償此情形且允許將更均一之冷卻負荷施加至大表面，可串聯地提供一個以上流動限定件115，使得氣體膨脹至少兩次，藉此被冷卻兩次。圖2中藉由第二流動限定件115A以點線來說明此情形。可將任何數目個流動限定件115、115A串聯地提供於氣體通路110中。
提供冷卻控制器130以控制遍及流動限定件115、115A之氣體壓降且藉此控制局域冷卻負荷之量值。在圖2之實施例中，流動限定件115、115A為可變流動限定件。冷卻控制器130經調適以控制流動限定件之量值(例如，氣體傳遞通過之隙縫或孔之大小)且藉此控制壓降之量值。
冷卻控制器130可以任何方式控制壓降之量值(例如，流動限定件115、115A之大小)。在一實施例中，冷卻控制器130基於前饋而工作(其中該控制器知曉預期待施加至待冷卻元件120之表面之熱負荷且可預料後續溫度上升)。
在一實施例中，如圖2所說明，冷卻控制器130以回饋方式控制壓降。在一實施例中，該控制器係基於由(表面)溫度感測器140感測的元件120之((例如)表面之)溫度。因此，若元件120之表面之溫度上升至高於某一(例如，預定)值，則控制器130可增加壓降(例如，藉由減低流動限定件 之大小)，藉此增加局域冷卻負荷之量值。相反地，若元件120之表面溫度上升至使得需要較低冷卻負荷，則控制器130可藉由增加流動限定件115、115A之大小且藉此減低局域冷卻負荷之量值來減低壓降。
在圖2之實施例中，提供質量流量控制器150，質量流量控制器150沿著通路110提供實質上恆定氣流。質量流量控制器150(其可併入泵151)經組態以通過通路110提供某一(例如，預定)氣流。控制器130藉由調整可變流動限定件115來單獨地控制冷卻負荷之量值。如將參看圖3所描述，在一實施例中，可藉由控制器130來指示質量流量控制器150調整氣流之量值。藉由改變流動限定件115、115A之上游側上之壓力，可改變遍及流動限定件115、115A之壓降之量值。另外，較高質量流率引起較高熱轉移係數及氣流之熱容量之增加。
如上文所描述，氣體可為二氧化碳或XCDA或氮氣且係自源160予以供應。通路之末端處之氣體到達在待冷卻元件120之表面下游之出口170。在一實施例中，氣體處置系統180連接至出口170。氣體處置系統180可使用來自通路110之氣體。該使用可出於除了作為冷卻劑以外之目的。氣體之使用實例包括：用以淨化非想要氣體及/或粒子之空間(例如，自微環境或自量測系統之量測光束傳遞通過之空間)、用以在兩個表面之間形成無接觸密封件，及/或用以乾燥濕潤表面。
在一實施例中，使氣體射出出口170再循環至氣體源 160。在一實施例中，允許氣體射出出口170通向微影裝置所處之環境。出口170可連接至在微影裝置外部之排氣系統。
熱交換器190可提供於流動限定件115、115A上游。舉例而言，熱交換器190可使用液體作為熱轉移介質。熱交換器190使氣體之溫度充分地接近裝置之參考溫度，使得形成通路110之一或多個導管通常將處於接近元件及/或裝置之參考溫度之溫度。
可提供下游溫度感測器200以量測在元件120(例如，元件120之表面)下游之氣體通路110中之氣體溫度。冷卻控制器130可監視由下游溫度感測器200量測之溫度。此溫度可用於控制迴路中。舉例而言，冷卻控制器130可經調適以基於由下游溫度感測器200量測之溫度(例如，以回饋方式)調整壓降。或者或另外，由下游溫度感測器200量測之溫度可用以幫助確保在元件120下游之氣體通常接近該元件及/或裝置之設定點溫度。
在一實施例中，提供壓力感測器210以量測在流動限定件115、115A上游之通路110中之氣體壓力。可將壓力感測器210之輸出提供至一限制控制器(其可為冷卻控制器130之部件)。當由壓力感測器210量測之壓力超過某一值時，該限制控制器可限制在流動限定件115、115A上游之通路110中之氣體壓力。舉例而言，限制控制器可控制流動限定件115、115A之大小，及/或指示質量流量控制器150縮減通路110中之氣體之質量流率，及/或啟動(或為)壓力調 節器以調節在該流動限定件上游之通路110中之氣體壓力。在一實施例中，冷卻控制器130可調整壓力調節器之壓力，藉此控制遍及流動限定件115、115A之壓降。
在一實施例中，冷卻控制器130可至少部分地基於由壓力感測器210量測之壓力而控制質量流量控制器150及/或流動限定件115、115A。
如圖2所說明，質量流量控制器150可將一信號發送至冷卻控制器130。舉例而言，該信號可與系統之限制有關，諸如，關於所達到之最大質量流量之資訊，或質量流量控制器150不能將質量流量增加至超出某一點(例如，超出當前速率)之資訊。或者或另外，當達成最大壓降以進一步增加冷卻能力時可增加質量流量。冷卻控制器130可使用來自感測器140、200、210中之一或多者之回饋以改變策略或向使用者提供已達到系統限制之回饋。
圖3說明一另外實施例。圖3之實施例相同於圖2之實施例，惟如下文所描述之內容除外。
在圖3之實施例中，冷卻控制器130控制質量流量控制器150。至少部分地藉由調整質量流量控制器150來變化通過通路110之氣流而改變遍及流動限定件115、115A之壓降。在此實施例中，流動限定件115、115A可為可變流動限定件(在該狀況下，冷卻控制器130可藉由變化質量流率及流動限定大小兩者來變化壓降)。在一實施例中，流動限定件115、115A可為固定限定件，使得僅藉由變化通過流動通路110之質量流率來控制壓降。
在流動限定件115、115A上游之壓力調節器可用以變化在流動限定件115、115A上游之氣體通路110中之壓力。藉由變化壓力調節器之設定，可變化遍及流動限定件115、115A之壓降。
冷卻系統極具靈活性，且具有不涉及在偏離設定點溫度之溫度下冷卻介質流之相對簡單控制。該系統之回應時間可優於遭受熱慣性的以液體為基礎之封閉迴路冷卻系統。亦即，相比於針對氣體，使液體變熱(以抽取能量)之間的時滯由於液體之較高熱容量而較大。
冷卻系統可能不會如同以液體為基礎之冷卻系統一樣需要溫度調節設置。然而，以液體為基礎之冷卻系統相比於本文所描述之冷卻系統可抽取更多熱能。在一實施例中，無需使氣體再循環之返回通路。彼情形可縮減軟管束中軟管之數目。此情形在已用體積與硬度及動態效能問題方面有益。
如上文所提及，在已使用氣體以冷卻元件120之表面之後，可以有效率方式使用該氣體以處理其他問題。
另外，微影裝置中之液體通常不理想。在某些區域中，必須避免液體之存在。在其他區域中，液體之洩漏可造成問題，而氣體之洩漏較不成問題。
以下內容展示出，針對100標準公升/分鐘之流率(周圍壓力及0℃)，在冷卻系統具有尺寸為1×200×300毫米之通路110、氣體流動速度小於10公尺/秒且雷諾數(Reynolds number)低於2200的情況下，對於XCDA，達成約100 W/m2K 之熱轉移係數，而對於CO2，達成約65 W/m2K之熱轉移係數。用於二氧化碳及空氣之資料展示出，在22℃下，對於CO2，焦耳-湯姆森係數為約1.080克耳文/巴，而對於XCDA，焦耳-湯姆森係數為約0.237克耳文/巴。此情形展示出，壓降為約4巴之上述區域(1×0.2公尺×0.3公尺)中之熱轉移可在熱轉移區域中引起一平均熱轉移，對於XCDA，該平均熱轉移為約50 W/m2，且對於CO2，該平均熱轉移為約130 W/m2。限制因素為氣流之熱容量，使得XCDA氣流之冷卻能力為約2.2 W，且對於CO2，冷卻能力為約11 W。
儘管以上內容展示出由冷卻系統抽取之熱之量可能不算太大，但此量為用於微影裝置中之某些元件(特別是上文所描述之元件)之冷卻之有用量。
冷卻系統100可用以冷卻微影裝置之任何元件。實例包括基板台WT之部件，例如，基板台WT之致動器，特別是對於經調適以供直徑(或等效尺寸)為450毫米或300毫米之基板W使用之基板台WT。本發明不限於基板之大小/形狀。用於大基板W之基板台WT可包括用以平坦化基板W之表面之一或多個操控器，且此操控器之大小可使得由在該操控器中流動之電流施加至該操控器之熱負荷足夠低以由上文所描述之冷卻系統抽取。冷卻系統可用以(例如)自用於基板W之基板支撐件之底面局域地冷卻基板。冷卻系統可用以冷卻投影系統PS之元件，包括頂板。
冷卻系統100可用以冷卻諸如微影裝置之感測器或台(位 置)編碼器的元件。冷卻系統100可用以使用用以圖案化投影光束之圖案化陣列或調變器(例如，用以自該調變器接收複數個光束之透鏡陣列)來冷卻微影裝置或EUV微影裝置之元件。用以將氣體提供至該元件(及自該元件提供氣體)之一或多個導管可因提供於該元件上游之流動限定件115而具靈活性。
冷卻系統100可用以冷卻下文參看圖4及圖5所描述之頂板。頂板可由支撐結構MT馬達及/或投影光束PB及/或光罩基準(其在量測期間可由雷射加熱，且接著將熱輻射至頂板)局域地加熱。
在微影投影裝置中，需要使受控制內部氣體環境維持於圖案化器件MA之區中。圖案化器件之區中之內部氣體環境可受到控制以防止具有可變屬性之污染物及/或空氣干涉輻射光束及/或圖案化器件之敏感組件。內部氣體環境通常將與外部區實質上隔離，但未被完全地封堵。可提供及組態具有通向內部氣體環境之出口之氣體供應系統以使過壓維持於內部氣體環境中。過壓將氣流(例如，實質上恆定氣流)逐出內部氣體環境，亦即，用來淨化該環境。向外氣流幫助防止污染物之流入。向外氣流可被供給通道以通過有漏隙密封件，例如，通過對置流動限定表面。另外，需要使量測系統之一或多個編碼器及/或干涉計光束傳遞通過之路徑無污染物且具有一或多個實質上恆定屬性。
圖4描繪展示可如何在支撐件MT上方之區中達成內部氣 體環境4之控制的實施例。此實例中之內部氣體環境4在一個側上位於圖案化器件MA與支撐件MT之間，且在另一側上位於圖案化器件MA與照明系統IL之最終組件(及周圍硬體)2之間。因此，所描繪之內部氣體環境4為輻射光束在遇到圖案化器件MA之前將傳遞通過之體積。
在圖4及圖5之實例中，提供氣體供應系統5以將氣體經由出口7而供應至內部氣體環境4。可以受控制組合物及/或在受控制流率下供應氣體。氣體可來自冷卻系統之出口170。視情況，使過壓維持於內部氣體環境4內。過壓引起向外氣流，如箭頭6示意性地所示。氣體供應系統5及/或出口7可安裝於圖案化器件支撐件MT上或內(如圖所示)及/或安裝於圖案化器件支撐件MT上方及/或下方之組件上或內。舉例而言，氣體供應系統5及/或出口7可安裝於照明系統IL之最終組件2上或內。或者或另外，氣體供應系統5及/或出口7可安裝於投影系統PS之第一組件3上或內。
流量/速度之空間分佈可受到第一平面組件8A及第二平面組件10A控制，如圖4所示。第一平面組件8A係使得呈現第一流動限定表面8B。第二平面組件10A係使得呈現第二流動限定表面10B。
圖4之流動限定表面8B、10B彼此面對，且經組態以抵抗通過流動限定表面8B、10B之間的間隙之向內氣流及向外氣流。抵抗向內氣流會幫助縮減內部氣體環境4之污染。抵抗向外氣流會幫助氣體供應系統5使穩定過壓維持於內部氣體環境4中。流動限定表面8B、10B亦呈現氣體 之流出傳遞通過的相對小間隙。此情形引起氣體之流出之速度增加。速度增加會阻遏污染物向內擴散。又，出於以下原因，較高流出速度可有益。舉例而言，當圖案化器件支撐件MT在第一方向上沿著Y而移動時，圖案化器件支撐件MT在其尾跡中創製較低壓力區，較低壓力區傾向於由環境氣體(例如，空氣)填充，需要使環境氣體(例如，空氣)置身於內部氣體環境之外。當圖案化器件支撐件MT接著在相對方向上返回掃描時，需要使輸出速度應至少高於圖案化器件支撐件MT之掃描速率(且理想地高於該掃描速率加上環境氣體流入至較低壓力區中之最大速度)，以便縮減或完全地避免環境氣體顯著地流入至內部氣體環境中。
圖5描繪對應於圖4之配置的配置，惟內部氣體環境4位於圖案化器件MA下方除外。因此，所描繪之內部氣體環境4為輻射光束在已遇到圖案化器件MA之後將傳遞通過之體積。內部氣體環境4在一個側上係由支撐件MT及圖案化器件MA所含有，且在另一側上係由投影系統PS之第一組件(及周圍硬體)3(例如，可由上述冷卻系統冷卻之(至少部分透明)頂板)所含有。此實例中之支撐件MT包含形成於其下部部分中之第一平面組件9A。第一平面組件9A具有第一流動限定表面9B。投影系統PS之第一組件具有附接至其上部表面之第二平面組件11A。第二平面組件11A具有第二流動限定表面11B。第二流動限定表面11B經組態以面對第一流動限定表面9B。
在圖4之配置及圖5之配置兩者中，箭頭6示意性地展示出氣體自氣體供應系統5之出口7流動通過內部氣體環境4之中心區且通過流動限定表面8B、9B、10B、11B之間的間隙而流出至在內部氣體環境4外部之區。
儘管在本文中可特定地參考微影裝置在IC製造中之使用，但應理解，本文所描述之微影裝置可具有其他應用，諸如，製造整合式光學系統、用於磁疇記憶體之導引及偵測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭，等等。熟習此項技術者應瞭解，在此等替代應用之內容背景中，可認為本文對術語「晶圓」或「晶粒」之任何使用分別與更通用之術語「基板」或「目標部分」同義。可在曝光之前或之後在(例如)塗佈顯影系統(通常將抗蝕劑層施加至基板且顯影經曝光抗蝕劑之工具)、度量衡工具及/或檢測工具中處理本文所提及之基板。適用時，可將本文之揭示內容應用於此等及其他基板處理工具。另外，可將基板處理一次以上，例如，以便創製多層IC，使得本文所使用之術語「基板」亦可指代已經含有一或多個經處理層之基板。
儘管上文可特定地參考在光學微影之內容背景中對本發明之實施例之使用，但應瞭解，本發明可用於其他應用(例如，壓印微影)中，且在內容背景允許時不限於光學微影。在壓印微影中，圖案化器件中之構形(topography)界定創製於基板上之圖案。可將圖案化器件之構形壓入被供應至基板之抗蝕劑層中，在基板上，抗蝕劑係藉由施加電 磁輻射、熱、壓力或其組合而固化。在抗蝕劑固化之後，將圖案化器件移出抗蝕劑，從而在其中留下圖案。
本文所使用之術語「輻射」及「光束」涵蓋所有類型之電磁輻射，包括紫外線(UV)輻射(例如，具有為或為約436奈米、405奈米、365奈米、355奈米、248奈米、193奈米、157奈米或126奈米之波長)及極紫外線(EUV)輻射(例如，具有在5奈米至20奈米之範圍內之波長)，以及粒子束(諸如，離子束或電子束)。
雖然上文已描述本發明之特定實施例，但應瞭解，可以與所描述之方式不同的其他方式來實踐本發明。舉例而言，本發明之實施例可採取如下形式：電腦程式，其含有描述如上文所揭示之方法的機器可讀指令之一或多個序列；或資料儲存媒體(例如，半導體記憶體、磁碟或光碟)，其具有儲存於其中之此電腦程式。另外，可以兩個或兩個以上電腦程式來體現機器可讀指令。可將兩個或兩個以上電腦程式儲存於一或多個不同記憶體及/或資料儲存媒體上。
本發明可應用於直徑為300毫米或450毫米或任何其他大小之基板。
當藉由位於微影裝置之至少一元件內之一或多個電腦處理器來讀取一或多個電腦程式時，本文所描述之任何控制器可各自或組合地為可操作的。該等控制器可各自或組合地具有用於接收、處理及發送信號之任何合適組態。一或多個處理器經組態以與該等控制器中至少一者通信。舉例 而言，每一控制器可包括用於執行包括用於上文所描述之方法之機器可讀指令之電腦程式的一或多個處理器。該等控制器可包括用於儲存此等電腦程式之一或若干資料儲存媒體，及/或用以收納此/此等媒體之硬體。因此，該(該等)控制器可根據一或多個電腦程式之機器可讀指令而操作。
本發明之一或多個實施例可應用於任何浸潤微影裝置，而不管浸潤液體係以浴之形式被提供、僅提供於基板之局域化表面區域上，抑或未受限制的。在一未受限制配置中，浸潤液體可流動遍及基板及/或基板台之表面，使得基板台及/或基板之實質上整個未經覆蓋表面濕潤。在此未受限制浸潤系統中，液體供應系統可能不限制浸潤液體或其可能提供浸潤液體限制之比例，但未提供浸潤液體之實質上完全限制。
在一實施例中，微影裝置為包含位於投影系統之曝光側處之兩個或兩個以上台的多載物台裝置，每一台包含及/或固持一或多個物件。在一實施例中，該等台中之一或多者可固持輻射敏感基板。在一實施例中，該等台中之一或多者可固持用以量測來自投影系統之輻射之感測器。在一實施例中，多載物台裝置包含經組態成固持輻射敏感基板之第一台(亦即，基板台)，及未經組態成固持輻射敏感基板之第二台(在下文中通常且無限制地被稱作量測台及/或清潔台)。第二台可包含及/或可固持除了輻射敏感基板以外之一或多個物件。此一或多個物件可包括選自以下各者 之一或多者：用以量測來自投影系統之輻射之感測器、一或多個對準標記，及/或清潔器件(用以清潔(例如)液體限制結構)。
在一實施例中，微影裝置可包含用以量測該裝置之元件之位置、速度等等的編碼器系統。在一實施例中，該元件包含基板台。在一實施例中，該元件包含量測台及/或清潔台。該編碼器系統可為對本文針對該等台所描述之干涉計系統的添加或替代。編碼器系統包含與尺度或柵格相關聯(例如，配對)之感測器、傳感器或讀頭。在一實施例中，可移動元件(例如，基板台及/或量測台及/或清潔台)具有一或多個尺度或柵格，且該元件移動所相對的微影裝置之框架具有感測器、傳感器或讀頭中之一或多者。感測器、傳感器或讀頭中之一或多者與該(該等)尺度或柵格合作以判定該元件之位置、速度等等。在一實施例中，一元件移動所相對的微影裝置之框架具有一或多個尺度或柵格，且可移動元件(例如，基板台及/或量測台及/或清潔台)具有與該(該等)尺度或柵格合作以判定該元件之位置、速度等等之感測器、傳感器或讀頭中的一或多者。
術語「透鏡」在內容背景允許時可指代各種類型之光學元件中任一者或其組合，包括折射、反射、反射折射、磁性、電磁及靜電光學元件。
以上描述意欲為說明性而非限制性的。因此，對於熟習此項技術者將顯而易見，可在不脫離下文所闡明之申請專利範圍之範疇的情況下對所描述之本發明進行修改。
2‧‧‧最終組件
3‧‧‧第一組件
4‧‧‧內部氣體環境
5‧‧‧氣體供應系統
6‧‧‧向外氣流
7‧‧‧出口
8A‧‧‧第一平面組件
8B‧‧‧第一流動限定表面
9A‧‧‧第一平面組件
9B‧‧‧第一流動限定表面
10A‧‧‧第二平面組件
10B‧‧‧第二流動限定表面
11A‧‧‧第二平面組件
11B‧‧‧第二流動限定表面
100‧‧‧局域冷卻器/冷卻系統
110‧‧‧氣體通路/流動通路
115‧‧‧流動限定件
115A‧‧‧第二流動限定件
120‧‧‧待冷卻元件
130‧‧‧冷卻控制器
140‧‧‧(表面)溫度感測器
150‧‧‧質量流量控制器
151‧‧‧泵
160‧‧‧氣體源
170‧‧‧氣體射出出口
180‧‧‧氣體處置系統
190‧‧‧熱交換器
200‧‧‧下游溫度感測器
210‧‧‧壓力感測器
AD‧‧‧調整器
B‧‧‧輻射光束
BD‧‧‧光束遞送系統
C‧‧‧目標部分
CO‧‧‧聚光器
IF‧‧‧位置感測器
IL‧‧‧照明系統/照明器
IM‧‧‧用於實施浸潤技術之裝置可被定位之處
IN‧‧‧積光器
M1‧‧‧圖案化器件對準標記
M2‧‧‧圖案化器件對準標記
MA‧‧‧圖案化器件
MT‧‧‧支撐結構/圖案化器件支撐件
P1‧‧‧基板對準標記
P2‧‧‧基板對準標記
PM‧‧‧第一定位器
PS‧‧‧投影系統
PW‧‧‧第二定位器
SO‧‧‧輻射源
W‧‧‧基板
WT‧‧‧基板台
圖1描繪根據本發明之一實施例的微影裝置；圖2示意性地說明局域冷卻器之實施例；圖3示意性地說明局域冷卻器之實施例；圖4描繪用於圖案化器件之支撐件之上側(在z方向上)上的內部氣體環境以及第一平面組件及第二平面組件；及圖5描繪支撐件之下側(在z方向上)上的內部氣體環境以及第一平面組件及第二平面組件。
100‧‧‧局域冷卻器/冷卻系統
110‧‧‧氣體通路/流動通路
115‧‧‧流動限定件
115A‧‧‧第二流動限定件
120‧‧‧待冷卻元件
130‧‧‧冷卻控制器
140‧‧‧(表面)溫度感測器
150‧‧‧質量流量控制器
151‧‧‧泵
160‧‧‧氣體源
170‧‧‧氣體射出出口
180‧‧‧氣體處置系統
190‧‧‧熱交換器
200‧‧‧下游溫度感測器
210‧‧‧壓力感測器

Claims (14)

  1. 一種微影裝置，其包含：一元件；一局域冷卻器，其用以將一局域冷卻負荷施加至該元件，該局域冷卻器包含：一氣體通路，其包括在該元件上游之一流動限定件且經組態以引導射出該流動限定件之一氣流以冷卻該元件之一表面。
  2. 如請求項1之微影裝置，其中該氣體通路進一步包含在該元件下游之一出口。
  3. 如請求項2之微影裝置，其中一氣體處置系統連接至該出口且經組態以主要出於除了作為一冷卻劑以外之一目的而使用來自該通路之氣體。
  4. 如請求項3之微影裝置，其中該氣體處置系統經組態以使用來自該通路之該氣體以淨化非想要氣體或污染物之一空間或在兩個表面之間形成一無接觸密封件或乾燥一濕潤表面。
  5. 如請求項1至4中任一項之微影裝置，其中該局域冷卻器進一步包含一冷卻控制器，該冷卻控制器經調適以控制遍及該流動限定件之一氣體壓降且藉此控制該元件上之該局域冷卻負荷之量值。
  6. 如請求項5之微影裝置，其中該流動限定件為一可變流動限定件，且該冷卻控制器經組態以控制該流動限定件之大小且藉此控制該壓降之量值。
  7. 如請求項5或6之微影裝置，其進一步包含一質量流量控制器，該質量流量控制器經組態以通過該通路提供某一氣流。
  8. 如請求項7之微影裝置，其中該質量流量控制器經組態以使該氣流維持於一實質上恆定量值，或其中該冷卻控制器經組態以控制該質量流量控制器以調整該氣流之該量值且藉此調整該壓降之該量值。
  9. 如請求項5至8中任一項之微影裝置，其進一步包含以下各者中至少一者：(i)一壓力調節器，其經組態以調節在該流動限定件上游之該通路中之氣體壓力；(ii)一溫度感測器，其用以感測該元件之一溫度；(iii)一下游溫度感測器，其用以量測在該元件下游之該通路中之一氣體溫度；(iv)一壓力感測器，其經組態以量測在該流動限定件上游之該通路中之一氣體壓力；(v)熱交換器，其經組態以使氣體在某一溫度下維持於在該流動限定件上游之該通路中；及(vi)以上各者之任何組合。
  10. 如請求項9之微影裝置，其中該冷卻控制器經組態以進行以下各者中至少一者：(i)變化該壓力調節器之一壓力設定且藉此變化遍及該流動限定件之該壓降；(ii)基於由該溫度感測器感測之該溫度而以一回饋方 式調整該壓降；(iii)基於由該下游溫度感測器量測之該溫度而調整該壓降；及(iv)以上各者之任何組合。
  11. 如請求項9或10之微影裝置，其進一步包含一限制控制器，該限制控制器經組態以在由該壓力感測器量測之該壓力超過某一值時限制在該流動限定件上游之該通路中之該氣體壓力。
  12. 如請求項1至11中任一項之微影裝置，其中該元件為如下各者之部件：(i)一基板台，其經組態以支撐一基板；(ii)一投影系統；或(iii)一投影系統頂板。
  13. 如請求項1至12中任一項之微影裝置，其經組態以將氣體自該流動限定件下游釋放至該裝置中。
  14. 一種冷卻一微影裝置中一元件之方法，其包含：通過一氣體通路提供一氣流且迫使該氣體通過一流動限定件以膨脹且冷卻該氣體；及引導該經膨脹且冷卻之氣體以冷卻該待冷卻元件之一表面。
TW101133530A 2011-10-07 2012-09-13 微影裝置及冷卻微影裝置中元件之方法 TWI497230B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201161544896P 2011-10-07 2011-10-07

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201316139A true TW201316139A (zh) 2013-04-16
TWI497230B TWI497230B (zh) 2015-08-21

Family

ID=48021079

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW101133530A TWI497230B (zh) 2011-10-07 2012-09-13 微影裝置及冷卻微影裝置中元件之方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US9811007B2 (zh)
JP (1) JP5715994B2 (zh)
KR (1) KR101476351B1 (zh)
CN (1) CN103034068B (zh)
NL (1) NL2009378A (zh)
TW (1) TWI497230B (zh)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL2008345A (en) * 2011-03-28 2012-10-01 Asml Holding Nv Lithographic apparatus and device manufacturing method.
CN104423396B (zh) * 2013-08-27 2016-12-28 上海微电子装备有限公司 高精度气体温度控制系统及方法
CN105467776B (zh) * 2015-12-11 2017-06-06 浙江大学 浸没式光刻兼容温控的分流控制和压力跟随装置及方法
CN107976868B (zh) * 2016-10-21 2020-02-18 上海微电子装备（集团）股份有限公司 一种浸没式掩模冷却装置及冷却方法
EP3582008A1 (en) * 2018-06-15 2019-12-18 Nederlandse Organisatie voor toegepast- natuurwetenschappelijk onderzoek TNO Exposure arrangement for an additive manufacturing system, additive manufacturing system and method of manufacturing an object
CN116981995A (zh) 2021-03-02 2023-10-31 Asml荷兰有限公司 操作量测系统、光刻设备及其方法
EP4163721A1 (en) * 2021-10-06 2023-04-12 ASML Netherlands B.V. Chamber for a projection system of a lithographic apparatus, projection system and lithographic apparatus

Family Cites Families (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB9505915D0 (en) 1995-03-23 1995-05-10 Ultra Electronics Ltd Cooler
JP2001218424A (ja) * 2000-02-03 2001-08-10 Canon Inc 流体軸受けモータ
US6889763B1 (en) 2000-10-23 2005-05-10 Advanced Micro Devices, Inc. System for rapidly and uniformly cooling resist
KR20040024516A (ko) * 2002-09-13 2004-03-20 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 리소그래피 장치 및 디바이스 제조방법
US7417708B2 (en) * 2002-10-25 2008-08-26 Nikon Corporation Extreme ultraviolet exposure apparatus and vacuum chamber
JP4311711B2 (ja) * 2003-02-24 2009-08-12 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
JP4336509B2 (ja) * 2003-03-07 2009-09-30 キヤノン株式会社 処理方法及びシステム
US20060285091A1 (en) * 2003-07-21 2006-12-21 Parekh Bipin S Lithographic projection apparatus, gas purging method, device manufacturing method and purge gas supply system related application
JP4461764B2 (ja) 2003-10-07 2010-05-12 株式会社ニコン 露光方法及び露光装置
JP2005136004A (ja) * 2003-10-28 2005-05-26 Nikon Corp 露光装置、およびデバイス製造方法
US7310130B2 (en) * 2004-10-05 2007-12-18 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and position measuring method
JP2007142366A (ja) 2005-10-18 2007-06-07 Canon Inc 露光装置及びデバイス製造方法
JPWO2007080779A1 (ja) * 2006-01-12 2009-06-11 株式会社ニコン 物体搬送装置、露光装置、物体温調装置、物体搬送方法、及びマイクロデバイスの製造方法
US20100183987A1 (en) * 2006-12-08 2010-07-22 Canon Kabushiki Kaisha Exposure apparatus
US7426015B2 (en) * 2007-01-17 2008-09-16 Asml Netherlands B.V. Device manufacturing method and lithographic apparatus
US8681308B2 (en) * 2007-09-13 2014-03-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
NL1036596A1 (nl) * 2008-02-21 2009-08-24 Asml Holding Nv Re-flow and buffer system for immersion lithography.
JP2009277679A (ja) * 2008-05-12 2009-11-26 Nikon Corp 温度調整装置、露光装置、アクチュエータ装置、保持装置、及びデバイス製造方法
US8640468B2 (en) * 2008-05-21 2014-02-04 Raytheon Company Isothermal gas supply and method for minimizing the temperature excursion of a gas mixture released therefrom
WO2010032224A2 (en) 2008-09-22 2010-03-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, programmable patterning device and lithographic method
JP5355043B2 (ja) * 2008-11-10 2013-11-27 キヤノン株式会社 露光装置およびデバイス製造方法
JP2010141196A (ja) * 2008-12-12 2010-06-24 Nikon Corp 温調装置、温調方法、ステージ装置及び露光装置
NL2004162A (en) * 2009-02-17 2010-08-18 Asml Netherlands Bv A fluid supply system, a lithographic apparatus, a method of varying fluid flow rate and a device manufacturing method.
NL2005009A (en) * 2009-07-27 2011-01-31 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method.
NL2006243A (en) 2010-03-19 2011-09-20 Asml Netherlands Bv A lithographic apparatus, an illumination system, a projection system and a method of manufacturing a device using a lithographic apparatus.
WO2012129138A2 (en) * 2011-03-18 2012-09-27 Cool Clean Technologies, Inc. Method and apparatus for thermal control within a machining process
NL2008345A (en) 2011-03-28 2012-10-01 Asml Holding Nv Lithographic apparatus and device manufacturing method.
NL2009899A (en) * 2011-12-20 2013-06-24 Asml Netherlands Bv A pump system, a carbon dioxide supply system, an extraction system, a lithographic apparatus and a device manufacturing method.
JP6328126B2 (ja) * 2012-10-31 2018-05-23 エーエスエムエル ホールディング エヌ．ブイ． パターニングデバイス支持体、リソグラフィ装置及びパターニングデバイスの温度制御方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP5715994B2 (ja) 2015-05-13
NL2009378A (en) 2013-04-09
KR20130038171A (ko) 2013-04-17
US20130088694A1 (en) 2013-04-11
JP2013084934A (ja) 2013-05-09
US9811007B2 (en) 2017-11-07
KR101476351B1 (ko) 2014-12-24
CN103034068A (zh) 2013-04-10
TWI497230B (zh) 2015-08-21
CN103034068B (zh) 2016-01-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6444353B2 (ja) リトグラフ装置
TWI497230B (zh) 微影裝置及冷卻微影裝置中元件之方法
TWI507826B (zh) 用於微影設備之支撐平台、微影設備及元件製造方法
TWI512408B (zh) 微影設備，用於微影設備之支撐平台及元件製造方法
JP6580209B2 (ja) リソグラフィ装置
TWI421644B (zh) 微影裝置及方法
TW201329648A (zh) 支撐件、微影裝置及元件製造方法
TWI461874B (zh) 流體溫度控制單元及流體溫度量測單元
JP4621705B2 (ja) 調整システムおよび少なくとも１つのオブジェクトを備えるアセンブリ、調整システムならびにリソグラフィ装置および方法
TWI514088B (zh) 微影裝置及修改微影裝置內輻射光束的方法
JP6694518B2 (ja) パターニングデバイス冷却装置
JP5456848B2 (ja) リソグラフィ装置及びデバイス製造方法
TWI596441B (zh) 用於微影裝置之調節系統及方法及包含一調節系統之微影裝置
TWI587098B (zh) 微影裝置及使用一微影裝置製造一器件的方法
JP6083975B2 (ja) 流体ハンドリング構造、液浸リソグラフィ装置及びリソグラフィ装置を操作する方法
TW201932974A (zh) 微影裝置、操作方法及器件製造方法