JP5715994B2 - リソグラフィ装置及びリソグラフィ装置内のコンポーネントの冷却方法 - Google Patents
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Description
− 放射ビームB(例えばUV放射又はDUV放射)を調節するように構成された照明システム(イルミネータ)ILと、
− パターニングデバイス(例えばマスク)MAを支持するように構築され、特定のパラメータに従ってパターニングデバイスを正確に位置決めするように構成された第1のポジショナPMに接続された支持構造(例えばマスクテーブル)MTと、
− 基板(例えばレジストコートウェーハ)Wを保持するように構築され、特定のパラメータに従って基板を正確に位置決めするように構成された第2のポジショナPWに接続された基板テーブル(例えばウェーハテーブル)WTと、
− パターニングデバイスMAによって放射ビームBに与えられたパターンを基板Wのターゲット部分C(例えば1つ又は複数のダイを含む)に投影するように構成された投影システム(例えば屈折投影レンズシステム)PSとを備える。
1.ステップモードにおいては、支持構造MT及び基板テーブルWTは、基本的に静止状態に維持される一方、放射ビームに与えたパターン全体が1回でターゲット部分Cに投影される(すなわち単一静的露光)。次に、別のターゲット部分Cを露光できるように、基板テーブルWTがX方向及び/又はY方向に移動される。ステップモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一静的露光で像が形成されるターゲット部分Cのサイズが制限される。
2.スキャンモードにおいては、支持構造MT及び基板テーブルWTは同期的にスキャンされる一方、放射ビームに与えられるパターンがターゲット部分Cに投影される(すなわち単一動的露光)。支持構造MTに対する基板テーブルWTの速度及び方向は、投影システムPSの拡大(縮小)及び像反転特性によって求めることができる。スキャンモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一動的露光におけるターゲット部分の(非スキャン方向における)幅が制限され、スキャン動作の長さによってターゲット部分の(スキャン方向における)高さの一部が決まる。
3.別のモードでは、支持構造MTはプログラマブルパターニングデバイスを保持して基本的に静止状態に維持され、基板テーブルWTを移動又はスキャンさせながら、放射ビームに与えられたパターンをターゲット部分Cに投影する。このモードでは、一般にパルス状放射源を使用して、基板テーブルWTを移動させる毎に、又はスキャン中に連続する放射パルスの間で、プログラマブルパターニングデバイスを必要に応じて更新する。この動作モードは、以上で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを使用するマスクレスリソグラフィに容易に適用できる。
Claims (15)
- コンポーネントと、
局所冷却負荷を前記コンポーネントに与える局所冷却器と
を備え、
前記局所冷却器は、
前記コンポーネントの上流において直列に設けられた2つ以上の流量制限器であって、各流量制限器はガスを膨張させて冷却するように構成された、流量制限器と、
該流量制限器から出るガス流を誘導して前記コンポーネントの表面を冷却するように構成されたガス通路と、を備える、
リソグラフィ装置。 - コンポーネントと、
局所冷却負荷を前記コンポーネントに与える局所冷却器と
を備え、
前記局所冷却器は、
前記コンポーネントの上流の流量制限器であって、該流量制限器は二酸化炭素のガスを膨張させて冷却するように構成された、流量制限器と、
該流量制限器から出る二酸化炭素のガス流を誘導して前記コンポーネントの表面を冷却するように構成されたガス通路と、を備える、
リソグラフィ装置。 - 前記ガス通路は、前記コンポーネントの下流のアウトレットをさらに備える、請求項1または2に記載のリソグラフィ装置。
- ガスハンドリングシステムが、前記アウトレットに接続され、前記通路からガスを主に冷却剤以外の目的で使用するように構成される、請求項3に記載のリソグラフィ装置。
- 前記ガスハンドリングシステムは、前記通路からの前記ガスを使用して、不要なガス又は汚染物質の空間をパージするように、あるいは2つの表面間の非接触シールを形成するように、あるいは湿った表面を乾燥するように構成される、請求項4に記載のリソグラフィ装置。
- 前記局所冷却器は、前記流量制限器上のガスの圧力降下を制御して、それにより前記コンポーネント上の前記局所冷却負荷の大きさを制御する冷却コントローラをさらに備える、請求項1〜5のいずれかに記載のリソグラフィ装置。
- 前記流量制限器は可変流量制限器であり、前記冷却コントローラは、前記流量制限器のサイズを制御して、前記圧力降下の大きさを制御するように構成される、請求項6に記載のリソグラフィ装置。
- 前記通路を通して特定の流量のガスを提供するように構成された質量流量コントローラをさらに備える、請求項6又は7に記載のリソグラフィ装置。
- 前記質量流量コントローラは、ガスの前記流量を実質的に一定の大きさで維持するように構成される、あるいは前記冷却コントローラは、前記質量流量コントローラを制御し、ガスの前記流量の大きさを調整して、前記圧力降下の大きさを調整するように構成される、請求項8に記載のリソグラフィ装置。
- (i)前記流量制限器の上流の前記通路内のガスの圧力を調整する圧力調整器、
(ii)前記コンポーネントの温度を検知する温度センサ、
(iii)前記コンポーネントの下流の前記通路内のガスの温度を測定する下流温度センサ、
(iv)前記流量制限器の上流の前記通路内のガスの圧力を測定する圧力センサ、
(v)前記流量制限器の上流の前記通路内のガスを特定の温度に維持する熱交換器、及び
(vi)上記任意の組合せ
のうち少なくとも1つをさらに備える、請求項6〜9のいずれかに記載のリソグラフィ装置。 - 前記冷却コントローラは、
(i)前記圧力調整器の圧力設定を変更し、それによって前記流量制限器上の前記圧力降下を変更すること、
(ii)前記温度センサによって検知された前記温度に基づくフィードバック方式において前記圧力降下を調整すること、
(iii)前記下流温度センサによって測定された前記温度に基づいて前記圧力降下を調整すること、及び
(iv)上記の任意の組合せ
のうち少なくとも1つを行うように構成される、請求項10に記載のリソグラフィ装置。 - 前記圧力センサによって測定された圧力が特定の値を超えるときに、前記流量制限器の上流の前記通路内のガスの圧力を制限するように構成されたリミットコントローラをさらに備える、請求項10又は11に記載のリソグラフィ装置。
- 前記流量制限器の下流から前記装置へガスを放出するように構成された、請求項1〜12のいずれかに記載のリソグラフィ装置。
- リソグラフィ装置内のコンポーネントを冷却する方法であって、
ガス通路を通してガスの流れを提供して、強制的に該ガスを直列に設けられた2つ以上の流量制限器を通して該ガスを膨張させ冷却することと、
前記膨張され冷却されたガスを誘導して、冷却対象の前記コンポーネントの表面を冷却することと
を含む、方法。 - リソグラフィ装置内のコンポーネントを冷却する方法であって、
ガス通路を通して二酸化炭素のガスの流れを提供して、強制的に該ガスを流量制限器を通して該ガスを膨張させ冷却することと、
前記膨張され冷却されたガスを誘導して、冷却対象の前記コンポーネントの表面を冷却することと
を含む、方法。
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