TW201312793A - Led封裝結構 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 34
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 7
- 239000004033 plastic Substances 0.000 claims description 7
- 239000004954 Polyphthalamide Substances 0.000 claims description 6
- 229920006375 polyphtalamide Polymers 0.000 claims description 6
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 2
- 239000000084 colloidal system Substances 0.000 claims description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims description 2
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 claims description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 2
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 3
- -1 for example Polymers 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000088 plastic resin Substances 0.000 description 1
- 230000001568 sexual effect Effects 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001169 thermoplastic Polymers 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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- H01L33/483—Containers
- H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
- H01L33/60—Reflective elements
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/013—Alloys
- H01L2924/0132—Binary Alloys
- H01L2924/01322—Eutectic Alloys, i.e. obtained by a liquid transforming into two solid phases
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Abstract
本發明提供一種LED封裝結構,其包括一基板、一第一電極、一第二電極、一反射層、一覆蓋層以及一LED晶片。該第一、二電極分別具有電極襯墊的構型,該電極襯墊設置於該基板的頂面上,該基板頂面一體成型該反射層。該反射層具有一凹槽,該電極襯墊位於該凹槽底部,該LED晶片設置於該第一電極並與該第二電極達成電性連接。該覆蓋層覆蓋該LED晶片。本發明的該第一、二電極的連接襯墊構型,使該反射層與該基板的接觸面積增大,可以增加LED封裝結構的密合度。
Description
本發明涉及一種LED封裝結構,尤其涉及一種具有較佳密合度的LED封裝結構。
LED產業是近幾年最受矚目的產業之一,發展至今,LED產品已具有節能、省電、高效率、反應時間快、壽命週期時間長、且不含汞、具有環保效益等優點。然而LED高功率產品為獲得所需要的亮度與顏色,在LED封裝結構中具有一個反射層設置。該反射層通常是使用塑膠製成,例如,PPA(Polyphthalamide)或是其他高熱塑性的塑膠。這樣以塑膠製成的該反射層在該封裝結構中的基板頂面電極上設置時,由於與該電極金屬性質的材料密合性不佳,因此會直接影響到該LED封裝結構的密合度。目前改善的方式,是在該電極金屬片上先進行打孔的製程,然後將具有孔洞的該電極設置於該LED封裝結構中使用,通過該孔洞增加該反射層與該基板的接觸面積,從而提高該LED封裝結構的密合度。但是,以該電極金屬片打孔製程的方式提高該LED封裝結構的密合度,該打孔製程將增加該LED封裝結構的製造程序,不但造成工時的增加並使成本提高,實應加強這些提高密合度方式的改善。
有鑒於此,有必要提供一種可提高密合度、節省成本的LED封裝結構。
一種LED封裝結構,其包括一基板、一第一電極、一第二電極、一反射層、一覆蓋層以及一LED晶片。該第一、二電極分別具有電極襯墊的構型,該電極襯墊設置於該基板的頂面上, 該基板頂面一體成型該反射層。該反射層具有一凹槽,該電極襯墊位於該凹槽底部,該LED晶片設置於該第一電極並與該第二電極達成電性連接。該覆蓋層覆蓋該LED晶片。
上述的LED封裝結構,由於該第一、二電極具有電極襯墊的構型,該第一、二電極的電極襯墊構型表面積的總和小於該基板頂面的面積,該反射層一體成型在該基板的頂面,使該反射層與該基板的接觸面增大,因此可直接提高該LED封裝結構的密合度,該第一、二電極的電極襯墊構型,不會增加其他額外的製程,同時該電極襯墊構型也較電極片節省使用的材料,進而可以降低成本改善目前所存的缺點。
下面將結合附圖對本發明作一具體介紹。
請參閱圖1,所示為本發明LED封裝結構10,其包括一基板12、一第一電極13、一第二電極14、一反射層15、一覆蓋層16以及一LED晶片18。該基板12具有一頂面122以及與該頂面122背對的一底面124,該基板12其材料可以是陶瓷、矽或是塑膠。該頂面122用以設置該第一電極13以及該第二電極14,該第一、二電極13、14自該頂面122外側延伸至該底面124。該第一、二電極13、14具有不同的極性,一為正電極、一為負電極。請再參閱圖2,該第一、二電極13、14分別具有電極襯墊130、140的構型,該第一、二電極襯墊130、140位於該頂面122上。該第一電極襯墊130包含一固晶區域132,該第二電極襯墊140包含一連接區域142。該第一電極襯墊130的表面積大於該第二電極襯墊140的表面積,而該基板12頂面122的面積則大於該第一、二電極襯墊130、140表面積的總和。本實施例中,該第一、二電極襯墊130、140表面積的總和與該基板12頂面122面積之間具有一比值,該比值在四分之一至三分之二之間。
該反射層15設置於該基板12的頂面122,並環繞於該基板12周緣以及該第一、二電極13、14上。該反射層15包括有一凹槽152,該凹槽152形成於該頂面122的中央位置,使該第一、二電極襯墊130、140在該凹槽152的底部,而該固晶區域132以及該連接區域142則位於該凹槽152內的該基板12與該反射層15之間。該反射層15具有反射光線的作用,其材料可以是塑膠或是高分子材料,例如,PPA(Polyphthalamide) 塑膠或是環氧樹脂(Epoxy) 材料。該LED晶片18設置於該第一電極13上,由該固晶區域132承載,並通過導電線182分別與該第一電極襯墊130及該第二電極襯墊140的該連接區域142達成電性連接。該LED晶片18的電連接方式,除了以該導電線182的打線(Wire bonding)方式外,還可以覆晶(Flip chip)方式達成電性連接。該覆蓋層16覆蓋該LED晶片18。該覆蓋層16通常為透明膠體,該透明膠體內可以包含有螢光粉(圖中未標示) 。
上述LED封裝結構10,該第一、二電極13、14以該第一、二電極襯墊130、140的構型位於該基板12的頂面122上,由於該第一、二電極襯墊130、140的構型明顯小於一般電極片的矩形片體。因此,該第一、二電極襯墊130、140的表面積總和所覆蓋的該頂面122面積,亦明顯小於一般電極片表面積覆蓋的該頂面122面積。當該反射層15設置在該第一、二電極13、14上,並一體成形於該基板12的頂面122上時,由於該第一、二電極襯墊130、140構型覆蓋的該頂面122面積減少,從而可以增加該反射層15與該基板12頂面122的接觸面積。該反射層15與該頂面122的接觸面積加大,就可以直接增強該LED封裝結構10的密合度。同樣的,該第一、二電極襯墊130、140的表面積總和小於一般電極片表面積,就可以藉以節省材料降低成本。
綜上,本發明LED封裝結構的該第一、二電極具有的第一、二電極襯墊構型,使該第一、二電極不需要新增任何的製程,就可以增加該反射層與該基板頂面的接觸面積,達到提升該LED封裝結構的密合度,同時還可以藉以降低該LED封裝結構的製造成本。
應該指出,上述實施例僅為本發明的較佳實施方式,本領域技術人員還可在本發明精神內做其他變化。這些依據本發明精神所做的變化,都應包含在本發明所要求保護的範圍之內。
10...LED封裝結構
12...基板
122...頂面
124...底面
13...第一電極
130...第一電極襯墊
132...固晶區域
14...第二電極
140...第二電極襯墊
142...連接區域
15...反射層
152...凹槽
16...覆蓋層
18...LED晶片
182...導電線
圖1是本發明LED封裝結構的剖視圖。
圖2是本發明LED封裝結構的第一、二電極的俯視圖。
12...基板
122...頂面
13...第一電極
130...第一電極襯墊
132...固晶區域
14...第二電極
140...第二電極襯墊
142...連接區域
Claims (11)
- 一種LED封裝結構,其包括一基板、一第一電極、一第二電極、一反射層、一覆蓋層以及一LED晶片,該第一、二電極分別具有電極襯墊的構型,該電極襯墊設置於該基板的頂面上,該基板頂面一體成型該反射層,該反射層具有一凹槽, 該電極襯墊位於該凹槽底部, 該LED晶片設置於該第一電極並與該第二電極達成電性連接,該覆蓋層覆蓋該LED晶片。
- 如申請專利範圍第1項所述的LED封裝結構,其中,該基板頂面具有背對的一底面,該基板材料可以是陶瓷、矽或是塑膠。
- 如申請專利範圍第1項所述的LED封裝結構,其中,該第一、二電極自該基板頂面外側延伸至該底面,該第一、二電極具有不同的極性,一為正電極,一為負電極。
- 如申請專利範圍第1項所述的LED封裝結構,其中,該第一、二電極的電極襯墊,該第一電極襯墊包含一固晶區域,該第二電極襯墊包含一連接區域。
- 如申請專利範圍第4項所述的LED封裝結構,其中,該固晶區域設置該LED晶片,該連接區域通過導電線與該LED晶片電性連接。
- 如申請專利範圍第1項所述的LED封裝結構,其中,該LED晶片電性連接為覆晶方式。
- 如申請專利範圍第1項所述的LED封裝結構,其中,該第一電極襯墊的表面積大於該第二電極襯墊的表面積。
- 如申請專利範圍第1項所述的LED封裝結構,其中,該基板頂面的面積大於該第一、二電極襯墊表面積的總和。
- 如申請專利範圍第8項所述的LED封裝結構,其中,該第一、二電極襯墊表面積的總和與該基板頂面面積之間具有一比值,該比值在四分之一至三分之二之間。
- 如申請專利範圍第1項所述的LED封裝結構,其中,該反射層其材料是塑膠或是高分子材料,例如,PPA(Polyphthalamide) 塑膠或是環氧樹脂材料。
- 如申請專利範圍第1項所述的LED封裝結構,其中,該覆蓋層為透明膠體,該透明膠體內可以包含有螢光粉。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201110271218.7A CN103000794B (zh) | 2011-09-14 | 2011-09-14 | Led封装结构 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW201312793A true TW201312793A (zh) | 2013-03-16 |
TWI478388B TWI478388B (zh) | 2015-03-21 |
Family
ID=47829042
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW100134686A TWI478388B (zh) | 2011-09-14 | 2011-09-27 | Led封裝結構 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20130062642A1 (zh) |
CN (1) | CN103000794B (zh) |
TW (1) | TWI478388B (zh) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104124320B (zh) * | 2013-04-29 | 2017-02-08 | 展晶科技(深圳)有限公司 | 发光二极管 |
CN104425677B (zh) * | 2013-08-27 | 2017-08-29 | 浙江亮尔丽光电科技有限公司 | 发光二极管 |
DE102017115780A1 (de) * | 2017-07-13 | 2019-01-17 | Tdk Electronics Ag | Leuchtdiodenbauteil, Leuchtdiodenanordnung und Verfahren zur Herstellung eines Leuchtdiodenbauteils |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11340378A (ja) * | 1998-05-22 | 1999-12-10 | Sanken Electric Co Ltd | 半導体発光装置の製造方法 |
DE19829197C2 (de) * | 1998-06-30 | 2002-06-20 | Siemens Ag | Strahlungsaussendendes und/oder -empfangendes Bauelement |
JP2000183407A (ja) * | 1998-12-16 | 2000-06-30 | Rohm Co Ltd | 光半導体装置 |
JP4125848B2 (ja) * | 1999-12-17 | 2008-07-30 | ローム株式会社 | ケース付チップ型発光装置 |
DE10041328B4 (de) * | 2000-08-23 | 2018-04-05 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verpackungseinheit für Halbleiterchips |
US20020070387A1 (en) * | 2000-12-07 | 2002-06-13 | Bily Wang | Focusing cup on a folded frame for surface mount optoelectric semiconductor package |
AT410266B (de) * | 2000-12-28 | 2003-03-25 | Tridonic Optoelectronics Gmbh | Lichtquelle mit einem lichtemittierenden element |
US6833566B2 (en) * | 2001-03-28 | 2004-12-21 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Light emitting diode with heat sink |
JP4009097B2 (ja) * | 2001-12-07 | 2007-11-14 | 日立電線株式会社 | 発光装置及びその製造方法、ならびに発光装置の製造に用いるリードフレーム |
KR100439402B1 (ko) * | 2001-12-24 | 2004-07-09 | 삼성전기주식회사 | 발광다이오드 패키지 |
US7429757B2 (en) * | 2002-06-19 | 2008-09-30 | Sanken Electric Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device capable of increasing its brightness |
KR100631903B1 (ko) * | 2005-02-17 | 2006-10-11 | 삼성전기주식회사 | 고출력 led 하우징 및 그 제조 방법 |
US7635915B2 (en) * | 2006-04-26 | 2009-12-22 | Cree Hong Kong Limited | Apparatus and method for use in mounting electronic elements |
US8049230B2 (en) * | 2008-05-16 | 2011-11-01 | Cree Huizhou Opto Limited | Apparatus and system for miniature surface mount devices |
JP4686643B2 (ja) * | 2009-07-03 | 2011-05-25 | シャープ株式会社 | 半導体発光素子搭載用基板、バックライトシャーシ、表示装置、及び、テレビ受信装置 |
KR101028313B1 (ko) * | 2009-12-03 | 2011-04-11 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 장치 및 그 제조 방법 |
-
2011
- 2011-09-14 CN CN201110271218.7A patent/CN103000794B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2011-09-27 TW TW100134686A patent/TWI478388B/zh not_active IP Right Cessation
-
2012
- 2012-02-06 US US13/366,375 patent/US20130062642A1/en not_active Abandoned
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20130062642A1 (en) | 2013-03-14 |
CN103000794A (zh) | 2013-03-27 |
CN103000794B (zh) | 2015-06-10 |
TWI478388B (zh) | 2015-03-21 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM4A | Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees |