TWI466332B - Led封裝結構 - Google Patents

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TWI466332B
TWI466332B TW100113634A TW100113634A TWI466332B TW I466332 B TWI466332 B TW I466332B TW 100113634 A TW100113634 A TW 100113634A TW 100113634 A TW100113634 A TW 100113634A TW I466332 B TWI466332 B TW I466332B
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Hsin Chiang Lin
Wen Liang Tseng
Pin Chuan Chen
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Advanced Optoelectronic Tech
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Description

LED封裝結構
本發明涉及一種LED封裝結構，尤其涉及一種具有較寬光場的LED封裝結構。
LED產業是近幾年最受矚目的產業之一，發展至今，LED產品已具有節能、省電、高效率、反應時間快、壽命週期時間長、且不含汞、具有環保效益等優點。然而一般LED封裝結構中的LED晶片設置於基板的頂面上，該LED晶片發出的光線中，僅有一半多一點(約百分之五十六左右)可穿越所述LED晶片表面發射出去，其餘的光線大都直接被LED封裝結構吸收或是LED晶片內部的全反射而喪失。LED高功率產品為提高獲得所需要亮度，通常僅針對LED晶片的光萃取率作改善，其解決的方式不外乎有兩種，一是在該LED晶片磊晶前增設光萃取結構層，一是在該LED晶片磊晶後對磊晶結構表面進行粗糙化，以破壞磊晶結構的內部全反射作用，從而減少光的損失。但是，這樣的解決方式會增加制程的複雜性且花費昂貴，並非經濟方便的改善方式。
有鑒於此，有必要提供一種結構簡易、發光光場寬廣的LED封裝結構。
一種LED封裝結構，包括一基板、一LED晶片以及一覆蓋層。該基 板具有至少兩電極以及一載板，該載板具有一承載表面，該承載表面高於所述基板的頂面，並用以對應設置該LED晶片。該LED晶片與該電極電性連接，並通過該覆蓋層包覆。
上述的LED封裝結構中，由於該LED晶片的設置位置高於該基板的頂面，且該承載表面對應該LED晶片，使該LED晶片發出的光線不受該基板的阻擋或吸收，使穿越該LED晶片表面的發散角度更加寬廣，從而可以增加該LED晶片發光的光場，提高該LED封裝結構的亮度，其結構簡單、製造成本低。
10、20、30‧‧‧封裝結構
12、22‧‧‧基板
122、222‧‧‧頂面
124、224、324‧‧‧底面
126、226、38‧‧‧電極
128、228、32‧‧‧載板
1282、2282、322‧‧‧承載表面
14、24、34‧‧‧LED晶片
142‧‧‧發光層
16、26、36‧‧‧覆蓋層
18、28、382‧‧‧導線
200‧‧‧反射杯
θ‧‧‧出光角度
ψ‧‧‧夾角
H‧‧‧高度
D‧‧‧距離
圖1是本發明LED封裝結構第一實施例組合剖視圖。
圖2是圖1封裝結構的載板與LED晶片的組合剖視圖。
圖3是圖2載板與LED晶片組合的部分放大剖視圖。
圖4是本發明LED封裝結構第二實施例的剖視圖。
圖5是本發明LED封裝結構第三實施例的剖視圖。
下面將結合附圖對本發明作一具體介紹。
請參閱圖1，所示為本發明LED封裝結構第一實施例的組合剖視圖，該LED封裝結構10，包括一基板12、一LED晶片14以及一覆蓋層16。該基板12包含有一頂面122以及一底面124，並具有至少兩電極126以及一載板128，該電極126以及該載板128均自該基板12的頂面122延伸至該基板12的底面124。該載板128具有一承載表面1282，該承載表面1282高於該基板12的頂面122，並用以對應設置該LED晶片14。該LED晶片14與該電極126之間具有導線18以達 成電性連接，並通過該覆蓋層16包覆。該覆蓋層16為透明材質並且可以包含具有螢光粉。該LED晶片14在該承載表面1282上，與該基板12的頂面122間具有一定距離，使該LED晶片14發射的出光角度較不會被該基板12阻擋或吸收，相較於目前設置於該基板12頂面122的LED晶片14，本實施例的該LED晶片14具有更寬廣的出光角度。該LED晶片14的發射光線直接穿越所述LED晶片14表面的出光角度θ大約等於二百四十度(如圖2所標示)，該LED晶片14的出光角度θ可以依據該LED晶片14與該載板128承載表面1282對應設置的關係獲得。該LED晶片14與該載板128承載表面1282對應設置的關係式為tan ψ≦H/D，其中ψ為該LED晶片14與該載板128承載表面1282之間的夾角，H為該LED晶片14內部發光層142到達該LED晶片14底面的高度，D為該LED晶片14底面側邊與該載板128側邊之間的距離(如圖3中的放大圖所標示)。該LED晶片14的出光角度θ擴大，使該LED晶片14的光場更寬，從而使得該LED封裝結構10的亮度可以提高。
請再參閱圖4，是本發明LED封裝結構20第二實施例的剖視圖。該LED封裝結構20，包括一基板22、一LED晶片24以及一覆蓋層26，相同於該LED封裝結構10，該基板22包含有一頂面222以及一底面224，並具有至少兩電極226以及一載板228。該載板228具有一承載表面2282，該承載表面2282高於該基板22的頂面222，並用以對應設置該LED晶片24。該LED晶片24與該電極226之間具有導線28以達成電性連接，並通過該覆蓋層26包覆。不同在於，該基板22的頂面222具有一反射杯200。該反射杯200環繞該LED晶片24罩設，使具有寬光場發光的該LED晶片24發出的光線，能集中由該反射杯200開口處的該覆蓋層26發射，從而更加提升該LED封裝結 構20的發光亮度。
最後，請再參閱圖5的LED封裝結構30，包括一載板32、一LED晶片34、一覆蓋層36以及至少兩電極38。不同於第一實施例的該LED封裝結構10，本第三實施例的LED封裝結構30並不具有該基板12。該載板32具有一承載表面322以及一底面324。該承載表面322與該底面324間隔具有一定距離，使該載板32具有一定的高度。該承載表面322用以對應設置該LED晶片34，該LED晶片34與該電極38之間具有導線382以達成電性連接，並通過該覆蓋層36包覆該LED晶片34及其電性連接的該電極38和該載板32。該載板32也可設置在其中一電極38上(圖中未標示)，使該LED晶片34的電性連接以及該LED封裝結構30的封裝運作更加便捷。該LED晶片34通過在對應的該承載表面322上設置，同樣可具有寬光場的出光角度，使該LED封裝結構30的發光亮度更加提升、結構簡化。
綜上，本發明LED封裝結構，該LED晶片14、24以及34對應該載板128、228、32的承載表面1282、2282、322設置，使該LED晶片14、24以及34在該LED封裝結構10、20、30中的位置被提高，發光的出光角度更寬廣，從而可以最簡易及低成本的方式提升LED封裝結構的發光亮度。
應該指出，上述實施例僅為本發明的較佳實施方式，本領域技術人員還可在本發明精神內做其他變化。這些依據本發明精神所做的變化，都應包含在本發明所要求保護的範圍之內。
10‧‧‧封裝結構
12‧‧‧基板
122‧‧‧頂面
124‧‧‧底面
126‧‧‧電極
128‧‧‧載板
1282‧‧‧承載表面
14‧‧‧LED晶片
16‧‧‧覆蓋層
18‧‧‧導線

Claims (8)

  1. 一種LED封裝結構，包括一基板、一LED晶片以及一覆蓋層，該基板具有至少兩電極以及一載板，該載板具有一承載表面，該承載表面高於所述基板的頂面，並用以對應設置該LED晶片，該LED晶片與該電極電性連接，並通過該覆蓋層包覆，該承載表面設置該LED晶片的對應關係符合下列關係式：tan ψ≦H/D，其中ψ為所述LED晶片與所述承載表面之間的夾角，H為所述LED晶片內部具有的發光層到達所述LED晶片底面的高度，D為所述LED晶片底面側邊與所述載板側邊之間的距離。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的LED封裝結構，其中，該基板包含有一頂面以及一底面，該電極以及該載板均自該基板的頂面延伸至該基板的底面。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的LED封裝結構，其中，該基板的頂面具有一反射杯，該反射杯環繞該LED晶片罩設。
  4. 如申請專利範圍第1項所述的LED封裝結構，其中，該覆蓋層為透明材質並且可以包含具有螢光粉。
  5. 一種LED封裝結構，包括一載板、一LED晶片、一覆蓋層以及至少兩電極，該載板具有一承載表面，該承載表面對應設置該LED晶片，該LED晶片與該電極電性連接，並通過該覆蓋層包覆，該承載表面設置該LED晶片的對應關係符合下列關係式：tan ψ≦H/D，其中ψ為所述LED晶片與所述承載表面之間的夾角，H為所述LED晶片內部具有的發光層到達所述LED晶片底面的高度，D為所述LED晶片底面側邊與所述載板側邊之間的距離。
  6. 如申請專利範圍第5項所述的LED封裝結構，其中，該載板具有一底面， 該承載表面與該底面間隔具有一定距離，使該載板具有一定的高度。
  7. 如申請專利範圍第5項所述的LED封裝結構，其中，該載板設置在其中一電極上。
  8. 如申請專利範圍第5項所述的LED封裝結構，其中，該覆蓋層包覆該LED晶片及其電性連接的該電極和該載板。
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6229160B1 (en) * 1997-06-03 2001-05-08 Lumileds Lighting, U.S., Llc Light extraction from a semiconductor light-emitting device via chip shaping
US20080067534A1 (en) * 2006-07-21 2008-03-20 Epistar Corporation Light emitting device
US20100181587A1 (en) * 2009-01-16 2010-07-22 Everlight Electronics Co., Ltd. LED packaging structure and fabricating method thereof
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