CN103000794A - Led封装结构 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种LED封装结构,其包括一个基板、一个第一电极、一个第二电极、一个反射层、一个覆盖层以及一个LED芯片。所述第一、二电极分别具有电极衬垫的构型,所述电极衬垫设置于所述基板的顶面上,所述基板顶面一体成型所述反射层。所述反射层具有一个凹槽,所述电极衬垫位于所述凹槽底部,所述LED芯片设置于所述第一电极并与所述第二电极达成电性连接。所述覆盖层覆盖所述LED芯片。本发明的所述第一、二电极的连接衬垫构型,使所述反射层与所述基板的接触面积增大,可以增加LED封装结构的密合度。
Description
技术领域
本发明涉及一种LED封装结构,尤其涉及一种具有较佳密合度的LED封装结构。
背景技术
LED产业是近几年最受瞩目的产业之一,发展至今,LED产品已具有节能、省电、高效率、反应时间快、寿命周期时间长、且不含汞、具有环保效益等优点,然而LED高功率产品为获得所需要的亮度与颜色,在LED封装结构中具有一个反射层设置。所述反射层通常是使用塑料制成,例如,PPA(Polyphthalamide)或是其它高热塑性的塑料。这样以塑料制成的所述反射层在所述封装结构中基板顶面的电极上设置时,由于与所述电极金属性质的材料密合性不佳,因此会直接影响到所述LED封装结构的密合度。目前改善的方式,是在所述电极金属片上先进行打孔的制程运作,然后将具有孔洞的所述电极设置于所述LED封装结构中使用,通过所述孔洞增加所述反射层与所述基板的接触面积,从而提高所述LED封装结构的密合度。但是,以所述电极金属片打孔制程的方式提高所述LED封装结构的密合度,所述打孔制程将增加所述LED封装结构的制造程序,不但造成工时的增加并使成本提高,实应加强这些提高密合度方式的改善。
发明内容
有鉴于此,有必要提供一种可提高密合度、节省成本的LED封装结构。
一种LED封装结构,其包括一个基板、一个第一电极、一个第二电极、一个反射层、一个覆盖层以及一个LED芯片。所述第一、二电极分别具有电极衬垫的构型,所述电极衬垫设置于所述基板的顶面上, 所述基板顶面一体成型所述反射层。所述反射层具有一个凹槽, 所述电极衬垫位于所述凹槽底部, 所述LED芯片设置于所述第一电极并与所述第二电极达成电性连接。所述覆盖层覆盖所述LED芯片。
上述LED封装结构,由于所述第一、二电极具有电极衬垫的构型,所述第一、二电极的电极衬垫构型表面积的总和小于所述基板顶面的面积,所述反射层一体成型在所述基板的顶面,使所述反射层与所述基板的接触面增大,因此可直接提高所述LED封装结构的密合度,所述第一、二电极的电极衬垫构型,不会增加其它额外的制程,同时所述电极衬垫构型也较电极片节省使用的材料,进而可以降低成本改善目前所存的缺点。
附图说明
图1是本发明LED封装结构的剖视图。
图2是本发明LED封装结构的第一、二电极的俯视图。
主要元件符号说明
LED封装结构 | 10 |
基板 | 12 |
顶面 | 122 |
底面 | 124 |
第一电极 | 13 |
第一电极衬垫 | 130 |
固晶区域 | 132 |
第二电极 | 14 |
第二电极衬垫 | 140 |
连接区域 | 142 |
反射层 | 15 |
凹槽 | 152 |
覆盖层 | 16 |
LED芯片 | 18 |
导电线 | 182 |
如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本发明。
具体实施方式
下面将结合附图对本发明作一具体介绍。
请参阅图1,所示为本发明LED封装结构10,其包括一个基板12、一个第一电极13、一个第二电极14、一个反射层15、一个覆盖层16以及一个LED芯片18。所述基板12具有一个顶面122以及与所述顶面122背对的一个底面124,所述基板12其材料可以是陶瓷、硅或是塑料。所述顶面122用以设置所述第一电极13以及所述第二电极14,所述第一、二电极13、14自所述顶面122外侧延伸至所述底面124。所述第一、二电极13、14具有不同的极性,一个为正电极、一个为负电极。请再参阅图2,所述第一、二电极13、14分别具有电极衬垫130、140的构型,所述第一、二电极衬垫130、140位于所述顶面122上。所述第一电极衬垫130包含一个固晶区域132,所述第二电极衬垫140包含一个连接区域142。所述第一电极衬垫130的表面积大于所述第二电极衬垫140的表面积,而所述基板12顶面122的面积则大于所述第一、二电极衬垫130、140表面积的总和。本实施方式中,所述第一、二电极衬垫130、140表面积的总和与所述基板12顶面122面积之间具有一个比值,所述比值在四分之一至三分之二之间。
所述反射层15设置于所述基板12的顶面122,并环绕于所述基板12周缘以及所述第一、二电极13、14上。所述反射层15包括有一个凹槽152,所述凹槽152形成于所述顶面122的中央位置,使所述第一、二电极衬垫130、140在所述凹槽152的底部,而所述固晶区域132以及所述连接区域142则位于所述凹槽152内的所述基板12与所述反射层15之间。所述反射层15具有反射光线的作用,其材料可以是塑料或是高分子材料,例如,PPA(Polyphthalamide) 塑料或是环氧树脂(Epoxy) 材料。所述LED芯片18设置于所述第一电极13上,由所述固晶区域132承载,并通过导电线182分别与第一电极衬垫130及第二电极衬垫140的所述连接区域142达成电性连接。所述LED芯片18的电连接方式,除了以所述导电线182的打线(Wire bonding)方式外,还可以覆晶(Flip chip)方式达成电性连接。所述覆盖层16覆盖所述LED芯片18。所述覆盖层16通常为透明胶体,所述透明胶体内可以包含有荧光粉(图中未标示) 。
上述LED封装结构10,所述第一、二电极13、14以所述第一、二电极衬垫130、140的构型位于所述基板12的顶面122上,由于所述第一、二电极衬垫130、140的构型明显小于一般电极片的矩形片体。因此,所述第一、二电极衬垫130、140的表面积总和所覆盖的所述顶面122面积,亦明显小于一般电极片表面积覆盖的所述顶面122面积。当所述反射层15设置在所述第一、二电极13、14上,并一体成形于所述基板12的顶面122上时,由于所述第一、二电极衬垫130、140构型覆盖的所述顶面122面积减少,从而可以增加所述反射层15与所述基板12顶面122的接触面积。所述反射层15与所述顶面122的接触面积加大,就可以直接增强所述LED封装结构10的密合度。同样的,所述第一、二电极衬垫130、140的表面积总和小于一般电极片表面积,就可以藉以节省材料降低成本。
综上,本发明LED封装结构的所述第一、二电极具有的第一、二电极衬垫构型,使所述第一、二电极不需要新增任何的制程,就可以增加所述反射层与所述基板顶面的接触面积,达到提升所述LED封装结构的密合度,同时还可以藉以降低所述LED封装结构的制造成本。
另外,本领域技术人员还可在本发明精神内做其它变化,当然,这些依据本发明精神所做的变化,都应包含在本发明所要求保护的范围之内。
Claims (11)
1.一种LED封装结构,其包括一个基板、一个第一电极、一个第二电极、一个反射层、一个覆盖层以及一个LED芯片,所述第一、二电极分别具有电极衬垫的构型,所述电极衬垫设置于所述基板的顶面上, 所述基板顶面一体成型所述反射层, 所述反射层具有一个凹槽, 所述电极衬垫位于所述凹槽底部, 所述LED芯片设置于所述第一电极并与所述第二电极达成电性连接,所述覆盖层覆盖所述LED芯片。
2.如权利要求1所述的LED封装结构,其特征在于:所述基板顶面具有背对的一个底面,所述基板材料可以是陶瓷、硅或是塑料。
3.如权利要求1所述的LED封装结构,其特征在于:所述第一、二电极自所述基板顶面外侧延伸至所述底面,所述第一、二电极具有不同的极性,一个为正电极,一个为负电极。
4.如权利要求1所述的LED封装结构,其特征在于:所述第一、二电极的电极衬垫,所述第一电极衬垫包含一个固晶区域,所述第二电极衬垫包含一个连接区域。
5.如权利要求4所述的LED封装结构,其特征在于:所述固晶区域设置所述LED芯片,所述连接区域通过导电线与所述LED芯片电性连接。
6.如权利要求1所述的LED封装结构,其特征在于:所述LED芯片电性连接为覆晶方式。
7.如权利要求1所述的LED封装结构,其特征在于:所述第一电极衬垫的表面积大于所述第二电极衬垫的表面积。
8.如权利要求1所述的LED封装结构,其特征在于:所述基板顶面的面积大于所述第一、二电极衬垫表面积的总和。
9.如权利要求8所述的LED封装结构,其特征在于:所述第一、二电极衬垫表面积的总和与所述基板顶面面积之间具有一个比值,所述比值在四分之一至三分之二之间。
10.如权利要求1所述的LED封装结构,其特征在于:所述反射层其材料是塑料或是高分子材料,例如,PPA(Polyphthalamide) 塑料或是环氧树脂材料。
11.如权利要求1所述的LED封装结构,其特征在于:所述覆盖层,为透明胶体,所述透明胶体内可以包含有荧光粉。
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