TWI447974B - Led封裝結構 - Google Patents

Led封裝結構 Download PDF

Info

Publication number
TWI447974B
TWI447974B TW100114548A TW100114548A TWI447974B TW I447974 B TWI447974 B TW I447974B TW 100114548 A TW100114548 A TW 100114548A TW 100114548 A TW100114548 A TW 100114548A TW I447974 B TWI447974 B TW I447974B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
heat dissipating
dissipating component
package structure
led package
led
Prior art date
Application number
TW100114548A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201242123A (en
Inventor
Ming Ta Tsai
Ching Chung Chen
Original Assignee
Advanced Optoelectronic Tech
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Advanced Optoelectronic Tech filed Critical Advanced Optoelectronic Tech
Publication of TW201242123A publication Critical patent/TW201242123A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI447974B publication Critical patent/TWI447974B/zh

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181Encapsulation

Landscapes

  • Led Device Packages (AREA)

Description

LED封裝結構
本發明涉及一種LED封裝結構,尤其涉及一種具有較佳散熱效能的LED封裝結構。
LED產業是近幾年最受矚目的產業之一,發展至今,LED產品已具有節能、省電、高效率、反應時間快、壽命週期時間長、且不含汞、具有環保效益等優點。然而LED高功率、亮度與高密度封裝的運用趨勢下,其散熱問題面臨愈來愈嚴峻的考驗,如果不適時解決將嚴重影響LED的壽命。LED封裝結構中通常會使用LED晶片的載體基板協助散熱,例如採用陶瓷基板或是金屬基板。這些具有散熱效能的基板因材料特性限制而有一定的散熱效率,但是LED為一高熱流密度的點光源,僅靠陶瓷或是金屬材料散熱,無法將熱點快速擴散,對於維護LED使用壽命的成效上仍顯不足。另外,LED封裝結構的電極也是一個高傳熱率的材料,因此當LED以表面黏著技術SMT(Surface Mount Technology)設置于電路板時,焊接的高溫可能造成所謂爬錫問題(又稱SMT燈芯效應),而產生焊接的缺陷。所以如何有效快速的提高LED的散熱效率,仍然是企業需要解決的問題。
有鑒於此,有必要提供一種可加快散熱效率、避免爬錫反應的 LED封裝結構。
一種LED封裝結構,其包括一第一散熱元件、一第二散熱元件、兩電極、一LED晶片以及一封裝層。該第一散熱元件用以設置該兩電極以及該LED晶片,並使該兩電極與該LED晶片達成電性連接。該第二散熱元件坎置於該第一散熱元件內,並位於該LED晶片的相對位置。該封裝層,覆蓋該LED晶片。
上述的LED封裝結構,由於該第二散熱元件位於該第一散熱元件內,並相對於該LED晶片的位置,可直接將該第一散熱元件所傳導的熱量迅速對外傳出,增加該LED封裝結構對外散熱的效率,從而可提高並維護其使用壽命。
10、20、30‧‧‧LED封裝結構
12、22、32‧‧‧第一散熱元件
120、220‧‧‧凹槽
122、222、322‧‧‧頂面
124、224‧‧‧底面
126、226‧‧‧側面
14、24、34‧‧‧第二散熱元件
15、25、35‧‧‧電極
16、26、36‧‧‧LED晶片
162、262‧‧‧導電線
18、28、38‧‧‧封裝層
29‧‧‧凹坑
39‧‧‧反射杯
圖1是本發明第一實施例LED封裝結構的剖視圖。
圖2是圖1第一實施例LED封裝結構俯視圖。
圖3是本發明第二實施例LED封裝結構的剖視圖。
圖4是圖3第二實施例LED封裝結構俯視圖。
圖5是本發明第三實施例LED封裝結構的剖視圖。
下面將結合附圖對本發明作一具體介紹。
請參閱圖1,所示為本發明第一實施例LED封裝結構10,其包括一第一散熱元件12、一第二散熱元件14、兩電極15、一LED晶片16以及一封裝層18。該第一散熱元件12具有一頂面122以及相對的一底面124,該頂面122用以設置該兩電極15以及該LED晶片16, 該LED晶片16通過導電線162與該兩電極15達成電性連接。該底面124用以坎置該第二散熱元件14,使該第二散熱元件14與該LED晶片16相對設置。該兩電極15一為正電極,一為負電極,分別設置於該頂面122的兩側,並由該頂面122延伸至該第一散熱元件12的側面126。該兩電極15的電極厚度在該頂面122的中央部位形成一凹槽120,該凹槽120用以設置該LED晶片16。該凹槽120的面積大於該第二散熱元件14的面積(如圖2中虛線所標示),該LED晶片16的面積則小於該第二散熱元件14的面積。該第一散熱元件12的材料是矽、陶瓷或高導熱的絕緣材料。該第二散熱元件14的材料是金屬或高導熱材料。該第一散熱元件12的熱傳導速率小於該第二散熱元件14的熱傳導速率。該封裝層18覆蓋該LED晶片16,該封裝層18的材料是透明材質,例如,矽氧樹脂(Silicone)或是環氧樹脂(Epoxy)材料。該封裝層18可以包含至少一種螢光粉(圖中未標示)。
上述第一實施例LED封裝結構10,該LED晶片16位於該第一散熱元件12的頂面122上,其發光運作所產生的高熱,通過該第一散熱元件12進行散熱。該第二散熱元件14坎置於該第一散熱元件12內,並位於該LED晶片的相對位置處,該LED晶片16所產生的高熱將可通過該第一散熱元件12後,再藉由該第二散熱元件14對外散熱。該第二散熱元件14的熱傳導速率是大於該第一散熱元件12,因此該第二散熱元件14可以通過該第一散熱元件12加速地對該LED晶片處產生的高熱進行散熱。相較於一般散熱元件固定的散熱速率,本實施例LED封裝結構10能更快速地對該LED晶片16處產生的高熱進行散熱。該第二散熱元件14的快速散熱作用,顯然更能有效地維護該LED封裝結構10的使用壽命,並維持其良好的發光效 能。
請再參閱圖3,是本發明第二實施例LED封裝結構的剖視圖。該LED封裝結構20基本上與該第一實施例LED封裝結構10相同,其包括一第一散熱元件22、一第二散熱元件24、兩電極25、一LED晶片26以及一封裝層28。該第一散熱元件22具有一頂面222以及相對的一底面224,該頂面222用以設置該兩電極25以及該LED晶片26,該LED晶片26通過導電線262與該兩電極25達成電性連接。該底面224用以坎置該第二散熱元件24,使該第二散熱元件24與該LED晶片26相對設置。該兩電極25的電極厚度在該頂面222的中央部位形成一凹槽220,該凹槽220用以設置該LED晶片26。該封裝層28覆蓋該LED晶片26。不同在於;該兩電極25自該頂面222兩側延伸至該第一散熱元件22的側面226,該兩電極25的電極厚度與該底面224之間形成凹坑29。該凹坑29在該LED封裝結構20設置于電路板時,該凹坑29可以提供作為焊料的容置空間,防止焊料循著該電極25傳導焊接時的高溫而產生爬錫的現象。另外,該凹坑29的防爬錫作用,使該第二散熱元件24的面積可以增加以提高該LED封裝結構20在設置于電路板時的對外散熱效率。該第二散熱元件24的面積大於該凹槽220的面積(如圖4所示),使該第二散熱元件24延伸靠近該第一散熱元件22的側面226,增加焊接時的散熱效率,維護該LED封裝結構20。
最後,請再參閱圖5,是本發明第三實施例LED封裝結構的剖視圖。該LED封裝結構30基本上與該第一實施例LED封裝結構10相同,其包括一第一散熱元件32、一第二散熱元件34、兩電極35、一LED晶片36以及一封裝層38。由於基本結構特徵相同因此不再贅 述。不同在於;該第一散熱元件32的該頂面322上具有一反射杯39設置,該反射杯39環繞於該頂面322的周緣。該反射杯39是以模造成型(Molding)方式成型,有助於提升該LED封裝結構30的發光效能。該反射杯39的材料是塑膠或是高分子的材料,例如,PPA(Polyphthalamide)塑膠或是環氧樹脂材料。
綜上,本發明LED封裝結構的該第二散熱元件位於該第一散熱元件內,並位於該LED晶片的相對位置上,且該第二散熱元件的熱傳導速率是大於該第一散熱元件,使該LED晶片產生的高熱可藉由該第二散熱元件加速對外傳導,從而可增加該LED封裝結構對外散熱的效率,提高其維護使用的壽命。
應該指出,上述實施例僅為本發明的較佳實施方式,本領域技術人員還可在本發明精神內做其他變化。這些依據本發明精神所做的變化,都應包含在本發明所要求保護的範圍之內。
10‧‧‧LED封裝結構
12‧‧‧第一散熱元件
120‧‧‧凹槽
122‧‧‧頂面
124‧‧‧底面
126‧‧‧側面
14‧‧‧第二散熱元件
15‧‧‧電極
16‧‧‧LED晶片
162‧‧‧導電線
18‧‧‧封裝層

Claims (12)

  1. 一種LED封裝結構,其包括一第一散熱元件、一第二散熱元件、兩電極、一LED晶片以及一封裝層,該第一散熱元件用以設置該兩電極以及該LED晶片,並使該兩電極與該LED晶片達成電性連接,該第二散熱元件坎置於該第一散熱元件內,並位於該LED晶片的相對位置,該封裝層覆蓋該LED晶片,其中,該兩電極,一為正電極,一為負電極,由該第一散熱元件頂面的兩側延伸至側面,該兩電極的電極厚度在該頂面的中央部位形成一凹槽,該凹槽設置該LED晶片,該LED晶片通過導電線與該兩電極達成電性連接。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的LED封裝結構,其中,該第一散熱元件,具有一頂面以及相對的一底面,該頂面用以設置該兩電極以及該LED晶片,該底面用以坎置該第二散熱元件。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的LED封裝結構,其中,該第一散熱元件,材料是矽、陶瓷或高導熱的絕緣材料。
  4. 如申請專利範圍第1項所述的LED封裝結構,其中,該第一散熱元件,熱傳導速率小於該第二散熱元件的熱傳導速率。
  5. 如申請專利範圍第1項所述的LED封裝結構,其中,該第二散熱元件,材料是金屬或高導熱材料。
  6. 如申請專利範圍第1項所述的LED封裝結構,其中,該凹槽,面積大於該第二散熱元件的面積,該LED晶片的面積小於該第二散熱元件的面積。
  7. 如申請專利範圍第1項所述的LED封裝結構,其中,該兩電極的電極厚度,在該第一散熱元件的側面與該底面之間形成凹坑,使該第二散熱元件的面積大於該凹槽的面積。
  8. 如申請專利範圍第1項所述的LED封裝結構,其中,該封裝層,材料是透明材質,包括矽氧樹脂(Silicone)或是環氧樹脂(Epoxy)材料。
  9. 如申請專利範圍第1項所述的LED封裝結構,其中,該封裝層,包含至少一種螢光粉。
  10. 如申請專利範圍第1項所述的LED封裝結構,其中,該第一散熱元件,具有一反射杯設置,該反射杯環繞於該第一散熱元件的頂面周緣。
  11. 如申請專利範圍第10項所述的LED封裝結構,其中,該反射杯,是以模造成型方式成型。
  12. 如申請專利範圍第10項所述的LED封裝結構,其中,該反射杯,材料是塑膠或是高分子的材料,例如,PPA(Polyphthalamide)塑膠或是環氧樹脂材料。
TW100114548A 2011-04-13 2011-04-27 Led封裝結構 TWI447974B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201110091359.0A CN102738352B (zh) 2011-04-13 2011-04-13 Led封装结构

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201242123A TW201242123A (en) 2012-10-16
TWI447974B true TWI447974B (zh) 2014-08-01

Family

ID=46993484

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW100114548A TWI447974B (zh) 2011-04-13 2011-04-27 Led封裝結構

Country Status (2)

Country Link
CN (1) CN102738352B (zh)
TW (1) TWI447974B (zh)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103545426A (zh) * 2013-10-31 2014-01-29 桂林福冈新材料有限公司 Led支架
CN103560198A (zh) * 2013-11-08 2014-02-05 桂林机床电器有限公司 一种led封装结构
CN107994108A (zh) * 2017-12-26 2018-05-04 深圳市灏天光电有限公司 一种防断裂支架及其生产方法
CN110970375A (zh) * 2018-09-29 2020-04-07 珠海格力电器股份有限公司 一种封装结构及其制备方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200847480A (en) * 2007-05-29 2008-12-01 Iwatani Internat Corp Semiconductor light-emitting device
TWM386441U (en) * 2010-03-18 2010-08-11 Uei Shy Entpr Co Ltd Integrated one-piece ceramic heat dissipation device

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7372077B2 (en) * 2003-02-07 2008-05-13 Sanyo Electric Co., Ltd. Semiconductor device
US7579629B2 (en) * 2003-04-01 2009-08-25 Sharp Kabushiki Kaisha Light-emitting apparatus package, light-emitting apparatus, backlight apparatus, and display apparatus
TWI245436B (en) * 2003-10-30 2005-12-11 Kyocera Corp Package for housing light-emitting element, light-emitting apparatus and illumination apparatus
TWI231613B (en) * 2004-03-16 2005-04-21 Solidlite Corp Package structure of enhanced power light emitting diode
CN1828951A (zh) * 2005-03-03 2006-09-06 宏齐科技股份有限公司 防止短路的二极管封装结构及其制作方法
KR100631993B1 (ko) * 2005-07-20 2006-10-09 삼성전기주식회사 Led 패키지 및 그 제조방법
US20070126020A1 (en) * 2005-12-03 2007-06-07 Cheng Lin High-power LED chip packaging structure and fabrication method thereof
CN100568554C (zh) * 2006-08-16 2009-12-09 晶元光电股份有限公司 发光二极管装置及发光芯片
TWI353096B (en) * 2007-08-20 2011-11-21 Young Optics Inc Optoelectronic semiconductor package and method fo
JP4923275B2 (ja) * 2007-10-10 2012-04-25 Necアクセステクニカ株式会社 スルーホール構造及びそれを用いたプリント配線板
CN101252163A (zh) * 2008-03-27 2008-08-27 潮州三环(集团)股份有限公司 一种smd高功率led陶瓷封装基座
CN101276869A (zh) * 2008-05-04 2008-10-01 潮州市三江电子有限公司 一种片式led封装用陶瓷散热基板
CN101350390B (zh) * 2008-08-21 2010-06-02 旭丽电子(广州)有限公司 一种led封装结构
KR101064098B1 (ko) * 2009-02-23 2011-09-08 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지 및 그 제조방법

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200847480A (en) * 2007-05-29 2008-12-01 Iwatani Internat Corp Semiconductor light-emitting device
TWM386441U (en) * 2010-03-18 2010-08-11 Uei Shy Entpr Co Ltd Integrated one-piece ceramic heat dissipation device

Also Published As

Publication number Publication date
CN102738352B (zh) 2016-01-06
CN102738352A (zh) 2012-10-17
TW201242123A (en) 2012-10-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5536814B2 (ja) パッケージキャリアの製造方法
US7939919B2 (en) LED-packaging arrangement and light bar employing the same
US20050199900A1 (en) Light-emitting device with high heat-dissipating efficiency
CN109637983B (zh) 芯片封装
US9837592B2 (en) Ceramic substrate and semiconductor package having the same
TWI447974B (zh) Led封裝結構
TWI539627B (zh) 發光二極體照明裝置
TWI469395B (zh) 發光模組
TWI722533B (zh) 散熱基板及其製作方法
US8907371B2 (en) Light emitting diode package and light emitting device having the same
KR100764461B1 (ko) 버퍼층을 갖는 반도체 패키지
TWM491958U (zh) 用於led覆晶封裝的浮動散熱銅片支架及led封裝件
TWI660471B (zh) 晶片封裝
TW201532316A (zh) 封裝結構及其製法
KR101237685B1 (ko) 방열 기판 및 그 제조방법
TWI591860B (zh) 高壓電源發光二極體封裝結構
TWM593656U (zh) 晶片封裝結構及晶片封裝模組
TWI451606B (zh) 具散熱通道的發光模組
KR101152173B1 (ko) Led 패키지 및 그 제조방법
CN110957277B (zh) 一种逆变器电力系统及其制造方法
JP2013004824A (ja) Led照明装置及びled照明装置の製造方法
TWI495079B (zh) 發光模組
KR101299587B1 (ko) 엘이디 조명장치
TWI485893B (zh) 一種高功率發光二極體
TWI531756B (zh) 可前後散熱之發光二極體模組

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees